JP3742269B2 - 発振装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は二つの発振器と、二つの発振器が出力する発振信号を増幅する増幅器とを供えた発振装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の発振装置を図5に従って説明すると、第一の発振器51と第二の発振器52とは、それぞれバラクタダイオード(図示せず)を備えた電圧制御発振器で構成されており、発振周波数が変えられるようになっている。第一の発振器51は第一の発振信号を出力し、第二の発振器52は第二の発振信号を出力する。そして、二つの発振器51、52はいずれか一方が動作状態となるように切り替えられ、第一の発振信号は結合コンデンサ53を介して増幅器54に入力され、第二の発振信号は結合コンデンサ55を介して増幅器54に入力される。
【0003】
増幅器54は通常エミッタ接地型増幅器を構成しており、第一の発振信号又は第二の発振信号は増幅器54内の増幅トランジスタ(図示せず)のベースに入力される。
そして、増幅された発振信号が増幅トランジスタのコレクタから出力されるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の発振装置では、第一の発振信号又は第二の発振信号は共通の入力端である増幅トランジスタのベースに入力されるので、第一の発振器51と第二の発振器52とは、結合コンデンサ53、55によって互いに結合している。このため、例えば、第一の発振器51の動作状態では増幅器54以外にも第二の発振器52が負荷となり、増幅器54に入力される第一の発振信号のレベルが低下するという問題があった。
【0005】
また、第二の発振器52の出力インピーダンスに周波数特性があると(周波数が変わると出力インピーダンスが変化する)、第一の発振信号のレベルが周波数に対してほぼ一定であっても、増幅器54に入力される第一の発振信号のレベルが周波数に対して変化し、さらにはその周波数も変化してしまうという問題もあった。
【0006】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもので、その目的は、第一の発振器及び第二の発振器が互いに相手側の負荷にならず、それにより増幅器に入力される第一及び第二の発振信号のレベル低下がなく、しかも第一及び第二の発振信号の周波数変化が起きないようにした発振装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の発振装置は、ベースに共振回路が接続され、コレクタが高周波的に接地され、エミッタから第一の発振信号を出力する第一の発振トランジスタからなる第一の発振器と、ベースに共振回路が接続され、高周波的に非接地のコレクタから第二の発振信号を出力する第二の発振トランジスタからなる第二の発振器と、前記第一の発振信号と前記第二の発振信号とをそれぞれ異なる接地形式によって選択的に増幅し、コレクタから増幅信号を出力する増幅トランジスタからなる増幅器と、前記第一の発振器及び前記第二の発振器の各電源回路に配置され、第一及び第二の極性の2値切替電圧で共通駆動される相補トランジスタからなる発振器切替手段と、前記増幅トランジスタのエミッタと接地間に直列接続されたコンデンサとスイッチダイオードからなる第一の選択接地手段及び前記増幅トランジスタのベースと接地間に直列接続されたコンデンサとスイッチダイオードからなる第二の選択接地手段とを備え、前記発振器切替手段は、前記切替電圧が第一の極性のとき、前記第一の発振器だけに電源供給して前記第一の発振器を発振状態に切替え、前記第一の発振信号を前記増幅トランジスタのベースに入力するとともに、前記第一の接地選択手段のスイッチダイオードをオンにして前記増幅トランジスタのエミッタを高周波的に接地し、前記第一の発振信号をエミッタ接地型の前記増幅トランジスタで増幅し、前記切替電圧が第二の極性のとき、前記第二の発振器だけに電源供給して前記第二の発振器を発振状態に切替え、前記第二の発振信号を前記増幅トランジスタのエミッタに入力するとともに、前記第二の接地選択手段のスイッチダイオードをオンにして前記増幅トランジスタのベースを高周波的に接地し、前記第二の発振信号をベース接地型の前記増幅トランジスタで増幅するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の発振装置を図1乃至図4に従って説明する。図1は本発明の発振装置の基本構成図、図2、図3は本発明の発振装置における等価回路図、図4は本発明の発振装置の具体的な構成を示す回路図である。
【0013】
まず、図1において、第一の発振器1と第二の発振器2とは、それぞれバラクタダイオードを備えた電圧制御発振器で構成されており、第一の発振器1は第一の発振信号を出力し、第二の発振器2は第二の発振信号を出力する。第一及び第二の発振信号は、バラクタダイオードの容量変化に対応して、それら発振周波数が変化する。そして、第一及び第二の発振器1、2は、選択的に電源電圧を供給するように開閉するスイッチ手段3、4の切替によっていずれか一方だけが動作状態となるように構成されている。即ち、第一のスイッチ手段3の開閉状態と第二のスイッチ手段4の開閉状態とは互いに逆の関係にあり、第一のスイッチ手段3が閉状態(オン)のときは第二のスイッチ手段4が開状態(オフ)となり、それによって第一の発振器1が動作状態となり、第二の発振器2が非動作状態となる。一方、第一のスイッチ手段3が開状態(オフ)のときは第二のスイッチ手段4が閉状態(オン)となり、それによって第一の発振器1が非動作状態となり、第二の発振器2が動作状態となる。
【0014】
そして、第一の発振信号は第一の結合コンデンサ5を介して増幅器6を構成する増幅トランジスタ6aのベースに入力され。第二の発振信号は第二の結合コンデンサ7を介してエミッタに入力される。
【0015】
増幅トランジスタ6aのエミッタは、直列接続された第二のバイパスコンデンサ10と第四のスイッチ手段11を介して接地接続され、増幅トランジスタ6aのベースは、直列接続された第一のバイパスコンデンサ8と第三のスイッチ手段9を介して接地接続される。
この場合、第三のスイッチ手段9及び第四のスイッチ手段11は、第一のスイッチ手段3及び第二のスイッチ手段4に連動して開閉するもので、第一のスイッチ手段3が閉状態(オン)で、第ニのスイッチ手段4が開状態(オフ)のときに、第四のスイッチ手段11が閉状態(オン)で、第三のスイッチ手段9が開状態(オフ)になり、一方、第ニのスイッチ手段4が閉状態(オン)で、第三のスイッチ手段9が開状態(オフ)のときに、第三のスイッチ手段9が閉状態(オン)で、第四のスイッチ手段11が開状態(オフ)になる。
【0016】
増幅トランジスタ6aのコレクタは負荷回路6bを介して電源に接続され、増幅された発振信号はコレクタから出力される。
【0017】
以上の構成において、第一のスイッチ手段3を閉状態、第二のスイッチ手段4を開状態にすると、第一の発振器1からのみ第一の発振信号が出力される。このとき、第三のスイッチ手段9は開状態、第四のスイッチ手段11は閉状態となるので、増幅トランジスタ6aのエミッタは第二のバイパスコンデンサ10によって高周波的に接地され、ベースに接続された第一のバイパスコンデンサ8はグランドから切り離される。
従って、その等価回路は図2に示すように、増幅器6はエミッタ接地型の増幅器として構成され、第一の発振信号は増幅トランジスタ6aのベースに入力される。
【0018】
一方、第一のスイッチ手段3を開状態、第二のスイッチ手段4を閉状態にすると、第二の発振器2からのみ第二の発振信号が出力される。このとき、第三のスイッチ手段9は閉状態、第四のスイッチ手段11は開状態となるので、増幅トランジスタ6aのベースは第一のバイパスコンデンサ8によって高周波的に接地され、エミッタに接続された第二のバイパスコンデンサ10はグランドから切り離される。
従って、その等価回路は図3に示すようになり、増幅器6はベース接地型の増幅器として構成され、第二の発振信号は増幅トランジスタ6aのエミッタに入力される。
【0019】
以上のように、本発明の発振装置においては増幅器6がエミッタ接地型の増幅器又はベース接地型の増幅器に切り替えられ、エミッタ接地型に切り替えられたときには、第一の発振信号が増幅トランジスタ6aのベースに入力される。また、ベース接地型に切り替えられたときには、第二の発振信号が増幅トランジスタ6aのエミッタに入力される。
従って、第一の発振器1と第二の発振器2とが第一及び第二の結合コンデンサ5、7を介して直接結合することがないので、互いに負荷にならない。よって、増幅トランジスタ6aに入力される発振信号のレベル低下を防止できる。また、それぞれの発振信号が相手の発振器の出力インピーダンスの影響を受けないので、レベルが安定すると共に、発振周波数の変動も起きない。
【0020】
図4は、この発明の実施の形態に係る発振装置の構成を示す回路図である。
第一の発振器1は、コレクタ接地型で動作する第一の発振トランジスタ1aからなる。第一の発振トランジスタ1aは、コレクタが直流カットコンデンサ1bによって高周波的に接地されるとともに、電源に接続される。また、ベースとエミッタとの間、及びエミッタと接地(グランド)との間にそれぞれ帰還コンデンサ1c、1dが接続され、ベースと接地(グランド)との間には共振回路1eが接続される。共振回路1eは、バラクタダイオード1e1 を含み、そのカソードには外部から同調電圧が印加される。この第一の発振器1は、第一の発振トランジスタ1aのエミッタから第一の発振信号が出力される。
【0021】
第一の発振トランジスタ1aのベースと電源との間には第一のスイッチ手段3を構成するNPNトランジスタ3aが設けられ、そのコレクタが電源に接続され、エミッタはバイアス抵抗1fを介して第一の発振トランジスタ1aのベースに接続される。なお、べースはもう一つのバイアス抵抗1gによって接地される。
【0022】
また、第二の発振器2は、第二の発振トランジスタ2aからなる。第二の発振トランジスタ2aは、コレクタが高周波的に接地されずに、微小インダクタンス値を有するインダクタンス素子2bを介して電源に接続される。また、第一の発振器1と同様に、ベースとエミッタとの間、及びエミッタと接地(グランド)との間にそれぞれ帰還コンデンサ2c、2dが接続され、ベースと接地(グランド)との間には共振回路2eが接続される。共振回路2eは、バラクタダイオード2e1 を含み、そのカソードには外部から同調電圧が印加される。この第二の発振器2は、第二の発振トランジスタ1aのコレクタから第二の発振信号が出力される。
【0023】
第二の発振トランジスタ2aのベースと電源との間には第二のスイッチ手段4を構成するPNPトランジスタ4aが設けられ、そのエミッタが電源に接続され、コレクタはバイアス抵抗2fを介して第二の発振トランジスタ2aのベースに接続される。なお、べースはもう一つのバイアス抵抗2gによって接地される。そしてNPNトランジスタ3aのベースとPNPトランジスタ4aのベースとが互いに接続される。ここにはNPNトランジスタ3a、PNPトランジスタ4aをオン又はオフに切り替えるための切替電圧が印加される。
【0024】
増幅器6は、増幅トランジスタ6aからなっている。増幅トランジスタ6aは、エミッタと接地間に第二のバイパスコンデンサ10と第四のスイッチ手段11であるスイッチダイオード11aの直列回路が接続され、この直列回路が第一の選択接地手段を構成している。また、増幅トランジスタ6aは、ベースと接地間に第一のバイパスコンデンサ8と第三のスイッチ手段11であるスイッチダイオード9aの直列回路が接続され、この直列回路が第二の選択接地手段を構成している。
そして、スイッチダイオード11aはアノードがNPNトランジスタ3aのエミッタに接続され、スイッチダイオード9aはアノードがPNPトランジスタ4aのコレクタに接続される。
さらに、増幅トランジスタ6aは、エミッタがバイアス抵抗6cとそれに直列接続された並列共振回路6dを介して接地接続される。並列共振回路6dは、その共振周波数が第二の発振信号の変化する周波数の略中心周波数に一致するように設定される。
【0025】
増幅トランジスタ6aのコレクタに接続される負荷回路6bは第一の並列同調回路6b1と第二の並列同調回路6b2とが直列に接続されて構成される。そして、第一の並列同調回路6b1は第一の発振信号の周波数の変化範囲のほぼ中心に同調し、第二の並列同調回路6b2は第二の発振信号の周波数の変化範囲のほぼ中心に同調している。
【0026】
そして、第一の発振器1から出力される第一の発振信号は第一の結合コンデンサ5を介して増幅トランジスタ6aのベースに入力され、第二の発振器2から出力される第二の発振信号は第二の結合コンデンサ7を介して増幅トランジスタ6aのエミッタに入力される。
【0027】
以上の構成において、NPNトランジスタ3aのベースとPNPトランジスタ4aのベースとに共にハイレベルの切替電圧を印加すると、NPNトランジスタ3aがオンとなり、PNPトランジスタ4aはオフとなる。すると、第一の発振トランジスタ1aのベースにバイアス電圧が供給され、第一の発振器1が動作する。また、第二のスイッチダイオード11aがオンとなって、増幅トランジスタ6aのエミッタは高周波的に接地される。一方、第二の発振器2は動作せず、第一のスイッチダイオード9aもオフとなる。
従って、増幅トランジスタ6aのベースに第一の発振信号が入力され、増幅器6はエミッタ接地型の増幅器として動作する。増幅された第一の発振信号は第一の同調回路6b1に同調してコレクタから出力される。
【0028】
一方、NPNトランジスタ3aのベースとPNPトランジスタ4aのベースとに共にローレベルの切替電圧を印加すると、NPNトランジスタ3aがオフとなり、PNPトランジスタ4aはオンとなる。すると、第二の発振トランジスタ2aのベースにバイアス電圧が供給され、第二の発振器2が動作する。また、第一のスイッチダイオード9aがオンとなって、増幅トランジスタ6aのベースは高周波的に接地される。一方、第一の発振器1は動作せず、第二のスイッチダイオード11もオフとなる。
従って、増幅トランジスタ6aのエミッタに第二の発振信号が入力され、増幅器6はベース接地型の増幅器として動作する。増幅された第二の発振信号は第二の同調回路6b2に同調してコレクタから出力される。
この場合、エミッタとグランドとの間には並列共振回路6dが設けられているので、バイアス抵抗6cの抵抗値が小さくてもエミッタに入力される第二の発振信号のレベル低下を招くことはない。
【0029】
一般的に、この種の発振トランジスタにおいては、発振信号をエミッタから出力した場合とコレクタから出力した場合とを比べると、エミッタから出力したときの発振信号レベルは、コレクタから出力したときの発振信号レベルよりも低くなり、また、増幅トランジスタにおいては、ベース接地形式で増幅した場合とエミッタ接地形式で増幅した場合とを比べると、ベース接地形式で増幅したときの増幅利得は、エミッタ接地形式で増幅したときの増幅利得よりも小さくなる。
そのため、この実施の形態のように、第一の発振トランジスタ1aのエミッタから第一の発振信号を出力し、その第一の発振信号をベース接地形式の増幅トランジスタ6aで増幅するようにし、また、第二の発振トランジスタ2aのコレクタから第二の発振信号を出力し、その第二の発振信号をエミッタ接地形式の増幅トランジスタ6aで増幅するようにすれば、増幅トランジスタ6aのコレクタから出力される第一の発振信号と第二の発振信号とのレベル差を少なくすることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上のように、本発明の発振装置は、第一の発振器と、第二の発振器と、増幅器とを備え、第一の発振器を動作状態に切り替えたときには増幅器をエミッタ接地型増幅器として動作させて第一の発振信号を増幅トランジスタのベースに入力し、第二の発振器を動作状態に切り替えたときには増幅器をベース接地型増幅器として動作させて第二の発振信号を増幅トランジスタのエミッタに入力したので、第一の発振器と第二の発振器とが結合コンデンサを介して直接結合せず、互いに負荷にならない。よって、増幅トランジスタに入力される発振信号のレベル低下を防止できる。また、それぞれの発振信号が相手の発振器の出力インピーダンスの影響を受けないので、レベルが安定すると共に、発振周波数の変動も起きない。
【0031】
また、増幅トランジスタのベースとグランドとの間には互いに直列に接続された第一のバイパスコンデンサ及び第一のスイッチダイオードを接続し、増幅トランジスタのエミッタとグランドとの間には互いに直列に接続された第二のバイパスコンデンサ及び第二のスイッチダイオードを接続すると共に、第二の発振信号の周波数に共振する並列共振回路を接続し、第一の発振器を動作状態に切り替えたときには第一のスイッチダイオードをオフにすると共に第二のスイッチダイオードをオンにし、第二の発振器を動作状態に切り替えたときには第一のスイッチダイオードをオンにすると共に第二のスイッチダイオードをオフにしたので、増幅器をエミッタ接地型増幅器又はベース接地型増幅器に切り替えることが容易であり、ベース接地型増幅器に切り替えたときには、並列共振回路によってエミッタとグランドとの間のインピーダンスが高くなってエミッタに入力された第二の発振信号のレベルは低下しない。
【0032】
また、第一のスイッチダイオードのカソードと第二のスイッチダイオードのカソードとを接地し、NPNトランジスタのエミッタを第一の発振トランジスタのベースに接続すると共に第二のスイッチトランジスタのアノードに接続し、PNPトランジスタのコレクタを第二の発振トランジスタのベースに接続すると共に第一のスイッチダイオードのアノードに接続し、NPNトランジスタのベースとPNPトランジスタのベースとにハイレベル又はローレベルの切替電圧を共に印加したので、第一の発振器と第二の発振器との動作状態の切替と、増幅器の接地形態の切替とを連動させることができる。
【0034】
さらに、第一の発振トランジスタのエミッタから第一の発振信号を出力し、その第一の発振信号をベース接地形式の増幅トランジスタで増幅するようにし、また、第二の発振トランジスタのコレクタから第二の発振信号を出力し、その第二の発振信号をエミッタ接地形式の増幅トランジスタ6aで増幅するようにしたので、増幅トランジスタのコレクタから出力される第一の発振信号と第二の発振信号とのレベル差を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発振装置の基本構成図である。
【図2】本発明の発振装置における等価回路図である。
【図3】本発明の発振装置における等価回路図である。
【図4】本発明の発振装置の具体的な構成を示す回路図である。
【図5】従来の発振装置の基本構成図である。
【符号の説明】
1 第一の発振器
1a 第一の発振トランジスタ
1b 直流カットコンデンサ
1c、1d 帰還コンデンサ
1e 共振回路
1f、1g バイアス抵抗
2 第二の発振器
2a 第二の発振トランジスタ
2b インダクタンス素子
2c、2d 帰還コンデンサ
2e 共振回路
2f、2g バイアス抵抗
3 第一のスイッチ手段
3a NPNトランジスタ
4 第二のスイッチ手段
4a PNPトランジスタ
5 第一の結合コンデンサ
6 増幅器
6a 増幅トランジスタ
6b 負荷回路
6b1 第一の並列同調回路
6b2 第二の並列同調回路
6c バイアス抵抗
6d 並列共振回路
7 第二の結合コンデンサ
8 第一のバイパスコンデンサ
9 第三のスイッチ手段
9a 第一のスイッチダイオード
10 第二のバイパスコンデンサ
11 第四のスイッチ手段
11a 第二のスイッチダイオード
Claims (1)
- ベースに共振回路が接続され、コレクタが高周波的に接地され、エミッタから第一の発振信号を出力する第一の発振トランジスタからなる第一の発振器と、ベースに共振回路が接続され、高周波的に非接地のコレクタから第二の発振信号を出力する第二の発振トランジスタからなる第二の発振器と、前記第一の発振信号と前記第二の発振信号とをそれぞれ異なる接地形式によって選択的に増幅し、コレクタから増幅信号を出力する増幅トランジスタからなる増幅器と、前記第一の発振器及び前記第二の発振器の各電源回路に配置され、第一及び第二の極性の2値切替電圧で共通駆動される相補トランジスタからなる発振器切替手段と、前記増幅トランジスタのエミッタと接地間に直列接続されたコンデンサとスイッチダイオードからなる第一の選択接地手段及び前記増幅トランジスタのベースと接地間に直列接続されたコンデンサとスイッチダイオードからなる第二の選択接地手段とを備え、前記発振器切替手段は、前記切替電圧が第一の極性のとき、前記第一の発振器だけに電源供給して前記第一の発振器を発振状態に切替え、前記第一の発振信号を前記増幅トランジスタのベースに入力するとともに、前記第一の接地選択手段のスイッチダイオードをオンにして前記増幅トランジスタのエミッタを高周波的に接地し、前記第一の発振信号をエミッタ接地型の前記増幅トランジスタで増幅し、前記切替電圧が第二の極性のとき、前記第二の発振器だけに電源供給して前記第二の発振器を発振状態に切替え、前記第二の発振信号を前記増幅トランジスタのエミッタに入力するとともに、前記第二の接地選択手段のスイッチダイオードをオンにして前記増幅トランジスタのベースを高周波的に接地し、前記第二の発振信号をベース接地型の前記増幅トランジスタで増幅することを特徴とする発振装置。
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