JP3690076B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ビデオ画像、文字、図形などの画像を表示するために液晶表示装置が広く用いられている。
液晶表示装置は各画素ごとに設けられたスイッチング素子と信号電圧を保持するための電荷蓄積素子とを含み、スイッチング素子の種類により２つに大別される。１つは２端子の非線型素子をスイッチング素子として用いたものであり、もう１つは電界効果トランジスタなどの３端子素子をスイッチング素子として用いたものである。
【０００３】
ここでは、本発明に関連する後者について説明する。
図９は従来の液晶表示装置の一例を示す分解斜視図、図１０は同回路図である。
図９に示すように、この液晶表示装置１０２は、ガラス基板の表面に薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴガラス基板１０４と、ガラス基板表面にカラーフィルタおよび対向電極１０６が形成されたＣＦガラス基板１０８とを液晶を挟んで対向配置することにより構成されている。
【０００４】
ＴＦＴガラス基板１０４上には、図１０に示すように、走査電極駆動回路１１０および信号電極駆動回路１１２が形成されており、各画素に対応する液晶素子ＬＣを駆動している。
すなわち走査電極駆動回路１１０は各走査に対応する複数のゲートライン１１６のうちの１本に高電圧を与えてゲートライン１１６上に位置するすべての電界効果トランジスタである薄膜トランジスタ１１８を一時導通状態にする。一方、信号電極駆動回路１１２は垂直方向に延在する信号ライン１２０を介して液晶素子ＬＣと、液晶素子ＬＣに対して並列に接続されたコンデンサＣｓに画像信号を供給する。
そして液晶素子ＬＣとコンデンサＣｓに供給された画像信号の電圧Ｖｓｉｇと対向電極１０６に印加される電圧Ｖｃｏｍとの差電圧ΔＶ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｃｏｍ）によって液晶素子ＬＣを励起させるようになっている。ここでコンデンサＣｓは供給された画像信号の電圧を保持してた上で液晶素子ＬＣに印加するために設けられている。
【０００５】
また、ＣＦガラス基板１０８上の対向電極１０６は表示画面大に形成されるのが一般的である。
図１１は対向電極１０６に一定の電圧Ｖｃｏｍを印加した場合の電圧Ｖｃｏｍと画像信号Ｖｓｉｇおよびゲート電圧ＶＧとの関係を示す信号波形図、図１２は対向電極１０６に印加する電圧Ｖｃｏｍを変化させた場合の電圧Ｖｃｏｍと画像信号Ｖｓｉｇおよびゲート電圧ＶＧとの関係を示す信号波形図である。
これらの図に示すように、液晶表示装置１０２の駆動方法には、対向電極１０６に常に一定の電圧を印加する方法と、一定周期で対向電極１０６に印加する電圧を反転させる方法とがある。
【０００６】
また、このような液晶表示装置１０２では、ＣＲＴ（陰極線管）による画像表示の場合のインターレース走査と同様の効果を得るため、液晶素子ＬＣのインターレース駆動が行われる。
すなわち、奇数フィールドの期間では、図１０に示した奇数番目のゲートライン１１６にゲートが接続された薄膜トランジスタ１１８を順次オンして、対応する各液晶素子ＬＣに信号電圧が印加され、偶数フィールドの期間では、偶数番目のゲートライン１１６にゲートが接続された薄膜トランジスタ１１８を順次オンして、対応する各液晶素子ＬＣに信号電圧が印加される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の液晶表示装置１０２では、各走査線ごとにゲートライン１１６が設けられており、ゲートライン１１６をＴＦＴガラス基板１０４上に延設するために各液晶素子ＬＣの開口はその分だけ狭くせざるを得ず、その結果、開口率の低下を招いている。
【０００８】
さらに、インターレース駆動において、例えば奇数番目のゲートライン１１６に対応する液晶素子ＬＣに新たな信号電圧が供給されて、奇数フィールドの画像が更新されるとき、その間、偶数番目のゲートライン１１６に対応する各液晶素子ＬＣには、各コンデンサＣｓが保持している信号電圧が印加されているので、古い偶数フィールドの画像も同時に表示されている。したがって、従来の液晶表示装置１０２では、ＣＲＴでインターレース走査を行う場合のように、奇数フィールドの画像と偶数フィールドの画像とを完全に切り換えて表示することはできない。
【０００９】
本発明は、このような欠点を解消するためになされたもので、その目的は、ゲートラインの数を削減して開口率を向上させることができ、さらにＣＲＴの場合と同等のインターレース表示が可能な液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、液晶素子と、チャンネルの一端が前記液晶素子の透明電極に接続された薄膜トランジスタと、一端が前記透明電極に接続された電荷蓄積素子との組みをマトリクスを形成して多数配列し、前記マトリクスの列ごとに信号ラインを設けて前記列を成す前記薄膜トランジスタの前記チャンネルの他端を対応する前記信号ラインに接続し、前記薄膜トランジスタのゲート電圧を制御して前記薄膜トランジスタを通じ各液晶素子に前記信号ラインからの電圧を印加することで画像を表示する液晶表示装置において、前記マトリクスの行ごとに、前記液晶素子の前記透明電極に対向する対向電極を形成し、前記マトリクスの前記行ごとに制御ラインを設けて前記行を成す前記電荷蓄積素子の他端を対応する前記制御ラインに接続し、前記マトリクスの隣接する奇数番目と偶数番目の２つの行ごとにゲートラインを設けて、これらの行を成す前記薄膜トランジスタのゲートを対応するゲートラインに接続し、前記マトリクスの奇数番目（または偶数番目）の行を成す前記液晶素子により画像を形成するときは、前記マトリクスの奇数番目（または偶数番目）の行に対応する前記対向電極と前記制御ラインとに、前記信号ラインを通じ印加される電圧に応じた前記液晶素子の励起を可能とする電圧を印加する一方、前記マトリクスの偶数番目（または奇数番目）の行に対応する前記対向電極と前記制御ラインとには、前記信号ラインを通じ印加される電圧に係わらず前記液晶素子を特定の励起状態とする電圧を印加する電圧制御手段を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の液晶表示装置では、電圧発生手段は、行ごとの対向電極および電荷蓄積素子に印加する電圧を制御して、奇数番目の行および偶数番目の行のいずれか一方の液晶素子でのみ、信号電圧に応じた励起を可能とし、もう一方の行の液晶素子は特定の励起状態とする。
したがって、隣接する奇数番目の行と偶数番目の行の薄膜トランジスタのゲートが同一のゲートラインに接続され、同一のゲート信号によって制御されても、奇数番目の行と偶数番目の行のうちの一方の液晶素子によってのみ画像表示を行え、その結果、従来と同様の解像度でインターレース駆動による画像表示が可能である。
すなわち、本発明の液晶表示装置では、従来どうりの解像度を確保しつつゲートラインの数を半減することができ、したがって、液晶素子の面積を拡大して開口率を向上させることが可能となる。
また、インターレース駆動において、あるフィールドで例えば奇数番目の行の液晶素子が駆動されて信号電圧に応じた励起状態となるとき、偶数番目の行の液晶素子はすべて、上述のように特定の励起状態となり、したがって、例えば黒表示となる。その結果、ＣＲＴ（陰極線管）の場合と同等のインターレース表示を液晶表示装置においても実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に本発明を実施の形態例にもとづき図面を参照して説明する。
図１は本発明による液晶表示装置の一例を示す概略構成図、図２は、図１の液晶表示装置を構成するＴＦＴガラス基板側の回路図、図３は、図１の液晶表示装置を構成するＣＦガラス基板側の回路図である。
図１に示すように、本実施の形態例の液晶表示装置２は、ＴＦＴガラス基板４とＣＦガラス基板６とを対向配置し、間に不図示の液晶層を介在させることで構成されている。
ＴＦＴガラス基板４には、図２に示したように、液晶素子ＬＣの透明電極１０（ＩＴＯ）と、チャンネルの一端（ソースまたはドレイン）が透明電極１０に接続された、電界効果トランジスタである薄膜トランジスタ１２（ＴＦＴトランジスタとも呼ばれる）と、一端が透明電極１０に接続されたコンデンサＣｓ（本発明に係わる電荷蓄積素子）との組みがマトリクスを形成して多数配列されている。
そして、マトリクスの列ごとに信号ライン１６が設けられ、各列を成す薄膜トランジスタ１２のチャンネルの他端（ドレインまたはソース）は対応する信号ライン１６に接続されている。
また、マトリクスの行ごとに制御ライン１８が設けられ、各行を成すコンデンサＣｓの他端が対応する制御ライン１８に接続されている。
さらに、マトリクスの隣接する奇数番目と偶数番目の２つの行ごとにゲートライン２０が設けられ、これらの行を成す薄膜トランジスタ１２のゲートが対応するゲートライン２０にそれぞれ接続されている。
【００１３】
ＴＦＴガラス基板４上にはさらに走査電極駆動回路２２および信号電極駆動回路２４が配設されている。
走査電極駆動回路２２はゲートライン２０と同数の出力端子を有し、それぞれ対応するゲートライン２０に接続されている。
走査電極駆動回路２２には、垂直駆動用の電源Ｖｖｓｓ、ＶｖｄｄおよびクロックＶｃｋ１、Ｖｃｋ２が入力され、また、インターレース駆動におけるフィールドの開始時期を示すスタート信号Ｖｓｔが入力されている。
【００１４】
信号電極駆動回路２４はマトリクスの列数と同数の出力端子を有し、それぞれ対応する信号ライン１６に接続されている。
信号電極駆動回路２４には、水平駆動用の電源Ｈｖｓｓ、ＨｖｄｄおよびクロックＨｃｋ１、Ｈｃｋ２が入力され、また、信号ライン１６に出力する画像信号Ｖｓｉｇの先頭が水平走査周期の開始時期に一致するようにするためのスタート信号Ｈｓｔが入力されている。
また、信号電極駆動回路２４には３原色信号Ｖｓｉｇ．Ｒ、Ｖｓｉｇ．Ｇ、Ｖｓｉｇ．Ｂが入力され、信号電極駆動回路２４はこれら原色信号に応じた画像信号Ｖｓｉｇが信号ライン１６に出力する。なお、画像信号Ｖｓｉｇの極性はフィールド周期または水平周期ごとに反転される。
【００１５】
一方、ＣＦガラス基板６には、図３に示したように、上記マトリクスの行ごとに、液晶素子ＬＣの透明電極１０に対向する対向電極２６（ＩＴＯ）が形成されている。各液晶素子ＬＣは、この対向電極２６および上記不図示の液晶層と各透明電極１０により構成されている。
【００１６】
そして、ＴＦＴガラス基板４上にはさら第１の電圧制御回路２３が形成され、一方、ＣＦガラス基板６上には第２の電圧制御回路２５が形成されている。これら第１および第２の電圧制御回路２３、２５により本発明に係わる電圧制御手段が構成されている。
第１および第２の電圧制御回路２３、２５は共に上記マトリクスの各行に対応する出力端子を有し、第１の電圧制御回路２３の各出力端子はそれぞれ対応する行の制御ライン１８に接続され、第２の電圧制御回路２５の各出力端子はそれぞれ対応する行の対向電極２６に接続されている。
【００１７】
第１の電圧制御回路２３には、図２に示したように、垂直駆動用の電源Ｖｖｓｓ、Ｖｖｄｄの他、クロックＶｃｓ．ｃｋ１、Ｖｃｓ．ｃｋ２、スタート信号Ｖｃｓ．ｓｔ、フィールドリバースパルスＶｆｒｐがそれぞれ入力されており、第１の電圧制御回路２３はこれらの信号にもとづき、Ｐチャンネルトランジスタ２８およびＮチャンネルトランジスタ２９のいずれかを能動状態にして、高電圧Ｖｃｓ．Ｈまたは低電圧Ｖｃｓ．Ｌの一方をコンデンサ電圧Ｖｃｓ．ｓｗとして各制御ライン１８に出力する。
【００１８】
一方、第２の電圧制御回路２５には、図３に示したように、垂直駆動用の電源Ｖｖｓｓ、Ｖｖｄｄの他、クロックＶｃｏｍ．ｃｋ１、Ｖｃｏｍ．ｃｋ２、スタート信号Ｖｃｏｍ．ｓｔ、フィールドリバースパルスＶｆｒｐがそれぞれ入力されており、第２の電圧制御回路２５はこれらの信号にもとづき、Ｐチャンネルトランジスタ２８およびＮチャンネルトランジスタ２９のいずれかを能動状態にして、高電圧Ｖｃｏｍ．Ｈまたは低電圧Ｖｃｏｍ．Ｌの一方を対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗとして対向電極２６に印加する。
【００１９】
そして、後にさらに詳しく説明するように、第１および第２の電圧制御回路２３、２５によって、上記マトリクスの奇数番目（または偶数番目）の行を成す液晶素子ＬＣにより画像を形成するときは、マトリクスの奇数番目（または偶数番目）の行に対応する対向電極２６と制御ライン１８とに、信号ライン１６からの電圧に応じた液晶素子ＬＣの励起を可能とする電圧（コンデンサ電圧Ｖｃｓ．ｓｗおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗ）が印加される一方、マトリクスの偶数番目（または奇数番目）の行に対応する対向電極２６と制御ライン１８とには、液晶素子ＬＣを信号ライン１６からの電圧に係わらず特定の励起状態とする電圧が印加される。
【００２０】
図４は本実施の形態例の液晶表示装置２の断面構造を示す断面図である。
この図に示すように、ＴＦＴガラス基板４およびＣＦガラス基板６は、それぞれ第１および第２のガラス基板３０、３２上に導電膜、絶縁膜、ならびにポリシリコン膜を積層して形成されている。
このうち第２のガラス基板３２の内側表面にはブラックマスク３４によって囲まれたカラーフィルタ３６が積層され、さらにその面上にポリイミド膜３８で覆われた対向電極２６が形成されている。
一方、第１のガラス基板３０の内側表面にはポリシリコン薄膜４０上にゲート絶縁膜４２を挟んでゲート電極４４が形成された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である薄膜トランジスタ１２と、絶縁膜４６を挟んで制御ライン１８とがそれぞれ形成されている。
ここで薄膜トランジスタ１２のドレイン領域にはアルミニウム電極４８が形成され、またゲート電極４４の上部は層間絶縁膜５０によって覆われている。
また、制御ライン１８の上部も層間絶縁膜５０で覆われている。 これら素子の上部には層間絶縁膜５２を挟んで透明電極１０が積層され、この透明電極１０の周囲を覆うようにシリコン窒化膜５４が積層されている。そしてこれらの表面はポリイミド膜５６によって保護されている。
【００２１】
次に、このように構成された液晶表示装置２の動作について説明する。
図５は液晶表示装置２の動作を示すタイミングチャートである。図中、（Ａ）ないし（Ｆ）は、それぞれ上記マトリクスの１行〜４行、およびＬを自然数として２Ｌ−１行と２Ｌ行のコンデンサＣｓおよび対向電極２６にそれぞれ印加されるコンデンサ電圧Ｖｃｓおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗを表し、（Ｇ）ないし（Ｋ）は上記マトリクスの２行ごとの各ゲートライン２０に出力されるゲート電圧ＶＧを、（Ｌ）は画像信号Ｖｓｉｇをそれぞれ表している。
【００２２】
図５の（Ｌ）に示したように、信号電極駆動回路２４は１フィールドごとに画像信号Ｖｓｉｇの極性を反転させ、したがって第１および第２の電圧制御回路２３、２５も、（Ａ）ないし（Ｆ）に示したように、コンデンサ電圧Ｖｃｓおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗの極性をフィールドの周期で反転させる。
走査電極駆動回路２２は各フィールドごとに、１水平走査の期間、すなわち１Ｈの期間だけハイレベルとなるゲート電圧ＶＧを各ゲートライン２０に順次出力する。
そして、各ゲートライン２０に接続された上記マトリクスの２行分の薄膜トランジスタ１２はゲート電圧ＶＧがハイレベルとなった期間において導通状態となり、そのとき信号電極駆動回路２４が出力している画像信号Ｖｓｉｇが薄膜トランジスタ１２を通じて各コンデンサＣｓに供給され、コンデンサＣｓはその信号電圧を保持すると共に各液晶素子ＬＣに印加し、液晶素子ＬＣを励起する。
【００２３】
第１および第２の電圧制御回路２３、２５は、制御ライン１８および対向電極２６が奇数番目および偶数番目のいずれであるいかによって、すなわち、マトリクスの偶数番目および奇数番目の行のいずれに対応しているかによって、さらに奇数フィールドであるか偶数フィールドであるかによってコンデンサ電圧Ｖｃｓおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗの大きさを切り換える。
詳しく説明すると、奇数フィールドにおいては、第１および第２の電圧制御回路２３、２５は、図５の（Ａ）、（Ｂ）に示したように、まず１番目および２番目の制御ライン１８および対向電極２６に対して、共に同じタイミングで正の電圧（コンデンサ電圧Ｖｃｓ．ｓｗ（１）および対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗ（１））を出力する。ただし、１番目の制御ライン１８および対向電極２６には絶対値が相対的に低い電圧を出力し、２番目の制御ライン１８および対向電極２６には絶対値が相対的に高い電圧を出力する。
【００２４】
このとき、１番目の制御ライン１８および対向電極２６に対応するマトリクスの１行目を成す各液晶素子ＬＣは通常の動作状態となり、各信号ライン１６から各薄膜トランジスタ１２を通じて供給されて各コンデンサＣｓが保持している信号電圧を反映して励起される。
一方、２番目の制御ライン１８および対向電極２６に対応するマトリクスの２行目を成す各液晶素子ＬＣは通常の動作を行わず、対応する各コンデンサＣｓが保持している信号電圧に係わらず特定の励起状態、例えばノーマリホワイトモードで黒表示の状態となる。
【００２５】
その後、第１および第２の電圧制御回路２３、２５は、１Ｈの時間が経過した時点で、図５の（Ｃ）、（Ｄ）に示したように、３番目および４番目の制御ライン１８および対向電極２６に対して、同様の電圧を出力する。すなわち、３番目の制御ライン１８および対向電極２６には絶対値が相対的に低い電圧を出力し、４番目の制御ライン１８および対向電極２６には絶対値が相対的に高い電圧を出力する。
その結果、３番目の制御ライン１８および対向電極２６に対応するマトリクスの３行目を成す各液晶素子ＬＣは通常の動作状態となり、各信号ライン１６から各薄膜トランジスタ１２を通じて供給されて各コンデンサＣｓが保持している信号電圧を反映して励起される。
一方、４番目の制御ライン１８および対向電極２６に対応するマトリクスの４行目を成す各液晶素子ＬＣは通常の動作を行わず、対応する各コンデンサＣｓが保持している信号電圧に係わらず特定の励起状態、例えば黒表示の状態となる。
【００２６】
そして、第１および第２の電圧制御回路２３、２５は５番目以降の制御ライン１８および対向電極２６に対しても同様の電圧を出力する。
したがって、奇数フィールドでは、奇数番目の行の液晶素子ＬＣのみが通常に動作し、これらの液晶素子ＬＣにより画像が表示される。一方、偶数番目の行の液晶素子ＬＣは黒表示となり、これらの液晶素子ＬＣによっては画像は表示されない。
その後、偶数フィールドとなると、第１および第２の電圧制御回路２３、２５は、図５に示したように、極性を反転させて負の電圧を出力するが、この偶数フィールドでは、奇数フィールドの場合とは逆に、１番目、３番目などの奇数番目の制御ライン１８および対向電極２６には、絶対値が相対的に大きい電圧を出力し、２番目、４番目などの偶数番目の制御ライン１８および対向電極２６には、絶対値が相対的に小さい電圧を出力する。
そのため、偶数フィールドでは、偶数番目の行の液晶素子ＬＣのみが通常に動作し、これらの液晶素子ＬＣにより画像が表示される。一方、奇数番目の行の液晶素子ＬＣは黒表示となり、これらの液晶素子ＬＣによっては画像は表示されない。
【００２７】
このように、本実施の形態例の液晶表示装置２では、第１および第２の電圧制御回路２３、２５は、行ごとの対向電極２６およびコンデンサＣｓに印加する電圧を制御して、奇数番目の行および偶数番目の行のいずれか一方の液晶素子ＬＣでのみ、信号電圧に応じた励起を可能とし、もう一方の行の液晶素子ＬＣは特定の励起状態とする。
したがって、隣接する奇数番目の行と偶数番目の行の薄膜トランジスタ１２のゲートが同一のゲートライン２０に接続され、同一のゲート信号によって制御されても、奇数番目の行と偶数番目の行のうちの一方の液晶素子ＬＣによってのみ画像表示を行え、その結果、従来と同様の解像度でインターレース駆動による画像表示が可能である。
すなわち、本発明の液晶表示装置２では、従来どうりの解像度を確保しつつゲートラインの数を半減することができ、したがって、液晶素子ＬＣの面積を拡大して開口率を向上させることが可能となる。
また、インターレース駆動において、例えば奇数フィールドで奇数番目の行の液晶素子ＬＣが駆動されて信号電圧に応じた励起状態となるとき、偶数番目の行の液晶素子ＬＣはすべて、上述のように特定の励起状態となり、例えば黒表示となる。したがって、ＣＲＴ（陰極線管）の場合と同等のインターレース表示を液晶表示装置２においても実現できる。
【００２８】
なお、上記実施の形態例では、信号電極駆動回路２４は奇数フィールドで負極性の画像信号Ｖｓｉｇを出力し、偶数フィールドで正極性の画像信号Ｖｓｉｇを出力するとしたが、この極性を逆にすることも無論可能であり、その場合には、図６の（Ａ）ないし（Ｆ）に示すように、第１および第２の電圧制御回路２３、２５がそれぞれ、奇数フィールドで負、偶数フィールドで正のコンデンサ電圧Ｖｃｓ．ｓｗおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗを出力する構成とすればよい。
また、上記実施例では、信号電極駆動回路２４がフィールドごとに画像信号Ｖｓｉｇの極性を切り換えるとしたが、図７の（Ｌ）に示すように、１Ｈの期間ごとに画像信号Ｖｓｉｇの極性を切り換える場合にも本発明は無論有効であり、第１および第２の電圧制御回路２３、２５は、図７の（Ａ）ないし（Ｆ）に示したように、上記実施例の場合と同様のコンデンサ電圧Ｖｃｓ．ｓｗおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗを出力することで同様の作用を実現できる。
無論この場合にも、図８の（Ｌ）に示したように、画像信号Ｖｓｉｇを逆極性で切り換えることも可能であり、この場合には第１および第２の電圧制御回路２３、２５が、図８の（Ａ）ないし（Ｆ）に示したように、フィールドごとに逆極性でコンデンサ電圧Ｖｃｓ．ｓｗおよび対向電極電圧Ｖｃｏｍ．ｓｗを切り換えるようにすればよい。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の液晶表示装置では、電圧発生手段は、行ごとの対向電極および電荷蓄積素子に印加する電圧を制御して、奇数番目の行および偶数番目の行のいずれか一方の液晶素子でのみ、信号電圧に応じた励起を可能とし、もう一方の行の液晶素子は特定の励起状態とする。
したがって、隣接する奇数番目の行と偶数番目の行の薄膜トランジスタのゲートが同一のゲートラインに接続され、同一のゲート信号によって制御されても、奇数番目の行と偶数番目の行のうちの一方の液晶素子によってのみ画像表示を行え、その結果、従来と同様の解像度でインターレース駆動による画像表示が可能である。
すなわち、本発明の液晶表示装置では、従来どうりの解像度を確保しつつゲートラインの数を半減することができ、したがって、液晶素子の面積を拡大して開口率を向上させることが可能となる。
また、インターレース駆動において、あるフィールドで例えば奇数番目の行の液晶素子が駆動されて信号電圧に応じた励起状態となるとき、偶数番目の行の液晶素子はすべて、上述のように特定の励起状態となり、したがって、例えば黒表示となる。その結果、ＣＲＴ（陰極線管）の場合と同等のインターレース表示を液晶表示装置においても実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１の液晶表示装置を構成するＴＦＴガラス基板側の回路図である。
【図３】図１の液晶表示装置を構成するＣＦガラス基板側の回路図である。
【図４】実施例の液晶表示装置の断面構造を示す断面図である。
【図５】実施例の液晶表示装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】他の実施例の液晶表示装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図７】他の実施例の液晶表示装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図８】他の実施例の液晶表示装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図９】従来の液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の一例を示す回路図である。
【図１１】対向電極に印加される電圧Ｖｃｏｍとゲート電圧ＶＧおよび画像信号Ｖｓｉｇとの関係を示す信号波形図である。
【図１２】対向電極に印加される電圧Ｖｃｏｍとゲート電圧ＶＧおよび画像信号Ｖｓｉｇとの関係を示す信号波形図である。
【符号の説明】
２……液晶表示装置、４……ＴＦＴガラス基板、６……ＣＦガラス基板、１０……透明電極、１２……薄膜トランジスタ、１６……信号ライン、１８……制御ライン、２０……ゲートライン、２２……走査電極駆動回路、２３……第１の電圧制御回路、２４……信号電極駆動回路、２５……第２の電圧制御回路、２６……対向電極、２８……Ｐチャンネルトランジスタ、２９……Ｎチャンネルトランジスタ、Ｃｓ……コンデンサ、ＬＣ……液晶素子。

Claims (3)

1. 液晶素子と、チャンネルの一端が前記液晶素子の透明電極に接続された薄膜トランジスタと、一端が前記透明電極に接続された電荷蓄積素子との組みをマトリクスを形成して多数配列し、前記マトリクスの列ごとに信号ラインを設けて前記列を成す前記薄膜トランジスタの前記チャンネルの他端を対応する前記信号ラインに接続し、前記薄膜トランジスタのゲート電圧を制御して前記薄膜トランジスタを通じ各液晶素子に前記信号ラインからの電圧を印加することで画像を表示する液晶表示装置において、
   前記マトリクスの行ごとに、前記液晶素子の前記透明電極に対向する対向電極を形成し、
   前記マトリクスの前記行ごとに制御ラインを設けて前記行を成す前記電荷蓄積素子の他端を対応する前記制御ラインに接続し、
   前記マトリクスの隣接する奇数番目と偶数番目の２つの行ごとにゲートラインを設けて、これらの行を成す前記薄膜トランジスタのゲートを対応するゲートラインに接続し、
   前記マトリクスの奇数番目（または偶数番目）の行を成す前記液晶素子により画像を形成するときは、前記マトリクスの奇数番目（または偶数番目）の行に対応する前記対向電極と前記制御ラインとに、前記信号ラインを通じ印加される電圧に応じた前記液晶素子の励起を可能とする電圧を印加する一方、前記マトリクスの偶数番目（または奇数番目）の行に対応する前記対向電極と前記制御ラインとには、前記信号ラインを通じ印加される電圧に係わらず前記液晶素子を特定の励起状態とする電圧を印加する電圧制御手段を備えた、
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記電圧制御手段は、前記制御ラインに電圧を印加する第１の電圧制御手段と、前記対向電極に電圧を印加する第２の電圧制御手段とから成ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記透明電極と、前記薄膜トランジスタと、前記電荷蓄積素子と、前記信号ラインと、前記制御ラインと、前記ゲートラインと、前記第１の電圧制御手段とは第１の透明基板上に形成され、
   前記対向電極と、前記第２の電圧制御手段とは第２の透明基板上に形成され、
   前記液晶素子は、前記第１および第２の透明基板の間に介在された液晶層を含んで構成されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。

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