JP3767248B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3767248B2 JP3767248B2 JP15360099A JP15360099A JP3767248B2 JP 3767248 B2 JP3767248 B2 JP 3767248B2 JP 15360099 A JP15360099 A JP 15360099A JP 15360099 A JP15360099 A JP 15360099A JP 3767248 B2 JP3767248 B2 JP 3767248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- insulating film
- interlayer insulating
- dielectric constant
- borazine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 21
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical compound B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 18
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- HMXMRDFOPXPHQY-UHFFFAOYSA-N CB(NB(N)NB1NC)N1C Chemical compound CB(NB(N)NB1NC)N1C HMXMRDFOPXPHQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- -1 poly (amino-borazinyl Chemical group 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31515—As intermediate layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高速化、高集積化につれて、信号遅延の問題が深刻になりつつある。信号遅延は配線の抵抗Ｒと配線間ならびに層間の容量Ｃの積で表されるものである。遅延を最小に抑えるためには、配線抵抗を低下させることと並んで、層間絶縁膜の誘電率を下げることが有効な手段である。
【０００３】
そこで最近では、層間絶縁膜の誘電率を低くするために、フッ素原子を導入したシリコン酸化膜（ＳｉＯＦ膜）で層間絶縁膜を形成することが提案されている。また、有機化合物材料は比較的、誘電率を低くすることが可能であるため、フッ素原子を導入したパリレン蒸着膜やポリイミド膜で層間絶縁膜を形成することも提案されている（柴田英毅、電子情報通信学会誌、第８０巻、３号、２３５ページ、１９９７年）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前者のＳｉＯＦ膜で層間絶縁膜を形成する場合は、従来のものに比べて層間絶縁膜の誘電率が低くなるものの、誘電率が３．２〜３．５程度であり、したがって配線間の容量低減や配線の信号伝播遅延の防止等が十分に図られていない。
【０００５】
また、後者の有機化合物材料で層間絶縁膜を形成する場合は、ポリイミドにフッ素原子を導入した膜やアリールエーテル系高分子で誘電率２．７が達成されているがまだまだ不十分である。そしてパリレンの蒸着膜では誘電率２．４を達成できるが耐熱性が２００〜３００℃程度しか得られないため、半導体素子の製造プロセスに制限を加えてしまう。
【０００６】
また、多孔質のＳｉＯ2膜において誘電率２．０〜２．５の値が報告されているが、気孔率が高いため機械的強度（ＣＭＰ研磨プロセス耐性）が弱く、また、気孔径がばらつくという問題がある。
【０００７】
また、これら高分子材料および多孔質ＳｉＯ2膜は、従来のＳｉＯ2層間絶縁膜よりも熱伝導性が劣るため、配線温度上昇による配線寿命劣化（エレクトロマイグレーション）が懸念されている。
【０００８】
以上のことから、誘電率が低く、また耐熱性、機械的強度、熱伝導性に優れた層間絶縁膜の開発が切望されている。具体的には、デザインルール０．１３μｍ〜０．１０μｍにおいて、機械的強度、熱伝導性がＳｉＯ2膜と同程度以上かつ誘電率２．４以下、耐熱性（熱分解温度）４５０℃以上が要求されている。
【０００９】
本発明の目的は、耐熱性に優れ、誘電率が低く、半導体素子、電気回路部品などに適用可能な半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、無機または有機材料の分子式中に、下記式（１）、式（２）、式（３）で示される何れかのボラジン骨格系分子を有する材料であって、上記ボラジン骨格系分子を基本単位にして合成された材料を薄膜にして層間絶縁膜として備え、上記層間絶縁膜の誘電率が２．４以下であり、４５０℃以上の耐熱性を有するものである。
【化５】
【化６】
【化７】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に係わる、無機または有機材料の分子中にボラジン骨格系分子を有する材料とは、下記式（４）で示されるボラジン（無機ベンゼンあるいはボラゾールとも呼ばれる）を基本単位にして、このボラジンを出発材料として縮合反応により合成されるものであり、合成した材料を薄膜に成膜することによって半導体層間絶縁膜に適用することができ、この半導体層間絶縁膜を適用することによって優れた半導体デバイスを製造することができる。
【００１２】
【化８】
【００１３】
本発明により耐熱化が達成できるのは、述べるまでもなく有機系高分子材料と比較して耐熱性に優れた無機高分子系材料を用いているためである。
【００１４】
また、本発明の材料が低誘電率化を達成できる理由は次のとおりである。
すなわち、一般に材料の誘電率εは電子分極、原子分極、配向分極、界面分極などの分極の総和で表記されるが、本発明に係わる１ＭＨｚ以上の周波数の高い領域では、界面分極などの寄与はなく、また配向性を示さない材料であれば、誘電率を支配する分極としての電子分極と原子分極だけを考えれば良い。本発明は、電子分極と原子分極の両方の分極率が小さな材料を分子設計によって探索した結果、到達したものである。
【００１５】
すなわち、分子分極率αは、
α＝α（電子分極）＋α（原子分極）
とすると、分子の双極子モーメントμは電場Εと分子の基準座標ｑの関数として与えられ、双極子モーメントμの電場Εに対する微分から、電子分極と原子分極が下記のように評価できる。
ｄμ（Ε，ｑ）／ｄΕ＝δμ（Ε，ｑ）／δΕ＋δμ（Ε，ｑ）／δｑ・δｑ／δΕ
α（電子分極）＝δμ（Ε，ｑ）／δΕ
α（原子分極）＝δμ（Ε，ｑ）／δｑ・δｑ／δΕ
＝δμ／δｑ （δ2Ｅ／δｑδｑ）-1δμ／δｑ
＝δμ／δｑ（κ）-1δμ／δｑ
このように、原子分極は分子における原子間の結合強度κ（力定数）に反比例するのである。
【００１６】
分極率αの具体的な計算について述べる。既に述べたように、フッ素化パリレンの誘電率ε＝２．４であることから、下記の式（５）〜式（１０）に示すモデル系について分子軌道計算を実施した。計算結果を表１にまとめて示す。
【００１７】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【００１８】
【表１】
【００１９】
表１の結果から明らかなように、分子分極率αは炭化水素系（式（５）、式（６）、式（７））よりもボラジン系（式（８）、式（９）、式（１０））の方が小さくなっていることがわかる。つまり、ボラジン系が理論的にも小さい誘電率を示すことがわかる。各系の分子分極率比は、それぞれ
式（８）／式（５）＝０．８５
式（９）／式（６）＝０．８８
式（１０）／式（７）＝０．８６
である。
このことは、フッ素化パリレン（式（７））の誘電率εが２．４であるので、そのボラジン系（式（１０））の誘電率εが２．０〜２．１になることが予測されることを示している。
【００２０】
以上の計算結果から、特に本発明に適用可能な具体的な分子中にボラジン骨格系分子を有する材料としては、以下の分子中に式（１１）〜式（１７）を含む材料などがあげられる。
【００２１】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【００２２】
本発明の低誘電率材料の作製は、例えば、「木村良晴、繊維と工業、第５２巻、８号、３４１頁、１９９６年」や「Ｐａｉｎｅ ＆ Ｓｎｅｄｄｏｎ， Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ Ｂｏｒａｚｉｎｅ−Ｂａｓｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ， ”Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ・”，ｐ３５９，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９４」などに従って行える。すなわち、ボラジンを出発原料として、これを加熱して縮合反応を行なわせる方法、あるいは一旦プレポリマを合成してプレポリマを重合する方法などにより得ることができる。
【００２３】
上記合成においては、ボラジン原料、ボラジン系プレポリマ、を均一に分散、溶解できる有機溶媒が使用される。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の各種アルコール、アセトン、ベンゼン、トルエン、キシレン等である。
【００２４】
なお、ボラジンは空気中で自然発火するために取り扱いには注意を要するが、その重合体は熱安定性にも優れたものである。
【００２５】
ＬＳＩ用層間絶縁膜など膜として用いる場合、基板への塗布は、スプレーコート法、ディップコート法、スピンコート法等で行われる。
【００２６】
低誘電率基板としてバルク体で用いる場合は、鋳型に流し込んで成形し、熱処理する。
【００２７】
本発明による絶縁膜は、ＬＳＩ素子用層間絶縁膜、ＩＣ基板など各種電子部品に応用することができる。
【００２８】
【実施例】
本発明の耐熱低誘電率材料を以下の実施例によって具体的に説明する。
実施例１．
可溶性のポリボラジレンの合成を、Ｆａｚｅｎ等の方法（Ｆａｚｅｎ等，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｖｏｌ．３２，ｐ５４４，１９９１）を参考にして行った。すなわち、ボラジンをＡｒガス中で、撹拌脱ガスしながら７０℃でそれぞれ１２、２４、３６、４８、６０、７２時間加熱し、それぞれ低〜高粘性液体を得た。これをエバポレーションして、それぞれ白色粉末Ａ〜Ｆを得た。サンプルＡ〜Ｆの化学構造は、下記の式（１８）で表される。
【００２９】
【化２２】
【００３０】
例えば、サンプルＢは平均分子量（Ｍｎ）が約１，０００程度であり、分子式Ｂ3Ｎ3Ｈ4である。サンプルＦは平均分子量（Ｍｎ）が約３，５００程度であり、分子式Ｂ3Ｎ3Ｈ3である。
【００３１】
サンプルＡ〜Ｆをアセトンに溶解・分散し、金を対向電極として蒸着した石英板上にスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（それぞれ塗膜Ａ〜Ｆとする）および４００℃で１０分間加熱（それぞれ塗膜Ｇ〜Ｌとする）した後、その上に金を主電極として蒸着した。塗膜Ｇ〜Ｌは、分子式〜Ｂ3Ｎ3Ｈ2で部分橋架けした構造のものである。
【００３２】
実施例２．
Ｎａｒｕｌａらの方法（Ｃ．Ｋ．Ｎａｒｕｌａ，Ｒ．Ｓｃｈａｅｆｆｅｒ，Ｒ．Ｔ．Ｐａｉｎｅ，Ａ．Ｋ．Ｄａｔｙｅ，Ｗ．Ｆ．Ｈａｍｍｅｔｔｅｒ；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１０９，ｐ５５５６，１９８７）で合成されたポリ（アミノ−ボラジニル）の白色粉末を用い、これをアセトンに分散し、実施例１と同様にしてスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（塗膜Ｍとする）した後、実施例１と同様にしてその上に金を主電極として蒸着した。
【００３３】
実施例３．
Ｌｙｎｃｈの方法（Ａ．Ｔ．Ｌｙｎｃｈ，Ｌ．Ｇ．Ｓｎｅｄｄｏｎ；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１１，ｐ６２０１，１９８９）で合成されたＢ−ビニルボラジンをベンゼンに溶解し、１．６ｍｏｌ％α，α´−アゾビスイソブチロ二トリル（ＡＩＢＮ）存在下、７０℃で２０時間加熱して、ポリ（Ｂ−ビニルボラジン）（平均分子量（Ｍｎ）が約１０，０００程度）のベンゼン溶液を得た。これを実施例１と同様にしてスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（塗膜Ｎとする）した後、実施例１と同様にしてその上に金を主電極として蒸着した。
【００３４】
実施例４．
実施例３で用いたＢ−ビニルボラジン：３ｍｏｌとスチレン：１ｍｏｌをベンゼンに溶解し、実施例３と同様にして、ポリ（スチレン−ｃｏ−Ｂ−ビニルボラジン）（平均分子量（Ｍｎ）が約５０，０００程度）のベンゼン溶液を得た。これを実施例１と同様にしてスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（塗膜Ｏとする）した後、実施例１と同様にしてその上に金を主電極として蒸着した。
【００３５】
実施例１〜４で得た塗膜Ａ〜Ｏについて２５℃でインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製：４１９１Ａ）を用いて１ＭＨｚで誘電率を測定した。測定結果を表２にまとめて示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】
実施例１〜４で得た塗膜Ａ〜Ｏは、何れも誘電率２．４以下であり、これらの結果から低誘電率の基板を得ることのできることがわかった。
またこれら高分子ボラジン系化合物は何れも、１，０００℃〜１，２００℃に加熱して、グラファイト化することが知られている（梶原鳴雪監修、「無機高分子の応用展望」、ｐ７０、１９９０年）ように、４５０℃の耐熱性は充分に保有している。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率が２．４以下、耐熱性４５０℃以上の半導体装置用層間絶縁膜が得られ、この絶縁膜をＩＣ基板など半導体素子あるいは電気回路部品へこの低誘電率材料を適用することにより、電気信号の遅延が小さくなるため、デバイスの高速化に対応することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高速化、高集積化につれて、信号遅延の問題が深刻になりつつある。信号遅延は配線の抵抗Ｒと配線間ならびに層間の容量Ｃの積で表されるものである。遅延を最小に抑えるためには、配線抵抗を低下させることと並んで、層間絶縁膜の誘電率を下げることが有効な手段である。
【０００３】
そこで最近では、層間絶縁膜の誘電率を低くするために、フッ素原子を導入したシリコン酸化膜（ＳｉＯＦ膜）で層間絶縁膜を形成することが提案されている。また、有機化合物材料は比較的、誘電率を低くすることが可能であるため、フッ素原子を導入したパリレン蒸着膜やポリイミド膜で層間絶縁膜を形成することも提案されている（柴田英毅、電子情報通信学会誌、第８０巻、３号、２３５ページ、１９９７年）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前者のＳｉＯＦ膜で層間絶縁膜を形成する場合は、従来のものに比べて層間絶縁膜の誘電率が低くなるものの、誘電率が３．２〜３．５程度であり、したがって配線間の容量低減や配線の信号伝播遅延の防止等が十分に図られていない。
【０００５】
また、後者の有機化合物材料で層間絶縁膜を形成する場合は、ポリイミドにフッ素原子を導入した膜やアリールエーテル系高分子で誘電率２．７が達成されているがまだまだ不十分である。そしてパリレンの蒸着膜では誘電率２．４を達成できるが耐熱性が２００〜３００℃程度しか得られないため、半導体素子の製造プロセスに制限を加えてしまう。
【０００６】
また、多孔質のＳｉＯ2膜において誘電率２．０〜２．５の値が報告されているが、気孔率が高いため機械的強度（ＣＭＰ研磨プロセス耐性）が弱く、また、気孔径がばらつくという問題がある。
【０００７】
また、これら高分子材料および多孔質ＳｉＯ2膜は、従来のＳｉＯ2層間絶縁膜よりも熱伝導性が劣るため、配線温度上昇による配線寿命劣化（エレクトロマイグレーション）が懸念されている。
【０００８】
以上のことから、誘電率が低く、また耐熱性、機械的強度、熱伝導性に優れた層間絶縁膜の開発が切望されている。具体的には、デザインルール０．１３μｍ〜０．１０μｍにおいて、機械的強度、熱伝導性がＳｉＯ2膜と同程度以上かつ誘電率２．４以下、耐熱性（熱分解温度）４５０℃以上が要求されている。
【０００９】
本発明の目的は、耐熱性に優れ、誘電率が低く、半導体素子、電気回路部品などに適用可能な半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、無機または有機材料の分子式中に、下記式（１）、式（２）、式（３）で示される何れかのボラジン骨格系分子を有する材料であって、上記ボラジン骨格系分子を基本単位にして合成された材料を薄膜にして層間絶縁膜として備え、上記層間絶縁膜の誘電率が２．４以下であり、４５０℃以上の耐熱性を有するものである。
【化５】
【発明の実施の形態】
本発明に係わる、無機または有機材料の分子中にボラジン骨格系分子を有する材料とは、下記式（４）で示されるボラジン（無機ベンゼンあるいはボラゾールとも呼ばれる）を基本単位にして、このボラジンを出発材料として縮合反応により合成されるものであり、合成した材料を薄膜に成膜することによって半導体層間絶縁膜に適用することができ、この半導体層間絶縁膜を適用することによって優れた半導体デバイスを製造することができる。
【００１２】
【化８】
本発明により耐熱化が達成できるのは、述べるまでもなく有機系高分子材料と比較して耐熱性に優れた無機高分子系材料を用いているためである。
【００１４】
また、本発明の材料が低誘電率化を達成できる理由は次のとおりである。
すなわち、一般に材料の誘電率εは電子分極、原子分極、配向分極、界面分極などの分極の総和で表記されるが、本発明に係わる１ＭＨｚ以上の周波数の高い領域では、界面分極などの寄与はなく、また配向性を示さない材料であれば、誘電率を支配する分極としての電子分極と原子分極だけを考えれば良い。本発明は、電子分極と原子分極の両方の分極率が小さな材料を分子設計によって探索した結果、到達したものである。
【００１５】
すなわち、分子分極率αは、
α＝α（電子分極）＋α（原子分極）
とすると、分子の双極子モーメントμは電場Εと分子の基準座標ｑの関数として与えられ、双極子モーメントμの電場Εに対する微分から、電子分極と原子分極が下記のように評価できる。
ｄμ（Ε，ｑ）／ｄΕ＝δμ（Ε，ｑ）／δΕ＋δμ（Ε，ｑ）／δｑ・δｑ／δΕ
α（電子分極）＝δμ（Ε，ｑ）／δΕ
α（原子分極）＝δμ（Ε，ｑ）／δｑ・δｑ／δΕ
＝δμ／δｑ （δ2Ｅ／δｑδｑ）-1δμ／δｑ
＝δμ／δｑ（κ）-1δμ／δｑ
このように、原子分極は分子における原子間の結合強度κ（力定数）に反比例するのである。
【００１６】
分極率αの具体的な計算について述べる。既に述べたように、フッ素化パリレンの誘電率ε＝２．４であることから、下記の式（５）〜式（１０）に示すモデル系について分子軌道計算を実施した。計算結果を表１にまとめて示す。
【００１７】
【化９】
【表１】
表１の結果から明らかなように、分子分極率αは炭化水素系（式（５）、式（６）、式（７））よりもボラジン系（式（８）、式（９）、式（１０））の方が小さくなっていることがわかる。つまり、ボラジン系が理論的にも小さい誘電率を示すことがわかる。各系の分子分極率比は、それぞれ
式（８）／式（５）＝０．８５
式（９）／式（６）＝０．８８
式（１０）／式（７）＝０．８６
である。
このことは、フッ素化パリレン（式（７））の誘電率εが２．４であるので、そのボラジン系（式（１０））の誘電率εが２．０〜２．１になることが予測されることを示している。
【００２０】
以上の計算結果から、特に本発明に適用可能な具体的な分子中にボラジン骨格系分子を有する材料としては、以下の分子中に式（１１）〜式（１７）を含む材料などがあげられる。
【００２１】
【化１５】
本発明の低誘電率材料の作製は、例えば、「木村良晴、繊維と工業、第５２巻、８号、３４１頁、１９９６年」や「Ｐａｉｎｅ ＆ Ｓｎｅｄｄｏｎ， Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ Ｂｏｒａｚｉｎｅ−Ｂａｓｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ， ”Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ・”，ｐ３５９，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９４」などに従って行える。すなわち、ボラジンを出発原料として、これを加熱して縮合反応を行なわせる方法、あるいは一旦プレポリマを合成してプレポリマを重合する方法などにより得ることができる。
【００２３】
上記合成においては、ボラジン原料、ボラジン系プレポリマ、を均一に分散、溶解できる有機溶媒が使用される。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の各種アルコール、アセトン、ベンゼン、トルエン、キシレン等である。
【００２４】
なお、ボラジンは空気中で自然発火するために取り扱いには注意を要するが、その重合体は熱安定性にも優れたものである。
【００２５】
ＬＳＩ用層間絶縁膜など膜として用いる場合、基板への塗布は、スプレーコート法、ディップコート法、スピンコート法等で行われる。
【００２６】
低誘電率基板としてバルク体で用いる場合は、鋳型に流し込んで成形し、熱処理する。
【００２７】
本発明による絶縁膜は、ＬＳＩ素子用層間絶縁膜、ＩＣ基板など各種電子部品に応用することができる。
【００２８】
【実施例】
本発明の耐熱低誘電率材料を以下の実施例によって具体的に説明する。
実施例１．
可溶性のポリボラジレンの合成を、Ｆａｚｅｎ等の方法（Ｆａｚｅｎ等，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｖｏｌ．３２，ｐ５４４，１９９１）を参考にして行った。すなわち、ボラジンをＡｒガス中で、撹拌脱ガスしながら７０℃でそれぞれ１２、２４、３６、４８、６０、７２時間加熱し、それぞれ低〜高粘性液体を得た。これをエバポレーションして、それぞれ白色粉末Ａ〜Ｆを得た。サンプルＡ〜Ｆの化学構造は、下記の式（１８）で表される。
【００２９】
【化２２】
例えば、サンプルＢは平均分子量（Ｍｎ）が約１，０００程度であり、分子式Ｂ3Ｎ3Ｈ4である。サンプルＦは平均分子量（Ｍｎ）が約３，５００程度であり、分子式Ｂ3Ｎ3Ｈ3である。
【００３１】
サンプルＡ〜Ｆをアセトンに溶解・分散し、金を対向電極として蒸着した石英板上にスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（それぞれ塗膜Ａ〜Ｆとする）および４００℃で１０分間加熱（それぞれ塗膜Ｇ〜Ｌとする）した後、その上に金を主電極として蒸着した。塗膜Ｇ〜Ｌは、分子式〜Ｂ3Ｎ3Ｈ2で部分橋架けした構造のものである。
【００３２】
実施例２．
Ｎａｒｕｌａらの方法（Ｃ．Ｋ．Ｎａｒｕｌａ，Ｒ．Ｓｃｈａｅｆｆｅｒ，Ｒ．Ｔ．Ｐａｉｎｅ，Ａ．Ｋ．Ｄａｔｙｅ，Ｗ．Ｆ．Ｈａｍｍｅｔｔｅｒ；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１０９，ｐ５５５６，１９８７）で合成されたポリ（アミノ−ボラジニル）の白色粉末を用い、これをアセトンに分散し、実施例１と同様にしてスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（塗膜Ｍとする）した後、実施例１と同様にしてその上に金を主電極として蒸着した。
【００３３】
実施例３．
Ｌｙｎｃｈの方法（Ａ．Ｔ．Ｌｙｎｃｈ，Ｌ．Ｇ．Ｓｎｅｄｄｏｎ；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１１，ｐ６２０１，１９８９）で合成されたＢ−ビニルボラジンをベンゼンに溶解し、１．６ｍｏｌ％α，α´−アゾビスイソブチロ二トリル（ＡＩＢＮ）存在下、７０℃で２０時間加熱して、ポリ（Ｂ−ビニルボラジン）（平均分子量（Ｍｎ）が約１０，０００程度）のベンゼン溶液を得た。これを実施例１と同様にしてスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（塗膜Ｎとする）した後、実施例１と同様にしてその上に金を主電極として蒸着した。
【００３４】
実施例４．
実施例３で用いたＢ−ビニルボラジン：３ｍｏｌとスチレン：１ｍｏｌをベンゼンに溶解し、実施例３と同様にして、ポリ（スチレン−ｃｏ−Ｂ−ビニルボラジン）（平均分子量（Ｍｎ）が約５０，０００程度）のベンゼン溶液を得た。これを実施例１と同様にしてスピンコート法で塗布し、塗膜を７０℃で１０分間乾燥（塗膜Ｏとする）した後、実施例１と同様にしてその上に金を主電極として蒸着した。
【００３５】
実施例１〜４で得た塗膜Ａ〜Ｏについて２５℃でインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製：４１９１Ａ）を用いて１ＭＨｚで誘電率を測定した。測定結果を表２にまとめて示す。
【００３６】
【表２】
実施例１〜４で得た塗膜Ａ〜Ｏは、何れも誘電率２．４以下であり、これらの結果から低誘電率の基板を得ることのできることがわかった。
またこれら高分子ボラジン系化合物は何れも、１，０００℃〜１，２００℃に加熱して、グラファイト化することが知られている（梶原鳴雪監修、「無機高分子の応用展望」、ｐ７０、１９９０年）ように、４５０℃の耐熱性は充分に保有している。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率が２．４以下、耐熱性４５０℃以上の半導体装置用層間絶縁膜が得られ、この絶縁膜をＩＣ基板など半導体素子あるいは電気回路部品へこの低誘電率材料を適用することにより、電気信号の遅延が小さくなるため、デバイスの高速化に対応することができる。
Claims (2)
- 無機または有機材料の分子式中に、下記式（１）、式（２）、式（３）で示される何れかのボラジン骨格系分子を有する材料であって、上記ボラジン骨格系分子を基本単位にして合成された材料を薄膜にして層間絶縁膜として備え、上記層間絶縁膜の誘電率が２．４以下であり、４５０℃以上の耐熱性を有することを特徴とする半導体装置。
- ボラジン骨格系分子を基本単位にし、かつ分子式Ｂ３Ｎ３Ｈ４中のＢあるいはＮによって部分橋架けした下記式（１５）の構造を備えた材料を層間絶縁膜とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15360099A JP3767248B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 半導体装置 |
| US09/942,626 US7029605B2 (en) | 1999-06-01 | 2001-08-31 | Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15360099A JP3767248B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005347608A Division JP4232776B2 (ja) | 2005-12-01 | 2005-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340689A JP2000340689A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3767248B2 true JP3767248B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=15566038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15360099A Expired - Fee Related JP3767248B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7029605B2 (ja) |
| JP (1) | JP3767248B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6924545B2 (en) * | 2001-03-27 | 2005-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science | Low-dielectric-constant interlayer insulating film composed of borazine-silicon-based polymer and semiconductor device |
| JP2002347163A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | 表面被覆積層体 |
| JP3778045B2 (ja) | 2001-10-09 | 2006-05-24 | 三菱電機株式会社 | 低誘電率材料の製造方法および低誘電率材料、並びにこの低誘電率材料を用いた絶縁膜および半導体装置 |
| JP4535703B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2010-09-01 | 日立化成工業株式会社 | 絶縁被膜および電子部品 |
| WO2004030070A1 (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | ボラジン系樹脂及びその製造方法、ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法、絶縁被膜を備えた電子部品 |
| JP5550118B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2014-07-16 | 日立化成株式会社 | ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法 |
| US20050282015A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-12-22 | Teruhiko Kumada | Composition for low dielectric material, low dielectric material and method for production thereof |
| JP4504671B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2010-07-14 | 株式会社日本触媒 | アルキルボラジン化合物およびその製造方法 |
| US7208627B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-04-24 | Nippon Shokubai Co., Ltd | Alkylborazine compound and production method for the same |
| KR20070065443A (ko) * | 2004-10-19 | 2007-06-22 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 플라즈마 ｃｖｄ 장치 |
| CA2584912A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-05-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Covalently linked organic frameworks and polyhedra |
| JP4785028B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2011-10-05 | 国立大学法人北海道大学 | ヘキサアルキルボラジンの製造方法 |
| TW200628482A (en) | 2005-02-03 | 2006-08-16 | Nippon Catalytic Chem Ind | Method for producing borazine compound |
| TW200708537A (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Nippon Catalytic Chem Ind | Method for producing a purified borazine compound, method for filling a container with a borazine compound and container for preserving a borazine compound |
| WO2007058365A1 (en) * | 2005-11-17 | 2007-05-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Composition for chemical vapor deposition film-formation and method for production of low dielectric constant film |
| JP4497323B2 (ja) | 2006-03-29 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| KR101474579B1 (ko) * | 2007-01-24 | 2014-12-18 | 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 결정형 3ｄ- 및 2ｄ-공유결합성 유기 골격의 합성, 특성분석 및 디자인 |
| JP4915930B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-04-11 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ボラジン・ジアミン系ポリマー薄膜形成用組成物及びボラジン・ジアミン系ポリマー薄膜の製造方法 |
| JP4915929B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-04-11 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ボラジン・ジアミン系重合体及びそのための重合性組成物、並びにその製造方法 |
| JP5224738B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2013-07-03 | 三菱電機株式会社 | 低誘電率材料形成用原料 |
| JP2012012607A (ja) * | 2011-07-14 | 2012-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 低誘電率材料形成用原料 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5188757A (en) * | 1989-02-17 | 1993-02-23 | University Of New Mexico | Precursor compositions for conversion to boron nitride |
| JPH07196372A (ja) | 1993-12-29 | 1995-08-01 | Tonen Corp | 窒化硼素質セラミックスとその製法 |
| US5855962A (en) | 1997-01-09 | 1999-01-05 | International Business Machines Corporation | Flowable spin-on insulator |
| JP3508629B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2004-03-22 | 三菱電機株式会社 | 耐熱低誘電率薄膜の形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP15360099A patent/JP3767248B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-31 US US09/942,626 patent/US7029605B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000340689A (ja) | 2000-12-08 |
| US20020058142A1 (en) | 2002-05-16 |
| US7029605B2 (en) | 2006-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3767248B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4662718B2 (ja) | 集積回路用途用の低金属多孔質シリカ誘電体 | |
| US8674046B2 (en) | Source material for preparing low dielectric constant material | |
| CN100383147C (zh) | 多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法 | |
| US6162743A (en) | Low dielectric constant film and method thereof | |
| US7238627B2 (en) | Organosilicate polymer and insulating film therefrom | |
| US20060110940A1 (en) | Method of preparing mesoporous thin film having low dielectric constant | |
| EP2177545A1 (en) | Polymer for forming insulating film, composition for forming insulating film, insulating film, and electronic device having insulating film | |
| JP3508629B2 (ja) | 耐熱低誘電率薄膜の形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置 | |
| US6764718B2 (en) | Method for forming thin film from electrically insulating resin composition | |
| Kobayashi et al. | Fabrication of barium titanate nanoparticles‐epoxy resin composite films and their dielectric properties | |
| US7744946B2 (en) | Organic siloxane resins and insulating film using the same | |
| US7192540B2 (en) | Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device | |
| Zhu et al. | Interface‐Tailored Relaxor Ferroelectric Nanocomposites with Ultrahigh‐Insulation Shell of Fluorinated Aromatic Polythiourea for High‐Capacitance Energy Storage Applications | |
| KR100373210B1 (ko) | 유기 스페이서를 이용한 저유전 절연재료의 제조방법 | |
| JP4232776B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Tan et al. | A low dielectric constant polyimide/polyoxometalate composite | |
| US7517917B2 (en) | Composition for preparing nanoporous material comprising calixarene derivative | |
| US8080286B2 (en) | Low dielectric constant silicon coating, method for the preparation and application thereof to integrated circuits | |
| JP2006503165A (ja) | オルガノシロキサン | |
| KR20010094928A (ko) | 전기 절연성 박막 형성성 수지 조성물 및 이로부터의박막의 형성방법 | |
| KR20050034839A (ko) | 탄소나노튜브-그라프트-실록산 중합체 및 이를 이용한절연막 제조방법 | |
| US20040043197A1 (en) | Low dielectric constant insulating material, and electronic part | |
| JPH05156021A (ja) | 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法 | |
| JP2004063788A (ja) | 半導体装置用絶縁膜形成用塗布液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050726 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050908 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051201 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060110 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060123 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 3767248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |