JP3748566B2 - 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 - Google Patents
化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3748566B2 JP3748566B2 JP2005031088A JP2005031088A JP3748566B2 JP 3748566 B2 JP3748566 B2 JP 3748566B2 JP 2005031088 A JP2005031088 A JP 2005031088A JP 2005031088 A JP2005031088 A JP 2005031088A JP 3748566 B2 JP3748566 B2 JP 3748566B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- group
- chemically amplified
- naphthylsulfonyloxyimino
- amplified resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物、及びα‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(2‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド又はα‐(2‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニドから成る化学増幅型レジスト用酸発生剤を提供するものである。
これらの酸解離性保護基による水酸基の保護率は、通常樹脂中の水酸基の1〜60モル%、好ましくは10〜50モル%の範囲である。
で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を用いることが必要である。
α‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、
以下のようにして、式
α‐ヒドロキシイミノ‐4‐メトキシベンジルシアニド51.0g(0.29モル)及びトリエチルアミン44.0g(0.43モル)を含むテトラヒドロフラン400mlを反応器に入れ、この溶液を−5℃に冷却したのち、1‐ナフタレンスルホニルクロリド72.3g(0.32モル)を2時間かけて滴下した。反応混合物を−5℃で3時間かきまぜたのち、約10℃でさらに2時間かきまぜた。次いでテトラヒドロフランを真空下30℃で留去したのち、得られた生成物101.1gをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点121℃の白色結晶74.5g(理論量の70%)を得た。
以下のようにして、式
参考例1において、1‐ナフタレンスルホニルクロリドの代わりに2‐ナフタレンスルホニルクロリド72.3g(0.32モル)を用いた以外は、参考例1と同様にして実施したところ、融点108℃の白色結晶69.1g(理論量の65%)が得られた。
また、このようにして形成されたレジストホールパターンの解像度は0.30μmであり、このレジストホールパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真により観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。
次いで、実施例1と同様にして、感度、解像度を求めたところ、それぞれ7.0μC/cm2、0.30μmであり、このレジストホールパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。
実施例1において、酸発生剤をα‐(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシフェニルアセトニトリル3重量部に代えた以外は、実施例1と同様にしてポジ型化学増幅型レジスト組成物を調製した。
次いで、実施例1と同様にして、感度、解像度を求めたところ、それぞれ10.0μC/cm2、0.36μmであり、このレジストホールパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真により、観察したところ、テーパー形状のレジストパターンであった。
Claims (5)
- (B)成分が、α‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(2‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド又はα‐(2‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニドである請求項1記載の化学増幅型レジスト組成物。
- (A)成分の被膜形成成分が、アルカリ可溶性樹脂と酸架橋性物質との組合せから成るものである請求項1又は2記載の化学増幅型レジスト組成物。
- (A)成分100重量部当り、(B)成分をオキシムスルホネート化合物として0.5〜20重量部含有する請求項1ないし3のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物。
- α‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(2‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(1‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニド又はα‐(2‐ナフチルスルホニルオキシイミノ)‐ベンジルシアニドから成る化学増幅型レジスト用酸発生剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005031088A JP3748566B2 (ja) | 1996-07-24 | 2005-02-07 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19510096 | 1996-07-24 | ||
JP2005031088A JP3748566B2 (ja) | 1996-07-24 | 2005-02-07 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01158097A Division JP3665166B2 (ja) | 1996-07-24 | 1997-01-24 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005157400A JP2005157400A (ja) | 2005-06-16 |
JP3748566B2 true JP3748566B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=34740828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005031088A Expired - Fee Related JP3748566B2 (ja) | 1996-07-24 | 2005-02-07 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3748566B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5308657B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-10-09 | 東京応化工業株式会社 | 非イオン性感光性化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
-
2005
- 2005-02-07 JP JP2005031088A patent/JP3748566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005157400A (ja) | 2005-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3665166B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 | |
JP3587413B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 | |
KR100456254B1 (ko) | 감방사선성조성물 | |
JPH0996900A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
JP3655030B2 (ja) | ネガ型化学増幅型レジスト組成物 | |
JP3591743B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
JP3748565B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
KR20130107210A (ko) | 감방사선성 조성물 | |
JP3816638B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
JPH1130865A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3748566B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 | |
JP3638743B2 (ja) | 化学増幅型ネガ型レジスト組成物 | |
JP3632383B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト用感放射線性樹脂組成物 | |
JPH1184673A (ja) | パターン形成用レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP3496916B2 (ja) | 電子線用ネガ型レジスト組成物 | |
JP2003177536A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
JPH09325492A (ja) | ネガ型感放射線性樹脂組成物 | |
JP4017771B2 (ja) | 感放射線性組成物 | |
JP2000089458A (ja) | 電子線ネガ型レジスト組成物 | |
JPH09292704A (ja) | パターン形成方法 | |
JP3780518B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体の製造法 | |
JP3633111B2 (ja) | ネガ型感放射線性樹脂組成物 | |
JP4615115B2 (ja) | 化学増幅型フォトレジスト組成物および前記組成物を用いたフォトレジストレリーフ画像の形成方法 | |
JPH10177248A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2000147770A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131209 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |