JP3777732B2

JP3777732B2 - Adhesive composition for semiconductor device and adhesive sheet for semiconductor device using the same

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Publication number: JP3777732B2
Application number: JP21511897A
Authority: JP
Inventors: 将次木越; 芳雄安藤; 泰司澤村
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1996-10-15
Filing date: 1997-08-08
Publication date: 2006-05-24
Anticipated expiration: 2017-08-08
Also published as: JPH10178039A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路を実装し、パッケージ化する際に用いられる半導体集積回路接続用基板（インターポーザー）を構成する接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートに関する。さらに詳しくは、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）方式に用いられる半導体集積回路接続用基板を構成する絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層と、たとえば金属製補強板（スティフナー）等の導体パターンが形成されていない層の間を接着し、かつ温度差によりそれぞれの層間に発生する熱応力を緩和する機能を有する接着剤組成物、およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路（ＩＣ）パッケージとして、デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）、スモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）、クアッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）等のパッケージ形態が用いられてきた。しかし、ＩＣの多ピン化とパッケージの小型化に伴って、最もピン数を多くできるＱＦＰにおいても限界に近づいている。これは特にプリント基板に実装する際に、リードの平面性が保ちにくいことやプリント基板上の半田の印刷精度が得にくいことなどによる。そこで、近年多ピン化、小型化の手段としてＢＧＡ方式、ＬＧＡ方式、ＰＧＡ方式、等が実用化されてきた。中でもＢＧＡ方式はプラスチック材料の利用による低コスト化、軽量化、薄型化の可能性が高く注目されている。
【０００３】
図１にＢＧＡ方式の例を示す。ＢＧＡ方式は、ＩＣを接続した半導体集積回路接続用基板の外部接続部としてＩＣのピン数にほぼ対応する半田ボールを格子上（グリッドアレイ）に有することを特徴としている。プリント基板への接続は、半田ボール面をすでに半田が印刷してあるプリント基板の導体パターン上に一致するように乗せて、リフローにより半田を融解して行なわれる。最大の特徴は、半導体集積回路接続用基板の面を使用できるため、ＱＦＰ等の周囲の辺しか使用できないパッケージと比較して多くの端子を少ないスペースに配置できることにある。この小型化機能をさらに進めたものに、チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）があり、その類似性からマイクロＢＧＡ（μ−ＢＧＡ）と称する場合がある。本発明はこれらのＢＧＡ構造を有するＣＳＰにも適用できる。
【０００４】
一方、ＢＧＡ方式は以下のような課題がある。（ａ）半田ボール面の平面性を保つ、（ｂ）放熱を良くする、（ｃ）温度サイクルやリフローの際に半田ボールにかかる熱応力を緩和する、（ｄ）リフロー回数が多いのでより高い耐リフロー性を要する。これらを改善する方法として、半導体集積回路接続用基板に補強、放熱、電磁的シールドを目的とする金属板等の材料を積層する方法が一般的である。特に、ＩＣを接続するための絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層にＴＡＢテープやフレキシブルプリント基板を用いた場合は重要である。このため、半導体集積回路接続用基板は、図２に例示するように、ＩＣを接続するための絶縁体層１１および導体パターン１３からなる配線基板層、補強板（スティフナー）、放熱板（ヒートスプレッダー）、シールド板等の導体パターンが形成されていない層１５、およびこれらを積層するための、接着剤層１４をそれぞれ少なくとも１層以上有する構成となっている。これらの半導体集積回路接続用基板は、あらかじめ配線基板層または導体パターンが形成されていない層のいずれかに接着剤組成物を半硬化状態で積層あるいは塗布・乾燥した中間製品を作成しておき、ＩＣの接続前の工程で貼り合わせ、加熱硬化させて成型することにより作成されるのが一般的である。
【０００５】
以上の点から接着剤層１４に要求される特性として下記の点が挙げられる。（ａ）リフロー条件（２３０℃以上）においても剥がれない高い接着力，（ｂ）温度サイクルやリフローの際に、配線基板層と補強板等の異種材料間にかかる熱応力を緩和するための、適度な弾性率および線膨張係数特性，（ｃ）貼り合わせ、加熱キュアの低温、短時間プロセスが可能な易加工性，（ｄ）配線上に積層する場合の絶縁性。
【０００６】
このような観点から、従来は接着剤層として熱可塑樹脂あるいはシリコーンエラストマ（特公平６−５０４４８号公報）などが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の特性のうち特に接着力に対して熱応力緩和効果および耐リフロー性とのバランスをとることは困難であった。すなわち、従来の接着剤組成物では、接着力を向上させると高温での弾性率が低下し、総合的に必ずしも十分な特性が得られなかった。
【０００８】
一般的には接着剤の弾性率を低下させることにより、破壊エネルギーを増加させて、接着力を向上させることが可能であるが、このような方法では高温、高湿下で接着剤が軟化し、耐リフロー性および高温高湿での接着力が低下するという問題が生ずる。一方、耐リフロー性および高温高湿での接着力を向上させるため、接着剤の架橋度を増加させると、接着剤が脆性破壊しやすくなるとともに、硬化収縮による内部応力の増加を招き、接着力が低下するのでかえって好ましくない。さらに、温度差により生じる熱応力の緩和効果も失われる。
【０００９】
本発明はこのような問題点を解決し、加工性、接着力、絶縁信頼性および耐久性に優れた新規な半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために半導体装置用接着剤組成物の接着剤成分の硬化物物性を鋭意検討した結果、熱可塑性樹脂とシアネートエステル樹脂を巧みに組み合わせることにより、接着力および熱応力緩和効果に優れた、半導体集積回路接続用基板に適した半導体装置用接着剤組成物が得られることを見い出し、本発明に至ったものである。
【００１１】
すなわち、本発明は、（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、（Ｂ）導体パターンが形成されていない層および（Ｃ）接着剤層をそれぞれ少なくとも１層以上有する半導体集積回路接続用基板の（Ｃ）接着剤層を形成する半導体装置用接着剤組成物であって、該接着剤組成物が必須成分として熱可塑性樹脂、シアネートエステル樹脂およびマレイミド化合物をそれぞれ少なくとも１種類以上含むことを特徴とする半導体装置用接着剤組成物、およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体集積回路接続用基板とは、シリコンなどの半導体基板上に素子が形成された後、切り分けられた半導体集積回路（ベアチップ）を接続するものであり、（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、（Ｂ）導体パターンが形成されていない層、（Ｃ）本発明の接着剤組成物からなる接着剤層をそれぞれ少なくとも１層以上有するものであれば、形状、材料および製造方法は特に限定されない。したがって、最も基本的なものは、Ａ／Ｃ／Ｂの構成であるが、Ａ／Ｃ／Ｂ／Ｃ／Ｂ等の多層構造もこれに含まれる。
【００１３】
（Ａ）はベアチップの電極パッドとパッケージの外部（プリント基板等）を接続するための導体パターンを有する層であり、絶縁体層の片面または両面に導体パターンが形成されているものである。ここでいう絶縁体層は、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる、厚さ１０〜１２５μｍの可撓性を有する絶縁性フィルム、アルミナ、ジルコニア、ソーダガラス、石英ガラス等のセラミック基板が好適であり、これらから選ばれる複数の層を積層して用いても良い。また必要に応じて、絶縁体層に、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理を施すことができる。導体パターンの形成は、一般にサブトラクティブ法あるいはアディティブ法のいずれかで行なわれるが、本発明ではいずれを用いてもよい。サブトラクティブ法では、該絶縁体層に銅箔等の金属板を絶縁性接着剤（本発明の接着剤組成物も用いることができる。）により接着するか、あるいは金属板に該絶縁体層の前駆体を積層し、加熱処理などにより絶縁体層を形成する方法で作成した材料を、薬液処理でエッチングすることによりパターン形成する。ここでいう材料として具体的には、リジッドあるいはフレキシブルプリント基板用銅張り材料やＴＡＢテープ（図３）を例示することができる。一方、アディティブ法では、該絶縁体層に無電解メッキ、電解メッキ、スパッタリング等により直接導体パターンを形成する。いずれの場合も、形成された導体に腐食防止のため耐食性の高い金属がメッキされていてもよい。このようにして作成された（Ａ）の配線基板層には必要によりビアホールが形成され、メッキにより両面に形成された導体パターン間がメッキにより接続されていてもよい。
【００１４】
（Ｂ）は実質的に（Ａ）または（Ｃ）とは独立した均一な層であり、半導体集積回路接続用基板の補強および寸法安定化（一般に補強板あるいはスティフナーと称される）、外部とＩＣの電磁的なシールド、ＩＣの放熱（一般に放熱板、ヒートスプレッダー、ヒートシンク等と称される）、半導体集積回路接続用基板への難燃性の付与、半導体集積回路接続用基板の形状的による識別性の付与、等の機能を担持するものである。したがって、形状は層状だけでなく、たとえば放熱用としてはフィン構造を有する立体的なものでもよい。また、上記の機能を有するものであれば絶縁体、導電体のいずれであってもよく、材料も特に制限されず、金属としては銅、鉄、アルミニウム、金、銀、ニッケル、チタン等、無機材料としてはアルミナ、ジルコニア、ソーダガラス、石英ガラス、カーボン等、有機材料としてはポリイミド系、ポリアミド系、ポリエステル系、ビニル系、フェノール系、エポキシ系等のポリマ材料が例示される。また、これらの組合わせによる複合材料も使用できる。たとえば、ポリイミドフィルム上に薄い金属メッキをした形状のもの、ポリマにカーボンを練り込んで導電性をもたせたもの、金属板に有機絶縁性ポリマをコーティングしたもの、等が例示できる。さらに、上記（Ａ）と同様に種々の表面処理を行なうことは制限されない。
【００１５】
（Ｃ）は、（Ａ）と（Ｂ）の接着に主として用いられる接着剤層である。しかし、（Ａ）または（Ｂ）と他の部材（たとえばＩＣやプリント基板等）との接着に用いることは何等制限されない。この接着剤層は半導体集積回路接続用基板に半硬化状態で積層される場合が通常であり、積層前あるいは積層後に３０〜２００℃の温度で適当な時間予備硬化反応を行なわせて硬化度を調節することができる。接着剤層の厚みは、接着力、熱応力緩和効果、加工性、等との関係で適宜選択できるが、２〜５００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜２００μｍである。
【００１６】
この接着剤層は本発明の半導体装置用接着剤組成物（以下接着剤組成物と称する）から形成され、該接着剤組成物は熱可塑性樹脂およびシアネートエステル樹脂をそれぞれ少なくとも１種類以上含むことを必須とするが、その種類は特に限定されない。また、他の熱硬化性樹脂を適宜混合することは何ら制限されない。
【００１７】
熱可塑性樹脂は接着性、可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有し、シアネートエステル樹脂は、耐熱性、低硬化収縮性、低吸水性、等の特性に優れ、接着剤層の耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤層の強度等の物性のバランスを実現するために必要である。
【００１８】
熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレン樹脂（ＳＢＳ）、アクリル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン、等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂はシアネートエステル樹脂あるいは他の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。
【００１９】
熱可塑性樹脂として（Ｂ）の素材との接着性、可撓性、熱応力の緩和効果の点からブタジエンを必須共重合成分とする共重合体は特に好ましく、種々のものが使用できる。特に、金属との接着性、耐薬品性等の観点からアクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）は好ましい。さらにブタジエンを必須共重合成分としかつカルボキシル基を有する共重合体はより好ましく、たとえばＮＢＲ（ＮＢＲ−Ｃ）、ＳＥＢＳ（ＳＥＢＳ−Ｃ）、ＳＢＳ（ＳＢＳ−Ｃ）等が挙げられる。ＮＢＲ−Ｃとしては、例えばアクリロニトリルとブタジエンを約１０／９０〜５０／５０のモル比で共重合させた共重合ゴムの末端基をカルボキシル化したもの、あるいはアクリロニトリル、ブタジエンとアクリル酸、マレイン酸などのカルボキシル基含有重合性単量体の三元共重合ゴムなどが挙げられる。具体的には、ＰＮＲ−１Ｈ（日本合成ゴム（株）製）、”ニポール”１０７２Ｊ、”ニポール”ＤＮ６１２、”ニポール”ＤＮ６３１（以上日本ゼオン（株）製）、”ハイカー”ＣＴＢＮ（ＢＦグッドリッチ社製）等がある。また、ＳＥＢＳ−ＣとしてはＭＸ−０７３（旭化成(株)製）、ＳＢＳ−ＣとしてはＤ１３００Ｘ（シェルジャパン（株）製）、が例示できる。
【００２０】
また、熱可塑性樹脂が溶剤に可溶であれば、接着剤組成物をコーテイングにより均一組成、均一厚みの接着剤層とできるので好適である。この場合、溶解度は、２５℃において好ましくは５重量％以上、さらに好ましくは１０重量％以上である。５重量％以下では実質的に適当な厚みの接着剤層を得るのが困難であり、好ましくない。溶剤は特に限定されないが、コーティングでの溶剤の乾燥を考慮して、沸点が６０〜２５０℃の有機溶剤が好ましい。
【００２１】
本発明でいうシアネートエステル樹脂とは、下記式（１）で示される化合物またはその化合物から得られるオリゴマーを少なくとも１種類以上含むものである。中でも、４、４’ジシアネートフェニル型の樹脂は耐熱性に優れ、入手しやすく経済的に有利であり、好ましい。
【００２２】
【化１】

ここでＲ₁〜Ｒ₄は水素、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子から選ばれる置換基を示す。Ｘは炭素−炭素結合（官能基なし）、未置換メチレン結合、１個または２個の水素原子を炭素数１〜６の炭化水素基で置換したメチレン結合、１個または２個の水素原子を炭素数１〜６のハロゲン化炭化水素基で置換したメチレン結合、スルホン結合、スルフィド結合、カルボニル結合、アミド結合、エステル結合、エーテル結合、テトラメチルキシリデン結合を示す。
【００２３】
シアネートエステル樹脂の添加量は熱可塑性樹脂１００重量部に対して５〜４００重量部、好ましくは５０〜２００重量部である。シアネートエステル樹脂の添加量が５重量部未満であると、高温での弾性率低下が著しく、半導体装置を実装した機器の使用中に半導体集積回路接続用基板の変形が生じるとともに加工工程において取り扱いの作業性に欠けるので好ましくない。シアネートエステル樹脂の添加量が４００重量部を越えると弾性率が高く、線膨張係数が小さくなり熱応力の緩和効果が小さいので好ましくない。
【００２４】
本発明の接着剤層にシアネートエステル樹脂以外の熱硬化性樹脂を含有させることにより、硬化温度および硬化時間等の加工性、接着性、可撓性、等のバランスを調節できるので好ましい。
【００２５】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、等公知のものが例示される。特に、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂は絶縁性に優れるので好適である。
【００２６】
エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、シクロヘキサンエポキサイド等の脂環式エポキシ、等が挙げられる。さらに、難燃性付与のために、ハロゲン化エポキシ樹脂、特に臭素化エポキシ樹脂を用いることが有効である。この際、臭素化エポキシ樹脂のみでは難燃性の付与はできるものの接着剤の耐熱性の低下が大きくなるため非臭素化エポキシ樹脂との混合系とすることがさらに有効である。臭素化エポキシ樹脂の例としては、テトラブロモビスフェノールＡとビスフェノールＡの共重合型エポキシ樹脂、あるいは”ＢＲＥＮ”−Ｓ（日本化薬（株）製）等の臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。これらの臭素化エポキシ樹脂は臭素含有量およびエポキシ当量を考慮して２種類以上混合して用いても良い。
【００２７】
フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。
【００２８】
シアネートエステル樹脂以外の熱硬化性樹脂の添加量は、シアネートエステル樹脂１００重量部に対して５〜１０００重量部、好ましくは５０〜６００重量部である。熱硬化性樹脂の添加量が５重量部未満では添加効果が小さく、１０００重量部を越える場合はシアネートエステル樹脂の特性が発揮されず、いずれも好ましくない。
【００２９】
本発明の接着剤層にシアネートエステル樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、フェノール、炭素数１〜１２の炭化水素基を有するアルキルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、等のフェノール化合物、マンガン、コバルト、亜鉛、鉄、銅、チタン等の遷移金属のオクチル酸、ナフテン酸塩およびアセチルアセトネート、トリエタノールアミナト、等のキレート化合物、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、等の触媒系硬化剤、フェニル１、４ビスマレイミド等のマレイミド化合物等が例示される。特にマレイミド化合物は、シアネートエステル樹脂と反応し、耐熱性に優れた強固な架橋構造を形成するので好ましい。具体的なマレイミド化合物としては、２官能以上のものが好ましく、たとえば、Ｎ，Ｎ’−（４、４’ジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２、４トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２、６トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレイミド、等が、例示される。添加量は接着剤組成物１００重量部に対して０．１〜５０重量部であると好ましい。
【００３０】
また、シアネートエステル樹脂以外の熱硬化性樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂等に対しては、３，３´５，５´−テトラメチル−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´５，５´−テトラエチル−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´−ジメチル−５，５´−ジエチル−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´−ジクロロ−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、２，２´３，３´−テトラクロロ−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´−ジアミノベンゾフェノン、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニルスルホン、３，４´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノベンゾフェノン、３，４，４´−トリアミノジフェニルスルホン等の芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン等公知のものが使用できる。これらを単独または２種以上混合して用いても良い。添加量は接着剤組成物１００重量部に対して０．１〜５０重量部であると好ましい。
【００３１】
以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。微粒子状の無機成分としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金属水酸化物、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、炭酸カルシウム等の無機塩、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄、等の金属微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラスが挙げられ、有機成分としてはスチレン、ＮＢＲゴム、アクリルゴム、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン等の架橋ポリマが例示される。これらを単独または２種以上混合して用いても良い。微粒子状の成分の平均粒子径は分散安定性を考慮すると、０．２〜５μが好ましい。また、配合量は接着剤組成物全体の２〜５０重量部が適当である。
【００３２】
本発明の半導体装置用接着剤シートとは、本発明の半導体装置用接着剤組成物を接着剤層とし、かつ少なくとも１層以上の剥離可能な保護フィルム層を有する構成のものをいう。たとえば、保護フィルム層／接着剤層の２層構成、あるいは保護フィルム層／接着剤層／保護フィルム層の３層構成がこれに該当する。
【００３３】
ここでいう保護フィルム層とは、（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層（ＴＡＢテープ等）あるいは（Ｂ）導体パターンが形成されていない層（スティフナー等）に接着剤層を貼り合わせる前に、接着剤層の形態および機能を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、等のプラスチックフィルム、これらにシリコーンあるいはフッ素化合物等の離型剤のコーティング処理を施したフィルムおよびこれらのフィルムをラミネートした紙、離型性のある樹脂を含浸あるいはコーティングした紙等が挙げられる。
【００３４】
接着剤層の両面に保護フィルム層を有する場合、それぞれの保護フィルム層の接着剤層に対する剥離力をＦ₁ 、Ｆ₂ （Ｆ₁ ＞Ｆ₂ ）としたとき、Ｆ₁−Ｆ₂ は好ましくは５Ｎｍ^-1以上、さらに好ましくは１５Ｎｍ^-1以上が必要である。Ｆ₁−Ｆ₂が５Ｎｍ^-1 より小さい場合、剥離面がいずれの保護フィルム層側になるかが安定せず、使用上重大な問題となるので好ましくない。また、剥離力Ｆ₁ 、Ｆ₂はいずれも好ましくは１〜２００Ｎｍ^-1 、さらに好ましくは３〜１００Ｎｍ^-1 である。１Ｎｍ^-1 より低い場合は保護フィルム層の脱落が生じ、２００Ｎｍ^-1を越えると剥離が不安定であり、接着剤層が損傷する場合があり、いずれも好ましくない。
【００３５】
次に本発明の接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートの製造方法の例について説明する。
【００３６】
（ａ）本発明の接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を、離型性を有するポリエステルフィルム上に塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は１０〜１００μｍとなるように塗布することが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン等の非プロトン系極性溶剤単独あるいは混合物が好適である。
【００３７】
（ｂ）（ａ）のフィルムに上記よりさらに剥離強度の弱い離型性を有するポリエステルあるいはポリオレフィン系の保護フィルムをラミネートして本発明の接着剤シートを得る。さらに接着剤厚みを増す場合は、該接着剤シートを複数回積層すればよい。ラミネート後に、たとえば４０〜７０℃で２０〜２００時間程度熱処理して硬化度を調節してもよい。
【００３８】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
【００３９】
評価方法
（１）評価用パターンテープ作成：ＴＡＢ用接着剤付きテープ（＃７１００、東レ(株)製）に１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡＢ用テープを作成した。得られた銅箔付きＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行ない、評価用パターンテープサンプルを作成した。
【００４０】
（２）導体パターン埋め込み性およびキュア発泡：接着剤組成物からなる厚さ１００μｍの接着剤層付きの、厚さ０．１ｍｍの純銅板を、（１）の評価用パターンテープの導体パターン面に、１３０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートした後、エアオーブン中で１７０℃、２時間加熱キュア処理を行なった。これを、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液中に浸漬し、前記純銅板を溶解した。最後に露出した接着剤層を顕微鏡観察してキュア時の発泡および導体パターンの埋め込み性を評価した。
【００４１】
（３）剥離強度：（２）と同様の接着剤層付き純銅板を、ポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”７５Ｓ）に、１３０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートした後、エアオーブン中で１７０℃、２時間加熱キュア処理を行なった。得られたサンプルのポリイミドフィルムを幅２ｍｍになるように切断し、９０°方向に５０ｍｍ／min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。
【００４２】
（４）絶縁信頼性：（１）の評価用パターンテープの、導体幅１００μｍ、導体間距離１００μｍのくし型形状の評価用サンプルの導体パターン面に、（２）と同様の接着剤層付きの純銅板を、１３０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートした後、エアオーブン中で１７０℃、２時間加熱キュア処理を行なった。得られたサンプルを用いて、８５℃，８５％ＲＨの恒温恒湿槽内で１００Ｖの電圧を連続的に印加した状態において、測定直後と２００時間後の抵抗値を測定した。
【００４３】
（５）半田耐熱性：上記（３）の方法で作成した３０ｍｍ角のサンプルを、８５℃，８５％ＲＨの雰囲気下で４８時間調湿した後、すみやかに半田浴上に６０秒間浮かべ、膨れおよび剥がれのない最高温度を測定した。
【００４４】
（６）熱サイクル試験：上記（３）の方法で作成した３０ｍｍ角のサンプルを、熱サイクル試験器（タバイエスペック(株)製、ＰＬ−３型）中で、−２０℃〜１００℃、最低および最高温度で各１時間保持の条件で６００サイクル処理し、剥がれの発生を評価した。
【００４５】
（７）保護フィルム層剥離力：剥離力の低い保護フィルム層の場合は幅３０ｍｍの接着剤シートを、両面テープによりステンレス板に貼り合わせ、９０°方向に３００ｍｍ／min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。一方、剥離力が高い保護フィルム層の場合は、幅３０ｍｍの接着剤シートから剥離力の低い保護フィルム層を剥がし、接着剤層側を両面テープによりステンレス板に貼り合わせ、９０°方向に３００ｍｍ／min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。
【００４６】
比較例１
水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、Ｈ−４２Ｉ）をトルエン／メチルエチルケトン＝１／１混合溶剤と混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、ＮＢＲ−Ｃ（日本合成ゴム（株）製、ＰＮＲ−１Ｈ）、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂（チバガイギー社製、ＡｒｏＣｙ、Ｂ４０Ｓ）、臭素化エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコ−ト”５０５０、臭素含有率４９％、エポキシ当量３９５）、非臭素化エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコ−ト”８３４、エポキシ当量２５０）、２メチル４メチルイミダゾール、オクチル酸マンガンおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液をバーコータで、シリコーン離型剤付きの厚さ２５μのポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業(株)製“フィルムバイナ”ＮＳＣ）に約５０μの乾燥厚さとなるように塗布し，１７０℃で５分間乾燥した。一方、剥離力の低いシリコーン離型剤付きの厚さ２５μのポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業(株)製“フィルムバイナ”ＧＴ）を用いた以外は上記と同一の方法で約５０μの乾燥厚さとなるように接着剤層を作成した。剥離力は、ＮＳＣ（Ｆ_１）＞ＧＴ（Ｆ_２）であった。次いで、これらを接着剤面どうしを合せて２枚積層し、接着剤厚み１００μの本発明の半導体装置用接着剤シートを作成した。図４に構成を示す。この接着剤シートを厚さ０．１ｍｍの純銅板に１００℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートし、接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００４７】
実施例１
球状シリカ（トクヤマ（株）製、”エクセリカ”）をトルエンと混合した後、サンドミル処理してシリカ分散液を作成した。この分散液に、ＮＢＲ−Ｃ（日本合成ゴム（株）製、ＰＮＲ−１Ｈ）、ＳＥＢＳ−Ｃ（旭化成（株）製、ＭＸ−０７３）、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂（チバガイギー社製、ＡｒｏＣｙ、Ｂ４０Ｓ）、エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製、“エピコート”８２８、エポキシ当量１８６）、Ｎ，Ｎ’−（４、４’ジフェニルメタン）ビスマレイミド、２メチル４メチルイミダゾール、オクチル酸マンガンおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて比較例１と同様にして接着剤シートおよび接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００４８】
実施例２
水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、Ｈ−４２Ｉ）をトルエン／メチルエチルケトン＝１／１混合溶剤と混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、ＮＢＲ−Ｃ（日本合成ゴム（株）製、ＰＮＲ−１Ｈ）、テトラメチルビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂（チバガイギー社製、ＡｒｏＣｙ、Ｍ４０Ｓ）、エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコート”８２８、エポキシ当量１８６）、フェノールノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、ＰＳＭ４２６１）、Ｎ，Ｎ’−（４、４’ジフェニルメタン）ビスマレイミド、２メチル４メチルイミダゾール、オクチル酸マンガン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホンおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて比較例１と同様にして接着剤シートおよび接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００４９】
比較例２
水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、Ｈ−４２Ｉ）をトルエン／メチルエチルケトン＝１／１混合溶剤と混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、ＮＢＲ−Ｃ（日本合成ゴム（株）製、ＰＮＲ−１ＨおよびＢＦグッドリッチ社製、ハイカーＣＴＢＮ１３００Ｘ１３）、ヘキサフルオロビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂（チバガイギー社製、ＡｒｏＣｙ、Ｆ４０Ｓ）、臭素化エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコ−ト”５０５０、臭素含有率４９％、エポキシ当量３９５）、非臭素化エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコ−ト”１５７、エポキシ当量２００）、２メチル４メチルイミダゾール、オクチル酸マンガンおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて比較例１と同様にして接着剤シートおよび接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００５０】
比較例３
水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、Ｈ−４２Ｉ）をトルエンと混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、ＮＢＲ−Ｃ（日本合成ゴム（株）製、ＰＮＲ−１Ｈ）、ＳＢＳ−Ｃ（シェルジャパン（株）製、Ｄ１３００Ｘ）、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂（チバガイギー社製、ＡｒｏＣｙ、Ｂ２０）、臭素化エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコ−ト”５０５０、臭素含有率４９％、エポキシ当量３９５）、非臭素化エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”エピコ−ト”１８０、エポキシ当量２１０）、２メチル４メチルイミダゾール、オクチル酸マンガンおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて比較例１と同様にして接着剤シートおよび接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００５１】
比較例４
水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、Ｈ−４２Ｉ）をトルエンと混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、ＮＢＲ−Ｃ（日本合成ゴム（株）製、ＰＮＲ−１Ｈ）および分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて比較例１と同様にして接着剤シートおよび接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００５２】
比較例５
水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、Ｈ−４２Ｉ）をトルエンと混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、フェノールノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、ＰＳＭ４２６１）、ヘキサメチレンテトラミンおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンをそれぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて比較例１と同様にして接着剤シートおよび接着剤層付き純銅板を得た。特性を表２に示す。
【００５３】
【表１】

【００５４】
【表２】

【００５５】
表１および表２の実施例および比較例から本発明により得られる半導体装置用接着剤組成物は、加工性、接着力、絶縁信頼性および耐久性に優れることがわかる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明は加工性、接着力、絶縁信頼性および耐久性に優れる新規な半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートを工業的に提供するものであり、本発明の半導体装置用接着剤組成物によって高密度実装用の半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置の信頼性および易加工性に基づく経済性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着剤シートを用いたＢＧＡ型半導体装置の一態様の断面図。
【図２】本発明の半導体装置用接着剤組成物を用いた半導体集積回路接続前の半導体集積回路接続用基板の一態様の断面図。
【図３】半導体集積回路接続用基板を構成するパターンテープ（ＴＡＢテープ）の一態様の斜視図。
【図４】本発明の半導体装置用接着剤シートの一態様の断面図。
【符号の説明】
１半導体集積回路
２金バンプ
３，１１，１７可撓性を有する絶縁性フィルム
４，１２，１８配線基板層を構成する接着剤層
５，１３，２１半導体集積回路接続用の導体
６，１４，２３本発明の接着剤組成物より構成される接着剤層
７，１５導体パターンが形成されていない層
８，１６ソルダーレジスト
９半田ボール
１０封止樹脂
１９スプロケット孔
２０デバイス孔
２２半田ボール接続用の導体部
２４本発明の接着剤シートを構成する保護フィルム層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive composition constituting a semiconductor integrated circuit connection substrate (interposer) used for mounting and packaging a semiconductor integrated circuit, and an adhesive sheet for a semiconductor device using the same. More specifically, a wiring substrate layer composed of an insulator layer and a conductor pattern constituting a substrate for connecting a semiconductor integrated circuit used in a ball grid array (BGA), a land grid array (LGA), and a pin grid array (PGA) system, For example, an adhesive composition having a function of adhering between layers in which a conductor pattern such as a metal reinforcing plate (stiffener) is not formed and relieving thermal stress generated between each layer due to a temperature difference, and It is related with the adhesive sheet for semiconductor devices used.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, package forms such as a dual inline package (DIP), a small outline package (SOP), and a quad flat package (QFP) have been used as semiconductor integrated circuit (IC) packages. However, with the increase in the number of pins of ICs and the miniaturization of packages, the QFP that can increase the number of pins is approaching the limit. This is due to the fact that the flatness of the leads is difficult to maintain, and the solder printing accuracy on the printed circuit board is difficult to obtain, especially when mounted on a printed circuit board. Therefore, in recent years, the BGA method, LGA method, PGA method, etc. have been put into practical use as means for increasing the number of pins and reducing the size. Among them, the BGA method has been attracting attention because of the possibility of cost reduction, weight reduction and thinning by using plastic materials.
[0003]
FIG. 1 shows an example of the BGA method. The BGA method is characterized by having solder balls on the grid (grid array) corresponding to the number of pins of the IC as an external connection part of the semiconductor integrated circuit connection substrate to which the IC is connected. Connection to the printed circuit board is performed by placing the solder ball surface so as to coincide with the conductor pattern of the printed circuit board on which the solder has already been printed, and melting the solder by reflow. The most important feature is that since the surface of the substrate for connecting a semiconductor integrated circuit can be used, a large number of terminals can be arranged in a small space as compared with a package such as QFP that can use only the peripheral side. A chip scale package (CSP) is a further advancement of this miniaturization function, and it may be referred to as a micro BGA (μ-BGA) because of its similarity. The present invention can also be applied to a CSP having these BGA structures.
[0004]
On the other hand, the BGA method has the following problems. (A) Keep the solder ball surface flat, (b) improve heat dissipation, (c) relieve thermal stress on the solder ball during temperature cycling and reflow, (d) higher because of the high number of reflows Requires reflow resistance. As a method for improving these, a method of laminating a material such as a metal plate for the purpose of reinforcement, heat dissipation, and electromagnetic shielding on a semiconductor integrated circuit connection substrate is generally used. This is particularly important when a TAB tape or a flexible printed circuit board is used for a wiring board layer made of an insulating layer and a conductor pattern for connecting an IC. Therefore, as illustrated in FIG. 2, the substrate for connecting a semiconductor integrated circuit includes a wiring board layer composed of an insulator layer 11 and a conductor pattern 13 for connecting an IC, a reinforcing plate (stiffener), a heat sink (heat spreader). ), A layer 15 in which a conductor pattern such as a shield plate is not formed, and at least one adhesive layer 14 for laminating these layers. These semiconductor integrated circuit connection substrates are prepared in advance by creating an intermediate product in which the adhesive composition is laminated or applied and dried in a semi-cured state on either the wiring board layer or the layer on which the conductor pattern is not formed, In general, it is created by bonding, heating and curing, and molding in a process before connecting the IC.
[0005]
From the above points, the following points are listed as characteristics required for the adhesive layer 14. (A) High adhesive strength that does not peel even under reflow conditions (230 ° C. or higher), (b) In order to relieve thermal stress applied between dissimilar materials such as a wiring board layer and a reinforcing plate during temperature cycling and reflow, Appropriate elastic modulus and linear expansion coefficient characteristics, (c) low temperature of bonding and heat curing, easy processability that can be processed in a short time, and (d) insulation when laminated on wiring.
[0006]
From such a viewpoint, conventionally, a thermoplastic resin or a silicone elastomer (Japanese Patent Publication No. 6-50448) has been proposed as an adhesive layer.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, it has been difficult to balance the thermal stress relaxation effect and the reflow resistance with respect to the adhesive strength among the above-mentioned characteristics. That is, in the conventional adhesive composition, when the adhesive force is improved, the elastic modulus at a high temperature is lowered, and a sufficient characteristic cannot be obtained comprehensively.
[0008]
Generally, it is possible to increase the fracture energy and improve the adhesive force by reducing the elastic modulus of the adhesive, but in such a method, the adhesive softens at high temperature and high humidity. There arises a problem that the reflow resistance and the adhesive strength at high temperature and high humidity are lowered. On the other hand, increasing the degree of cross-linking of the adhesive to improve reflow resistance and adhesive strength at high temperatures and high humidity makes the adhesive more susceptible to brittle fracture and increases internal stress due to cure shrinkage, resulting in increased adhesive strength. On the contrary, it is not preferable. Furthermore, the effect of mitigating thermal stress caused by the temperature difference is lost.
[0009]
The present invention solves such problems and provides a novel adhesive composition for semiconductor devices excellent in processability, adhesive strength, insulation reliability and durability, and an adhesive sheet for semiconductor devices using the same. For the purpose.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present inventors have intensively studied the cured product properties of the adhesive component of the adhesive composition for semiconductor devices, and as a result, skillfully combined a thermoplastic resin and a cyanate ester resin. The present inventors have found that an adhesive composition for a semiconductor device suitable for a substrate for connecting a semiconductor integrated circuit, which is excellent in a force and thermal stress relaxation effect, can be obtained, and the present invention has been achieved.
[0011]
That is, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit connection having (A) a wiring board layer comprising an insulator layer and a conductor pattern, (B) a layer in which no conductor pattern is formed, and (C) at least one adhesive layer. (C) Adhesive composition for semiconductor device for forming an adhesive layer of a substrate for a semiconductor, wherein the adhesive composition is a thermoplastic resin as an essential component,Cyanate ester resinAnd maleimide compoundsAn adhesive composition for a semiconductor device, and an adhesive sheet for a semiconductor device using the same.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The substrate for connecting a semiconductor integrated circuit of the present invention is to connect a semiconductor integrated circuit (bare chip) that is cut after an element is formed on a semiconductor substrate such as silicon. (A) Insulator layer and conductor A wiring board layer made of a pattern, (B) a layer in which no conductor pattern is formed, and (C) an adhesive layer made of the adhesive composition of the present invention, each having at least one layer, the shape, material, and The manufacturing method is not particularly limited. Therefore, the most basic one is an A / C / B configuration, but a multilayer structure such as A / C / B / C / B is also included.
[0013]
(A) is a layer having a conductor pattern for connecting the electrode pad of the bare chip and the outside of the package (printed circuit board or the like), and the conductor pattern is formed on one side or both sides of the insulator layer. The insulator layer here is made of a composite material such as polyimide, polyester, polyphenylene sulfide, polyethersulfone, polyetheretherketone, aramid, polycarbonate, polyarylate, or a plastic or epoxy resin-impregnated glass cloth. A ceramic substrate such as an insulating film having flexibility of ˜125 μm, alumina, zirconia, soda glass, and quartz glass is suitable, and a plurality of layers selected from these may be laminated. If necessary, the insulator layer can be subjected to surface treatment such as hydrolysis, corona discharge, low-temperature plasma, physical roughening, and easy adhesion coating treatment. The conductor pattern is generally formed by either the subtractive method or the additive method, but any of them may be used in the present invention. In the subtractive method, a metal plate such as a copper foil is bonded to the insulator layer with an insulating adhesive (the adhesive composition of the present invention can also be used), or the insulator layer is bonded to the metal plate. A pattern is formed by etching a material prepared by a method of laminating precursors and forming an insulator layer by heat treatment or the like by chemical treatment. Specific examples of the material herein include a rigid or copper-clad material for a flexible printed circuit board and a TAB tape (FIG. 3). On the other hand, in the additive method, a conductor pattern is directly formed on the insulator layer by electroless plating, electrolytic plating, sputtering, or the like. In either case, the formed conductor may be plated with a metal having high corrosion resistance to prevent corrosion. A via hole may be formed in the wiring board layer (A) thus created, if necessary, and the conductor patterns formed on both sides by plating may be connected by plating.
[0014]
(B) is a uniform layer that is substantially independent of (A) or (C), and reinforces and stabilizes the dimensions of the substrate for connecting a semiconductor integrated circuit (generally called a reinforcing plate or stiffener). IC electromagnetic shield, IC heat dissipation (generally referred to as heat sink, heat spreader, heat sink, etc.), imparting flame retardancy to the semiconductor integrated circuit connection substrate, depending on the shape of the semiconductor integrated circuit connection substrate It carries functions such as providing distinctiveness. Therefore, the shape is not limited to a layer shape, and may be a three-dimensional shape having a fin structure for heat dissipation, for example. Moreover, as long as it has said function, any of an insulator and a conductor may be sufficient, and a material in particular is not restrict | limited, As a metal, copper, iron, aluminum, gold | metal | money, silver, nickel, titanium, etc. are inorganic. Examples of the material include alumina, zirconia, soda glass, quartz glass, and carbon, and examples of the organic material include polymer materials such as polyimide, polyamide, polyester, vinyl, phenol, and epoxy. Moreover, the composite material by these combination can also be used. For example, a thin film with a metal plating on a polyimide film, a polymer kneaded with carbon to give conductivity, a metal plate coated with an organic insulating polymer, and the like can be exemplified. Furthermore, it is not limited to perform various surface treatments similarly to the above (A).
[0015]
(C) is an adhesive layer mainly used for bonding (A) and (B). However, the use of (A) or (B) and other members (for example, an IC or a printed circuit board) is not limited at all. This adhesive layer is usually laminated in a semi-cured state on a substrate for connecting a semiconductor integrated circuit. A pre-curing reaction is carried out at a temperature of 30 to 200 ° C. for an appropriate time before or after the lamination to increase the degree of curing. Can be adjusted. Although the thickness of an adhesive bond layer can be suitably selected by relationship with adhesive force, a thermal stress relaxation effect, workability, etc., 2-500 micrometers is preferable, More preferably, it is 20-200 micrometers.
[0016]
This adhesive layer is formed from the adhesive composition for semiconductor devices of the present invention (hereinafter referred to as an adhesive composition), and the adhesive composition contains at least one kind of thermoplastic resin and cyanate ester resin. Although it is essential, the type is not particularly limited. Moreover, mixing other thermosetting resin suitably is not restrict | limited at all.
[0017]
Thermoplastic resins have functions such as adhesion, flexibility, relaxation of thermal stress, and improvement of insulation properties due to low water absorption, and cyanate ester resins have heat resistance, low curing shrinkage, low water absorption, etc. It is necessary to realize a balance of physical properties such as excellent properties, heat resistance of the adhesive layer, insulation at high temperature, chemical resistance, strength of the adhesive layer, and the like.
[0018]
Thermoplastic resins include acrylonitrile-butadiene copolymer (NBR), acrylonitrile-butadiene rubber-styrene resin (ABS), styrene-butadiene-ethylene resin (SEBS), styrene-butadiene-styrene resin (SBS), acrylic, polyvinyl Examples include butyral, polyamide, polyester, polyimide, polyamideimide, polyurethane, polydimethylsiloxane, and the like. Further, these thermoplastic resins may have a functional group capable of reacting with a cyanate ester resin or other thermosetting resin. Specific examples include an amino group, a carboxyl group, an epoxy group, a hydroxyl group, a methylol group, an isocyanate group, a vinyl group, and a silanol group. These functional groups are preferable because the bond with the thermosetting resin becomes stronger and the heat resistance is improved.
[0019]
As the thermoplastic resin, a copolymer having butadiene as an essential copolymer component is particularly preferred from the viewpoints of adhesiveness to the material (B), flexibility, and thermal stress relaxation effect, and various types can be used. In particular, acrylonitrile-butadiene copolymer (NBR), styrene-butadiene-ethylene resin (SEBS), and styrene-butadiene-ethylene resin (SEBS) are preferable from the viewpoints of adhesion to metal and chemical resistance. Furthermore, a copolymer having butadiene as an essential copolymer component and having a carboxyl group is more preferable, and examples thereof include NBR (NBR-C), SEBS (SEBS-C), and SBS (SBS-C). Examples of NBR-C include those obtained by carboxylating terminal groups of a copolymer rubber obtained by copolymerizing acrylonitrile and butadiene at a molar ratio of about 10/90 to 50/50, or acrylonitrile, butadiene and acrylic acid, maleic acid, etc. And terpolymer rubbers of carboxyl group-containing polymerizable monomers. Specifically, PNR-1H (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.), “Nipol” 1072J, “Nipol” DN612, “Nipol” DN631 (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), “Hiker” CTBN (BF Goodrich) Etc.). Examples of SEBS-C include MX-073 (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.), and examples of SBS-C include D1300X (manufactured by Shell Japan Co., Ltd.).
[0020]
Further, if the thermoplastic resin is soluble in a solvent, it is preferable because the adhesive composition can be formed into an adhesive layer having a uniform composition and a uniform thickness by coating. In this case, the solubility is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more at 25 ° C. If it is 5% by weight or less, it is difficult to obtain an adhesive layer having a substantially appropriate thickness, which is not preferable. The solvent is not particularly limited, but an organic solvent having a boiling point of 60 to 250 ° C. is preferable in consideration of drying of the solvent in the coating.
[0021]
The cyanate ester resin referred to in the present invention is a compound represented by the following formula (1).OrIt contains at least one oligomer obtained from the compound. Among these, 4,4 'dicyanate phenyl type resins are preferable because they are excellent in heat resistance, easily available, and economically advantageous.
[0022]
[Chemical 1]

Where R₁~ R_FourRepresents a substituent selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen atom. X represents a carbon-carbon bond (no functional group), an unsubstituted methylene bond, a methylene bond in which 1 or 2 hydrogen atoms are substituted with a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and 1 or 2 hydrogen atoms. A methylene bond, a sulfone bond, a sulfide bond, a carbonyl bond, an amide bond, an ester bond, an ether bond, or a tetramethylxylidene bond substituted with a halogenated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms is shown.
[0023]
The addition amount of the cyanate ester resin is 5 to 400 parts by weight, preferably 50 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. If the added amount of the cyanate ester resin is less than 5 parts by weight, the elastic modulus is significantly reduced at high temperatures, and the semiconductor integrated circuit connecting substrate is deformed during use of the device mounted with the semiconductor device, and is handled in the processing process. Since workability is lacking, it is not preferable. If the amount of the cyanate ester resin added exceeds 400 parts by weight, the elastic modulus is high, the linear expansion coefficient is small, and the thermal stress relaxation effect is small.
[0024]
It is preferable to include a thermosetting resin other than cyanate ester resin in the adhesive layer of the present invention, because the balance of processability such as curing temperature and curing time, adhesiveness, flexibility, and the like can be adjusted.
[0025]
Examples of the thermosetting resin include known resins such as an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, a xylene resin, and a furan resin. In particular, an epoxy resin and a phenol resin are preferable because of excellent insulation.
[0026]
The epoxy resin is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in one molecule, but diglycidyl ether such as bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, resorcinol, dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene diphenol, epoxy And an alicyclic epoxy such as epoxidized trisphenylol methane, epoxidized tetraphenylol ethane, epoxidized metaxylene diamine, and cyclohexane epoxide. Furthermore, it is effective to use a halogenated epoxy resin, particularly a brominated epoxy resin, for imparting flame retardancy. At this time, although it is possible to impart flame retardancy with a brominated epoxy resin alone, it is more effective to use a mixed system with a non-brominated epoxy resin because the heat resistance of the adhesive is greatly reduced. Examples of brominated epoxy resins include copolymerized epoxy resins of tetrabromobisphenol A and bisphenol A, or brominated phenol novolac type epoxy resins such as “BREN” -S (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.). . These brominated epoxy resins may be used in combination of two or more in consideration of bromine content and epoxy equivalent.
[0027]
As the phenol resin, any known phenol resin such as novolak type phenol resin and resol type phenol resin can be used. For example, alkyl-substituted phenols such as phenol, cresol, pt-butylphenol, nonylphenol, p-phenylphenol, cyclic alkyl-modified phenols such as terpene and dicyclopentadiene, hetero groups such as nitro groups, halogen groups, cyano groups, and amino groups Examples thereof include those having functional groups containing atoms, those having a skeleton such as naphthalene and anthracene, and resins composed of polyfunctional phenols such as bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, resorcinol, and pyrogallol.
[0028]
The addition amount of the thermosetting resin other than the cyanate ester resin is 5 to 1000 parts by weight, preferably 50 to 600 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the cyanate ester resin. When the addition amount of the thermosetting resin is less than 5 parts by weight, the effect of addition is small, and when it exceeds 1000 parts by weight, the characteristics of the cyanate ester resin are not exhibited, and neither is preferable.
[0029]
The addition of the cyanate ester resin curing agent and curing accelerator to the adhesive layer of the present invention is not limited. For example, phenol, phenol compounds such as alkylphenol having a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, octylic acid of transition metals such as manganese, cobalt, zinc, iron, copper, titanium, Chelate compounds such as naphthenate and acetylacetonate, triethanolaminato, imidazole derivatives such as 2-alkyl-4-methylimidazole and 2-phenyl-4-alkylimidazole, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, etc. Examples thereof include catalyst curing agents such as organic acids and dicyandiamide, and maleimide compounds such as phenyl 1,4 bismaleimide. In particular, a maleimide compound is preferable because it reacts with a cyanate ester resin to form a strong crosslinked structure excellent in heat resistance. Specific maleimide compounds are preferably those having two or more functional groups, such as N, N ′-(4,4′diphenylmethane) bismaleimide, N, N′-p-phenylenebismaleimide, N, N′-m. -Phenylene bismaleimide, N, N'-2,4 tolylene bismaleimide, N, N'-2,6 tolylene bismaleimide, N, N'-ethylene bismaleimide, N, N'-hexamethylene bismaleimide, Etc. are exemplified. The addition amount is preferably 0.1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive composition.
[0030]
Addition of a curing agent and a curing accelerator for thermosetting resins other than cyanate ester resins is not limited. For example, for epoxy resins and phenol resins, 3,3′5,5′-tetramethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′5,5′-tetraethyl-4,4′-diamino Diphenylmethane, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'3,3'-tetrachloro -4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diamino Aromatic polyamines such as diphenylsulfone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,4,4′-triaminodiphenylsulfone, Boron trifluoride amine complexes such as boron triethylamine complex, 2-alkyl-4-methylimidazole, imidazole derivatives such as 2-phenyl-4-alkylimidazole, organic acids such as phthalic anhydride, trimellitic anhydride, Known materials such as dicyandiamide and triphenylphosphine can be used. You may use these individually or in mixture of 2 or more types. The addition amount is preferably 0.1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive composition.
[0031]
In addition to the above components, addition of organic and inorganic components such as antioxidants and ion scavengers is not limited as long as the properties of the adhesive are not impaired. Fine inorganic components include metal hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium aluminate hydrate, silica, alumina, zirconium oxide, zinc oxide, antimony trioxide, antimony pentoxide, magnesium oxide, Examples include metal oxides such as titanium oxide, iron oxide, cobalt oxide, chromium oxide, and talc, inorganic salts such as calcium carbonate, metal fine particles such as aluminum, gold, silver, nickel, and iron, or carbon black and glass. Examples of the organic component include crosslinked polymers such as styrene, NBR rubber, acrylic rubber, polyamide, polyimide, and silicone. You may use these individually or in mixture of 2 or more types. The average particle size of the fine particle component is preferably 0.2 to 5 μ in consideration of dispersion stability. Moreover, 2-50 weight part of the whole adhesive composition is suitable for a compounding quantity.
[0032]
The adhesive sheet for a semiconductor device of the present invention refers to a sheet having an adhesive composition of the adhesive composition for a semiconductor device of the present invention and having at least one protective film layer that can be peeled. For example, a two-layer structure of protective film layer / adhesive layer or a three-layer structure of protective film layer / adhesive layer / protective film layer corresponds to this.
[0033]
The protective film layer here refers to (A) a wiring substrate layer (TAB tape or the like) composed of an insulator layer and a conductor pattern, or (B) a layer on which a conductor pattern is not formed (stiffener or the like). Before bonding, it is not particularly limited as long as it can be peeled without impairing the form and function of the adhesive layer. For example, polyester, polyolefin, polyphenylene sulfide, polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, polyvinyl butyral, Plastic films such as polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polyamide, polyimide, polymethyl methacrylate, etc., films obtained by coating a release agent such as silicone or fluorine compound on these films, and these films Paper laminated with arm, paper and the like impregnated or coated with a releasing property of a certain resin.
[0034]
When protective film layers are provided on both sides of the adhesive layer, the peel strength of each protective film layer from the adhesive layer is F₁ , F₂ (F₁ > F₂ )₁-F₂ Is preferably 5N m^-1Or more, more preferably 15 N m^-1The above is necessary. F₁-F₂Is 5N m^-1 If it is smaller, it is not preferred which side of the protective film layer the release surface is on, which is not preferable because it becomes a serious problem in use. Moreover, peeling force F₁ , F₂Are preferably 1 to 200 N m^-1 , More preferably 3 to 100 N m^-1 It is. 1N m^-1 If it is lower, the protective film layer will fall off and 200 Nm^-1Exceeding may cause unstable peeling and may damage the adhesive layer, both of which are not preferred.
[0035]
Next, an example of the adhesive composition of the present invention and a method for producing an adhesive sheet for a semiconductor device using the same will be described.
[0036]
(A) A paint obtained by dissolving the adhesive composition of the present invention in a solvent is applied on a polyester film having releasability and dried. It is preferable to apply so that the thickness of the adhesive layer is 10 to 100 μm. Drying conditions are 100 to 200 ° C. and 1 to 5 minutes. Solvents are not particularly limited, but aromatics such as toluene, xylene and chlorobenzene, ketones such as methylethylketone and methylisobutylketone, and aprotic polar solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone alone or a mixture are preferred. It is.
[0037]
(B) The adhesive sheet of the present invention is obtained by laminating a polyester or polyolefin-based protective film having a releasability with a lower peel strength to the film of (a). When the adhesive thickness is further increased, the adhesive sheet may be laminated a plurality of times. After lamination, for example, the degree of curing may be adjusted by heat treatment at 40 to 70 ° C. for about 20 to 200 hours.
[0038]
【Example】
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The evaluation method will be described before the description of the examples.
[0039]
Evaluation methods
(1) Preparation of pattern tape for evaluation: 18 μm electrolytic copper foil was laminated on a tape with adhesive for TAB (# 7100, manufactured by Toray Industries, Inc.) at 140 ° C. and 0.1 MPa. Subsequently, a heat curing treatment was sequentially performed in an air oven at 80 ° C., 3 hours, 100 ° C., 5 hours, 150 ° C., and 5 hours to prepare a TAB tape with copper foil. Photoresist film formation, etching, and resist peeling were performed on the copper foil surface of the obtained TAB tape with copper foil by a conventional method to prepare a pattern tape sample for evaluation.
[0040]
(2) Conductor pattern embedding and cure foaming: A 0.1 mm thick pure copper plate with an adhesive layer made of an adhesive composition and having a thickness of 100 μm is applied to the conductor pattern surface of the evaluation pattern tape of (1). After laminating under conditions of 130 ° C. and 0.1 MPa, heat curing treatment was performed in an air oven at 170 ° C. for 2 hours. This was immersed in an etching solution containing ferric chloride as a main component to dissolve the pure copper plate. Finally, the exposed adhesive layer was observed with a microscope to evaluate foaming during curing and embedding of the conductor pattern.
[0041]
(3) Peel strength: After laminating a pure copper plate with an adhesive layer similar to (2) on a polyimide film ("UPILEX" 75S manufactured by Ube Industries, Ltd.) under conditions of 130 ° C and 0.1 MPa, air Heat curing treatment was performed at 170 ° C. for 2 hours in an oven. The obtained polyimide film of the sample was cut so as to have a width of 2 mm, peeled in the direction of 90 ° at a speed of 50 mm / min, and the peel force at that time was measured.
[0042]
(4) Insulation reliability: The same adhesive layer as in (2) is provided on the conductor pattern surface of the evaluation sample having a comb width of 100 μm conductor distance and 100 μm between conductors of the evaluation pattern tape of (1). A pure copper plate was laminated under conditions of 130 ° C. and 0.1 MPa, and then heat-cured at 170 ° C. for 2 hours in an air oven. Using the obtained sample, the resistance value immediately after measurement and after 200 hours was measured in a state where a voltage of 100 V was continuously applied in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and 85% RH.
[0043]
(5) Solder heat resistance: A 30 mm square sample prepared by the above method (3) was conditioned for 48 hours in an atmosphere of 85 ° C. and 85% RH, and then immediately floated on the solder bath for 60 seconds to swell And the maximum temperature without peeling was measured.
[0044]
(6) Thermal cycle test: A 30 mm square sample prepared by the method of (3) above is -20 ° C to 100 ° C, minimum in a thermal cycle tester (PL-3 type, manufactured by Tabay Espec Co., Ltd.) Then, 600 cycles were performed under the condition of holding for 1 hour at the maximum temperature, and the occurrence of peeling was evaluated.
[0045]
(7) Protective film layer peeling force: In the case of a protective film layer having a low peeling force, an adhesive sheet having a width of 30 mm is bonded to a stainless steel plate with a double-sided tape, and peeled at a rate of 300 mm / min in the 90 ° direction. The peeling force was measured. On the other hand, in the case of a protective film layer having a high peel strength, the protective film layer having a low peel strength is peeled off from an adhesive sheet having a width of 30 mm, and the adhesive layer side is bonded to a stainless steel plate with a double-sided tape, and 300 mm / 90 ° in the 90 ° direction. Peeling was performed at a rate of min, and the peeling force at that time was measured.
[0046]
ComparisonExample 1
  Aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, H-42I) was mixed with toluene / methyl ethyl ketone = 1/1 mixed solvent, and then sand milled to prepare an aluminum hydroxide dispersion. NBR-C (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., PNR-1H), bisphenol A type cyanate ester resin (Ciba Geigy, AroCy, B40S), brominated epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) , “Epicoat” 5050, bromine content 49%, epoxy equivalent 395), non-brominated epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., “Epicoat” 834, epoxy equivalent 250), 2-methyl 4-methylimidazole Then, manganese octylate and an equal weight of methyl ethyl ketone were added so as to have the composition ratio shown in Table 1, and the mixture was stirred and mixed at 30 ° C. to prepare an adhesive solution. This adhesive solution was applied to a 25 μm-thick polyethylene terephthalate film with a silicone release agent (“Film Vinner” NSC manufactured by Fujimori Kogyo Co., Ltd.) with a bar coater to a dry thickness of about 50 μm at 170 ° C. Dry for 5 minutes. On the other hand, a dry thickness of about 50 μm is obtained in the same manner as described above except that a 25 μm thick polyethylene terephthalate film (“Film Vinner” GT manufactured by Fujimori Kogyo Co., Ltd.) with a silicone release agent having a low peel strength is used. An adhesive layer was prepared as described above. The peel force is NSC (F₁)> GT (F₂)Met. Next, two of these adhesive layers are laminated together and bonded to the semiconductor device of the present invention having an adhesive thickness of 100 μm.AgentCreated a sheet. FIG. 4 shows the configuration. This adhesive sheet was laminated on a pure copper plate having a thickness of 0.1 mm under the conditions of 100 ° C. and 0.1 MPa to obtain a pure copper plate with an adhesive layer. The characteristics are shown in Table 2.
[0047]
Example1
  Spherical silica (manufactured by Tokuyama Co., Ltd., “Excelica”) was mixed with toluene and then sand milled to prepare a silica dispersion. In this dispersion, NBR-C (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd., PNR-1H), SEBS-C (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd., MX-073), bisphenol A type cyanate ester resin (manufactured by Ciba Geigy, AroCy, B40S), epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., “Epicoat” 828, epoxy equivalent 186), N, N ′-(4,4′diphenylmethane) bismaleimide, 2-methyl 4-methylimidazole, manganese octylate and The dispersion and equal weight of methyl ethyl ketone were added so as to have the composition ratio shown in Table 1, respectively, and stirred and mixed at 30 ° C. to prepare an adhesive solution. With this adhesive solutionComparisonIn the same manner as in Example 1, an adhesive sheet and a pure copper plate with an adhesive layer were obtained. The characteristics are shown in Table 2.
[0048]
Example2
  Aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, H-42I) was mixed with toluene / methyl ethyl ketone = 1/1 mixed solvent, and then sand milled to prepare an aluminum hydroxide dispersion. NBR-C (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd., PNR-1H), tetramethylbisphenol A type cyanate ester resin (manufactured by Ciba Geigy, AroCy, M40S), epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) , “Epicoat” 828, epoxy equivalent 186), phenol novolac resin (manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd., PSM4261), N, N ′-(4,4′diphenylmethane) bismaleimide, 2methyl 4-methylimidazole, octylic acid Manganese, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and an equivalent weight of methyl ethyl ketone were added so as to have the composition ratio shown in Table 1, and the mixture was stirred and mixed at 30 ° C. to prepare an adhesive solution. With this adhesive solutionComparisonIn the same manner as in Example 1, an adhesive sheet and a pure copper plate with an adhesive layer were obtained. The characteristics are shown in Table 2.
[0049]
Comparative Example 2
  Aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, H-42I) was mixed with toluene / methyl ethyl ketone = 1/1 mixed solvent, and then sand milled to prepare an aluminum hydroxide dispersion. NBR-C (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd., PNR-1H and BF Goodrich, Hiker CTBN1300X13), hexafluorobisphenol A type cyanate ester resin (Ciba Geigy, AroCy, F40S), bromine Epoxy resin (Oka Shell Co., Ltd., “Epicoat” 5050, bromine content 49%, epoxy equivalent 395), Non-brominated epoxy resin (Oka Shell Co., Ltd., “Epicoat” 157) , Epoxy equivalent 200), 2-methyl 4-methylimidazole, manganese octylate, and a dispersion and an equivalent weight of methyl ethyl ketone were added so as to have the composition ratios shown in Table 1, respectively, and stirred and mixed at 30 ° C. to prepare an adhesive solution. . With this adhesive solutionComparisonIn the same manner as in Example 1, an adhesive sheet and a pure copper plate with an adhesive layer were obtained. The characteristics are shown in Table 2.
[0050]
Comparative Example 3
  Aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, H-42I) was mixed with toluene and then sand milled to prepare an aluminum hydroxide dispersion. In this dispersion, NBR-C (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd., PNR-1H), SBS-C (manufactured by Shell Japan Co., Ltd., D1300X), bisphenol A type cyanate ester resin (manufactured by Ciba Geigy, AroCy, B20) ), Brominated epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., “Epicoat” 5050, bromine content 49%, epoxy equivalent 395), non-brominated epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., “Epicoat”) 180 ", epoxy equivalent 210), 2-methyl 4-methylimidazole, manganese octylate, and a dispersion and an equivalent weight of methyl ethyl ketone were added so as to have the composition ratios shown in Table 1, respectively, and stirred and mixed at 30 ° C to form an adhesive solution. It was created. With this adhesive solutionComparisonIn the same manner as in Example 1, an adhesive sheet and a pure copper plate with an adhesive layer were obtained. The characteristics are shown in Table 2.
[0051]
Comparative example4
  Aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, H-42I) was mixed with toluene and then sand milled to prepare an aluminum hydroxide dispersion. To this dispersion, NBR-C (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd., PNR-1H) and an equivalent weight of methyl ethyl ketone were added so as to have the composition ratios shown in Table 1, and the mixture was stirred and mixed at 30 ° C. An adhesive solution was made. With this adhesive solutionComparisonIn the same manner as in Example 1, an adhesive sheet and a pure copper plate with an adhesive layer were obtained. The characteristics are shown in Table 2.
[0052]
Comparative example5
  Aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko KK, H-42I) was mixed with toluene and then sand milled to prepare an aluminum hydroxide dispersion. To this dispersion, a phenol novolak resin (Punse Chemical Co., Ltd., PSM4261), hexamethylenetetramine, and methylethylketone of the same weight as the dispersion were added so as to have the composition ratio in Table 1, respectively, and stirred at 30 ° C. An adhesive solution was prepared by mixing. With this adhesive solutionComparisonIn the same manner as in Example 1, an adhesive sheet and a pure copper plate with an adhesive layer were obtained. The characteristics are shown in Table 2.
[0053]
[Table 1]

[0054]
[Table 2]

[0055]
From the examples and comparative examples in Tables 1 and 2, it can be seen that the adhesive composition for a semiconductor device obtained by the present invention is excellent in processability, adhesive strength, insulation reliability and durability.
[0056]
【The invention's effect】
The present invention industrially provides a novel adhesive composition for a semiconductor device excellent in processability, adhesive strength, insulation reliability and durability, and an adhesive sheet for a semiconductor device using the same. The adhesive composition for a semiconductor device can improve the economic efficiency based on the reliability and easy processability of the semiconductor integrated circuit connecting substrate for high-density mounting and the semiconductor device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a BGA type semiconductor device using an adhesive composition for a semiconductor device and an adhesive sheet for a semiconductor device of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of a substrate for connecting a semiconductor integrated circuit before connecting the semiconductor integrated circuit using the adhesive composition for a semiconductor device of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view of an aspect of a pattern tape (TAB tape) constituting a substrate for connecting a semiconductor integrated circuit.
FIG. 4 is a cross-sectional view of one embodiment of an adhesive sheet for a semiconductor device of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Semiconductor integrated circuit
2 Gold bump
3,11,17 Insulating film having flexibility
4, 12, 18 Adhesive layer constituting wiring board layer
5, 13, 21 Conductor for connecting a semiconductor integrated circuit
6,14,23 Adhesive layer composed of the adhesive composition of the present invention
7,15 Layer with no conductor pattern
8,16 Solder resist
9 Solder balls
10 Sealing resin
19 Sprocket hole
20 Device hole
22 Conductor for solder ball connection
24 Protective film layer constituting the adhesive sheet of the present invention

Claims

(A) A wiring board layer composed of an insulator layer and a conductor pattern, (B) a semiconductor integrated circuit connecting board having at least one layer of (C) an adhesive layer and (C) a layer in which no conductor pattern is formed. An adhesive composition for a semiconductor device for forming an adhesive layer, wherein the adhesive composition contains at least one kind of thermoplastic resin , cyanate ester resin and maleimide compound as essential components. Adhesive composition.

The adhesive composition for a semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive composition contains an epoxy resin and / or a phenol resin.

The adhesive composition for a semiconductor device according to claim 1, wherein the thermoplastic resin contains a copolymer containing butadiene as an essential copolymerization component.

The adhesive composition for a semiconductor device according to claim 1, wherein the thermoplastic resin contains a copolymer having butadiene as an essential copolymer component and having a carboxyl group.

The adhesive sheet for semiconductor devices which uses the adhesive composition for semiconductor devices in any one of Claims 1-4 as an adhesive layer, and has at least 1 or more peelable protective film layer.

6. The adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 5 , wherein the protective film layer is subjected to a release treatment.

When protective film layers are provided on both surfaces of the adhesive layer, and the peel strength of each protective film layer from the adhesive layer is F ₁ and F ₂ (F ₁ > F ₂ ), F ₁ -F ₂ ≧ 5 Nm ^{− The} adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 6 , wherein the adhesive sheet is 1.