JP3716288B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3716288B2 JP3716288B2 JP29165698A JP29165698A JP3716288B2 JP 3716288 B2 JP3716288 B2 JP 3716288B2 JP 29165698 A JP29165698 A JP 29165698A JP 29165698 A JP29165698 A JP 29165698A JP 3716288 B2 JP3716288 B2 JP 3716288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel
- conductivity type
- buried
- region
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、埋め込みチャネル型MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)を含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、埋め込みチャネル型MOSFETは、製造プロセスの工数が表面チャネル型MOSFETに比較して少ないことなどが原因となって、コストを低く抑えることができ、また、例えばp−MOSFETの場合には、p+ 多結晶Siゲート電極が不要となるので、ゲート電極からボロンがチャネルへ拡散する旨の問題が起こらず、製造歩留りを向上させることができ、更にまた、n+ 多結晶Siとp+ 多結晶Si間に於ける不純物相互拡散の問題がない為、素子面積を縮小することができるなど優れた特徴をもっている。
【0003】
然しながら、埋め込みチャネル型MOSFETにも欠点がないわけではなく、例えば表面チャネル型MOSFETと比較した場合、チャネルがゲート電極から離れて形成されていること、ソース・ドレイン間にpn接合がない為に短チャネル効果に耐性がなく、短チャネル領域で使用した場合、多結晶Siゲート電極のゲート長方向の加工寸法ばらつきに起因する特性変動が大きい旨の問題がある。
【0004】
このようなことから、ゲート長を0.25〔μm〕以下とするMOSFETの世代では、製造歩留りが低下し、実用化は困難であるとされている。
【0005】
また、それほど新しい技術ではないが、埋め込みチャネル型MOSFETを微細化する為、チャネル領域直下の一部で且つソース領域とドレイン領域のチャネル側端にドレイン電圧に依るポテンシャルの伸びを抑制する高濃度不純物層を形成することが行なわれている(要すれば「特開昭61−160975号公報」、「特開平7−326739号公報」などを参照)。
【0006】
図7はドレイン電圧に依るポテンシャルの伸びを抑制する構成をもった埋め込みチャネル型MOSFETを表す要部説明図であり、不純物濃度プロファイルを表す線図を付記してある。尚、図示の埋め込みチャネル型MOSFETは、特開昭61−160975号公報に示されているものと略同じであり、また、線図に見られる不純物濃度プロファイルは、図示の埋め込みチャネル型MOSFETの構造から予想して作成したものである。
【0007】
図に於いて、11はn- ウエル、12はp型チャネル領域、13はゲート酸化膜、14はゲート電極、15はn型高濃度不純物層、16は側壁酸化膜、17Sはp型ソース領域、17Dはp型ドレイン領域をそれぞれ示し、また、線図の横軸はチャネル方向の位置、縦軸はn型不純物濃度をそれぞれ示している。
【0008】
図から明らかなように、この埋め込みチャネル型MOSFETは、p型チャネル領域12のp型ソース領域17S側端及びp型ドレイン領域17D側端に於ける直下に位置し、且つ、p型チャネル領域12を覆うようにn型高不純物濃度層15が形成された構造になっている。
【0009】
この構造に依ると、ドレイン電圧に依るポテンシャルの伸びを抑制することはできるが、図に付記した線図に見られる通り、p型チャネル領域12に沿ってn型不純物が一定になっている領域が存在し、従って、ゲート電極14のゲート長方向の加工寸法ばらつきに起因する特性変動を回避することはできず、製造歩留りの向上は期待できない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、ゲート長として例えばサブ0.25〔μm〕が要求される場合であっても、多結晶Siゲート電極の加工ばらつきに起因する悪影響を受け難くいようにして、閾値電圧Vthの低下やゲート電圧が零のときにソース・ドレイン間に流れるリーク電流、即ち、サブスレショルドリークの増大などが起こらない埋め込みチャネル型MOSFETを実現しようとする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
図1は本発明の原理を説明する為の不純物濃度プロファイルを表す線図を併記した半導体装置の要部説明図である。
【0012】
図に於いて、1はn- ウエル、2はp+ チャネル層、3はゲート絶縁膜、4はn+ 多結晶Siゲート電極、5はp++ソース領域、6はp++ドレイン領域、7はチャネル領域をそれぞれ示し、また、線図の横軸はチャネル方向の位置、縦軸はn型不純物濃度をそれぞれ示している。
【0013】
従来の埋め込みチャネル型MOSFET、例えば図7について説明したものも同じであるが、チャネルに沿うp型層及びその下のn型層に於ける不純物濃度は一定であったが、本発明では、図1から明らかなうに、チャネルに沿うn型層のn型不純物の濃度は不均一にしてあり、これに伴ってn型層の上に在るp型層のp型不純物の濃度も変化する。
【0014】
この構成にした場合、チャネルに於ける不純物濃度プロファイルは、多結晶Si膜をエッチングしてゲート電極4を形成し、そのゲート長方向の加工寸法が設計値に比較して大きくなった場合、チャネルの中央部分に於けるn型層のn型不純物濃度は自然発生的に設計値よりも低くなるようにすることができる。
【0015】
従って、ゲート長方向の加工寸法が設計値に比較して大きくなったことに起因する短チャネル効果の減少、具体的には閾値電圧Vthの下降、並びに、チャネル内のn型不純物濃度が低下したことに依る短チャネル効果の増大、具体的には閾値電圧Vthの上昇が同時に起こって、短チャネル効果の程度は一定となって閾値電圧Vthの低下は抑制される。
【0016】
反対に、ゲート長方向の加工寸法が設計値に比較して小さくなった場合、チャネルの中央部分に於けるn型層のn型不純物濃度は自然発生的に設計値よりも高くなる。
【0017】
従って、短チャネル効果の態様も前記の場合と反対になり、やはり短チャネル効果の程度は一定となって、長チャネルと殆ど変わらない閾値電圧Vthを維持することができ、換言すると、ゲート電極を作成する際、ゲート長方向の加工寸法にばらつきが生じても、閾値電圧Vthを一定に維持することが可能ということである。
【0018】
前記したところから、本発明に依る半導体装置に於いては、
(1)
埋め込み一導電型チャネル領域(例えば埋め込みチャネル領域7)に於ける反対導電型不純物濃度がチャネル長方向に於いてチャネル中央部分からソース側(例えばp++ソース領域5側)及びドレイン側(例えばp++ドレイン領域6側)に向かって一定となる領域を有することなく漸増して分布する(例えば図1に付記した線図を参照)埋め込み一導電チャネル型MOSFETが含まれてなることを特徴とするか、
或いは、半導体装置の製造方法に於いて、
(2)
一導電型基板上に形成されたゲート絶縁膜およびゲート電極の側壁に、前記一導電型と反対導電型不純物を含有するサイドウォールを形成する工程と、前記サイドウォールを熱処理することにより、前記サイドウォール中の前記反対導電型不純物を前記一導電型基板中に拡散させ、前記反対導電型不純物濃度のチャネル長方向分布を、チャネル中央部分からソース側及びドレイン側に向かって一定となる領域を有することなく漸増させる工程と、前記熱処理後に前記サイドウォールを除去し、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極をマスクとして前記一導電型基板に前記一導電型不純物のイオン打ち込みを行い、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする。
【0019】
前記手段を採ることに依り、ゲート長として例えばサブ0.25〔μm〕が要求された場合であっても、多結晶Siゲート電極の加工ばらつきに起因する悪影響が少なく、閾値電圧Vthの低下やゲート電圧が零のときにソース・ドレイン間に流れるリーク電流、即ち、サブスレショルドリークの増大などが起こらない埋め込みチャネル型MOSFETを実現することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図2乃至図4は本発明に於ける一実施の形態である半導体装置を製造する場合について説明する為の工程要所に於けるn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETを含む半導体装置を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【0021】
図2(A)参照
2−(1)
マスクを形成してイオンを注入するなど通常の技法を適用することに依り、p型Si半導体基板21にn- ウエル22、p+ チャネル層23を形成する。
【0022】
尚、p+ チャネル層23は、ボロンを打ち込んで濃度を1×1018〔cm-3〕程度にしたものである。
【0023】
2−(2)
熱酸化法、化学気相堆積(chemical vapor deposition:CVD)法、通常のリソグラフィ技術を適用することに依り、ゲート絶縁膜24、ゲート電極25、ゲート・キャップ絶縁膜26を形成する。
【0024】
ここで形成したゲート絶縁膜24その他に関する主要なデータを例示すると以下の通りである。
▲1▼ ゲート絶縁膜24について
材料:SiO2
厚さ:5〔nm〕
▲2▼ ゲート電極25について
材料:n+ 多結晶Si
不純物濃度:1×1020〔cm-2〕
厚さ:200〔nm〕
ゲート長方向の長さ:0.15〔μm〕
▲3▼ ゲート・キャップ絶縁膜26について
材料:Si3 N4
厚さ:50〔nm〕
【0025】
図2(B)
2−(3)
リソグラフィ技術におけるレジスト・プロセス、並びに、エッチング・ガスをCF4 (Si3 N4 用)、CF4 /O2 (多結晶Si用)、CHF3 (SiO2 用)とするドライ・エッチング法を適用することに依り、ゲート・キャップ絶縁膜26、ゲート電極25、ゲート絶縁膜24をゲート・パターンにエッチングする。
【0026】
2−(4)
CVD法を適用することに依り、厚さが100〔nm〕程度で10〔%〕程度の燐をドーピングしたSiO2 膜、即ち、PSG(phospho−silicate glass)膜を形成する。
【0027】
2−(5)
エッチング・ガスをCHF3 とするドライ・エッチング法を適用することに依り、PSG膜の異方性エッチングを行なってサイド・ウォール27を形成する。
【0028】
図3(A)参照
3−(1)
温度を950〔℃〕、時間を10〔秒〕とする熱処理を行なって、PSGからなるサイド・ウォール27からp型Si半導体基板21に燐を拡散してn型不純物領域28を形成する。
【0029】
この場合、サイド・ウォール27からの燐は、補誤差関数で表される濃度勾配をもってゲート下に拡散する。
【0030】
図3(B)参照
3−(2)
HF(数〔%〕)/H2 O液中に浸漬してサイド・ウォール27を除去してから、イオン注入法を適用し、イオン加速電圧を1〔keV〕、ドーズ量を2×1015〔cm-2〕に設定して、ゲート及びフィールド絶縁膜(図示せず)をマスクとするセルフ・アライメント方式で硼素イオンの打ち込みを行ない、p++ソース領域29及びp++ドレイン領域30を形成する。
【0031】
3−(3)
温度を1000〔℃〕、時間を10〔秒〕とする熱処理を行なって、p++ソース領域29及びp++ドレイン領域30を構成する為に打ち込まれた不純物を活性化する。
【0032】
前記処理を終わった段階で、チャネル中央部分に於ける深さ10〔nm〕の位置に於けるn型不純物濃度は約1×1017〔cm-3〕であり、また、p++ソース領域29或いはp++ドレイン領域30と接触する箇所でのn型不純物濃度は1×1018〔cm-3〕であるチャネルが生成されている。
【0033】
図4参照
4−(1)
CVD法を適用することに依り、厚さが300〔nm〕であるSiO2 からなる保護膜31を形成する。
【0034】
4−(2)
通常のリソグラフィ技術を適用することに依り、保護膜31のエッチングを行なって電極コンタクト用開口を形成してから、真空蒸着法及び通常のリソグラフィ技術を適用することに依り、金属ソース電極32及び金属ドレイン電極33を形成するなどしてn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETを含む半導体装置を完成する。
【0035】
図5は本発明の実施の形態であるn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETに関する不純物濃度プロファイルを表す線図であり、横軸には深さ〔μm〕を、また、縦軸には不純物濃度〔cm-3〕をそれぞれ採ってある。
【0036】
このデータを得る為の対象となった試料である埋め込みpチャネル型MOSFETは、前記説明した工程を経て製造されたものであって、そのゲート電極25に於けるゲート長方向の長さは0.15〔μm〕であり、図には、そのゲート電極25に対応するチャネルの中央からソース側或いはドレイン側に向かった場合に於ける深さ方向の不純物分布が示されている。
【0037】
図から明らかであるが、チャネル中央部分に於けるn型不純物の濃度は約1×1017〔cm-3〕と低いが、ソース側或いはドレイン側に向かうにつれて増大しているのが看取され、また、n型不純物濃度の変化に伴ってp+ チャネル層23も変化し、ソース側並びにドレイン側に向かって深さが漸減していることが看取され、従って、チャネルに沿うn型不純物領域28は、従来の埋め込みpチャネル型MOSFETのように一定ではなく、設計通りの分布をもつことが看取されよう。
【0038】
図6は本発明に於ける実施の形態である分布チャネルをもつ埋め込みpチャネル型MOSFET並びに従来のプロセスに依って得られる均一チャネルをもつ埋め込みpチャネル型MOSFETのゲート長としきい値の関係を比較して示す線図であり、横軸には多結晶Siゲート電極に於けるゲート長方向の長さ〔μm〕を、縦軸にはしきい値〔V〕をそれぞれ採ってある。
【0039】
図からすると、ゲート電極長の変化に対するしきい値の低下が本発明の場合には非常に低く抑えられていて、多結晶Siゲート電極の加工ばらつきに起因するしきい値への影響が抑制できていることが明らかである。
【0040】
本発明に於いては、前記した実施の形態に限られることなく、他に種々な改変を実現することができ、例えば、n型不純物領域28を形成するには、固相−固相拡散法のみでなく、イオン注入法や気相拡散法を適用するなどは任意である。
【0041】
本発明に依って得られる半導体装置に於いては、埋め込み一導電型チャネル領域に於ける反対導電型不純物濃度がチャネル長方向に於いてチャネル中央部分からソース側及びドレイン側に向かって一定となる領域を有することなく漸増して分布する埋め込み一導電チャネル型MOSFETが含まれるている。
【0042】
前記構成を採ることに依り、ゲート長として例えばサブ0.25〔μm〕が要求された場合であっても、多結晶Siゲート電極の加工ばらつきに起因する悪影響が少なく、閾値電圧Vthの低下やゲート電圧が零のときにソース・ドレイン間に流れるリーク電流、即ち、サブスレショルドリークの増大などが起こらない埋め込みチャネル型MOSFETを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する為の不純物濃度プロファイルを表す線図を併記した半導体装置の要部説明図である。
【図2】本発明に於ける一実施の形態である半導体装置を製造する場合について説明する為の工程要所に於けるn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETを含む半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図3】本発明に於ける一実施の形態である半導体装置を製造する場合について説明する為の工程要所に於けるn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETを含む半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図4】本発明に於ける一実施の形態である半導体装置を製造する場合について説明する為の工程要所に於けるn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETを含む半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図5】本発明の実施の形態であるn型多結晶Siゲート電極をもつ埋め込みpチャネル型MOSFETに関する不純物濃度プロファイルを表す線図である。
【図6】本発明に於ける実施の形態である分布チャネルをもつ埋め込みpチャネル型MOSFET並びに従来のプロセスに依って得られる均一チャネルをもつ埋め込みpチャネル型MOSFETのゲート長としきい値の関係を比較して示す線図である。
【図7】ドレイン電圧に依るポテンシャルの伸びを抑制する構成をもった埋め込みチャネル型MOSFETを表す要部説明図である。
【符号の説明】
1 n- ウエル
2 p+ チャネル層
3 ゲート絶縁膜
4 n+ 多結晶Siゲート電極
5 p++ソース領域
6 p++ドレイン領域
7 チャネル領域
Claims (2)
- 埋め込み一導電型チャネル領域に於ける反対導電型不純物濃度がチャネル長方向に於いてチャネル中央部分からソース側及びドレイン側に向かって一定となる領域を有することなく漸増して分布する埋め込み一導電チャネル型MOSFETが含まれてなること
を特徴とする半導体装置。 - 一導電型基板上に形成されたゲート絶縁膜およびゲート電極の側壁に、前記一導電型と反対導電型不純物を含有するサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールを熱処理することにより、前記サイドウォール中の前記反対導電型不純物を前記一導電型基板中に拡散させ、前記反対導電型不純物濃度のチャネル長方向分布を、チャネル中央部分からソース側及びドレイン側に向かって一定となる領域を有することなく漸増させる工程と、
前記熱処理後に前記サイドウォールを除去し、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極をマスクとして前記一導電型基板に前記一導電型不純物のイオン打ち込みを行い、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と
が含まれてなることを特徴とする埋め込みチャネル型MOSFETを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29165698A JP3716288B2 (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29165698A JP3716288B2 (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000124447A JP2000124447A (ja) | 2000-04-28 |
JP3716288B2 true JP3716288B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=17771771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29165698A Expired - Fee Related JP3716288B2 (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3716288B2 (ja) |
-
1998
- 1998-10-14 JP JP29165698A patent/JP3716288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000124447A (ja) | 2000-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5811340A (en) | Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing the same | |
JP2969341B2 (ja) | Mos 電界効果トランジスタ素子及びその製造方法 | |
EP0164449B1 (en) | Process for producing a semiconductor integrated circuit device including a misfet | |
US5254490A (en) | Self-aligned method of fabricating an LDD MOSFET device | |
JPH04225529A (ja) | 微量の不純物を添加したドレイン(ldd)を有する集積回路構造体を製作する改良された方法 | |
KR100218299B1 (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
KR20090037055A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP3716288B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7550357B2 (en) | Semiconductor device and fabricating method thereof | |
JP3049496B2 (ja) | Mosfetの製造方法 | |
JPH07302908A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20020007848A (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 | |
JP3438395B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05243262A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR0156157B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
JP2729169B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR19990011414A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR100588777B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
US6936517B2 (en) | Method for fabricating transistor of semiconductor device | |
JP2896960B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
KR100422823B1 (ko) | 모스트랜지스터제조방법 | |
JPH0778979A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3055614B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び該方法により製造された半導体装置 | |
KR0172820B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
JP3656867B2 (ja) | 微細mosトランジスタの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050719 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080909 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |