JP3739381B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードの製造に適用して好適なものである。

従来、半導体素子を製造する際には、適切な基板上に所望の半導体層を成長させた後に加工を施す方法が広く用いられている。一般的に半導体層は、格子定数などの基板の情報に応じて非常に敏感に特性が変わってしまうため、最も望ましいのは、成長させる半導体層と同質の基板を採用して半導体層をエピタキシャル成長させる方法である。

したがって、半導体素子の基板は、素子に用いる半導体と同質の材料で形成され、なおかつ転位などの欠陥密度が低いものであることが要求される。なぜならば、基板の欠陥がそのままその上の半導体層にも伝播して、素子特性の低下につながることがしばしば起こるからである。

ところで、ＧａＮに代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、バンドギャップが大きいため、紫外から紫、さらには青や緑といった、他の半導体では得ることが困難な波長域の発光素子としての開発が進み、すでに発光ダイオード（ＬＥＤ）および半導体レーザ（ＬＤ）とも実用化されている。

しかしながら、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ではバルク成長が難しく、半導体素子の基板として使えるような欠陥の少ない基板を得ることは困難であった。そのため、ほとんどの場合、サファイアやＳｉＣなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と同質でない基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長を行わなければならず、低温バッファ層の導入などの手法が必要となる。ところが、そのような手法を採用して成長を行うことにより得られる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ですら、その欠陥密度は非常に高くなってしまい、素子特性への影響が無視できないものとなる。

したがって、特性の良好な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を製造するための基板として、同質の基板、すなわち窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、かつ欠陥密度の低いものが望まれている。

これまで、欠陥密度の低い窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法としては、気相成長の成長表面が平面状態でなく、三次元的なファセット構造を持つようにし、ファセット構造を持ったまま、ファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位を低減するようにした単結晶ＧａＮ基板の製造方法が提案されている（特許文献１）。
特開２００１−１０２３０７号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術は、特に貫通転位を成長層のある領域に集中させることにより、他の領域の貫通転位を減少させるものであるため、得られた単結晶ＧａＮ基板には低欠陥密度の領域と高欠陥密度の領域とが混在しており、しかも高欠陥密度の領域が発生する位置は制御することができず、ランダムに発生する。このため、この単結晶ＧａＮ基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて半導体素子、例えば半導体レーザを製造する場合、高欠陥密度の領域が発光領域に形成されてしまうのを避けることができず、半導体レーザの発光特性や信頼性の低下を招いていた。

したがって、この発明が解決しようとする課題は、発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子を容易に製造することができる半導体発光素子の製造方法を提供することにある。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った。その概要について説明すると、次のとおりである。

本発明者は、特許文献１に開示された技術の改良を重ねた結果、低欠陥密度領域中に発生する高欠陥密度領域の位置を制御することに成功した。これによれば、低欠陥密度領域中に高欠陥密度領域が規則的、例えば周期的に配列している基板を得ることができ、高欠陥密度領域の配列パターンも自由自在に変えることができる。

このような基板を用いて半導体レーザなどの半導体発光素子、より一般的には半導体素子を製造する場合、基板に存在する高欠陥密度の領域が素子に及ぼす悪影響を排除し、あるいはその悪影響を減少させる必要がある。そのための手法について種々検討を行った結果、以下の手法が有効であることを見い出した。

すなわち、上記の基板においては、高欠陥密度領域は規則的に配列させることができることから、この配列に応じて素子のサイズや素子の配置、あるいは素子の活性領域（例えば、発光素子にあっては発光領域）の位置の設計を行うことができる。そして、この設計により、最終的に基板のスクライビングによりチップとなる領域（以下「素子領域」という。）あるいは素子の活性領域に高欠陥密度領域が含まれないようにすることができる。このようにすれば、基板上に成長させる半導体層に下地基板の高欠陥密度領域から欠陥が伝播しても、それによる悪影響が素子領域あるいは活性領域には及ばないようにすることができるため、欠陥に起因する素子の特性の劣化や信頼性の低下などを防止することができる。

上記の手法は、素子に使用する半導体と同質で低欠陥密度の基板を得ることが困難である場合、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の半導体を用いた半導体素子の製造にも有効である。より一般的には、素子に使用する材料と同質で低欠陥密度の基板を得ることが困難である場合、そのような素子の製造に有効である。

この発明は、本発明者による以上の検討に基づいてさらに検討を行った結果、案出されたものである。

すなわち、上記課題を解決するために、この発明の第１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

ここで、「第２の領域が実質的に含まれない」とは、素子領域の輪郭線が第２の領域を完全に包含している場合だけでなく、その輪郭線が第２の領域を通っていて、基板のスクライビングを行った後に得られるチップの端面または角部に第２の領域が残存する場合をも含むことを意味する（以下同様）。

素子領域は、具体的には、第２の領域が実質的に含まれないようにその大きさおよび配置を決める。複数の第２の領域は、典型的には周期的に設けられ、具体的には、例えば、六方格子状、長方形格子状、正方格子状に設けられる。これらの二種類以上の配列パターンが混在していてもよい。さらには、第２の領域が周期的な配列で設けられた部分と、第２の領域が規則的ではあるが、周期的ではない配列で設けられた部分とが混在していてもよい。

素子領域は、典型的には長方形または正方形であり、劈開を良好に行うなどの観点より、好適にはそれらの互いに対向する一対の辺は〈１−１００〉方向に平行であり、他の互いに対向する一対の辺は〈１１−２０〉方向に平行である。

互いに隣接する二つの第２の領域の間隔あるいは第２の領域の配列周期は、素子の大きさなどに応じて選ばれるが、一般的には２０μｍ以上あるいは５０μｍ以上あるいは１００μｍ以上である。この第２の領域の間隔あるいは第２の領域の配列周期の上限は必ずしも明確なものは存在しないが、一般的には１０００μｍ程度である。この第２の領域は、典型的には窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を貫通している。また、この第２の領域は典型的には不定多角柱状の形状を有する。第１の領域と第２の領域との間には、第１の平均転位密度より高く、かつ第２の平均転位密度より低い第３の平均転位密度を有する第３の領域が遷移領域として存在することも多く、この場合、最も好適には、これらの第２の領域および第３の領域が実質的に含まれないように素子領域を画定する。

第２の領域の直径は、典型的には１０μｍ以上１００μｍ以下、より典型的には２０μｍ以上５０μｍ以下である。また、第３の領域が存在する場合、その直径は典型的には第２の領域の直径より２０μｍ以上２００μｍ以下より大きく、より典型的には４０μｍ以上１６０μｍ以下大きく、最も典型的には６０μｍ以上１４０μｍ以下大きい。

第２の領域の平均転位密度は一般的には第１の領域の転位密度の５倍以上である。典型的には、第１の領域の平均転位密度は２×１０⁶ ｃｍ^-2以下、第２の領域の平均転位密度は１×１０⁸ ｃｍ^-2以上である。第３の領域が存在する場合、その平均転位密度は、典型的には１×１０⁸ ｃｍ^-2より小さく、２×１０⁶ ｃｍ^-2より大きい。

半導体発光素子の発光領域は、平均転位密度が高い第２の領域による悪影響を防止するために、第２の領域から１μｍ以上、好適には１０μｍ以上、より好適には１００μｍ以上離す。第３の領域が存在する場合、最も好適には、半導体発光素子の発光領域が第２の領域および第３の領域を含まないようにする。より具体的には、半導体発光素子は半導体レーザや発光ダイオードであるが、前者の半導体レーザの場合、ストライプ状電極を介して駆動電流が流される領域は第２の領域から好適には１μｍ以上、より好適には１０μｍ以上、さらに好適には１００μｍ以上離す。第３の領域が存在する場合、最も好適には、ストライプ状電極を介して駆動電流が流される領域が第２の領域および第３の領域を含まないようにする。ストライプ状電極、すなわちレーザストライプの数は一つまたは複数設けてよく、その幅も必要に応じて選ぶことができる。

素子領域の輪郭線は、素子領域に第２の領域が実質的に含まれない範囲で、第２の領域の配列パターンやそれらの間隔あるいは配列周期などに応じて、基板面積を効率的に使用することができるように選ばれるが、典型的には、互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含むように選ばれる。チップ化するためのスクライビング工程においては、好適には、この互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行う。このスクライビングは、典型的には劈開により行うが、他の方法、例えばダイヤモンドソーやレーザビームを用いて行ってもよい。特に劈開によりスクライビングを行う場合、素子領域の輪郭線に互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線が含まれると、第１の領域より平均転位密度が高い第２の領域は機械的強度が第１の領域より低いことから、劈開を容易にしかも良好に行うことができるという利点を有する。これは特に、半導体レーザにおいて良好な共振器端面を得る場合に有利である。素子領域の輪郭線は、第２の領域を一つも通らないように選んでもよい。この場合、第２の領域による悪影響を最小限に止めるため、素子領域の輪郭線は、好適には第２の領域から１μｍ以上離す。そして、スクライビング工程においては、この第２の領域から内側に１μｍ以上離れた輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行う。

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板あるいは窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、最も一般的にはＡｌ_X Ｂ_y Ｇａ_1-x-y-z Ｉｎ_z Ａｓ_u Ｎ_1-u-v Ｐ_v （ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、０≦ｕ＋ｖ＜１）からなり、より具体的にはＡｌ_X Ｂ_y Ｇａ_1-x-y-z Ｉｎ_z Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１）からなり、典型的にはＡｌ_X Ｇａ_1-x-z Ｉｎ_z Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｚ≦１）からなる。窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、最も典型的にはＧａＮからなる。
この発明の第１の発明に関連して述べた以上のことは、その性質に反しない限り、以下の発明についても成立するものである。

この発明の第２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体発光素子である。

この発明の第３の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体発光素子である。

この発明の第６の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第４、第５および第６の発明において、「平均欠陥密度」とは、素子の特性や信頼性などに悪影響を及ぼす格子欠陥全体の平均密度を意味し、欠陥には転位や積層欠陥や点欠陥などあらゆるものが含まれる（以下同様）。

この発明の第７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体発光素子である。

この発明の第９の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第７、第８および第９の発明において、典型的には、結晶からなる第１の領域は単結晶であり、この第１の領域より結晶性が悪い第２の領域は単結晶、多結晶もしくは非晶質またはこれらの二以上が混在したものである（以下同様）。これは、第２の領域の平均転位密度あるいは平均欠陥密度が第１の領域の平均転位密度あるいは平均欠陥密度より高い場合と対応するものである。

この発明の第１０の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第１２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第１５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第１８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０〜第１８の発明において、半導体素子には、発光ダイオードや半導体レーザのような発光素子のほか、受光素子、さらには高電子移動度トランジスタなどの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のような電子走行素子が含まれる（以下同様）。

この発明の第１０〜第１８の発明において、半導体素子の活性領域は、平均転位密度が高い第２の領域による悪影響を防止するために、第２の領域から好適には１μｍ以上、より好適には１０μｍ以上、さらに好適には１００μｍ以上離す。第３の領域が存在する場合、最も好適には、半導体素子の活性領域が第２の領域および第３の領域を含まないようにする。ここで、活性領域とは、半導体発光素子においては発光領域、半導体受光素子においては受光領域、電子走行素子においては電子が走行する領域を意味する（以下同様）。

この発明の第１９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第２０の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、半導体層が成長された半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体発光素子である。

この発明の第２１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第２２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第２３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、半導体層が成長された上記半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体発光素子である。

この発明の第２４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第２５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第２６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、半導体層が成長された半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体発光素子である。

この発明の第２７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第２８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第２９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、半導体層が成長された半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第３０の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第３１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第３２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、半導体層が成長された半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第３３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第３４の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第３５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、半導体層が成長された半導体基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする半導体素子である。

この発明の第３６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９〜第３６の発明において、半導体基板あるいは半導体層の材料は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のほか、ウルツ鉱型（wurtzit)構造、より一般的には六方晶系の結晶構造を有する他の半導体、例えばＺｎＯ、α−ＺｎＳ、α−ＣｄＳ、α−ＣｄＳｅなどであってもよく、さらには他の結晶構造を有する各種の半導体であってもよい。

この発明の第３７の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第３８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、層が成長された基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする素子である。

この発明の第３９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第４０の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第４１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、層が成長された基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする素子である。

この発明の第４２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第４３の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第４４の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの第２の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、層が成長された基板のスクライビングを行うことにより製造された
ことを特徴とする素子である。

この発明の第４５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板の端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在する
ことを特徴とするものである。

この発明の第３７〜第４５の発明において、素子は、半導体素子（発光素子、受光素子、電子走行素子など）のほか、圧電素子、焦電素子、光学素子（非線形光学結晶を用いる第２次高調波発生素子など）、誘電体素子（強誘電体素子を含む）、超伝導素子などである。この場合、基板あるいは層の材料は、半導体素子では上記のような各種の半導体を用いることができ、圧電素子、焦電素子、光学素子、誘電体素子、超伝導素子などでは例えば酸化物などの各種の材料を用いることができる。酸化物材料については、例えばJournal of the Society of Japan Vol.103,No.11(1995)pp.1099-1111 やMaterials Science and Engineering B41(1996)166-173に開示されたものなど、多くのものがある。

この発明の第４６の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第４７の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第４８の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第４９の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第５０の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第５１の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第５２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第５３の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第５４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第５５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第５６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第５７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第５８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第５９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第６０の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第６１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第６２の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第６３の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第６４の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第６５の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第６６の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第６７の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第６８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第６９の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体発光素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第７０の発明は、
下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、種の領域に集合させた後、下地基板を除去し、さらに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が種の領域に互いに平行に規則的にしている窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７１の発明は、
下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、種の領域に集合させた後、下地基板を除去し、さらに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７２の発明は、
下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、種の領域に集合させた後、下地基板を除去し、さらに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７３の発明は、
下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、種の領域に集合させた後、下地基板を除去し、さらに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７４の発明は、
下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、種の領域に集合させた後、下地基板を除去し、さらに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７５の発明は、
下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、種の領域に集合させた後、下地基板を除去し、さらに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７６の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７７の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第７８の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第７９の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第８０の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第８１の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第８２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第８３の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第８４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第８５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第８６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第８７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第８８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第８９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第９０の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第９１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第９２の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第９３の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第９４の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第９５の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第９６の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第９７の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第９８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第９９の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１００の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０４の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が成長された半導体素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０６の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０７の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０８の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１０９の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１０の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１１の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１３の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１１９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２０の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２２の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２３の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２４の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２５の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２６の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２７の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１２９の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３０の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３４の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に発光素子構造を形成する半導体層が成長された半導体発光素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３６の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３７の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３８の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１３９の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４０の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４１の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４３の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１４９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５０の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５２の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５３の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５４の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５５の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５６の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５７の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１５９の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
半導体基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６０の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６４の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層を成長させることにより半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれないように半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板上に素子構造を形成する半導体層が成長された半導体素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、半導体基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が半導体素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６６の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６７の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６８の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１６９の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７０の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が素子の活性領域に含まれないように素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７１の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板の内部、端面または角部に少なくとも一つの第２の領域が存在し、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７２の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７３の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７４の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７５の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７６の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７７の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板に第２の方向の第２の領域の列が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７８の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１７９の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８０の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８１の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８２の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８３の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さい第２の間隔で規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
第１の間隔が５０μｍ以上であり、基板に第２の方向の第２の領域の列が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８４の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８５の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８６の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８７の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８８の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１８９の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
基板に第２の領域が実質的に７本以上含まれず、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９０の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９１の発明は、
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９２の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９３の発明は、
第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９４の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層を成長させることにより素子を製造するようにした素子の製造方法であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれないように基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とするものである。

この発明の第１９５の発明は、
結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板上に素子構造を形成する層が成長された素子であって、
第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、基板に第２の領域が１本以上含まれ、かつ、第２の領域が素子の活性領域に含まれない
ことを特徴とするものである。

この発明の第４６〜第５１、第７６〜第８１、第１０６〜第１１１、第１３６〜第１４１、第１６６〜第１７１の発明においては、その性質に反しない限り、この発明の第１〜第４５の発明に関連して述べたことが成立する。

この発明の第５２〜第５７、第６４〜第６９、第８２〜第８７、第９４〜第９９、第１１２〜第１１７、第１２４〜第１２９、第１４２〜第１４７、第１５４〜第１５９、第１７２〜第１７７、第１８４〜第１８９の発明において、第１の方向の第２の領域の間隔（第１の間隔）あるいは直線状に延在する第２の領域の間隔は、この発明の第１の発明に関連して述べた第２の領域の間隔あるいは第２の領域の配列間隔と同様である。この発明の第５８〜第６３、第７０〜第７５、第８８〜第９３、第１００〜第１０５、第１１８〜第１２３、第１３０〜第１３５、第１４８〜第１５３、第１６０〜第１６５、第１７８〜第１８３の発明において、第１の方向の第２の領域の間隔（第１の間隔）あるいは直線状に延在する第２の領域の間隔は、下限が５０μｍであることを除いて、この発明の第１の発明に関連して述べた第２の領域の間隔あるいは第２の領域の配列間隔と同様である。この発明の第５２〜第６３、第８２〜第９３、第１１２〜第１２３、第１４２〜第１５３、第１７２〜第１８３の発明において、第２の方向の第２の領域の間隔は、基本的には第１の間隔より小さい範囲で自由に選ぶことができものであり、第２の領域の大きさにもよるが、一般的には１０μｍ以上１０００μｍ以下、典型的には２０μｍ以上２００μｍ以下である。

この発明の第５２〜第５７、第６４〜第６９、第８２〜第８７、第９４〜第９９、第１１２〜第１１７、第１２４〜第１２９、第１４２〜第１４７、第１５４〜第１５９、第１７２〜第１７７、第１８４〜第１８９の発明において、第２の方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２の領域の数の上限を７本としたのは、第２の方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２の領域の間隔によっては、素子のチップサイズとの関係で素子領域に７本程度含まれることもあり得ることを考慮したものである。この第２の方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２の領域の数は、一般にチップサイズが小さい半導体発光素子では、典型的には３本以下である。

この発明の第４６〜第１９５の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、この発明の第１〜第４５の発明に関連して述べたことが成立する。
上述のように構成されたこの発明においては、第１の領域より平均転位密度が高い、あるいは平均欠陥密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域が実質的に含まれないように、あるいは第２の領域が素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、あるいは半導体基板、あるいは基板上に素子領域を画定するようにしているので、発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、あるいは半導体層、あるいは各種の材料からなる層に第２の領域から転位などの欠陥が伝播しても、基板のスクライビングにより得られるチップには転位などの欠陥がほとんど存在しないようにすることができる。

第１の領域より平均転位密度が高い、あるいは平均欠陥密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域が実質的に含まれないように、あるいは第２の領域が素子の活性領域に含まれないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、あるいは半導体基板、あるいは基板上に素子領域を画定するようにしているので、基板のスクライビングにより得られるチップには転位などの欠陥がほとんど存在しないようにすることができる。このため、発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子あるいは特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子あるいは特性が良好で信頼性も高く長寿命の各種の素子を実現することができる。

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
以下の実施形態においては、図１Ａに示すように、ある結晶からなる領域Ａ中に、その結晶とは結晶性の異なる領域Ｂが周期的に島状に配列しているものを基板として、その上に半導体素子を形成する場合について説明する。領域Ｂは基板を貫通している。また、領域Ｂは、領域Ａよりも結晶性が悪く、より多くの結晶欠陥を含んでいるものとする。図１Ｂに、領域Ｂの最近接方向の断面図を示す。ここで、領域Ｂは不定多角柱状の形状を有するのが一般的であるが、図１Ａにおいては、簡略化して円柱形状としてある（以下同様）。半導体レーザを製造するには、この基板上に、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相エピタキシャル成長またはハライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）などにより、素子構造を形成する半導体層を順次成長させる。その後、電極の形成などの必要なプロセスを実行し、さらに基板およびその上の半導体層のスクライビングを劈開などにより行ってチップ化することにより、半導体素子を製造する。

このとき、下地基板の結晶欠陥はその上に成長される半導体層にも伝播するため、領域Ｂが含まれている素子領域に形成される半導体素子は、その欠陥の影響を受けて特性が劣ったものとなる。例えば、発光ダイオードや半導体レーザの場合は、発光領域に欠陥が存在すると、発光特性や信頼性が著しく損なわれる。そこで、発光領域、より一般的には活性領域が、領域Ｂによる悪影響を受けることがないように、以下のような手法をとる。

（１）素子のサイズを領域Ｂの存在する周期に合わせて設計する。
例えば、図２に示すように、領域Ｂが六方格子状に等間隔で周期的に配列しており、最近接の領域Ｂの中心同士の間隔が４００μｍである場合、素子領域を４００μｍ×３４６μｍの長方形にする。この３４６μｍという数値は４００μｍ×（３^1/2 ／２）である。

（２）素子領域が実質的に領域Ｂの上に形成されることがないように、言い換えれば素子領域が実質的に領域Ｂを含まないように、その基板上における素子領域の配置を決定する。
例えば、図３において破線に示す線に沿って基板のスクライビングを行うことにより、４００μｍ×３４６μｍの長方形である素子領域を分離してチップ化する。このようにすることにより、領域Ｂは各チップ、すなわち各半導体素子の端面および角部にのみ存在するようになる。

（３）素子内部の活性領域が領域Ｂの上に形成されることがないように、素子における活性領域の位置を設計する。
例えば、半導体レーザの場合、発光領域はストライプ状の形状である場合が多いので、そのストライプが領域Ｂの上に形成されることがないように半導体レーザの構造を設計する。図４に、そのようなストライプ位置の一例を示す。

以上の（１）〜（３）に述べた手法によって、欠陥の多い領域Ｂの影響を意図的に避けるような配置に各素子領域を配置することができる。
上記のことに加えて、特に半導体レーザの場合には、発光領域の共振器端面が領域Ｂの上に形成されることがないように素子領域や素子構造の設計を行う。
半導体レーザではチップの端面を共振器端面として用いるので、図５に示すようにその共振器のミラーとなる部分が結晶欠陥の多い領域Ｂ上に形成されると、レーザの特性が損なわれてしまう。このため、領域Ｂ上には共振器のミラー部が形成されることがないように、発光領域の位置や基板上における素子領域の配置を設計する。
なお、上記の（１）において、４００μｍ×３４６μｍの長方形というのは一例であり、素子のサイズや形状は、（２）および（３）に述べた条件が満たされるように選ばれればよい。

さて、この発明の第１の実施形態について説明する。この第１の実施形態においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域Ａの中に平均転位密度が高い結晶からなる領域Ｂが規則的に配列しているＧａＮ基板の上にＧａＮ系半導体層を成長させてＧａＮ系半導体レーザを形成する場合について説明する。

図６はこの第１の実施形態において用いるＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１の斜視図および断面図は図１Ａおよび図１Ｂと同様である。このＧａＮ基板１はｎ型で（０００１）面（Ｃ面）方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧａＮ基板１においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域Ａの中に平均転位密度が高い結晶からなる領域Ｂが六方格子状に周期的に配列している。この場合、最近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線はＧａＮの〈１−１００〉方向およびそれと等価な方向と一致している。ただし、最近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線をＧａＮの〈１１−２０〉方向およびそれと等価な方向と一致するようにしてもよい。領域ＢはＧａＮ基板１を貫通している。このＧａＮ基板１の厚さは例えば２００〜６００μｍである。なお、図６の破線は領域Ｂの相対的な位置関係を示すためのものにすぎず、実在する（物理的な意味のある）線ではない（以下同様）。

領域Ｂの配列周期（最近接の領域Ｂの中心同士の間隔）は例えば４００μｍ、その直径は例えば２０μｍである。また、領域Ａの平均転位密度は例えば２×１０⁶ ｃｍ^-2、領域Ｂの平均転位密度は例えば１×１０⁸ ｃｍ^-2である。領域Ｂの中心から半径方向の転位密度の分布の一例を図７に示す。
このＧａＮ基板１は、結晶成長技術を用いて例えば次のようにして製造することができる。
このＧａＮ基板１の製造に用いる基本的な結晶成長メカニズムは、ファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、所定の位置に集合させるものである。このファセット面により成長した領域は、転位の移動により、低密度の欠陥領域となる。そのファセット面斜面下部には、明確な境界を持った高密度の欠陥領域を有して成長が行われ、転位は、高密度の欠陥領域の境界あるいはその内部に集合し、ここで消滅あるいは蓄積する。
この高密度の欠陥領域の形状によって、ファセット面の形状も異なる。欠陥領域がドット状の場合は、そのドットを底として、ファセット面が取り巻き、ファセット面からなるピットを形成する。また、欠陥領域がストライプ状の場合は、ストライプを谷底として、その両側にファセット面斜面を有し、横に倒した三角形のプリズム状のファセット面となる。
その後、成長層の表面に研削、研磨を施すことにより、表面を平坦化し、基板として使用することができる形態とすることができる。
また、上記の高密度の欠陥領域は、いくつかの状態があり得る。例えば、多結晶からなる場合がある。また、単結晶であるが、周りの低密度欠陥領域に対して微傾斜している場合もある。また、周りの低密度欠陥領域に対して、Ｃ軸が反転している場合もある。こうして、この高密度欠陥領域は、明確な境界を有しており、周りと区別される。
この高密度欠陥領域を有して成長させることにより、その周りのファセット面を埋め込むことなく、ファセット面を維持して成長を進行することができる。
この高密度欠陥領域は、下地基板上にＧａＮを結晶成長させる際に、高密度欠陥領域を形成する場所に、種をあらかじめ形成しておくことにより、発生させることができる。その種としては、非晶質あるいは多結晶の層を形成する。その上から、ＧａＮを成長させることで、ちょうどその種の領域に、高密度欠陥領域を形成することができる。
このＧａＮ基板１の具体的な製造方法は次のとおりである。まず、下地基板を用意する。この下地基板としては種々の基板を用いることができ、一般的なサファイア基板でもよいが、後工程で除去することを考慮すると、除去しやすいＧａＡｓ基板などを用いることが好ましい。そして、この下地基板上に、例えばＳｉＯ₂ 膜からなる種を形成する。この種の形状は、例えばドット状またはストライプ状とすることができる。この種は規則正しく、多数個形成することができる。より具体的には、この場合、種は、図６に示す領域Ｂの配置に対応した配置で形成する。その後、例えばハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させる。成長後、ＧａＮの厚膜層の表面には、種のパターン形状に応じたファセット面が形成される。この第１の実施形態のように種がドット状のパターンの場合は、ファセット面からなるピットが規則正しく形成される。一方、種がストライプ状のパターンの場合は、プリズム状のファセット面が形成される。
その後、下地基板を除去し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表面を平坦化する。これによって、ＧａＮ基板１を製造することができる。ここで、ＧａＮ基板１の厚さは、自由に設定することができる。
このようにして製造されたＧａＮ基板１は、Ｃ面が主面であり、その中に、所定のサイズのドット状（あるいはストライプ状）の高密度欠陥領域、すなわち領域Ｂが規則正しく形成された基板となっている。領域Ｂ以外の単結晶領域、すなわち領域Ａは、領域Ｂに比べて低転位密度となっている。

この第１の実施形態においては、図６に示すＧａＮ基板１上に、図７に示すような形状および配置で素子領域２（太い実線で囲まれた一区画）を画定する。そして、ＧａＮ基板１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させ、レーザストライプの形成、電極の形成などの必要なプロセスを実行してレーザ構造を形成した後、素子領域の輪郭線に沿って、レーザ構造が形成されたＧａＮ基板１のスクライビングを行うことにより個々のＧａＮ系半導体レーザチップに分離する。

図８においては、グレーの長方形が一つのＧａＮ系半導体レーザを表し、その中央付近に描かれた直線がレーザストライプ３であり、これが発光領域の位置に相当する。さらに、それらが連なった破線で描かれた長方形がレーザバー４を表していて、このレーザバー４の長辺が共振器端面に相当する。

図８に示す例においては、ＧａＮ系半導体レーザのサイズが例えば６００μｍ×３４６μｍであり、横方向（長辺方向）は領域Ｂを結ぶ直線に沿って、縦方向（短辺方向）は領域Ｂを通らない直線に沿って、それぞれ基板のスクライビングを行うことによってそのサイズのＧａＮ系半導体レーザに分離する。

この場合、領域Ｂは各ＧａＮ系半導体レーザの長辺の端面部分にのみ存在することになるので、レーザストライプ３が短辺の中点同士を結ぶ直線の近傍に位置するように素子の設計を行うことにより、領域Ｂの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。
共振器のミラーについては、図８中の縦方向の直線に沿って、劈開などにより基板のスクライビングを行うことにより端面に形成されるが、その直線が領域Ｂを通らないので、領域Ｂにおける転位の影響を受けることはない。したがって、発光特性が良く、信頼性が高いＧａＮ系半導体レーザを得ることができる。

ＧａＮ系半導体レーザの具体的な構造および製造プロセスの一例を挙げると、次のとおりである。ここでは、リッジ構造およびＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造を有するＧａＮ系半導体レーザについて説明する。

すなわち、図９に示すように、まず、ＧａＮ基板１の表面をサーマルクリーニングなどにより清浄化した後、その上にＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバッファ層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型ＧａＮ光導波層７、アンドープのＧａ_1-x Ｉｎ_x Ｎ／Ｇａ_1-y Ｉｎ_y Ｎ多重量子井戸構造の活性層８、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０、ｐ型ＧａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３を順次エピタキシャル成長させる。

ここで、ｎ型ＧａＮバッファ層５は厚さが例えば０．０５μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉがドープされている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６は厚さが例えば１．０μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉがドープされ、Ａｌ組成は例えば０．０８である。ｎ型ＧａＮ光導波層７は厚さが例えば０．１μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉがドープされている。アンドープＩｎ_x Ｇａ_1-x Ｎ／Ｉｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ多重量子井戸構造の活性層８は、例えば、井戸層としてのＩｎ_x Ｇａ_1-x Ｎ層の厚さが３．５ｎｍでｘ＝０．１４、障壁層としてのＩｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ層の厚さが７ｎｍでｙ＝０．０２、井戸数が３である。

アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９は、活性層８に接している面から、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９に接している面に向かってＩｎ組成が徐々に単調減少するグレーディッド構造を有し、活性層８に接している面におけるＩｎ組成は活性層８の障壁層としてのＩｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ層のＩｎ組成ｙと一致しており、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０に接している面におけるＩｎ組成は０となっている。このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９の厚さは例えば２０ｎｍである。

ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０は厚さが例えば１０ｎｍであり、ｐ型不純物として例えばマグネシウム（Ｍｇ）がドープされている。このｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０のＡｌ組成は例えば０．２である。このｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０は、ｐ型ＧａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３の成長時に活性層８からＩｎが脱離して劣化するのを防止するとともに、活性層８からのキャリア（電子）のオーバーフローを防止するためのものである。ｐ型ＧａＮ光導波層１１は厚さが例えば０．１μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２は厚さが例えば０．５μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされ、Ａｌ組成は例えば０．０８である。ｐ型ＧａＮコンタクト層１３は厚さが例えば０．１μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされている。

また、Ｉｎを含まない層であるｎ型ＧａＮバッファ層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型ＧａＮ光導波層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０、ｐ型ＧａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３の成長温度は例えば１０００℃程度とし、Ｉｎを含む層であるＧａ_1-x Ｉｎ_x Ｎ／Ｇａ_1-y Ｉｎ_y Ｎ多重量子井戸構造の活性層８の成長温度は例えば７００〜８００℃、例えば７３０℃とする。アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９の成長温度は、成長開始時点は活性層８の成長温度と同じく例えば７３０℃に設定し、その後例えば直線的に上昇させ、成長終了時点でｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０の成長温度と同じく例えば８３５℃になるようにする。

これらのＧａＮ系半導体層の成長原料は、例えば、Ｇａの原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ₃ ）₃ Ｇａ、ＴＭＧ）、Ａｌの原料としてはトリメチルアルミニウム（（ＣＨ₃ ）₃ Ａｌ、ＴＭＡ）、Ｉｎの原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ₃ ）₃ Ｉｎ、ＴＭＩ）を、Ｎの原料としてはＮＨ₃ を用いる。また、キャリアガスとしては、例えば、Ｈ₂ を用いる。ドーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例えばモノシラン（ＳｉＨ₄ ）を、ｐ型ドーパントとしては例えばビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ₃ Ｃ₅ Ｈ₄ ）₂ Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ₅ Ｈ₅ ）₂ Ｍｇ）を用いる。

次に、上述のようにしてＧａＮ系半導体層を成長させたＧａＮ基板１をＭＯＣＶＤ装置から取り出す。そして、ｐ型ＧａＮコンタクト層１３の全面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例えば厚さが０．１μｍのＳｉＯ₂ 膜（図示せず）を形成した後、このＳｉＯ₂ 膜上にリソグラフィーによりリッジ部の形状に対応した所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして、例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチング、または、ＣＦ₄ やＣＨＦ₃ などのフッ素を含むエッチングガスを用いたＲＩＥ法によりＳｉＯ₂ 膜をエッチングし、リッジ部に対応する形状とする。

次に、このＳｉＯ₂ 膜をマスクとしてＲＩＥ法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２の厚さ方向の所定の深さまでエッチングを行うことにより、図１０に示すように、〈１−１００〉方向に延在するリッジ１４を形成する。このリッジ１４の幅は例えば３μｍである。このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩素系ガスを用いる。

次に、エッチングマスクとして用いたＳｉＯ₂ 膜をエッチング除去した後、基板全面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例えば厚さが０．３μｍのＳｉＯ₂ 膜のような絶縁膜１５を成膜する。この絶縁膜１５は電気絶縁および表面保護のためのものである。

次に、リソグラフィーによりｐ側電極形成領域を除いた領域の絶縁膜１５の表面を覆うレジストパターン（図示せず）を形成する。
次に、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜１５をエッチングすることにより、開口１５ａを形成する。

次に、レジストパターンを残したままの状態で、基板全面に例えば真空蒸着法により例えばＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターンをその上に形成されたＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜とともに除去する（リフトオフ）。これによって、絶縁膜１５の開口１５ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層１３にコンタクトしたｐ側電極１６が形成される。ここで、このｐ側電極１６を構成するＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍおよび３００ｎｍとする。次に、ｐ側電極１６をオーミック接触させるためのアロイ処理を行う。

次に、ＧａＮ基板１の裏面に例えば真空蒸着法により例えばＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成し、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｎ側電極１７を形成する。ここで、このｎ側電極１７を構成するＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、５０ｎｍおよび１００ｎｍとする。次に、ｎ側電極１７をオーミック接触させるためのアロイ処理を行う。

次に、素子領域２の輪郭線に沿って、上述のようにしてレーザ構造が形成されたＧａＮ基板１のスクライビングを劈開により行ってレーザバー４に加工して両共振器端面を形成する。次に、これらの共振器端面に端面コーティングを施した後、再びこのレーザバー４のスクライビングを劈開などにより行ってチップ化する。
以上により、図１１に示すように、目的とするリッジ構造およびＳＣＨ構造を有するＧａＮ系半導体レーザが製造される。

以上のように、この第１の実施形態によれば、平均転位密度が低い領域Ａの中に平均転位密度が高い領域Ｂが六方格子状に周期的に配列しているＧａＮ基板１上に領域Ｂを実質的に含まないように素子領域２を画定した上で、このＧａＮ基板１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させているので、このＧａＮ系半導体層にＧａＮ基板１の領域Ｂから転位などの欠陥が伝播しても、素子領域２上のＧａＮ系半導体層にはその影響が及ばないようにすることができる。そして、ＧａＮ系半導体層を成長させた後にリッジ１４の形成、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７の形成などを行った後、素子領域２の輪郭線に沿って、レーザ構造が形成されたＧａＮ基板１のスクライビングを行うことにより個々のＧａＮ系半導体レーザチップに分離しているので、このＧａＮ系半導体レーザチップにはＧａＮ基板１から引き継がれる転位はほとんど存在しない。このため、発光特性が良好で、信頼性が高く長寿命のＧａＮ系半導体レーザを実現することができる。

加えて、この第１の実施形態によれば、活性層８に接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９が設けられ、このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９に接してｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０が設けられているので、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９により、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０により活性層８に発生する応力を大幅に緩和することができるとともに、ｐ型層のｐ型ドーパントとして用いられるＭｇが活性層７に拡散するのを有効に抑制することができる。

次に、この発明の第２の実施形態について説明する。
図１２に示すように、この第２の実施形態においては、第１の実施形態と異なり、長方形の素子領域２の輪郭線は、その長辺および短辺とも、領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなる。この場合も、レーザストライプ３の位置は、素子領域２の短辺の中点同士を結ぶ線上とする。こうすることにより、領域Ｂの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。

この第２の実施形態においては、領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなる、素子領域２の輪郭線に沿って劈開によりスクライビングを行うことにより共振器のミラーが形成されることが第１の実施形態と異なっている。
ここで、領域Ｂは転位が多いので、領域Ａよりも壊れやすいと考えられる。したがって、領域Ｂ同士を結ぶ直線に沿ってスクライビングを行うと、領域Ｂがいわばミシン目のような役割を果たして領域Ａの部分もきれいに劈開される。この際、領域Ｂの部分の端面は転位が多いため、必ずしも平坦にならないが、その間の領域Ａの部分の端面は平坦となる。図１３に端面の形状を概念的に示す。

平坦性が必要とされるのは、レーザストライプ２の端面部分であるが、図１２に示すような配置であれば、領域Ｂの部分の端面は発光特性などに悪影響を及ばさない。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第３の実施形態について説明する。
この第３の実施形態においては、図１４に示すように、ＧａＮ基板１において、平均転位密度が低い結晶からなる領域Ａの中に平均転位密度が高い結晶からなる領域Ｂが長方形格子状に周期的に配列している。そして、領域Ｂがその四つの角部に位置するこの一つの長方形を素子領域２とする。この場合、長方形の長辺方向の最近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線はＧａＮの〈１−１００〉方向と一致し、短辺方向の最近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線はＧａＮの〈１１−２０〉方向と一致している。

長方形格子の長辺方向の領域Ｂの配列周期は例えば６００μｍ、短辺方向の領域Ｂの配列周期は例えば４００μｍであり、この場合、素子領域２のサイズは６００μｍ×４００μｍとなる。
素子領域２のレーザストライプ３は長方形格子の短辺方向の辺の中点を結ぶ直線上とする。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第３の実施形態によっても、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第４の実施形態について説明する。
この第４の実施形態においては、図１５に示すように、ＧａＮ基板１の領域Ａの中に領域Ｂが六方格子状に周期的に配列していることは第１の実施形態と同様であるが、領域Ａと領域Ｂとの間に、領域Ａの平均転位密度と領域Ｂの平均転位密度との中間的な平均転位密度の領域Ｃが遷移領域として形成されていることが第１の実施形態と異なる。具体的には、領域Ａの平均転位密度は２×１０⁶ ｃｍ^-2以下、領域Ｂの平均転位密度は１×１０⁸ ｃｍ^-2以上、領域Ｃの平均転位密度は１×１０⁸ ｃｍ^-2より小さく、２×１０⁶ ｃｍ^-2より大きい。領域Ｂの配列周期（最近接の領域Ｂの中心同士の間隔）は例えば３００μｍ、その直径は例えば２０μｍである。また、領域Ｃの直径は例えば１２０μｍである。

この場合、第１の実施形態と異なり、長方形の素子領域２の輪郭線は、その長辺および短辺とも、領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなる。素子領域２のサイズは例えば６００μｍ×２６０μｍである。この場合も、レーザストライプ３の位置は、素子領域２の短辺の中点同士を結ぶ線上とするが、このレーザストライプ３は領域Ｂおよび領域Ｃとも含まない。こうすることにより、領域Ｂおよび領域Ｃの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第４の実施形態によっても、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第５の実施形態について説明する。
この第５の実施形態においては、図１６に示すように、ＧａＮ基板１の領域Ａの中に領域Ｂが六方格子状に周期的に配列していることは第１の実施形態と同様であるが、領域Ａと領域Ｂとの間に、領域Ａの平均転位密度と領域Ｂの平均転位密度との中間的な平均転位密度の領域Ｃが遷移領域として形成されていることが第１の実施形態と異なる。具体的には、領域Ａの平均転位密度は２×１０⁶ ｃｍ^-2以下、領域Ｂの平均転位密度は１×１０⁸ ｃｍ^-2以上、領域Ｃの平均転位密度は１×１０⁸ ｃｍ^-2より小さく、２×１０⁶ ｃｍ^-2より大きい。領域Ｂの配列周期（最近接の領域Ｂの中心同士の間隔）は例えば４００μｍ、その直径は例えば２０μｍである。また、領域Ｃの直径は例えば１２０μｍである。

この場合、第１の例においては、第１の実施形態と異なり、長方形の素子領域２の短辺方向の輪郭線は領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなるが、長辺方向の輪郭線は最近接の領域Ｂの中心同士を結ぶ直線から例えば２３μｍ離れている。この場合、素子領域２のサイズは例えば４００μｍ×３００μｍである。この場合も、レーザストライプ３の位置は、素子領域２の短辺の中点同士を結ぶ線上とするが、このレーザストライプ３は領域Ｂおよび領域Ｃとも含まない。こうすることにより、領域Ｂおよび領域Ｃの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。

一方、第２の例においては、長方形の素子領域２の長辺方向の輪郭線は〈１−１００〉方向の最近接の領域Ｂの中心同士を結ぶ直線から例えば２３μｍ離れており、短辺方向の輪郭線は〈１１−２０〉方向の最近接の領域Ｂの中心同士を結ぶ直線から例えば１００μｍ離れている。この場合も、素子領域２のサイズは例えば４００μｍ×３００μｍである。レーザストライプ３の位置は、素子領域２の短辺の中点同士を結ぶ線上とするが、このレーザストライプ３は領域Ｂおよび領域Ｃとも含まない。こうすることにより、領域Ｂおよび領域Ｃの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第５の実施形態によっても、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第６の実施形態について説明する。
この第６の実施形態においては、ＧａＮ基板１の領域Ａの中に領域Ｂが六方格子状に周期的に配列していることは第１の実施形態と同様であるが、この場合、図１７に示すように、〈１−１００〉方向の最近接の領域Ｂの中心同士を結ぶ間隔が長方形の素子領域２の短辺の長さの２倍に設定されており、具体的には例えば７００μｍに設定されている。〈１−１００〉方向の最近接の領域Ｂのこの素子領域２の短辺方向の輪郭線は〈１１−２０〉方向の最近接の領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなり、長辺方向の輪郭線は〈１−１００〉方向の最近接の領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなる。この場合、素子領域２のサイズは例えば６０６μｍ×３５０μｍである。レーザストライプ３の位置は、素子領域２の短辺の中点同士を結ぶ線上とするが、このレーザストライプ３は領域Ｂを含まない。こうすることにより、領域Ｂの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第６の実施形態によっても、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第７の実施形態について説明する。
図１８に示すように、この第７の実施形態においては、素子領域２に、レーザストライプ３が互いに平行に二つ形成される。この素子領域２の輪郭線に沿ってスクライビングを行うことにより得られるＧａＮ系半導体レーザチップを図１９に示す。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第７の実施形態によれば、マルチビームのＧａＮ系半導体レーザにおいて第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第８の実施形態について説明する。
図２０に示すように、この第８の実施形態においては、素子領域２にレーザストライプ３が形成されるのは第１の実施形態と同様であるが、この場合、このレーザストライプ３の幅は第１の実施形態に比べてずっと大きく選ばれている。具体的には、このレーザストライプ３の幅は、長方形の素子領域２の短辺の長さをａ、領域Ｂの直径をｄとすると、最大限ａ−ｄとすることができるが、レーザストライプ３は領域Ｂから少なくとも１μｍ以上離すのが望ましいので、これを考慮すると、レーザストライプ３の幅の上限はａ−ｄ−２μｍとなる。例えば、ａ＝３４６μｍ、ｄ＝２０μｍである場合には、レーザストライプ３の幅の上限は３４６−２０−２＝３２４μｍとなる。一つの例を挙げれば、レーザストライプ３の幅を２００μｍとする。このとき、素子領域２の輪郭線に沿ってスクライビングを行うことにより得られるＧａＮ系半導体レーザチップを図２１に示す。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第８の実施形態によれば、レーザストライプ３の幅が極めて大きい超高出力のＧａＮ系半導体レーザにおいて第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第９の実施形態について説明する。
図２２はこの第９の実施形態において用いるＧａＮ基板を示す平面図である。 図２２に示すように、この第９の実施形態においては、領域Ｂがレーザストライプ３に含まれないように素子領域２が画定される。ここで、レーザストライプ３は領域Ｂから５０μｍ以上離れている。この場合、素子領域２には２個の領域Ｂが含まれることになる。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第９の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１０の実施形態について説明する。
図２３はこの第１０の実施形態において用いるＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１はｎ型でＣ面方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧａＮ基板１においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域Ａの中に平均転位密度が高い結晶からなる領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば４００μｍ間隔で周期的に配列し、〈１１−２０〉方向と直交する〈１−１００〉方向に例えば２０〜１００μｍ間隔で周期的に配列している。ただし、〈１１−２０〉方向と〈１−１００〉方向とを入れ替えてもよい。

この第１０の実施形態においては、図２４に示すように、レーザストライプ３に平行な一対の端面が〈１−１００〉方向の領域Ｂの列を通り、かつ、レーザストライプ３がこの領域Ｂの列の間の領域の中央付近に位置するように素子領域２が画定される。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１０の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１１の実施形態について説明する。
図２５に示すように、この第１１の実施形態においては、第１０の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−１００〉方向の領域Ｂの列を通り、他方の端面がこの領域Ｂの列から離れた位置を通る点で、第１０の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１０および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１１の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１２の実施形態について説明する。
図２６に示すように、この第１２の実施形態においては、第１０の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一対の端面がいずれも〈１−１００〉方向の領域Ｂの列の間に位置し、かつ、レーザストライプ３がこの領域Ｂの列の間の領域の中央付近に位置するように素子領域２が画定される点で、第１０の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１０および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１３の実施形態について説明する。
図２７に示すように、この第１３の実施形態においては、第１０の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−１００〉方向の領域Ｂの列を通り、他方の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂの列とその次の領域Ｂの列との間に位置し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂの列から５０μｍ以上離れた位置を通る点で、第１０の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は１本含まれる。
上記以外のことは第１０および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１４の実施形態について説明する。
図２８に示すように、この第１４の実施形態においては、第１０の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−１００〉方向の領域Ｂの列から離れた位置を通り、他方の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂの列とその次の領域Ｂの列との間に位置し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂの列から５０μｍ以上離れた位置を通る点で、第１０の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は１本含まれる。
上記以外のことは第１０および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１５の実施形態について説明する。
図２９はこの第１５の実施形態において用いるＧａＮ基板１を示す平面図である。このＧａＮ基板１は、領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば２００μｍ間隔で周期的に配列していることを除いて、第１０の実施形態において用いたＧａＮ基板１と同様である。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は２本含まれる。

図２９に示すように、この第１５の実施形態においては、レーザストライプ３が隣接する領域Ｂの列の間の領域の中央付近に位置し、かつ、レーザストライプ３に平行な一対の端面がこれらの領域Ｂの列とそれらの直ぐ外側の領域Ｂの列との間の領域の中央付近に位置する。
上記以外のことは第１０および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１６の実施形態について説明する。
図３０はこの第１６の実施形態において用いるＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１はｎ型でＣ面方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧａＮ基板１においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域Ａの中に、平均転位密度が高い結晶からなり、ＧａＮの〈１−１００〉方向に線状に延在する領域Ｂが〈１−１００〉方向と直交する〈１１−２０〉方向に例えば４００μｍ間隔で周期的に配列している。ただし、〈１−１００〉方向と〈１１−２０〉方向とを入れ替えてもよい。

この第１６の実施形態においては、図３１に示すように、レーザストライプ３に平行な一対の端面が領域Ｂを通り、かつ、レーザストライプ３がこの領域Ｂの間の領域の中央付近に位置するように素子領域２が画定される。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１６の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１７の実施形態について説明する。
図３２に示すように、この第１７の実施形態においては、第１６の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が領域Ｂを通り、他方の端面がこの領域Ｂの列から離れた位置を通る点で、第１６の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１６および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１７の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１８の実施形態について説明する。
図３３に示すように、この第１８の実施形態においては、第１６の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一対の端面がいずれも領域Ｂの間に位置し、かつ、レーザストライプ３がこの領域Ｂの間の領域の中央付近に位置するように素子領域２が画定される点で、第１６の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１６および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１８の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第１９の実施形態について説明する。
図３４に示すように、この第１９の実施形態においては、第１６の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が領域Ｂを通り、他方の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂとその次の領域Ｂとの間に位置し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂから５０μｍ以上離れた位置を通る点で、第１６の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂは１本含まれる。
上記以外のことは第１６および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第１９の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第２０の実施形態について説明する。
図３５に示すように、この第２０の実施形態においては、第１６の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が領域Ｂから離れた位置を通り、他方の端面がこの領域Ｂに直ぐ隣接する領域Ｂとその次の領域Ｂとの間に位置し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂから５０μｍ以上離れた位置を通る点で、第１６の実施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は１本含まれる。
上記以外のことは第１６および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第２０の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

次に、この発明の第２１の実施形態について説明する。
図３６はこの第２１の実施形態において用いるＧａＮ基板１を示す平面図である。このＧａＮ基板１は、領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば２００μｍ間隔で周期的に配列していることを除いて、第１６の実施形態において用いたＧａＮ基板１と同様である。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は２本含まれる。

図３６に示すように、この第２１の実施形態においては、レーザストライプ３が隣接する領域Ｂの間の領域の中央付近に位置し、かつ、レーザストライプ３に平行な一対の端面がこれらの領域Ｂとそれらの直ぐ外側の領域Ｂとの間の領域の中央付近に位置する。
上記以外のことは第１６および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第２１の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。

具体的には、例えば、上述の実施形態においては、レーザ構造を形成するｎ型層を基板上に最初に積層し、その上にｐ型層を積層しているが、これと積層順序を逆にし、基板上に最初にｐ型層を積層し、その上にｎ型層を積層した構造としてもよい。

また、上述の実施形態においては、この発明をＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザの製造に適用した場合について説明したが、この発明は、例えば、ＤＨ（Double Heterostructure）構造のＧａＮ系半導体レーザの製造に適用してもよいことはもちろん、ＧａＮ系発光ダイオードの製造に適用してもよく、さらにはＧａＮ系ＦＥＴやＧａＮ系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた電子走行素子に適用してもよい。

さらに、上述の実施形態においては、ＭＯＣＶＤ法により成長を行う際のキャリアガスとしてＨ₂ ガスを用いているが、必要に応じて、他のキャリアガス、例えばＨ₂ とＮ₂ あるいはＨｅ、Ａｒガスなどとの混合ガスを用いてもよい。
また、上述の実施形態においては、劈開により共振器端面を形成しているが、共振器端面は例えばＲＩＥのようなドライエッチングにより形成してもよい。

この発明の実施形態の要点を説明するための斜視図および断面図である。 この発明の実施形態の要点を説明するための平面図である。 この発明の実施形態の要点を説明するための平面図である。 この発明の実施形態の要点を説明するための平面図である。 この発明の実施形態の要点を説明するための平面図である。 この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１の実施形態において用いるＧａＮ基板の高欠陥領域の近傍における転位密度の分布の一例を示す略線図である。 この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。 この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。 この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。 この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。 この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法においてスクライビングにより得られるチップの端面を示す略線図である。 この発明の第３の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第５の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第６の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第７の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第７の実施形態により製造されたＧａＮ系半導体レーザを示す断面図である。 この発明の第８の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第８の実施形態により製造されたＧａＮ系半導体レーザを示す断面図である。 この発明の第９の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１０の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１０の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１２の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１３の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１５の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１６の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１６の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１７の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１８の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第１９の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第２０の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。 この発明の第２１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。

符号の説明

１…ＧａＮ基板、２…素子領域、３…レーザストライプ、５…ｎ型ＧａＮバッファ層、６…ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、７…ｎ型ＧａＮ光導波層、８…活性層、９…アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層、１０…ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層、１１…ｐ型ＧａＮ光導波層、１２…ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、１３…ｐ型ＧａＮコンタクト層、１４…リッジ、１５…絶縁膜、１６…ｎ側電極、１７…ｐ側電極

Claims (16)

1. 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
   上記第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、上記第２の領域が１本以上含まれ、かつ、上記第２の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないように上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
   ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
2. 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
   上記第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に上記第２の領域が１本以上含まれ、かつ、上記第２の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないようにした
   ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
3. 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
   上記第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、上記第２の領域が１本以上含まれ、かつ、上記第２の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないように上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
   ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
4. 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
   上記第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に上記第２の領域が１本以上含まれ、かつ、上記第２の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないようにした
   ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
5. 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
   上記第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、上記第２の領域が１本以上含まれ、かつ、上記第２の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないように上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
   ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
6. 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に５０μｍ以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、結晶からなる第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
   上記第２の領域の間隔が５０μｍ以上であり、上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に上記第２の領域が１本以上含まれ、かつ、上記第２の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないようにした
   ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
7. 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項１、３または５記載の半導体発光素子の製造方法。
8. 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項２、４または６記載の半導体発光素子の製造方法。
9. 上記半導体発光素子の発光領域が上記第２の領域から５０μｍ以上離れていることを特徴とする請求項１、３または５記載の半導体発光素子の製造方法。
10. 上記半導体発光素子の発光領域が上記第２の領域から５０μｍ以上離れていることを特徴とする請求項２、４または６記載の半導体発光素子の製造方法。
11. 少なくとも１本の上記第２の領域中に含まれる直線を含む輪郭線に沿って、上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことを特徴とする請求項１、３または５記載の半導体発光素子の製造方法。
12. ２本の上記第２の領域中に含まれる２本の直線を含む輪郭線に沿って、上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板のスクライビングを行うことを特徴とする請求項１、３または５記載の半導体発光素子の製造方法。
13. 上記発光領域が互いに隣接する２本の上記第２の領域の中央に位置することを特徴とする請求項１、３または５記載の半導体発光素子の製造方法。
14. 少なくとも１本の上記第２の領域中に上記発光領域と平行な上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の少なくとも一つの端面が位置することを特徴とする請求項２、４または６記載の半導体発光素子の製造方法。
15. ２本の上記第２の領域中に上記発光領域と平行な上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の二つの端面が位置することを特徴とする請求項２、４または６記載の半導体発光素子の製造方法。
16. 上記発光領域が互いに隣接する２本の上記第２の領域の中央に位置することを特徴とする請求項２、４または６記載の半導体発光素子の製造方法。

Images