JP2002212525A - Adhesive film for semiconductor, substrate for mounting semiconductor chip and semiconductor device - Google Patents
Adhesive film for semiconductor, substrate for mounting semiconductor chip and semiconductor deviceInfo
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用接着剤フ
ィルムと該接着剤フィルムを備えた半導体チップ搭載用
基板及びこれを用いた半導体装置に関する。The present invention relates to an adhesive film for a semiconductor, a semiconductor chip mounting substrate provided with the adhesive film, and a semiconductor device using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、半導体
パッケージは基板への高密度実装が要求されるようにな
った。小型化・軽量化が進むと共に、CSP(チップサ
イズパッケージ)やμBGA(ボールグリッドアレイ)
と呼ばれる小型パッケージの開発が進められている。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of electronic devices, semiconductor packages have been required to be mounted at high density on substrates. As miniaturization and weight reduction progress, CSP (chip size package) and μBGA (ball grid array)
The development of a small package called a "small package" is underway.
【0003】各種電子部品を搭載した実装基板の重要特
性の一つとして信頼性があるが、特に接続信頼性は実装
基板を用いた機器の品質に直接関係するため、非常に重
要な項目となっている。この接続信頼性を低下させる原
因としては、半導体チップと電子部品を実装する基板の
熱膨張係数の差から生じる熱応力が挙げられる。これは
半導体チップの熱膨張係数が約4ppm/℃と小さいの
に対し、電子部品を実装する配線板の熱膨張係数が15
ppm/℃以上と大きいことから、熱衝撃により生じる
歪みが発生した際、その歪みによって熱応力が発生する
ものである。たとえばベアチップ実装においては、半導
体チップの電極と配線板の配線パッドを接続するはんだ
ボール部分に熱応力が集中し、接続信頼性を低下させて
いた。この熱応力の分散にはアンダーフィルと呼ばれる
樹脂をチップと配線板の間に注入することが有効である
ことが分かっているが、実装工程の増加、コストアップ
の原因となっていた。[0003] Reliability is one of the important characteristics of a mounting board on which various electronic components are mounted, and particularly, connection reliability is a very important item because it directly relates to the quality of equipment using the mounting board. ing. As a cause of reducing the connection reliability, a thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between a semiconductor chip and a substrate on which electronic components are mounted can be cited. This is because the thermal expansion coefficient of a semiconductor chip is as small as about 4 ppm / ° C., while the thermal expansion coefficient of a wiring board on which electronic components are mounted is 15 ppm.
Since the stress is as high as ppm / ° C. or more, when a strain caused by a thermal shock occurs, the strain generates a thermal stress. For example, in bare chip mounting, thermal stress concentrates on a solder ball portion connecting an electrode of a semiconductor chip and a wiring pad of a wiring board, thereby reducing connection reliability. It has been found that injecting a resin called underfill between the chip and the wiring board is effective in dispersing the thermal stress, but this has caused an increase in the number of mounting steps and an increase in cost.
【0004】これらの対応策として、CSPやμBGA
には多くの構造が提案されており、たとえばμBGAに
おいては半導体チップとインターポーザと呼ばれる配線
基板との間に、それぞれの熱膨張率差から生じる熱応力
を低減できるよう、低弾性の絶縁性接着剤が用いられ
る。近年、このような分野に適した絶縁性の接着剤とし
ては低弾性の接着フィルムが作業性も良く接続信頼性も
高いといった報告(特開平8−266460号公報)が
されている。低弾性接着フィルムに要求される物性とし
ては、チップと配線基板の熱応力低減の他、接着性、温
度サイクル性、耐湿性等がある。また、さらに近年にお
いては接着剤の保存安定性やチップ圧着時の生産性を向
上させる要求が高まりつつある。[0004] As countermeasures against these, CSP and μBGA
Many structures have been proposed. For example, in μBGA, a low-elastic insulating adhesive is provided between a semiconductor chip and a wiring board called an interposer so as to reduce thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and a wiring substrate. Is used. In recent years, as an insulating adhesive suitable for such a field, there has been reported that a low elasticity adhesive film has good workability and high connection reliability (Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-266460). Physical properties required of the low elasticity adhesive film include adhesion, temperature cycling, moisture resistance and the like, in addition to reduction of thermal stress of the chip and the wiring board. Further, in recent years, there has been an increasing demand for improving the storage stability of the adhesive and the productivity at the time of chip bonding.
【0005】配線基板に接着フィルムを貼り付ける方法
としては、特開平8−266460号公報に記載される
ように、片面にカバーフィルムを貼り付けたまま、金型
によりカバーフィルム側から接着フィルムを打ち抜き、
配線基板に仮圧着した後、本圧着と呼ばれる熱圧着処理
を行い、カバーフィルムを剥離した後にチップを貼り付
ける方法が一般的である。しかしながら、カバーフィル
ムが接着剤層から剥がれやすいと接着フィルムの打ち抜
き時にカバーフィルムと接着剤層の剥離を生じて、ボイ
ド巻き込みの原因となってしまう問題がある。一方、カ
バーフィルムが接着剤層から剥がれにくいと、本圧着後
にカバーフィルムを剥離することが困難となって、剥離
不良発生や作業性の低下といった問題を生じていた。As a method of attaching an adhesive film to a wiring board, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-266460, an adhesive film is punched from a cover film side with a mold while a cover film is attached to one surface. ,
A general method is to perform a thermocompression treatment called final compression after performing a temporary compression bonding to a wiring board, and peel off a cover film and then attach a chip. However, if the cover film is easily peeled off from the adhesive layer, there is a problem that the cover film and the adhesive layer are peeled off at the time of punching the adhesive film, thereby causing a void to be involved. On the other hand, if the cover film is not easily peeled off from the adhesive layer, it becomes difficult to peel off the cover film after the final pressure bonding, which causes problems such as occurrence of peeling failure and deterioration of workability.
【0006】本発明は、上記用途に用いられる接着フィ
ルムのカバーフィルムと接着剤層との剥離力を1〜10
0N/mの範囲に調整することにより、打ち抜き時のカ
バーフィルムと接着剤層との剥離を防止し、かつ本圧着
後のカバーフィルム除去を容易にした接着フィルムを提
供するとともに、このフィルムを接着した半導体チップ
搭載用基板及びこのフィルムを用いて製造される半導体
装置を提供するものである。According to the present invention, the peeling force between the cover film and the adhesive layer of the adhesive film used for the above-mentioned application is from 1 to 10
By adjusting the thickness to 0 N / m, it is possible to provide an adhesive film that prevents peeling of the cover film from the adhesive layer at the time of punching and that facilitates removal of the cover film after the final compression bonding. The present invention provides a semiconductor chip mounting substrate and a semiconductor device manufactured using the film.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、密着性の
適したカバーフィルムを用い、カバーフィルムと接着剤
層との剥離力を1〜100N/mの範囲に調整すること
により、上記問題を解決し、耐熱性、耐食性、耐湿性に
優れ、且つ取り扱い及び作業性にも優れた接着フィルム
が得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。Means for Solving the Problems The present inventors use a cover film having a suitable adhesiveness and adjust the peeling force between the cover film and the adhesive layer within the range of 1 to 100 N / m to obtain the above-mentioned. The inventors have solved the problem and found that an adhesive film having excellent heat resistance, corrosion resistance, and moisture resistance, and also excellent in handling and workability can be obtained, and based on this finding, completed the present invention.
【0008】本発明は、接着剤層の少なくとも片面にカ
バーフィルムを備え、接着剤層とカバーフィルムとの剥
離力が1〜100N/mである半導体用接着フィルムに
関する。The present invention relates to a semiconductor adhesive film having a cover film on at least one side of an adhesive layer and having a peeling force between the adhesive layer and the cover film of 1 to 100 N / m.
【0009】本発明は、また、カバーフィルムが、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリエーテルスルホン又はポリオレフィンからなるフィ
ルムである上記の半導体用接着フィルムに関する。In the present invention, the cover film may be made of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate,
The present invention relates to the above adhesive film for a semiconductor, which is a film made of polyether sulfone or polyolefin.
【0010】本発明は、また、カバーフィルムが、表面
が離型処理されているフィルムである上記の半導体用接
着フィルムに関する。The present invention also relates to the above adhesive film for semiconductor, wherein the cover film is a film whose surface has been subjected to a release treatment.
【0011】本発明は、また、接着剤層が、エポキシ
系、アクリル系、シリコーン系、ポリイミド系、ポリア
ミド系及びポリアミドイミド系よりなる群より選ばれる
少なくとも1種類以上の樹脂からなる層である上記の半
導体用接着フィルムに関する。[0011] In the present invention, the adhesive layer may be a layer made of at least one resin selected from the group consisting of epoxy, acrylic, silicone, polyimide, polyamide and polyamideimide. The present invention relates to an adhesive film for a semiconductor.
【0012】本発明は、また、接着剤層が、(1)エポ
キシ樹脂及びその硬化剤100重量部、(2)Tg(ガ
ラス転移温度)が−20℃〜30℃でかつ重量平均分子
量が30,000〜1,000,000であるカルボキ
シル基、ヒドロキシル基、酸無水物基、アミド基又はエ
ポキシ基を有するアクリル系共重合体50〜300重量
部、(3)硬化促進剤0.01〜10重量部、ならびに
(4)カップリング剤0.01〜10重量部を含む樹脂
組成物からなる層である上記の半導体用接着フィルムに
関する。According to the present invention, the adhesive layer comprises (1) 100 parts by weight of an epoxy resin and its curing agent, (2) a Tg (glass transition temperature) of -20 to 30 ° C. and a weight average molecular weight of 30. 50 to 300 parts by weight of an acrylic copolymer having a carboxyl group, a hydroxyl group, an acid anhydride group, an amide group or an epoxy group of 2,000 to 1,000,000, and (3) a curing accelerator of 0.01 to 10 The present invention relates to the above-mentioned adhesive film for a semiconductor, which is a layer comprising a resin composition containing 0.01 to 10 parts by weight of a coupling agent and (4) a coupling agent.
【0013】本発明は、また、接着剤層が、さらに
(5)フェノキシ樹脂0.1〜20重量部を含む樹脂組
成物からなる層である上記の半導体用接着フィルムに関
する。The present invention also relates to the above-mentioned adhesive film for semiconductor, wherein the adhesive layer is a layer further comprising (5) a resin composition containing 0.1 to 20 parts by weight of a phenoxy resin.
【0014】本発明は、また、接着剤層が、さらに
(6)無機フィラー100重量部以下を含む樹脂組成物
からなる層である上記の半導体用接着フィルムに関す
る。The present invention also relates to the above adhesive film for a semiconductor, wherein the adhesive layer is a layer further comprising (6) a resin composition containing 100 parts by weight or less of an inorganic filler.
【0015】本発明は、また、接着剤層が、Tgが20
0℃以上の耐熱性フィルムの両面に上記の樹脂組成物か
らなる層が形成された層である上記の半導体用接着フィ
ルムに関する。In the present invention, the adhesive layer has a Tg of 20.
The present invention relates to the above-mentioned adhesive film for semiconductor, which is a layer in which a layer made of the above resin composition is formed on both sides of a heat-resistant film at 0 ° C. or higher.
【0016】本発明は、また、上記のいずれかに記載の
接着剤フィルムを接着してなる半導体チップ搭載用基板
に関する。The present invention also relates to a semiconductor chip mounting substrate obtained by bonding any one of the above adhesive films.
【0017】本発明は、また、上記の接着剤フィルムを
用いて製造された半導体装置に関する。The present invention also relates to a semiconductor device manufactured using the above-mentioned adhesive film.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】図1は本発明の半導体用接着フィ
ルムの断面図であり、基材3の両面に接着剤層2が設け
られ、その上にカバーフィルム1を備えている。図2は
本発明の一実施例である半導体搭載用配線基板の組み立
て工程途中の断面図である。図2は片面にカバーフィル
ム1を貼り付けたまま、金型によりカバーフィルムの側
から本発明の半導体用接着フィルムを打ち抜き、配線4
を有する配線基板5に圧着する。図3は本発明の一実施
例である半導体搭載用基板の断面図である。本発明の半
導体用接着フィルムを配線基板5の半導体チップ搭載面
に備えた半導体搭載用配線基板に半導体チップ6を接着
させ、半導体チップのボンディングパッドに配線の一部
を半導体チップ接続部材7として接続し、封止剤8によ
り半導体チップの周囲を封止し、はんだボール9を設け
る。FIG. 1 is a sectional view of an adhesive film for a semiconductor according to the present invention. An adhesive layer 2 is provided on both surfaces of a substrate 3 and a cover film 1 is provided thereon. FIG. 2 is a cross-sectional view of the wiring board for mounting a semiconductor according to one embodiment of the present invention during the assembling process. FIG. 2 shows that the adhesive film for a semiconductor of the present invention is punched out from the cover film side by a mold while the cover film 1 is stuck on one side, and the wiring 4 is formed.
Is press-fitted to the wiring board 5 having. FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor mounting substrate according to one embodiment of the present invention. The semiconductor chip 6 is adhered to the wiring board for mounting a semiconductor provided with the adhesive film for semiconductor of the present invention on the semiconductor chip mounting surface of the wiring board 5, and a part of the wiring is connected to a bonding pad of the semiconductor chip as a semiconductor chip connecting member 7. Then, the periphery of the semiconductor chip is sealed with the sealing agent 8 and the solder balls 9 are provided.
【0019】本発明の半導体用接着フィルムにおける接
着剤層とカバーフィルムとの剥離力は1〜100N/m
であり、好ましくは3〜50N/mであり、より好まし
くは5〜30N/mである。剥離力が1N/mを下回る
場合には、接着フィルムの打ち抜き時にカバーフィルム
と接着剤層の剥離を生じてボイド巻き込みを生じ、一
方、剥離力が100N/mを上回る場合には、本圧着後
にカバーフィルムを剥離することが困難となる。The peeling force between the adhesive layer and the cover film in the semiconductor adhesive film of the present invention is 1 to 100 N / m.
, Preferably 3 to 50 N / m, more preferably 5 to 30 N / m. When the peeling force is less than 1 N / m, the cover film and the adhesive layer are peeled off at the time of punching the adhesive film to cause void entrainment. On the other hand, when the peeling force is more than 100 N / m, It becomes difficult to peel off the cover film.
【0020】カバーフィルムの材質としては、好ましく
は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチ
レンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリオレフィンより選択することができ
る。これらのうち、耐熱性とコストの面でPET及びポ
リオレフィンがより好ましい。The material of the cover film can be preferably selected from polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), and polyolefin. Among them, PET and polyolefin are more preferable in terms of heat resistance and cost.
【0021】カバーフィルムの厚みは、接着剤層の厚み
によっても多少異なるが、概ね10〜500μmであ
り、好ましくは20〜300μmであり、より好ましく
は20〜100μmである。厚みが500μmを超える
と、打ち抜き時のバリの発生や作業性が低下を招く傾向
があり、10μmを下回ると接着フィルム自体の強度が
低下して取り扱いが困難になる傾向がある。The thickness of the cover film varies somewhat depending on the thickness of the adhesive layer, but is generally from 10 to 500 μm, preferably from 20 to 300 μm, and more preferably from 20 to 100 μm. When the thickness exceeds 500 μm, burrs at the time of punching and workability tend to decrease, and when the thickness is less than 10 μm, the strength of the adhesive film itself tends to decrease and handling tends to be difficult.
【0022】接着剤とカバーフィルムの接着性により、
剥離力が1〜100N/mの範囲を超えてしまう場合に
は、カバーフィルムの片面又は両面に表面処理を施して
剥離力を調整することができる。このような表面処理と
しては、離型処理、カップリング剤処理、エッチング処
理等の化学的表面処理とエッチング、蒸着、スパッタリ
ング等の物理的表面処理がある。これらのうち、離型剤
を塗布する離型処理が最も一般的であり、シリコーン
系、脂肪酸エステル系、リン酸エステル系、アルコール
系、フッ素系などの離型剤を使用することができる。Due to the adhesiveness between the adhesive and the cover film,
When the peeling force exceeds the range of 1 to 100 N / m, the peeling force can be adjusted by subjecting one or both surfaces of the cover film to a surface treatment. Examples of such surface treatment include a chemical surface treatment such as a mold release treatment, a coupling agent treatment, and an etching treatment, and a physical surface treatment such as etching, vapor deposition, and sputtering. Of these, a release treatment in which a release agent is applied is the most common, and a release agent such as a silicone-based, fatty acid ester-based, phosphate ester-based, alcohol-based, or fluorine-based release agent can be used.
【0023】シリコーン系離型剤としては、ジメチルシ
リコーンオイル、ジメチルシリコーンゴム、シリコーン
レジン、有機変性シリコーンレジン等がある。脂肪酸エ
ステル系離型剤としては、エチレングリコール脂肪酸エ
ステル、ソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチ
レン脂肪酸ステル等がある。リン酸エステル系離型剤と
しては、ポリオキシアルキレンリン酸エステル等があ
る。アルコール系離型剤としては、ポリオキシアルキレ
ングリコール、グリコール類、ポリオキシエチレン高級
アルコールエーテル等がある。フッ素系離型剤として
は、ポリテトラフルオロエチレン等がある。これらの離
型剤を用いる場合には、1種類のみ又は2種類以上を組
み合わせて使用することができ、そのまま、あるいは適
当な溶剤に溶解してカバーフィルム表面に塗工すること
により離型層を形成することができる。Examples of the silicone release agent include dimethyl silicone oil, dimethyl silicone rubber, silicone resin, and organically modified silicone resin. Fatty acid ester-based release agents include ethylene glycol fatty acid esters, sorbitol fatty acid esters, and polyoxyethylene fatty acid stells. Examples of the phosphate release agent include polyoxyalkylene phosphate. Examples of the alcohol-based release agent include polyoxyalkylene glycols, glycols, and polyoxyethylene higher alcohol ethers. Examples of the fluorine release agent include polytetrafluoroethylene. When using these release agents, only one type or a combination of two or more types can be used, and the release layer can be used as it is or by dissolving it in an appropriate solvent and applying it to the cover film surface. Can be formed.
【0024】本発明の半導体用接着フィルムにおける接
着剤層としてはエポキシ系、アクリル系、シリコーン
系、ポリイミド系、ポリアミド系、ポリアミドイミド系
よりなる群より選ばれる少なくとも1種類以上の樹脂か
らなる接着剤層を用いることができる。これらのうち、
エポキシ系とアクリル系の樹脂の混合物からなる組成が
特に好ましい。The adhesive layer in the adhesive film for a semiconductor of the present invention is an adhesive composed of at least one resin selected from the group consisting of epoxy, acrylic, silicone, polyimide, polyamide and polyamideimide. Layers can be used. Of these,
A composition comprising a mixture of an epoxy resin and an acrylic resin is particularly preferred.
【0025】エポキシ系樹脂としては硬化して接着作用
を呈するものであれば良く、二官能及び/又は多官能の
エポキシ樹脂を用いることができる。二官能エポキシ樹
脂としてはビスフェノールA型エポキシ樹脂等、室温で
液状のものと固体のものがあり、これらの樹脂は市場か
ら容易に入手することができる。例えば、エピコート8
27、828、834、1001、1004、100
7、1009、1010(油化シェルエポキシ(株)
製)、アラルダイトGY252、250、260、28
0、6099(チバ・ガイギー(株)製)、D.E.R
330、331、336、337、668、669(ダ
ウ・ケミカル(株)製)、YD8125、YDF170
(東都化成(株)製)等が挙げられる。多官能エポキシ
樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Aノボラックエポキシ樹脂、α−ナフトールノボラック
エポキシ樹脂、臭素化ノボラックエポキシ樹脂等があ
り、これらの樹脂も市場から容易に入手することができ
る。例えば、フェノールノボラックエポキシ樹脂:DE
N−431、438、439 (ダウ・ケミカル(株)
製)、エピコート152、154 (油化シェルエポキ
シ(株)製)、EPPN−201、202 (日本化薬
(株)製)、クレゾールノボラックエポキシ樹脂:EO
CN−102S、103S、104S、1020、10
25、1027 (日本化薬(株)製)、ESCN−0
01、195X、200S、220 (住友化学工業
(株)製)、YDCN−703 (東都化成(株)
製)、ビスフェノールAノボラックエポキシ樹脂:N−
865、N−880 (大日本インキ化学工業(株)
製)、α−ナフトールノボラックエポキシ樹脂:EXB
−4300(大日本インキ化学工業(株)製)、臭素化
フェノールノボラックエポキシ樹脂:BREN−S
(日本化薬(株)製)等が挙げられる。The epoxy resin may be any resin as long as it cures and exhibits an adhesive action, and bifunctional and / or polyfunctional epoxy resins can be used. The bifunctional epoxy resin includes a liquid and a solid at room temperature, such as a bisphenol A epoxy resin, and these resins can be easily obtained from the market. For example, Epicoat 8
27, 828, 834, 1001, 1004, 100
7, 1009, 1010 (Yukaka Epoxy Co., Ltd.)
Made), Araldite GY252, 250, 260, 28
0, 6099 (manufactured by Ciba Geigy), D.I. E. FIG. R
330, 331, 336, 337, 668, 669 (manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.), YD8125, YDF170
(Manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.). As polyfunctional epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin,
There are cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak epoxy resin, α-naphthol novolak epoxy resin, brominated novolak epoxy resin, and the like, and these resins can be easily obtained from the market. For example, phenol novolak epoxy resin: DE
N-431, 438, 439 (Dow Chemical Co., Ltd.)
Epicoat 152, 154 (made by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), EPPN-201, 202 (made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), cresol novolak epoxy resin: EO
CN-102S, 103S, 104S, 1020, 10
25, 1027 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), ESCN-0
01, 195X, 200S, 220 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), YDCN-703 (Toto Kasei Co., Ltd.)
Made), bisphenol A novolak epoxy resin: N-
865, N-880 (Dainippon Ink Chemical Industry Co., Ltd.)
), Α-naphthol novolak epoxy resin: EXB
-4300 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), brominated phenol novolak epoxy resin: BREN-S
(Manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).
【0026】本発明におけるエポキシ樹脂は1種類のみ
で用いても、2種類以上を組み合わせてもよい。本発明
におけるエポキシ樹脂及び硬化剤の総量を100重量部
とすると、エポキシ樹脂は、好ましくは40〜90重量
部であり、より好ましくは50〜80重量部であり、特
に好ましくは50〜70重量部である。エポキシ樹脂の
量が少なすぎると接着性が不十分となる傾向があり、多
すぎると耐熱性が不十分となる傾向がある。The epoxy resin in the present invention may be used alone or in combination of two or more. Assuming that the total amount of the epoxy resin and the curing agent in the present invention is 100 parts by weight, the epoxy resin is preferably 40 to 90 parts by weight, more preferably 50 to 80 parts by weight, and particularly preferably 50 to 70 parts by weight. It is. If the amount of the epoxy resin is too small, the adhesiveness tends to be insufficient, and if it is too large, the heat resistance tends to be insufficient.
【0027】本発明における硬化剤としてはエポキシ樹
脂と反応して硬化させることが可能なものであれば特に
限定されるものではなく、エポキシ樹脂の硬化剤として
通常用いられているものを使用でき、アミン、ポリアミ
ド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素及び多
価フェノール化合物等が挙げられる。The curing agent in the present invention is not particularly limited as long as it can be cured by reacting with the epoxy resin, and those usually used as curing agents for epoxy resins can be used. Examples include amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, and polyhydric phenol compounds.
【0028】これらのうち、特に吸湿時の耐電食性に優
れる多価フェノール化合物が好ましく、フェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノー
ルAノボラック樹脂、ビスフェノールA、ビスフェノー
ルF、ビスフェノールS、臭素化ビスフェノールA、臭
素化ビスフェノールF、等があり、市場から容易に入手
することができる。例えば、ノボラック樹脂:フェノラ
イトLF2882、LF2822、TD−2090、T
D−2149、VH4150、VH4170(大日本イ
ンキ化学工業(株))、PSM−4300(群栄化学
(株))、H−100(明和化成(株))、臭素化ビス
フェノールA:ファイヤーガードFG2000(帝人化
成(株)) 等が挙げられる。Of these, polyhydric phenol compounds which are particularly excellent in corrosion resistance during moisture absorption are preferred, and phenol novolak resins, cresol novolak resins, bisphenol A novolak resins, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, brominated bisphenol A, bromine Bisphenol F, etc., and can be easily obtained from the market. For example, novolak resins: phenolite LF2882, LF2822, TD-2090, T
D-2149, VH4150, VH4170 (Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), PSM-4300 (Gunei Chemical Co., Ltd.), H-100 (Meiwa Kasei Co., Ltd.), brominated bisphenol A: Fireguard FG2000 ( Teijin Chemicals Ltd.).
【0029】本発明における(2) Tg(ガラス転移
温度)が−20℃〜30℃でかつ重量平均分子量が3
0,000〜1,000,000であるカルボキシル
基、ヒドロキシル基、酸無水物基、アミド基又はエポキ
シ基を有するアクリル系共重合体としては、以下に示す
ような非官能性モノマーと官能性モノマーを共重合する
ことにより得られるものが好ましく用いられる。In the present invention, (2) the Tg (glass transition temperature) is -20 ° C. to 30 ° C. and the weight average molecular weight is 3
Acrylic copolymers having a carboxyl group, a hydroxyl group, an acid anhydride group, an amide group or an epoxy group having a molecular weight of from 000 to 1,000,000 include non-functional monomers and functional monomers as shown below. What is obtained by copolymerizing is preferably used.
【0030】非官能性モノマーとしては、たとえば、ア
クリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチ
ル、アクリル酸2−エチルヘキシル等のアクリル酸アル
キルエステル、アクリル酸ノルボルニル、アクリル酸ノ
ルボルニルメチル、アクリル酸アダマンチル、アクリル
酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イ
ル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン−3(又は4)−イルメチル、アクリル酸ボルニル、
アクリル酸イソボルニル、アクリル酸メチルシクロヘキ
シル等のアクリル酸シクロアルキルエステル、アクリル
酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸芳香族
エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、
メタクリル酸ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル
等のメタクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸ノル
ボルニル、メタクリル酸ノルボルニルメチル、メタクリ
ル酸アダマンチル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.
1.0 2,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシク
ロ[5.2.1.02,6]デカン−3(又は4)−イル
メチル、メタクリル酸ボルニル、メタクリル酸イソボル
ニル、メタクリル酸メチルシクロヘキシル、メタクリル
酸シクロヘキシル等のメタクリル酸シクロアルキルエス
テル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等
のメタクリル酸芳香族エステル、スチレン又はα−メチ
ルスチレン、α−エチルスチレン等のα−置換スチレ
ン、クロロスチレン、ビニルトルエン、t−ブチルスチ
レン等の核置換スチレン、N−メチルマレイミド、N−
エチルマレイミド、N−プロピルマレイミド、N−ブチ
ルマレイミド等のN−アルキル基置換マレイミド、N−
シクロヘキシルマレイミド等のN−シクロアルキル基置
換マレイミド、N−フェニルマレイミド等のN−アリー
ル基置換マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル等のシアン化ビニル化合物からなる群より選ばれ
る少なくとも1種の化合物を使用することができる。非
官能性モノマーは、共重合体のTgが−20℃〜30℃
となるように選択することが好ましく、−10℃〜20
℃となることがより好ましい。Tgが低すぎるとBステ
ージ状態での接着フィルムのタック性が大きくなり取り
扱い性が悪化する傾向があり、高すぎると接着性が不十
分となる傾向がある。Non-functional monomers include, for example,
Methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate
Acrylates such as 2-ethylhexyl acrylate
Kill ester, norbornyl acrylate, acrylate
Rubornyl methyl, adamantyl acrylate, acrylic
Tricyclo acid [5.2.1.0]2,6] Decane-8-a
, Tricycloacrylate [5.2.1.02,6] Big
-3 (or 4) -ylmethyl, bornyl acrylate,
Isobornyl acrylate, methylcyclohexyl acrylate
Acrylic acid cycloalkyl ester such as sill, acrylic
Aromatic acrylates such as phenyl acrylate and benzyl acrylate
Esters, methyl methacrylate, ethyl methacrylate,
Butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate
Methacrylic acid alkyl esters such as methacrylic acid nor
Bornyl, norbornylmethyl methacrylate, methacrylic acid
Adamantyl acrylate, tricyclomethacrylate [5.2.
1.0 2,6] Decan-8-yl, tricyclyl methacrylate
B [5.2.1.02,6] Decane-3 (or 4) -yl
Methyl, bornyl methacrylate, isobol methacrylate
Nil, methylcyclohexyl methacrylate, methacryl
Cycloalkyles such as cyclohexyl acrylate
Ter, phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, etc.
Methacrylic acid aromatic ester, styrene or α-methyl
Α-substituted polystyrene such as styrene and α-ethylstyrene
, Chlorostyrene, vinyltoluene, t-butylstyrene
Nuclear-substituted styrene such as len, N-methylmaleimide, N-
Ethyl maleimide, N-propyl maleimide, N-butyl
N-alkyl group-substituted maleimides such as lumaleimide, N-
N-cycloalkyl group such as cyclohexylmaleimide
N-ary such as substituted maleimide and N-phenylmaleimide
Group-substituted maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile
Selected from the group consisting of vinyl cyanide compounds such as tolyl
At least one compound can be used. Non
The functional monomer has a Tg of the copolymer of −20 ° C. to 30 ° C.
It is preferable to select -10 ° C. to 20
C. is more preferable. If Tg is too low, B
The tackiness of the adhesive film in the
There is a tendency for the handleability to deteriorate.
Tend to be minutes.
【0031】また、官能性モノマーとしては、たとえ
ば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等のカルボ
キシル基含有モノマー、アクリル酸−2−ヒドロキシエ
チル、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル、アクリル
酸−2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸−2−ヒド
ロキシプロピル、N−メチロールアクリルアミド、N−
メチロールメタクリルアミド、(o−,m−,p−)ヒ
ドロキシスチレン等のヒドロキシル基含有モノマー、無
水マレイン酸等の酸無水物基含有モノマー、アクリルア
ミド、メタクリルアミド等のアミド基含有モノマー及び
アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−
エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリ
ル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジ
ル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル
酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−4,5−エ
ポキシペンチル、メタクリル酸−4,5−エポキシペン
チル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタク
リル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリ
ル酸−6,7−エポキシヘプチル、アクリル酸−3−メ
チル−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3−メ
チル−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−4−メチ
ル−4,5−エポキシペンチル、メタクリル酸−4−メ
チル−4,5−エポキシペンチル、アクリル酸−5−メ
チル−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−
メチル−5,6−エポキシヘキシル、アクリル酸−β−
メチルグリシジル、メタクリル酸−β−メチルグリシジ
ル、α−エチルアクリル酸−β−メチルグリシジル、ア
クリル酸−3−メチル−3,4−エポキシブチル、メタ
クリル酸−3−メチル−3,4−エポキシブチル、アク
リル酸−4−メチル−4,5−エポキシペンチル、メタ
クリル酸−4−メチル−4,5−エポキシペンチル、ア
クリル酸−5−メチル−5,6−エポキシヘキシル、メ
タクリル酸−5−メチル−5,6−エポキシヘキシル等
のエポキシ基含有モノマーからなる群より選ばれる少な
くとも1種の化合物を使用することができる。これらの
うち、保存安定性の点でエポキシ基含有モノマーが好ま
しく、メタクリル酸グリシジルがより好ましい。Examples of the functional monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, and itaconic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and 2-hydroxyacrylate. Propyl, 2-hydroxypropyl methacrylate, N-methylolacrylamide, N-
Hydroxyl group-containing monomers such as methylol methacrylamide, (o-, m-, p-) hydroxystyrene, acid anhydride group-containing monomers such as maleic anhydride, amide group-containing monomers such as acrylamide and methacrylamide, and glycidyl acrylate; Glycidyl methacrylate, α-
Glycidyl ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, -4,5-acrylic acid Epoxypentyl, methacrylic acid-4,5-epoxypentyl, acrylate-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylate-6,7-epoxyheptyl, acrylic acid-3 -Methyl-3,4-epoxybutyl, 3-methyl-3,4-epoxybutyl methacrylate, 4-methyl-4,5-epoxypentyl acrylate, 4-methyl-4,5-epoxy methacrylate Pentyl, 5-methyl-5,6-epoxyhexyl acrylate, 5-methacrylic acid
Methyl-5,6-epoxyhexyl, acrylic acid-β-
Methyl glycidyl, β-methyl glycidyl methacrylate, β-methyl glycidyl α-ethyl acrylate, 3-methyl-3,4-epoxybutyl acrylate, 3-methyl-3,4-epoxybutyl methacrylate, 4-methyl-4,5-epoxypentyl acrylate, 4-methyl-4,5-epoxypentyl methacrylate, 5-methyl-5,6-epoxyhexyl acrylate, 5-methyl-5 methacrylate At least one compound selected from the group consisting of epoxy group-containing monomers such as 2,6-epoxyhexyl can be used. Among these, an epoxy group-containing monomer is preferable in terms of storage stability, and glycidyl methacrylate is more preferable.
【0032】非官能性モノマーと官能性モノマーとの共
重合比率はそれらの総量を100重量部として90/
10〜99.9/0.1重量部の範囲であり、好ましく
は93/7〜99.5/0.5の範囲であり、より好ま
しくは95/5〜99/1の範囲である。官能性モノマ
ーの量が多すぎると共重合する際にゲル化しやすくなる
傾向があり、少なすぎると接着性が不十分となる傾向が
ある。これらのアクリル系共重合体を得るための重合方
法としては、塊状重合、パール重合、乳化重合、溶液重
合等が挙げられる。また、これらのアクリル系共重合体
の分子量としては好ましくは重量平均分子量 (Mw)
が30,000〜1,000,000であり、より好ま
しくは50,000〜800,000である。分子量が
大きすぎると共重合する際にゲル化しやすくなる傾向が
あり、小さすぎると接着性が不十分となる傾向がある。The copolymerization ratio of the non-functional monomer and the functional monomer is 90 /
It is in the range of 10 to 99.9 / 0.1 parts by weight, preferably in the range of 93/7 to 99.5 / 0.5, and more preferably in the range of 95/5 to 99/1. If the amount of the functional monomer is too large, gelation tends to occur during copolymerization, and if the amount is too small, adhesiveness tends to be insufficient. Examples of the polymerization method for obtaining these acrylic copolymers include bulk polymerization, pearl polymerization, emulsion polymerization, and solution polymerization. The molecular weight of these acrylic copolymers is preferably a weight average molecular weight (Mw).
Is 30,000 to 1,000,000, and more preferably 50,000 to 800,000. If the molecular weight is too large, gelation tends to occur during copolymerization, and if it is too small, adhesiveness tends to be insufficient.
【0033】本発明における(2) Tg(ガラス転移
温度)が−20℃〜30℃でかつ重量平均分子量が3
0,000〜1,000,000であるカルボキシル
基、ヒドロキシル基、酸無水物基、アミド基又はエポキ
シ基を有するアクリル系共重合体の量は、エポキシ樹脂
及び硬化剤の総量を100重量部とした場合に、50〜
300重量部であり、好ましくは80〜300重量部で
あり、より好ましくは100〜300重量部である。ア
クリル系共重合体の量が少なすぎると接着性が低下する
傾向があり、多すぎるとタック性が高くなりすぎて取り
扱いにくくなる傾向がある。(2) In the present invention, Tg (glass transition temperature) is -20 ° C. to 30 ° C. and the weight average molecular weight is 3
The amount of the acryl-based copolymer having a carboxyl group, a hydroxyl group, an acid anhydride group, an amide group or an epoxy group, which is from 000 to 1,000,000, is 100 parts by weight of the total amount of the epoxy resin and the curing agent. If you do, 50-
The amount is 300 parts by weight, preferably 80 to 300 parts by weight, more preferably 100 to 300 parts by weight. If the amount of the acrylic copolymer is too small, the adhesiveness tends to decrease, and if it is too large, the tackiness tends to be too high to make it difficult to handle.
【0034】さらに本発明においては、保存安定性を損
なわない程度に(3)硬化促進剤を用いることが好まし
い。硬化促進剤としては、通常エポキシ樹脂の硬化に際
して用いられるものをそのまま使用できる。具体的に
は、塩酸等の無機酸、酢酸、シュウ酸等の有機酸、トリ
エチルアミン、ベンジルジメチルアミン等の第三級アミ
ン類、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2
−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル
−2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類、トリ
フェニルホスフィン等のホスフィン類、BF3等のルイ
ス酸又はルイス酸塩等を挙げることができ、保存安定性
や耐熱性等の点で好ましくはイミダゾール類が用いられ
る。イミダゾール類は、市場から容易に入手することが
できる。例えば、2E4MZ、1B2MZ、2E4MZ
−CN、2PZ−CN、2PZ−CNS(四国化成工業
(株)製)等がある。硬化促進剤の配合量は、エポキシ
樹脂及び硬化剤の総量を100重量部とした場合に、
0.01〜10重量部であり、特に好ましくは0.1〜
5重量部である。硬化促進剤が多すぎると保存安定性や
接着性が低下する傾向がある。Further, in the present invention, it is preferable to use (3) a curing accelerator to such an extent that storage stability is not impaired. As the curing accelerator, those usually used for curing an epoxy resin can be used as they are. Specifically, inorganic acids such as hydrochloric acid, organic acids such as acetic acid and oxalic acid, tertiary amines such as triethylamine and benzyldimethylamine, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole , 1-cyanoethyl-2
- ethyl-4-methylimidazole, imidazoles such as 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, phosphines such as triphenylphosphine, mention may be made of Lewis acid or Lewis acid salts such as BF 3, etc., stability Ya storage From the viewpoint of heat resistance and the like, imidazoles are preferably used. Imidazoles can be easily obtained from the market. For example, 2E4MZ, 1B2MZ, 2E4MZ
-CN, 2PZ-CN, 2PZ-CNS (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) and the like. The amount of the curing accelerator, when the total amount of the epoxy resin and the curing agent is 100 parts by weight,
0.01 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.1 to 10 parts by weight
5 parts by weight. If the amount of the curing accelerator is too large, storage stability and adhesion tend to decrease.
【0035】さらに本発明においては、異種材料間の界
面結合を良くするために、(4)カップリング剤を配合
することもできる。カップリング剤としては、シランカ
ップリング剤が好ましい。シランカップリング剤として
は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルト
リエトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。Further, in the present invention, (4) a coupling agent may be blended in order to improve the interfacial bonding between different materials. As the coupling agent, a silane coupling agent is preferable. As the silane coupling agent, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ
-Mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane and the like.
【0036】前記したシランカップリング剤は、市場か
ら容易に入手することができる。例えば、NUC A−
187、A−189、A−1160、A−1120(日
本ユニカー(株)製)、SH6040、SH6062、
SH6020(東レ・ダウコーニング・シリコーン
(株)製)等がある。カップリング剤の配合量は、エポ
キシ樹脂及び硬化剤の総量を100重量部とした場合
に、0.01〜10重量部、より好ましくは0.1〜5
重量部を添加するのが好ましい。添加量が少なすぎる場
合には接着性が十分に向上しない傾向があり、多すぎる
場合には耐熱性が低下する傾向がある。The above-mentioned silane coupling agent can be easily obtained from the market. For example, NUC A-
187, A-189, A-1160, A-1120 (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.), SH6040, SH6062,
SH6020 (manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.). The compounding amount of the coupling agent is 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, when the total amount of the epoxy resin and the curing agent is 100 parts by weight.
It is preferred to add parts by weight. If the amount is too small, the adhesion tends not to be sufficiently improved, and if it is too large, the heat resistance tends to decrease.
【0037】さらに本発明の接着剤組成物には、本発明
の効果を損なわない程度に、その他の成分を混合して使
用することができる。このような成分としては、(5)
フェノキシ樹脂、(6)無機フィラー、(7)アンチモ
ン酸化物等がある。Further, other components can be mixed and used in the adhesive composition of the present invention to the extent that the effects of the present invention are not impaired. Such components include (5)
Phenoxy resin, (6) inorganic filler, (7) antimony oxide and the like.
【0038】フェノキシ樹脂は、Bステージにおけるタ
ック性の低減や、硬化後の接着剤の可撓性付与等を目的
として混合することができる。フェノキシ樹脂は、市場
から容易に入手することができる。例えば、フェノトー
ト YP−40、YP−50、YP−60(東都化成
(株)製)等がある。フェノキシ樹脂の配合量はエポキ
シ樹脂及び硬化剤の総量を100重量部とした場合に、
0.1〜20重量部、より好ましくは1〜10重量部の
範囲で混合するのが好ましい。混合量が少なすぎると可
撓性が十分ではなく、混合量が多すぎる場合には耐熱性
が低下する傾向がある。The phenoxy resin can be mixed for the purpose of reducing tackiness in the B stage, imparting flexibility to the cured adhesive, and the like. Phenoxy resins can be easily obtained from the market. For example, Phenothote YP-40, YP-50, YP-60 (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) and the like are available. The amount of the phenoxy resin, when the total amount of the epoxy resin and the curing agent is 100 parts by weight,
It is preferable to mix in the range of 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight. If the mixing amount is too small, the flexibility is not sufficient, and if the mixing amount is too large, the heat resistance tends to decrease.
【0039】無機フィラーは、熱伝導性、難燃性、チキ
ソトロピー性等を付与する目的で混合することができ
る。無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、
ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、
ホウ酸アルミニウムウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリ
カ、炭化ケイ素、酸化アンチモン等が挙げられる。The inorganic filler can be mixed for the purpose of imparting thermal conductivity, flame retardancy, thixotropy and the like. As inorganic fillers, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate,
Calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride,
Examples include aluminum borate whiskers, boron nitride, crystalline silica, silicon carbide, antimony oxide and the like.
【0040】熱伝導性を良くするためには、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカ、炭化ケイ素などが特に好ましい。このうち、ア
ルミナは放熱性が良く、耐熱性、絶縁性が良好な点で好
適である。また、結晶性シリカ又は非晶性シリカは、放
熱性の点ではアルミナより劣るが、イオン性不純物が少
ないため、PCT処理後の絶縁性が高く、銅箔、アルミ
線、アルミ板等の腐食が少ない点で好適である。また、
難燃性を与えるためには、水酸化アルミニウム、水酸化
マグネシウム、アンチモン酸化物等が好ましい。さら
に、チキソトロピー性の付与の目的には、水酸化アルミ
ニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マ
グネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、
酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性
シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。これらの無機フィ
ラーはエポキシ樹脂及び硬化剤の総量を100重量部と
した場合に、100重量部以下、より好ましくは0.1
〜60重量部、さらに好ましくは1〜40重量部の範囲
で混合する。混合量が多すぎる場合には接着剤の貯蔵弾
性率の上昇、接着性の低下などを起こす傾向がある。In order to improve thermal conductivity, alumina,
Aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, silicon carbide and the like are particularly preferred. Among them, alumina is suitable because it has good heat dissipation properties and good heat resistance and insulation properties. In addition, crystalline silica or amorphous silica is inferior to alumina in terms of heat dissipation, but has less ionic impurities, so it has high insulation after PCT treatment, and corrodes copper foil, aluminum wire, aluminum plate, etc. It is suitable in that it has few points. Also,
In order to impart flame retardancy, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, antimony oxide and the like are preferable. Further, for the purpose of imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate,
Preferred are calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, amorphous silica and the like. These inorganic fillers are 100 parts by weight or less, more preferably 0.1 parts by weight when the total amount of the epoxy resin and the curing agent is 100 parts by weight.
6060 parts by weight, more preferably 1-40 parts by weight. When the mixing amount is too large, the storage elastic modulus of the adhesive tends to increase and the adhesiveness tends to decrease.
【0041】本発明の接着剤組成物は、各成分を溶剤に
溶解・分散したワニスをそのまま使用する他、ワニスを
基材上に塗布し、加熱して溶剤を除去してフィルム状態
で使用することが可能である。ワニス化の溶剤は、比較
的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイ
ソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、
ブチルセロソルブ、メタノール、エタノール、2−メト
キシエタノール等を用いるのが好ましい。また、塗膜性
を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。
高沸点溶剤としては、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、メチルピロリドン、シクロヘキサノンな
どが挙げられる。ワニスの製造は、本発明の構成成分を
上記溶剤に溶解することが可能な装置であれば特に限定
はなく、攪拌機等を備えた溶解槽等を用いて行われる。
溶解は室温〜150℃、好ましくは室温〜120℃の範
囲で通常1時間〜50時間程度行われる。溶解温度が高
すぎると溶解中にエポキシ基等が反応して、接着性を低
下させる傾向がある。The adhesive composition of the present invention can be used in the form of a film by using a varnish in which each component is dissolved and dispersed in a solvent as it is, or by applying a varnish on a substrate and heating to remove the solvent. It is possible. Solvents for varnishing are relatively low boiling point methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene,
It is preferable to use butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol and the like. Further, a high boiling point solvent may be added for the purpose of improving the coating properties.
Examples of the high boiling point solvent include dimethylacetamide, dimethylformamide, methylpyrrolidone, cyclohexanone and the like. The production of the varnish is not particularly limited as long as it is a device capable of dissolving the components of the present invention in the above-mentioned solvent, and is performed using a dissolving tank equipped with a stirrer or the like.
The dissolution is carried out at room temperature to 150 ° C, preferably at room temperature to 120 ° C, usually for about 1 hour to 50 hours. If the dissolution temperature is too high, epoxy groups and the like react during dissolution, and the adhesiveness tends to decrease.
【0042】また、ワニスとした後、真空脱気によりワ
ニス中の気泡を除去することが好ましい。基材として
は、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポ
リプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム等やそれら
を離型処理したフィルム等を使用することができる。塗
工方法は特に限定するものではないが、たとえば、ロー
ルコート、リバースロールコート、グラビアコート、バ
ーコート等が挙げられる。また、基材の両面に接着剤層
を有する接着フィルムは、基材のそれぞれの面に接着剤
を塗布、熱して溶剤を除去することで得られる。またT
gが200℃以上の耐熱性フィルム上に塗布した接着剤
層を基材の両面にラミネーションで貼り合わせることに
より得ることができる。この時、ラミネートの圧力は接
着フィルムの変形が起こらない圧力で行うことが好まし
い。両面に接着層を形成する場合は、片面と他面の接着
剤の厚みが異なっていてもよい。After forming the varnish, it is preferable to remove bubbles in the varnish by vacuum degassing. As the substrate, a polyester film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polyimide film, or the like, a film obtained by subjecting them to a release treatment, or the like can be used. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include a roll coat, a reverse roll coat, a gravure coat, and a bar coat. Further, an adhesive film having an adhesive layer on both surfaces of a substrate is obtained by applying an adhesive to each surface of the substrate and removing the solvent by heating. Also T
It can be obtained by laminating an adhesive layer applied on a heat-resistant film having a g of 200 ° C. or more to both surfaces of a substrate by lamination. At this time, it is preferable to perform the lamination at a pressure that does not cause deformation of the adhesive film. When the adhesive layers are formed on both surfaces, the thickness of the adhesive on one surface may be different from the thickness of the adhesive on the other surface.
【0043】本発明におけるTgが200℃以上の耐熱
性フィルムとしては、そのポリマーとしてはポリイミ
ド、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルイミド、全芳香族ポリエステル等が用いられる。
Tgが200℃未満の耐熱性フィルムを用いた場合は、
はんだリフロー時などの高温時に塑性変形を起こす場合
がある。As the heat-resistant film having a Tg of 200 ° C. or higher in the present invention, polyimide, polyethersulfone, polyamideimide, polyetherimide, wholly aromatic polyester and the like are used as the polymer.
When using a heat-resistant film having a Tg of less than 200 ° C.,
Plastic deformation may occur at high temperatures such as during solder reflow.
【0044】本発明による接着フィルムは上記の組成に
より被着体の熱膨張係数の違いにより発生する応力を接
着剤層で緩和する働きがある。本発明になる接着フィル
ムを接着した半導体チップ搭載用基板に、シリコンチッ
プを圧着後、封止剤を注入しこのフィルム及び封止剤を
硬化させて半導体装置とされる。以下、本発明に係る接
着剤組成物、これを用いた接着フィルム、及びこの接着
フィルムを用いた半導体装置について実施例により具体
的に説明する。The adhesive film according to the present invention has a function of reducing the stress generated by the difference in the thermal expansion coefficient of the adherend by the adhesive layer due to the above composition. After the silicon chip is pressed onto the semiconductor chip mounting substrate to which the adhesive film according to the present invention is adhered, a sealing agent is injected and the film and the sealing agent are cured to obtain a semiconductor device. Hereinafter, the adhesive composition according to the present invention, an adhesive film using the same, and a semiconductor device using the adhesive film will be specifically described with reference to examples.
【0045】[0045]
【実施例】実施例1 シリコーン系離型剤を用いて離型処理を施した、50μ
mのPETフィルム(帝人(株)製商品名、ピューレッ
クスを使用)の離型処理面に、エポキシ樹脂としてビス
フェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、東
都化成(株)製商品名、YD−8125を使用)46重
量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ
当量220、東都化成(株)製商品名、YDCN−70
3を使用)15重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフ
ェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業(株)
製商品名、フェノライトLF2882を使用)39重量
部、アクリル共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴ
ム(分子量10,00000、帝国化学産業(株)製商
品名、HTR−860P−3を使用)150重量部、硬
化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダ
ゾール(四国化学工業(株)製商品名、キュアゾール2
PZ−CNを使用)0.8重量部、シランカップリング
剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
(日本ユニカー(株)製商品名、NUC A−189を
使用)0.8重量部、γ−ウレイドプロビルトリメトキ
シシラン(日本ユニカー(株)製商品名、NUC A−
1160を使用)0.8重量部からなる樹脂組成物にシ
クロヘキサノン1,300重量部を加えて攪拌混合し、
真空脱気して得られたワニスを塗布し、150℃で5分
間乾燥して膜厚が75μmのBステージ状態の接着フィ
ルムを作製した。この接着フィルムの接着剤層とPET
フィルムの剥離力を、テスター産業(株)製90°ピー
ル強度測定機で測定した結果、剥離力は2N/mであっ
た。EXAMPLE 1 A 50 μm mold release treated with a silicone release agent
m, a bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent: 200, trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., YD-8125) 46 parts by weight, cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 220, trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., YDCN-70)
3) 15 parts by weight, phenol novolak resin as a curing agent for epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Industry Co., Ltd.)
39 parts by weight of phenolite LF2882 manufactured by Epson Group Inc., 150 weight parts of an epoxy-containing acrylic rubber (molecular weight: 10,000, trade name: HTR-860P-3 manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.) Part, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole (trade name, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., Curezol 2) as a curing accelerator
0.8 parts by weight of PZ-CN), 0.8 parts by weight of γ-mercaptopropyltrimethoxysilane (trade name, manufactured by Nippon Unicar, NUC A-189) as a silane coupling agent, 0.8 parts by weight, γ-ureido Provir trimethoxysilane (trade name, manufactured by Nippon Unicar, NUC A-
1,160 parts by weight of cyclohexanone was added to 0.8 parts by weight of the resin composition, and the mixture was stirred and mixed.
A varnish obtained by vacuum degassing was applied and dried at 150 ° C. for 5 minutes to produce a 75-μm-thick B-stage adhesive film. The adhesive layer of this adhesive film and PET
As a result of measuring the peeling force of the film with a 90 ° peel strength measuring device manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd., the peeling force was 2 N / m.
【0046】実施例2 シリコーン系離型剤の量によって接着剤層とPETフィ
ルムの剥離力を15N/mに調整したPETフィルムを
用いた以外は、実施例1と同様の方法で接着フィルムを
作製した。Example 2 An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that a PET film in which the peeling force between the adhesive layer and the PET film was adjusted to 15 N / m by the amount of the silicone release agent was used. did.
【0047】実施例3 シリコーン系離型剤の量によって接着剤層とPETフィ
ルムの剥離力を40N/mに調整したPETフィルムを
用いた以外は、実施例1と同様の方法で接着フィルムを
作製した。Example 3 An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a PET film in which the peeling force between the adhesive layer and the PET film was adjusted to 40 N / m by the amount of the silicone release agent was used. did.
【0048】実施例4 シリコーン系離型剤の量によって接着剤層とPETフィ
ルムの剥離力を70N/mに調整したPETフィルムを
用いた以外は、実施例1と同様の方法で接着フィルムを
作製した。Example 4 An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a PET film in which the peeling force between the adhesive layer and the PET film was adjusted to 70 N / m by the amount of the silicone release agent was used. did.
【0049】比較例1 シリコーン系離型剤の量によって接着剤層とPETフィ
ルムの剥離力を0.5N/mに調整したPETフィルム
を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接着フィルム
を作製した。Comparative Example 1 An adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that a PET film in which the peeling force between the adhesive layer and the PET film was adjusted to 0.5 N / m by the amount of the silicone release agent was used. Was prepared.
【0050】比較例2 シリコーン系離型剤の量によって接着剤層とPETフィ
ルムの剥離力を150N/mに調整したPETフィルム
を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接着フィルム
を作製した。Comparative Example 2 An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a PET film in which the peeling force between the adhesive layer and the PET film was adjusted to 150 N / m by the amount of the silicone release agent was used. did.
【0051】得られた接着フィルムを用い、接着フィル
ムの片面にPETフィルムを貼り付けたまま、金型によ
りPETフィルム側から打ち抜いた時のPETフィルム
の剥離状態を観察した。打ち抜き時のPETの剥離は配
線基板に圧着した時のボイド巻き込みの原因となる。打
ち抜き時にPETが剥離したものの数がサンプル数10
0個中において0〜1個の接着フィルムを○とし、それ
以上の接着フィルムを×とした。また、チップ貼付け前
にPETフィルムを粘着テープにて剥離した時の剥離の
状態を観察した。粘着テープは接着強度が100N/m
のものを用いた。PETフィルムが剥がれにくく不良の
発生及び剥ぎ残しがあったものの数がサンプル数100
個中において0〜10個の接着フィルムを○とし、それ
以上の接着フィルムを×とした。これらの結果を表1に
示した。Using the obtained adhesive film, while the PET film was adhered to one side of the adhesive film, the state of peeling of the PET film when the PET film was punched out from the PET film side was observed. The exfoliation of PET at the time of punching causes voids to be involved when the PET is pressed against the wiring board. The number of samples from which PET was peeled at the time of punching was 10 samples
Out of 0 pieces, 0 to 1 pieces of the adhesive film were evaluated as 、, and more adhesive films were evaluated as ×. In addition, the state of peeling when the PET film was peeled off with an adhesive tape before chip attachment was observed. Adhesive tape has an adhesive strength of 100 N / m
Was used. The number of samples in which the PET film was difficult to peel off and had defects and unpeeled was 100 samples
In each of the pieces, 0 to 10 pieces of the adhesive films were evaluated as ○, and more adhesive films were evaluated as ×. The results are shown in Table 1.
【0052】[0052]
【表1】 [Table 1]
【0053】実施例5 実施例1〜4の接着フィルムをそれぞれ基材として厚さ
25μmのポリイミドフィルム(宇部興産(株)製ユー
ピレックスSGA−25)の両面に温度85℃、圧力
2.5MPa、ラミネート速度1.0m/分の条件でホ
ットロールラミネーターを用いて貼り付け、ポリイミド
フィルムの両面に接着剤層を備えた接着フィルムを作製
した。得られた接着フィルムを用い、接着フィルムの片
面にPETフィルムを貼り付けたまま金型によりPET
フィルム側から打ち抜いた時のPETフィルムの剥離状
態及びチップ貼り付け前にPETフィルムを粘着テープ
にて剥離した時の状態を観察した。その結果、金型で打
ち抜く際のカバーフィルムと接着剤層の剥離がなく、チ
ップ圧着前の粘着テープによるカバーフィルムの除去を
容易に行うことができた。Example 5 A 25 μm thick polyimide film (UPILEX SGA-25 manufactured by Ube Industries, Ltd.) was laminated on both surfaces of the adhesive films of Examples 1 to 4 at a temperature of 85 ° C. and a pressure of 2.5 MPa, respectively. The film was attached using a hot roll laminator at a speed of 1.0 m / min to produce an adhesive film having an adhesive layer on both sides of a polyimide film. Using the obtained adhesive film, PET with a mold while the PET film is stuck on one side of the adhesive film.
The peeled state of the PET film when punched from the film side and the state when the PET film was peeled off with an adhesive tape before chip attachment were observed. As a result, there was no peeling of the cover film and the adhesive layer at the time of punching with a mold, and the cover film could be easily removed by the adhesive tape before the chip was pressed.
【0054】[0054]
【発明の効果】以上のように、本発明の接着フィルム
は、カバーフィルムと接着剤層との剥離力を規定するこ
とにより、接着フィルムを打ち抜く際のカバーフィルム
と接着剤層の剥離をおさえ、且つチップ圧着前の粘着テ
ープによるカバーフィルムの除去を容易に行うことがで
きる。そのため、チップ組み立て段階における生産性を
向上することができる。As described above, the adhesive film of the present invention suppresses peeling of the cover film and the adhesive layer when punching the adhesive film by defining the peeling force between the cover film and the adhesive layer. Moreover, the cover film can be easily removed by the adhesive tape before the chip is pressed. Therefore, productivity in the chip assembling stage can be improved.
【図1】図1は本発明の半導体用接着フィルムの断面図
である。FIG. 1 is a sectional view of an adhesive film for a semiconductor of the present invention.
【図2】図2は本発明の一実施例である半導体搭載用配
線基板の組み立て工程途中の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the wiring board for mounting a semiconductor according to one embodiment of the present invention during an assembling process.
【図3】図3は本発明の一実施例である半導体搭載用基
板の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor mounting substrate according to an embodiment of the present invention.
1 カバーフィルム 2 接着剤層 3 基材 4 配線 5 半導体配線基板 6 半導体チップ 7 半導体チップ接続部材 8 封止材 9 はんだボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cover film 2 Adhesive layer 3 Base material 4 Wiring 5 Semiconductor wiring board 6 Semiconductor chip 7 Semiconductor chip connecting member 8 Sealing material 9 Solder ball
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09J 201/00 C09J 201/00 H01L 21/52 H01L 21/52 E 21/60 311 21/60 311R 23/12 501 23/12 501V 501Z 23/14 23/14 R (72)発明者 宇留野 道生 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井事業所内 (72)発明者 松崎 隆行 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井事業所内 Fターム(参考) 4F100 AA01A AH06A AH06G AK03B AK25A AK25G AK33 AK42B AK46A AK46G AK49A AK49G AK53 AK53A AK53G AK54A AK54B AL01A AL05A AN02 AT00B CA02 EH46 EH462 EJ86 EJ862 GB41 JA05A JA07A JL11A JL14 JL14B 4J004 AA10 AA11 AA13 AA16 AA18 AB05 CC02 DA02 DA03 DB02 EA05 FA05 4J040 DF001 DF002 EC001 EC061 EC071 EC151 EE062 EH031 EK031 GA05 GA07 GA11 GA12 GA22 HA136 HA156 HA196 HA206 HA306 HA316 HA326 HD30 JB02 KA16 KA17 KA42 LA02 LA06 NA20 PA23 5F044 KK03 5F047 BA34 BB03 BB05 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) C09J 201/00 C09J 201/00 H01L 21/52 H01L 21/52 E 21/60 311 21/60 311R 23/12 501 23 / 12 501V 501Z 23/14 23/14 R (72) Inventor Michio Uruno 14 Goi-minamikaigan, Ichihara-shi, Chiba Pref.Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. Address Hitachi Chemical Co., Ltd. Goi Works F-term (reference) 4F100 AA01A AH06A AH06G AK03B AK25A AK25G AK33 AK42B AK46A AK46G AK49A AK49G AK53 JAKA JA14A14A02A04A02A04A05A14A02A04A04A05A14A14 AA13 AA16 AA18 AB05 CC02 DA02 DA03 DB02 EA05 FA05 4J040 DF001 DF002 EC001 EC061 EC071 EC151 EE062 EH031 EK031 GA05 GA07 GA11 GA12 GA22 HA136 HA156 HA196 HA206 HA306 HA316 HA326 HD30 JB02 KA16 KA17 KA42 KA04 LA03 5 05
Claims (10)
ルムを備え、接着剤層とカバーフィルムとの剥離力が1
〜100N/mである半導体用接着フィルム。An adhesive layer is provided with a cover film on at least one side thereof, and a peeling force between the adhesive layer and the cover film is one.
An adhesive film for a semiconductor having a thickness of 100 N / m.
タレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルス
ルホン又はポリオレフィンからなるフィルムである請求
項1に記載の半導体用接着フィルム。2. The adhesive film for a semiconductor according to claim 1, wherein the cover film is a film made of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone or polyolefin.
ているフィルムである請求項1又は2に記載の半導体用
接着フィルム。3. The adhesive film for a semiconductor according to claim 1, wherein the cover film is a film having a surface subjected to a release treatment.
シリコーン系、ポリイミド系、ポリアミド系及びポリア
ミドイミド系よりなる群より選ばれる少なくとも1種類
以上の樹脂からなる層である請求項1〜3のいずれかに
記載の半導体用接着フィルム。4. The method according to claim 1, wherein the adhesive layer is an epoxy-based, acrylic-based,
The adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive film is a layer made of at least one resin selected from the group consisting of silicone, polyimide, polyamide, and polyamideimide.
の硬化剤100重量部、(2)Tg(ガラス転移温度)
が−20℃〜30℃でかつ重量平均分子量が30,00
0〜1,000,000であるカルボキシル基、ヒドロ
キシル基、酸無水物基、アミド基又はエポキシ基を有す
るアクリル系共重合体50〜300重量部、(3)硬化
促進剤0.01〜10重量部、ならびに(4)カップリ
ング剤0.01〜10重量部を含む樹脂組成物からなる
層である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体用接着
フィルム。5. An adhesive layer comprising: (1) 100 parts by weight of an epoxy resin and a curing agent thereof, and (2) Tg (glass transition temperature).
Has a weight average molecular weight of -30 ° C.
50 to 300 parts by weight of an acrylic copolymer having a carboxyl group, a hydroxyl group, an acid anhydride group, an amide group or an epoxy group of 0 to 1,000,000, and (3) a curing accelerator of 0.01 to 10 parts by weight. The adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesive film is a layer composed of a resin composition containing at least one component and (4) 0.01 to 10 parts by weight of a coupling agent.
脂0.1〜20重量部を含む樹脂組成物からなる層であ
る請求項5に記載の半導体用接着フィルム。6. The adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the adhesive layer is a layer further comprising (5) a resin composition containing 0.1 to 20 parts by weight of a phenoxy resin.
100重量部以下を含む樹脂組成物からなる層である請
求項5又は6に記載の半導体用接着フィルム。7. The adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the adhesive layer is a layer further comprising (6) a resin composition containing 100 parts by weight or less of an inorganic filler.
性フィルムの両面に請求項4〜7のいずれかに記載の樹
脂組成物からなる層が形成された層である請求項1〜7
のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。8. The adhesive layer is a layer in which a layer composed of the resin composition according to any one of claims 4 to 7 is formed on both sides of a heat-resistant film having a Tg of 200 ° C. or higher. 7
The adhesive film for a semiconductor according to any one of the above.
フィルムを接着してなる半導体チップ搭載用基板。9. A semiconductor chip mounting substrate obtained by bonding the adhesive film according to claim 1.
剤フィルムを用いて製造された半導体装置。10. A semiconductor device manufactured using the adhesive film according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001013335A JP2002212525A (en) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | Adhesive film for semiconductor, substrate for mounting semiconductor chip and semiconductor device |
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---|---|---|---|
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Publications (1)
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---|---|
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ID=18880204
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---|---|---|---|
JP2001013335A Pending JP2002212525A (en) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | Adhesive film for semiconductor, substrate for mounting semiconductor chip and semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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