JPH10177248A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH10177248A JPH10177248A JP35328796A JP35328796A JPH10177248A JP H10177248 A JPH10177248 A JP H10177248A JP 35328796 A JP35328796 A JP 35328796A JP 35328796 A JP35328796 A JP 35328796A JP H10177248 A JPH10177248 A JP H10177248A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高感度、高解像度であり、しかも定在波効果
およびハレーションが極めて少なく、パターン形状に優
れたレジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供
する。 【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)下記
式(B−1) 【化1】 で代表されるフェノール誘導体および下記式(B−2) 【化2】 で代表されるナフトール誘導体の群から選ばれる少なく
とも1種の化合物、並びに(C)1,2−キノンジアジ
ド化合物を含有することを特徴とする感放射線樹脂組成
物。
およびハレーションが極めて少なく、パターン形状に優
れたレジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供
する。 【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)下記
式(B−1) 【化1】 で代表されるフェノール誘導体および下記式(B−2) 【化2】 で代表されるナフトール誘導体の群から選ばれる少なく
とも1種の化合物、並びに(C)1,2−キノンジアジ
ド化合物を含有することを特徴とする感放射線樹脂組成
物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、更に詳しくは、g線あるいはi線等の紫
外線、KrFエキシマレーザーあるいはArFエキシマ
レーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX
線、電子線等の荷電粒子線等の如き各種の放射線に感応
する高集積回路作製用レジストとして好適な感放射線性
樹脂組成物に関する。
成物に関わり、更に詳しくは、g線あるいはi線等の紫
外線、KrFエキシマレーザーあるいはArFエキシマ
レーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX
線、電子線等の荷電粒子線等の如き各種の放射線に感応
する高集積回路作製用レジストとして好適な感放射線性
樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ポジ型レジストは、高解像度のレ
ジストパターンが得られるため、集積回路の作製等の微
細加工の分野で広く使用されており、近年の集積回路に
おける高集積化の進行に伴って、感度、解像度、焦点深
度(フォーカス許容性)等の諸特性に優れたポジ型レジ
ストが望まれている。また、今日の超LSIにおいて
は、前記諸特性のほかに、露光された放射線と基板から
の反射放射線との干渉による定在波効果が抑制されると
ともに、アルミニウム等の高反射率基板上でのハレーシ
ョンを抑制することができ、優れたパターン形状を与え
るポジ型レジストの開発も要望されている。このような
定在波効果やハレーションを抑制する方法として、レジ
ストに吸光性染料を添加する方法が提案されている。し
かし、従来の吸光性染料は、感度の低下、パターン形状
の劣化とそれに伴う寸法安定性の低下等を招きやすいと
いう問題がある。さらに、吸光性染料のなかには、保存
中にレジストから析出したり、該組成物から形成された
レジスト被膜をベークする際に昇華するおそれがあり、
これらはレジスト性能を不安定にする要因となる。した
がって、従来の吸光性染料を添加したレジストは、高精
度の微細レジストパターンを安定して形成することが困
難であるという欠点が指摘されている。
ジストパターンが得られるため、集積回路の作製等の微
細加工の分野で広く使用されており、近年の集積回路に
おける高集積化の進行に伴って、感度、解像度、焦点深
度(フォーカス許容性)等の諸特性に優れたポジ型レジ
ストが望まれている。また、今日の超LSIにおいて
は、前記諸特性のほかに、露光された放射線と基板から
の反射放射線との干渉による定在波効果が抑制されると
ともに、アルミニウム等の高反射率基板上でのハレーシ
ョンを抑制することができ、優れたパターン形状を与え
るポジ型レジストの開発も要望されている。このような
定在波効果やハレーションを抑制する方法として、レジ
ストに吸光性染料を添加する方法が提案されている。し
かし、従来の吸光性染料は、感度の低下、パターン形状
の劣化とそれに伴う寸法安定性の低下等を招きやすいと
いう問題がある。さらに、吸光性染料のなかには、保存
中にレジストから析出したり、該組成物から形成された
レジスト被膜をベークする際に昇華するおそれがあり、
これらはレジスト性能を不安定にする要因となる。した
がって、従来の吸光性染料を添加したレジストは、高精
度の微細レジストパターンを安定して形成することが困
難であるという欠点が指摘されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の課題
は、高感度、高解像度であり、しかも定在波効果および
ハレーションが極めて少なく、パターン形状に優れたレ
ジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。
は、高感度、高解像度であり、しかも定在波効果および
ハレーションが極めて少なく、パターン形状に優れたレ
ジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)下記式(1)
題は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)下記式(1)
【0005】
【化1】
【0006】〔式(1)において、R1 およびR2 は、
相互に同一でも異なってもよく、アルキル基、アルコキ
シル基またはアリール基を示し、aは0〜3の整数、b
は0〜2の整数、xは1〜3の整数であり、1≦(a+
x)≦5を満たす。〕で表される化合物および下記式
(2)
相互に同一でも異なってもよく、アルキル基、アルコキ
シル基またはアリール基を示し、aは0〜3の整数、b
は0〜2の整数、xは1〜3の整数であり、1≦(a+
x)≦5を満たす。〕で表される化合物および下記式
(2)
【0007】
【化2】
【0008】〔式(2)において、R3 およびR4 は、
相互に同一でも異なってもよく、アルキル基、アルコキ
シル基またはアリール基を示し、cは0〜3の整数、d
は0〜2の整数、yは1〜3の整数であり、1≦(c+
y)≦8を満たす。〕で表される化合物の群から選ばれ
る少なくとも1種の化合物、並びに(C)1,2−キノ
ンジアジド化合物を含有することを特徴とする感放射線
樹脂組成物、により解決することができる。
相互に同一でも異なってもよく、アルキル基、アルコキ
シル基またはアリール基を示し、cは0〜3の整数、d
は0〜2の整数、yは1〜3の整数であり、1≦(c+
y)≦8を満たす。〕で表される化合物の群から選ばれ
る少なくとも1種の化合物、並びに(C)1,2−キノ
ンジアジド化合物を含有することを特徴とする感放射線
樹脂組成物、により解決することができる。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。樹脂(A) 本発明における(A)成分は、本発明の感放射線性樹脂
組成物を用いてレジストパターンを形成する際に使用さ
れるアルカリ現像液に可溶なアルカリ可溶性樹脂(以
下、「樹脂(A)」という。)からなる。樹脂(A)と
しては、例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ルまたはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体またはその誘導体、ポリビニルヒドロキシベンゾエー
ト、カルボキシル基含有(メタ)アクリル酸系樹脂等を
挙げることができ、これらのうちでは、ノボラック樹脂
(以下、「樹脂(A−1)」という。)が好ましい。樹
脂(A−1)は、例えば、下記式(3)
組成物を用いてレジストパターンを形成する際に使用さ
れるアルカリ現像液に可溶なアルカリ可溶性樹脂(以
下、「樹脂(A)」という。)からなる。樹脂(A)と
しては、例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ルまたはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体またはその誘導体、ポリビニルヒドロキシベンゾエー
ト、カルボキシル基含有(メタ)アクリル酸系樹脂等を
挙げることができ、これらのうちでは、ノボラック樹脂
(以下、「樹脂(A−1)」という。)が好ましい。樹
脂(A−1)は、例えば、下記式(3)
【0010】
【化3】
【0011】〔式(3)において、nは0〜3の整数で
ある。〕で表されるフェノール類の1種以上と、モノア
ルデヒド化合物、ビスアルデヒド化合物等のアルデヒド
類の1種以上とを、重縮合させることにより製造するこ
とができる。前記フェノール類の好ましい例としては、
フェノール、o−クレゾ−ル、m−クレゾール、p−ク
レゾ−ル、2,3−キシレノール、2,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリ
メチルフェノール等を挙げることができる。これらのフ
ェノール類のうち、特に、フェノール、m−クレゾー
ル、p−クレゾ−ル、2,3−キシレノール、2,5−
キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレ
ノール、2,3,5−トリメチルフェノール等が好まし
い。樹脂(A−1)を製造する際に前記フェノール類を
2種以上を使用する場合、特に好ましいフェノール類の
組み合せは、m−クレゾール/p−クレゾ−ル=30〜
95/5〜70(重量比)、m−クレゾール/2,3−
キシレノール/3,4−キシレノール=20〜95/5
〜80/0〜75(重量比)、m−クレゾール/2,
3,5−トリメチルフェノール/2,3−キシレノール
=20〜95/5〜80/0〜75(重量比)等であ
る。また、前記フェノール類と重縮合させるモノアルデ
ヒド類のうち、モノアルデヒド化合物としては、例え
ば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、o−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−メチルベン
ズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチ
ルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p
−n−プロピルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベン
ズアルデヒド、フルフラール等を挙げることができる。
また、ビスアルデヒド化合物としては、例えば、グリオ
キサール、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒ
ド、イソフタルアルデヒド等を挙げることができる。こ
れらのアルデヒド類のうち、特に、ホルムアルデヒドお
よびo−ヒドロキシベンズアルデヒドが好ましい。アル
デヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対して、通
常、0.3〜3モル、好ましくは0.7〜3モル、特に
好ましくは0.6〜1.5モルである。
ある。〕で表されるフェノール類の1種以上と、モノア
ルデヒド化合物、ビスアルデヒド化合物等のアルデヒド
類の1種以上とを、重縮合させることにより製造するこ
とができる。前記フェノール類の好ましい例としては、
フェノール、o−クレゾ−ル、m−クレゾール、p−ク
レゾ−ル、2,3−キシレノール、2,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリ
メチルフェノール等を挙げることができる。これらのフ
ェノール類のうち、特に、フェノール、m−クレゾー
ル、p−クレゾ−ル、2,3−キシレノール、2,5−
キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレ
ノール、2,3,5−トリメチルフェノール等が好まし
い。樹脂(A−1)を製造する際に前記フェノール類を
2種以上を使用する場合、特に好ましいフェノール類の
組み合せは、m−クレゾール/p−クレゾ−ル=30〜
95/5〜70(重量比)、m−クレゾール/2,3−
キシレノール/3,4−キシレノール=20〜95/5
〜80/0〜75(重量比)、m−クレゾール/2,
3,5−トリメチルフェノール/2,3−キシレノール
=20〜95/5〜80/0〜75(重量比)等であ
る。また、前記フェノール類と重縮合させるモノアルデ
ヒド類のうち、モノアルデヒド化合物としては、例え
ば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、o−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−メチルベン
ズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチ
ルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p
−n−プロピルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベン
ズアルデヒド、フルフラール等を挙げることができる。
また、ビスアルデヒド化合物としては、例えば、グリオ
キサール、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒ
ド、イソフタルアルデヒド等を挙げることができる。こ
れらのアルデヒド類のうち、特に、ホルムアルデヒドお
よびo−ヒドロキシベンズアルデヒドが好ましい。アル
デヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対して、通
常、0.3〜3モル、好ましくは0.7〜3モル、特に
好ましくは0.6〜1.5モルである。
【0012】フェノール類とアルデヒド類とを重縮合さ
せる際には、通常、酸性触媒が使用される。このような
酸性触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、ぎ酸、
しゅう酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸等を挙げるこ
とができる。これらの酸性触媒は、単独でまたは2種以
上を混合して使用することができる。酸性触媒の使用量
は、フェノール類1モルに対して、通常、1×10-5〜
5×10-1モルである。フェノール類とアルデヒド類と
を重縮合させる際には、反応媒質として、通常、水が使
用されるが、反応原料の種類により反応初期から不均一
系となる場合は、親水性溶媒または親油性溶媒を反応媒
質として使用することもできる。前記親水性溶媒として
は、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノー
ル、n−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の
アルコール類、およびテトラヒドロフラン、ジオキサン
等の環式エーテル類を挙げることができる。これらの親
水性溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用する
ことができる。また、前記親油性溶媒としては、例え
ば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2
−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン等のケ
トン類を挙げることができる。これらの親油性溶媒は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ
る。反応媒質の使用量は、フェノール類とアルデヒド類
との合計100重量部当り、通常、20〜1,000重
量部である。フェノール類とアルデヒド類との重縮合温
度は、反応原料の反応性に応じて適宜調節されるが、通
常、10〜200℃である。フェノール類とアルデヒド
類とを重縮合させる方法としては、例えば、(i)フェ
ノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕込む
方法、(ii)酸性触媒の存在下で、フェノール類、アルデ
ヒド類等を反応の進行とともに添加する方法等を採用す
ることができる。重縮合反応の終了後は、一般に、反応
系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除
去するために、反応系の温度を130〜230℃に上昇
させ、減圧下で揮発分を除去したのち、生成した樹脂
(A−1)を回収する。特に、高分子量の樹脂(A−
1)が望ましい場合は、前記の方法によって得られた樹
脂を、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、メチル
イソブチルケトン、2−ヘプタノン、ジオキサン、メタ
ノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、n
−ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶媒を添加して、混合
し、析出した樹脂を溶液層から分離することにより、分
画された高分子量の樹脂(A−1)を得ることができ
る。樹脂(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィー(GPC)により求めた標準ポリスチレン換算重量
平均分子量(以下「Mw」という。)は、通常、300
〜20,000の範囲であるが、本発明の感放射線性樹
脂組成物を基板上に塗布する際の作業性、レジストとし
ての現像性、感度および耐熱性を向上させる観点から、
好ましくは2,000〜20,000、特に好ましくは
3,000〜15,000の範囲であり、特に樹脂(A
−1)の場合は、5,000〜12,000の範囲が好
ましい。本発明において、樹脂(A)は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。
せる際には、通常、酸性触媒が使用される。このような
酸性触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、ぎ酸、
しゅう酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸等を挙げるこ
とができる。これらの酸性触媒は、単独でまたは2種以
上を混合して使用することができる。酸性触媒の使用量
は、フェノール類1モルに対して、通常、1×10-5〜
5×10-1モルである。フェノール類とアルデヒド類と
を重縮合させる際には、反応媒質として、通常、水が使
用されるが、反応原料の種類により反応初期から不均一
系となる場合は、親水性溶媒または親油性溶媒を反応媒
質として使用することもできる。前記親水性溶媒として
は、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノー
ル、n−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の
アルコール類、およびテトラヒドロフラン、ジオキサン
等の環式エーテル類を挙げることができる。これらの親
水性溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用する
ことができる。また、前記親油性溶媒としては、例え
ば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2
−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン等のケ
トン類を挙げることができる。これらの親油性溶媒は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ
る。反応媒質の使用量は、フェノール類とアルデヒド類
との合計100重量部当り、通常、20〜1,000重
量部である。フェノール類とアルデヒド類との重縮合温
度は、反応原料の反応性に応じて適宜調節されるが、通
常、10〜200℃である。フェノール類とアルデヒド
類とを重縮合させる方法としては、例えば、(i)フェ
ノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕込む
方法、(ii)酸性触媒の存在下で、フェノール類、アルデ
ヒド類等を反応の進行とともに添加する方法等を採用す
ることができる。重縮合反応の終了後は、一般に、反応
系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除
去するために、反応系の温度を130〜230℃に上昇
させ、減圧下で揮発分を除去したのち、生成した樹脂
(A−1)を回収する。特に、高分子量の樹脂(A−
1)が望ましい場合は、前記の方法によって得られた樹
脂を、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、メチル
イソブチルケトン、2−ヘプタノン、ジオキサン、メタ
ノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、n
−ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶媒を添加して、混合
し、析出した樹脂を溶液層から分離することにより、分
画された高分子量の樹脂(A−1)を得ることができ
る。樹脂(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィー(GPC)により求めた標準ポリスチレン換算重量
平均分子量(以下「Mw」という。)は、通常、300
〜20,000の範囲であるが、本発明の感放射線性樹
脂組成物を基板上に塗布する際の作業性、レジストとし
ての現像性、感度および耐熱性を向上させる観点から、
好ましくは2,000〜20,000、特に好ましくは
3,000〜15,000の範囲であり、特に樹脂(A
−1)の場合は、5,000〜12,000の範囲が好
ましい。本発明において、樹脂(A)は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。
【0013】また、本発明においては、樹脂(A)以外
の低分子量のアルカリ可溶性樹脂(以下、「樹脂
(a)」という。)の1種以上を、樹脂(A)と併用す
ることができ、それにより、得られる樹脂組成物のアル
カリ可溶性をさらに向上させることができる。樹脂
(a)のMwは、好ましくは300〜4,000、特に
好ましくは500〜2,000の範囲である。樹脂
(a)としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類
との重縮合反応により得られるノボラック樹脂(以下、
「樹脂(a−1)」という。)を挙げることができる。
樹脂(a−1)におけるフェノール類としては、例え
ば、樹脂(A−1)について例示したフェノール類のほ
か、1−ナフトール、2−ナフトール等を挙げることが
でき、またアルデヒド類としては、例えば、樹脂(A−
1)について例示したアルデヒド類を挙げることができ
る。樹脂(a−1)を製造する際のアルデヒド類の使用
量は、フェノール類1モルに対して、通常、0.2〜
0.8モル、好ましくは0.3〜0.6モルである。樹
脂(a−1)は、樹脂(A−1))と同様の方法により
製造することができる。また、その他の樹脂(a)とし
て、例えば、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体
等を挙げることができる。このような樹脂(a)の具体
例としては、フェノール/ホルムアルデヒドノボラック
樹脂、o−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹
脂、m−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹
脂、p−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹
脂、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒ
ドノボラック樹脂、ポリo−ヒドロキシスチレン、ポリ
m−ヒドロキシスチレン、ポリp−ヒドロキシスチレ
ン、o−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、m−
ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、p−ヒドロキ
シスチレン/スチレン共重合体等を挙げることができ
る。樹脂(a)の使用量は、樹脂(A)100重量部に
対して、通常、50重量部以下である。本発明において
は、樹脂(a)を併用する場合、特に、樹脂(a)とし
てMwが好ましくは300〜4,000である樹脂(a
−1)を使用し、この樹脂をMwが好ましくは2,00
0〜20,000である樹脂(A−1)と組み合わせる
ことが好ましい。
の低分子量のアルカリ可溶性樹脂(以下、「樹脂
(a)」という。)の1種以上を、樹脂(A)と併用す
ることができ、それにより、得られる樹脂組成物のアル
カリ可溶性をさらに向上させることができる。樹脂
(a)のMwは、好ましくは300〜4,000、特に
好ましくは500〜2,000の範囲である。樹脂
(a)としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類
との重縮合反応により得られるノボラック樹脂(以下、
「樹脂(a−1)」という。)を挙げることができる。
樹脂(a−1)におけるフェノール類としては、例え
ば、樹脂(A−1)について例示したフェノール類のほ
か、1−ナフトール、2−ナフトール等を挙げることが
でき、またアルデヒド類としては、例えば、樹脂(A−
1)について例示したアルデヒド類を挙げることができ
る。樹脂(a−1)を製造する際のアルデヒド類の使用
量は、フェノール類1モルに対して、通常、0.2〜
0.8モル、好ましくは0.3〜0.6モルである。樹
脂(a−1)は、樹脂(A−1))と同様の方法により
製造することができる。また、その他の樹脂(a)とし
て、例えば、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体
等を挙げることができる。このような樹脂(a)の具体
例としては、フェノール/ホルムアルデヒドノボラック
樹脂、o−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹
脂、m−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹
脂、p−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹
脂、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒ
ドノボラック樹脂、ポリo−ヒドロキシスチレン、ポリ
m−ヒドロキシスチレン、ポリp−ヒドロキシスチレ
ン、o−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、m−
ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、p−ヒドロキ
シスチレン/スチレン共重合体等を挙げることができ
る。樹脂(a)の使用量は、樹脂(A)100重量部に
対して、通常、50重量部以下である。本発明において
は、樹脂(a)を併用する場合、特に、樹脂(a)とし
てMwが好ましくは300〜4,000である樹脂(a
−1)を使用し、この樹脂をMwが好ましくは2,00
0〜20,000である樹脂(A−1)と組み合わせる
ことが好ましい。
【0014】フェノール化合物(B) 次に、本発明における(B)成分は、前記式(1)で表
される化合物および前記式(2)で表される化合物の群
から選ばれる少なくとも1種の化合物(以下、「フェノ
ール化合物(B)」という。)からなる。式(1)およ
び式(2)において、R1 、R2 、R3 およびR4 のア
ルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜
4の基が好ましく、またアルコキシル基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、n−ブトキシ基等の炭素数1〜4の基が
好ましく、またアリール基としては、例えば、フェニ
ル、トルイル、ナフチル基等の炭素数6〜10の基が好
ましい。フェノール化合物(B)のうち、式(1)で表
される化合物(以下、「フェノール化合物(B−1)」
という。)の具体例としては、下記式(4−1)〜(4
−10)の化合物を挙げることができる。
される化合物および前記式(2)で表される化合物の群
から選ばれる少なくとも1種の化合物(以下、「フェノ
ール化合物(B)」という。)からなる。式(1)およ
び式(2)において、R1 、R2 、R3 およびR4 のア
ルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜
4の基が好ましく、またアルコキシル基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、n−ブトキシ基等の炭素数1〜4の基が
好ましく、またアリール基としては、例えば、フェニ
ル、トルイル、ナフチル基等の炭素数6〜10の基が好
ましい。フェノール化合物(B)のうち、式(1)で表
される化合物(以下、「フェノール化合物(B−1)」
という。)の具体例としては、下記式(4−1)〜(4
−10)の化合物を挙げることができる。
【0015】
【化4】
【0016】
【化5】
【0017】
【化6】
【0018】
【化7】
【0019】これらのフェノール化合物(B−1)のう
ち、特に、式(4−1)、式(4−4)または式(4−
6)の化合物が好ましい。フェノール化合物(B−1)
は、例えば、下記式に示すように、ベンズアルデヒド類
とインデン類とを、塩基性触媒の存在下、アルコー
ル溶媒中で縮合反応させることにより合成することがで
きる。
ち、特に、式(4−1)、式(4−4)または式(4−
6)の化合物が好ましい。フェノール化合物(B−1)
は、例えば、下記式に示すように、ベンズアルデヒド類
とインデン類とを、塩基性触媒の存在下、アルコー
ル溶媒中で縮合反応させることにより合成することがで
きる。
【0020】
【化8】 (但し、R1 、R2 、a、bおよびxは式(1)に同じ
である。)
である。)
【0021】また、式(2)で表される化合物(以下、
「フェノール化合物(B−2)」という。)の具体例と
しては、下記式(5−1)〜(5−4)の化合物を挙げ
ることができる。
「フェノール化合物(B−2)」という。)の具体例と
しては、下記式(5−1)〜(5−4)の化合物を挙げ
ることができる。
【0022】
【化9】
【0023】
【化10】
【0024】これらのフェノール化合物(B−2)のう
ち、特に、式(5−1)または式(5−3)の化合物が
好ましい。フェノール化合物(B−2)は、例えば、下
記式に示すように、ナフトアルデヒド類とインデン類
とを、塩基性触媒の存在下、アルコール溶媒中で縮合
反応させることにより合成することができる。
ち、特に、式(5−1)または式(5−3)の化合物が
好ましい。フェノール化合物(B−2)は、例えば、下
記式に示すように、ナフトアルデヒド類とインデン類
とを、塩基性触媒の存在下、アルコール溶媒中で縮合
反応させることにより合成することができる。
【0025】
【化11】 (但し、R3 、R4 、c、dおよびyは式(2)に同じ
である。) フェノール化合物(B)の使用量は、樹脂(A)100
重量部に対して、通常、1〜30重量部、好ましくは3
〜10重量部である。本発明において、フェノール化合
物(B)は、単独でまたは2種以上を混合して使用する
ことができる。
である。) フェノール化合物(B)の使用量は、樹脂(A)100
重量部に対して、通常、1〜30重量部、好ましくは3
〜10重量部である。本発明において、フェノール化合
物(B)は、単独でまたは2種以上を混合して使用する
ことができる。
【0026】感光剤(C) 次に、本発明における(C)成分は、1,2−キノンジ
アジド化合物(以下、「感光剤(C)」という。)から
なる。感光剤(C)としては、従来からポジ型レジスト
の感光剤として使用されている1,2−キノンジアジド
化合物を使用することができる。感光剤(C)の具体例
としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,2’,4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,3,5−トリス(4−ヒドロキシ−α,α−ジメチ
ルベンジル)ベンゼン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−[ 4−{1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル}フェニル] エタン、2−
(3,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、4,6−ビス[1−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−メチルエチル ]−1,3−ジ
ヒドロキシベンゼン、4,6−ビス[ 1−(2,4−ジ
ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル ]ベンゼン、
2,4,4−トリメチル−2−(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)−7−ヒドロキシクロマン等の1,2−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル類等を挙げることができ
る。感光剤(C)における1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステルとしては、特に、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好まし
い。感光剤(C)の使用量は、樹脂(A)100重量部
に対して、通常、10〜50重量部、好ましくは20〜
40重量部である。なお、本発明の感放射線性樹脂組成
物における1,2−キノンジアジド基の合計量は、例え
ば1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基として、
樹脂組成物の全固形分に対して、通常、5〜50重量
%、好ましくは5〜40重量%、さらに好ましくは10
〜20重量%となるように調節される。本発明におい
て、感光剤(C)は、単独でまたは2種以上を混合して
使用することができる。
アジド化合物(以下、「感光剤(C)」という。)から
なる。感光剤(C)としては、従来からポジ型レジスト
の感光剤として使用されている1,2−キノンジアジド
化合物を使用することができる。感光剤(C)の具体例
としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,2’,4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,3,5−トリス(4−ヒドロキシ−α,α−ジメチ
ルベンジル)ベンゼン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−[ 4−{1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル}フェニル] エタン、2−
(3,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、4,6−ビス[1−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−メチルエチル ]−1,3−ジ
ヒドロキシベンゼン、4,6−ビス[ 1−(2,4−ジ
ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル ]ベンゼン、
2,4,4−トリメチル−2−(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)−7−ヒドロキシクロマン等の1,2−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル類等を挙げることができ
る。感光剤(C)における1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステルとしては、特に、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好まし
い。感光剤(C)の使用量は、樹脂(A)100重量部
に対して、通常、10〜50重量部、好ましくは20〜
40重量部である。なお、本発明の感放射線性樹脂組成
物における1,2−キノンジアジド基の合計量は、例え
ば1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基として、
樹脂組成物の全固形分に対して、通常、5〜50重量
%、好ましくは5〜40重量%、さらに好ましくは10
〜20重量%となるように調節される。本発明におい
て、感光剤(C)は、単独でまたは2種以上を混合して
使用することができる。
【0027】各種添加剤 さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応
じて各種添加剤を配合することができる。まず、樹脂組
成物のアルカリ溶解性を促進する等の目的で低分子量の
フェノール化合物(以下、「溶解促進剤」という。)を
1種以上配合することができる。このような溶解促進剤
としては、ベンゼン環数が2〜5のフェノール化合物が
好ましく、その例としては、下記式(6−1)〜(6−
9)で表される化合物を挙げることができる。
じて各種添加剤を配合することができる。まず、樹脂組
成物のアルカリ溶解性を促進する等の目的で低分子量の
フェノール化合物(以下、「溶解促進剤」という。)を
1種以上配合することができる。このような溶解促進剤
としては、ベンゼン環数が2〜5のフェノール化合物が
好ましく、その例としては、下記式(6−1)〜(6−
9)で表される化合物を挙げることができる。
【0028】
【化12】
【0029】
【化13】
【0030】
【化14】
【0031】〔式(6−1)〜(6−9)において、
e、f、g、h、p、q、rおよびsはそれぞれ0〜3
の整数であり、式(6−1)、(6−2)および(6−
9)では、e+p≦5、f+q≦5およびe+f>0を
満足し、式(6−3)および(6−4)では、e+p≦
5、f+q≦4、g+r≦5およびe+f+g>0を満
足し、式(6−5)、(6−6)および(6−7)で
は、e+p≦5、f+q≦5、g+r≦5およびe+f
+g>0を満足し、かつ(6−8)では、e+p≦5、
f+q≦5、g+r≦5、h+s≦5およびe+f+g
+h>0を満足する。〕 これらの溶解促進剤のうち、式(6−4)、(6−6)
または(6−9)で表される化合物が特に好ましい。溶
解促進剤の配合量は、樹脂(A)100重量部当たり、
通常、50重量部以下、好ましくは10〜30重量部で
ある。溶解促進剤の配合量が50重量部を超えると、レ
ジストとしての現像性、基板への密着性等が低下する傾
向がある。
e、f、g、h、p、q、rおよびsはそれぞれ0〜3
の整数であり、式(6−1)、(6−2)および(6−
9)では、e+p≦5、f+q≦5およびe+f>0を
満足し、式(6−3)および(6−4)では、e+p≦
5、f+q≦4、g+r≦5およびe+f+g>0を満
足し、式(6−5)、(6−6)および(6−7)で
は、e+p≦5、f+q≦5、g+r≦5およびe+f
+g>0を満足し、かつ(6−8)では、e+p≦5、
f+q≦5、g+r≦5、h+s≦5およびe+f+g
+h>0を満足する。〕 これらの溶解促進剤のうち、式(6−4)、(6−6)
または(6−9)で表される化合物が特に好ましい。溶
解促進剤の配合量は、樹脂(A)100重量部当たり、
通常、50重量部以下、好ましくは10〜30重量部で
ある。溶解促進剤の配合量が50重量部を超えると、レ
ジストとしての現像性、基板への密着性等が低下する傾
向がある。
【0032】また、樹脂組成物の塗布性、現像性等をさ
らに向上させるために、界面活性剤を1種以上配合する
ことができる。このような界面活性剤としては、例え
ば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジ
ラウレート、ポリエチレングリコールジステアレートの
ほか、以下商品名で、メガファックスF171、同F1
72、同F173(以上、大日本インキ化学工業製);
フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリ
ーエム製);アサヒガードAG710、サーフロンS−
382、同SC−101、同SC−102、同SC−1
03、同SC−104、同SC−105、同SC−10
6(以上、旭硝子製);KP341(信越化学工業
製);ポリフローNo.75、同No.95(以上、共
栄社油脂化学工業製);NBX−7、NBX−14、N
BX−15(以上、ネオス製)等を挙げることができ
る。界面活性剤の配合量は、樹脂組成物中の樹脂
(A)、フェノール化合物(B)および感光剤(C)成
分の合計100重量部当たり、通常、界面活性剤の有効
成分として2重量部以下である。さらに、その他の添加
剤として、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等を配合する
こともできる。
らに向上させるために、界面活性剤を1種以上配合する
ことができる。このような界面活性剤としては、例え
ば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジ
ラウレート、ポリエチレングリコールジステアレートの
ほか、以下商品名で、メガファックスF171、同F1
72、同F173(以上、大日本インキ化学工業製);
フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリ
ーエム製);アサヒガードAG710、サーフロンS−
382、同SC−101、同SC−102、同SC−1
03、同SC−104、同SC−105、同SC−10
6(以上、旭硝子製);KP341(信越化学工業
製);ポリフローNo.75、同No.95(以上、共
栄社油脂化学工業製);NBX−7、NBX−14、N
BX−15(以上、ネオス製)等を挙げることができ
る。界面活性剤の配合量は、樹脂組成物中の樹脂
(A)、フェノール化合物(B)および感光剤(C)成
分の合計100重量部当たり、通常、界面活性剤の有効
成分として2重量部以下である。さらに、その他の添加
剤として、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等を配合する
こともできる。
【0033】感放射線性樹脂組成物の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物を使用してレジストパタ
ーンを形成する際には、通常、樹脂(A)、フェノール
化合物(B)および感光剤(B)を、必要に応じて配合
される各種添加剤とともに、固形分濃度が例えば20〜
40重量%となるように溶剤に溶解し、例えば孔径0.
2μm程度のフィルターでろ過することによって組成物
溶液として調製される。前記組成物溶液の調製に使用さ
れる溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテー
ト、エチレングリコ−ルモノエチルエ−テルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプ
タノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン、2−ヒド
ロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチ
ルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキ
シ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メ
チル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシ
プロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチ
ル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等を挙
げることができる。これらの溶剤は、単独でまたは2種
以上を混合して使用することができる。さらに、前記溶
剤には、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルア
セトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチ
ルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチル
エーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、
イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノー
ル、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジ
エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロ
ピレン、エチレングリコ−ルモノフェニルエ−テルアセ
テート等の高沸点溶剤を1種以上添加することもでき
る。
ーンを形成する際には、通常、樹脂(A)、フェノール
化合物(B)および感光剤(B)を、必要に応じて配合
される各種添加剤とともに、固形分濃度が例えば20〜
40重量%となるように溶剤に溶解し、例えば孔径0.
2μm程度のフィルターでろ過することによって組成物
溶液として調製される。前記組成物溶液の調製に使用さ
れる溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテー
ト、エチレングリコ−ルモノエチルエ−テルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプ
タノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン、2−ヒド
ロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチ
ルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキ
シ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メ
チル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシ
プロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチ
ル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等を挙
げることができる。これらの溶剤は、単独でまたは2種
以上を混合して使用することができる。さらに、前記溶
剤には、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルア
セトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチ
ルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチル
エーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、
イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノー
ル、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジ
エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロ
ピレン、エチレングリコ−ルモノフェニルエ−テルアセ
テート等の高沸点溶剤を1種以上添加することもでき
る。
【0034】レジストパターンの形成 前記のようにして調製された組成物溶液を用いてレジス
トパターンを形成する際には、該組成物溶液を回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により、
例えば、シリコンウェハー、アルミニウム等で被覆され
たウェハー等の基板上に塗布したのち、塗布膜をプレベ
ークしてレジスト被膜を形成する。次いで、該レジスト
被膜に、所定のマスクパターンを介して露光したのち、
現像液で現像することによって、レジストパターンを形
成する。その際には、露光工程と現像工程との間に、好
ましくは70〜140℃の温度で加熱する処理(以下、
「露光後ベーク」という。)を行うことにより、本発明
の効果をさらに向上させることができる。露光に使用さ
れる放射線としては、例えば、g線あるいはi線等の紫
外線、KrFエキシマレーザーあるいはArFエキシマ
レーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX
線、電子線等の荷電粒子線等を使用することができる
が、特に紫外線が好ましい。前記現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア
水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチ
ルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、
ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−[
5.4.0 ]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシク
ロ−[ 4.3.0 ]−5−ノネン等のアルカリ性化合物
を、例えば1〜10重量%の濃度となるように溶解した
アルカリ性水溶液が使用される。また、前記現像液に
は、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類
や、界面活性剤を適量添加することもできる。なお、こ
のようなアルカリ性水溶液からなる現像液により現像し
た後は、一般に、純水、超純水等の水で洗浄する。
トパターンを形成する際には、該組成物溶液を回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により、
例えば、シリコンウェハー、アルミニウム等で被覆され
たウェハー等の基板上に塗布したのち、塗布膜をプレベ
ークしてレジスト被膜を形成する。次いで、該レジスト
被膜に、所定のマスクパターンを介して露光したのち、
現像液で現像することによって、レジストパターンを形
成する。その際には、露光工程と現像工程との間に、好
ましくは70〜140℃の温度で加熱する処理(以下、
「露光後ベーク」という。)を行うことにより、本発明
の効果をさらに向上させることができる。露光に使用さ
れる放射線としては、例えば、g線あるいはi線等の紫
外線、KrFエキシマレーザーあるいはArFエキシマ
レーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX
線、電子線等の荷電粒子線等を使用することができる
が、特に紫外線が好ましい。前記現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア
水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチ
ルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、
ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−[
5.4.0 ]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシク
ロ−[ 4.3.0 ]−5−ノネン等のアルカリ性化合物
を、例えば1〜10重量%の濃度となるように溶解した
アルカリ性水溶液が使用される。また、前記現像液に
は、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類
や、界面活性剤を適量添加することもできる。なお、こ
のようなアルカリ性水溶液からなる現像液により現像し
た後は、一般に、純水、超純水等の水で洗浄する。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明の実施
の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、こ
れらの実施例になんら制約されるものではない。ここ
で、Mwの測定および各レジストの評価は、下記の要領
で行った。Mw 東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL:2本、
G3000HXL:1本、G4000HXL:1本)を用
い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフ法により測定した。感度 線幅0.35μmのライン・アンド・スペースパターン
(1L1S)を1対1の線幅に解像できる露光量を感度
とした。解像度 線幅0.35μmのライン・アンド・スペースパターン
(1L1S)を1対1の線幅に解像できる露光量で露光
したときに、レジストパターンの膜減りがない状態で解
像される最小寸法を解像度とした。パターン形状 線幅0.4μmのライン・アンド・スペースパターン
(1L1S)の方形状断面を走査型電子顕微鏡により観
察して、図1に示す(優)、(良)、(不良)の3段階
で評価した。図1において、(優)は断面形状が矩形で
かつ定在波の影響が認められない場合であり、(良)は
断面形状はテーパー状であるが定在波の影響が認められ
ない場合であり、(不良)は断面形状がテーパー状でか
つ定在波の影響が認められる場合である。
の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、こ
れらの実施例になんら制約されるものではない。ここ
で、Mwの測定および各レジストの評価は、下記の要領
で行った。Mw 東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL:2本、
G3000HXL:1本、G4000HXL:1本)を用
い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフ法により測定した。感度 線幅0.35μmのライン・アンド・スペースパターン
(1L1S)を1対1の線幅に解像できる露光量を感度
とした。解像度 線幅0.35μmのライン・アンド・スペースパターン
(1L1S)を1対1の線幅に解像できる露光量で露光
したときに、レジストパターンの膜減りがない状態で解
像される最小寸法を解像度とした。パターン形状 線幅0.4μmのライン・アンド・スペースパターン
(1L1S)の方形状断面を走査型電子顕微鏡により観
察して、図1に示す(優)、(良)、(不良)の3段階
で評価した。図1において、(優)は断面形状が矩形で
かつ定在波の影響が認められない場合であり、(良)は
断面形状はテーパー状であるが定在波の影響が認められ
ない場合であり、(不良)は断面形状がテーパー状でか
つ定在波の影響が認められる場合である。
【0036】〔樹脂(A)の製造〕 合成例1 オートクレーブに、 m−クレゾール 69.2g(0.64モル) 2,3−キシレノ−ル 9.8g(0.08モル) 3,4−キシレノール 9.8g(0.08モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 55.1g(HCHOとして0.68モル) しゅう酸2水和物 5.0g(0.04モル) 水 52.6g および ジオキサン 182g を仕込んだのち、オートクレーブを油浴に浸し、反応液
の温度を130℃に保持して、攪拌しつつ8時間重縮合
させた。次いで、反応液を室温まで冷却して、内容物を
ビーカーに取り出して、ビーカー中で分離した2層のう
ち下層(樹脂層)を分取した。その後、樹脂層を濃縮
し、脱水し、乾燥して、Mwが8.600の樹脂(A)
を得た。この樹脂(A)を、樹脂(A1)とする。
の温度を130℃に保持して、攪拌しつつ8時間重縮合
させた。次いで、反応液を室温まで冷却して、内容物を
ビーカーに取り出して、ビーカー中で分離した2層のう
ち下層(樹脂層)を分取した。その後、樹脂層を濃縮
し、脱水し、乾燥して、Mwが8.600の樹脂(A)
を得た。この樹脂(A)を、樹脂(A1)とする。
【0037】合成例2 仕込み組成を、 m−クレゾール 64.9g(0.6モル) 2,3−キシレノ−ル 36.7g(0.3モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 13.6g(0.1モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 64.9g(HCHOとして0.8モル) しゅう酸2水和物 6.3g(0.05モル) 水 79.4g および ジオキサン 384g とした以外は、合成例1と同様にして、Mwが8.30
0の樹脂(A)を得た。この樹脂(A)を、樹脂(A
2)とする。
0の樹脂(A)を得た。この樹脂(A)を、樹脂(A
2)とする。
【0038】〔フェノール化合物(B)の製造〕 合成例3 インデン23.2g(0.2モル)を、水酸化ナトリウ
ム23.3g(0.56モル)、エタノール180ミリ
リットルおよび水126ミリリットルの均一溶液に加え
て、30分間還流させた。次いで、反応液を室温まで冷
却したのち、サリチルアルデヒド24.4g(0.2モ
ル)を加えて、6時間還流させた。次いで、反応液を室
温まで冷却し、塩酸56ミリリットルを加えたのち、水
2000ミリリットル中に注いで、反応生成物を析出さ
せ、析出物を回収し、精製して、前記式(4−1)で表
されるフェノール化合物(B)を21.1g(収率48
%)を得た。この化合物を、フェノール化合物(B1)
とする。
ム23.3g(0.56モル)、エタノール180ミリ
リットルおよび水126ミリリットルの均一溶液に加え
て、30分間還流させた。次いで、反応液を室温まで冷
却したのち、サリチルアルデヒド24.4g(0.2モ
ル)を加えて、6時間還流させた。次いで、反応液を室
温まで冷却し、塩酸56ミリリットルを加えたのち、水
2000ミリリットル中に注いで、反応生成物を析出さ
せ、析出物を回収し、精製して、前記式(4−1)で表
されるフェノール化合物(B)を21.1g(収率48
%)を得た。この化合物を、フェノール化合物(B1)
とする。
【0039】合成例4 サリチルアルデヒド24.4g(0.2モル)に代え
て、2,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド27.6g
(0.2モル)を用いた以外は、合成例3と同様にし
て、前記式(4−4)で表されるフェノール化合物
(B)を16.5g(収率35%)を得た。この化合物
を、フェノール化合物(B2)とする。
て、2,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド27.6g
(0.2モル)を用いた以外は、合成例3と同様にし
て、前記式(4−4)で表されるフェノール化合物
(B)を16.5g(収率35%)を得た。この化合物
を、フェノール化合物(B2)とする。
【0040】合成例5 サリチルアルデヒド24.4g(0.2モル)に代え
て、バニリン30.4g(0.2モル)を用いた以外
は、合成例3と同様にして、前記式(4−6)で表され
るフェノール化合物(B)を21.5g(収率43%)
を得た。この化合物を、フェノール化合物(B3)とす
る。
て、バニリン30.4g(0.2モル)を用いた以外
は、合成例3と同様にして、前記式(4−6)で表され
るフェノール化合物(B)を21.5g(収率43%)
を得た。この化合物を、フェノール化合物(B3)とす
る。
【0041】合成例6 サリチルアルデヒド24.4g(0.2モル)に代え
て、2−ヒドロキシ−1−ナフトアルデヒド34.4g
(0.2モル)を用いた以外は、合成例3と同様にし
て、前記式(5−1)で表されるフェノール化合物
(B)を20.5g(収率38%)を得た。この化合物
を、フェノール化合物(B4)とする。
て、2−ヒドロキシ−1−ナフトアルデヒド34.4g
(0.2モル)を用いた以外は、合成例3と同様にし
て、前記式(5−1)で表されるフェノール化合物
(B)を20.5g(収率38%)を得た。この化合物
を、フェノール化合物(B4)とする。
【0042】〔感光剤(C)の合成〕 合成例7 フラスコに、 下記式(7)の化合物 21.2g(0.05モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド 33.6g(0.125モル) および ジオキサン 330g を仕込んだのち、20〜30℃の温度で、 トリエチルアミン 13.9g(0.138モル) を滴下し、20〜30℃の温度で2時間反応させた。次
いで、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ別したの
ち、ろ液を大量の希塩酸水溶液中に注いで、反応生成物
を析出させた。次いで、析出物をろ過し、水洗し、40
℃の真空乾燥器内で24時間乾燥して、1,2−キノン
ジアジド化合物51.1gを得た。この化合物を、感光
剤(C1)とする。
いで、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ別したの
ち、ろ液を大量の希塩酸水溶液中に注いで、反応生成物
を析出させた。次いで、析出物をろ過し、水洗し、40
℃の真空乾燥器内で24時間乾燥して、1,2−キノン
ジアジド化合物51.1gを得た。この化合物を、感光
剤(C1)とする。
【0043】
【化15】
【0044】合成例8 仕込み組成を、 下記式(8)の化合物 18.9g(0.05モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド 20.1g(0.075モル) ジオキサン 234g および トリエチルアミン 8.4g(0.083モル) とした以外は、合成例3と同様にして、1,2−キノン
ジアジド化合物34.6gを得た。この化合物を、感光
剤(C2)とする。
ジアジド化合物34.6gを得た。この化合物を、感光
剤(C2)とする。
【0045】
【化16】
【0046】
実施例1〜5および比較例1 表1に示す各成分(但し、部は重量基準である。)を混
合して、均一溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブ
ランフィルタ−でろ過して、各組成物溶液を調製した。
ここで使用した溶解促進剤および溶剤の種類は、次の通
りである。 〈溶解促進剤〉 α:1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル
フェニル)アセトン β:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン 〈溶剤〉 S1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2:3−エトキシプロピオン酸エチル S3:2−ヘプタノン
合して、均一溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブ
ランフィルタ−でろ過して、各組成物溶液を調製した。
ここで使用した溶解促進剤および溶剤の種類は、次の通
りである。 〈溶解促進剤〉 α:1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル
フェニル)アセトン β:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン 〈溶剤〉 S1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2:3−エトキシプロピオン酸エチル S3:2−ヘプタノン
【0047】
【表1】
【0048】各組成物溶液を、表面に二酸化けい素被膜
を形成したシリコンウエハ−上にスピナ−を用いて塗布
したのち、ホットプレ−ト上で90℃にて2分間プレベ
ークを行って、厚さ0.86μmのレジスト被膜を形成
した。次いで、各レジスト被膜に、(株)ニコン製縮小
投影露光機(商品名:NSR−2005i9C、開口数
=0.57)を用い、レチクルを介して、波長365n
mのi線で露光した。次いで、2.38重量%テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、超
純水で洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成し
た。得られた各レジストパターンに基づいて、各種評価
を行った。評価結果を、表2に示す。
を形成したシリコンウエハ−上にスピナ−を用いて塗布
したのち、ホットプレ−ト上で90℃にて2分間プレベ
ークを行って、厚さ0.86μmのレジスト被膜を形成
した。次いで、各レジスト被膜に、(株)ニコン製縮小
投影露光機(商品名:NSR−2005i9C、開口数
=0.57)を用い、レチクルを介して、波長365n
mのi線で露光した。次いで、2.38重量%テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、超
純水で洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成し
た。得られた各レジストパターンに基づいて、各種評価
を行った。評価結果を、表2に示す。
【0049】
【表2】
【0050】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、高感
度、高解像度であり、しかも定在波効果ハレーションが
極めて少なく、パターン形状に優れている。したがっ
て、本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に、今後さら
に高集積化が進むと考えられる高集積回路を製造する際
のレジストとして極めて有用である。
度、高解像度であり、しかも定在波効果ハレーションが
極めて少なく、パターン形状に優れている。したがっ
て、本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に、今後さら
に高集積化が進むと考えられる高集積回路を製造する際
のレジストとして極めて有用である。
【図面】レジストパターンの断面形状を例示する図であ
る。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)下記
式(1) 【化1】 〔式(1)において、R1 およびR2 は、相互に同一で
も異なってもよく、アルキル基、アルコキシル基または
アリール基を示し、aは0〜3の整数、bは0〜2の整
数、xは1〜3の整数であり、1≦(a+x)≦5を満
たす。〕で表される化合物および下記式(2) 【化2】 〔式(2)において、R3 およびR4 は、相互に同一で
も異なってもよく、アルキル基、アルコキシル基または
アリール基を示し、cは0〜3の整数、dは0〜2の整
数、yは1〜3の整数であり、1≦(c+y)≦8を満
たす。〕で表される化合物の群から選ばれる少なくとも
1種の化合物、並びに(C)1,2−キノンジアジド化
合物を含有することを特徴とする感放射線樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35328796A JPH10177248A (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35328796A JPH10177248A (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10177248A true JPH10177248A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18429820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35328796A Pending JPH10177248A (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10177248A (ja) |
-
1996
- 1996-12-17 JP JP35328796A patent/JPH10177248A/ja active Pending
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