JP3651104B2 - 磁気トンネリング接合素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性金属層／絶縁層／磁性金属層よりなる３層構造を有し、絶縁層の厚さが数十Å程度の場合に流れるトンネル電流の導電率（コンダクタンス）が両磁性金属層の磁化方向の相対角度に依存して変化する，いわゆる磁気トンネリング効果を発現する磁気トンネリング接合素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁性金属層／絶縁層／磁性金属層よりなる３層構造において、絶縁層の厚さが数十Å程度の場合に流れるトンネル電流の導電率が両磁性金属層の磁化の相対角度に依存する磁気トンネリング効果が報告されている。
【０００３】
この現象では、両磁性金属層の磁化の分極率により磁気抵抗比を理論的に計算することができ、例えば両磁性金属層にＦｅを用いた場合には、非常に大きな磁気抵抗比が得られると予測されていた。
【０００４】
この予測は、長い間実現されずにいたが、近年、Ｆｅ／Ａｌ2Ｏ3／Ｆｅの組み合わせにより、室温で約１８％という大きな抵抗変化比が実現されるに至り、その物理的な発現機構のみならず、例えば新しい電磁変換素子としての応用等を含めて大きな注目を集めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この磁気トンネリング効果を利用した磁気トンネリング接合素子においては、スパッタ酸化による絶縁層の形成や、フォトリソグラフィによる微細接合の作製等、素子化に関する基礎的な検討が始まったばかりである。
【０００６】
このような状況下、最も大きな問題となっているのが、接合部分の欠陥により抵抗変化が生じない場合が多々あることである。磁気トンネリング効果における絶縁層にピンホール等の欠陥がある場合や、構造的に絶縁が破壊され易い形状が存在する場合には、電気的なリークが生じ、たちどころに抵抗変化を生じなくなる。
【０００７】
本発明は、このような問題に鑑み提案されたものであって、安定的に磁気トンネリング効果を発現させることができる磁気トンネリング接合素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述の目的を達成するために、第１の磁性金属層と第２の磁性金属層とが、強磁性トンネル接合のための第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に形成され強磁性トンネル接合の接合面積を規制する第２の絶縁層を介して強磁性トンネル接合されてなり、これら磁性金属層の磁化の相対角度によってトンネル電流の導電率が変化する磁気トンネリング接合素子において、上記強磁性トンネル接合の接合面積が１×１０-9ｍ2以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
このように、接合面積を微細にすることで、接合部分にピンホールが存在する確率が減少し、安定的に磁気トンネリング効果が発現される。
【００１１】
そして、強磁性トンネル接合の接合面積が確実に規制されているので、絶縁性の良い構造となり、より安定的に磁気トンネリング効果が発現される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した磁気トンネリング接合素子の具体例について、図面や実験結果を参照しながら説明する。
【００１３】
磁気トンネリング接合素子は、図１及び図２に示すように、基本的には、直交配置される一対の磁性金属層１、２を、非常に薄い絶縁層３を介して接合してなるものである。
【００１４】
本例では、基板４の上にＡｌ2Ｏ3よりなる下地層５を形成し、この上に第１の磁性金属層１、強磁性トンネル接合のための絶縁層３、第２の磁性金属層２が順次形成されている。
【００１５】
上記第１の磁性金属層１は、ＮｉＦｅ合金により形成されており、その厚さは１０００Åである。
【００１６】
上記第２の磁性金属層２は、Ｃｏにより形成されており、その厚さは、やはり１０００Åに設定されている。
【００１７】
また、絶縁層３は、Ａｌ2Ｏ3により形成されており、その厚さは、トンネル電流が流れるに必要な厚さとされている。具体的には、数十Å、本例では５０Åとされている。
【００１８】
各磁性金属層１、２には、その両端部に幅広の電極部１ａ、２ａが形成されており、その上には導電材料、例えばＣｕからなる電極６、７が形成されている。
【００１９】
一方、上記絶縁層３上には、ＳｉＯ2からなる第２の絶縁層８が積層形成されており、この第２の絶縁層８に設けられた開口部８ａによって絶縁層３による強磁性トンネル接合の接合面積が規制されている。
【００２０】
図３は、前記磁気トンネリング接合素子の平面構造を模式的に示すものであり、上記接合面積Ｓは、第２の絶縁層８に設けられた開口部８ａの縦横寸法の積（Ｌ×Ｗ）によって求められる。
【００２１】
本発明者等は、接合面積が特性に与える影響を調べるために、接合面積８５×８５μｍ2から３×３μｍ2の間で数種類のパターンを作成し、接合面積に対する抵抗変化率の変化を調べた。
【００２２】
測定に際しては、端子との接触を良好に保つために、先にも述べたように、各磁性金属層１、２の電極部１ａ、２ａの最上面にＣｕを成膜した。また、抵抗変化は、直流四端子法により測定した。
【００２３】
図４に接合面積に対する抵抗変化率の値を示す。接合面積が、１０-8ｍ2から１０-9ｍ2のオーダーでは、接合面積が小さくなるに伴い抵抗変化率が大きくなる傾向にあるが、それ以下では接合面積に依存した変化は見られない。
【００２４】
このことから、接合面積は１０-9ｍ2以下であれば安定的に磁気トンネリング効果の出現が可能であることが判明した。
【００２５】
また、このときに得られた磁界−抵抗変化曲線の一例を図５に示す。両磁性金属層１、２の間の磁化の相対角度に応じて抵抗値が変化しており、磁気トンネリング効果が観測された。
【００２６】
次に、上述の構成の磁気トンネリング接合素子の製造方法について説明する。
【００２７】
本例では、センサ等への実用化を考慮して、磁性金属層の材料としては、小さな磁界変化で抵抗変化が得られる期待されるＮｉＦｅとＣｏの組み合わせを選択し、強磁性トンネル接合のための絶縁層には、酸化したＡｌ膜を用いた。なお、磁性金属層の材料については、磁気トンネリング効果が得られる材料であれば、特にこの材料に限定されるものではない。
【００２８】
各層の成膜は、スパッタ法により行った。基板には、ガラス基板を用い、基板表面の平坦度を向上させるために、厚さ２０００ÅのＡｌ2Ｏ3を成膜して下地層とし、これをバフ研磨によって厚さ１０００Åまで研磨した。
【００２９】
そして、先ず、図６に示すように、前記下地層を形成した基板上に、ＮｉＦｅ膜をスパッタ法により厚さ１０００Åに成膜し、これをＡｒイオンによるミリングで所定の形状とし、これを第１の磁性金属層１１とした。
【００３０】
次に、図７に示すように、この上にＡｌ膜を成膜し、リフトオフにより所定のパターンとした後、これを酸化して第１の絶縁層１２とした。Ａｌ膜の酸化は、成膜後に大気中に４８時間放置することで行った。この第１の絶縁層１２は、強磁性トンネル接合のために絶縁層である。
【００３１】
このように第１の絶縁層１２を成膜した後、図８に示すように、接合領域を規定し、さらには接合端部における短絡防止のために、ＳｉＯ2により第２の絶縁層１３を形成した。この第２の絶縁層１３には、前記接合領域を規定するための開口部１３ａが形成されるが、ここではリフトオフによってこの開口部１３ａを形成した。勿論、これに限らず、エッチング等、他のフォトリソグラフィの手法を用いて形成することも可能である。
【００３２】
以上のように、予め平坦な磁性金属層１１上にトンネル障壁となる第１の絶縁層１２を形成することで、接合領域内で一様な膜厚を実現することができる。また、第２の絶縁層１３の段差近傍部での欠陥も解消される。例えば、予め第２の絶縁層に開口部を形成しておき、この中に絶縁層を成膜してトンネル障壁となる第１の絶縁層を形成しようとすると、開口部の内周縁部において、第１の絶縁層の厚さが薄くなる傾向にあり、欠陥によるリークが発生し易くなる。
【００３３】
次いで、図９に示すように、この上に上部磁性層となるＣｏを成膜し、これを先の第１の磁性金属層１１と同様にミリングによりパターンを形成し、第２の磁性金属層１４とした。さらに、各磁性金属層１１、１４の電極部分の最表面にＣｕ１５を成膜し、例えば測定の際に端子との接触状態を良好に保つことができるようにした。
【００３４】
以上によって、図１及び図２に示す構成を有する磁気トンネリング接合素子が作製される。
【００３５】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、強磁性トンネル接合の接合面積を所定範囲に規定しているので、磁気トンネリング現象を安定的に出現させることが可能である。
【００３６】
また、トンネル障壁となる第１の絶縁層の上に接合面積を規定するための第２の絶縁層を形成するようにしているので、第１の絶縁層の膜厚を一様なものとすることができ、膜厚ムラによる欠陥を防止することができるとともに、強磁性トンネル接合部以外の部分の絶縁をより確実なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した磁気トンネリング接合素子の一構成例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明を適用した磁気トンネリング接合素子の一構成例を示す要部概略断面図である。
【図３】本発明を適用した磁気トンネリング接合素子の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図４】抵抗変化率の接合面積依存性を示す特性図である。
【図５】磁界−抵抗変化曲線の一例を示す特性図である。
【図６】磁気トンネリング接合素子の製造方法の一例を工程順に示すものであり、第１の磁性金属層の形成工程を示す平面図及び断面図である。
【図７】トンネル障壁となる第１の絶縁層の形成工程を示す平面図及び断面図である。
【図８】第２の絶縁層の形成工程を示す平面図及び断面図である。
【図９】第２の磁性金属層の形成工程を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１，１１ 第１の磁性金属層、２，１４ 第２の磁性金属層、３，１２ 第１の絶縁層、８，１３ 第２の絶縁層、８ａ，１３ａ 開口部
Claims (3)
- 第１の磁性金属層と第２の磁性金属層とが、強磁性トンネル接合のための第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に形成され強磁性トンネル接合の接合面積を規制する第２の絶縁層を介して強磁性トンネル接合されてなり、これら磁性金属層の磁化の相対角度によってトンネル電流の導電率が変化する磁気トンネリング接合素子において、上記強磁性トンネル接合の接合面積が１×１０-9ｍ2以下であることを特徴とする磁気トンネリング接合素子。
- 上記第１の磁性金属層がＮｉＦｅ合金よりなり、第２の磁性金属層がＣｏよりなることを特徴とする請求項１記載の磁気トンネリング接合素子。
- 上記第１の絶縁層がＡｌ2Ｏ3よりなり、第２の絶縁層がＳｉＯ2よりなることを特徴とする請求項１記載の磁気トンネリング接合素子。
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