JP3667167B2 - 高周波ダイオード発振器 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波集積回路等の高周波回路等に組み込まれるガンダイオード発振器等の高周波ダイオード発振器であって、非放射性誘電体線路を用いた高周波ダイオード発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のガンダイオード発振器を図4に示す。同図において、1は一対の平行平板導体であり、それらの間隔zをz≦λ/2とすることにより外部から誘電体線路7へのノイズの侵入をなくしかつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送させる、所謂非放射性誘電体線路(nonradiative dielectric waveguide で、以下、NRDガイドという)を構成する。尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波(高周波信号)の波長である。
【0003】
また、2はガンダイオード素子を設置(マウント)するための金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波を発振するマイクロ波ダイオードの1種であるガンダイオード素子、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード素子3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード素子3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、6は誘電体の基体に共振用の金属ストリップ線路6aを設けた金属ストリップ共振器、7は金属ストリップ共振器6により共振した高周波信号を外部へ伝送させる誘電体線路である。尚、図4では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0004】
図4のNRDガイド型のガンダイオード発振器は、一対の平行平板導体1の間に、ガンダイオード素子3を搭載した金属部材2が配置されており、ガンダイオード素子3から発振されたマイクロ波等の高周波信号(電磁波)は、金属ストリップ線路6aを有する金属ストリップ共振器6を介して誘電体線路7に導出される。
【0005】
そして、チョーク型バイアス供給線路4aは、図5に示すように、幅の広い線路の空間的周期と幅の狭い線路の空間的周期とがそれぞれ略λ/4の周期で反復されたチョークを構成しており、また帯状導体5の長さも略λ/4に設定されローパスフィルタの一部として機能している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のガンダイオード発振器においては、金属ストリップ共振器6、ガンダイオード素子マウント用の金属部材2および誘電体線路7を各々個別に位置決め配置し、平行平板導体1,1で挟持するように構成しており、このため、金属ストリップ共振器6の加工精度が低いと、金属ストリップ共振器6が振動や自重で位置ずれを起こし、またその位置決めが正確でないと、誘電体線路7への伝搬特性が劣化していた。即ち、金属ストリップ共振器6の加工精度および位置決め精度の管理が必要であり、また製造の作業性が悪く、従って量産に向かないという問題点があった。
【0007】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、部品の加工および位置決めの困難性を軽減し、従って加工精度および位置決め精度の管理を容易にし、また製造、組立の作業性が良好なものとすることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波ダイオード発振器は、高周波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成され前記高周波ダイオードにバイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とが設置された金属部材を設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に配置され前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を設けて成る高周波ダイオード発振器であって、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の周期と幅の狭い線路の周期をそれぞれ略λ/4とし、前記帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)としたことを特徴とする。
【0009】
本発明は、このような構成により、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上するという作用効果も有する。
【0010】
本発明において、好ましくは、前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置し電磁結合させたことを特徴とする。これにより、高周波ダイオード発振器の発振周波数の調整がさらに容易になり、量産性もさらに向上する。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波ダイオード発振器について以下に説明する。図1〜図3は、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器を示し、これらの図において、1はガンダイオード等の高周波ダイオードが発振する高周波信号の空気中での波長λの2分の1以下の間隔で配置した一対の平行平板導体、2はガンダイオード素子を設置(マウント)するための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波を発振するマイクロ波ダイオードの1種であるガンダイオード素子、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード素子3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード素子3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、7はガンダイオード素子3の近傍に配置され高周波信号を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路である。尚、図1では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0012】
本発明において、チョーク型バイアス供給線路4aは、図2に示すように、幅の広い線路の空間的周期と幅の狭い線路の空間的周期とがそれぞれ略λ/4の広狭線路から成り、また帯状導体5の長さは略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)である。この帯状導体5の長さは略3λ/4〜略{(3/4)+3}λが良く、略{(3/4)+3}λを超えると帯状導体5が長くなり、撓み、捩じれ等が生じ易くなり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周波数等の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の共振モードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波数の信号が発生するという問題が生じる。より好ましくは、略3λ/4,略{(3/4)+1}λである。
【0013】
また、略{(3/4)+n}λとしたのは、{(3/4)+n}λから多少ずれていても共振は可能だからである。例えば、帯状導体5を{(3/4)+n}λよりも10〜20%程度長く形成しても良く、その場合、帯状導体5の接するチョーク型バイアス供給線路4aの1パターン目(図2では最右方の幅の広い線路部分)の長さλ/4のうち一部が共振に寄与すると考えられるからである。従って、帯状導体5の長さは{(3/4)+n}λ±20%程度の範囲内で変化させることができる。
【0014】
これらチョーク型バイアス供給線路4aおよび帯状導体5の材料は、Cu,Al,Au,Ag,W,Ti,Ni,Cr,Pd,Pt等から成り、特にCu,Agが、電気伝導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きくなるといった点で好ましい。
【0015】
また、チョーク型バイアス供給線路4aはプリント配線基板等の配線基板4に形成され、帯状導体5の一端をチョーク型バイアス供給線路4aに他端をガンダイオード素子3の上部導体に半田付けや熱圧着等により接続しているが、帯状導体5も配線基板4に形成して、チョーク型バイアス供給線路4aと一体化しても良い。
【0016】
そして、金属部材2は、ガンダイオード素子3の電気的な接地(アース)を兼ねているため金属導体であれば良く、その材料は金属(合金を含む)導体であれば特に限定するものではなく、真鍮(黄銅:Cu−Zn合金),Al,Cu,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等から成る。また金属部材2は、全体が金属から成る金属ブロック,セラミックスやプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキしたもの,絶縁基体の表面全体または部分的に導電性材料をコートしたものであっても良い。
【0017】
また、誘電体線路7の材料は、コーディエライト(2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 ),アルミナ(Al2 O3 )等が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。ガンダイオード素子3と誘電体線路7との間隔は1.0mm程度以下が好ましく、1.0mmを超えると損失を小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超える。
【0018】
本発明において、好ましくは、図3の断面図に示すように高周波信号の発振周波数を調整する誘電体チップ8を、帯状導体5に近接させて配置する。尚、同図において9はガンダイオード素子3のネジ止め部である。この誘電体チップ8の形状は特に限定するものではないが、帯状導体5の主面に対向し近接する平行な主面Aを有する直方体状,板状,四角錐状,三角柱等の角柱状,蒲鉾状等が良く、帯状導体5を伝搬する高周波信号との電磁結合を主面Aにより制御し易いという利点がある。そして、主面Aの長さLを調整する、または種々の長さLを有する誘電体チップ8を用意しておき、長さLを変化させることにより、発振周波数を制御できる。即ち、誘電体チップ8を帯状導体5に近接させることで、チョーク型バイアス供給線路4aと帯状導体5とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、例えば帯状導体5の電気的な共振器長を{(3/4)+n}λよりも僅かに大きくし、発振周波数を低くすることが可能である。
【0019】
そして、誘電体チップ8はコーディエライト,アルミナ等が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。また、誘電体チップ8の主面Aと帯状導体5の主面との間隔Bは0.1mm〜1.0mmが良く、0.1mm未満では、振動等により誘電体チップ8が位置ずれしたり、熱変形、撓み等を起こして帯状導体5に接触し、高周波の伝搬特性が変化し易くなる。1.0mmを超えると、帯状導体5と誘電体チップ8との電磁結合が弱すぎて、発振周波数の制御が困難となる。
【0020】
本発明でいう高周波帯域は、数10〜数100GHz帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当し、例えば30GHz以上、特に50GHz以上、更には70GHz以上の高周波帯域が好適である。
【0021】
また本発明の高周波ダイオードとしては、インパット(impatt:impact ionisation avalanche transit time)・ダイオード,トラパット(trapatt :trapped plasma avalanche triggered transit)・ダイオード,ガンダイオード等のマイクロ波ダイオードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。
【0022】
本発明のNRDガイド用の平行平板導体1は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Cu,Al,Fe,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等の導体板、あるいはセラミックス,樹脂等から成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成したものでもよい。
【0023】
また、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器は、無線LAN,自動車のミリ波レーダ等に使用されるものであり、例えば自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成してビート信号を得、このビート信号を分析することにより障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速度、移動方向等が測定できる。
【0024】
かくして、本発明は、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器がないため、それによる損失がなくなり、高周波信号の伝搬特性が向上するという作用効果を有する。
【0025】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行っても何等差し支えない。
【0026】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【0027】
(実施例)
図1のNRDガイド型のガンダイオード発振器を以下のように構成した。一対の平行平板導体1,1として、縦100mm×横100mm×厚さ2mmのAl板を1.8mmの間隔で配置し、それらの間にガンダイオード素子3をネジ止めした真鍮性の金属部材2とコーディエライトセラミックスから成る誘電体線路7を設置した。この金属部材2は高さが約1.8mmの直方体状であり、その一側面には、発振周波数77GHzで波長λが3.9mmの高周波信号(電磁波)を発振するガンダイオード素子3と、ガンダイオード素子3にバイアス電圧を入力するチョーク型バイアス供給線路4aが形成された配線基板4と、チョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード素子3の上部導体とを接続する帯状導体5を設けた。
【0028】
前記配線基板4はガラスエポキシ樹脂から成り、金属部材2に接着剤により固定した。また、チョーク型バイアス供給線路4aの幅の広い線路と幅の狭い線路について、幅の広い線路の空間的周期はλ/4=0.70mm(誘電体基板上では短波長化する)、幅の狭い線路の空間的周期はλ/4=0.70mmであり、幅の広い線路部の幅は1.5mm、幅の狭い線路部の幅は0.2mmであり、帯状導体5は厚さ35μm,幅0.6mmの銅箔リボンから成り、一端をチョーク型バイアス供給線路4aに他端をガンダイオード素子3の上部導体に各々半田付けした。誘電体線路7は、比誘電率5のコーディエライトセラミックスから成り、ガンダイオード素子3の上部導体から約0.5mmの間隔をあけて配置した。そして、帯状導体5の長さを種々に変化させた場合のガンダイオード素子3の発振周波数と発振出力とを図6のグラフに示した。同図より、帯状導体5の長さを調整することで発振周波数を制御でき、また高出力の高周波信号が得られた。尚、帯状導体5の長さが、3λ/4≒2.9mmよりも14%程度大きい3.3mmで最大の発振出力となっているのは、チョーク型バイアス供給線路4aの1パターンの一部が共振に寄与しているためと考えられる。
【0029】
また、帯状導体5の長さを3.2mmとし、図3のように間隔B=0.1mmをあけて、長さL,幅0.4mm,高さ1.8mmで、比誘電率5のコーディエライトセラミックスから成る直方体状の誘電体チップ8を配置した。そして、誘電体チップ8の一端を配線基板4と帯状導体5との接合点Pに一致させ、長さLを種々に変化させた場合の発振周波数の変化を図7のグラフに示す。同図より、誘電体チップ8の長さLを変化させることにより発振周波数の制御が可能であった。
【0030】
【発明の効果】
本発明は、チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の周期と幅の狭い線路の周期をそれぞれ略λ/4とし、帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)としたことにより、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めがきわめて容易になり、発振特性の制御および向上が容易になされ、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上するという作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のNRD型の高周波ダイオード発振器の内部透視した斜視図である。
【図2】本発明のチョーク型バイアス供給線路と帯状導体の平面図である。
【図3】本発明において、帯状導体に発振周波数調整用の誘電体チップを近接させた場合の帯状導体とガンダイオード素子部の部分断面図である。
【図4】従来の金属ストリップ共振器を用いたNRDガイド型のガンダイオード発振器の内部透視した斜視図である。
【図5】従来のチョーク型バイアス供給線路と帯状導体の平面図である。
【図6】本発明の高周波ダイオード発振器について、帯状導体の長さを変化させた場合の発振周波数と発振出力を示すグラフである。
【図7】本発明の高周波ダイオード発振器について、誘電体チップの長さを変化させた場合の発振周波数を示すグラフである。
【符号の説明】
1:平行平板導体
2:金属部材
3:ガンダイオード素子
4:配線基板
4a:チョーク型バイアス供給線路
5:帯状導体
7:誘電体線路
8:誘電体チップ
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波集積回路等の高周波回路等に組み込まれるガンダイオード発振器等の高周波ダイオード発振器であって、非放射性誘電体線路を用いた高周波ダイオード発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のガンダイオード発振器を図4に示す。同図において、1は一対の平行平板導体であり、それらの間隔zをz≦λ/2とすることにより外部から誘電体線路7へのノイズの侵入をなくしかつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送させる、所謂非放射性誘電体線路(nonradiative dielectric waveguide で、以下、NRDガイドという)を構成する。尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波(高周波信号)の波長である。
【0003】
また、2はガンダイオード素子を設置(マウント)するための金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波を発振するマイクロ波ダイオードの1種であるガンダイオード素子、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード素子3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード素子3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、6は誘電体の基体に共振用の金属ストリップ線路6aを設けた金属ストリップ共振器、7は金属ストリップ共振器6により共振した高周波信号を外部へ伝送させる誘電体線路である。尚、図4では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0004】
図4のNRDガイド型のガンダイオード発振器は、一対の平行平板導体1の間に、ガンダイオード素子3を搭載した金属部材2が配置されており、ガンダイオード素子3から発振されたマイクロ波等の高周波信号(電磁波)は、金属ストリップ線路6aを有する金属ストリップ共振器6を介して誘電体線路7に導出される。
【0005】
そして、チョーク型バイアス供給線路4aは、図5に示すように、幅の広い線路の空間的周期と幅の狭い線路の空間的周期とがそれぞれ略λ/4の周期で反復されたチョークを構成しており、また帯状導体5の長さも略λ/4に設定されローパスフィルタの一部として機能している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のガンダイオード発振器においては、金属ストリップ共振器6、ガンダイオード素子マウント用の金属部材2および誘電体線路7を各々個別に位置決め配置し、平行平板導体1,1で挟持するように構成しており、このため、金属ストリップ共振器6の加工精度が低いと、金属ストリップ共振器6が振動や自重で位置ずれを起こし、またその位置決めが正確でないと、誘電体線路7への伝搬特性が劣化していた。即ち、金属ストリップ共振器6の加工精度および位置決め精度の管理が必要であり、また製造の作業性が悪く、従って量産に向かないという問題点があった。
【0007】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、部品の加工および位置決めの困難性を軽減し、従って加工精度および位置決め精度の管理を容易にし、また製造、組立の作業性が良好なものとすることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波ダイオード発振器は、高周波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成され前記高周波ダイオードにバイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とが設置された金属部材を設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に配置され前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を設けて成る高周波ダイオード発振器であって、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の周期と幅の狭い線路の周期をそれぞれ略λ/4とし、前記帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)としたことを特徴とする。
【0009】
本発明は、このような構成により、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上するという作用効果も有する。
【0010】
本発明において、好ましくは、前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置し電磁結合させたことを特徴とする。これにより、高周波ダイオード発振器の発振周波数の調整がさらに容易になり、量産性もさらに向上する。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波ダイオード発振器について以下に説明する。図1〜図3は、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器を示し、これらの図において、1はガンダイオード等の高周波ダイオードが発振する高周波信号の空気中での波長λの2分の1以下の間隔で配置した一対の平行平板導体、2はガンダイオード素子を設置(マウント)するための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波を発振するマイクロ波ダイオードの1種であるガンダイオード素子、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード素子3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード素子3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、7はガンダイオード素子3の近傍に配置され高周波信号を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路である。尚、図1では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0012】
本発明において、チョーク型バイアス供給線路4aは、図2に示すように、幅の広い線路の空間的周期と幅の狭い線路の空間的周期とがそれぞれ略λ/4の広狭線路から成り、また帯状導体5の長さは略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)である。この帯状導体5の長さは略3λ/4〜略{(3/4)+3}λが良く、略{(3/4)+3}λを超えると帯状導体5が長くなり、撓み、捩じれ等が生じ易くなり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周波数等の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の共振モードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波数の信号が発生するという問題が生じる。より好ましくは、略3λ/4,略{(3/4)+1}λである。
【0013】
また、略{(3/4)+n}λとしたのは、{(3/4)+n}λから多少ずれていても共振は可能だからである。例えば、帯状導体5を{(3/4)+n}λよりも10〜20%程度長く形成しても良く、その場合、帯状導体5の接するチョーク型バイアス供給線路4aの1パターン目(図2では最右方の幅の広い線路部分)の長さλ/4のうち一部が共振に寄与すると考えられるからである。従って、帯状導体5の長さは{(3/4)+n}λ±20%程度の範囲内で変化させることができる。
【0014】
これらチョーク型バイアス供給線路4aおよび帯状導体5の材料は、Cu,Al,Au,Ag,W,Ti,Ni,Cr,Pd,Pt等から成り、特にCu,Agが、電気伝導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きくなるといった点で好ましい。
【0015】
また、チョーク型バイアス供給線路4aはプリント配線基板等の配線基板4に形成され、帯状導体5の一端をチョーク型バイアス供給線路4aに他端をガンダイオード素子3の上部導体に半田付けや熱圧着等により接続しているが、帯状導体5も配線基板4に形成して、チョーク型バイアス供給線路4aと一体化しても良い。
【0016】
そして、金属部材2は、ガンダイオード素子3の電気的な接地(アース)を兼ねているため金属導体であれば良く、その材料は金属(合金を含む)導体であれば特に限定するものではなく、真鍮(黄銅:Cu−Zn合金),Al,Cu,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等から成る。また金属部材2は、全体が金属から成る金属ブロック,セラミックスやプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキしたもの,絶縁基体の表面全体または部分的に導電性材料をコートしたものであっても良い。
【0017】
また、誘電体線路7の材料は、コーディエライト(2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 ),アルミナ(Al2 O3 )等が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。ガンダイオード素子3と誘電体線路7との間隔は1.0mm程度以下が好ましく、1.0mmを超えると損失を小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超える。
【0018】
本発明において、好ましくは、図3の断面図に示すように高周波信号の発振周波数を調整する誘電体チップ8を、帯状導体5に近接させて配置する。尚、同図において9はガンダイオード素子3のネジ止め部である。この誘電体チップ8の形状は特に限定するものではないが、帯状導体5の主面に対向し近接する平行な主面Aを有する直方体状,板状,四角錐状,三角柱等の角柱状,蒲鉾状等が良く、帯状導体5を伝搬する高周波信号との電磁結合を主面Aにより制御し易いという利点がある。そして、主面Aの長さLを調整する、または種々の長さLを有する誘電体チップ8を用意しておき、長さLを変化させることにより、発振周波数を制御できる。即ち、誘電体チップ8を帯状導体5に近接させることで、チョーク型バイアス供給線路4aと帯状導体5とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、例えば帯状導体5の電気的な共振器長を{(3/4)+n}λよりも僅かに大きくし、発振周波数を低くすることが可能である。
【0019】
そして、誘電体チップ8はコーディエライト,アルミナ等が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。また、誘電体チップ8の主面Aと帯状導体5の主面との間隔Bは0.1mm〜1.0mmが良く、0.1mm未満では、振動等により誘電体チップ8が位置ずれしたり、熱変形、撓み等を起こして帯状導体5に接触し、高周波の伝搬特性が変化し易くなる。1.0mmを超えると、帯状導体5と誘電体チップ8との電磁結合が弱すぎて、発振周波数の制御が困難となる。
【0020】
本発明でいう高周波帯域は、数10〜数100GHz帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当し、例えば30GHz以上、特に50GHz以上、更には70GHz以上の高周波帯域が好適である。
【0021】
また本発明の高周波ダイオードとしては、インパット(impatt:impact ionisation avalanche transit time)・ダイオード,トラパット(trapatt :trapped plasma avalanche triggered transit)・ダイオード,ガンダイオード等のマイクロ波ダイオードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。
【0022】
本発明のNRDガイド用の平行平板導体1は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Cu,Al,Fe,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等の導体板、あるいはセラミックス,樹脂等から成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成したものでもよい。
【0023】
また、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器は、無線LAN,自動車のミリ波レーダ等に使用されるものであり、例えば自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成してビート信号を得、このビート信号を分析することにより障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速度、移動方向等が測定できる。
【0024】
かくして、本発明は、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器がないため、それによる損失がなくなり、高周波信号の伝搬特性が向上するという作用効果を有する。
【0025】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行っても何等差し支えない。
【0026】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【0027】
(実施例)
図1のNRDガイド型のガンダイオード発振器を以下のように構成した。一対の平行平板導体1,1として、縦100mm×横100mm×厚さ2mmのAl板を1.8mmの間隔で配置し、それらの間にガンダイオード素子3をネジ止めした真鍮性の金属部材2とコーディエライトセラミックスから成る誘電体線路7を設置した。この金属部材2は高さが約1.8mmの直方体状であり、その一側面には、発振周波数77GHzで波長λが3.9mmの高周波信号(電磁波)を発振するガンダイオード素子3と、ガンダイオード素子3にバイアス電圧を入力するチョーク型バイアス供給線路4aが形成された配線基板4と、チョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード素子3の上部導体とを接続する帯状導体5を設けた。
【0028】
前記配線基板4はガラスエポキシ樹脂から成り、金属部材2に接着剤により固定した。また、チョーク型バイアス供給線路4aの幅の広い線路と幅の狭い線路について、幅の広い線路の空間的周期はλ/4=0.70mm(誘電体基板上では短波長化する)、幅の狭い線路の空間的周期はλ/4=0.70mmであり、幅の広い線路部の幅は1.5mm、幅の狭い線路部の幅は0.2mmであり、帯状導体5は厚さ35μm,幅0.6mmの銅箔リボンから成り、一端をチョーク型バイアス供給線路4aに他端をガンダイオード素子3の上部導体に各々半田付けした。誘電体線路7は、比誘電率5のコーディエライトセラミックスから成り、ガンダイオード素子3の上部導体から約0.5mmの間隔をあけて配置した。そして、帯状導体5の長さを種々に変化させた場合のガンダイオード素子3の発振周波数と発振出力とを図6のグラフに示した。同図より、帯状導体5の長さを調整することで発振周波数を制御でき、また高出力の高周波信号が得られた。尚、帯状導体5の長さが、3λ/4≒2.9mmよりも14%程度大きい3.3mmで最大の発振出力となっているのは、チョーク型バイアス供給線路4aの1パターンの一部が共振に寄与しているためと考えられる。
【0029】
また、帯状導体5の長さを3.2mmとし、図3のように間隔B=0.1mmをあけて、長さL,幅0.4mm,高さ1.8mmで、比誘電率5のコーディエライトセラミックスから成る直方体状の誘電体チップ8を配置した。そして、誘電体チップ8の一端を配線基板4と帯状導体5との接合点Pに一致させ、長さLを種々に変化させた場合の発振周波数の変化を図7のグラフに示す。同図より、誘電体チップ8の長さLを変化させることにより発振周波数の制御が可能であった。
【0030】
【発明の効果】
本発明は、チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の周期と幅の狭い線路の周期をそれぞれ略λ/4とし、帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)としたことにより、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めがきわめて容易になり、発振特性の制御および向上が容易になされ、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上するという作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のNRD型の高周波ダイオード発振器の内部透視した斜視図である。
【図2】本発明のチョーク型バイアス供給線路と帯状導体の平面図である。
【図3】本発明において、帯状導体に発振周波数調整用の誘電体チップを近接させた場合の帯状導体とガンダイオード素子部の部分断面図である。
【図4】従来の金属ストリップ共振器を用いたNRDガイド型のガンダイオード発振器の内部透視した斜視図である。
【図5】従来のチョーク型バイアス供給線路と帯状導体の平面図である。
【図6】本発明の高周波ダイオード発振器について、帯状導体の長さを変化させた場合の発振周波数と発振出力を示すグラフである。
【図7】本発明の高周波ダイオード発振器について、誘電体チップの長さを変化させた場合の発振周波数を示すグラフである。
【符号の説明】
1:平行平板導体
2:金属部材
3:ガンダイオード素子
4:配線基板
4a:チョーク型バイアス供給線路
5:帯状導体
7:誘電体線路
8:誘電体チップ
Claims (2)
- 高周波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成され前記高周波ダイオードにバイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とが設置された金属部材を設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に配置され前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を設けて成る高周波ダイオード発振器であって、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の周期と幅の狭い線路の周期をそれぞれ略λ/4とし、前記帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)としたことを特徴とする高周波ダイオード発振器。
- 前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置し電磁結合させたことを特徴とする請求項1記載の高周波ダイオード発振器。
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