JP3654225B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工装置及び加工方法並びに磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッドの加工装置、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。このため、読出し用の薄膜磁気ヘッドとして、インダクティブ電磁変換素子に代えてＭＲ素子を用いることが一般的に行われている。その場合、読出し用のＭＲ素子と書込み用のインダクティブ電磁変換素子とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが用いられることが多い。
【０００３】
この種のＭＲ型薄膜磁気ヘッドを製造する場合、ＭＲ素子の寸法出し（ＭＲハイト調整）のための研磨処理が必ず行われる。この研磨処理は、複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一列に一体的に配置されるようにウエハをシングルバー又はブロックバーと呼ばれる列毎に切断して得たバーの一面（浮上面、ＡＢＳ：Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）を研磨することにより行われ、これによって、複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲハイトが一括して調整される。
【０００４】
１つのバー内の複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッド相互のＭＲハイト及び複数のバーのＭＲ型薄膜磁気ヘッド相互のＭＲハイトを正確な値に調整するために、通常は、研磨された高さを検出するＥＬＧ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌａｐｐｉｎｇ Ｇｕｉｄｅ）センサ等と称される研磨量センサが各バーに複数設けられており、これら研磨量センサからの電気的信号に応じて、研磨が制御される。
【０００５】
ＥＬＧセンサは、例えば特開２０００−６１２９号公報に開示されているように、工程数を削減したり、製法上の簡便さ等の観点から、ＭＲ素子のＭＲ膜と同じ構造のＭＲ膜を有しているのが一般的であり、研磨されるべきＡＢＳに隣接しかつ平行に伸長するように構成されている。ＭＲハイトの研磨に応じてこのＥＬＧセンサのＭＲ膜も研磨され、その高さが減少しこれによる素子抵抗の変化から研磨量を教えるように構成されている。このようなＥＬＧセンサを用いたＭＲハイト制御については、例えば、特開平９−９３２１４号公報、特開平１０−２６９５３０号公報及び特開２００１−６１２８号公報等に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ＥＬＧセンサは一般にＭＲ膜で構成されているため、外部磁界に対して磁気抵抗効果、即ち抵抗変化を示す。一方、研磨装置の定盤自体及びその周辺の部材は、磁化されていることが多い。
【０００７】
従って、このような状態の研磨装置でＥＬＧセンサに基づいたＭＲハイトの制御を行うと、ＥＬＧセンサの抵抗値自体が周囲の磁界により変動して正確な研磨量を把握できず、正しいＭＲハイト制御を行えない場合がある。特に最近のように、ＭＲ膜が巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用した積層構造を有する場合には、この傾向が顕著となってきている。
【０００８】
本発明の目的は、正確なＭＲハイト制御を行うことができるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工装置、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーの研磨を、このバーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じて制御するＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工装置であって、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印加する磁界印加手段を備えたＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工装置が提供される。
【００１０】
本発明によれば、さらに、複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印加しておき、磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じてバーの研磨を制御するＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工方法が提供される。
【００１１】
さらにまた、本発明によれば、ウエハ上に複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成し、このウエハを切断して複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列された複数のバーを得、得られた各バーについて、バーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印加した状態で、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じてバーの研磨を制御し、その後、バーを切断して個々のＭＲ型薄膜磁気ヘッドを得るＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１２】
ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印加した状態で、研磨量の検出を行っている。このように、研磨量センサの動作点が外部磁界の変化に対して安定な領域に固定されているため、その出力は外部磁界の影響では変化せず、研磨量のみに従って変化することとなる。従って、研磨量を正しく把握できるので、ＭＲハイトを正確に制御することが可能となる。
【００１３】
直流バイアス磁界を、バーを研磨する定盤に一体化されているか、又はバーを取り付ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段から印加することが好ましい。定盤に一体化されるとは、定盤自体が磁界発生手段で構成されるか又は定盤に磁界発生手段が一体的に取り付けられていることを表している。また、研磨用治具に一体化されるとは、研磨用治具自体が磁界発生手段で構成されるか又は研磨用治具に磁界発生手段が一体的に取り付けられていることを表している。
【００１４】
この磁界発生手段が、永久磁石又は電磁石であることが好ましい。
【００１５】
ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子とは別個に設けられた専用の研磨量センサであるか、又はＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子自体であることも好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明が適用されるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一例の構造を概略的に示す断面図である。
【００１７】
このＭＲ型薄膜磁気ヘッドは、基板１０上にＭＲ素子を有する読出しヘッド部とインダクティブ電磁変換素子を有する書込みヘッド部とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１８】
同図において、１１はＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ等による基板１０上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３等による絶縁膜、１２は絶縁膜１１の上に積層された例えばＮｉＦｅ等による下部シールド膜、１３はその上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３等による下部シールドギャップ膜、１４はその上に積層されたＭＲ膜、１５はＭＲ膜１４を挟むように下部シールドギャップ膜１３上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３等による上部シールドギャップ膜、１６はその上に積層された例えばＮｉＦｅ等による上部シールド膜をそれぞれ示している。
【００１９】
下部シールド膜１２及び上部シールド膜１６は、ＭＲ膜１５を磁気的にシールドするためのものであり、下部シールドギャップ膜１３及び上部シールドギャップ膜１５を介してＭＲ膜１４を挟み互いに対向するように配置されている。上部シールド膜１６は、書込みヘッド部における下部磁極としての機能も兼ね備えている。
【００２０】
ＭＲ膜１４は、ＡＢＳ１７の近傍に配置されており、例えば異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）膜、例えばスピンバルブ（Ｓｐｉｎ Ｖａｌｖｅ）膜のごときＧＭＲ膜、又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）膜等で構成されている。
【００２１】
ＭＲ膜１４のＡＢＳ１７側の端縁から反対側の端縁までの長さが、ＭＲハイトである。このＭＲハイトは、素子抵抗、再生出力をはじめ、多くのヘッド動作特性値を制御する際に重要である。
【００２２】
下部磁極をも構成する上部シールド膜１６上には、例えばＡｌ_２Ｏ_３等による記録ギャップ膜１８が積層されており、その上には例えばフォトレジストによる絶縁層１９、薄膜コイル２０、例えばフォトレジストによる絶縁層２１、薄膜コイル２２、例えばフォトレジストによる絶縁層２３、例えばＮｉＦｅ等による上部磁極２４が順次積層されており、その上には例えばＡｌ_２Ｏ_３等による保護膜２５が積層されている。
【００２３】
図２は、本発明におけるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態の流れを概略的に示すフローチャートである。以下、同図を参照してＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する。
【００２４】
まず、薄膜集積技術を用いて、ウエハ上に多数の複合型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成すると共に、ＭＲ素子の成膜プロセスにおいて、同時に複数のＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサ（ＭＲ型ＥＬＧセンサ）をも形成する（ステップＳ１）。
【００２５】
次いで、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、このウエハ（基板）３０を複数のバー３１に切り出す（ステップＳ２）。この切断は、同図（Ｂ）に示すように、各バー３１が少なくとも１列に配列された複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッド３２及び複数のＭＲ型ＥＬＧセンサを有するように行う。
【００２６】
次いで、バー３１のＡＢＳ（研磨面）３１ａをある程度の深さまで粗研磨する（ステップＳ３）。この粗研磨工程においては、ＥＬＧセンサを用いず、例えば画像処理等を用いておおまかな量の研磨を行う。
【００２７】
次いで、ＡＢＳの本研磨を行ってＭＲハイトの調整を行う（ステップＳ４）。この研磨にはＥＬＧセンサからの検出出力を利用する。
【００２８】
図４はこの本研磨工程の流れを概略的に示すフローチャートであり、図５はこの工程で使用される研磨装置の構成を概略的に示す図である。以下これらの図を用いてこの本研磨工程について説明する。
【００２９】
図５に示すように、研磨装置は、定盤５０と、この定盤５０に同軸に連結された回転シャフト５１と、この回転シャフト５１をベルト５２ａを介して駆動し定盤５０を回転させるモータ５２ｂと、定盤５０の全面に渡って均一に一体的に取り付けられた永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石５３と、バー５４に設けられたＥＬＧセンサ５５に一定の直流電流を流しその出力抵抗値を検出する抵抗検出回路５６と、抵抗検出回路５６が検出したＥＬＧセンサ５５の出力に応じて、ＭＲハイトを計算し、回転数検出器５８などの信号から定盤５０の回転制御、研磨剤の制御及び研磨の終了制御等を行うコントローラ５７とを主に備えている。定盤５０自体を永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石で構成しても良い。
【００３０】
まず、定盤５０に取り付けられた直流磁化用磁石５３からの磁界方向を設定する（ステップＳ４１）。その方向は、ＭＲ膜を構成する積層膜、例えばスピンバルブ膜（下部強磁性層／電気伝導層／上部磁性層／ピン止め層）の上部磁性層がピン止めされている方向に設定する。このように設定することで、ＥＬＧセンサに使われているＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平行となり、外部磁界に対して抵抗が安定な領域とすることができる。
【００３１】
次いで、バー５４をこの研磨装置に装着し（ステップＳ４２）、ＥＬＧセンサ５５の端子電極５５ａを抵抗検出回路５６に電気的に接続する。
【００３２】
その後、バー５４の研磨を行いながらＥＬＧセンサ５５からの検出出力を取り込み（ステップＳ４３）、ＭＲハイトの計算を行うと共に定盤５０の回転速度を制御して研磨量を制御する（ステップＳ４４）。その際、バー５４には、従ってＥＬＧセンサ５５には、直流磁化用磁石５３からＥＬＧセンサ５５の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界が印加される。
【００３３】
ＭＲハイトの求め方は公知であるが、以下にその一例を簡単に説明する。
【００３４】
図６に示すように、バー５４上には、そのＡＢＳ側の面（研磨面）５４ａに沿って１列に配列された薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜６０〜６２が形成されており、さらにこれらのＭＲ膜の間には、ＥＬＧセンサのＭＲ膜（以下単にＥＬＧセンサと称する）６３及び６４がそれぞれ形成されているとする。
【００３５】
ＥＬＧセンサ６３の集積時に測定された抵抗値をＲ_１とすると、ＭＲハイトＨ_ＭＲは次の（１）式で与えられる、
Ｈ_ＭＲ＝Ｒ_Ｓ／（Ｒ_１−Ｒ_Ｌ）＝Ｃ＋Ｒ_ＳＨ×Ｗ_１／（Ｒ_１−Ｒ_Ｌ） （１）
ただし、Ｒ_ＳはＭＲ膜の集積時の仮想抵抗、Ｒ_Ｌは集積時のリード導体抵抗、ＣはＭＲ膜及びリード導体の接続部におけるクラウディング抵抗等のその他の抵抗分、Ｒ_ＳＨはＭＲ膜のシート抵抗、Ｗ_１はＥＬＧセンサ６３の幅をそれぞれ表している。
【００３６】
仮想抵抗Ｒ_Ｓ及びリード導体抵抗Ｒ_Ｌは、以下のようにして求められる。ＥＬＧセンサ６３及び６４の各抵抗値をＲ_１及びＲ_２、幅をＷ_１及びＷ_２、高さをＨ_１及びＨ_２とすると、次の（２）及び（３）式が成り立つ。
【００３７】
Ｒ_１＝Ｒ_Ｌ＋（Ｃ／Ｈ_１）＋（Ｒ_ＳＨ×Ｗ_１）／Ｈ_１ （２）
Ｒ_２＝Ｒ_Ｌ＋（Ｃ／Ｈ_２）＋（Ｒ_ＳＨ×Ｗ_２）／Ｈ_２ （３）
ここで、Ｈ_２＝Ｈ_１−ａ、Ｗ_２＝Ｗ_１ を（２）及び（３）式に代入すると、次の（４）及び（５）式を得る。但し、ａはＨ_１より小さい定数である。
【００３８】
Ｒ_１＝Ｒ_Ｌ＋（Ｃ／Ｈ_１）＋（Ｒ_ＳＨ×Ｗ_１）／Ｈ_１ （４）
Ｒ_２＝Ｒ_Ｌ＋（Ｃ／（Ｈ_１−ａ））＋（Ｒ_ＳＨ×Ｗ₁）／（Ｈ_１−ａ） （５）
従って、この連立方程式を解くことにより、次の（６）及び（７）式で表される仮想抵抗Ｒ_Ｓ（＝Ｃ＋Ｒ_ＳＨ×Ｗ_１）及びリード導体抵抗Ｒ_Ｌが得られる。
【００３９】
Ｒ_Ｌ＝Ｒ_１＋（Ｈ_１−ａ）×（Ｒ_１−Ｒ_２）／ａ （６）
Ｒ_Ｓ＝−Ｈ_１×（Ｈ_１−ａ）×（Ｒ_１−Ｒ_２）／ａ （７）
なお、これら仮想抵抗Ｒ_Ｓ及びリード導体抵抗Ｒ_Ｌの組は、一組のＥＬＧセンサ６３及び６４ごとに得られる。そして、研磨中のＥＬＧセンサの抵抗値ＲからＨ_ＭＲ＝Ｒ_Ｓ／（Ｒ−Ｒ_Ｌ）を用いてＭＲハイトＨ_ＭＲが計算される。
【００４０】
次いで、計算されたＭＲハイトＨ_ＭＲが所望値（終点）となったかどうかが判別される（ステップＳ４５）。
【００４１】
計算されたＭＲハイトＨ_ＭＲが所望値に達していない場合は、ステップＳ４３に戻って研磨処理を繰り返して続行し、ＭＲハイトＨ_ＭＲが所望値となった場合は研磨を終了し（ステップＳ４６）、図２に示すステップＳ５へ進む。
【００４２】
このステップＳ５においては、バーのＡＢＳ上に例えばＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜等の保護膜を形成する。
【００４３】
次いで、バーのＡＢＳにレールを形成した（ステップＳ６）後、そのバーを切断して個々の磁気ヘッドスライダを得る（ステップＳ７）。
【００４４】
その後、磁気ヘッドスライダをサスペンションに搭載してヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を形成する（ステップＳ８）。
【００４５】
図７に示すように、本実施形態においては、少なくともＥＬＧセンサ５５が動作している際には、永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石５３からＥＬＧセンサ５５に直流バイアス磁界が印加される。この直流バイアス磁界の方向及び値は、ＥＬＧセンサ５５の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるように設定されている。
【００４６】
一般に、ＭＲ膜は、少量の正方向又は負方向への磁界に対しても抵抗変化を生じる。図８は本実施形態のごときＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。このＥＬＧセンサでは、例えば極度に大きい負方向（正方向）への磁界を印加した場合、ＭＲ膜は最小の抵抗値を示す。この状態から磁界を正方向に増やして（負方向に減らして）行くと、磁界ゼロを経て最大抵抗値を迎え、次いで抵抗値は下がりはじめ、図８には示してないが、極度に大きい正方向（負方向）の磁界では、再び最小の抵抗値となる。従って、通常の動作範囲ではＭＲ膜は最もＭＲ変化を起こし易い状態にあり、定盤又はその周辺が多少磁化されたのみでその抵抗値の読みが変ってしまう。そこで本実施形態では、本研磨中に、抵抗変化を起こさない程度の、即ち、ＭＲ膜の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流磁界を印加することによって、磁界によるＥＬＧセンサ５５の抵抗値変化を防止しているのである。その結果、研磨量を正しく把握することができ、ＭＲハイトを正確に制御することが可能となる。
【００４７】
図８のＥＬＧセンサでは、約−２００００Ａ／ｍより大きい負方向の磁界、例えば−４００００Ａ／ｍの磁界を印加することにより、ＥＬＧセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となって、換言すれば、ＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平行となって、磁界による抵抗変化が生じないことが分かる。
【００４８】
以上述べた実施形態では、ＥＬＧセンサとして、ＭＲ型磁気ヘッドのＭＲ膜とは別個に設けた専用のＭＲ膜を用いているが、ＭＲ型磁気ヘッド自体のＭＲ膜をＥＬＧセンサとして流用することも可能である。ただし、その場合、ＭＲ膜がシールド膜でカバーされているため、ＭＲ膜の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流磁界をＭＲ膜に与えるためにはより大きな外部磁界が必要となる。
【００４９】
図９はこのようなＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。この実素子を流用したＥＬＧセンサでは、外部印加磁界がゼロの付近では、ＭＲ変化がなく、ある程度の大きさの外部磁界が印加されたところで、ＭＲ特性を示している。このＥＬＧセンサにおいても、約−２００００Ａ／ｍより大きい負方向の磁界、例えば−４００００Ａ／ｍの磁界を印加することにより、ＥＬＧセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となって、換言すれば、ＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平行となって、磁界による抵抗変化が生じていない。
【００５０】
図１０は、本発明の製造方法の他の実施形態における本研磨工程で直流磁界が印加される様子を説明する図である。
【００５１】
この実施形態においては、永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石１０３が、研磨装置の定盤１００には取り付けられておらず、バー１０４を装着する研磨用治具１０８に一体的に取り付けられているか、又は治具１０８自体が直流磁化用磁石１０３によって形成されている。これによって、バー１０４の研磨中は、直流磁化用磁石１０３からＥＬＧセンサにその出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界が印加される。
【００５２】
本実施形態におけるその他の構成、変更態様及び作用効果は、前述した実施形態の場合と同様である。
【００５３】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印加した状態で、研磨量の検出を行っている。このように、研磨量センサの動作点が安定な領域に固定されているため、その出力は外部磁界の変化によっては変化せず、研磨量のみに従って変化することとなる。従って、研磨量を正しく把握できるので、ＭＲハイトを正確に制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一例の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法の一実施形態の流れを概略的に示すフローチャートである。
【図３】ウエハ及びこのウエハから切り出されるバーを示す斜視図である。
【図４】本研磨工程の流れを概略的に示すフローチャートである。
【図５】図２の実施形態における本研磨工程で使用される研磨装置の構成を概略的に示す図である。
【図６】バー上に形成された薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜及びＥＬＧセンサのＭＲ膜の一例を示す平面図である。
【図７】図２の実施形態における本研磨工程で直流磁界が印加される様子を説明する図である。
【図８】ＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。
【図９】実素子を流用したＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。
【図１０】本発明の製造方法の他の実施形態における本研磨工程で直流磁界が印加される様子を説明する図である。
【符号の説明】
１０ 基板
１１ 絶縁膜
１２ 下部シールド膜
１３ 下部シールドギャップ膜
１４、６０〜６２ ＭＲ膜
１５ 上部シールドギャップ膜
１６ 上部シールド膜
１７、３１ａ ＡＢＳ
１８ 記録ギャップ膜
１９、２１、２３ 絶縁層
２０、２２ 薄膜コイル
２４ 上部磁極
２５ 保護膜
３０ ウエハ
３１、５４、１０４ バー
３２ ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
５０、１００ 定盤
５１ 回転シャフト
５２ａ ベルト
５２ｂ モータ
５３、１０３ 直流磁化用磁石
５５、６３、６４ ＥＬＧセンサ
５６ 抵抗検出回路
５７ コントローラ
５８ 回転数検出器
１０８ 研磨用治具

Claims (21)

1. 複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーの研磨を、該バーに設けられた磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じて制御する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工装置であって、前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界を該バーに印加する磁界印加手段を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工装置。
2. 前記磁界印加手段が、前記バーを研磨する定盤に一体化された磁界発生手段であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記磁界印加手段が、前記バーを取り付ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 前記磁界発生手段が、永久磁石であることを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
5. 前記磁界発生手段が、電磁石であることを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
6. 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子とは別個に設けられた専用の研磨量センサであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
7. 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
8. 複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーに設けられた磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界を該バーに印加しておき、前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じて該バーの研磨を制御することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工方法。
9. 前記直流バイアス磁界を、前記バーを研磨する定盤に一体化された磁界発生手段から印加することを特徴とする請求項８に記載の方法。
10. 前記直流バイアス磁界を、前記バーを取り付ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段から印加することを特徴とする請求項８に記載の方法。
11. 前記磁界発生手段が、永久磁石であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
12. 前記磁界発生手段が、電磁石であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
13. 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子とは別個に設けられた専用の研磨量センサであることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の方法。
15. ウエハ上に複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成し、該ウエハを切断して前記複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列された複数のバーを得、得られた各バーについて、該バーに設けられた磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス磁界を該バーに印加した状態で、前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じて該バーの研磨を制御し、該バーを切断して個々の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
16. 前記直流バイアス磁界を、前記バーを研磨する定盤に一体化された磁界発生手段から印加することを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
17. 前記直流バイアス磁界を、前記バーを取り付ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段から印加することを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
18. 前記磁界発生手段が、永久磁石であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の製造方法。
19. 前記磁界発生手段が、電磁石であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の製造方法。
20. 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子とは別個に設けられた専用の研磨量センサであることを特徴とする請求項１５から１９のいずれか１項に記載の製造方法。
21. 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１５から１９のいずれか１項に記載の製造方法。

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