JP2003091804A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工装置及び加工方法並びに磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工装置及び加工方法並びに磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2003091804A JP2003091804A JP2001283466A JP2001283466A JP2003091804A JP 2003091804 A JP2003091804 A JP 2003091804A JP 2001283466 A JP2001283466 A JP 2001283466A JP 2001283466 A JP2001283466 A JP 2001283466A JP 2003091804 A JP2003091804 A JP 2003091804A
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 正確なＭＲハイト制御を行うことができるＭ
Ｒ型薄膜磁気ヘッドの加工装置、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
の加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
する。 【解決手段】 複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に
配列されたバー５４の研磨を、このバー５４に設けられ
たＭＲ膜をセンサ膜として有するＥＬＧセンサ５５の出
力抵抗値に応じて制御するＭＲ型薄膜磁気ヘッドの定盤
５０が、ＭＲ膜をセンサ膜として有するＥＬＧセンサ５
５の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域と
なるような直流バイアス磁界をバー５４に印加する直流
磁化用磁石５３を備えている。
Ｒ型薄膜磁気ヘッドの加工装置、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
の加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
する。 【解決手段】 複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に
配列されたバー５４の研磨を、このバー５４に設けられ
たＭＲ膜をセンサ膜として有するＥＬＧセンサ５５の出
力抵抗値に応じて制御するＭＲ型薄膜磁気ヘッドの定盤
５０が、ＭＲ膜をセンサ膜として有するＥＬＧセンサ５
５の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域と
なるような直流バイアス磁界をバー５４に印加する直流
磁化用磁石５３を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）型薄膜磁気ヘッドの加工装置、ＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ドの加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。
Ｒ）型薄膜磁気ヘッドの加工装置、ＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ドの加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。このため、読出し用の薄膜磁気ヘッドとして、
インダクティブ電磁変換素子に代えてＭＲ素子を用いる
ことが一般的に行われている。その場合、読出し用のＭ
Ｒ素子と書込み用のインダクティブ電磁変換素子とを積
層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが用いられることが
多い。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。このため、読出し用の薄膜磁気ヘッドとして、
インダクティブ電磁変換素子に代えてＭＲ素子を用いる
ことが一般的に行われている。その場合、読出し用のＭ
Ｒ素子と書込み用のインダクティブ電磁変換素子とを積
層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが用いられることが
多い。
【０００３】この種のＭＲ型薄膜磁気ヘッドを製造する
場合、ＭＲ素子の寸法出し（ＭＲハイト調整）のための
研磨処理が必ず行われる。この研磨処理は、複数のＭＲ
型薄膜磁気ヘッドが一列に一体的に配置されるようにウ
エハをシングルバー又はブロックバーと呼ばれる列毎に
切断して得たバーの一面（浮上面、ＡＢＳ：ＡｉｒＢｅ
ａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）を研磨することにより行
われ、これによって、複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭ
Ｒハイトが一括して調整される。
場合、ＭＲ素子の寸法出し（ＭＲハイト調整）のための
研磨処理が必ず行われる。この研磨処理は、複数のＭＲ
型薄膜磁気ヘッドが一列に一体的に配置されるようにウ
エハをシングルバー又はブロックバーと呼ばれる列毎に
切断して得たバーの一面（浮上面、ＡＢＳ：ＡｉｒＢｅ
ａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）を研磨することにより行
われ、これによって、複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭ
Ｒハイトが一括して調整される。
【０００４】１つのバー内の複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ド相互のＭＲハイト及び複数のバーのＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッド相互のＭＲハイトを正確な値に調整するために、通
常は、研磨された高さを検出するＥＬＧ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ Ｌａｐｐｉｎｇ Ｇｕｉｄｅ）センサ等と称され
る研磨量センサが各バーに複数設けられており、これら
研磨量センサからの電気的信号に応じて、研磨が制御さ
れる。
ド相互のＭＲハイト及び複数のバーのＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッド相互のＭＲハイトを正確な値に調整するために、通
常は、研磨された高さを検出するＥＬＧ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ Ｌａｐｐｉｎｇ Ｇｕｉｄｅ）センサ等と称され
る研磨量センサが各バーに複数設けられており、これら
研磨量センサからの電気的信号に応じて、研磨が制御さ
れる。
【０００５】ＥＬＧセンサは、例えば特開２０００−６
１２９号公報に開示されているように、工程数を削減し
たり、製法上の簡便さ等の観点から、ＭＲ素子のＭＲ膜
と同じ構造のＭＲ膜を有しているのが一般的であり、研
磨されるべきＡＢＳに隣接しかつ平行に伸長するように
構成されている。ＭＲハイトの研磨に応じてこのＥＬＧ
センサのＭＲ膜も研磨され、その高さが減少しこれによ
る素子抵抗の変化から研磨量を教えるように構成されて
いる。このようなＥＬＧセンサを用いたＭＲハイト制御
については、例えば、特開平９−９３２１４号公報、特
開平１０−２６９５３０号公報及び特開２００１−６１
２８号公報等に記載されている。
１２９号公報に開示されているように、工程数を削減し
たり、製法上の簡便さ等の観点から、ＭＲ素子のＭＲ膜
と同じ構造のＭＲ膜を有しているのが一般的であり、研
磨されるべきＡＢＳに隣接しかつ平行に伸長するように
構成されている。ＭＲハイトの研磨に応じてこのＥＬＧ
センサのＭＲ膜も研磨され、その高さが減少しこれによ
る素子抵抗の変化から研磨量を教えるように構成されて
いる。このようなＥＬＧセンサを用いたＭＲハイト制御
については、例えば、特開平９−９３２１４号公報、特
開平１０−２６９５３０号公報及び特開２００１−６１
２８号公報等に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＥＬＧセンサは一般に
ＭＲ膜で構成されているため、外部磁界に対して磁気抵
抗効果、即ち抵抗変化を示す。一方、研磨装置の定盤自
体及びその周辺の部材は、磁化されていることが多い。
ＭＲ膜で構成されているため、外部磁界に対して磁気抵
抗効果、即ち抵抗変化を示す。一方、研磨装置の定盤自
体及びその周辺の部材は、磁化されていることが多い。
【０００７】従って、このような状態の研磨装置でＥＬ
Ｇセンサに基づいたＭＲハイトの制御を行うと、ＥＬＧ
センサの抵抗値自体が周囲の磁界により変動して正確な
研磨量を把握できず、正しいＭＲハイト制御を行えない
場合がある。特に最近のように、ＭＲ膜が巨大磁気抵抗
効果（ＧＭＲ）を利用した積層構造を有する場合には、
この傾向が顕著となってきている。
Ｇセンサに基づいたＭＲハイトの制御を行うと、ＥＬＧ
センサの抵抗値自体が周囲の磁界により変動して正確な
研磨量を把握できず、正しいＭＲハイト制御を行えない
場合がある。特に最近のように、ＭＲ膜が巨大磁気抵抗
効果（ＧＭＲ）を利用した積層構造を有する場合には、
この傾向が顕著となってきている。
【０００８】本発明の目的は、正確なＭＲハイト制御を
行うことができるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工装置、Ｍ
Ｒ型薄膜磁気ヘッドの加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
行うことができるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの加工装置、Ｍ
Ｒ型薄膜磁気ヘッドの加工方法及びＭＲ型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
ＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーの研磨
を、このバーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有す
るラッピングセンサの出力抵抗値に応じて制御するＭＲ
型薄膜磁気ヘッドの加工装置であって、ＭＲ膜をセンサ
膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁
界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス
磁界をバーに印加する磁界印加手段を備えたＭＲ型薄膜
磁気ヘッドの加工装置が提供される。
ＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーの研磨
を、このバーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有す
るラッピングセンサの出力抵抗値に応じて制御するＭＲ
型薄膜磁気ヘッドの加工装置であって、ＭＲ膜をセンサ
膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁
界の変化に対して安定な領域となるような直流バイアス
磁界をバーに印加する磁界印加手段を備えたＭＲ型薄膜
磁気ヘッドの加工装置が提供される。
【００１０】本発明によれば、さらに、複数のＭＲ型薄
膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーに設けられたＭ
Ｒ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵
抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような
直流バイアス磁界をバーに印加しておき、磁気抵抗効果
膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗
値に応じてバーの研磨を制御するＭＲ型薄膜磁気ヘッド
の加工方法が提供される。
膜磁気ヘッドが一体的に配列されたバーに設けられたＭ
Ｒ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵
抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるような
直流バイアス磁界をバーに印加しておき、磁気抵抗効果
膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗
値に応じてバーの研磨を制御するＭＲ型薄膜磁気ヘッド
の加工方法が提供される。
【００１１】さらにまた、本発明によれば、ウエハ上に
複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成し、
このウエハを切断して複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一
体的に配列された複数のバーを得、得られた各バーにつ
いて、バーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有する
ラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対し
て安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印
加した状態で、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピン
グセンサの出力抵抗値に応じてバーの研磨を制御し、そ
の後、バーを切断して個々のＭＲ型薄膜磁気ヘッドを得
るＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成し、
このウエハを切断して複数のＭＲ型薄膜磁気ヘッドが一
体的に配列された複数のバーを得、得られた各バーにつ
いて、バーに設けられたＭＲ膜をセンサ膜として有する
ラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対し
て安定な領域となるような直流バイアス磁界をバーに印
加した状態で、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピン
グセンサの出力抵抗値に応じてバーの研磨を制御し、そ
の後、バーを切断して個々のＭＲ型薄膜磁気ヘッドを得
るＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１２】ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピング
センサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領
域となるような直流バイアス磁界をバーに印加した状態
で、研磨量の検出を行っている。このように、研磨量セ
ンサの動作点が外部磁界の変化に対して安定な領域に固
定されているため、その出力は外部磁界の影響では変化
せず、研磨量のみに従って変化することとなる。従っ
て、研磨量を正しく把握できるので、ＭＲハイトを正確
に制御することが可能となる。
センサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領
域となるような直流バイアス磁界をバーに印加した状態
で、研磨量の検出を行っている。このように、研磨量セ
ンサの動作点が外部磁界の変化に対して安定な領域に固
定されているため、その出力は外部磁界の影響では変化
せず、研磨量のみに従って変化することとなる。従っ
て、研磨量を正しく把握できるので、ＭＲハイトを正確
に制御することが可能となる。
【００１３】直流バイアス磁界を、バーを研磨する定盤
に一体化されているか、又はバーを取り付ける研磨用治
具に一体化された磁界発生手段から印加することが好ま
しい。定盤に一体化されるとは、定盤自体が磁界発生手
段で構成されるか又は定盤に磁界発生手段が一体的に取
り付けられていることを表している。また、研磨用治具
に一体化されるとは、研磨用治具自体が磁界発生手段で
構成されるか又は研磨用治具に磁界発生手段が一体的に
取り付けられていることを表している。
に一体化されているか、又はバーを取り付ける研磨用治
具に一体化された磁界発生手段から印加することが好ま
しい。定盤に一体化されるとは、定盤自体が磁界発生手
段で構成されるか又は定盤に磁界発生手段が一体的に取
り付けられていることを表している。また、研磨用治具
に一体化されるとは、研磨用治具自体が磁界発生手段で
構成されるか又は研磨用治具に磁界発生手段が一体的に
取り付けられていることを表している。
【００１４】この磁界発生手段が、永久磁石又は電磁石
であることが好ましい。
であることが好ましい。
【００１５】ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピング
センサが、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子とは別個に
設けられた専用の研磨量センサであるか、又はＭＲ型薄
膜磁気ヘッドのＭＲ素子自体であることも好ましい。
センサが、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子とは別個に
設けられた専用の研磨量センサであるか、又はＭＲ型薄
膜磁気ヘッドのＭＲ素子自体であることも好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明が適用されるＭＲ
型薄膜磁気ヘッドの一例の構造を概略的に示す断面図で
ある。
型薄膜磁気ヘッドの一例の構造を概略的に示す断面図で
ある。
【００１７】このＭＲ型薄膜磁気ヘッドは、基板１０上
にＭＲ素子を有する読出しヘッド部とインダクティブ電
磁変換素子を有する書込みヘッド部とを積層した構造の
複合型薄膜磁気ヘッドである。
にＭＲ素子を有する読出しヘッド部とインダクティブ電
磁変換素子を有する書込みヘッド部とを積層した構造の
複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１８】同図において、１１はＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ
等による基板１０上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等に
よる絶縁膜、１２は絶縁膜１１の上に積層された例えば
ＮｉＦｅ等による下部シールド膜、１３はその上に積層
された例えばＡｌ２Ｏ３等による下部シールドギャップ
膜、１４はその上に積層されたＭＲ膜、１５はＭＲ膜１
４を挟むように下部シールドギャップ膜１３上に積層さ
れた例えばＡｌ２Ｏ３等による上部シールドギャップ
膜、１６はその上に積層された例えばＮｉＦｅ等による
上部シールド膜をそれぞれ示している。
等による基板１０上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等に
よる絶縁膜、１２は絶縁膜１１の上に積層された例えば
ＮｉＦｅ等による下部シールド膜、１３はその上に積層
された例えばＡｌ２Ｏ３等による下部シールドギャップ
膜、１４はその上に積層されたＭＲ膜、１５はＭＲ膜１
４を挟むように下部シールドギャップ膜１３上に積層さ
れた例えばＡｌ２Ｏ３等による上部シールドギャップ
膜、１６はその上に積層された例えばＮｉＦｅ等による
上部シールド膜をそれぞれ示している。
【００１９】下部シールド膜１２及び上部シールド膜１
６は、ＭＲ膜１５を磁気的にシールドするためのもので
あり、下部シールドギャップ膜１３及び上部シールドギ
ャップ膜１５を介してＭＲ膜１４を挟み互いに対向する
ように配置されている。上部シールド膜１６は、書込み
ヘッド部における下部磁極としての機能も兼ね備えてい
る。
６は、ＭＲ膜１５を磁気的にシールドするためのもので
あり、下部シールドギャップ膜１３及び上部シールドギ
ャップ膜１５を介してＭＲ膜１４を挟み互いに対向する
ように配置されている。上部シールド膜１６は、書込み
ヘッド部における下部磁極としての機能も兼ね備えてい
る。
【００２０】ＭＲ膜１４は、ＡＢＳ１７の近傍に配置さ
れており、例えば異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）膜、例
えばスピンバルブ（Ｓｐｉｎ Ｖａｌｖｅ）膜のごとき
ＧＭＲ膜、又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）膜等で
構成されている。
れており、例えば異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）膜、例
えばスピンバルブ（Ｓｐｉｎ Ｖａｌｖｅ）膜のごとき
ＧＭＲ膜、又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）膜等で
構成されている。
【００２１】ＭＲ膜１４のＡＢＳ１７側の端縁から反対
側の端縁までの長さが、ＭＲハイトである。このＭＲハ
イトは、素子抵抗、再生出力をはじめ、多くのヘッド動
作特性値を制御する際に重要である。
側の端縁までの長さが、ＭＲハイトである。このＭＲハ
イトは、素子抵抗、再生出力をはじめ、多くのヘッド動
作特性値を制御する際に重要である。
【００２２】下部磁極をも構成する上部シールド膜１６
上には、例えばＡｌ２Ｏ３等による記録ギャップ膜１８
が積層されており、その上には例えばフォトレジストに
よる絶縁層１９、薄膜コイル２０、例えばフォトレジス
トによる絶縁層２１、薄膜コイル２２、例えばフォトレ
ジストによる絶縁層２３、例えばＮｉＦｅ等による上部
磁極２４が順次積層されており、その上には例えばＡｌ
２Ｏ３等による保護膜２５が積層されている。
上には、例えばＡｌ２Ｏ３等による記録ギャップ膜１８
が積層されており、その上には例えばフォトレジストに
よる絶縁層１９、薄膜コイル２０、例えばフォトレジス
トによる絶縁層２１、薄膜コイル２２、例えばフォトレ
ジストによる絶縁層２３、例えばＮｉＦｅ等による上部
磁極２４が順次積層されており、その上には例えばＡｌ
２Ｏ３等による保護膜２５が積層されている。
【００２３】図２は、本発明におけるＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の一実施形態の流れを概略的に示すフロ
ーチャートである。以下、同図を参照してＭＲ型薄膜磁
気ヘッドの製造工程を説明する。
ッドの製造方法の一実施形態の流れを概略的に示すフロ
ーチャートである。以下、同図を参照してＭＲ型薄膜磁
気ヘッドの製造工程を説明する。
【００２４】まず、薄膜集積技術を用いて、ウエハ上に
多数の複合型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成する
と共に、ＭＲ素子の成膜プロセスにおいて、同時に複数
のＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサ（Ｍ
Ｒ型ＥＬＧセンサ）をも形成する（ステップＳ１）。
多数の複合型薄膜磁気ヘッドをマトリクス状に形成する
と共に、ＭＲ素子の成膜プロセスにおいて、同時に複数
のＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサ（Ｍ
Ｒ型ＥＬＧセンサ）をも形成する（ステップＳ１）。
【００２５】次いで、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、このウエハ（基板）３０を複数のバー３１に切り出
す（ステップＳ２）。この切断は、同図（Ｂ）に示すよ
うに、各バー３１が少なくとも１列に配列された複数の
ＭＲ型薄膜磁気ヘッド３２及び複数のＭＲ型ＥＬＧセン
サを有するように行う。
に、このウエハ（基板）３０を複数のバー３１に切り出
す（ステップＳ２）。この切断は、同図（Ｂ）に示すよ
うに、各バー３１が少なくとも１列に配列された複数の
ＭＲ型薄膜磁気ヘッド３２及び複数のＭＲ型ＥＬＧセン
サを有するように行う。
【００２６】次いで、バー３１のＡＢＳ（研磨面）３１
ａをある程度の深さまで粗研磨する（ステップＳ３）。
この粗研磨工程においては、ＥＬＧセンサを用いず、例
えば画像処理等を用いておおまかな量の研磨を行う。
ａをある程度の深さまで粗研磨する（ステップＳ３）。
この粗研磨工程においては、ＥＬＧセンサを用いず、例
えば画像処理等を用いておおまかな量の研磨を行う。
【００２７】次いで、ＡＢＳの本研磨を行ってＭＲハイ
トの調整を行う（ステップＳ４）。この研磨にはＥＬＧ
センサからの検出出力を利用する。
トの調整を行う（ステップＳ４）。この研磨にはＥＬＧ
センサからの検出出力を利用する。
【００２８】図４はこの本研磨工程の流れを概略的に示
すフローチャートであり、図５はこの工程で使用される
研磨装置の構成を概略的に示す図である。以下これらの
図を用いてこの本研磨工程について説明する。
すフローチャートであり、図５はこの工程で使用される
研磨装置の構成を概略的に示す図である。以下これらの
図を用いてこの本研磨工程について説明する。
【００２９】図５に示すように、研磨装置は、定盤５０
と、この定盤５０に同軸に連結された回転シャフト５１
と、この回転シャフト５１をベルト５２ａを介して駆動
し定盤５０を回転させるモータ５２ｂと、定盤５０の全
面に渡って均一に一体的に取り付けられた永久磁石又は
直流電磁石による直流磁化用磁石５３と、バー５４に設
けられたＥＬＧセンサ５５に一定の直流電流を流しその
出力抵抗値を検出する抵抗検出回路５６と、抵抗検出回
路５６が検出したＥＬＧセンサ５５の出力に応じて、Ｍ
Ｒハイトを計算し、回転数検出器５８などの信号から定
盤５０の回転制御、研磨剤の制御及び研磨の終了制御等
を行うコントローラ５７とを主に備えている。定盤５０
自体を永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石で
構成しても良い。
と、この定盤５０に同軸に連結された回転シャフト５１
と、この回転シャフト５１をベルト５２ａを介して駆動
し定盤５０を回転させるモータ５２ｂと、定盤５０の全
面に渡って均一に一体的に取り付けられた永久磁石又は
直流電磁石による直流磁化用磁石５３と、バー５４に設
けられたＥＬＧセンサ５５に一定の直流電流を流しその
出力抵抗値を検出する抵抗検出回路５６と、抵抗検出回
路５６が検出したＥＬＧセンサ５５の出力に応じて、Ｍ
Ｒハイトを計算し、回転数検出器５８などの信号から定
盤５０の回転制御、研磨剤の制御及び研磨の終了制御等
を行うコントローラ５７とを主に備えている。定盤５０
自体を永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石で
構成しても良い。
【００３０】まず、定盤５０に取り付けられた直流磁化
用磁石５３からの磁界方向を設定する（ステップＳ４
１）。その方向は、ＭＲ膜を構成する積層膜、例えばス
ピンバルブ膜（下部強磁性層／電気伝導層／上部磁性層
／ピン止め層）の上部磁性層がピン止めされている方向
に設定する。このように設定することで、ＥＬＧセンサ
に使われているＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁
化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平
行となり、外部磁界に対して抵抗が安定な領域とするこ
とができる。
用磁石５３からの磁界方向を設定する（ステップＳ４
１）。その方向は、ＭＲ膜を構成する積層膜、例えばス
ピンバルブ膜（下部強磁性層／電気伝導層／上部磁性層
／ピン止め層）の上部磁性層がピン止めされている方向
に設定する。このように設定することで、ＥＬＧセンサ
に使われているＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁
化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平
行となり、外部磁界に対して抵抗が安定な領域とするこ
とができる。
【００３１】次いで、バー５４をこの研磨装置に装着し
（ステップＳ４２）、ＥＬＧセンサ５５の端子電極５５
ａを抵抗検出回路５６に電気的に接続する。
（ステップＳ４２）、ＥＬＧセンサ５５の端子電極５５
ａを抵抗検出回路５６に電気的に接続する。
【００３２】その後、バー５４の研磨を行いながらＥＬ
Ｇセンサ５５からの検出出力を取り込み（ステップＳ４
３）、ＭＲハイトの計算を行うと共に定盤５０の回転速
度を制御して研磨量を制御する（ステップＳ４４）。そ
の際、バー５４には、従ってＥＬＧセンサ５５には、直
流磁化用磁石５３からＥＬＧセンサ５５の出力抵抗値が
外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バ
イアス磁界が印加される。
Ｇセンサ５５からの検出出力を取り込み（ステップＳ４
３）、ＭＲハイトの計算を行うと共に定盤５０の回転速
度を制御して研磨量を制御する（ステップＳ４４）。そ
の際、バー５４には、従ってＥＬＧセンサ５５には、直
流磁化用磁石５３からＥＬＧセンサ５５の出力抵抗値が
外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バ
イアス磁界が印加される。
【００３３】ＭＲハイトの求め方は公知であるが、以下
にその一例を簡単に説明する。
にその一例を簡単に説明する。
【００３４】図６に示すように、バー５４上には、その
ＡＢＳ側の面（研磨面）５４ａに沿って１列に配列され
た薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜６０〜６２が形成されてお
り、さらにこれらのＭＲ膜の間には、ＥＬＧセンサのＭ
Ｒ膜（以下単にＥＬＧセンサと称する）６３及び６４が
それぞれ形成されているとする。
ＡＢＳ側の面（研磨面）５４ａに沿って１列に配列され
た薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜６０〜６２が形成されてお
り、さらにこれらのＭＲ膜の間には、ＥＬＧセンサのＭ
Ｒ膜（以下単にＥＬＧセンサと称する）６３及び６４が
それぞれ形成されているとする。
【００３５】ＥＬＧセンサ６３の集積時に測定された抵
抗値をＲ１とすると、ＭＲハイトＨ ＭＲは次の（１）式
で与えられる、 ＨＭＲ＝ＲＳ／（Ｒ１−ＲＬ）＝Ｃ＋ＲＳＨ×Ｗ１／（Ｒ１−ＲＬ） （ １） ただし、ＲＳはＭＲ膜の集積時の仮想抵抗、ＲＬは集積
時のリード導体抵抗、ＣはＭＲ膜及びリード導体の接続
部におけるクラウディング抵抗等のその他の抵抗分、Ｒ
ＳＨはＭＲ膜のシート抵抗、Ｗ１はＥＬＧセンサ６３の
幅をそれぞれ表している。
抗値をＲ１とすると、ＭＲハイトＨ ＭＲは次の（１）式
で与えられる、 ＨＭＲ＝ＲＳ／（Ｒ１−ＲＬ）＝Ｃ＋ＲＳＨ×Ｗ１／（Ｒ１−ＲＬ） （ １） ただし、ＲＳはＭＲ膜の集積時の仮想抵抗、ＲＬは集積
時のリード導体抵抗、ＣはＭＲ膜及びリード導体の接続
部におけるクラウディング抵抗等のその他の抵抗分、Ｒ
ＳＨはＭＲ膜のシート抵抗、Ｗ１はＥＬＧセンサ６３の
幅をそれぞれ表している。
【００３６】仮想抵抗ＲＳ及びリード導体抵抗ＲＬは、
以下のようにして求められる。ＥＬＧセンサ６３及び６
４の各抵抗値をＲ１及びＲ２、幅をＷ１及びＷ２、高さ
をＨ １及びＨ２とすると、次の（２）及び（３）式が成
り立つ。
以下のようにして求められる。ＥＬＧセンサ６３及び６
４の各抵抗値をＲ１及びＲ２、幅をＷ１及びＷ２、高さ
をＨ １及びＨ２とすると、次の（２）及び（３）式が成
り立つ。
【００３７】
Ｒ１＝ＲＬ＋（Ｃ／Ｈ１）＋（ＲＳＨ×Ｗ１）／Ｈ１ （２
）
Ｒ２＝ＲＬ＋（Ｃ／Ｈ２）＋（ＲＳＨ×Ｗ２）／Ｈ２ （３
）
ここで、Ｈ２＝Ｈ１−ａ、Ｗ２＝Ｗ１ を（２）及び
（３）式に代入すると、次の（４）及び（５）式を得
る。但し、ａはＨ１より小さい定数である。
（３）式に代入すると、次の（４）及び（５）式を得
る。但し、ａはＨ１より小さい定数である。
【００３８】
Ｒ１＝ＲＬ＋（Ｃ／Ｈ１）＋（ＲＳＨ×Ｗ１）／Ｈ１ （
４）
Ｒ２＝ＲＬ＋（Ｃ／（Ｈ１−ａ））＋（ＲＳＨ×Ｗ1）／（Ｈ１−ａ）
（５）
従って、この連立方程式を解くことにより、次の（６）
及び（７）式で表される仮想抵抗ＲＳ（＝Ｃ＋ＲＳＨ×
Ｗ１）及びリード導体抵抗ＲＬが得られる。
及び（７）式で表される仮想抵抗ＲＳ（＝Ｃ＋ＲＳＨ×
Ｗ１）及びリード導体抵抗ＲＬが得られる。
【００３９】
ＲＬ＝Ｒ１＋（Ｈ１−ａ）×（Ｒ１−Ｒ２）／ａ （６
）
ＲＳ＝−Ｈ１×（Ｈ１−ａ）×（Ｒ１−Ｒ２）／ａ （７
）
なお、これら仮想抵抗ＲＳ及びリード導体抵抗ＲＬの組
は、一組のＥＬＧセンサ６３及び６４ごとに得られる。
そして、研磨中のＥＬＧセンサの抵抗値ＲからＨ ＭＲ＝
ＲＳ／（Ｒ−ＲＬ）を用いてＭＲハイトＨＭＲが計算さ
れる。
は、一組のＥＬＧセンサ６３及び６４ごとに得られる。
そして、研磨中のＥＬＧセンサの抵抗値ＲからＨ ＭＲ＝
ＲＳ／（Ｒ−ＲＬ）を用いてＭＲハイトＨＭＲが計算さ
れる。
【００４０】次いで、計算されたＭＲハイトＨＭＲが所
望値（終点）となったかどうかが判別される（ステップ
Ｓ４５）。
望値（終点）となったかどうかが判別される（ステップ
Ｓ４５）。
【００４１】計算されたＭＲハイトＨＭＲが所望値に達
していない場合は、ステップＳ４３に戻って研磨処理を
繰り返して続行し、ＭＲハイトＨＭＲが所望値となった
場合は研磨を終了し（ステップＳ４６）、図２に示すス
テップＳ５へ進む。
していない場合は、ステップＳ４３に戻って研磨処理を
繰り返して続行し、ＭＲハイトＨＭＲが所望値となった
場合は研磨を終了し（ステップＳ４６）、図２に示すス
テップＳ５へ進む。
【００４２】このステップＳ５においては、バーのＡＢ
Ｓ上に例えばＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜
等の保護膜を形成する。
Ｓ上に例えばＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜
等の保護膜を形成する。
【００４３】次いで、バーのＡＢＳにレールを形成した
（ステップＳ６）後、そのバーを切断して個々の磁気ヘ
ッドスライダを得る（ステップＳ７）。
（ステップＳ６）後、そのバーを切断して個々の磁気ヘ
ッドスライダを得る（ステップＳ７）。
【００４４】その後、磁気ヘッドスライダをサスペンシ
ョンに搭載してヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を
形成する（ステップＳ８）。
ョンに搭載してヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を
形成する（ステップＳ８）。
【００４５】図７に示すように、本実施形態において
は、少なくともＥＬＧセンサ５５が動作している際に
は、永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石５３
からＥＬＧセンサ５５に直流バイアス磁界が印加され
る。この直流バイアス磁界の方向及び値は、ＥＬＧセン
サ５５の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領
域となるように設定されている。
は、少なくともＥＬＧセンサ５５が動作している際に
は、永久磁石又は直流電磁石による直流磁化用磁石５３
からＥＬＧセンサ５５に直流バイアス磁界が印加され
る。この直流バイアス磁界の方向及び値は、ＥＬＧセン
サ５５の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領
域となるように設定されている。
【００４６】一般に、ＭＲ膜は、少量の正方向又は負方
向への磁界に対しても抵抗変化を生じる。図８は本実施
形態のごときＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁
界に対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。
このＥＬＧセンサでは、例えば極度に大きい負方向（正
方向）への磁界を印加した場合、ＭＲ膜は最小の抵抗値
を示す。この状態から磁界を正方向に増やして（負方向
に減らして）行くと、磁界ゼロを経て最大抵抗値を迎
え、次いで抵抗値は下がりはじめ、図８には示してない
が、極度に大きい正方向（負方向）の磁界では、再び最
小の抵抗値となる。従って、通常の動作範囲ではＭＲ膜
は最もＭＲ変化を起こし易い状態にあり、定盤又はその
周辺が多少磁化されたのみでその抵抗値の読みが変って
しまう。そこで本実施形態では、本研磨中に、抵抗変化
を起こさない程度の、即ち、ＭＲ膜の出力抵抗値が外部
磁界の変化に対して安定な領域となるような直流磁界を
印加することによって、磁界によるＥＬＧセンサ５５の
抵抗値変化を防止しているのである。その結果、研磨量
を正しく把握することができ、ＭＲハイトを正確に制御
することが可能となる。
向への磁界に対しても抵抗変化を生じる。図８は本実施
形態のごときＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁
界に対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。
このＥＬＧセンサでは、例えば極度に大きい負方向（正
方向）への磁界を印加した場合、ＭＲ膜は最小の抵抗値
を示す。この状態から磁界を正方向に増やして（負方向
に減らして）行くと、磁界ゼロを経て最大抵抗値を迎
え、次いで抵抗値は下がりはじめ、図８には示してない
が、極度に大きい正方向（負方向）の磁界では、再び最
小の抵抗値となる。従って、通常の動作範囲ではＭＲ膜
は最もＭＲ変化を起こし易い状態にあり、定盤又はその
周辺が多少磁化されたのみでその抵抗値の読みが変って
しまう。そこで本実施形態では、本研磨中に、抵抗変化
を起こさない程度の、即ち、ＭＲ膜の出力抵抗値が外部
磁界の変化に対して安定な領域となるような直流磁界を
印加することによって、磁界によるＥＬＧセンサ５５の
抵抗値変化を防止しているのである。その結果、研磨量
を正しく把握することができ、ＭＲハイトを正確に制御
することが可能となる。
【００４７】図８のＥＬＧセンサでは、約−２００００
Ａ／ｍより大きい負方向の磁界、例えば−４００００Ａ
／ｍの磁界を印加することにより、ＥＬＧセンサの出力
抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となって、
換言すれば、ＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁化
方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平行
となって、磁界による抵抗変化が生じないことが分か
る。
Ａ／ｍより大きい負方向の磁界、例えば−４００００Ａ
／ｍの磁界を印加することにより、ＥＬＧセンサの出力
抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となって、
換言すれば、ＭＲ膜の下部強磁性層（フリー層）の磁化
方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向とがほぼ平行
となって、磁界による抵抗変化が生じないことが分か
る。
【００４８】以上述べた実施形態では、ＥＬＧセンサと
して、ＭＲ型磁気ヘッドのＭＲ膜とは別個に設けた専用
のＭＲ膜を用いているが、ＭＲ型磁気ヘッド自体のＭＲ
膜をＥＬＧセンサとして流用することも可能である。た
だし、その場合、ＭＲ膜がシールド膜でカバーされてい
るため、ＭＲ膜の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して
安定な領域となるような直流磁界をＭＲ膜に与えるため
にはより大きな外部磁界が必要となる。
して、ＭＲ型磁気ヘッドのＭＲ膜とは別個に設けた専用
のＭＲ膜を用いているが、ＭＲ型磁気ヘッド自体のＭＲ
膜をＥＬＧセンサとして流用することも可能である。た
だし、その場合、ＭＲ膜がシールド膜でカバーされてい
るため、ＭＲ膜の出力抵抗値が外部磁界の変化に対して
安定な領域となるような直流磁界をＭＲ膜に与えるため
にはより大きな外部磁界が必要となる。
【００４９】図９はこのようなＥＬＧセンサのＭＲ膜に
印加された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示
す特性図である。この実素子を流用したＥＬＧセンサで
は、外部印加磁界がゼロの付近では、ＭＲ変化がなく、
ある程度の大きさの外部磁界が印加されたところで、Ｍ
Ｒ特性を示している。このＥＬＧセンサにおいても、約
−２００００Ａ／ｍより大きい負方向の磁界、例えば−
４００００Ａ／ｍの磁界を印加することにより、ＥＬＧ
センサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領
域となって、換言すれば、ＭＲ膜の下部強磁性層（フリ
ー層）の磁化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向
とがほぼ平行となって、磁界による抵抗変化が生じてい
ない。
印加された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示
す特性図である。この実素子を流用したＥＬＧセンサで
は、外部印加磁界がゼロの付近では、ＭＲ変化がなく、
ある程度の大きさの外部磁界が印加されたところで、Ｍ
Ｒ特性を示している。このＥＬＧセンサにおいても、約
−２００００Ａ／ｍより大きい負方向の磁界、例えば−
４００００Ａ／ｍの磁界を印加することにより、ＥＬＧ
センサの出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領
域となって、換言すれば、ＭＲ膜の下部強磁性層（フリ
ー層）の磁化方向と上部磁性層（ピンド層）の磁化方向
とがほぼ平行となって、磁界による抵抗変化が生じてい
ない。
【００５０】図１０は、本発明の製造方法の他の実施形
態における本研磨工程で直流磁界が印加される様子を説
明する図である。
態における本研磨工程で直流磁界が印加される様子を説
明する図である。
【００５１】この実施形態においては、永久磁石又は直
流電磁石による直流磁化用磁石１０３が、研磨装置の定
盤１００には取り付けられておらず、バー１０４を装着
する研磨用治具１０８に一体的に取り付けられている
か、又は治具１０８自体が直流磁化用磁石１０３によっ
て形成されている。これによって、バー１０４の研磨中
は、直流磁化用磁石１０３からＥＬＧセンサにその出力
抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるよう
な直流バイアス磁界が印加される。
流電磁石による直流磁化用磁石１０３が、研磨装置の定
盤１００には取り付けられておらず、バー１０４を装着
する研磨用治具１０８に一体的に取り付けられている
か、又は治具１０８自体が直流磁化用磁石１０３によっ
て形成されている。これによって、バー１０４の研磨中
は、直流磁化用磁石１０３からＥＬＧセンサにその出力
抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となるよう
な直流バイアス磁界が印加される。
【００５２】本実施形態におけるその他の構成、変更態
様及び作用効果は、前述した実施形態の場合と同様であ
る。
様及び作用効果は、前述した実施形態の場合と同様であ
る。
【００５３】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの
出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となる
ような直流バイアス磁界をバーに印加した状態で、研磨
量の検出を行っている。このように、研磨量センサの動
作点が安定な領域に固定されているため、その出力は外
部磁界の変化によっては変化せず、研磨量のみに従って
変化することとなる。従って、研磨量を正しく把握でき
るので、ＭＲハイトを正確に制御することが可能とな
る。
ば、ＭＲ膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの
出力抵抗値が外部磁界の変化に対して安定な領域となる
ような直流バイアス磁界をバーに印加した状態で、研磨
量の検出を行っている。このように、研磨量センサの動
作点が安定な領域に固定されているため、その出力は外
部磁界の変化によっては変化せず、研磨量のみに従って
変化することとなる。従って、研磨量を正しく把握でき
るので、ＭＲハイトを正確に制御することが可能とな
る。
【図１】本発明が適用されるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一
例の構造を概略的に示す断面図である。
例の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法の一実施形態の流れを概略的
に示すフローチャートである。
に示すフローチャートである。
【図３】ウエハ及びこのウエハから切り出されるバーを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】本研磨工程の流れを概略的に示すフローチャー
トである。
トである。
【図５】図２の実施形態における本研磨工程で使用され
る研磨装置の構成を概略的に示す図である。
る研磨装置の構成を概略的に示す図である。
【図６】バー上に形成された薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜及
びＥＬＧセンサのＭＲ膜の一例を示す平面図である。
びＥＬＧセンサのＭＲ膜の一例を示す平面図である。
【図７】図２の実施形態における本研磨工程で直流磁界
が印加される様子を説明する図である。
が印加される様子を説明する図である。
【図８】ＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加された外部磁界に
対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。
対するその抵抗値変化の一例を示す特性図である。
【図９】実素子を流用したＥＬＧセンサのＭＲ膜に印加
された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示す特
性図である。
された外部磁界に対するその抵抗値変化の一例を示す特
性図である。
【図１０】本発明の製造方法の他の実施形態における本
研磨工程で直流磁界が印加される様子を説明する図であ
る。
研磨工程で直流磁界が印加される様子を説明する図であ
る。
１０ 基板
１１ 絶縁膜
１２ 下部シールド膜
１３ 下部シールドギャップ膜
１４、６０〜６２ ＭＲ膜
１５ 上部シールドギャップ膜
１６ 上部シールド膜
１７、３１ａ ＡＢＳ
１８ 記録ギャップ膜
１９、２１、２３ 絶縁層
２０、２２ 薄膜コイル
２４ 上部磁極
２５ 保護膜
３０ ウエハ
３１、５４、１０４ バー
３２ ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
５０、１００ 定盤
５１ 回転シャフト
５２ａ ベルト
５２ｂ モータ
５３、１０３ 直流磁化用磁石
５５、６３、６４ ＥＬＧセンサ
５６ 抵抗検出回路
５７ コントローラ
５８ 回転数検出器
１０８ 研磨用治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 笠原 寛顕
東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー
ディーケイ株式会社内
Ｆターム(参考） 2F063 AA02 AA14 AA16 BA21 BC05
BC09 CA16 DA02 DA05 DA24
DD02 EB07 FA10
2G017 AC09 AD54 AD65
5D034 BA02 DA02 DA04 DA05
Claims (21)
- 【請求項１】 複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが
一体的に配列されたバーの研磨を、該バーに設けられた
磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有するラッピングセン
サの出力抵抗値に応じて制御する磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの加工装置であって、前記磁気抵抗効果膜をセ
ンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が外
部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バイ
アス磁界を該バーに印加する磁界印加手段を備えたこと
を特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工装
置。 - 【請求項２】 前記磁界印加手段が、前記バーを研磨す
る定盤に一体化された磁界発生手段であることを特徴と
する請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記磁界印加手段が、前記バーを取り付
ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段であること
を特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項４】 前記磁界発生手段が、永久磁石であるこ
とを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記磁界発生手段が、電磁石であること
を特徴とする請求項２又は３に記載の装置。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有
するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗効果素子とは別個に設けられた専用の
研磨量センサであることを特徴とする請求項１から５の
いずれか１項に記載の装置。 - 【請求項７】 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有
するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求
項１から５のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項８】 複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが
一体的に配列されたバーに設けられた磁気抵抗効果膜を
センサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗値が
外部磁界の変化に対して安定な領域となるような直流バ
イアス磁界を該バーに印加しておき、前記磁気抵抗効果
膜をセンサ膜として有するラッピングセンサの出力抵抗
値に応じて該バーの研磨を制御することを特徴とする磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの加工方法。 - 【請求項９】 前記直流バイアス磁界を、前記バーを研
磨する定盤に一体化された磁界発生手段から印加するこ
とを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記直流バイアス磁界を、前記バーを
取り付ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段から
印加することを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記磁界発生手段が、永久磁石である
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記磁界発生手段が、電磁石であるこ
とを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として
有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗効果素子とは別個に設けられた専用
の研磨量センサであることを特徴とする請求項８から１
２のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として
有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請
求項８から１２のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１５】 ウエハ上に複数の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドをマトリクス状に形成し、該ウエハを切断し
て前記複数の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが一体的に
配列された複数のバーを得、得られた各バーについて、
該バーに設けられた磁気抵抗効果膜をセンサ膜として有
するラッピングセンサの出力抵抗値が外部磁界の変化に
対して安定な領域となるような直流バイアス磁界を該バ
ーに印加した状態で、前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜と
して有するラッピングセンサの出力抵抗値に応じて該バ
ーの研磨を制御し、該バーを切断して個々の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドを得ることを特徴とする磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記直流バイアス磁界を、前記バーを
研磨する定盤に一体化された磁界発生手段から印加する
ことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。 - 【請求項１７】 前記直流バイアス磁界を、前記バーを
取り付ける研磨用治具に一体化された磁界発生手段から
印加することを特徴とする請求項１５に記載の製造方
法。 - 【請求項１８】 前記磁界発生手段が、永久磁石である
ことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の製造方
法。 - 【請求項１９】 前記磁界発生手段が、電磁石であるこ
とを特徴とする請求項１６又は１７に記載の製造方法。 - 【請求項２０】 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として
有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗効果素子とは別個に設けられた専用
の研磨量センサであることを特徴とする請求項１５から
１９のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項２１】 前記磁気抵抗効果膜をセンサ膜として
有するラッピングセンサが、前記磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請
求項１５から１９のいずれか１項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
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