JPH10148935A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

Info

Publication number
JPH10148935A
JPH10148935A JP8324813A JP32481396A JPH10148935A JP H10148935 A JPH10148935 A JP H10148935A JP 8324813 A JP8324813 A JP 8324813A JP 32481396 A JP32481396 A JP 32481396A JP H10148935 A JPH10148935 A JP H10148935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
resin
compound
atom
alkali
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8324813A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Hirose
浩一 廣瀬
Masahiro Akiyama
将宏 秋山
Katsumi Inomata
克巳 猪俣
Yoshitsugu Isamoto
喜次 勇元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP8324813A priority Critical patent/JPH10148935A/ja
Publication of JPH10148935A publication Critical patent/JPH10148935A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高解像度かつ高感度で、現像性に優れた感放射
線性樹脂組成物であって、ポジ型レジストとしてフォー
カス許容性および耐熱性に優れ、定在波効果の抑制され
た良好な形状のパターンを形成しうる該組成物の提供。 【解決手段】アルカリ可溶性樹脂、例えば下記式で表さ
れる化合物、および1,2−キノンジアジド化合物を含
有する感放射線性樹脂組成物。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリ可溶性樹
脂を含有する感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳
しくは、g線、i線等の紫外線、KrFエキシマレーザ
−等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子
線等の荷電粒子線のような各種放射線、特に紫外線、遠
紫外線に感応する高集積回路作製用レジストとして好適
な感放射線性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従釆の技術】集積回路の製造において多く用いられて
いるポジ型レジスト組成物は、近年の集積回路の高集積
化に伴い、解像度、感度、焦点深度(フォーカス許容
性)、耐熱性、現像性等の特性に優れたものが望まれて
いる。また、今日の超LSIの製造においては、前記特
性のほかに、照射光と基板からの反射光との干渉による
定在波効果の抑制されたレジスト組成物が要望されてい
る。定在波効果の抑制手段としては、レジスト内に吸光
性染料を添加する技術が開発されている(特開平6−3
48005号公報)。しかし、該吸光性染料は、感度の
低下やレジストパターン形状の劣化およびそれに伴う寸
法安定性の悪さによって、微細パターン形成には対応困
難であるという問題が生じている。さらに、吸光性染料
によっては、溶剤に溶けない、保存中に析出し異物にな
る、あるいはベーク時に昇華してレジスト性能にバラツ
キが生じるという問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高解
像度かつ高感度で、現像性に優れた感放射線性樹脂組成
物であって、ポジ型レジストとしてフォーカス許容性お
よび耐熱性に優れ、定在波効果の抑制された良好な形状
のパターンを形成しうる該組成物を提供することにあ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、(i)ア
ルカリ可溶性樹脂、(ii)一般式(1):
【0005】
【化3】 [式中、Dは、水素原子または1,2−キノンジアジド
基を含有する有機基であり、R1〜R4は、それぞれ、水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシアルキル基、
ヒドロキシアルコキシ基または−ODで示される基(こ
こで、Dは前記と同じ意味である)であり、Xは水素原
子、ハロゲン原子またはシアノ基であり、Yは酸素原子
または硫黄原子である]で表される化合物、および一般
式(2):
【0006】
【化4】 [式中、Dは、前記と同じ意味であり、R5〜R7は、それ
ぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基、アリール基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシア
ルキル基、ヒドロキシアルコキシ基または−ODで示さ
れる基(ここで、Dは前記と同じ意味である)であり、
Xは前記と同じ意味である]で表される化合物からなる
群から選ばれる少なくとも1種の化合物、ならびに(ii
i)前記(ii)成分以外の1,2−キノンジアジド化合物を
含有してなる感放射線性樹脂組成物が提供される。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。(i) 成分 本発明の(i) 成分は、アルカリ可溶性樹脂(以下、「樹
脂(i) 」という)である。樹脂(i) としては、例えばア
ルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロ
キシベンゾエ−ト、カルボキシル基含有アクリル酸系樹
脂等が挙げられ、これらの中では、アルカリ可溶性フェ
ノール樹脂が好ましい。樹脂(i) は、1種単独でも2種
以上組み合わせて用いてもよい。
【0008】前記アルカリ可溶性フェノール樹脂は、下
記式:
【0009】
【化5】 [式中、nは1〜3の整数である]で示されるフェノー
ル類と、モノアルデヒド化合物、ビスアルデヒド化合物
等のアルデヒド類とを重縮合させて得られるものであ
る。
【0010】上記フェノール類の好ましい例としては、
フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−ク
レゾール、2,3−キシレノール、2,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノールおよび3,4,5−
トリメチルフェノールであり、特に好ましくはフェノー
ル、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレ
ノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノー
ル、3,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチ
ルフェノールである。これらのフェノール類は、1種単
独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。フェノー
ル類を2種以上組み合わせて用いる場合、例えばm−ク
レゾール/p−クレゾール=30〜95/5〜70(重
量比)、m−クレゾール/2,3−キシレノール/3,
4−キシレノール=20〜95/5〜80/0〜75
(重量比)、またはm−クレゾール/2,3,5−トリ
メチルフェノール/2,3−キシレノール=20〜95
/5〜80/0〜75(重量比)の組み合わせが特に好
ましい。
【0011】また、前記モノアルデヒド類としては、例
えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニ
ルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒ
ド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、
o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデ
ヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o−ニトロベンズ
アルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロ
ベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−
メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒ
ド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベン
ズアルデヒドおよびフルフラールが挙げられる。また、
前記ビスアルデヒド類としては、グリオキサール、グル
タルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、イソフタルア
ルデヒド等を挙げることができる。これらのうち、ホル
ムアルデヒドが特に好適である。これらのアルデヒド類
も、1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられ
る。
【0012】高分子量(例えば2000以上)の樹脂
(i) を得たい場合には、該アルデヒド類の使用量は、フ
ェノール類1モルに対し、通常、0.7〜3.0モルで
よく、好ましくは0.8〜1.5モルである、また、低
分子量(例えば2000未満)の樹脂(i) を得たい場合
には、アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに
対して、通常、0.2〜0.7モルでよく、好ましくは
0. 3〜0. 7モルである。
【0013】フェノール類とアルデヒド類との重縮合反
応には、通常、酸性触媒、塩基性触媒等の触媒が使用さ
れる。この酸性触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫
酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸およびp−トルエンスルホン
酸が挙げられる。また、塩基性触媒としては、例えば水
酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムが挙げられる。こ
れらの触媒の使用量は、フェノール類1モルに対し、通
常、1×10-5〜5×l0-1モルでよい。
【0014】前記重縮合反応の反応媒質としては、通
常、水が使用され、反応初期から不均−系になる場合に
は、親水性溶媒または親油性溶媒が使用される。前記親
水性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル等のアルコール類、ならびにテトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。
前記親油性溶媒としては、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、2−へプタノン等のケトン類が挙げ
られる。これらの反応媒質の使用量は、フェノール類お
よびアルデヒド類からなる反応原料100重量部当り、
通常、20〜1,000重量部でよい。
【0015】重縮合の反応温度は、原料の反応性に応じ
て適宜調整することができ、通常、10〜200℃でよ
い。重縮合の反応方法には、フェノール類、アルデヒド
類、触媒等を一括して仕込む方法、酸性触媒の存在下
で、フェノール類、アルデヒド類等を反応の進行ととも
に加えていく方法等が適宜採用される。重縮合の反応終
了後、一般的には、系内に存在する未反応の原料、触
媒、反応媒質等を除去する。すなわち、温度を130℃
〜230℃に上昇させ、減圧下で揮発分を除去したの
ち、アルカリ可溶性フェノール樹脂を回収する。
【0016】特に高分子量(例えば4,000以上)の
アルカリ可溶性フェノール樹脂を得るには、前記の方法
で得られたアルカリ可溶性フェノール樹脂を、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキ
シプロピオン酸メチル、メチルイソブチルケトン、2−
へプタノン、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の
良溶媒に溶かした後、水、n−へキサン、n−へプタン
等の貧溶媒を混合し、析出する高分子量のアルカリ可溶
性フェノール樹脂層を分離すればよい。
【0017】樹脂(i) のポリスチレン換算重量平均分子
量(以下、「Mw」という)は、通常、300〜20,
000でよく、本発明の組成物を基板へ塗布する際の作
業性、レジストとして使用する際の現像性、感度および
耐熱性を向上する点から、2,000〜20,000で
あることが好ましく(このようなMwを有するものを、
特に「樹脂(A)」という)、特に好ましくは3,00
0〜15,000である。さらに、得られる組成物のア
ルカリ可溶性を促進するためには、低分子量、好ましく
は300以上2,000未満〔このようなMwを有する
ものを、特に樹脂(B)という〕、特に好ましくは50
0〜2,000未満のアルカリ可溶性樹脂を前記樹脂
(A)と併用することが望ましい。このような樹脂
(B)として特に好ましいのは、前記フェノール類と前
記アルデヒド類とを前記酸性触媒の存在下で重縮合させ
て得られるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、ならびにア
ルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレンである。具体的に
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、例えばフ
ェノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、o−
クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m
−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、
p−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂
およびm−クレゾール/p−クレゾ−ル/ホルムアルデ
ヒド縮合ノボラック樹脂等挙げられ、また、アルカリ可
溶性ポリヒドロキシスチレンとしては、例えばポリヒド
ロキシスチレンおよびヒドロキシスチレン−スチレン共
重合体が挙げられる。 なお、低分子量のアルカリ可溶
性ノボラック樹脂を得る場合のフェノール類には、前述
のアルカリ可溶性フェノール樹脂の合成で用いられるフ
ェノール類として例示したもの以外に、1−ナフトー
ル、2−ナフトール等も使用することができる。樹脂
(B)を樹脂(A)と併用するときの配合量は、樹脂
(A)100重量部に対して、通常、50重量部以下で
ある。
【0018】(ii)成分 本発明の(ii)成分は、一般式(1)で表される化合物お
よび一般式(2)で表される化合物からなる群から選ば
れる少なくとも一種の化合物である。成分(ii)に、一般
式(1)または一般式(2)の化合物を単独に使用して
も、あるいはこれらを併用してもよい。一般式(1)お
よび一般式(2)中のDで示される、1,2−キノンジ
アジド基を含有する有機基は、好ましくは1,2−ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホニル基等の1,2−キノン
ジアジドスルホニル基である。また、一般式(1)中の
R1〜R4および一般式(2)中のR5〜R7で示される基は、
それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アル
コキシ基、アリール基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シアルキル基、ヒドロキシアルコキシ基または−ODで
示される基(ここで、Dは前記と同じである)である。
ここで、アルキル基としては、例えば炭素数1〜6のア
ルキル基が好適であり、具体的にはメチル基、エチル
基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
t−ブチル基等を挙げることができる。アルコキシ基と
しては、例えば炭素数1〜4のアルコキシ基が好適であ
り、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等を挙げることができる。アリール基と
しては、例えば炭素数6〜10のアリール基が好適であ
り、具体的にはフェニル基、トリル基、ナフチル基等を
挙げることができる。ヒドロキシアルキル基としては、
例えば炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基が好適であ
り、具体的にはヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル
基、ヒドロキシプロピル基等を挙げることができる。ヒ
ドロキシアルコキシ基としては、例えば炭素数1〜4の
ヒドロキシアルコキシ基が好適であり、具体的にはヒド
ロキシメトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、ヒドロキシ
プロポキシ基等を挙げることができる。一般式(1)お
よび一般式(2)中のXは、水素原子、ハロゲン原子ま
たはシアノ基である。また、一般式(1)において、Y
は酸素原子または硫黄原子である。
【0019】〔特定フェノール化合物〕一般式(1)ま
たは一般式(2)で表される化合物において、Dがすべ
て水素原子、すなわち、前記−ODで示される基が水酸
基である化合物(以下、「特定フェノール化合物」とい
う)の具体例としては、下記式(3−1)〜(3−1
3)で表される化合物を挙げることができる。これらの
中では、式(3−1)、(3−2)、(3−3)、(3
−9)、(3−10)および(3−11)の化合物が好
ましい。
【0020】
【化6】
【0021】
【化7】
【0022】一般式(1)〔ただし、Dは水素原子であ
り、R1〜R4が−OD基である場合にはそのDも水素原子
である〕の特定フェノール化合物は、例えば反応式
(4):
【0023】
【化8】 [式中、R1〜R4は前記と同じ意味(ただしR1〜R4が−O
D基である場合にはそのDは水素原子である)であり、
XおよびYは前記と同じ意味である]で示される縮合反
応を、塩基触媒の存在下で行うことにより得られ、そし
て、一般式(2)〔ただし、Dは水素原子であり、R5
R7が−OD基である場合にはそのDも水素原子である〕
の特定フェノール化合物は、例えば反応式(5):
【0024】
【化9】 [式中、R5〜R7は前記と同じ意味(ただしR5〜R7が−O
D基である場合にはそのDも水素原子である)であり、
Xは前記と同じ意味である]で示される縮合反応を、塩
基触媒の存在下で行うことにより得られる。塩基触媒と
しては、例えば水酸化ナトリウム、ナトリウムメチラー
トまたはカリウムメチラートが用いられる。反応は、例
えばメタノール、エタノール等のアルコール類等の溶媒
中で行われ、反応温度は0〜60℃程度でよい。
【0025】〔特定1,2−キノンジアジド化合物〕一
般式(1)または一般式(2)で示される化合物におい
て、Dが1,2−キノンジアジドスルホニル基である化
合物(以下、「特定1,2−キノンジアジド化合物」と
いう)は、例えば前記の特定フェノール化合物と1,2
−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリドとを、例え
ばトリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下で反応させ
ることにより得られる。
【0026】本発明の組成物において、(ii)成分の配合
量は、樹脂(i)100重量部当たり、通常、0.5〜
50重量部でよく、好ましくは1〜30重量部、より好
ましくは1.5〜20重量部である。成分(ii)に特定
1,2−キノンジアジド化合物を含む場合には、特定
1,2−キノンジアジド化合物の配合量は、樹脂(i)
100重量部当たり、0.5〜50重量部が好ましく、
特に好ましくは3〜30重量部である。なお、一般式
(1)または(2)で表される化合物は、単独であるい
は2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0027】(iii) 成分 (iii) 成分の1,2−キノンジアジド化合物には、前記
成分(ii)の特定1,2−キノンジアジド化合物を含ま
ず、キノンジアジド系ポジ型レジストの感放射線剤とし
て従来公知のものを使用できる。例えば、2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,
4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−
ヒドロキシフェニル)メタン、1,3,5−トリス(4
−ヒドロキシ−α,α−ジメチルベンジル)べンゼン、
1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4
−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル}フェニル]エタン、2−(3,4−ジヒドロキシフ
ェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,4,4−トリメチル−2−(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)−7−ヒドロキシクロマン、4,6−ビス
[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル]−1,3−ジヒドロキシベンゼン等の1,2−ナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステルが挙げられ、これ
らの中では1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステルが好ましい。1,2−キノンジア
ジド化合物(iii) の配合量は、樹脂(i) 100重量部に
対して、通常、10〜50重量部でよく、好ましくは2
0〜40重量部である。
【0028】その他の成分 本発明の組成物には、成分(i) 〜(iii) のほかに、必要
に応じて例えば以下に示す各種添加剤を配合してもよ
い。 〔溶解促進剤〕本発明においては、組成物のアルカリ溶
解性を促進する目的で、低分子量のフェノール化合物
(以下、「溶解促進剤」という)を添加することができ
る。この溶解促進剤としては、ベンゼン環数が2〜5の
フェノール化合物が好適であり、例えば下記式(6−
1)〜(6−9)で表されるものが挙げられる。これら
の中では、式(6−4)、(6−5)、(6−6)およ
び(6−9)で示される化合物が好ましい。
【0029】
【化10】
【0030】
【化11】
【0031】[式中、a、bおよびcは、それぞれ、0
〜3の整数〔ただし、a、bおよびcのいずれかは、0
より大きい整数であり、式(6−8)については、複数
のaおよびbは、それぞれ、同一でも異なってもよ
い〕、x、yおよびzは、それぞれ、0〜3の整数、か
つ、a、b、c、x、yおよびzは、a+x≦5、b+
y≦5およびc+z≦5〔ただし、式(6−3)および
(6−4)については、b+y≦4であり、〕を満たす
整数である。] また、上記の溶解促進剤と組み合わせて、例えばビスフ
ェノールA、ベンゾフェノン、クルクミン、フラボン等
を、キノンジアジド系ポジ型レジストの溶解促進剤とし
て使用できる。該溶解促進剤の配合量は、樹脂(i) 10
0重量部当り、通常、50重量部以下でよく、好ましく
は5〜30重量部である。
【0032】〔界面活性剤〕界面活性剤は、組成物の塗
布性および現像性を改良するために添加される。該界面
活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールジラウリエート、ポリエチレングリ
コールジステアレート、メガフファックスF171、F
172、F173(商品名、大日本インキ(株)製)、
フロラードFC430、FC431(商品名、住友スリ
ーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロ
ンS−382、SC−101、SC−102、SC−1
03、SC−104、SC−105、SC−106(商
品名、旭硝子(株)製)、KP341(商品名、信越化
学工業(株)製)、ポリフロ−No.75、No.95
(商品名、共栄社油脂化学工業(株)製)、ならびにN
BX−7、NBX−14、NBX−15(商品名、ネオ
ス(株)製)が挙げられる。これらの界面活性剤の配合
量は、各種配合剤を除いた組成物の固形分100重量部
当たり、界面活性剤の有効成分で、好ましくは2重量部
以下である。本発明の組成物には、さらに、接着助剤、
保存安定剤、消泡剤等を配合することもできる。
【0033】感放射線性樹脂組成物の調製および使用方
本発明の組成物は、それぞれの必須成分と、必要に応じ
添加されるその他の添加剤を所定量配合し、例えば固形
分濃度が20〜40重量%となるように溶剤に溶解し、
孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによっ
て調製される。前記溶剤としては、例えばエチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテルアセテート、トルエ
ン、キシレン、メチルエチルケトン、2−へプタノン、
3−へプタノン、4−へプタノン、シクロヘキサノン、
2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、
ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブ
タン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−
エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン
酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル
およびピルビン酸エチルを挙げることができる。さら
に、これらの溶剤に、N−メチルホルムアミド、N,N
−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、
N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベ
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニ
ルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1
−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸べンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、7−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェ
ニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を添加すること
もできる。これらの溶剤は、1種単独でまたは2種以上
を組み合わせて使用される。
【0034】〔レジスト被膜およびパターンの形成〕溶
液として調製された本発明の組成物は、回転塗布、流延
塗布、ロール塗布等の塗布方法を用いて、シリコンウエ
ハー基板またはアルミニウム等で被覆されたウエハー基
板の上に塗布される。次いで、これをプレベークするこ
とによりレジスト被膜が形成され、レジスト被膜に放射
線が照射(以下、「露光」という)される。こうして所
望のレジストパターンが形成された基板を、現像液で現
像することによりパターンが形成される。また、上記レ
ジストパターンの形成と現像の間に、70〜140℃の
温度で加熱する操作(以下、「露光後べーク」という)
を追加すると、本発明の効果をさらに向上することがで
きる。該放射線としては、g線、i線等の紫外線、エキ
シマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等の
X線、ならびに電子線等の荷電粒子線が挙げられ、好ま
しくは紫外線である。該現像液としては、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリ
ウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルア
ミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−
プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピ
ペリジン、1,8−ジアザビシクロ−[5,4,0]−
7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4,3,
0]−5−ノナン等のアルカリ性化合物を、例えば1〜
10重量%の濃度に溶解してなるアルカリ性水溶液が使
用される。また、前記現像液には、アルコール類(例え
ばメタノールおよびエタノール)等の水溶性有機溶媒な
らびに界面活性剤を、適量添加することもできる。な
お、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液で現像
した後は、一般に、純水、超純水等の水で洗浄する。
【0035】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 〔測定および評価〕実施例中のMwの測定およびレジス
トの評価を、以下の方法により行った。 《Mw》東ソ−(株)製GPCカラム(G2000H X
L :2本、G3000H XL :1本、G4000H XL
:1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:
テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分折条件
で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフ法により測定した。 《感度》0.35μmのライン・アンド・スペースパタ
ーンを、1対1に解像するときの露光量を感度とした。 《解像度》0.35μmのライン・アンド・スペースパ
ターンを、1対1に解像するときの露光量で、パターン
の膜減りがない状態で解像している最小寸法を解像度と
した。 《フォーカス許容性(フォーカスレンジ)》走査型電子
顕微鏡を用い、0.35μmのライン・アンド・スペー
スパターンにおいて、解像されるパターン寸法がマスク
の設計寸法の±10%以内となる場合のフォーカスの振
れ幅をフォーカスレンジとし、評価指標とした。フォー
カスレンジが大きいことは、良好なフォーカス許容性を
有していることを意味する。 《耐熱性》レジストパターンの形成された基板をオーブ
ン中で2分間加熱し、2.0μmのライン・アンド・ス
ペースパターンが熱変形を始める温度を測定した。 《現像性》組成物のレジスト被膜を形成し、パターン形
成後のスカムや現像残りの程度を走査型電子顕微鏡を用
いて調べた。 《パターン形状》走査型電子顕微鏡を用い、0.35μ
mのレジストパターンの断面を観察した。そして、パタ
ーンの縦断面の形状を図1に示すように、(A)〜
(C)の3段階に分類した。すなわち、図1において、
(A)は、断面の形状が垂直で、定在波の影響も見られ
ない場合、(B)は、断面の形状はテーパ−状ではある
が、定在波の影響は見られない場合、および(C)は、
断面の形状がテーパー形状であり、かつ定在波の影響も
見られる場合である。
【0036】〔樹脂(i)の合成〕 (合成例1)オートクレーブに、 m−クレゾール 69.2g(0.64モル)、 2,3−キシレノール 9.8g(0.08モル)、 3,4−キシレノール 9.8g(0.08モル)、 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 55.1g(ホルムアルデヒド:0.85モル)、 シュウ酸2水和物 5.0g(0.04モル)、 水 52.6g および ジオキサン 182g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら8時間縮合を行い、反応後、
室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。この
ビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収した。こ
の樹脂を樹脂(A1)という。樹脂(A1)のMwは、
8,600であった。
【0037】(合成例2)オートクレーブに、 m−クレゾール 64.9g(0.6モル)、 2,3−キシレノール 36.7g(0.3モル)、 2,3,5−トリメチルフェノール 13.6g(0.1モル)、 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 64.9g(ホルムアルデヒド:0.8モル)、 シュウ酸2水和物 6.3g(0.05モル)、 水 79.4g および ジオキサン 383.9g を仕込み、合成例1と同様の操作を行い、ノボラック樹
脂を合成した。この樹脂を、樹脂(A2)という。樹脂
(A2)のMwは8,300であった。
【0038】〔特定フェノール化合物の合成〕以下にお
いて、前記式(3−1)および(3−9)で表される特
定フェノール化合物を、それぞれ、(a−1)の化合物
および(a−2)の化合物と略称する。 (合成例3)遮光下で、攪拌器、滴下ロートおよび温度
計を備えたフラスコに、 (a−1)の化合物 5.5g(0.026モル)、 1,2−ナフトキノンジアジド− 5−スルホン酸クロリド 4.0g(0.015モル)、 および ジオキサン 57g を仕込み、攪拌しながら溶解させた。ついで、フラスコ
を30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が3
0℃一定となった時点で、この溶液に トリエチルアミン 1.7g(0.017モル) を内温が35℃を越えないように滴下ロートを用いて加
え、同温度で2時間反応させた。その後、析出したトリ
エチルアミン塩酸塩をろ過により取り除き、濾液を大量
の希塩酸水溶液中に注ぎ込んで反応生成物を析出させ、
ついで析出物を濾過し、回収し、真空乾燥器中、40℃
で一昼夜乾燥して特定1, 2−キノンジアジド化合物
(b−1)を4.0g得た。
【0039】(合成例4)遮光下で、攪拌器、滴下ロー
トおよび温度計を備えたフラスコに、 (a−2)の化合物 3.5g(0.014モル)、 1,2−ナフトキノンジアジド− 5−スルホン酸クロリド 4.0g(0.015モル)、 および ジオキサン 57g を仕込み、攪拌しながら溶解させた。ついで、フラスコ
を30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が3
0℃一定となった時点で、この溶液に トリエチルアミン 1.7g(0.017モル) を内温が35℃を越えないように滴下ロートを用いて加
え、同温度で2時間反応させた。その後、析出したトリ
エチルアミン塩酸塩をろ過により取り除き、濾液を大量
の希塩酸水溶液中に注ぎ込んで反応生成物を析出させ、
ついで析出物を濾過し、回収し、真空乾燥器中、40℃
で一昼夜乾燥して特定1, 2−キノンジアジド化合物
(b−2)を5.7g得た。
【0040】〔1,2−キノンジアジド化合物(iii) の
合成〕 (合成例5) 下記式で表される化合物 21.2g(0.05モル)、
【0041】
【化12】
【0042】 1,2−ナフトキノンジアジド− 5−スルホニルクロリド 33.6g(0.125モル)、 ジオキサン 330g、 および トリエチルアミン 13.9g(0.138モル) を使用したほかは合成例3と同様にして、1, 2−キノ
ンジアジド化合物(イ)を32.5g得た。
【0043】(合成例6) 下記式で表される化合物 18.9g(0.05モル)、
【0044】
【化13】
【0045】 1,2−ナフトキノンジアジド− 5−スルホニルクロリド 20.1g(0.075モル)、 ジオキサン 234g、 および トリエチルアミン 8.4g(0.083モル) を使用したほかは合成例3と同様にして、1, 2−キノ
ンジアジド化合物(ロ)を23.2g得た。
【0046】〔実施例1〜12および比較例1〜3〕表
1に示す組成割合で(ただし、部は重量部である)、樹
脂(i) 、特定化合物(ii)(特定フェノール化合物および
/または特定1,2−キノンジアジド化合物)、溶解促
進剤、1,2−キノンジアジド化合物(iii) および溶剤
を混合して溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブラ
ンフィルターで濾過し、組成物の溶液を調製した。な
お、表1において、その他の溶解促進剤および溶剤の種
類は、次のとおりである。 (溶解促進剤) α:1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル
フェニル)アセトン β:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン (溶剤) S1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2:3−メトキシプロピオン酸メチル S3:メチル−n−アミルケトン
【0047】
【表1】
【0048】得られた組成物溶液を、シリコン酸化膜を
有するシリコンウエハー上にスピンナーを用いて塗布し
たのち、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベー
クして厚さ1.1μmのレジスト被膜を形成した。つい
で、レチクルを介して、(株)ニコン製NSR−200
5i9C縮小投影露光機(レンズ開口数=0.57)で
波長365nm(i線)を用いて露光し、2.38重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により
現像し、超純水でリンスし、乾燥し、レジストパターン
を形成した。得られたレジストパターンの特性を、前記
の方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
【0049】
【表2】
【0050】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、高解
像度かつ高感度で現像性に優れ、ポジ型レジストとし
て、フォーカス許容性および耐熱性に優れ、定在波効果
の抑制された良好な形状のパターンを形成することがで
きる。そのため、該組成物は、高集積度の集積回路作製
用レジストとして好適に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 レジストパターンの断面形状を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勇元 喜次 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(i)アルカリ可溶性樹脂、(ii)一般式
    (1): 【化1】 [式中、Dは、水素原子または1,2−キノンジアジド
    基を含有する有機基であり、R1〜R4は、それぞれ、水素
    原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリ
    ール基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシアルキル基、
    ヒドロキシアルコキシ基または−ODで示される基(こ
    こで、Dは前記と同じ意味である)であり、Xは水素原
    子、ハロゲン原子またはシアノ基であり、Yは酸素原子
    または硫黄原子である]で表される化合物、および一般
    式(2): 【化2】 [式中、Dは、前記と同じ意味であり、R5〜R7は、それ
    ぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
    シ基、アリール基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシア
    ルキル基、ヒドロキシアルコキシ基または−ODで示さ
    れる基(ここで、Dは前記と同じ意味である)であり、
    Xは前記と同じ意味である]で表される化合物からなる
    群から選ばれる少なくとも1種の化合物、ならびに(ii
    i)前記(ii)成分以外の1,2−キノンジアジド化合物を
    含有してなる感放射線性樹脂組成物。
JP8324813A 1996-11-20 1996-11-20 感放射線性樹脂組成物 Pending JPH10148935A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8324813A JPH10148935A (ja) 1996-11-20 1996-11-20 感放射線性樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8324813A JPH10148935A (ja) 1996-11-20 1996-11-20 感放射線性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10148935A true JPH10148935A (ja) 1998-06-02

Family

ID=18169969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8324813A Pending JPH10148935A (ja) 1996-11-20 1996-11-20 感放射線性樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10148935A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08262712A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2002278060A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3714379B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2001051419A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3633119B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3640078B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH06242599A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3240612B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3633134B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2811663B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3579901B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2985400B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3690015B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3326022B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2002244285A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3063197B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3472994B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3665999B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3180518B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH10148935A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3317595B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3629692B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2001056552A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3052960B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3232641B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物