JP3761215B2

JP3761215B2 - 超電導磁石

Info

Publication number: JP3761215B2
Application number: JP8922395A
Authority: JP
Inventors: 義広小口; 渉小田島; 孝治伊藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-05-25
Filing date: 1995-04-14
Publication date: 2006-03-29
Anticipated expiration: 2021-03-29
Also published as: JPH08172012A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はＭＲＩ装置用超電導磁石の伝導体の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的な冷凍機を付けたＭＲＩ装置としては、図１４に示すような構成となっている。図１４において、内部に主コイル２を包囲するクライオスタット３と同軸上に配置された第１の輻射シールド４及び第２の輻射シールド５を設け、真空容器６内に収納されている。また、真空容器６を総合的に包囲する磁気シールド７を装備し、高磁界をシールドしている。さらに、第１及び第２の輻射シールド４，５の外周囲側に位置する真空容器６に冷凍機１が取付けられると共に、その冷却部が軸方向に挿入され、この冷却部に第１及び第２の輻射シールド４，５を平網線伝導体８により接続してこれら輻射シールド４，５を冷却している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、冷凍機１と第１及び第２の輻射シールド４，５を結ぶ伝導体８は、熱伝導性が良いこと、フレキシブル性があること、さらに接触部の熱抵抗を極力小さくすることが重要である。
【０００４】
従来、このような構成の超電導磁石において、平網線伝導体８は図１５に示すように角筒状に形成された端子板８ｂの中空部に平網線８ａの端部を挿入し、その端面をハンダ又はロー付け等にて端子板８ｂに接着するようにしている。
【０００５】
しかし、このような構成の平網伝導体８では完全に平網線８ａの中にハンダ材、ロー材が流れず、接触面積がとれなかった。
また、冷凍機１により効率良く第１及び第２の輻射シールド４，５を冷却するには平網線８ａの断面積を大きくする必要があり、形状も大きくなり、フレキシブル性がなくなってしまう。しかも、平網線８ａと端子板８ｂの接触抵抗が非常に大きくなってしまう。
【０００６】
さらに、ハンダが毛細管現象で平網部に流れ、フレキシブル性を損なう等の欠点があった。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、冷凍機と輻射シールドとを結ぶ伝導体として、コンパクトで接触熱抵抗の少ない、且つフレキシブル性を持たせることができる超電導磁石を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような目的を達成するため、次のような伝導体を備えた超電導磁石とするものである。
請求項１乃至請求項３に対応する発明は、主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、前記冷凍機と輻射シールドを結ぶ伝導体を複数枚板厚方向に積層した銅箔又はアルミ箔、或いは銅箔及びアルミ箔にて構成し、この複数枚の銅箔又はアルミ箔、或いは銅箔及びアルミ箔端部の接続部前面を固着させる。
【０００８】
請求項４に対応する発明は、伝導体を複数枚のアルミ箔または銅箔を板厚方向に積層して構成し、且つこの伝導体の端部を端子板と一緒に拡散接合したものである。
請求項５に対応する発明は、伝導体を複数枚のアルミ箔または銅箔を板厚方向に積層して構成し、且つこの伝導体の端部を拡散接合で固着すると共に、この固着部と端子板を銀ロー付けしたものである。
【０００９】
請求項６に対応する発明は、伝導体を複数枚のアルミ箔または銅箔を板厚方向に積層して構成し、且つこの伝導体の端部を複数本のリベットで固定して拡散接合で固着したものである。
請求項７に対応する発明は、主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、前記冷凍機と輻射シールドを結ぶ伝導体を複数枚の高純度アルミ箔を板厚方向に積層して構成し、この複数枚のアルミ箔の端部を固着させたものである。
【００１０】
請求項８に対応する発明は、主コイルを包囲するクライオスタットとこのクライオスタットと同軸上に配置される磁気シールドを装備する超電導磁石において、高温側から低温側部間の熱侵入を低減する目的で前記クライオスタットの途中に設けられる輻射シールドと熱アンカ伝導体とを結ぶ伝導体を複数枚の高純度アルミ箔を板厚方向に積層して構成し、この複数枚のアルミ箔の端部を固着させたものである。
【００１１】
請求項９に対応する発明は、主コイルを包囲するクライオスタットと、そのコイルに液体ヘリウムを供給する液体ヘリウムリザーバ及び前記クライオスタットと前記液体ヘリウムリザーバの外周部に配置された輻射シールドから構成される超電導磁石において、前記クライオスタット側の輻射シールドと前記液体ヘリウムリザーバ側輻射シールド間の伝熱に可撓性を有する伝導体を複数枚の高純度アルミ箔を板厚方向に積層して構成し、この複数枚のアルミ箔の端部を固着させたものである。
【００１２】
請求項１０に対応する発明は、請求項７乃至９の何れかの項に対応する発明の複数枚以上の高純度アルミ箔にて構成し、その端部を溶接又は接着して固着したものである。
【００１３】
請求項１１に対応する発明は、請求項７乃至９の何れかの項に対応する発明の伝導体を複数枚以上の高純度アルミ箔にて構成し、その端部を端子板と一緒に常温プレス圧着成形又は拡散接合にて固着したものである。
【００１４】
【作用】
請求項１乃至３に対応する発明にあっては、伝導体を複数枚の銅箔又はアルミ箔、或いは銅箔及びアルミ箔にて構成しているので、密着性が増し接触抵抗が少なくなる。また、材料も銅箔、アルミ箔を用いているので、フレキシブル性があり、しかも熱伝導の良い材料を用いることにより熱特性の優れたものとなる。
【００１５】
請求項４に対応する発明にあっては、複数枚のアルミ箔または銅箔にて構成された伝導体の端部を端子板と一緒に拡散接合で固着することにより、伝導体の密着性が高まり冷凍機より冷却する輻射シールドと伝導体の熱抵抗による温度差が減少し、冷却特性が向上する。
【００１６】
請求項５に対応する発明にあっては、複数枚のアルミ箔または銅箔にて構成された伝導体の端部を拡散接合で固着すると共に、この固着部と端子板を銀ロー付けしたので、伝導体の任意形状の端子板にも使用することが可能となり、標準化の点でも有利である。
【００１７】
請求項６に対応する発明にあっては、複数枚のアルミ箔または銅箔にて構成された伝導体の端部を複数本のリベットで固定することで接触熱抵抗は少なくなり、さらに拡散接合で固着しているので、接触熱抵抗を零にすることができる。
【００１８】
請求項７乃至９に対応する発明にあっては、１枚以上の高純度アルミ箔を使用することにより、特に２０Ｋ以下の温度下で熱伝導性が高くなし得る。
請求項１０及び１１に対応する発明にあっては、さらに１枚以上の高純度純アルミ箔の端部を直接溶接、接着、又は端子板と一緒に常温プレス圧着成形、拡散接合にて接合することにより、端部の接触抵抗も低減できる。また、高純度アルミは非常に柔らかい材料なので、可撓性もある。
【００１９】
【実施例】
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１は本発明による超電導磁石の第１の実施例を示すＭＲＩ装置の部分断面図であり、図２は図１に示す伝導体の拡大図である。なお、図１４と同一部品には同一符号を付して説明する。
【００２０】
図１において、内部に主コイル２を包囲するクライオスタット３と同軸上に配置された第１の輻射シールド４及び第２の輻射シールド５を設け、真空容器６内に収納されている。また、真空容器６を総合的に包囲する磁気シールド７を装備し、高磁界をシールドしている。さらに、第１及び第２の輻射シールド４，５の外周囲側に位置する真空容器６に冷凍機１が取付けられると共に、その冷却部が軸方向に挿入され、この冷却部に第１及び第２の輻射シールド４，５を伝導体９により接続してこれら輻射シールド４，５を冷却している。
【００２１】
上記伝導体９は、その材質として図３に示す各種金属の中から熱伝導率の良いＣｕ（ＲＲＲ＝２００）（無酸化銅）を選定し、図２に示すように冷凍機の冷却部に接続される端子板９ａの接続端面に形成された上下方向に開口する箱形の接続部９ｂに複数枚の銅箔９ｃの端部が挿入される。
【００２２】
この接続部９ｂの開口部は、複数枚の銅箔９ｃの端部が挿入される大きさにしてあり、この接続部９ｂの開口部に挿入された複数枚の銅箔９ｃの端部は接続部９ｂの前面１０を常温プレス圧着成形，又は真空中にてホットプレスで拡散接合して固着させる。この場合、フレキシブル性を持たせるため、銅箔９ｃの板厚を０．１mm〜０．２mmが望ましく、端子板９ａの接続部９ｂの断面積と銅箔９ｃの断面積が等価になる必要がなく、熱負荷によって接続部９ｂの大きさ、銅箔９ｃの枚数を決定する。
【００２３】
このような構成の伝導体９とすれば、銅箔９ｃと端子板９ａの接続部９ｂはプレス圧着成形又は真空中にてホットプレスで拡散接合することにより密着性が良くなり、接触抵抗が少なくなる。また、０．１mm〜０．２mmの銅箔９ｃで構成してあるため、フレキシブル性が得られる。
【００２４】
このように銅箔９ｃと端子板９ａの接続部９ｂとをプレス密着成形したことにより、伝導体９の密着性が高まり、冷凍機１より冷却する第１及び第２の輻射シールド４，５と伝導体９の熱抵抗による温度差が減少し、冷却特性が向上する。
【００２５】
また、真空中にてホットプレスで拡散接合することで銅箔９ｃと端子板９ａとを完全に固着できるので、さらに特性が向上すると共に、接触熱抵抗は零になるので、製品バラツキも少なく、真空中で使用される超伝導磁石の場合には極めて大きな効果が得られる。
【００２６】
さらに、伝導体９の材質を熱伝導率の良いものを選定しているため、冷却特性が安定し、且つ銅箔９ｃの厚さを０．１mm〜０．２mmとしているので、フレキシブル性が向上する。
【００２７】
加えて、冷凍機１と第１及び第２の輻射シールド４，５間の温度をできるだけ小さくしようとする場合、伝導体９の断面積が従来の平網線と比較して容易にとれ、コンパクトな伝導体９が製作できる。
【００２８】
図４は本発明による超電導磁石の第２の実施例における伝導体の拡大図を示すもので、図２と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる点について述べる。
【００２９】
第２の実施例では、図４に示すように冷凍機の冷却部と輻射シールド間を接続する伝導体９として、端子板９ａに形成された接続部９ｂの開口部に複数枚の銅箔９ｃの端部を挿入し、その接続部９ｂの前面１０を常温でプレス圧着成形、又は真空中にてホットプレスで拡散接合して固着すると共に、接続部９ｂの上方開口面に存する複数枚の銅箔９ｃの端面を銀ロー付けする。
【００３０】
このような構成の伝導体とすれば、端子板９ａの上下方向に開口する箱形の接続部内に挿入された銅箔９ｃの端部を予め拡散接合し、その後ハンダ付け又はロー付けしているので、任意形状の端子板に対しても使用することができ、標準化の点でも有利となる。
【００３１】
図５は本発明による超電導磁石の第３の実施例における伝導体の拡大図を示すもので、図２と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる点について述べる。
【００３２】
第３の実施例では、図５に示すように冷凍機の冷却部と輻射シールド間を接続する伝導体９として、端子板９ａに形成された接続部９ｂの開口部に複数枚の銅箔９ｃの端部を挿入してその接続部９ｂの前面１０より複数本のリベット１９を挿入して固定し、さらにプレス圧着、又は真空中にてホットプレスにて固着するものである。
【００３３】
このような構成の伝導体とすれば、複数枚の銅箔９ｃの端部がリベット１９により固定することにより、さらに大きな圧着効果が得られる。従って、接触熱抵抗が少なくなり、また拡散接合することにより接触熱抵抗をほぼ零になし得る。
【００３４】
図６は本発明による超電導磁石の第４の実施例における伝導体の拡大図を示すもので、図２と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる点について述べる。
【００３５】
第４の実施例においては、ＭＲＩ装置の冷凍機と第１及び第２の輻射シールド４，５間に接続される伝導体１１の材質として、図３に示す各種金属の中から熱伝導率の優れたＡｌ（ＲＲＲ＝１０００）（純アルミニウム）を選定し、図６に示すように冷凍機の冷却部に接続される端子板１１ａの接続端面に形成された上下方向に開口する箱形の接続部１１ｂに複数枚のアルミニウム箔１１ｃが挿入される。
【００３６】
この接続部１１ｂの開口部は、複数枚のアルミニウム箔１１ｃの端部が挿入される大きさにしてあり、この接続部１１ｂの開口部に挿入された複数枚のアルミニウム箔１１ｃの端部は接続部１１ｂの前面１０を常温でプレス圧着成形、又は真空中にてホットプレスで拡散接合して固着させる。この場合、フレキシブル性を持たせるため、アルミニウム箔１１ｃの板厚を０．１mm〜０．２mmが望ましく、端子板１１ａの接続部１１ｂの断面積とアルミニウム箔１１ｃの断面積が等価になる必要がなく、熱負荷によって接続部１１ｂの大きさ、アルミニウム箔１１ｃの枚数を決定する。
【００３７】
このような構成の伝導体１１とすれば、アルミニウム箔１１ｃの端部と端子板１１ａはプレス圧着成形又は真空中にてホットプレスで拡散接合することにより密着性が良くなり、接触抵抗が少なくなる。また、０．１mm〜０．２mmのアルミニウム箔１１ｃで構成してあるため、フレキシブル性が得られる。また冷却特性も熱伝導特性が良い分すぐれた冷却効率が向上する。
【００３８】
従って、第４の実施例では伝導体１１の材質を優れた熱伝導率のアルミニウム箔１１ｃを選定しているので、非常に高い冷却効率となり、且つ冷凍機１と第１及び第２の輻射シールド４，５間の温度差を極力小さくする場合、前述した実施例の銅箔９ｃよりも少ない断面積で行うことができる。
【００３９】
図７は本発明による超電導磁石の第５の実施例における伝導体の拡大図を示すもので、図２と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる点について述べる。
【００４０】
第５の実施例においては、ＭＲＩ装置の冷凍機と第１及び第２の輻射シールド４，５間に接続される伝導体１３の材質として、図３に示す各種金属の中から熱伝導率の良いＣｕ（ＲＲＲ＝２００）（無酸化銅）と、熱伝導率の優れたＡｌ（ＲＲＲ＝１０００）（純アルミニウム）を選定し、図６に示すように端子板１４にＡｌ（ＲＲＲ＝１０００）を用いて、冷凍機の冷却部に接続される端子板１４の接続端面に形成された上下方向に開口する箱形の接続部１４ａに複数枚のアルミニウム箔１５と銅箔１６とが組合されて挿入され、接続部１４ａの前面１０側からプレス圧着成形して密着性を持たせる。
【００４１】
この場合、複数枚のアルミニウム箔１５と銅箔１６とを組合わせる場合、アルミニウム箔１５が端子板１４の端面側となるように銅箔１６と組合わされる。
また、フレキシブル性を持たせるため、アルミニウム箔１５、銅箔１６の板厚は０．１mm〜０．２mmが望ましく、端子板１４の断面積が等価になる必要がなく、熱負荷によって端子板１４の大きさ、アルミニウム箔１５、銅箔１６の枚数を決定する。このときアルミニウム箔１５、銅箔１６の枚数は、設定温度条件で決定するので、どちらが多くなっても構わない。
【００４２】
このような構成の伝導体１３とすれば、図３に示す熱伝導率のグラフから分かるように温度によってアルミニウム箔１５、銅箔１６が伝熱に寄与する。即ち、アルミニウム箔１５と銅箔１６の組合せにおいて、５０Ｋ以上で銅箔１６、それ以下でアルミニウム箔１５が有効となるので、非常に高い冷却効率特性となし得ると共に、フレキシブル性も発揮させることができる。
【００４３】
なお、Ｃｕにおいて、ＲＲＲの数値が大きいとコストが高くなるが、ＡｌとＣｕを組合せることでより安価な伝熱板１３を製造できる。
図８は本発明による超電導磁石の第６の実施例を示す部分断面図である。
【００４４】
図８において、内部に主コイル２２を包囲するクライオスタット２３と同軸上に配置された第１の輻射シールド２４及び第２の輻射シールド２５を設け、真空容器２６内に収納されている。また、第１及び第２の輻射シールド２４，２５の外周囲側に位置する真空容器２６に冷凍機２１が取付けられると共に、その冷却部が軸方向に挿入され、この冷却部に第１及び第２の輻射シールド２４，２５を図３に示す各種金属の中から選択された熱伝導率の高い高純度アルミ（ＲＲＲ約１０００以上）からなる伝導体２７により接続してこれら輻射シールド２４，２５を冷却する。
【００４５】
図９は本発明による超電導磁石の第７の実施例を示す部分断面図である。
図９において、内部に主コイル２２を包囲するクライオスタット２３と同軸上に配置された第１の輻射シールド２４及び第２の輻射シールド２５を設け、真空容器２６内に収納されている。また、第１及び第２の輻射シールド２４，２５の外周囲に設けられた開口部を通して配設された熱アンカ伝導体としてのベロー３４により、クライオスタット２３が真空容器２６に弾性支持され、このベロー３４に第１及び第２の輻射シールド２４，２５の開口端を図３に示す各種金属の中から選択された熱伝導率の高い高純度アルミ（ＲＲＲ約１０００以上）からなる伝導体２７により接続して高温側から低温側部間の熱侵入を低減する。
【００４６】
図１０は本発明による超電導磁石の第８の実施例を示す部分断面図である。
図１０において、内部に主コイル２２を包囲するクライオスタット２３と、主コイル２２に液体ヘリウムを供給する液体ヘリウムリザーバ２８とを設けると共に、これらの間は連通管により接続され、これらクライオスタット２３及び液体ヘリウムリザーバ２８の外周囲部に配置された第１の輻射シールド２４及び第２の輻射シールド２５をそれぞれ設け、真空容器２６内に収納されている。また、クライオスタット２３側と液体ヘリウムリザーバ２８側の第１の輻射シールド２４及び第２の輻射シールド２５相互間を図３に示す各種金属の中から選択された熱伝導率の高い高純度アルミ（ＲＲＲ約１０００以上）からなる伝導体２７により接続して高温側から低温側部間の熱侵入を低減する。
【００４７】
ここで、第６の実施例乃至第８の実施例において、伝導体２７は図１１に示すように高純度アルミ箔２７ａを１枚又は複数枚にし、端部をそのまま溶接するか、図１２に示すように接着剤２９により接着するようにしたものである。
【００４８】
従って、このような高純度アルミ箔２７ａで、しかも端部をそのまま溶接又は接着してなる伝導体２７を用いることにより、熱伝導性が向上することは勿論、端部の密着性が良くなり、熱接触抵抗が少なくなる。また箔厚は０．１〜０．３mmとすることにより可撓性も向上する。
【００４９】
上記第６の実施例乃至第８の実施例で用いた伝導体２７としては、複数枚の高純度アルミ箔２７ａの端部を溶接又は接着したが、図１３に示すように複数枚の高純度アルミ箔２７ａの端部を箱状の端子板２７ｂに挿入し、端子板２７ｂと一緒に常温プレス圧着成形または拡散接合して密着させるようにした伝導体２７を用いても前述同様の作用となる。
【００５０】
このように第６の実施例乃至第８の実施例にあっては、冷凍機２１と輻射シールド２４，２５とを結ぶ伝導体、熱アンカー伝導体及び輻射シールド間を結ぶ伝導体の材料として高純度アルミ箔２７ａを用いているので、特に２０Ｋ以下の温度下での熱伝導性が大幅に向上し、しかも端部を直接溶接、接着、あるいは端子板２７ｂと一緒に常温プレス圧着成形、又は拡散接合することにより、伝導体の両端の接触熱抵抗による温度差を減少させ、熱伝達特性が向上する。しかも、溶接と共に、接触熱抵抗は零になるので、製品のばらつきも少なく、信頼性が高い超電導磁石が得られる。
【００５１】
さらに、高純度アルミ箔２７ａは非常に柔らかいため、可撓性も高く、一般に常温で組立てられる超電導磁石を低温に冷却したときの熱収縮も容易に吸収することができる。
【００５２】
なお、本発明はＭＲＩ用超電動磁石のみならず、高エネルギ物理学等の研究に用いられる粒子検出器用超電導磁石に適用実施することができるものである。この場合、粒子検出器用超電導磁石において、粒子エネルギを測定するカロリーメータが電磁石の外部にあるような場合には、発生粒子が電磁石を透過した後でそのエネルギを測定するので、磁石内でのエネルギ損失を極力少なくする必要がある。このような場合においても、アルミは物質量が小さいため、非常に有利になる。
【００５３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（１）図３に示す熱伝導率の良いアルミニウム箔、銅箔を設定することにより、フレキシブル性は勿論のこと、伝導体の断面積が容易にとれるので、冷凍機からの輻射シールド間の熱伝導が良くなり、冷却効率が向上する。
（２）冷却効率をさらに高める場合、従来の平網線と比較して容易に冷却効率を高くとれ、またハンダ付けによる施工法は常温プレスまたは真空中にてホットプレスで拡散接合することで完全に固着できるので、さらに冷却効率特性が向上すると共に接触熱抵抗がほぼ零となり、製品のバラツキも少なくなる。さらに、アルミニウム箔、銅箔の端部を予め拡散接合し、その後ハンダ付け、ロー付けできるので、任意の形状の端子板にも使用でき、標準化の点でも有利になる。
（３）図３に示す熱伝導率の良いＣｕ（ＲＲＲ＝２０００）だけで伝導体を製作すると高価になるが、コストの安価なＡｌ（ＲＲＲ＝１０００）、Ｃｕ（ＲＲＲ＝２０００）を選定して組合せることで、より安価になし得る。また、温度によりアルミニウム箔、銅箔が伝熱に寄与するため、非常に高い冷却効率特性を得ることができる。
【００５４】
なお、冷凍機より輻射シールドを１０Ｋ以下に冷却する場合には、高価なＣｕ（ＲＲＲ＝２０００）を選定するのが望ましい。
（４）図３に示す熱伝導率の高い高純度アルミ（ＲＲＲ約１０００以上）を選択することにより、特に２０Ｋ以下の温度下での熱伝導性が大幅に良くなり、冷却効率が向上する。
（５）アルミ箔同士及びアルミ箔と端子板の両端を溶接又は拡散接合したものは完全に固着するので、さらに特性が向上すると共に、接触熱抵抗は零になるので、製品のばらつきも少なく、信頼性が大幅に向上する。
（６）材料に柔らかい高純度アルミを使用しているので可撓性があり、一般に常温で組立てられる超電導磁石を低温に冷却したときの熱収縮も容易に吸収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による超電導磁石の第１の実施例を示すＭＲＩ装置の部分断面図。
【図２】図１に示す伝導体の拡大図。
【図３】各種金属材料の熱伝導率を示す図。
【図４】本発明の第２の実施例における伝導体の拡大図。
【図５】本発明の第３の実施例における伝導体の拡大図。
【図６】本発明の第４の実施例における伝導体の拡大図。
【図７】本発明の第５の実施例における伝導体の拡大図。
【図８】本発明による超電導磁石の第６の実施例を示す部分断面図。
【図９】本発明による超電導磁石の第７の実施例を示す部分断面図。
【図１０】本発明による超電導磁石の第８の実施例を示す部分断面図。
【図１１】第６の実施例乃至第８の実施例で用いられる伝導体の拡大図。
【図１２】第６の実施例乃至第８の実施例で用いられる異なる伝導体の拡大図。
【図１３】第６の実施例乃至第８の実施例で用いられるさらに異なる伝導体の拡大図。
【図１４】従来のＭＲＩ装置を示す部分断面図。
【図１５】図１４に示す伝導体の拡大図。
【符号の説明】
１，２１……冷凍機、２，２２……主コイル、３，２３……クライオスタット、４，２４……第１の輻射シールド、５，２５……第２の輻射シールド，２６……真空容器、７……磁気シールド、９，１１，１３，２７……伝導体、９ａ，１１ａ，２１ｃ……端子板、９ｂ，１１ｂ，２７……伝導体、９ｃ……銅箔、１１ｃ……アルミニウム箔、１４，２７ｂ……端子板、１５，２７ａ……アルミニウム箔、１６……銅箔、１９……リベット。

Claims

主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、前記冷凍機と輻射シールドを結ぶ伝導体を複数枚板厚方向に積層した銅箔にて構成し、この複数枚の銅箔端部の接続部前面を固着させたことを特徴とする超電導磁石。
請求項１記載の超電導磁石において、伝導体を複数枚のアルミ箔で構成したことを特徴とする超電導磁石。
請求項１記載の超電導磁石において、複数枚の銅箔とアルミ箔で１つの伝導体を構成したことを特徴とする超電導磁石。
主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、伝導体を複数枚のアルミ箔または銅箔を板厚方向に積層して構成し、且つこの伝導体の端部を端子板と一緒に拡散接合で固着したことを特徴とする超電導磁石。
主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、伝導体を複数枚のアルミ箔または銅箔を板厚方向に積層して構成し、且つこの伝導体の端部を拡散接合で固着すると共に、この固着部と端子板を銀ロー付けしたことを特徴とする超電導磁石。
主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、伝導体を複数枚のアルミ箔または銅箔を板厚方向に積層して構成し、且つこの伝導体の端部を複数本のリベットで固定して拡散接合で固着したことを特徴とする超電導磁石。
主コイルを包囲するクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドと輻射シールドを冷却する冷凍機を装備する超電導磁石において、前記冷凍機と輻射シールドを結ぶ伝導体を複数枚の高純度アルミ箔を板厚方向に積層して構成し、この複数枚のアルミ箔の端部を固着させたことを特徴とする超電導磁石。
主コイルを包囲するクライオスタットとこのクライオスタットと同軸上に配置された磁気シールドを装備する超電導磁石において、高温側から低温側部間の熱侵入を低減する目的で前記クライオスタットの途中に設けられる輻射シールドと熱アンカ伝導体とを結ぶ伝導体を複数枚の高純度アルミ箔を板厚方向に積層して構成し、この複数枚のアルミ箔の端部を固着させたことを特徴とする超電導磁石。
主コイルを包囲するクライオスタットと、そのコイルに液体ヘリウムを供給する液体ヘリウムリザーバ及び前記クライオスタットと前記液体ヘリウムリザーバの外周部に配置された輻射シールドから構成される超電導磁石において、前記クライオスタット側の輻射シールドと前記液体ヘリウムリザーバ側輻射シールド間の伝熱に可撓性を有する伝導体を複数枚の高純度アルミ箔を板厚方向に積層して構成し、この複数枚のアルミ箔の端部を固着させたことを特徴とする超電導磁石。
複数枚以上の高純度アルミ箔にて構成された伝導体の端部を溶接又は接着して固着したことを特徴とする請求項７乃至９の何れかの項に記載の超電導磁石。
複数枚以上の高純度アルミ箔にて構成された伝導体の端部を端子板と一緒に常温プレス圧着成形又は拡散接合にて固着したことを特徴とする請求項７乃至９の何れかの項に記載の超電導磁石。