JP3628833B2 - カーソルメモリ - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、カーソルパターンを表すデータ(以下「パターンデータ」と称す)を記憶するカーソルメモリに関する。
【0002】
【従来の技術】
まず、カーソルパターンとは、モニタ上に表示され、例えばマウスの操作に伴ってモニタ上に動くパターンである。このカーソルパターンの代表的な例は、図7に示す通りである。図7のカーソルパターンCUR_Pは、64×64画素(pixel)で構成される。以下、カーソルパターンCUR_Pを用いて説明していく。
【0003】
カーソルパターンCUR_Pを表すパターンデータCUR_Dの構造は、次の通りである。図8はパターンデータCUR_Dの構造を示す概念図である。カーソルパターンCUR_Pの各画素は、2ビット(浅いビット及び深いビット)で表される。パターンデータCUR_D0は、浅いビットの集合であり、縦方向及び横方向がそれぞれ64個の合計64×64個のビットで構成されている。パターンデータCUR_D1は、深いビットの集合であり、縦方向及び横方向がそれぞれ64個の合計64×64個のビットで構成されている。例えば、図7の画素P00は図8のパターンデータCUR_D0の浅いビットP00_0及びパターンデータCUR_D1の深いビットP00_1で表される。
【0004】
カーソルパターンCUR_Pの各画素は、2ビットで表されることにより、4種類の色を表現できる。例えば、”浅いビット:深いビット”が”0:0”のとき背景透明(Transparent)、”0:1”のとき赤、”1:0”のとき黒、”1:1”のとき緑とする。
【0005】
カーソルメモリとは、パターンデータCUR_Dを記憶するためのデュアルポートメモリである。デュアルポートメモリとは、ポート(port)を2個持つメモリであり、それぞれのポートは、データの入力若しくは出力、あるいは入力及び出力の両方を行う。
【0006】
図9は、カーソルパターンCUR_Pに対応する従来のカーソルメモリ200の構成を示すブロック図である。
【0007】
カーソルメモリ200の構成は次の通りである。カーソルメモリ200は、パターンデータCUR_Dを格納するためのカーソルメモリ本体201と、カーソルメモリ本体201に対してパターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1の読み出しを行うための読み出し回路202と、カーソルメモリ本体201に対してパターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1の読み書きを行うための読み書き回路203とを備えている。
【0008】
カーソルメモリ本体201の構成は、パターンデータCUR_Dが読み書き用ポートP1を介して32ビット単位で入力又は出力されるため、次のように構成される。カーソルメモリ本体201は、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1に対応して、プレーンP_0及びP_1を含む。プレーンP_0内にはパターンデータCUR_D0が記憶される。プレーンP_1内にはパターンデータCUR_D1が記憶される。プレーンP_0及びP_1はそれぞれ64行64列のメモリセルアレイから構成される。メモリセルアレイの各行は32列毎にアドレスが割り当てられている。すなわち、プレーンP_0には、アドレス#0〜#127が割り当てられている。プレーンP_1には、アドレス#128〜#255が割り当てられている。各アドレス内には、32ビットが記憶される。
【0009】
読み書き回路203は、パターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1の入出力を行うための読み書き用ポートP1を備えている。読み書き用ポートP1はパターンデータCUR_Dの入力及び出力の両方を行う。読み書き用ポートP1は32個の端子を含む。パターンデータCUR_Dは、この32個の端子を介して、32ビット単位で入力及び出力される。
【0010】
読み出し回路202の構成は、次の通りである。読み出し回路202は、マルチプレクサMUX、シフトレジスタSR0、SR1、読み出し用ポートP2及び制御回路CTL2とを備えている。
【0011】
読み出し用ポートP2はパターンデータCUR_Dの出力のみを行う。読み出し用ポートP2は、パターンデータCUR_D0又はCUR_D1のどちらかを明確に分別するため、2個の端子を含む。
【0012】
読み出し回路202は、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1をそれぞれ読み出し用ポートP2内の2つの端子に1ビットずつ出力する。したがって、本来ならば、カーソルメモリ本体201は、パターンデータCUR_D0を1ビットずつ出力し、パターンデータCUR_D1を1ビットずつ出力する構成にすればよい。しかし、回路面積の効率化を図るために、読み書き回路203への32ビットの出力に合わせるように、カーソルメモリ本体201は読み出し回路へ一度に32ビット(1アドレス分)を出力する構成にしている。
【0013】
マルチプレクサMUXは、カーソルメモリ本体201が読み出した32ビットを受ける。そして、マルチプレクサMUXは、この32ビットがパターンデータCUR_D0のとき、この32ビットをシフトレジスタSR0に出力し、この32ビットがパターンデータCUR_D1のとき、この32ビットをシフトレジスタSR1に出力する。シフトレジスタSR0及びSR1は、カーソルメモリ200の外部から与えられるクロック(図示せず)に応じて、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1を読み出し用ポートP2に1ビットずつ出力する。
【0014】
読み書き用ポートP1におけるパターンデータCUR_Dの入力及び出力は、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1のうちの一方に対して行われる。これに対し、読み出し用ポートP2におけるパターンデータCUR_Dの出力は、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1の両方に対して同時に行われる必要がある。同時に行うのは、カーソルパターンCUR_Pの各画素の浅いビット及び深いビットが揃わないと、各画素の色が決定できないためである。また、カーソルメモリ本体201から読み出し用ポートP2側へのパターンデータCUR_Dの読み出しは、回路面積の効率化を図るため、カーソルメモリ本体201から読み書き用ポートP1側へのパターンデータCUR_Dの読み出しと合わせる。
【0015】
また、読み書き用ポートP1及び読み出し用ポートP2のパターンデータCUR_Dの入力あるいは出力は、非同期でしかも同時に行われる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
従来のカーソルメモリ200は以上のように構成されているため次のような問題点がある。制御回路CTL2は、図7のカーソルパターンCUR_Pの1行分を表示するために、図10に示す手順でカーソルメモリ本体201及び読み出し回路202を制御する。
【0017】
(A0)まず、変数i、j、kを初期化する(ステップS201)。
【0018】
(A1)次に、制御回路CTL2は列アドレスPYを零に設定する。カーソルメモリ本体201はアドレス#0に記憶されている32ビットのデータを読み出す。読み出し回路202は、読み出されたデータをシフトレジスタSR0に格納する(ステップS202〜204及び208〜211)。
【0019】
(A2)次に、制御回路CTL2は列アドレスPYを2に設定する。カーソルメモリ本体201はアドレス#128に記憶されている32ビットのデータを読み出す。読み出し回路202は、シフトレジスタSR1に読み出されたデータを格納する(ステップS202、203、205、208〜210、212、213)。
【0020】
(A3)次に、シフトレジスタSR0及びSR1は、クロックに応じて格納した32ビットのデータのうち1ビットを出力する(ステップS214)。
【0021】
(A4)次に、ステップS203の動作をあと31回繰り返して、シフトレジスタSR0及びSR1は、格納した32ビットのデータを全て出力する(ステップS214〜217)。
【0022】
(A5)次に、制御回路CTL2は列アドレスPYを1に設定する。カーソルメモリ本体201はアドレス#1に記憶されている32ビットのデータを読み出す。読み出し回路202は、シフトレジスタSR0に読み出されたデータを格納する(ステップS202、203、206及び208〜211)。
【0023】
(A6)次に、制御回路CTL2は列アドレスPYを3に設定する。カーソルメモリ本体201はアドレス#129に記憶されている32ビットのデータを読み出す。読み出し回路202は、シフトレジスタSR1に読み出されたデータを格納する(ステップS202、203、207〜210、212、213)。
【0024】
(A7)次に、シフトレジスタSR0及びSR1は、クロックに応じて格納した32ビットのデータのうち1ビットを出力する(ステップS214)。
【0025】
(A8)次に、ステップS203の動作をあと31回繰り返して、シフトレジスタSR0及びSR1は、格納した32ビットのデータを全て出力する(ステップS214〜217)。
【0026】
以上のように、列アドレスPYを零、2、1、3の順に設定しなければならないため、制御が複雑であるという問題点がある。このため制御回路CTL2が複雑になる。また、カーソルメモリ200は、動作の速度が制限されるとともに、回路規模が大きくなる。さらに、パターンメモリの動作の速度が実際に要求される速度を満たせない場合は、その速度の差を調整するための回路がさらに必要になる。
【0027】
本発明は、この問題点を解決するためになされたものであり、制御が簡単なカーソルメモリを得ることを目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る課題解決手段は、カーソルパターンのデータを構成する第1のパターンデータと第2のパターンデータとを読み書きするためのカーソルメモリであって、前記第1及び第2のパターンデータを格納するためのカーソルメモリ本体と、前記カーソルメモリ本体に対して前記第1及び第2のパターンデータの読み出しを行うための読み出し手段と、前記カーソルメモリ本体に対して前記第1又は第2のパターンデータの読み書きを行うための読み書き手段とを備え、前記カーソルメモリ本体は、前記第1のパターンデータの下位ビットを格納するための第1のブロック及び前記第2のパターンデータの上位ビットを格納するための第2のブロックを含む第1のバンクと、前記第2のパターンデータの下位ビットを格納するための第3のブロック及び前記第1のパターンデータの上位ビットを格納するための第4のブロックを含む第2のバンクとを備える。
【0029】
本発明の請求項2に係る課題解決手段において、前記読み書き手段は、前記第1又は第2のパターンデータの入出力を行うための読み書き用ポートと、前記読み書き用ポートと前記カーソルメモリ本体との間に介在し、前記読み書き用ポートにおいて前記第1又は第2のパターンデータのうちのどちらの入出力を行うかに応じて、前記上位ビット及び下位ビットを交換するためのクロスバースイッチとを備える。
【0030】
本発明の請求項3に係る課題解決手段において、前記クロスバースイッチは、前記読み書き手段による前記読み書きを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み書き側アドレス信号によって制御される。
【0031】
本発明の請求項4に係る課題解決手段において、前記読み出し手段は、前記第1及び第2のパターンデータの出力を行うための読み出し用ポートと、前記読み出し用ポートと前記カーソルメモリ本体との間に介在し、前記読み出し用ポートにおいて前記上位ビット又は下位ビットのうちのどちらの出力を行うかに応じて、前記第1及び第2のパターンデータを交換するためのクロスバースイッチとを備える。
【0032】
本発明の請求項5に係る課題解決手段において、前記クロスバースイッチは、前記読み出し手段による前記読み出しを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み出し側アドレス信号によって制御される。
【0033】
本発明の請求項6に係る課題解決手段において、前記読み出し手段は、前記クロスバースイッチと前記読み出し用ポートとの間に介在し、前記第1及び第2のパターンデータを1ビットずつ前記読み出し用ポートに出力するためのシフトレジスタをさらに備える。
【0034】
本発明の請求項7に係る課題解決手段において、前記第1〜第4のブロックは、前記カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するためのアドレス信号によって順番に特定できるように配列されている。
【0035】
本発明の請求項8に係る課題解決手段において、前記読み出し手段は、前記アドレス信号を生成するインクリメンタを備える。
【0036】
本発明の請求項9に係る課題解決手段は、前記読み出し手段は、前記シフトレジスタを制御するためのシフトレジスタ制御用カウンタをさらに備える。
【0037】
本発明の請求項10に係る課題解決手段において、前記第1〜第4のブロックは、前記カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するためのアドレス信号によって順番に特定できるように配列され、前記読み出し手段は、前記アドレス信号を生成するインクリメンタと、前記第1又は第2のバンク内の前記ブロックの数を数えるブロック計数カウンタとを備え、前記シフトレジスタ制御用カウンタ及び前記インクリメンタは、前記ブロック計数カウンタによって制御される。
【0038】
本発明の請求項11に係る課題解決手段において、前記読み出し手段は、当該カーソルメモリの外部から内部へ入力され、当該読み出し手段による前記読み出しの開始を要求するためのロード信号を受け、前記シフトレジスタ制御用カウンタ、前記インクリメンタ及び前記ブロック計数カウンタは、前記ロード信号に基づいて、動作を開始する。
【0039】
本発明の請求項12に係る課題解決手段において、前記カーソルメモリ本体は、前記読み書き手段による前記読み書きを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み書き側アドレス信号と、前記読み出し手段による前記読み出しを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み出し側アドレス信号とを受け、前記読み書き側アドレス信号と読み出し側アドレス信号とが一部共通している。
【0040】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
実施の形態1を図7のカーソルパターンCUR_Pに基づいて説明していく。図1は、カーソルパターンCUR_Pに対応する本発明のカーソルメモリ100の構成を示すブロック図である。カーソルメモリ100は、カーソルパターンCUR_Pのデータを構成するパターンデータCUR_D0(第1のパターンデータ)とCUR_D1(第2のパターンデータ)とを読み書きを行うためのものである。
【0041】
カーソルメモリ100の構成は次の通りである。カーソルメモリ100は、パターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1を格納するためのカーソルメモリ本体101と、カーソルメモリ本体101に対してパターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1の読み出しを行うための読み出し回路102(読み出し手段)と、カーソルメモリ本体101に対してパターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1の読み書きを行うための読み書き回路103(読み書き手段)とを備えている。
【0042】
カーソルメモリ100を利用するシステムは、MPU(図示せず)及びモニタ(図示せず)を含む。MPUはパターンデータCUR_Dを読み書き用ポートP1に出力してカーソルメモリ100内に記憶させたり、読み書き用ポートP1からのパターンデータCUR_Dを受けてパターンデータCUR_Dが正しくカーソルメモリ100内に記憶されているかをチェックしたりする。カーソルパターンCUR_Pは、読み出し用ポートP2から出力されるパターンデータCUR_Dに基づいて、モニタに表示される。
【0043】
カーソルメモリ本体101の構成は、パターンデータCUR_Dが読み書き用ポートP1を介して32ビット単位で入力又は出力されるため、次のように構成される。カーソルメモリ本体101は、バンク101a(第1のバンク)とバンク101b(第2のバンク)とを備える。
【0044】
本実施の形態では、図8に示すパターンデータCUR_Dを図2に示すように4種類のブロックに分割する。4種類のブロックとは、
▲1▼パターンデータCUR_D0の下位16ビット(〈0:15〉)を格納するためのブロックB1及びB1’(第1のブロック)
▲2▼パターンデータCUR_D1の上位16ビット(〈16:31〉)を格納するためのブロックB2及びB2’(第2のブロック)
▲3▼パターンデータCUR_D1の下位16ビット(〈0:15〉)を格納するためのブロックB3及びB3’(第3のブロック)
▲4▼パターンデータCUR_D0の上位16ビット(〈16:31〉)を格納するためのブロックB4及びB4’(第4のブロック)
である。
【0045】
バンク101aは、ブロックB1及びB1’、ブロックB2及びB2’を含む。バンク101bは、ブロックB3及びB3’、ブロックB4及びB4’を含む。図2中の各ブロックは、図1中の各ブロックに対応している。ブロックB1及びB1’、ブロックB4及びB4’は図9のプレーンP_0に対応する。ブロックB2及びB2’、ブロックB3及びB3’は図9のプレーンP_1に対応する。各バンク内では、各プレーンに対応するブロックが交互に配置されている。
【0046】
カーソルメモリ本体101は、カーソルメモリ本体101内のアドレスを特定するためのアドレス信号を受ける。アドレス信号は、2種類のアドレス信号(読み書き側アドレス信号及び読み出し側アドレス信号)を含む。読み書き側アドレス信号とは、読み書き回路103が読み書きを行うときにカーソルメモリ本体101内のアドレスを特定するための信号である。読み出し側アドレス信号とは、読み出し回路102が読み出しを行うときにカーソルメモリ本体101内のアドレスを特定するための信号である。
【0047】
読み書き側アドレス信号は、行アドレス信号MX及び列アドレス信号MYを含む。読み出し側アドレス信号は、行アドレス信号PX及び列アドレス信号PYを含む。ワード線PWi(i=0〜63)は読み出し回路102からカーソルメモリ本体101へ行アドレス信号PXを伝送するための信号線である。ビット線PBは読み出し回路102からカーソルメモリ本体101へ列アドレス信号PYを伝送するための信号線である。ワード線MWi(i=0〜63)は読み書き回路103からカーソルメモリ本体101へ行アドレス信号MXを伝送するための信号線である。ビット線MBは読み書き回路103からカーソルメモリ本体101へ列アドレス信号MYを伝送するための信号線である。列アドレス信号PYを読み出し側ブロック選択信号と称す。列アドレス信号MYを読み書き側ブロック選択信号と称す。
【0048】
このように、カーソルメモリ本体101は、2種類のアドレス信号を用いてカーソルメモリ本体101内のアドレス(メモリセル)を特定できる。カーソルメモリ100は、アドレスデコーダ(図示せず)を内蔵しているため、2種類のアドレス信号の定義が異なっていても問題ない。なお、図1内の#0〜#255は、図9の#0〜#255との対応関係を明確にするために説明上付けているものであり、実際のアドレスは、この順に付されなくてもよい。
【0049】
読み出し回路102の構成は、次の通りである。読み出し回路102は、パターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1の出力を行うための読み出し用ポートP2と、読み出し用ポートP2とカーソルメモリ本体101との間に介在し、読み出し用ポートP2において上位ビット又は下位ビットのうちのどちらの出力を行うかに応じて、パターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1を交換するためのクロスバースイッチCBS1と、クロスバースイッチCBS1と読み出し用ポートP2との間に介在し、パターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1を1ビットずつ読み出し用ポートP2に出力するためのシフトレジスタSR0及びSR1とを備えている。
【0050】
さらに、読み出し回路102は、カーソルメモリ本体101及び読み出し回路102内の他の部分を制御するための制御回路CTL1と、カーソルメモリ100の外部から内部へ入力され、読み出し回路102による読み出しの開始を要求するためのロード信号LOADを入力するためのポートP6と、クロックPCLKを入力するためのポートP4とを備えている。
【0051】
読み出し用ポートP2は、パターンデータCUR_D0又はCUR_D1のどちらかを明確に分別するため、端子P21及びP22を含む。パターンデータCUR_D0は端子P21から1ビットずつ出力される。パターンデータCUR_D1は、端子P22から1ビットずつ出力される。
【0052】
読み出し回路102は、パターンデータCUR_D0を端子P21に1ビットずつ出力し、パターンデータCUR_D1を端子P22に1ビットずつ出力する。したがって、本来ならば、カーソルメモリ本体101は、パターンデータCUR_D0を1ビットずつ出力し、パターンデータCUR_D1を1ビットずつ出力する構成にすればよい。しかし、回路面積の効率化を図るために、読み書き回路103への32ビットの出力に合わせるように、カーソルメモリ本体101は読み出し回路へ一度に32ビット(バンク101aからの16ビット、バンク101bからの16ビット)を出力する構成にしている。
【0053】
クロスバースイッチCBS1は、カーソルメモリ本体101、シフトレジスタSR0及びSR1に接続されている。また、クロスバースイッチCBS1は、列アドレス信号PYの最下位ビットLSBを受けて、制御される。クロスバースイッチCBS1の内部構成は、図3に示す通りである。ここでは、端子INは列アドレス信号PYの最下位ビットLSBを受け、端子OUT1はバンク101bに接続され、端子OUT2はバンク101aに接続され、端子OUT3はシフトレジスタSR0に接続され、端子OUT4はシフトレジスタSR1に接続されている。
【0054】
シフトレジスタSR0は、クロスバースイッチCBS1の出力とポートP4に入力されたクロックPCLKとを受ける。読み出し用ポートP2の端子P21はシフトレジスタSR0の出力を受ける。シフトレジスタSR1は、クロスバースイッチCBS1の出力とポートP4に入力されたクロックPCLKとを受ける。読み出し用ポートP2の端子P22はシフトレジスタSR1の出力を受ける。制御回路CTL1は、端子P6に入力されたロード信号LOADを受け、読み出し側アドレス信号を生成して出力する。
【0055】
読み書き回路103の構成は、次の通りである。パターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1の入出力を行うための読み書き用ポートP1とカーソルメモリ本体101との間に介在し、読み書き用ポートP1においてパターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1のうちのどちらの入出力を行うかに応じて、上位ビット及び下位ビットを交換するためのクロスバースイッチCBS0と、クロックMCLKを入力するためのポートP3と、読み書き側アドレス信号(MX,MY)を入力するためのポートP5とを備えている。
【0056】
読み書き用ポートP1はパターンデータCUR_D0又はCUR_D1の入力及び出力の両方を行う。読み書き用ポートP1は、32個の端子を含む。この32個のうちの所定の16個の端子は上位ビット用であり、他の所定の端子は下位ビット用である。この32個の端子を介して、一度に32ビットが入力及び出力される。
【0057】
カーソルメモリ本体101は読み出し回路と一度に32ビット(バンク101aからの16ビット、バンク101bからの16ビット)を入力又は出力する構成にしている。
【0058】
クロスバースイッチCBS0は、カーソルメモリ本体101及び読み書き用ポートP1に接続されている。また、クロスバースイッチCBS0は、列アドレス信号MYの最下位ビットLSBを受けて、制御される。クロスバースイッチCBS0の内部構成は、図3に示す通りである。ここでは、端子INは列アドレス信号MYの最下位ビットLSBを受け、端子OUT1はバンク101aに接続され、端子OUT2はバンク101bに接続され、端子OUT3及び端子OUT4は読み書き用ポートP1に接続されている。
【0059】
読み書き用ポートP1におけるパターンデータCUR_Dの入力及び出力は、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1のうちの一方に対して行われる。これに対し、読み出し用ポートP2におけるパターンデータCUR_Dの出力は、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1の両方に対して同時に行われる必要がある。同時に行うのは、従来の技術で説明したように、カーソルパターンCUR_Pの各画素の浅いビット及び深いビットが揃わないと、各画素の色が決定できないためである。また、カーソルメモリ本体101から読み出し用ポートP2側へのパターンデータCUR_Dの読み出しは、回路面積の効率化を図るため、カーソルメモリ本体101から読み書き用ポートP1側へのパターンデータCUR_Dの読み出しと合わせる。読み書き用ポートP1及び読み出し用ポートP2のパターンデータCUR_Dの入力あるいは出力は、非同期でしかも同時に行われる。
【0060】
また、ブロックB1、B2、B1’、B2’の列アドレスPYが示す順番は、0、1、2、3の順である。このように、ブロックB1、B2、B1’、B2’は、列アドレスPYによって順番に特定できる。ブロックB3、B4、B3’、B4’も同様である。
【0061】
読み書き回路103の動作について説明する。まず、読み書き用ポートP1からカーソルメモリ本体101へパターンデータCUR_D0の#0の内容を書き込むときを説明する。カーソルメモリ100の外部のシステムは、パターンデータCUR_D0の#0に対応する読み書き側アドレス信号をポートP5に入力する。これにより、バンク101a内では、ブロックB1内の#0の位置のアドレスが特定され、バンク101b内では、ブロックB4内の#0の位置のアドレスが特定される。このとき、列アドレス信号MYは0である。列アドレス信号MYが0のとき、列アドレス信号MYの最下位ビットLSBは0である。カーソルメモリ本体101は、列アドレス信号MYが0のとき、ブロックB1及びブロックB4を選択する。クロスバースイッチCBS0は、列アドレス信号MYの最下位ビットLSBが0のとき、上位ビット及び下位ビットを交換せず、読み書き用ポートP1からの32ビットのうちの下位16ビットをバンク101aに出力し、読み書き用ポートP1からの32ビットのうちの上位16ビットをバンク101bに出力する。
【0062】
そして、カーソルメモリ本体101は、クロスバースイッチCBS0がバンク101aに出力した下位16ビットをブロックB1内のアドレスであって行アドレス信号MXが示すアドレスに書き込み、同時に、クロスバースイッチCBS0がバンク101bに出力した上位16ビットをブロックB4内のアドレスであって行アドレス信号MXが示すアドレスに書き込む。
【0063】
次に、読み書き用ポートP1からカーソルメモリ本体101へパターンデータCUR_D1の#128の内容を書き込むときを説明する。カーソルメモリ100の外部のシステムは、パターンデータCUR_D1の#128に対応する読み書き側アドレス信号をポートP5に入力する。これにより、バンク101a内では、ブロックB2内の#128の位置のアドレスが特定され、バンク101b内では、ブロックB3内の#128の位置のアドレスが特定される。このとき、列アドレス信号MYは1である。列アドレス信号MYが1のとき、列アドレス信号MYの最下位ビットLSBは1である。カーソルメモリ本体101は、列アドレス信号MYが1のとき、ブロックB2及びブロックB3を選択する。クロスバースイッチCBS0は、列アドレス信号MYの最下位ビットLSBが1のとき、上位ビット及び下位ビットを交換して、読み書き用ポートP1からの32ビットのうちの下位16ビットをバンク101bに出力し、読み書き用ポートP1からの32ビットのうちの上位16ビットをバンク101aに出力する。
【0064】
そして、カーソルメモリ本体101は、クロスバースイッチCBS0がバンク101bに出力した下位16ビットをブロックB3内のアドレスであって行アドレス信号MXが示すアドレスに書き込み、同時に、クロスバースイッチCBS0がバンク101aに出力した上位16ビットをブロックB2内のアドレスであって行アドレスが示すアドレスに書き込む。
【0065】
カーソルメモリ本体101から読み書き用ポートP1へパターンデータCUR_D0の#0の内容を読み出すときは、読み書き用ポートP1からカーソルメモリ本体101へパターンデータCUR_D0の#0の内容を書き込むときと逆の順序で動作して、パターンデータCUR_D0の#0の内容が読み書き用ポートP1に出力される。カーソルメモリ本体101から読み書き用ポートP1へパターンデータD1の#128の内容を読み出すときは、読み書き用ポートP1からカーソルメモリ本体101へパターンデータCUR_D1の#128の内容を書き込むときと逆の順序で動作して、パターンデータCUR_D1の#128の内容が読み書き用ポートP1に出力される。
【0066】
このように、クロスバースイッチCBS0は、読み書き用ポートP1においてパターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1のうちのどちらの入出力を行うかに応じて、上位ビット及び下位ビットを交換する。また、クロスバースイッチCBS0は、カーソルメモリ本体101内のアドレスを特定するための読み書き側アドレス信号によって制御される。
【0067】
読み出し回路102の動作について説明する。まず、カーソルメモリ本体101から読み出し用ポートP2へパターンデータCUR_D0の#0の内容及びパターンデータCUR_D1の#128の内容を読み出すときを説明する。制御回路CTL1は、バンク101a内の#0の位置のアドレスを特定する読み出し側アドレス信号を出力する。この読み出し側アドレス信号は、同時に、バンク101b内の#128の位置のアドレスも特定する。このとき、列アドレス信号PYは0である。列アドレス信号PYが0のとき、列アドレス信号PYの最下位ビットLSBは0である。カーソルメモリ本体101は、列アドレス信号PYが0のとき、ブロックB1及びブロックB3を選択する。そして、カーソルメモリ本体101は、ブロックB1内のアドレスであって行アドレス信号PXが示すアドレスに格納されているパターンデータCUR_D0の下位16ビットを読み出し、同時に、ブロックB3内のアドレスであって行アドレス信号PXが示すアドレスに格納されているパターンデータCUR_D1の下位16ビットを読み出す。
【0068】
クロスバースイッチCBS1は、列アドレス信号PYの最下位ビットLSBが0のとき、パターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1を交換せず、バンク101aからのパターンデータCUR_D0の下位16ビットをSR0に出力し、バンク101bからのパターンデータCUR_D1の下位16ビットをシフトレジスタSR1に出力する。シフトレジスタSR0は、クロスバースイッチCBS1が出力したパターンデータCUR_D0の下位16ビットを、格納した後、ポートP4からのクロックPCLKに応じて1ビットずつ出力する。これと同時に、シフトレジスタSR1も、クロスバースイッチCBS1が出力したパターンデータCUR_D1の下位16ビットを、格納した後、ポートP4からのクロックPCLKに応じて1ビットずつ出力する。
【0069】
さらに、その後、制御回路CTL1は、バンク101a内の#128の位置のアドレスを特定する読み出し側アドレス信号を出力する。この読み出し側アドレス信号は、同時に、バンク101b内の#0の位置のアドレスも特定する。このとき、列アドレス信号PYは1である。列アドレス信号PYが1のとき、列アドレス信号PYの最下位ビットLSBは1である。カーソルメモリ本体101は、列アドレス信号PYが1のとき、ブロックB2及びブロックB4を選択する。そして、カーソルメモリ本体101は、ブロックB2内のアドレスであって行アドレス信号PXが示すアドレスに格納されているパターンデータCUR_D1の上位16ビットを読み出し、同時に、ブロックB4内のアドレスであって行アドレス信号PXが示すアドレスに格納されているパターンデータCUR_D1の上位16ビットを読み出す。
【0070】
クロスバースイッチCBS1は、列アドレス信号PYの最下位ビットLSBが1のとき、パターンデータCUR_D0及びパターンデータCUR_D1を交換して、バンク101aからのパターンデータCUR_D1の上位16ビットをSR1に出力し、バンク101bからのパターンデータCUR_D0の上位16ビットをシフトレジスタSR0に出力する。シフトレジスタSR0は、クロスバースイッチCBS1が出力したパターンデータCUR_D0の上位16ビットを、格納した後、ポートP4からのクロックPCLKに応じて1ビットずつ出力する。これと同時に、シフトレジスタSR1も、クロスバースイッチCBS1が出力したパターンデータCUR_D1の上位16ビットを、格納した後、ポートP4からのクロックPCLKに応じて1ビットずつ出力する。
【0071】
このように、クロスバースイッチCBS1は、読み出し用ポートP2において上位ビット又は下位ビットのうちどちらの出力を行うかに応じて、パターンデータCUR_D0又はパターンデータCUR_D1を交換する。また、クロスバースイッチCBS1は、カーソルメモリ本体101内のアドレスを特定するための読み出し側アドレス信号によって制御される。
【0072】
制御回路CTL1は、図7のカーソルパターンCUR_Pの1行分を表示するために、図4に示す手順でカーソルメモリ本体101及び読み出し回路102を制御する。
【0073】
(B0)まず、変数i、jを初期化する(ステップS101)。
【0074】
(B1)次に、制御回路CTL1は列アドレス信号PYを0に設定する。カーソルメモリ本体101はバンク101a内の#0及びバンク101b内の#128に記憶されている下位16ビットを読み出す。読み出し回路102は、読み出された下位16ビットをシフトレジスタSR0及びSR1に格納する(ステップS102〜104)。
【0075】
(B2)次に、シフトレジスタSR0及びSR1は、クロックPCLKに応じて、格納した下位16ビットを1ビットずつ出力する(ステップ105〜108)。
【0076】
(B3)次に、制御回路CTL1は列アドレス信号PYを1に設定する。カーソルメモリ本体101はバンク101a内の#128及びバンク101b内の#0に記憶されている上位16ビットを読み出す。読み出し回路102は、読み出された上位16ビットをシフトレジスタSR0及びSR1に格納する(ステップS102〜104)。
【0077】
(B4)次に、シフトレジスタSR0及びSR1は、クロックPCLKに応じて、格納した上位16ビットを1ビットずつ出力する(ステップ105〜108)。
【0078】
(B5)次に、制御回路CTL1は列アドレス信号PYを2に設定する。カーソルメモリ本体101はバンク101a内の#1及びバンク101b内の#129に記憶されている下位16ビットを読み出す。読み出し回路102は、読み出された下位16ビットをシフトレジスタSR0及びSR1に格納する(ステップS102〜104)。
【0079】
(B6)次に、シフトレジスタSR0及びSR1は、クロックPCLKに応じて、格納した下位16ビットを1ビットずつ出力する(ステップ105〜108)。
【0080】
(B7)次に、制御回路CTL1は列アドレス信号PYを3に設定する。カーソルメモリ本体101はバンク101a内の#129及びバンク101b内の#1に記憶されている上位16ビットを読み出す。読み出し回路102は、読み出された上位16ビットをシフトレジスタSR0及びSR1に格納する(ステップS102〜104)。
【0081】
(B8)次に、シフトレジスタSR0及びSR1は、クロックPCLKに応じて、格納した16ビットを1ビットずつ出力する(ステップ105〜108)。
【0082】
このように、列アドレスを0、1、2、3という規則正しい順に設定するため、制御回路CTL1の制御は、図10の手順と比べて、非常に簡略化できる。すなわち、制御回路CTL1は、列アドレスPYをインクリメントしながら、(B1)及び(B2)の手順を4回繰り返すだけでよい。つまり、実質的には、列アドレスPYのインクリメント、(B1)及び(B2)の手順のみで所望の動作が実現できる。また、従来では、両方のシフトレジスタSR0及びSR1にデータが揃うのを確認する必要があるが、本実施の形態では、同時にデータが揃うのでその必要がない。
【0083】
本実施の形態による効果は次の通りである。すなわち、制御が簡単であるため、制御回路CTL1の簡略化が図れる。したがって、カーソルメモリ100の動作の速度の改善、回路規模の縮小が図れる。
【0084】
実施の形態2.
次に、実施の形態2について説明する。本実施の形態は、図1の制御回路CTL1の内部構成に関する。カーソルメモリ100は、ポートP6に入力されたロード信号LOADを受けたとき、カーソルメモリ本体101内からパターンデータCUR_Dを読み出す。このロード信号LOADは、モニタにカーソルパターンCUR_Pを表示する場合に、システムが出力する信号である。
【0085】
制御回路CTL1はアドレス信号発生回路及びシフトレジスタ制御回路を含む。アドレス信号発生回路110の内部構成は図5に示す通りである。シフトレジスタ制御回路111の内部構成は図6に示す通りである。なお、図5内のSRは、図1内のシフトレジスタSR0又はSR1を示す。アドレス信号発生回路110は、読み出し側アドレス信号(PX,PY)を生成するアドレスインクリメンタA_ITR及びバンク101a又はバンク101b内のブロックの数を数える2ビットカウンタであるブロック計数カウンタCTR1とを含む。シフトレジスタ制御回路111は、シフトレジスタSR0及びSR1を制御するための4ビットカウンタであるシフトレジスタ制御用カウンタCTR2を含む。
【0086】
次に、アドレス信号発生回路及びシフトレジスタ制御回路の動作を図5及び図6を用いて説明する。アドレス信号発生回路110及びシフトレジスタ制御回路111は、ロード信号LOADに基づいて、動作を開始する。まず、ロード信号LOADがハイレベルであるときを説明する。ロード信号LOADはクロックPCLKの最初の1クロックの間だけハイレベルになる。アドレスレジスタA_Regには、列アドレス信号PYが示すブロックのアドレス値が格納されている。マルチプレクサMUXは、ハイレベルのロード信号LOADを受けると、アドレスレジスタA_Regが格納しているアドレス値をアドレスの初期値として選択し、これを読み出し側アドレス信号(PX,PY)として出力する。ブロック計数カウンタCTR1は、ハイレベルのロード信号LOADを受けると、自身をリセットして、出力端子q0及びq1にロウレベルの信号を出力する。アドレスインクリメンタA_ITRは、ハイレベルのロード信号LOADを受けると、アドレスレジスタA_Regが格納しているアドレスの初期値を自身に格納する。シフトレジスタ制御用カウンタCTR2は、OR回路G2を介してハイレベルのロード信号LOADを受けると、自身をリセットして、出力端子Q0〜Q3にロウレベルの信号を出力する。負入力のAND回路G5は、出力端子Q0〜Q3にロウレベルの信号が出力されているときのみ、ハイレベルの信号をシフトレジスタSRに出力する。シフトレジスタSRは、ハイレベルの信号を受けると、クロスバースイッチCBS1からの16ビットのデータを自身に格納する。
【0087】
次に、ロード信号LOADがハイレベルからロウレベルに変化したときを説明する。マルチプレクサMUXは、ロウレベルのロード信号LOADを受けると、アドレスインクリメンタA_ITRが格納しているアドレス値を選択し、これを読み出し側アドレス信号(PX,PY)として出力する。ブロック計数カウンタCTR1は、ロード信号LOADがハイレベルからロウレベルに変化すると、自身のリセットを解除する。また、ブロック計数カウンタCTR1は、ロード信号LOADがハイレベルからロウレベルに変化した時点では、出力端子q0及びq1にロウレベルの信号を出力したままである。したがって、NAND回路G1は、ハイレベルのイネーブル信号Shift_ENを出力している。シフトレジスタ制御用カウンタCTR2は、ロード信号LOADがハイレベルからロウレベルに変化したとき、自身のリセットを解除する。AND回路G4は、イネーブル信号Shift_ENがハイレベルのため、クロックPCLKを出力する。
【0088】
次に、ロード信号LOADがロウレベルであるときを説明する。シフトレジスタ制御用カウンタCTR2は、AND回路G4からのクロックPCLKを受ける毎に、アップカウントを行う。シフトレジスタ制御用カウンタCTR2のカウント値は、出力端子Q0〜Q4に出力される。シフトレジスタSRは、AND回路G4からのクロックPCLKを受ける毎に、自身に格納している16ビットのデータを1ビットずつ出力する。したがって、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2はシフトレジスタSRが1ビットを出力した回数をカウントする。
【0089】
次に、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2が、アップカウントを行い、遂に出力端子Q0〜Q4の信号が全てハイレベルになったときを説明する。この時点では、シフトレジスタSRは、クロックPCLKを16回受けているため、自身に格納している16ビットのデータを全て出力している。また、AND回路G3は、ハイレベルのアドレス増加信号A_Incを出力する。アドレスインクリメンタA_ITRは、ハイレベルのアドレス増加信号A_Incを受けると、自身に格納しているアドレス値に1を加える。マルチプレクサMUXは、アドレスインクリメンタA_ITRが格納しているアドレス値を選択し、これを読み出し側アドレス信号(PX,PY)として出力する。したがって、図1のカーソルメモリ本体101は、読み出し側アドレス信号(PX,PY)が示すアドレスの内容を読み出して、クロスバースイッチCBS1に出力する。また、ブロック計数カウンタCTR1は、ハイレベルのアドレス増加信号A_Incを受ける毎に、アップカウントを行う。ブロック計数カウンタCTR1のカウント値は、出力端子q0及びq1に出力される。
【0090】
また、遅延素子DLYは、ハイレベルのアドレス増加信号A_Inc受けてからクロックPCLKの1周期分後に、ハイレベルのアドレス増加信号A_Incを出力する。したがって、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2は、OR回路G2がハイレベルの信号を出力するため、自身をリセットして、出力端子Q0〜Q3にロウレベルの信号を出力する。このとき、負入力のAND回路G5はハイレベルの信号を出力するため、シフトレジスタSRは、クロスバースイッチCBS1からの16ビットのデータを自身に格納する。また、AND回路G3は、ロウレベルの信号を出力する。遅延素子DLYは、ロウレベルのアドレス増加信号A_Inc受けてからクロックPCLKの1周期分後に、ロウレベルのアドレス増加信号A_Incを出力する。したがって、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2は、OR回路G2がロウレベルの信号を出力するため、自身のリセットを解除し、再び、クロックPCLKに応じて、アップカウントを行う。
【0091】
以後、アドレス信号発生回路及びシフトレジスタ制御回路は同様の動作を繰り返す。そして、ブロック計数カウンタCTR1の出力端子q0及びq1の信号が両方ともハイレベルになったとき、NAND回路G1は、ロウレベルのイネーブル信号Shift_ENを出力する。イネーブル信号Shift_ENがロウレベルになると、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2及びシフトレジスタSRの動作は停止する。
【0092】
このように、ブロック計数CTR1は、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2及びシフトレジスタSR(SR0、SR1)の動作を4回繰り返させる。したがって、図7のカーソルパターンCUR_Pの1行分の128ビットを連続して読み出すことができる。また、シフトレジスタ制御用カウンタCTR2及びアドレスインクリメンタA_ITRは、ブロック計数カウンタCTR1によって制御される。
【0093】
本実施の形態による効果は次の通りである。すなわち、カウンタを利用することで、アドレスのインクリメントを自動化できる。また、制御回路CTL1は、ロード信号LOADを受けるだけで、カーソルメモリ本体101からカーソルデータCUR_Dを読み出すことができる。したがって、制御回路CTL1は、従来の制御回路CTL2と比較して、大幅に簡略化することができる。このため、カーソルメモリ100の動作の速度の向上、面積の縮小が図れる。
【0094】
実施の形態3.
実施の形態1で説明したように、読み書き回路103では、パターンデータCUR_D0及びCUR_D1を示すアドレスの情報が必要であり、読み出し回路102では、上位ビット及び下位ビットを示すアドレスの情報が必要である。このように、必要とされるアドレスの情報は、読み書き回路103及び読み出し回路102で異なる。カーソルメモリ100の設計者としては、読み書き回路103の読み書き側アドレス信号及び読み出し回路102の読み出し側アドレス信号を使い分けるのは、煩雑である。もし、読み書き側アドレス信号及び読み出し側アドレス信号を使い分けると、アドレスデコーダが複雑・大規模になる。
【0095】
そこで、アドレスデコーダが複雑・大規模になるのを緩和するために、読み書き側アドレス信号と読み出し側アドレス信号とをできるだけ共通にする。こうすることで、読み書き回路103及び読み出し回路は、1つのアドレスデコーダを共通に利用できる。
【0096】
また、例えば、一般に同一メモリセルに対して読み書き用ポートP1からカーソルメモリ本体101へのパターンデータCUR_Dの書き込み、及びカーソルメモリ本体101から読み出し用ポートP2へのパターンデータCUR_Dの読み出しを同時に行うことは禁止される。しかし、読み書き側アドレス信号と読み出し側アドレス信号が共通であると、これらの書き込み及び読み出しがカーソルメモリ本体101内の同一メモリセルに対して行われたか否かの判定を容易に行うことができる。
【0097】
読み書き側アドレス信号と読み出し側アドレス信号とが共通しているとは、次の通りである。読み書き側アドレス信号は、最下位ビットLSB側から最上位ビットMSB側へ順に、MY〈0〉、MY〈1〉、MX〈0:5〉で構成される。MY〈0〉及びMY〈1〉は2ビットの列アドレスMYを構成し、MX〈0:5〉は6ビットの行アドレス信号MXである。読み出し側アドレス信号は、最下位ビットLSB側から最上位ビットMSB側へ順に、PY〈0〉、PY〈1〉、PX〈0:5〉で構成される。PY〈0〉及びPY〈1〉は2ビットの列アドレスPYを構成し、PX〈0:5〉は6ビットの行アドレス信号PXである。
【0098】
行アドレス信号MX〈0:5〉及びPX〈0:5〉を共通化し、列アドレス信号のうちのMY〈1〉及びPY〈1〉を共通化する。このように共通化すると、読み出し側アドレス信号と読み書き側アドレス信号とがカーソルメモリ本体101内の同一のメモリセルを示すとき、行アドレス信号MX〈0:5〉の値と行アドレス信号PX〈0:5〉との値は同じになり、列アドレス信号のうちのMY〈1〉の値とPY〈1〉の値は同じとなる。
【0099】
MY〈0〉及びPY〈0〉は共通化しない。これはMY〈0〉はパターンデータCUR_D0及びCUR_D1を示すために用いられ、PY〈0〉は上位ビット及び下位ビットを示すアドレスを指定するために用いられるためである。
【0100】
LSBから順に並んだPY〈0〉及びPY〈1〉を列アドレスPYとすることにより、実施の形態2で説明したように、列アドレスPY(PY〈0〉、PY〈1〉)に単純に1を足していけば、カーソルメモリ本体101内の各ブロックを順番に自動的に特定できる。
【0101】
本実施の形態による効果は次の通りである。すなわち、読み書き側アドレス信号と読み出し側アドレス信号とを共通化することで、アドレスデコーダを簡略化することができる。
【0102】
【発明の効果】
本発明請求項1によると、第1及び第2のバンクを備えたため、読み出し手段は、第1及び第2の読み出しを同時に行う制御が可能になる。このため、制御手段による制御を簡略化することができ、回路面積の効率化が図れるという効果を奏す。
【0103】
本発明請求項2によると、読み書き手段の動作を、構成が簡単なクロスバースイッチを用いて実現できるという効果を奏す。
【0104】
本発明請求項3によると、読み書き側アドレス信号を利用して、アドレス信号を用いてクロスバースイッチを制御できるという効果を奏す。
【0105】
本発明請求項4によると、読み出し手段の動作を、構成が簡単なクロスバースイッチを用いて実現できるという効果を奏す。
【0106】
本発明請求項5によると、読み出し側アドレス信号を利用して、クロスバースイッチを制御できるという効果を奏す。
【0107】
本発明請求項6によると、読み出し手段は、第1及び第2の読み出しを順次ではなくて、同時に行うカーソルメモリ本体からデータを取り込むことが可能であるため、クロスバースイッチと読み出し用ポートとの間は、シフトレジスタを備えるだけで済むという効果を奏す。
【0108】
本発明請求項7によると、カーソルメモリの設計が容易になるという効果を奏す。
【0109】
本発明請求項8によると、各バンク内のブロックを順番に特定できるため、簡単な構成のインクリメンタを利用してブロックを特定できるという効果を奏す。
【0110】
本発明請求項9によると、シフトレジスタを制御するカウンタは、上位ビットあるいは下位ビットの数だけシフトの動作を制御するだけでよく、カウンタの回路面積が縮小できるという効果を奏す。
【0111】
本発明請求項10によると、カーソルパターンデータの読み出しを、シフトレジスタ制御用カウンタ及びインクリメンタをブロック計数カウンタによって制御することによって、実現できるという効果を奏す。
【0112】
本発明請求項11によると、ロード信号を与えるだけで、カーソルパターンデータの読み出しを開始できるという効果を奏す。
【0113】
本発明請求項12によると、カーソルメモリの設計が容易になるという効果を奏す。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のカーソルメモリの構成を示すブロック図である。
【図2】本発明のパターンデータの構造を示す概念図である。
【図3】クロスバースイッチの内部構成を示す回路図である。
【図4】本発明のカーソルメモリの動作を説明するフローチャートである。
【図5】アドレス信号発生回路の内部構成を示すブロック図である。
【図6】シフトレジスタ制御回路の内部構成を示すブロック図である。
【図7】カーソルパターンの代表例を示す図である。
【図8】従来のパターンデータの構造を示す概念図である。
【図9】従来のカーソルメモリの構成を示すブロック図である。
【図10】従来のカーソルメモリの動作を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
100 カーソルメモリ、101 カーソルメモリ本体、102 読み出し回路、103 読み書き回路、CBS0,CBS1 クロスバースイッチ、SR0,SR1 シフトレジスタ、P1 読み書き用ポート、P2 読み出し用ポート。

Claims (12)

  1. カーソルパターンのデータを構成する第1のパターンデータと第2のパターンデータとを読み書きするためのカーソルメモリであって、
    前記第1及び第2のパターンデータを格納するためのカーソルメモリ本体と、
    前記カーソルメモリ本体に対して前記第1及び第2のパターンデータの読み出しを行うための読み出し手段と、
    前記カーソルメモリ本体に対して前記第1又は第2のパターンデータの読み書きを行うための読み書き手段と、
    を備え、
    前記カーソルメモリ本体は、
    前記第1のパターンデータの下位ビットを格納するための第1のブロック及び前記第2のパターンデータの上位ビットを格納するための第2のブロックを含む第1のバンクと、
    前記第2のパターンデータの下位ビットを格納するための第3のブロック及び前記第1のパターンデータの上位ビットを格納するための第4のブロックを含む第2のバンクと、
    を備えたカーソルメモリ。
  2. 前記読み書き手段は、
    前記第1又は第2のパターンデータの入出力を行うための読み書き用ポートと、
    前記読み書き用ポートと前記カーソルメモリ本体との間に介在し、前記読み書き用ポートにおいて前記第1又は第2のパターンデータのうちのどちらの入出力を行うかに応じて、前記上位ビット及び下位ビットを交換するためのクロスバースイッチと、
    を備えた請求項1記載のカーソルメモリ。
  3. 前記クロスバースイッチは、
    前記読み書き手段による前記読み書きを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み書き側アドレス信号によって制御される請求項2記載のカーソルメモリ。
  4. 前記読み出し手段は、
    前記第1及び第2のパターンデータの出力を行うための読み出し用ポートと、
    前記読み出し用ポートと前記カーソルメモリ本体との間に介在し、前記読み出し用ポートにおいて前記上位ビット又は下位ビットのうちのどちらの出力を行うかに応じて、前記第1及び第2のパターンデータを交換するためのクロスバースイッチと、
    を備えた請求項1記載のカーソルメモリ。
  5. 前記クロスバースイッチは、
    前記読み出し手段による前記読み出しを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み出し側アドレス信号によって制御される請求項4記載のカーソルメモリ。
  6. 前記読み出し手段は、
    前記クロスバースイッチと前記読み出し用ポートとの間に介在し、前記第1及び第2のパターンデータを1ビットずつ前記読み出し用ポートに出力するためのシフトレジスタをさらに備えた請求項4記載のカーソルメモリ。
  7. 前記第1〜第4のブロックは、
    前記カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するためのアドレス信号によって順番に特定できるように配列されている請求項1記載のカーソルメモリ。
  8. 前記読み出し手段は、
    前記アドレス信号を生成するインクリメンタを備えた請求項7記載のカーソルメモリ。
  9. 前記読み出し手段は、
    前記シフトレジスタを制御するためのシフトレジスタ制御用カウンタをさらに備えた請求項6記載のカーソルメモリ。
  10. 前記第1〜第4のブロックは、
    前記カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するためのアドレス信号によって順番に特定できるように配列され、
    前記読み出し手段は、
    前記アドレス信号を生成するインクリメンタと、
    前記第1又は第2のバンク内の前記ブロックの数を数えるブロック計数カウンタと、
    を備え、
    前記シフトレジスタ制御用カウンタ及び前記インクリメンタは、前記ブロック計数カウンタによって制御される請求項9記載のカーソルメモリ。
  11. 前記読み出し手段は、
    当該カーソルメモリの外部から内部へ入力され、当該読み出し手段による前記読み出しの開始を要求するためのロード信号を受け、
    前記シフトレジスタ制御用カウンタ、前記インクリメンタ及び前記ブロック計数カウンタは、前記ロード信号に基づいて、動作を開始する請求項10記載のカーソルメモリ。
  12. 前記カーソルメモリ本体は、
    前記読み書き手段による前記読み書きを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み書き側アドレス信号と、
    前記読み出し手段による前記読み出しを行うときに当該カーソルメモリ本体内のアドレスを特定するための読み出し側アドレス信号と、
    を受け、
    前記読み書き側アドレス信号と読み出し側アドレス信号とが一部共通している請求項1記載のカーソルメモリ。
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