JP3684939B2 - Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and projection display device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の技術分野に属し、特に基板と画素電極との間に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下適宜、TFTと称す)、薄膜ダイオード(Thin Film Diode:以下適宜、TFDと称す)等の画素スイッチング用素子やこれに接続されるデータ線、走査線、容量線などの配線等が層間絶縁膜を介して積層形成される形式の電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の技術分野に属する。
【0002】
【背景技術】
従来この種の電気光学装置は、一対の基板間に液晶等の電気光学物質が挟持されてなり、一方の基板には、マトリクス状に複数の画素電極が設けられる。ここで、画素電極表面に段差や凹凸があったのでは、液晶の配向不良等による表示不良を招く。より詳細には、このような段差や凹凸は画素電極表面に設けられる配向膜表面の段差や凹凸となって、そのラビング処理時におけるラビングむらを招き、当該ラビング処理により規定される液晶の配向不良が引き起こされて、最終的には画像表示品質の低下を招くのである。通常は、このような段差や凹凸によるラビングむらを最小限に抑えるために、画素部における装置構成に依存して決まる最も大きい段差(例えば、データ線に沿った段差)に沿ってラビング処理が施される。但し、このようにラビング処理を施すと、特に3枚の電気光学装置を3枚のライトバルブとして組み合わせて用いる複板式カラープロジェクタの場合には、3つの光を合成するために3枚のライトバルブのうちの1枚を反転させて使用するため、1枚のライトバルブでは視認不可能な程度のラビングむらによる色むらが、3枚のライトバルブを組み合わせることで増長されて視認可能な程度の色むらとなってしまう事態を招く。
【0003】
このため、一方の基板上において画素電極の下地膜となる最上層の層間絶縁膜の表面を平坦化することが好ましい。即ち、最上層の層間絶縁膜を平坦化すれば、基本的にラビングむらを低減できる。更に、前述した複板式カラープロジェクタの場合にも、反転して使用される1枚のライトバルブとそれ以外の2枚のライトバルブとの間で、ラビングむらの傾向を同じにできるラビング方向を選択可能となるため、前述した光合成時における表示むらの増長作用を抑えることも可能となる。これに加えて、段差のない配向膜を設ければ、良好な垂直配向も可能となり高コントラストの表示に繋がる。
【0004】
そこで従来は、最上層の層間絶縁膜の表面を、例えば有機SOG(Spin On Glass)や有機ポリイミド膜等の有機膜をスピンコートした平坦化膜から形成したりする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、有機膜をスピンコートする技術による平坦化の場合には、装置使用時の光による有機膜の劣化が顕著であるという根本的な問題点がある。特に強い光を用いるプロジェクタ用途の場合などには、この問題点は非常に深刻化してしまう。
【0006】
そこで、半導体製造装置の技術分野等で用いられているCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理等の研磨技術を応用して、この種の電気光学装置における層間絶縁膜の平坦化を図ることが考えられる。
【0007】
しかしながら、この種の電気光学装置における層間絶縁膜に対してCMP処理の如き研磨を施すと、研磨時に層間絶縁膜にクラックが生じて、不良品率が上昇してしまうという問題点がある。更に、マザー基板の中央付近と周辺付近とで研磨量が相異なってしまうため、均一な膜厚制御を行うことが困難となり、最終的に一定品質の装置を製造することが困難となるという問題点もある。特に、高精細な電気光学装置になると、駆動周波数が非常に高くなると共に配線ピッチが微細化されるため、画像信号を供給するためのデータ線には、一般に低抵抗で時定数の小さいAl(アルミニウム)膜を用いる必要がある。しかるに、Alは低融点金属であるため、当該データ線形成後には、500℃以上の熱処理はできないので、一般にこれより高い温度による熱焼成が十分に施された緻密な層間絶縁膜を形成できない。この結果、緻密でない層間絶縁膜に対して研磨を施さざるを得ないため、上述した研磨時にクラックが生じる問題点や均一な膜厚制御が困難である問題点は実用上非常に深刻な問題点となる。
【0008】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、比較的容易に画素電極を平坦化可能であると共に平坦化処理に伴う製造歩留まりの低下を抑制可能である、高品位の画像表示が可能な電気光学装置の製造方法及び該方法により製造された電気光学装置を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、該画素スイッチング用素子の上方に一の層間絶縁膜を形成する工程と、該一の層間絶縁膜を平坦化する工程と、該平坦化された一の層間絶縁膜に溝を形成する工程と、該溝内に一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に電気的に接続されるようにデータ線を形成する工程と、前記データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、該他の層間絶縁膜上に他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを含み、前記一の層間絶縁膜を形成する工程では、データ線駆動回路又は走査線駆動回路上にも前記一の層間絶縁膜を形成し、前記溝を形成する工程では、前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部を形成する領域の前記一の層間絶縁膜にも溝を形成し、前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部は、前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部を形成する領域内の前記溝に前記データ線と同一膜から形成され、前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の他部は、前記画素スイッチング用素子を形成する工程と同時に形成されることを特徴とする。
【0010】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、先ず、基板上に、例えばTFT素子、TFD素子等の画素スイッチング用素子が形成され、この画素スイッチング用素子の上方に、一の層間絶縁膜が形成される。従ってこの時点で、基板及び一の層間絶縁膜の間に存在する画素スイッチング用素子やその配線などにより、一の層間絶縁膜の表面には段差が生じている。続いて、一の層間絶縁膜が平坦化される。次に、平坦化された一の層間絶縁膜に対し、エッチング等により、データ線を形成する予定の領域に溝が形成される。そして、この溝内に一のコンタクトホールを介して画素スイッチング用素子の一の端子(例えば、TFTにおけるソース)に接続されるように、データ線が形成される。次に、データ線上に他の層間絶縁膜が形成される。最後に、このように形成された他の層間絶縁膜上に、他のコンタクトホールを介して画素スイッチング用素子の他の端子(例えば、TFTにおけるドレイン)に接続されるように画素電極が形成される。
【0011】
このように、一の層間絶縁膜を平坦化した後に、Al等の低融点の金属からデータ線を形成する場合にも、一の層間絶縁膜に対しては、当該データ線を構成する材料の融点とは無関係に熱処理を施すことが可能となる。即ち、データ線を形成する以前に実施される熱焼成により、緻密な一の層間絶縁膜を形成することが可能となる。この結果、緻密な一の層間絶縁膜を研磨等により平坦化しても、研磨等によりクラックが生じる可能性が低減され、最終的に装置良品率を向上できる。また、緻密な一の層間絶縁膜を平坦化するので、マザー基板の中央付近と周辺付近とでの研磨量の差も低減され、平坦化後における一の層間絶縁膜の膜厚をマザー基板面内で均一化できる。加えて、このように平坦化された一の層間絶縁膜に形成された溝内にデータ線が埋め込まれるので、データ線を形成した後にも、データ線を含む一の層間絶縁膜の表面全体において、当該データ線の存在による段差は殆ど生じない。従ってこの上に形成される他の層間絶縁膜における段差は、上述のようにデータ線を溝内に埋め込まない場合と比較して、より一層低減される。
【0012】
以上の結果、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、比較的容易に画素電極を平坦化可能であり、高精細な電気光学装置に対応すべく時定数に優れた材料をデータ線に用いつつ、平坦化処理に伴う製造歩留まりの低下を抑制可能である。この結果、段差の殆どない画素電極を用いて、特に高精細な画像表示が可能な電気光学装置を製造できる。
【0013】
本発明の電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記溝を形成する工程では、前記溝の深さが前記データ線の膜厚に対応するように時間管理されたエッチングを前記一の層間絶縁膜に対して施す。
【0014】
この態様によれば、平坦化された一の層間絶縁膜に対し掘られる溝の深さは、エッチングの時間管理により、データ線の膜厚に対応するように制御される。即ち理想的には、データ線を段差なく丁度埋め込む深さの溝が、当該エッチングにより掘られる。この結果、エッチングの時間管理という比較的容易な制御により、データ線を形成した後の段差を低減可能となる。尚、溝の深さ制御の精度を高める観点からは、ドライエッチングが好ましいが、ウエットエッチングを用いることも可能である。
【0015】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記一の層間絶縁膜を形成する工程では、所定種類のエッチャントに対して相対的にエッチングされ難い下側絶縁膜を形成し、該下側絶縁膜上に相対的にエッチングされ易いと共に前記データ線の膜厚に対応する膜厚を有する上側絶縁膜を形成することで多層構造を有する前記一の層間絶縁膜を形成し、前記溝を形成する工程では、前記下側絶縁膜に至るまで前記上側絶縁膜に対して前記所定種類のエッチャントを用いたエッチングを施す。
【0016】
この態様によれば、先ず、一の層間絶縁膜を形成する工程では、エッチングされ難い下側絶縁膜が形成される。そして、この上にエッチングされ易いと共にデータ線の膜厚に対応する膜厚を有する上側絶縁膜が形成される。これにより、多層構造を有する一の層間絶縁膜が形成される。次に、溝を形成する工程では、データ線を形成する予定の領域において、上側絶縁膜に対してエッチングが施され、下側絶縁膜に至るまでエッチングが続けられる。ここで、上側絶縁膜の膜厚がデータ線の膜厚に対応するので、溝の深さがデータ線の膜厚に対応する。即ち、理想的にはデータ線を段差なく埋め込む深さの溝が、当該エッチングにより掘られる。この結果、例えばスパッタリングや蒸着等により形成可能な上側絶縁膜の膜厚制御という比較的容易であり信頼性の高い制御により、データ線及びこれが埋め込まれた一の層間絶縁膜の表面全体における平坦化を促進できる。
【0017】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記一の層間絶縁膜を形成する工程の前に、所定種類のエッチャントに対してストッパとして機能するストッパ膜を少なくとも前記データ線を形成する予定の領域に形成する工程を更に含み、前記一の層間絶縁膜を形成する工程では、前記データ線の膜厚に対応する膜厚を有する前記一の層間絶縁膜を形成し、前記溝を形成する工程では、前記データ線を形成する予定の領域において前記ストッパ膜に至るまで前記一の層間絶縁膜に対して前記所定種類のエッチャントを用いたエッチングを施す。
【0018】
この態様によれば、先ず一の層間絶縁膜を形成する工程の前に、エッチングに対するストッパ膜が少なくともデータ線を形成する予定の領域に形成される。次に、一の層間絶縁膜を形成する工程では、この上に、データ線の膜厚に対応する膜厚を有する一の層間絶縁膜が形成される。これにより、ストッパ層が下層に設けられた一の層間絶縁膜が形成される。そして、溝を形成する工程では、データ線を形成する予定の領域において、一の層間絶縁膜に対してエッチングが施され、ストッパ膜に至るまでエッチングが続けられる。そしてストッパ膜が露出した時点でエッチングが停止されて、ストッパ膜に至る溝が一の層間絶縁膜に形成される。ここで、一の層間絶縁膜の膜厚がデータ線の膜厚に対応するので、溝の深さがデータ線の膜厚に対応する。即ち、理想的にはデータ線を段差なく埋め込む深さの溝が、当該エッチングにより掘られる。この結果、例えばスパッタリングや蒸着等により形成可能な一の層間絶縁膜の膜厚制御という比較的容易であり信頼性の高い制御により、しかもストッパ膜を用いたエッチング深度制御により、データ線及びこれが埋め込まれた一の層間絶縁膜の表面全体における平坦化を更に促進できる。
【0019】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記データ線を形成する工程では、ダマシン法により前記溝内に前記データ線を形成する。
【0020】
この態様によれば、ダマシン法によりデータ線を溝内に形成するので、溝内の空間に余すところなくデータ線を埋め込むことができ且つ溝の周囲にある一の層間絶縁膜の上面と極めて滑らかに連続した上面を有するデータ線を形成することが可能となり、この結果、データ線上に形成される他の層間絶縁膜は極めて平坦な膜として形成されることになる。
【0021】
本発明の電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記平坦化する工程は、研磨処理により平坦化する工程を含む。
【0022】
この態様によれば、一の層間絶縁膜は、研磨処理により平坦化される。この際特に、データ線を形成する以前に実施される熱焼成により形成可能な緻密な一の層間絶縁膜を、研磨処理により平坦化しても、研磨によりクラックが生じる可能性が低減される。また、緻密な一の層間絶縁膜を研磨処理により平坦化するので、マザー基板の中央付近と周辺付近とでの研磨量の差も低減される。
【0023】
例えば、このような研磨処理は、CMP処理であってもよい。この場合には特に、熱焼成により形成可能な緻密な一の層間絶縁膜を、CMP処理により平坦化しても、クラックが生じる可能性が低減される。
【0024】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記一の層間絶縁膜は、酸化シリコン膜を含む。
【0025】
この態様によれば、当該酸化シリコン膜を含む一の層間絶縁膜に対して熱焼成を実施することにより、緻密な一の層間絶縁膜を形成することが可能となる。更に、このように酸化シリコン膜を含む一の層間絶縁膜は、研磨処理等によるクラック発生を低減しつつ良好に平坦化可能である。
【0026】
例えば、このような一の層間絶縁膜を形成する工程は、TEOS(テトラ・エチル・オルソ・シリケート)を原料として前記酸化シリコン膜を形成する工程を含んでもよい。このようにすれば、TEOSを原料として酸化シリコン膜からなる一の層間絶縁膜が形成される。TEOSを原料とすれば、熱焼成を実施することにより緻密となる一の層間絶縁膜を、非常に厚く積むことも可能となる。このため、画素スイッチング用素子等の存在に起因した段差が比較的大きくても、当該一の層間絶縁膜を用いて十分に平坦化することが可能となる。
【0027】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記一の層間絶縁膜を形成する工程と前記平坦化する工程との間に、前記一の層間絶縁膜に対し700℃以上の熱処理を施す工程を更に含む。
【0028】
この態様によれば、TEOSを原料として酸化シリコン膜からなる一の層間絶縁膜が形成された後、当該一の層間絶縁膜に対し700℃以上の熱処理が施される。即ち、TEOSを原料とする酸化シリコン膜に対して700℃以上の熱焼成を施すことにより、非常に緻密な膜が得られる。また、この熱処理及び平坦化の後にデータ線は形成されるので、700℃以上の熱処理により溶解するような材料からデータ線を形成しても何ら問題は生じない。
【0029】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記データ線を平面的に見て少なくとも部分的に覆う非光透過膜を形成する工程を更に含む。
【0030】
この態様によれば、データ線を平面的に見て少なくとも部分的に覆う非光透過膜が形成される。このような非光透過膜は、当該電気光学装置の積層構造における、基板と画素スイッチング用素子との間、画素スイッチング用素子と一の層間絶縁膜との間、一の層間絶縁膜と他の層間絶縁膜との間、基板に対向する対向基板上などに形成されてよい。このように形成された非光透過膜により、一の層間絶縁膜上に形成されたデータ線の有無に起因した段差による、データ線に沿った画像表示領域における光抜け等の表示不良個所を、当該非光透過膜により隠せる。この結果、高コントラストの画像表示が可能となる。
【0031】
この非光透過膜を形成する態様では、前記画素スイッチング用素子を形成する工程と前記画素電極を形成する工程との間において前記非光透過膜を形成する工程と同時に且つ導電性を有する前記非光透過膜と同一膜から、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子の他の端子とを接続するための導電膜を形成する工程を更に含んでもよい。
【0032】
このようにすれば、上述した非光透過膜を形成する工程と同時に且つ非光透過膜と同一膜から、画素電極と画素スイッチング用素子の他の端子(例えば、TFTのドレイン)とを接続するための導電膜が形成される。即ち、導電膜により、画素電極と画素スイッチング用素子の他の端子とを中継可能となるので、深いコンタクトホールで直接両者を接続する場合と比較して、コンタクトホールの開孔が容易となり且つコンタクトホールの小径化も可能となる。従って特に、平坦化される一の層間絶縁膜を厚く積んだ場合にも、当該コンタクトホールの開孔が問題となることはない。
【0033】
この非光透過膜を形成する態様では、前記非光透過膜を形成する工程と同時に且つ前記非光透過膜と同一膜から、前記画素スイッチング用素子を構成する薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域並びに該チャネル領域及びドレイン領域の接合部を平面的に見て覆う遮光膜を形成する工程を更に含んでもよい。
【0034】
このようにすれば、上述した非光透過膜を形成する工程と同時に且つ非光透過膜と同一膜から、画素スイッチング用素子を構成する薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域並びに該チャネル領域及びドレイン領域の接合部を平面的に見て覆う遮光膜が形成される。即ち、遮光膜により、チャネル領域及び接合部における光電効果による薄膜トランジスタの光によるリーク電流を防止可能となる。
【0035】
この非光透過膜を形成する態様では、前記非光透過膜を形成する工程では、前記非光透過膜と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重なるように前記非光透過膜を形成してもよい。
【0036】
このようにすれば、非光透過膜と画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重なるので、当該重なった非光透過膜により各画素の開口領域の輪郭を少なくとも部分的に規定できる。
【0037】
この場合特に、前記データ線を形成する工程及び前記画素電極を形成する工程では、前記データ線と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重ならないように前記データ線と前記画素電極とを形成してもよい。
【0038】
このようにすれば、データ線と画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重ならないので、データ線と画素電極とが他の層間絶縁膜を介して対向することにより発生する寄生容量を極く小さくできる。この結果、データ線に供給される信号レベルが変化するのを防ぎ、表示上の画像むらを低減することで、画質向上を図れる。更に、一の層間絶縁膜上に形成されたデータ線の有無に起因した段差を、画素電極の有無により、ある程度又はほぼ完全に相殺できる。逆に、データ線と画素電極とが平面的に見て重ならないため、データ線と画素電極との間に光が透過可能な間隙が空くが、この間隙は非光透過膜により隠せるので、データ線と画素電極との間に光抜け等の表示不良は生じない。
【0039】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記溝を形成する工程と前記データ線を形成する工程との間に、前記一のコンタクトホールを開孔すると同時に前記データ線を形成する際のアラインメントマークとなる開孔部を開孔する工程を更に含む。
【0040】
この態様によれば、平坦化された一の層間絶縁膜に対して、一のコンタクトホールが開孔される時に、データ線を形成する際のアラインメントマークとなる開孔部も同時に開孔される。即ち、平坦化された一の層間絶縁膜にはアラインメントマークが開孔されており、Al膜等が全面に形成された時点で、当該アラインメントマークに対応してAl膜等に窪みができるので、これを位置決め基準として、データ線を形成可能となる。
【0041】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記溝を形成する工程において、前記平坦化された一の層間絶縁膜に対し前記データ線と同一膜から周辺回路の一部を形成する予定の領域にも前記溝を形成し、前記データ線を形成する工程において、前記溝内に前記データ線と同一膜から前記周辺回路の一部をも形成する。
【0042】
この態様によれば、周辺回路が設けられた基板の周辺領域における段差が、周辺回路の一部が溝内に形成されることにより平坦化される。仮にこのような段差が周辺領域にあると、ラビング時にラビング装置の毛先が当該段差の影響を受けて画像表示領域を滑らかにラビングできなくなり、ラビングによる画像むらが発生してしまう。従って、この態様の如く周辺回路に対しても平坦化を行えば、平坦化の度合いに応じてラビングを基板上で均一に行うことができ、ラビングによる画像むらを低減でき、最終的に高品位の画像表示が可能な電気光学装置を実現できる。
【0043】
この態様では、前記画素スイッチング用素子を形成する工程において、前記基板上に前記周辺回路の他部をも形成し、前記一の層間絶縁膜を形成する工程において、前記周辺回路の他部上にも前記一の層間絶縁膜を形成してもよい。
【0044】
このように製造すれば、周辺回路のうち、データ線と同一膜からなる部分に対する平坦化のみならず、画素スイッチング用素子を構成する膜と同一膜からなる他部上における一の層間絶縁膜に対する平坦化も施されるので、ラビングを基板上で均一に行うことができ、ラビングによる画像むらを一層低減できる。
【0045】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素スイッチング用素子と、該画素スイッチング用素子の上方に形成され且つ平坦化された一の層間絶縁膜と、該平坦化された一の層間絶縁膜に形成された溝内に埋められ且つ一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されたデータ線と、該データ線上に形成された他の層間絶縁膜と、該他の層間絶縁膜上に形成され且つ他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続された画素電極とを備える。
【0046】
本発明の電気光学装置によれば、一の層間絶縁膜は、画素スイッチング用素子の上方に形成されており、平坦化されている。データ線は、一の層間絶縁膜上に形成されており、一のコンタクトホールを介して画素スイッチング用素子の一の端子に接続されている。画素電極は、他の層間絶縁膜上に形成されており、他のコンタクトホールを介して画素スイッチング用素子の他の端子に接続されている。
【0047】
従って、本発明の電気光学装置は、上述した本発明の電気光学装置の製造方法により好適に製造可能であり、比較的低コストであり且つ装置信頼性が高く、特に高精細な画像表示が可能となる。
【0048】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記基板上に、前記データ線と同一膜からなると共に前記溝内に埋められた部分を含む周辺回路を更に備える。
【0049】
この態様によれば、周辺回路が設けられた基板の周辺領域における段差が、周辺回路の一部が溝内に形成されることにより平坦化されるので、平坦化の度合いに応じてラビング筋の発生を阻止することで、ラビング筋による画像むらを低減でき、最終的に高品位の画像表示が可能となる。
【0050】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【0051】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0052】
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態における電気光学装置の構成について、図1から図4を参照して説明する。図1は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図3は、図2のA−A’断面図であり、図4は、図2のB−B’断面図である。尚、図3及び図4においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0053】
図1において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極9aと当該画素電極9aを制御するためのTFT30がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向基板(後述する)に形成された対向電極(後述する)との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。
【0054】
図2において、電気光学装置のTFTアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極9a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられている。データ線6aは、コンタクトホール5を介して例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち後述のソース領域に電気接続されている。画素電極9aは、コンタクトホール8を介して半導体層1aのうち後述のドレイン領域に電気接続されている。また、半導体層1aのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域1a’に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはゲート電極として機能する。このように、走査線3aとデータ線6aとの交差する個所には夫々、チャネル領域1a’に走査線3aがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用TFT30が設けられている。
【0055】
容量線3bは、走査線3aに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線6aと交差する箇所からデータ線6aに沿って図中上方に突出した突出部とを有する。
【0056】
次に図3の断面図に示すように、電気光学装置は、透明な一方の基板の一例を構成するTFTアレイ基板10と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する対向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からなる。TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。画素電極9aは例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜16は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【0057】
他方、対向基板20には、その全面に渡って対向電極21が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【0058】
TFTアレイ基板10には、各画素電極9aに隣接する位置に、各画素電極9aをスイッチング制御する画素スイッチング用TFT30が設けられている。
【0059】
対向基板20には、更に図3に示すように、各画素の非開口領域に、遮光膜23が設けられている。このため、対向基板20の側から入射光が画素スイッチング用TFT30の半導体層1aのチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに侵入することはない。更に、遮光膜23は、コントラストの向上、カラーフィルタを形成した場合における色材の混色防止などの機能を有する。
【0060】
このように構成され、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16及び22により所定の配向状態をとる。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、TFTアレイ基板10及び対向基板20をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材(スペーサ)が混入されている。
【0061】
更に、TFTアレイ基板10と複数の画素スイッチング用TFT30との間には、下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12は、TFTアレイ基板10の全面に形成されることにより、TFTアレイ基板10の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特性の劣化を防止する機能を有する。下地絶縁膜12は、例えば、NSG(ノンドープトシリケートガラス)、PSG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。
【0062】
本実施形態では、半導体層1aを高濃度ドレイン領域1eから延設して第1蓄積容量電極1fとし、これに対向する容量線3bの一部を第2蓄積容量電極とし、ゲート絶縁膜を含んだ絶縁薄膜2を走査線3aに対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持された第1誘電体膜とすることにより、蓄積容量70が構成されている。
【0063】
図3において、画素スイッチング用TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜2、データ線6a、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備えている。高濃度ドレイン領域1eには、複数の画素電極9aのうちの対応する一つがコンタクトホール8を介して接続されている。また、走査線3a及び容量線3bの上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール5及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール8が各々形成された第1層間絶縁膜4が形成されている。更に、データ線6a及び第1層間絶縁膜4の上には、高濃度ドレイン領域1eへのコンタクトホール8が形成された第2層間絶縁膜7が形成されている。前述の画素電極9aは、このように構成された第2層間絶縁膜7の上面に設けられている。
【0064】
図4に示すように、図3で左右に相隣接する画素電極9aの間隙に位置する各画素の非開口領域には、データ線6aが設けられており、データ線6aにより各画素の開口領域の輪郭のうちデータ線6aに沿った部分が規定されており、且つデータ線6aにより当該非開口領域における光抜けが防止されている。また、データ線6aの下には、蓄積容量70が形成されており、非開口領域の有効利用が図られている。
【0065】
本実施形態では特に、図3及び図4に示すように、第1層間絶縁膜4は、その上面が平坦化されており、第1層間絶縁膜4の下方に位置するTFT30、蓄積容量70、走査線3a及び容量線3bの存在による第1層間絶縁膜4の下地表面の段差を吸収するように構成されている。即ち、第1層間絶縁膜4は、後述の製造工程において、先ず当該下地表面の段差以上の厚みに積まれ、熱焼成処理を経て、CMP法等の研磨処理により、当初最も低かった部分が研磨されるまで研磨され、更に走査線3aや容量線3bが露出しない程度の厚みまで研磨されることにより、表面が完全に平らとなるように形成されている。
【0066】
そして、このように平坦化された第1層間絶縁膜4に掘られた溝4a内に、コンタクトホール5を介してTFT30の高濃度ソース領域1dに接続されるように、データ線6aが形成されている。
【0067】
特にこのような製造工程において、第1層間絶縁膜4を平坦化した後に、第1層間絶縁膜4に対して、データ線6aを構成する低融点金属であるAlの融点とは無関係に、700℃以上の熱処理が施されているため、第1層間絶縁膜4は緻密な絶縁膜として構成されている。この結果、第1層間絶縁膜4を研磨処理により平坦化する際に、クラックが生じる可能性が低減され、最終的に高い装置良品率が実現されている。また、緻密な第1層間絶縁膜4が平坦化されるため、マザー基板の中央付近と周辺付近とでの研磨量の差も低減されており、平坦化後における第1層間絶縁膜4の膜厚は、マザー基板面内で均一化されている。
【0068】
加えて、図3及び図4に示すように、このように平坦化された第1層間絶縁膜4に形成された溝4a内にデータ線6aが埋め込まれているので、データ線6aを含む第1層間絶縁膜4の表面全体において、当該データ線6aの存在による段差は殆ど生じていない。従って、この上に形成される第2層間絶縁膜7における段差は、データ線6aを溝4a内に埋め込まない場合と比較して、ほぼデータ線6aの膜厚分だけ更に低減されている。
【0069】
以上の結果、本実施形態によれば、時定数に優れたAl等の低融点金属材料からデータ線6aを構成しつつも、この融点と無関係な高温の熱焼成処理が施されることにより緻密化された第1層間絶縁膜4における平坦化処理に伴う製造歩留まりの低下が抑制されており、最終的に低コストで高精細な電気光学装置が実現されている。
【0070】
更に、このように第1層間絶縁膜4が平坦化されおり、更にこれに掘られた溝4a内にデータ線6aが埋め込まれており、段差の殆どない画素電極9a上に形成された配向膜16に対しラビング処理を施せばよいので、そのラビング方向は段差方向による制約を受けなくて済む。このため特に、液晶層50としてTN(Twisted Nematic)液晶を用いた際に、データ線6aの方向(図2で上下方向)に対して45度の方向にラビングすることにより、前述した複板式カラープロジェクタにおいても、反転して使用される1枚のライトバルブとそれ以外の2枚のライトバルブとの間で明視方向を同じにできるので、3枚のライトバルブを組み合わせることで色むらが増長される事態を防ぐことも可能となる。また、このような構成を持つ電気光学装置をVA(Vertically Aligned)モードの液晶装置に適用すれば、段差の殆どない画素電極9aにより高精度の垂直配向を得ることができる。
【0071】
以上説明した第1実施形態では、画素スイッチング用TFT30は、好ましくは図3に示したようにLDD構造を持つが、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線3aの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のTFTであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用TFT30のゲート電極を高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1e間に1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でTFTを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【0072】
尚、本実施形態の各コンタクトホール(8及び5)の平面形状は、円形や四角形或いはその他の多角形状等でもよいが、円形は特にコンタクトホールの周囲の層間絶縁膜等におけるクラック防止に役立つ。そして、良好な電気接続を得るために、ドライエッチング後にウエットエッチングを行って、これらのコンタクトホールに夫々若干のテーパをつけることが好ましい。
【0073】
(第1実施形態の製造プロセス)
次に、以上のような構成を持つ第1実施形態における電気光学装置を構成するTFTアレイ基板側の製造プロセスについて、図5から図9を参照して説明する。尚、図5は各工程におけるTFTアレイ基板側の各層を、図3と同様に図2のA−A’断面に対応させて示す工程図である。図6から図8は夫々、図5の工程(d)における溝4aの形成方法の具体例を示す工程図である。また図9は、図5の工程(e)におけるデータ線6aの形成方法の具体例を示す工程図である。
【0074】
先ず図5の工程(a)に示すように、薄膜形成技術を用いて、TFTアレイ基板10上に、TFT30及び蓄積容量70を形成する。
【0075】
より具体的には、先ず石英基板、ハードガラス基板、シリコン基板等のTFTアレイ基板10を用意し、この上に、例えば、常圧又は減圧CVD法等によりTEOSガス、TEB(テトラ・エチル・ボートレート)ガス、TMOP(テトラ・メチル・オキシ・フォスレート)ガス等を用いて、NSG、PSG、BSG、BPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなり、膜厚が約500〜2000nmの下地絶縁膜12を形成する。次に、下地絶縁膜12の上に、減圧CVD等によりアモルファスシリコン膜を形成し熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を固相成長させる。或いは、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を直接形成する。次に、このポリシリコン膜に対し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより、図2に示した如き第1蓄積容量電極1fを含む所定パターンを有する半導体層1aを形成する。次に、熱酸化すること等により、TFT30のゲート絶縁膜と共に蓄積容量形成用の第1誘電体膜を含む絶縁薄膜2を形成する。この結果、半導体層1aの厚さは、約30〜150nmの厚さ、好ましくは約35〜50nmの厚さとなり、絶縁薄膜2の厚さは、約20〜150nmの厚さ、好ましくは約30〜100nmの厚さとなる。次に、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を約100〜500nmの厚さに堆積し、更にP(リン)を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図2に示した如き所定パターンの走査線3a及び容量線3bを形成する。尚、走査線3a及び容量線3bは、高融点金属や金属シリサイド等の金属合金膜で形成しても良いし、ポリシリコン膜等と組み合わせた多層配線としても良い。次に、低濃度及び高濃度の2段階で不純物イオンをドープすることにより、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを含む、LDD構造の画素スイッチング用TFT30を形成する。
【0076】
尚、図5の工程(a)と並行して、TFTから構成されるデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路をTFTアレイ基板10上の周辺部に形成してもよい。
【0077】
次に図5の工程(b)に示すように、走査線3a、容量線3b、絶縁薄膜2及び下地絶縁膜12が形成されたTFTアレイ基板10の上面を覆うように、例えば、常圧又は減圧CVD法やTEOSガス等を用いて、NSG、PSG、BSG、BPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜4’を形成する。続いて、層間絶縁膜4’に対して、700℃以上の温度で熱焼成を施す。層間絶縁膜4’の膜厚は、このような積層体上面の段差を吸収するのに十分であり且つ平坦化後に溝4aを掘っても走査線3aや容量線3bが露出しないのに十分な厚みに設定される。具体的には例えば1000〜2000nm程度の膜厚とされる。本実施形態では特に、700℃以上の熱焼成を行うため、2000nm程度の比較的厚い絶縁膜であっても、緻密であり次に行われる研磨処理に対してクラックが発生し難い良質の絶縁膜が得られる。尚、この熱焼成と並行して或いは相前後して、半導体層1aを活性化するために約1000℃の熱処理を行ってもよい。
【0078】
次に図5の工程(c)に示すように、層間絶縁膜4’をCMP法等の研磨処理により平坦化する。具体的には、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上に、シリカ粒を含んだ液状のスラリー(化学研磨液)を流しつつ、スピンドルに固定した基板表面(層間絶縁膜4’の側)を、回転接触させることにより、層間絶縁膜4’の表面を研磨する。そして、走査線3a及び容量線3bが露出する前に、時間管理により或いは適当なストッパ層をTFTアレイ基板10上の所定位置に形成しておくことにより、研磨処理を停止する。この結果、膜厚が約500〜1500nmであると共に上面が平坦化された第1層間絶縁膜4が完成する。
【0079】
次に図5の工程(d)に示すように、平坦化後の第1層間絶縁膜4に対して、データ線6aを形成する予定の領域に溝4aが形成される。ここで、図6から図8を参照して、この工程(d)における溝4aの各種形成方法についての説明を加える。
【0080】
図6に示す溝4aの形成方法では、先ず図6の工程(1)に示すように、平坦化された第1層間絶縁膜4の上に、レジスト600を形成し、溝4aの平面パターンに対応するマスクを用いてのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、溝4aと同じ平面パターンを持つレジスト600が形成される。次に図6の工程(2)に示すように、このレジスト600を介して、エッチャント601を用いて、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングを行う。そして、このドライエッチングの時間管理により、形成すべき溝4aの深度制御を行う。最後に図6の工程(3)に示すように、レジスト600を除去することにより、平坦化され且つ溝4aが掘られた第1層間絶縁膜4が完成する。このようにドライエッチングの時間管理により、データ線6aを段差なく埋め込む深さの溝4aを比較的容易に掘ることができる。尚、このように指向性の高いドライエッチングを用いれば、時間管理によっても比較的高精度で溝の深さ制御及び形状制御が可能となるが、要求される精度によってはウエットエッチングを用いてもよい。
【0081】
図7に示す溝4aの形成方法では、図5に示した工程(b)及び(c)の段階で、エッチャント601を用いた反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング或いはウエットエッチングによりエッチングされ難い、例えば窒化シリコン膜等の下側絶縁膜4Lの上にエッチャント601によりエッチングされ易いと共にデータ線6aの膜厚に対応する膜厚を有する、例えば酸化シリコン膜等の上側絶縁膜4Uが形成されている。即ち、図5の工程(d)の前段階で、下側絶縁膜4L及び上側絶縁膜4Uからなる多層構造を有する一の層間絶縁膜4が形成されているものとする。そして先ず図7の工程(1)に示すように、平坦化された第1層間絶縁膜4の上に、レジストが積まれ、溝4aの平面パターンに対応するマスクを用いてのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、溝4aと同じ平面パターンを持つレジスト600が形成される。次に図7の工程(2)に示すように、このレジスト600を介して、エッチャント601を用いて、当該エッチャント601によりエッチングされ易い酸化シリコン膜等の上側絶縁膜4Uに対するエッチングを行う。そして、当該エッチャント601ではエッチングされ難い窒化シリコン膜等の下側絶縁膜4Lが露出した後に、エッチングを停止する。最後に図7の工程(3)に示すように、レジスト600を除去することにより、平坦化され且つ溝4aが掘られた第1層間絶縁膜4が完成する。このように、例えばスパッタリングや蒸着等により形成可能な上側絶縁膜4Uの膜厚制御という比較的容易であり信頼性の高い制御により、データ線6aを段差なく埋め込む深さの溝4aを比較的容易に掘ることができる。
【0082】
図8に示す溝4aの形成方法では、図5に示した工程(b)及び(c)の段階で、積層体中のいずれかの膜であってエッチャント601によりエッチングされ難い導電性又は絶縁性の下地700の上にエッチャント601によりエッチングされ易いと共にデータ線6aの膜厚に対応する膜厚を有する、例えば酸化シリコン膜等の下側絶縁膜4L’が形成されている。そして先ず図8の工程(1)に示すように、平坦化された下側絶縁膜4L’の上に、レジストが積まれ、溝4aの平面パターン(即ち、データ線6aの平面パターン)に対応するマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、溝4aと同じ平面パターンを持つレジスト600が形成される。次に図8の工程(2)に示すように、このレジスト600を介して、エッチャント601を用いて、当該エッチャント601によりエッチングされ易い酸化シリコン膜等の下側絶縁膜4L’に対するエッチング(反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング或いはウエットエッチング)を行う。そして、当該エッチャント601ではエッチングされ難い下地700が露出した後に、エッチングを停止する。次に図8の工程(3)に示すように、レジスト600を除去した後に、図8の工程(4)に示すように、下側絶縁膜4L’に掘られた溝4a’の底部において露出した下地700を覆うべく溝4a’内及び溝4a’の周囲に広がる下側絶縁膜4L’上の全体に上側絶縁膜4U’を形成する。このように、例えばスパッタリングや蒸着等により形成可能な下側絶縁膜4L’の膜厚制御という比較的容易であり信頼性の高い制御により、データ線6aを段差なく埋め込む深さの溝4aを比較的容易に掘ることができる。しかも、仮に溝4a’内にデータ線6aを直接形成したのでは、溝4a’の底部に露出した下地700の性質に依存してショートや絶縁性低下或いは汚染、腐蝕等の問題が生じるような場合でも、溝内4a’に形成された上側絶縁膜4U’による電気絶縁効果或いは汚染防止効果等により、このような問題が生じることはない。尚この場合の上側絶縁膜4U’は、このような問題を防止し得る範囲において薄く形成すればよい。
【0083】
次に図5の工程(e)に示すように、データ線6aと半導体層1aの高濃度ソース領域1dを電気接続するためのコンタクトホール5を溝4aが形成された第1層間絶縁膜4及び絶縁薄膜2に開孔する。また、走査線3aや容量線3bを基板周辺領域において図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール5と同一の工程により開孔することができる。続いて、第1層間絶縁膜4の上に、スパッタリング等により、Al等の低抵抗金属膜や金属シリサイド膜を約100〜500nmの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等により、予め設定された平面パターンを有する溝4a内に埋め込まれるようにデータ線6aを形成する。
【0084】
ここで、図9を参照して、この工程(e)におけるデータ線6aの形成方法にの一例としての、ダマシン法を用いた具体例についての説明を加える。
【0085】
即ち、図9の工程(1)に示すように、溝4a及びコンタクトホール5が形成された第1層間絶縁膜4上に対し、図9の工程(2)に示すように、溝4aの深度よりも厚くなるようにAl膜6a’をスパッタリング等により積む。そして、図9の工程(3)に示すように、CMP研磨等により、このAl膜6a’を研磨して、溝4a内にのみAl膜6a’が残った時点で、この研磨を停止する。これにより溝4a内に残ったAl膜6a’がデータ線6aとなる。このようにダマシン法を用いれば、溝4a内の空間に余すところなくデータ線6を埋め込むことができ且つ溝4aの周囲にある第1層間絶縁膜4aの上面と極めて滑らかに連続した上面を有するデータ線6aを形成することが可能となる。
【0086】
次に図5の工程(f)に示すように、データ線6a上に第2層間絶縁膜7が形成され、画素電極9aと高濃度ドレイン領域1eとを電気接続するためのコンタクトホール8を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング或いはウエットエッチングにより形成する。続いて、第2層間絶縁膜7の上に、スパッタリング等により、ITO膜等の透明導電性膜を、約50〜200nmの厚さに堆積し、更にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等により、画素電極9aを形成する。尚、当該電気光学装置を反射型として用いる場合には、Al等の反射率の高い不透明な材料から画素電極9aを形成してもよい。
【0087】
以上のように本実施形態の製造方法によれば、第1層間絶縁膜4を平坦化した後に第1層間絶縁膜4に溝4aを形成し、溝4a内にデータ線6aを形成するため、データ線6aの材料である時定数に優れたAl等が、低融点金属であるのも拘わらず、この融点と無関係である高温で第1層間絶縁膜4に対して熱処理を十分に施すことができる。即ち、データ線6aを形成する工程(e)以前に実施される工程(b)における熱焼成により、緻密な第1層間絶縁膜4を形成することが可能とされている。この結果、工程(c)において、第1層間絶縁膜4を研磨処理しても、クラックが生じる可能性が低減され、最終的に装置良品率を向上できる。また、緻密な第1層間絶縁膜4を平坦化するので、マザー基板の中央付近と周辺付近とでの研磨量の差も低減され、平坦化後における第1層間絶縁膜4の膜厚をマザー基板面内で均一化できる。特に、本製造方法によれば、平坦化処理としてCMP法等の研磨処理を施せばよいので、従来の製造方法と比べても工程増によるコスト高を殆ど招かなくて済む。加えて、工程(c)で平坦化された第1層間絶縁膜4に掘られた溝4a内にデータ線6aが埋め込まれるので、データ線6aを形成した後にも、データ線6aを含む第1層間絶縁膜4の表面全体において、当該データ線6aの存在による段差は殆ど生じない。このため、工程(f)において画素電極9aを形成する時点では、その下地面となる第2層間絶縁膜7の表面を極めて良好に平坦化できる。
【0088】
以上説明した本実施形態の製造方法では特に、第1層間絶縁膜4は、酸化シリコン膜から形成するのが好ましい。このように形成すれば、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜4’に対して熱焼成を実施することにより、緻密な第1層間絶縁膜4を形成することが可能となる。更に、このような酸化シリコン膜を、TEOSを原料として形成するのがより好ましい。このようにTEOSを原料として酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜4’を形成すれば、熱焼成を実施することにより緻密となる層間絶縁膜4’を、例えば、2000nm程度まで厚く積むことも可能となる。このため、TFT30等の存在に起因した段差が例えば、1000nm以上あっても、図5の工程(b)及び(c)におけて層間絶縁膜4’を用いて十分に平坦化することが可能となる。特にこのように工程(b)で層間絶縁膜4’を厚く積めば、工程(c)においてCMP処理等による平坦化処理を時間管理により停止する方式を採用しても、層間絶縁膜4’が過剰研磨により突き抜けてしまう可能性も低減できる。加えて、このようにTEOSを原料として酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜4’を形成する場合には、700℃以上の熱処理を施せば、非常に緻密であり研磨処理によりクラックし難い極めて良好な絶縁膜を得ることが出来る。
【0089】
以上説明した本実施形態の製造方法では、図5の工程(e)においてデータ線6aを形成する前にコンタクトホール5を開孔すると同時にデータ線6aを形成する際のアラインメントマークとなる開孔部をTFTアレイ基板10上の所定位置に開孔することが好ましい。ただし、平坦化された第1層間絶縁膜4上に、スパッタリング等によりAl膜等が全面に形成された時点では、当該Al膜等が非光透過性であり且つその表面が平坦では、Al膜等の下に位置する配線等とデータ線6aとの位置関係決めが不可能となる。しかるに、このように平坦化された第2層間絶縁膜4の所定位置にアラインメントマーク(開孔部)を開孔しておけば、Al膜等が全面に形成された時点で、当該アラインメントマークに対応してAl膜等に窪みができる。この結果、これの窪みを位置決め基準として、データ線6aを形成可能となるので便利である。しかも、係るアラインメントマークを、コンタクトホール5と同時に開孔すれば、アラインメントマーク専用の開孔工程を必要としないため、製造工程上極めて有利である。
【0090】
尚、溝4aをエッチングで形成する工程と同時に、このようなアラインメントマークとなる開孔部を開孔してもよい。
【0091】
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態における電気光学装置の構成について、図10から図12を参照して説明する。図10は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図11は、図10のC−C’断面図であり、図12は、図10のD−D’断面図である。尚、図11及び図12においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。尚、図10から図12に示した第2実施形態において図2から図4に示した第1実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【0092】
第2実施形態では、第1実施形態と比べて、以下の点が異なり、その他の構成については第1実施形態の場合と同様である。
【0093】
即ち図10及び図11に示すように、上下に相隣接する画素電極9a間の間隙における走査線3aに沿った領域(図10中右下がりの粗い斜線で示した領域)には夫々、島状で導電性のバリア層80aが設けられており、画素電極9aは、バリア層80aを中継して、コンタクトホール8a及び8bを介して高濃度ドレイン領域1eに電気接続されている。更に図10及び図12に示すように、左右に相隣接する画素電極9a間の間隙におけるデータ線6aに沿った領域(図10中右下がりの粗い斜線で示した領域)には夫々、バリア層80bが設けられており、バリア層80bと容量線3bとがコンタクトホール8cを介して接続されている。
【0094】
また、図10から図12に示すように、第2実施形態では、第1蓄積容量電極1fに対向する容量線3bの一部を第2蓄積容量電極とし、ゲート絶縁膜を含んだ絶縁薄膜2を走査線3aに対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持された第1誘電体膜とすることにより、第1蓄積容量70aが構成されている。他方、第2蓄積容量電極と対向するバリア層80aの一部を第3蓄積容量電極とし、これらの電極間に第2誘電体膜81を設けることにより、第2蓄積容量70bが構成されている。そして、これら第1蓄積容量70a及び第2蓄積容量70bがコンタクトホール8a及び8bを介して並列接続されて蓄積容量70が構成されている。このように第2蓄積容量70bを構成する第2誘電体膜81は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等でもよいし、多層膜から構成してもよい。一般にゲート絶縁膜等の絶縁薄膜2を形成するのに用いられる各種の公知技術(減圧CVD法、プラズマCVD法、熱酸化法等)により、第2誘電体膜81を形成可能である。
【0095】
以上のように、第2実施形態では高濃度ドレイン領域1eと画素電極9aとをバリア層80aを中継して電気接続するので、画素電極9aからドレイン領域まで一つのコンタクトホールを開孔する場合と比較して、コンタクトホール8a及びコンタクトホール8bの径を夫々小さくできる。
【0096】
このようなバリア層80a及び80bは、例えば高融点金属であるTi(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)及びPb(鉛)のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成するようにする。これにより、コンタクトホール8bを介してバリア層80a及び画素電極9a間で良好な電気接続がとれる。
【0097】
また特に図10及び図12に示すように、データ線6aを平面的に見て少なくとも部分的に覆う遮光性のバリア層80bが設けられているので、第2層間絶縁膜4上に形成されたデータ線6aの有無に起因した段差による、データ線6aに沿った画像表示領域における光抜け等の表示不良個所を、当該バリア層80bにより隠せる。この結果、高コントラストの画像表示が可能となる。同様に、走査線3a及び容量線3bに沿った画像表示領域における光抜け等の表示不良個所を、バリア層80aにより隠せる。これらの結果、高コントラストの画像表示が可能となる。更に、バリア層80aとバリア層80bとは、同一膜から同時に製造可能であるので、製造工程上有利である。特に、図10及び図12に示したように、バリア層80bと画素電極9aとが平面的に見て少なくとも部分的に重なるように形成されているため、当該重なったバリア層80bにより各画素の開口領域の左右の輪郭を少なくとも部分的に規定できる。
【0098】
尚、第2実施形態の電気光学装置を製造する場合には、上述の第1実施形態の電気光学装置を製造する方法における図5の工程(a)と工程(b)との間に、第2誘電体膜81を、減圧CVD法、プラズマCVD法等により高温酸化シリコン膜(HTO膜)や窒化シリコン膜から約200nm以下の比較的薄い厚さに堆積し、これにコンタクトホール8a及び8cを反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング或いはウエットエッチングにより開孔する。更に、この上に、Ti、Cr、W、Ta、Mo及びPb等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜をスパッタリングにより堆積して、50〜500nm程度の膜厚の導電膜を形成し、これにフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等を施すことにより、バリア層80a及び80bを形成すればよい。
【0099】
加えて、このようにバリア層80a及び80bを形成する際に、これらと同一層から研磨処理に対するストッパ層をTFTアレイ基板10上の所定位置に形成してもよい。このようにストッパ層を形成しておけば、時間管理でなくストッパ層によりCMP処理の停止制御を行える。尚、この場合のストッパ層表面の検出は、例えばストッパ層が露出した際の摩擦係数の変化を検出する摩擦検出式、ストッパ層が露出した際に発生する振動を検出する振動検出式、ストッパ層が露出した際の反射光量の変化を検出する光学式により行えばよい。
【0100】
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態における電気光学装置について、図13及び図14を参照して説明する。図13は、第3実施形態における、図12に示したD−D’断面図に対応する個所の断面図である。図14は、第3実施形態の製造方法において、バリア層80bをストッパ膜として用いて溝4aの深さを制御する溝堀り工程を示す工程図である。尚、図13においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また図13及び図14に示した第3実施形態において、図2から図12に示した第1又は第2実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【0101】
第3実施形態では、第2実施形態と比べて、以下の点が異なり、その他の構成については第2実施形態の場合と同様である。
【0102】
即ち図13に示すように、データ線6aが埋め込まれる溝4aは、バリア層80bに至っており、バリア層80bの上面が溝4aの底部を構成している。そして、データ線6aは、その底面をバリア層80bの上面と接触するように溝4a内に埋め込まれている。このように構成すれば、バリア層80bをデータ線6aの冗長配線として機能させることができる。このため特にデータ線6aが部分的に断線した場合にも、バリア層80bからなる冗長配線の存在により、実質的に配線不良とならないで済むので装置良品率を向上させる観点から有利である。尚、バリア層80bをこのようにデータ線6aの冗長配線とするためにはバリア層80bは、なるべくデータ線6aの配線された領域の全体に渡ってデータ線6aに重ねて形成するのが好ましい。尚、本第3実施形態では、バリア層80bと容量線3bを電気接続するためのコンタクトホール8cを設けない。
【0103】
更に、本実施形態の如くバリア層80bにより溝4aの底部を構成する場合には、バリア層80bを、エッチングにより溝4aを掘る際のストッパ膜として用いることが出来るので製造工程及び装置構成を簡略化する観点からも有利である。
【0104】
即ち、図14に示すように、本実施形態において第1層間絶縁膜4に溝4aを掘る場合には、バリア層80bの上に形成される第1層間絶縁膜4の厚みが溝4aの深さと等しくなるように第1実施形態のところで前述した図5の工程(a)から(c)が行われた後、図14の工程(1)に示すように、平坦化された第1層間絶縁膜4の上に、レジストが積まれ、溝4aの平面パターンに対応するマスクを用いてのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、溝4aと同じ平面パターンを持つレジスト600が形成される。次に図14の工程(2)に示すように、このレジスト600を介して、エッチャント601を用いて、当該エッチャント601によりエッチングされ易い酸化シリコン膜等の第1層間絶縁膜4に対するエッチング(反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング或いはウエットエッチング)を行う。そして、当該エッチャント601ではエッチングされ難い高融点金属等からなるストッパ膜としてのバリア層80bが露出した後に、エッチングを停止する。最後に図14の工程(3)に示すように、レジスト600を除去することにより、平坦化され且つ溝4aが掘られた第1層間絶縁膜4が完成する。しかも、溝4aの底がバリア層80bの上面に他ならないので、第1実施形態のところで前述した図5(e)の如く溝4a内にデータ線6aを形成すれば、自動的にデータ線6aとバリア層80bとからなる冗長配線構造が得られる。
【0105】
しかも、このように時間管理でなくバリア層80bをストッパ膜として用いることにより、溝4aの深さ制御を精度良く行うことができ、よってデータ線6aを含む第1層間絶縁膜4の上面全体の平坦化をより一層図ることが出来る。
【0106】
以上の如きストッパ膜は、画素部において他の機能を有する導電膜或いは絶縁膜と同一膜から形成することも可能である。より具体的には、例えば、画素開口領域を規定するための遮光用の導電層と同一膜から、ストッパ膜を形成可能である。この場合更に、係る遮光用の導電層等に、データ線6aに対する冗長配線としての機能を持たせることも可能である。このように他の機能を有する膜と同一膜を用いてストッパ膜を形成すれば、専用のストッパ膜を別途形成する場合と比較して、製造工程及び装置構造を簡略化する上で有利である。但し、専用のストッパ膜を別途形成することによっても、本発明の上述の如き効果は、十分に発揮される。
【0107】
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態における電気光学装置の構成について、図15を参照して説明する。図15は、第1実施形態における図2のB−B’断面に対応するTFTアレイ基板側部分の断面図である。また、図15においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。尚、図15に示した第4実施形態において図4に示した第1実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【0108】
図15において、第4実施形態では、第1実施形態と比べて、TFTアレイ基板10上におけるデータ線6aに対向する位置に遮光膜11aが設けられている点が異なる。また、このようにTFTアレイ基板10上に形成される遮光膜11aは、TFT30の少なくともチャネル領域1a’並びに該チャネル領域1a’、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cの接合部を平面的に見て覆う位置に設けられてもよい。このようにすれば、遮光膜11aにより、チャネル領域1a’及びソース・ドレイン領域との接合部におけるTFT30の特性変化を防止可能となる。特にこのように遮光膜11aをTFTアレイ基板10とTFT30との間に形成すれば、TFTアレイ基板10側からの戻り光等の光に対する遮光が可能となる。また図15に示したように、遮光膜11aの縁と画素電極9aの縁とが平面的に見て若干重なるように且つデータ線6aの縁と画素電極9aの縁とが平面的に見て重ならないように、これらの遮光膜11a、画素電極9a及びデータ線6aが平面レイアウトされている。即ち、図15において、データ線6aの幅W1、左右に相隣接する画素電極9aの間隔W2及び遮光膜11aの幅W3について、W1<W2<W3の関係が成立するようにこれらが設けられている。その他の構成については第1実施形態の場合と同様である。
【0109】
この結果、第4実施形態によれば、画素電極9aと重なる遮光膜11aにより各画素の開口領域の左右の輪郭を規定できる。同時に、データ線6aと画素電極9aとが重ならないので、両者が第3層間絶縁膜7を介して対向することにより発生する寄生容量、即ち、TFT30におけるソース及びドレイン間における寄生容量を極く小さくできる。この結果、データ線6aに供給される信号レベルが変化するのを防ぎ、表示上の画像むらを低減することで、画質向上が図れる。尚、データ線6aと画素電極9aとの間に光が透過可能な間隙が空くが、この間隙は遮光膜11aにより隠されている。このため、データ線6aと画素電極9aとの間に光抜け等の表示不良は生じない。また、このように構成すれば、対向基板20側に遮光膜23(図3参照)を設けないで済む。
【0110】
第4実施形態の電気光学装置を製造する場合には、上述の第1実施形態の電気光学装置を製造する方法における図5の工程(a)において、TFTアレイ基板10の全面に、Ti、Cr、W、Ta、Mo及びPb等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、100〜500nm程度の膜厚、好ましくは約200nmの膜厚の所定パターンの遮光膜11aを形成すればよい。
【0111】
尚、遮光膜11aは、例えば走査線3aやデータ線6a下に延設されて、定電位線に電気接続されてもよい。このように構成すれば、遮光膜11aに対向配置されるデータ線6aやTFT30に対し遮光膜11aの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。この場合、定電位線としては、当該電気光学装置を駆動するための周辺回路(例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等)に供給される負電源、正電源等の定電位線、接地電源、対向電極21に供給される定電位線等が挙げられる。また、遮光膜11aの平面レイアウトとしては、データ線6a及び走査線3aに沿って格子状でも良いし、データ線6aやTFT30を覆うように島状でもよい。
【0112】
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態における電気光学装置の構成について、図16を参照して説明する。図16は、第2実施形態における図10のD−D’断面に対応するTFTアレイ基板側部分の断面図である。また、図16においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。尚、図16に示した第5実施形態において図12に示した第2実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【0113】
図16において、第5実施形態では、第2実施形態と比べて、遮光性のバリア層80bの縁と画素電極9aの縁とが平面的に見て若干重なるように且つデータ線6aの縁と画素電極9aの縁とが平面的に見て重ならないように、これらのバリア層80b、画素電極9a及びデータ線6aが平面レイアウトされている。即ち、図16において、データ線6aの幅W1、左右に相隣接する画素電極9aの間隔W2及びバリア層80bの幅W4について、W1<W2<W4の関係が成立するようにこれらが設けられている。その他の構成については第2実施形態の場合と同様である。
【0114】
この結果、第5実施形態によれば、画素電極9aと重なるバリア層80bにより各画素の開口領域の左右の輪郭を規定できる。同時に、データ線6aと画素電極9aとが重ならないので、両者が第3層間絶縁膜7を介して対向することにより発生する寄生容量、即ち、TFT30におけるソース及びドレイン間における寄生容量を極く小さくできる。この結果、データ線6aに供給される信号レベルが変化するのを防ぎ、表示上の画像むらを低減することで、画質向上が図れる。尚、データ線6aと画素電極9aとの間に光が透過可能な間隙が空くが、この間隙はバリア層80bにより隠されている。このため、データ線6aと画素電極9aとの間に光抜け等の表示不良は生じない。また、このように構成すれば、対向基板20側に遮光膜23を設けないで済む。
【0115】
第5実施形態の電気光学装置の製造方法については、第2実施形態の場合とほぼ同様であるのでその説明は省略する。
【0116】
(電気光学装置の全体構成)
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図17及び図18を参照して説明する。尚、図17は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図18は、図17のH−H’断面図である。
【0117】
図17において、TFTアレイ基板10の上には、シール材52がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば遮光膜23と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額縁としての遮光膜53が設けられている。シール材52の外側の領域には、データ線6aに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線6aを駆動するデータ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられており、走査線3aに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線3aを駆動する走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。走査線3aに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路104は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路101を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線は画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線6aを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路101の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にTFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための複数の配線105が設けられている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的に導通をとるための導通材106が設けられている。そして、図18に示すように、図17に示したシール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が当該シール材52によりTFTアレイ基板10に固着されている。
【0118】
本実施形態では特に、TFTアレイ基板10上に形成された周辺回路の一例たるデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104の少なくとも一部は好ましくは、データ線6aと同一膜からなりデータ線6aと同様に溝4a内に埋められている。従って、データ線駆動回路101や走査線駆動回路104が設けられたTFTアレイ基板10上の周辺領域における段差が、このように少なくとも一部が溝4a内に形成されることにより平坦化されるので、平坦化の度合いに応じてラビングをTFTアレイ基板10上で均一に行うことができ、ラビングによる画像むらを低減できる。
【0119】
このようにデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104の少なくとも一部を溝4a内に形成するには、前述の製造プロセスで、図5の工程(d)において、第1層間絶縁膜4に対し、データ線6aと同一膜からデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104の少なくとも一部を形成する予定の領域にも、溝4aを形成し、図5の工程(e)において、この溝4a内に、データ線と同一膜からデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104の少なくとも一部を形成すればよい。更に、図5の工程(a)において、画素スイッチング用TFT30を形成するのと同時に、TFTアレイ基板10上にデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104の他部(例えば、TFT)をも形成し、その後図5の工程(b)及び(c)において、データ線駆動回路101や走査線駆動回路104の他部上にも、平坦化された第1層間絶縁膜4を形成してもよい。このように製造すれば、周辺領域における平坦化が促進されるので、ラビングをTFTアレイ基板上で均一に行うことができ、ラビングによる画像むらを一層低減できる。
【0120】
尚、TFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、複数のデータ線6aに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【0121】
以上図1から図18を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に設ける代わりに、例えばTAB(Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用LSIに、TFTアレイ基板10の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板20の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の出射光が出射する側には各々、例えば、TNモード、VAモード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【0122】
以上説明した各実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、3枚の電気光学装置がRGB用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板20に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第2遮光膜23の形成されていない画素電極9aに対向する所定領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板20上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置に各実施形態における電気光学装置を適用できる。更に、対向基板20上に1画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、TFTアレイ基板10上のRGBに対向する画素電極9a下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【0123】
(電子機器の構成)
上述の実施例の電気光学装置を用いて構成される電子機器は、図19に示す表示情報出力源1000、表示情報処理回路1002、表示駆動回路1004、液晶装置などの電気光学装置100、クロック発生回路1008及び電源回路1010を含んで構成される。表示情報出力源1000は、ROM、RAMなどのメモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路1008からのクロックに基づいて、ビデオ信号などの表示情報を出力する。表示情報処理回路1002は、クロック発生回路1008からのクロックに基づいて表示情報を処理して出力する。この表示情報処理回路1002は、例えば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができる。表示駆動回路1004は、走査側駆動回路及びデータ側駆動回路を含んで構成され、液晶パネル1006を表示駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に電力を供給する。
【0124】
このような構成の電子機器として、図20に示す投射型表示装置などを挙げることができる。
【0125】
図20は、投写型表示装置の要部を示す概略構成図である。図中、1102は光源、1108はダイクロイックミラー、1106は反射ミラー、1122は入射レンズ,1123はリレーレンズ、1124は出射レンズ、100R,100G,10おBは液晶光変調装置、1112はクロスダイクロイックプリズム、1114は投写レンズを示す。光源1102はメタルハライド等のランプとランプの光を反射するリフレクタとからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー1108は、光源1102からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー1106で反射されて、赤色光用液晶光変調装置100Rに入射される。一方、ダイクロイックミラー1108で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー1108によって反射され、緑色光用液晶光変調装置100Gに入射される。一方、青色光は第2のダイクロイックミラー1108も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ1122、リレーレンズ1123、出射レンズ1124を含むリレーレンズ系からなる導光手段1121が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶光変調装置100Bに入射される。各光変調装置により変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム1112に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ1114によってスクリーン1120上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【0126】
本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置の製造方法或いは電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図2】第1実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図3】図2のA−A’断面図である。
【図4】図2のB−B’断面図である。
【図5】第1実施形態の電気光学装置の製造プロセスを順を追って示す工程図である。
【図6】図5の工程(d)における溝4aの形成方法の一の具体例を示す工程図である。
【図7】図5の工程(d)における溝4aの形成方法の他の具体例を示す工程図である。
【図8】図5の工程(d)における溝4aの形成方法の他の具体例を示す工程図である。
【図9】図5の工程(e)におけるデータ線6aの形成方法の一の具体例を示す工程図である。
【図10】第2実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図11】図10のC−C’断面図である。
【図12】図10のD−D’断面図である。
【図13】第3実施形態の電気光学装置の構成を示す、図12に示されたD−D’断面図に対応する個所の断面図である。
【図14】第3実施形態の電気光学装置の製造方法において、ストッパ膜を用いて溝4aの深さを制御する溝堀り工程を示す工程図である。
【図15】第4実施形態の電気光学装置の図2のB−B’断面に対応する個所における断面図である。
【図16】第5実施形態の電気光学装置の図10のD−D’断面に対応する個所における断面図である。
【図17】各実施形態の電気光学装置におけるTFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図18】図17のH−H’断面図である。
【図19】電子機器の実施例である。
【図20】本実施例を用いた応用例としても投射型表示装置の実施例である。
【符号の説明】
1a…半導体層
1a’…チャネル領域
1b…低濃度ソース領域
1c…低濃度ドレイン領域
1d…高濃度ソース領域
1e…高濃度ドレイン領域
1f…第1蓄積容量電極
2…絶縁薄膜
3a…走査線
3b…容量線
4…第1層間絶縁膜
4a…溝
4U…下側絶縁膜
4L…上側絶縁膜
5…コンタクトホール
6a…データ線
7…第2層間絶縁膜
8…コンタクトホール
8a…コンタクトホール
8b…コンタクトホール
8c…コンタクトホール
9a…画素電極
10…TFTアレイ基板
11a…遮光膜
12…下地絶縁膜
16…配向膜
20…対向基板
21…対向電極
22…配向膜
23…遮光膜
30…画素スイッチング用TFT
50…液晶層
70…蓄積容量
70a…第1蓄積容量
70b…第2蓄積容量
80a…バリア層
80b…バリア層
81…第2誘電体膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a technical field of a method for manufacturing an electro-optical device and an electro-optical device, and in particular, between a substrate and a pixel electrode, a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT as appropriate), a thin film diode (Thin Film Diode). Manufacturing of an electro-optical device of a type in which pixel switching elements such as TFD) and the like, data lines, scanning lines, capacitance lines, etc. connected thereto are laminated via an interlayer insulating film It belongs to the technical field of methods and electro-optical devices.
[0002]
[Background]
Conventionally, in this type of electro-optical device, an electro-optical material such as liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and one substrate is provided with a plurality of pixel electrodes in a matrix. Here, if there are steps or irregularities on the surface of the pixel electrode, display failure due to liquid crystal alignment failure or the like is caused. More specifically, such a step or unevenness becomes a step or unevenness on the surface of the alignment film provided on the surface of the pixel electrode, resulting in uneven rubbing during the rubbing process, and poor liquid crystal alignment defined by the rubbing process. As a result, the image display quality is ultimately lowered. Normally, in order to minimize rubbing unevenness due to such steps and unevenness, rubbing processing is performed along the largest step (for example, a step along the data line) determined depending on the device configuration in the pixel portion. Is done. However, when the rubbing process is performed in this way, particularly in the case of a double-plate color projector using three electro-optical devices in combination as three light valves, three light valves are used to synthesize three lights. Since one of these is reversed and used, the color unevenness due to rubbing unevenness that is invisible to one light valve is increased by combining three light valves, and the color is visible Invite the situation to become uneven.
[0003]
For this reason, it is preferable to planarize the surface of the uppermost interlayer insulating film serving as the base film of the pixel electrode on one substrate. That is, rubbing unevenness can be basically reduced by flattening the uppermost interlayer insulating film. Furthermore, even in the case of the above-described multi-plate color projector, a rubbing direction is selected so that the tendency of uneven rubbing can be the same between one light valve used in reverse and the other two light valves. Therefore, it is possible to suppress the above-described display unevenness increasing action during photosynthesis. In addition, if an alignment film without a step is provided, good vertical alignment is possible, leading to high contrast display.
[0004]
Therefore, conventionally, the surface of the uppermost interlayer insulating film is formed from a planarizing film obtained by spin-coating an organic film such as an organic SOG (Spin On Glass) or an organic polyimide film.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of flattening by a technique of spin-coating an organic film, there is a fundamental problem that the deterioration of the organic film due to light during use of the apparatus is remarkable. In particular, in the case of a projector application using strong light, this problem becomes very serious.
[0006]
In view of this, it is conceivable to apply a polishing technique such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) used in the technical field of a semiconductor manufacturing apparatus to planarize an interlayer insulating film in this type of electro-optical device.
[0007]
However, if polishing such as CMP is performed on the interlayer insulating film in this type of electro-optical device, there is a problem in that the interlayer insulating film cracks during polishing and the defective product rate increases. Furthermore, since the polishing amount is different between the vicinity of the center and the periphery of the mother substrate, it is difficult to perform uniform film thickness control, and finally it is difficult to manufacture a device of constant quality. There is also a point. In particular, in a high-definition electro-optical device, the drive frequency becomes very high and the wiring pitch is miniaturized. Therefore, a data line for supplying an image signal generally has a low resistance and a small time constant. Aluminum) film must be used. However, since Al is a low-melting-point metal, heat treatment at 500 ° C. or higher cannot be performed after the data line is formed, so that it is generally impossible to form a dense interlayer insulating film that is sufficiently fired at a higher temperature. As a result, polishing must be performed on an interlayer insulating film that is not dense, and the above-mentioned problems that cause cracks during polishing and the problem that uniform film thickness control is difficult are very serious problems in practice. It becomes.
[0008]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and can display a high-quality image that can relatively easily flatten the pixel electrode and suppress a decrease in manufacturing yield caused by the flattening process. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electro-optical device and an electro-optical device manufactured by the method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes a step of forming a pixel switching element on a substrate, a step of forming an interlayer insulating film above the pixel switching element, A step of planarizing the one interlayer insulating film; a step of forming a groove in the planarized one interlayer insulating film; and one of the pixel switching elements through one contact hole in the groove. A step of forming a data line so as to be electrically connected to a terminal; a step of forming another interlayer insulating film on the data line; and the pixel through another contact hole on the other interlayer insulating film Forming a pixel electrode so as to be electrically connected to another terminal of the switching element, and in the step of forming the one interlayer insulating film, the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is also formed. The one interlayer insulating film In the step of forming and forming the groove, a groove is also formed in the one interlayer insulating film in a region where a part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is formed, and the data line driving circuit or the data line driving circuit A part of the scanning line driving circuit is formed from the same film as the data line in the groove in a region where the data line driving circuit or part of the scanning line driving circuit is formed, and the data line driving circuit or the scanning The other part of the line driving circuit is formed simultaneously with the step of forming the pixel switching element.
[0010]
According to the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, first, a pixel switching element such as a TFT element or a TFD element is formed on a substrate, and an interlayer insulating film is formed above the pixel switching element. It is formed. Therefore, at this point, a step is generated on the surface of the one interlayer insulating film due to the pixel switching element and its wiring existing between the substrate and the one interlayer insulating film. Subsequently, the one interlayer insulating film is planarized. Next, a groove is formed in a region where a data line is to be formed by etching or the like in the flattened interlayer insulating film. A data line is formed in the groove so as to be connected to one terminal (for example, a source in the TFT) of the pixel switching element through one contact hole. Next, another interlayer insulating film is formed on the data line. Finally, a pixel electrode is formed on the other interlayer insulating film thus formed so as to be connected to another terminal (for example, a drain in the TFT) of the pixel switching element through another contact hole. The
[0011]
Thus, even when a data line is formed from a low melting point metal such as Al after planarizing one interlayer insulating film, the material constituting the data line is not applied to the one interlayer insulating film. Heat treatment can be performed regardless of the melting point. In other words, a dense interlayer insulating film can be formed by thermal baking performed before forming the data line. As a result, even if the dense interlayer insulating film is flattened by polishing or the like, the possibility of cracks due to polishing or the like is reduced, and the yield rate of the apparatus can be improved finally. In addition, since one dense interlayer insulating film is planarized, the difference in polishing amount between the vicinity of the center of the mother substrate and the vicinity of the mother substrate is reduced, and the thickness of the one interlayer insulating film after planarization is reduced to the surface of the mother substrate. Can be made uniform within. In addition, since the data line is embedded in the groove formed in the one interlayer insulating film flattened in this way, the entire surface of the one interlayer insulating film including the data line is formed even after the data line is formed. Almost no step is generated due to the presence of the data line. Therefore, the step in the other interlayer insulating film formed thereon is further reduced as compared with the case where the data line is not buried in the trench as described above.
[0012]
As a result, according to the electro-optical device manufacturing method of the present invention, the pixel electrode can be flattened relatively easily, and a material excellent in time constant for the high-definition electro-optical device is used for the data line. While being used, it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield associated with the planarization process. As a result, an electro-optical device capable of displaying a particularly high-definition image can be manufactured using pixel electrodes having almost no step.
[0013]
In one aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, in the step of forming the groove, etching that is time-controlled so that the depth of the groove corresponds to the film thickness of the data line is performed. It is applied to the insulating film.
[0014]
According to this aspect, the depth of the trench dug in the flattened interlayer insulating film is controlled to correspond to the film thickness of the data line by managing the etching time. In other words, ideally, a groove having a depth for embedding the data line without any step is dug by the etching. As a result, the step after forming the data line can be reduced by relatively easy control of etching time management. Note that dry etching is preferable from the viewpoint of improving the accuracy of groove depth control, but wet etching can also be used.
[0015]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, in the step of forming the one interlayer insulating film, a lower insulating film that is relatively difficult to be etched with respect to a predetermined type of etchant is formed. Forming the one interlayer insulating film having a multilayer structure by forming an upper insulating film having a thickness corresponding to the thickness of the data line and being relatively easily etched on the side insulating film; In the forming step, etching using the predetermined type of etchant is performed on the upper insulating film up to the lower insulating film.
[0016]
According to this aspect, first, in the step of forming one interlayer insulating film, the lower insulating film that is difficult to be etched is formed. Then, an upper insulating film that is easily etched and has a thickness corresponding to the thickness of the data line is formed thereon. Thereby, one interlayer insulating film having a multilayer structure is formed. Next, in the step of forming the groove, the upper insulating film is etched in the region where the data line is to be formed, and the etching is continued until the lower insulating film is reached. Here, since the film thickness of the upper insulating film corresponds to the film thickness of the data line, the depth of the groove corresponds to the film thickness of the data line. That is, a groove having a depth that ideally fills the data line without a step is dug by the etching. As a result, the data line and the entire surface of one interlayer insulating film in which the data line is embedded can be flattened by relatively easy and reliable control of the film thickness of the upper insulating film that can be formed by sputtering or vapor deposition, for example. Can be promoted.
[0017]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, before the step of forming the one interlayer insulating film, at least the data line is formed with a stopper film that functions as a stopper for a predetermined type of etchant. The method further includes a step of forming in a predetermined region, and in the step of forming the one interlayer insulating film, the one interlayer insulating film having a thickness corresponding to the thickness of the data line is formed, and the groove is formed. In this step, etching using the predetermined type of etchant is performed on the one interlayer insulating film up to the stopper film in a region where the data line is to be formed.
[0018]
According to this aspect, before the step of forming one interlayer insulating film, a stopper film against etching is formed at least in a region where a data line is to be formed. Next, in the step of forming one interlayer insulating film, one interlayer insulating film having a film thickness corresponding to the film thickness of the data line is formed thereon. Thereby, one interlayer insulating film having the stopper layer provided in the lower layer is formed. In the step of forming the groove, etching is performed on one interlayer insulating film in a region where a data line is to be formed, and etching is continued until the stopper film is reached. Etching is stopped when the stopper film is exposed, and a groove reaching the stopper film is formed in one interlayer insulating film. Here, since the film thickness of one interlayer insulating film corresponds to the film thickness of the data line, the depth of the groove corresponds to the film thickness of the data line. That is, a groove having a depth that ideally fills the data line without a step is dug by the etching. As a result, the data lines and the data lines are embedded by relatively easy and reliable control, such as control of the thickness of one interlayer insulating film that can be formed by sputtering or vapor deposition, and by etching depth control using a stopper film. The planarization of the entire surface of the one interlayer insulating film can be further promoted.
[0019]
In another aspect of the method for manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, in the step of forming the data line, the data line is formed in the groove by a damascene method.
[0020]
According to this aspect, since the data line is formed in the groove by the damascene method, the data line can be embedded without leaving the space in the groove, and the top surface of the one interlayer insulating film around the groove is extremely smooth. It is possible to form a data line having a continuous upper surface, and as a result, the other interlayer insulating film formed on the data line is formed as a very flat film.
[0021]
In one aspect of the method for manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, the flattening step includes a flattening step by a polishing process.
[0022]
According to this aspect, the one interlayer insulating film is planarized by the polishing process. At this time, in particular, even if a dense interlayer insulating film that can be formed by thermal baking performed before forming the data lines is planarized by polishing treatment, the possibility of cracking due to polishing is reduced. In addition, since one dense interlayer insulating film is planarized by a polishing process, a difference in polishing amount between the vicinity of the center of the mother substrate and the vicinity of the periphery is also reduced.
[0023]
For example, such a polishing process may be a CMP process. In this case, in particular, even if a dense interlayer insulating film that can be formed by thermal baking is planarized by CMP treatment, the possibility of occurrence of cracks is reduced.
[0024]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, the one interlayer insulating film includes a silicon oxide film.
[0025]
According to this aspect, it is possible to form a dense one interlayer insulating film by performing thermal baking on the one interlayer insulating film including the silicon oxide film. Furthermore, the one interlayer insulating film including the silicon oxide film can be satisfactorily flattened while reducing the occurrence of cracks due to polishing treatment or the like.
[0026]
For example, the step of forming such an interlayer insulating film may include a step of forming the silicon oxide film using TEOS (tetraethylorthosilicate) as a raw material. In this way, one interlayer insulating film made of a silicon oxide film is formed using TEOS as a raw material. When TEOS is used as a raw material, it is possible to stack a very thick interlayer insulating film that becomes dense by thermal baking. For this reason, even if a step due to the presence of a pixel switching element or the like is relatively large, it is possible to sufficiently planarize using the one interlayer insulating film.
[0027]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, the heat treatment at 700 ° C. or more is performed on the one interlayer insulating film between the step of forming the one interlayer insulating film and the step of planarizing. The method further includes the step of applying.
[0028]
According to this aspect, after one interlayer insulating film made of a silicon oxide film is formed using TEOS as a raw material, the one interlayer insulating film is subjected to heat treatment at 700 ° C. or higher. That is, a very dense film can be obtained by subjecting a silicon oxide film using TEOS as a raw material to heat baking at 700 ° C. or higher. Further, since the data line is formed after the heat treatment and planarization, there is no problem even if the data line is formed from a material that can be dissolved by heat treatment at 700 ° C. or higher.
[0029]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, the method further includes a step of forming a non-light-transmitting film that at least partially covers the data line when viewed in plan.
[0030]
According to this aspect, the non-light-transmitting film that covers at least a part of the data line when viewed in plan is formed. Such a non-light-transmitting film is formed between the substrate and the pixel switching element, between the pixel switching element and the one interlayer insulating film, between the one interlayer insulating film and the other in the stacked structure of the electro-optical device. It may be formed on an opposing substrate facing the substrate between the interlayer insulating films. Due to the non-light-transmitting film formed in this manner, display defects such as light leakage in the image display area along the data line due to a step due to the presence or absence of the data line formed on one interlayer insulating film, It can be hidden by the non-light transmissive film. As a result, high-contrast image display is possible.
[0031]
In this aspect of forming the non-light transmissive film, the non-light transmissive film is formed simultaneously with the step of forming the non-light transmissive film between the step of forming the pixel switching element and the step of forming the pixel electrode. You may further include the process of forming the electrically conductive film for connecting the said pixel electrode and the other terminal of the said pixel switching element from the same film | membrane as a light transmissive film | membrane.
[0032]
In this case, the pixel electrode and the other terminal of the pixel switching element (for example, the drain of the TFT) are connected simultaneously with the step of forming the non-light transmissive film and from the same film as the non-light transmissive film. A conductive film is formed. That is, since the conductive film can relay the pixel electrode and the other terminal of the pixel switching element, the contact hole can be easily opened and contacted as compared with the case where the two are directly connected by a deep contact hole. The diameter of the hole can be reduced. Therefore, in particular, even when one interlayer insulating film to be planarized is stacked thick, the opening of the contact hole does not cause a problem.
[0033]
In this aspect of forming the non-light transmissive film, at least the channel region of the thin film transistor constituting the pixel switching element and the channel region simultaneously with the step of forming the non-light transmissive film and from the same film as the non-light transmissive film And a step of forming a light shielding film that covers the junction of the drain region in plan view.
[0034]
According to this configuration, at least the channel region of the thin film transistor constituting the pixel switching element and the junction between the channel region and the drain region from the same film as the non-light transmissive film simultaneously with the above-described step of forming the non-light transmissive film. A light-shielding film is formed covering and covering the surface. That is, the light shielding film can prevent leakage current due to light from the thin film transistor due to the photoelectric effect in the channel region and the junction.
[0035]
In the aspect of forming the non-light transmissive film, in the step of forming the non-light transmissive film, the non-light transmissive film and the pixel electrode are at least partially overlapped when seen in a plan view. May be formed.
[0036]
In this way, the non-light-transmitting film and the pixel electrode overlap at least partially when viewed in a plane, so that the outline of the opening region of each pixel can be defined at least partially by the overlapped non-light-transmitting film.
[0037]
In this case, in particular, in the step of forming the data line and the step of forming the pixel electrode, the data line and the pixel electrode are arranged so that the data line and the pixel electrode do not overlap at least partially when seen in a plan view. And may be formed.
[0038]
In this way, since the data line and the pixel electrode do not overlap at least partially when viewed in plan, the parasitic capacitance generated when the data line and the pixel electrode face each other through another interlayer insulating film is reduced. Can be very small. As a result, it is possible to improve the image quality by preventing the signal level supplied to the data line from changing and reducing the image unevenness on the display. Furthermore, the level difference caused by the presence or absence of the data line formed on one interlayer insulating film can be offset to some extent or almost completely by the presence or absence of the pixel electrode. Conversely, since the data line and the pixel electrode do not overlap in plan view, there is a gap through which light can be transmitted between the data line and the pixel electrode, but this gap can be hidden by a non-light-transmitting film. Display defects such as light leakage do not occur between the line and the pixel electrode.
[0039]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, the data line is formed at the same time when the one contact hole is formed between the step of forming the groove and the step of forming the data line. The method further includes a step of opening an opening portion serving as an alignment mark.
[0040]
According to this aspect, when one contact hole is opened in the flattened interlayer insulating film, the opening portion that becomes the alignment mark when forming the data line is also opened at the same time. . That is, an alignment mark is opened in the flattened interlayer insulating film, and when the Al film or the like is formed on the entire surface, a depression is formed in the Al film or the like corresponding to the alignment mark. With this as a positioning reference, a data line can be formed.
[0041]
In another aspect of the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, in the step of forming the groove, a part of a peripheral circuit is formed from the same film as the data line with respect to the flattened interlayer insulating film. In the step of forming the groove in a predetermined region and forming the data line, a part of the peripheral circuit is also formed in the groove from the same film as the data line.
[0042]
According to this aspect, the step in the peripheral region of the substrate provided with the peripheral circuit is flattened by forming a part of the peripheral circuit in the groove. If such a step is present in the peripheral region, the hair tip of the rubbing device is affected by the step during rubbing, and the image display area cannot be smoothly rubbed, resulting in image unevenness due to rubbing. Therefore, if the peripheral circuit is also flattened as in this embodiment, rubbing can be performed uniformly on the substrate according to the degree of flattening, image unevenness due to rubbing can be reduced, and finally high quality is achieved. An electro-optical device capable of displaying the image can be realized.
[0043]
In this aspect, in the step of forming the pixel switching element, another portion of the peripheral circuit is also formed on the substrate, and in the step of forming the one interlayer insulating film, the other portion of the peripheral circuit is formed. Alternatively, the one interlayer insulating film may be formed.
[0044]
If manufactured in this way, not only the planarization of the portion made of the same film as the data line in the peripheral circuit but also the one interlayer insulating film on the other portion made of the same film as the film constituting the pixel switching element. Since flattening is also performed, rubbing can be performed uniformly on the substrate, and image unevenness due to rubbing can be further reduced.
[0045]
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to an aspect of the invention includes a pixel switching element on a substrate, a single interlayer insulating film formed above the pixel switching element and planarized, and the planarization. A data line buried in a groove formed in the one interlayer insulating film and connected to one terminal of the pixel switching element through one contact hole, and another data line formed on the data line An interlayer insulating film; and a pixel electrode formed on the other interlayer insulating film and connected to another terminal of the pixel switching element through another contact hole.
[0046]
According to the electro-optical device of the present invention, the one interlayer insulating film is formed above the pixel switching element and is planarized. The data line is formed on one interlayer insulating film and is connected to one terminal of the pixel switching element through one contact hole. The pixel electrode is formed on another interlayer insulating film, and is connected to another terminal of the pixel switching element via another contact hole.
[0047]
Therefore, the electro-optical device of the present invention can be suitably manufactured by the above-described method of manufacturing the electro-optical device of the present invention, is relatively low cost, has high device reliability, and can display a particularly high-definition image. It becomes.
[0048]
In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the electro-optical device further includes a peripheral circuit that is formed of the same film as the data line and includes a portion buried in the groove.
[0049]
According to this aspect, the step in the peripheral region of the substrate on which the peripheral circuit is provided is flattened by forming a part of the peripheral circuit in the groove. By preventing the occurrence, image unevenness due to rubbing streaks can be reduced, and finally high-quality image display becomes possible.
[0050]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0051]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0052]
(First embodiment)
The configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix that constitutes an image display area of the electro-optical device, and FIG. 2 is formed of data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like. 3 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups of the TFT array substrate, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. . In FIGS. 3 and 4, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawing.
[0053]
In FIG. 1, a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display area of the electro-optical device according to the present embodiment includes a plurality of
[0054]
In FIG. 2, a plurality of
[0055]
The
[0056]
Next, as shown in the cross-sectional view of FIG. 3, the electro-optical device includes a
[0057]
On the other hand, a
[0058]
The
[0059]
As shown in FIG. 3, the
[0060]
Between the
[0061]
Further, a
[0062]
In the present embodiment, the semiconductor layer 1a extends from the high-concentration drain region 1e to serve as the first storage capacitor electrode 1f, and a part of the
[0063]
In FIG. 3, the
[0064]
As shown in FIG. 4, a
[0065]
Particularly in the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, the first
[0066]
A
[0067]
In particular, in such a manufacturing process, after the first
[0068]
In addition, as shown in FIGS. 3 and 4, since the
[0069]
As a result of the above, according to the present embodiment, the
[0070]
Further, the first
[0071]
In the first embodiment described above, the
[0072]
The planar shape of each contact hole (8 and 5) of this embodiment may be a circle, a rectangle, or other polygonal shape, but the circle is particularly useful for preventing cracks in the interlayer insulating film around the contact hole. In order to obtain good electrical connection, it is preferable that wet etching is performed after dry etching to slightly taper these contact holes.
[0073]
(Manufacturing process of the first embodiment)
Next, a manufacturing process on the TFT array substrate side constituting the electro-optical device according to the first embodiment having the above configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a process diagram showing each layer on the TFT array substrate side in each process corresponding to the AA ′ cross section of FIG. 6 to 8 are process diagrams showing specific examples of the method for forming the
[0074]
First, as shown in step (a) of FIG. 5, the
[0075]
More specifically, first, a
[0076]
In parallel with the step (a) of FIG. 5, peripheral circuits such as a data line driving circuit and a scanning line driving circuit constituted by TFTs may be formed in the peripheral portion on the
[0077]
Next, as shown in step (b) of FIG. 5, for example, the normal pressure or the An
[0078]
Next, as shown in step (c) of FIG. 5, the
[0079]
Next, as shown in step (d) of FIG. 5, a
[0080]
In the method of forming the
[0081]
In the method of forming the
[0082]
In the method for forming the
[0083]
Next, as shown in step (e) of FIG. 5, a
[0084]
Here, with reference to FIG. 9, a description will be given of a specific example using the damascene method as an example of the method of forming the
[0085]
That is, as shown in step (1) of FIG. 9, the depth of the
[0086]
Next, as shown in step (f) of FIG. 5, a second
[0087]
As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, after the first
[0088]
In particular, in the manufacturing method of the present embodiment described above, the first
[0089]
In the manufacturing method of the present embodiment described above, the
[0090]
In addition, at the same time as the step of forming the
[0091]
(Second Embodiment)
The configuration of the electro-optical device according to the second embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. 10 to 12. 10 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups of a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG. In FIGS. 11 and 12, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing. In the second embodiment shown in FIGS. 10 to 12, the same components as those in the first embodiment shown in FIGS. 2 to 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
[0092]
The second embodiment is different from the first embodiment in the following points, and other configurations are the same as those in the first embodiment.
[0093]
That is, as shown in FIG. 10 and FIG. 11, regions along the
[0094]
Further, as shown in FIGS. 10 to 12, in the second embodiment, a part of the
[0095]
As described above, in the second embodiment, the high-concentration drain region 1e and the
[0096]
Such barrier layers 80a and 80b are, for example, at least one of Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), and Pb (lead), which are refractory metals. It is made of a simple metal, alloy, metal silicide, etc. As a result, good electrical connection can be established between the
[0097]
In particular, as shown in FIGS. 10 and 12, since a light-
[0098]
When the electro-optical device according to the second embodiment is manufactured, the process between the step (a) and the step (b) in FIG. 5 in the method for manufacturing the electro-optical device according to the first embodiment described above is performed. A two-
[0099]
In addition, when the barrier layers 80a and 80b are formed in this way, a stopper layer for the polishing process may be formed at a predetermined position on the
[0100]
(Third embodiment)
An electro-optical device according to a third embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the DD ′ cross-sectional view shown in FIG. 12 in the third embodiment. FIG. 14 is a process diagram showing a trenching process for controlling the depth of the
[0101]
The third embodiment is different from the second embodiment in the following points, and other configurations are the same as those in the second embodiment.
[0102]
That is, as shown in FIG. 13, the
[0103]
Further, when the bottom of the
[0104]
That is, as shown in FIG. 14, when the
[0105]
In addition, by using the
[0106]
The stopper film as described above can be formed from the same film as a conductive film or an insulating film having other functions in the pixel portion. More specifically, for example, the stopper film can be formed from the same film as the light-shielding conductive layer for defining the pixel opening region. In this case, the light-shielding conductive layer or the like can further have a function as a redundant wiring for the
[0107]
(Fourth embodiment)
The configuration of the electro-optical device according to the fourth embodiment of the invention will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a cross-sectional view of the TFT array substrate side portion corresponding to the BB ′ cross section of FIG. 2 in the first embodiment. Further, in FIG. 15, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing. In the fourth embodiment shown in FIG. 15, the same components as those in the first embodiment shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
[0108]
In FIG. 15, the fourth embodiment is different from the first embodiment in that a light shielding film 11a is provided on the
[0109]
As a result, according to the fourth embodiment, the left and right contours of the opening area of each pixel can be defined by the light shielding film 11a overlapping the
[0110]
When the electro-optical device according to the fourth embodiment is manufactured, Ti and Cr are formed on the entire surface of the
[0111]
For example, the light shielding film 11a may be extended below the
[0112]
(Fifth embodiment)
The configuration of the electro-optical device according to the fifth embodiment of the invention will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a cross-sectional view of the TFT array substrate side portion corresponding to the DD ′ cross section of FIG. 10 in the second embodiment. Further, in FIG. 16, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing. In the fifth embodiment shown in FIG. 16, the same components as those in the second embodiment shown in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
[0113]
In FIG. 16, in the fifth embodiment, as compared with the second embodiment, the edge of the light-
[0114]
As a result, according to the fifth embodiment, the left and right contours of the opening area of each pixel can be defined by the
[0115]
Since the manufacturing method of the electro-optical device according to the fifth embodiment is substantially the same as that of the second embodiment, the description thereof is omitted.
[0116]
(Overall configuration of electro-optical device)
The overall configuration of the electro-optical device according to each embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. 17 and 18. FIG. 17 is a plan view of the
[0117]
In FIG. 17, a sealing
[0118]
In the present embodiment, in particular, at least a part of the data line driving
[0119]
In order to form at least a part of the data line driving
[0120]
On the
[0121]
In each of the embodiments described above with reference to FIGS. 1 to 18, instead of providing the data line driving
[0122]
Since the electro-optical device in each embodiment described above is applied to a projector, three electro-optical devices are respectively used as RGB light valves, and each light valve has a dichroic mirror for RGB color separation. The light of each color resolved through the light enters as projection light. Therefore, in each embodiment, the
[0123]
(Configuration of electronic equipment)
An electronic apparatus configured using the electro-optical device of the above-described embodiment includes a display
[0124]
As an electronic apparatus having such a configuration, a projection display device illustrated in FIG. 20 can be given.
[0125]
FIG. 20 is a schematic configuration diagram illustrating a main part of the projection display device. In the figure, 1102 is a light source, 1108 is a dichroic mirror, 1106 is a reflection mirror, 1122 is an entrance lens, 1123 is a relay lens, 1124 is an exit lens, 100R, 100G, and 10B are liquid crystal light modulators, and 1112 is a cross dichroic prism.
[0126]
The present invention is not limited to each of the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An optical device manufacturing method or an electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like provided in a plurality of matrix pixels that form an image display area in the electro-optical device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed in the electro-optical device according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
FIGS. 5A and 5B are process diagrams sequentially illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the first embodiment. FIGS.
6 is a process diagram showing a specific example of a method for forming a
FIG. 7 is a process diagram showing another specific example of the method for forming the
FIG. 8 is a process diagram showing another specific example of the method for forming the
FIG. 9 is a process diagram showing a specific example of a method of forming the
FIG. 10 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed in the electro-optical device according to the second embodiment.
11 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG.
12 is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG.
13 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the DD ′ cross-sectional view shown in FIG. 12, showing the configuration of the electro-optical device of the third embodiment.
FIG. 14 is a process diagram showing a groove-growing process for controlling the depth of the
15 is a cross-sectional view taken along a line BB ′ in FIG. 2 of the electro-optical device according to the fourth embodiment.
16 is a cross-sectional view of a portion corresponding to a DD ′ cross section of FIG. 10 of an electro-optical device according to a fifth embodiment.
FIG. 17 is a plan view of the TFT array substrate in the electro-optical device according to each embodiment as viewed from the counter substrate side together with the components formed on the TFT array substrate.
18 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.
FIG. 19 is an example of an electronic device.
FIG. 20 is an example of a projection display device as an application example using the present embodiment.
[Explanation of symbols]
1a ... Semiconductor layer
1a '... channel region
1b ... low concentration source region
1c: low concentration drain region
1d ... High concentration source region
1e ... High concentration drain region
1f: first storage capacitor electrode
2… Insulating thin film
3a ... scan line
3b ... Capacity line
4. First interlayer insulating film
4a ... Groove
4U ... Lower insulating film
4L ... Upper insulating film
5 ... Contact hole
6a ... Data line
7. Second interlayer insulating film
8 ... Contact hole
8a ... Contact hole
8b ... Contact hole
8c ... Contact hole
9a: Pixel electrode
10 ... TFT array substrate
11a: light shielding film
12 ... Underlying insulating film
16 ... Alignment film
20 ... Counter substrate
21 ... Counter electrode
22 ... Alignment film
23 ... Light-shielding film
30 ... TFT for pixel switching
50 ... Liquid crystal layer
70 ... Storage capacity
70a ... first storage capacity
70b ... second storage capacity
80a ... barrier layer
80b ... barrier layer
81. Second dielectric film
Claims (16)
該画素スイッチング用素子の上方に一の層間絶縁膜を形成する工程と、
該一の層間絶縁膜を平坦化する工程と、
該平坦化された一の層間絶縁膜に溝を形成する工程と、
該溝内に一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に電気的に接続されるようにデータ線を形成する工程と、
前記データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、
該他の層間絶縁膜上に他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを含み、
前記一の層間絶縁膜を形成する工程では、データ線駆動回路又は走査線駆動回路上にも前記一の層間絶縁膜を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部を形成する領域の前記一の層間絶縁膜にも溝を形成し、
前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部は、前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部を形成する領域内の前記溝に前記データ線と同一膜から形成され、
前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の他部は、前記画素スイッチング用素子を形成する工程と同時に形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。Forming a pixel switching element on a substrate;
Forming an interlayer insulating film above the pixel switching element;
Planarizing the one interlayer insulating film;
Forming a groove in the planarized interlayer insulating film;
Forming a data line in the groove so as to be electrically connected to one terminal of the pixel switching element via a contact hole;
Forming another interlayer insulating film on the data line;
Forming a pixel electrode on the other interlayer insulating film so as to be electrically connected to another terminal of the pixel switching element via another contact hole,
In the step of forming the one interlayer insulating film, the one interlayer insulating film is also formed on the data line driving circuit or the scanning line driving circuit,
In the step of forming the groove, a groove is also formed in the one interlayer insulating film in a region where a part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is formed,
A part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is formed from the same film as the data line in the groove in a region for forming the data line driving circuit or a part of the scanning line driving circuit,
The other part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is formed simultaneously with the step of forming the pixel switching element.
前記溝を形成する工程では、前記下側絶縁膜に至るまで前記上側絶縁膜に対して前記所定種類のエッチャントを用いたエッチングを施すことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。In the step of forming the one interlayer insulating film, a lower insulating film that is relatively difficult to etch with respect to a predetermined type of etchant is formed, and the data line is easily etched on the lower insulating film. Forming the one interlayer insulating film having a multilayer structure by forming an upper insulating film having a film thickness corresponding to the film thickness of
2. The electro-optical device manufacturing method according to claim 1, wherein in the step of forming the groove, the upper insulating film is etched using the predetermined type of etchant until reaching the lower insulating film. 3. Method.
前記溝を形成する工程では、前記データ線を形成する予定の領域において前記ストッパ膜に至るまで前記一の層間絶縁膜に対して前記所定種類のエッチャントを用いたエッチングを施すことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。Before the step of forming the one interlayer insulating film, further comprising the step of forming a stopper film functioning as a stopper for a predetermined type of etchant at least in a region where the data line is to be formed;
The step of forming the groove is characterized in that etching using the predetermined type of etchant is performed on the one interlayer insulating film up to the stopper film in a region where the data line is to be formed. Item 12. A method for manufacturing the electro-optical device according to Item 1.
前記溝を形成する工程では、前記データ線を形成する予定の領域において前記ストッパ膜に至るまで前記一の層間絶縁膜に対してエッチングを施すことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。Forming a stopper film made of a non-light-transmitting film under the one interlayer insulating film,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein, in the step of forming the groove, the one interlayer insulating film is etched to reach the stopper film in a region where the data line is to be formed. Manufacturing method.
前記データ線を前記非光透過膜の上面と接触するように形成することを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置の製造方法。The groove is formed such that the upper surface of the non-light-transmitting film constitutes the bottom of the groove,
5. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 4, wherein the data line is formed so as to be in contact with an upper surface of the non-light transmissive film.
前記遮光膜は、前記遮光膜の縁と前記画素電極の縁とが平面的に見て重なるように形成され、
且つ前記データ線を形成する工程及び前記画素電極を形成する工程では、前記データ線と前記画素電極とが平面的に見て重ならないように前記データ線と前記画素電極とを形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。Forming a light shielding film at a position facing the data line on the substrate;
The light shielding film is formed so that an edge of the light shielding film and an edge of the pixel electrode overlap in plan view,
In the step of forming the data line and the step of forming the pixel electrode, the data line and the pixel electrode are formed so that the data line and the pixel electrode do not overlap in plan view. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1.
前記データ線を形成する工程及び前記画素電極を形成する工程では、前記データ線と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重ならないように前記データ線と前記画素電極とを形成することを特徴とする請求項8から10のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。In the step of forming the non-light-transmitting film, the non-light-transmitting film and the pixel electrode are formed so that the non-light-transmitting film and the pixel electrode are at least partially overlapped when seen in a plane.
In the step of forming the data line and the step of forming the pixel electrode, the data line and the pixel electrode are formed so that the data line and the pixel electrode do not overlap at least partially when viewed in plan. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 8, wherein
データ線駆動回路又は走査線駆動回路と、
画素スイッチング用素子と、
該画素スイッチング用素子の上方及び前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路上に形成され且つ平坦化された一の層間絶縁膜と、
該平坦化された一の層間絶縁膜に形成された溝内に埋められ且つ一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に電気的に接続されたデータ線と、
該データ線上に形成された他の層間絶縁膜と、
該他の層間絶縁膜上に形成され且つ他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に電気的に接続された画素電極とを備え、
前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部を形成する領域の前記一の層間絶縁膜にも溝が形成され、
前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の一部は、前記データ線と同一膜からなると共に前記一の層間絶縁膜に形成された前記溝内に埋められ、
前記データ線駆動回路又は前記走査線駆動回路の他部は、前記画素スイッチング素子と同時形成されていることを特徴とする電気光学装置。On the board
A data line driving circuit or a scanning line driving circuit;
A pixel switching element;
An interlayer insulating film formed above the pixel switching element and on the data line driving circuit or the scanning line driving circuit and planarized;
A data line buried in a groove formed in the planarized one interlayer insulating film and electrically connected to one terminal of the pixel switching element through one contact hole;
Another interlayer insulating film formed on the data line;
A pixel electrode formed on the other interlayer insulating film and electrically connected to another terminal of the pixel switching element through another contact hole;
A groove is also formed in the one interlayer insulating film in a region forming a part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit,
A part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is made of the same film as the data line and buried in the groove formed in the one interlayer insulating film,
The electro-optical device, wherein the other part of the data line driving circuit or the scanning line driving circuit is formed simultaneously with the pixel switching element.
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