JP3628538B2

JP3628538B2 - Substrate chamfering device

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Publication number: JP3628538B2
Application number: JP00581199A
Authority: JP
Inventors: 守英大嵜
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-01-12
Filing date: 1999-01-12
Publication date: 2005-03-16
Anticipated expiration: 2019-01-12
Also published as: JP2000202749A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、液晶ディスプレイ等の薄型表示機器に用いられるガラス基板等の透明基板の、各辺の面取りを行う基板面取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ等の薄型表示機器に用いられるガラス基板等の透明基板は、例えば、適切な大きさに切断された後に、一対の透明基板をもつ液晶セル等として組み立てられる。しかし、切断後の透明基板は、その切断面が鋭いため、取扱いが危険である。さらには、該切断面により、液晶セルに備えられるバックライトが削られたり、また、透明基板上に配設された電極回路が切断されたりする危険性がある。このため、例えば、液晶セル内の電極回路と外部の駆動回路とを接続する端子部等において、透明基板の切断面における辺（角）を研磨する面取りが行われる。
【０００３】
透明基板の様々な角を面取りする工程において使用される従来の基板面取装置は、図１０および図１１に示すように、水平方向に旋回および送り可能な吸着ステージ１２０、吸着ステージ１２０上に吸着・固定される透明基板としてのガラス基板１１０ａの固定位置、または、液晶セル１１０の固定位置を確認するためのＣＣＤカメラ１３０ａ・１３０ｂ、および、ガラス基板１１０ａ、または、液晶セル１１０の上面、下面を研磨するための２個の回転する砥石１４０ａ・１４０ｂとを備えている。そして、ガラス基板１１０ａ、または、液晶セル１１０自体を吸着ステージ１２０に真空吸着により吸着・固定し、続いて、ＣＣＤカメラ１３０ａ・１３０ｂを用いて、例えば、ガラス基板１１０ａ、または、液晶セル１１０が正規の位置にくるように吸着ステージ１２０の位置を補正する。そして、ガラス基板１１０ａの各辺、または、液晶セル１１０の各辺を回転している砥石１４０ａ・１４０ｂに当てながら、該吸着ステージ１２０を辺の長さ方向に移動させることにより各辺の面取りがおこなわれる。
【０００４】
上記従来の基板面取装置においては、例えば、吸着ステージ１２０（図１０参照）の傾き、すなわち、吸着ステージ１２０の送り方向に垂直な２辺間の高さの差、があるとすると、図１２および図１３に示すように、面取り終了後のガラス基板１１０ａの上面と下面とでは、面取りラインの傾きは逆方向となる。そして、上記の傾きが２０μｍあるときに、面取り角度を３０°として３００ｍｍの辺を面取りした場合、吸着ステージ１２０の旋回によって補正しきれない傾きが、ガラス基板１１０ａの上下両面それぞれに、理論値にて３４μｍ生じる。すなわち、±３４μｍの面取り量のばらつきが生じる。
【０００５】
さらに、ガラス基板１１０ａの厚みばらつき±３０μｍに起因する面取り量のはらつきが±５１μｍ生じ、また、ガラス基板１１０ａの外形ばらつき±２０μｍや、元来加工に基づくばらつきにより、さらに±２０μｍ程度の面取り量のばらつきが生じる。すなわち、欲しい面取り量に対して、総合して±１０５μｍの面取り量のばらつきが生じる。また、上記の面取り量のばらつきは、条件設定時と加工時の両方に存在するため、実際の面取り量のばらつきは、さらに大きなものとなる。
【０００６】
したがって、上記のような吸着ステージ１２０の傾きがある場合には、吸着ステージ１２０を水平方向に旋回させて、上面・下面それぞれの面取り量がほぼ均一となる方向に位置補正を行い、これによって、図１４および図１５に示すように、例えば、吸着ステージ１２０の取り付け精度に起因する面取り量のばらつきを回避していた。この位置補正を行うことにより、実際の面取り量のばらつきを、面取りの公差±０．２ｍｍ程度の範囲内、具体的には、約±１５０μｍの範囲内におさめることができる。
【０００７】
また、異なる大きさのガラス基板の辺を面取りする際には、各ガラス基板のサイズに応じた吸着ステージに取り替える必要がある。これは、ガラス基板の面取りが施される辺が、吸着ステージより外側に突出して配置される必要があるためであり、また、ガラス基板の面取り量のばらつきを防ぐために、該ガラス基板の突出量を、ガラス基板のサイズ毎に所定の値とする必要があるためである。吸着ステージの取り替え作業は、作業者が、加工データと吸着ステージのサイズとの照合結果に基づき行う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
近年、薄型表示機器においては、表示部の大型化、高精度化、細密化がもとめられている。また、一方では、薄型表示機器の携帯性を重視し、該薄型表示機器の総合外形の縮小化および軽量化ももとめられている。これらの要求に応えるために、薄型表示機器に備えられた液晶セルにおいては、表示部が一段と拡大し、一方、駆動回路部分、および、液晶セルと該駆動回路等の実装部材とを接続する端子部（非表示部）の面積は一段と縮小している。
【０００９】
上記のように、非表示部の面積が小さくなるにつれて、透明基板の面取の精度も高い水準が要求されるようになり、最近では、面取り量のばらつきが、±０．１ｍｍを下回る精度が要求されるようになっている。例えば、具体的には、実装部材を取り付けるための端子部の長さが１．２ｍｍ〜２．０ｍｍ程度のものであれば、要求される面取り仕様は、１５０μｍ±６０〜８０μｍとなっている。
【００１０】
しかしながら、上記従来の基板面取装置では、吸着テーブル自体の加工精度や取り付け精度、また、切削水の温度変化等に起因する面取り量のばらつきが、±０．２ｍｍ程度と大きく、上記要求精度に応えられない。
【００１１】
また、上記従来の基板面取装置では、透明基板のサイズ毎に用意された吸着ステージの取り付け精度の悪さが、面取りの精度を悪くしてしまう。そのため、透明基板のサイズ毎に、吸着ステージを取り替えることもままならないという問題もあった。さらに、上記従来の基板面取装置では、作業者が誤って別のサイズの吸着ステージを取り付けた場合に、該吸着ステージと砥石とが衝突して吸着ステージの平面度に狂いが生じてしまったり、また、砥石や、砥石を回転させている高精度なモータを偏心させてしまう等のダメージを与えてしまい、その後の面取りの精度を維持できなくさせてしまうという問題もあった。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、取り扱う透明基板のサイズ、透明基板の厚みのばらつき、吸着テーブル自体の加工精度や取り付け精度等にかかわらず、該透明基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の基板面取装置は、上記の課題を解決するために、基板を、その固定面上に固定する固定台と、基板の辺の研磨を行う研磨手段とを備え、研磨手段と固定台とを送り方向に相対運動させることで、該辺の面取りを行う基板面取装置において、上記研磨手段を、基板に対して垂直方向に移動させる移動手段と、固定面に対向して設けられ、送り方向への固定台との相対運動が可能な、高さ測定手段とを有し、さらに、上記高さ測定手段による、固定面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、移動手段の移動量を制御する制御手段を備えており、上記高さ測定手段が、上記固定面と平行でかつ送り方向と垂直な方向に移動可能に設けられており、固定台交換時に、新たに取り付けられた固定台の固定面と平行でかつ該固定台の送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、該固定台の外周よりオーバーハング量分外側の位置の高さを計測し、該位置における固定台の検出の有無から上記基板に対する固定台のサイズの適否をチェックするようになっていることを特徴としている。
【００１４】
上記の構成によれば、高さ測定手段が、固定面の送り方向における高さの変動量を測定する。そして、制御手段が、高さ測定手段による測定結果に基づいて移動手段の移動量を制御する。すなわち研磨手段は、移動手段により、固定面の送り方向における高さの変動量に応じて、基板に対して垂直方向に移動させられる。
【００１５】
すなわち、固定面の凹凸、固定台の取り付け精度、固定台下面とその取り付け台との間への異物の入り込み等の、固定面以下の位置における要因により、面取りが施される基板の辺に、該基板に対して垂直方向の傾きが生じている場合であっても、該傾きに応じて研磨手段を移動させることができるため、精度の高い面取りを行うことができる。また、固定台の交換を行わない限りにおいては、高さ測定手段による測定は一度でよい。また、固定台交換時には、固定台の検出を行うことによって、研磨手段と固定台との接触・緩衝を無くすことができる。したがって、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができる。
【００１６】
本本発明の請求項２記載の基板面取装置は、上記の課題を解決するために、基板を、その固定面に固定する固定台と、基板の辺の研磨を行う研磨手段とを備え、研磨手段と固定台とを送り方向に相対運動させることで、該辺の面取りを行う基板面取装置において、上記研磨手段を、基板に対して垂直方向に移動させる移動手段と、固定面に対向して設けられ、送り方向への固定台との相対運動が可能な、高さ測定手段とを有し、さらに、上記高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、移動手段の移動量を制御する制御手段を備えており、上記高さ測定手段が、上記固定面と平行でかつ送り方向と垂直な方向に移動可能に設けられており、固定台交換時に、新たに取り付けられた固定台の固定面と平行でかつ該固定台の送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、該固定台の外周よりオーバーハング量分外側の位置の高さを計測し、該位置における固定台の検出の有無から上記基板に対する固定台のサイズの適否をチェックするようになっていることを特徴としている。
【００１７】
上記の構成によれば、高さ測定手段が、基板上面の送り方向における高さの変動量を測定する。そして、制御手段が、高さ測定手段による測定結果に基づいて移動手段の移動量を制御する。すなわち、研磨手段は、移動手段により、基板上面の送り方向における高さの変動量に応じて、該基板に対して垂直方向に移動させられる。
【００１８】
すなわち、基板厚のムラ、基板上面の凹凸、基板下面の凹凸、固定面と基板の下面との間への異物の入り込み、固定面の凹凸、固定台の取り付け精度、固定台下面とその取り付け台との間への異物の入り込み等の、基板上面以下の位置における要因により、面取りが施される基板の辺に、該基板に対して垂直方向の傾きが生じている場合であっても、該傾きに応じて研磨手段を移動させることができる。また、面取りが行われる基板ごとに、高さ測定手段による測定を行うため、各基板ごとの上面の傾きに応じた、精度の高い面取りを行うことができる。さらに、必要に応じて、面取りが行われる基板上面の辺ごとに、該辺の近傍の送り方向における高さの変動量を測定することもできる。また、固定台交換時には、固定台の検出を行うことによって、研磨手段と固定台との接触・緩衝を無くすことができる。したがって、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができる。
【００１９】
本発明の請求項３記載の基板面取装置は、上記の課題を解決するために、基板を、その固定面に固定する固定台と、基板の辺の研磨を行う複数の研磨手段とを備え、研磨手段と固定台とを送り方向に相対運動させることで、該辺の面取りを行う基板面取装置において、上記複数の研磨手段のそれぞれを独立に、基板に対して垂直方向に移動させる複数の移動手段と、固定面に対向して設けられ、送り方向への固定台との相対運動が可能な、高さ測定手段とを有し、さらに、上記高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量、および、固定面の送り方向における高さの変動量の、測定結果に基づいて複数の移動手段の移動量を独立に制御する制御手段を備えており、上記高さ測定手段が、上記固定面と平行でかつ送り方向と垂直な方向に移動可能に設けられており、固定台交換時に、新たに取り付けられた固定台の固定面と平行でかつ該固定台の送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、該固定台の外周よりオーバーハング量分外側の位置の高さを計測し、該位置における固定台の検出の有無から上記基板に対する固定台のサイズの適否をチェックするようになっていることを特徴としている。
【００２０】
例えば、基板上面の辺の面取りと下面の辺の面取りとを同時進行で行う場合、基板上面の辺と下面の辺とは、必ずしも上下方向に同じ傾きを持っているわけではないので、どちらかの辺の傾きを基準として面取りを行うと、基準とされない側の辺の面取りの精度が低下してしまうおそれがある。
【００２１】
しかしながら、上記の構成によれば、高さ測定手段が、固定面の送り方向における高さの変動量を測定し、さらに、基板上面の送り方向における高さの変動量を測定する。そして、制御手段が、固定面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、ある移動手段の移動量を制御する。また同時に、制御手段が、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、他の移動手段の移動量を制御する。
【００２２】
すなわち、研磨手段のあるものは、ある移動手段により、固定面の送り方向における高さの変動量に応じて、基板に対して垂直方向に移動させられ、また、研磨手段の他のものは、他の移動手段により、基板上面の送り方向における高さの変動量に応じて、該基板に対して垂直方向に移動させられる。また、固定台交換時には、固定台の検出を行うことによって、研磨手段と固定台との接触・緩衝を無くすことができる。したがって、面取りが施される辺ごとに応じて、研磨手段の位置補正を細かく行うことができ、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができる。
【００２３】
例えば、固定面と当接している基板下面の辺の面取りを、固定面の送り方向における高さの変動量に応じて移動させられる研磨手段によって行い、一方、基板の上面の辺の面取りを、基板上面の送り方向における高さの変動量に応じて移動させられる研磨手段によって行うこととすれば、各辺の傾きに応じた精度の高い面取りを実現することができる。
【００２４】
また、液晶セルをなす一対の基板の、上側基板上面の一辺の面取りと、下側基板下面の一辺の面取りとを同時に行う場合には、例えば、上側基板と下側基板との間に存在するシール材層の厚さムラなどが原因となって、面取りが行われる２辺間の傾きが大きく異なる場合もある。しかしながら、上記のように、下側基板下面の一辺の面取りを、固定面の送り方向における高さの変動量に応じて移動させられる研磨手段によって行い、一方、上側基板の上面の一辺の面取りを、基板上面の送り方向における高さの変動量に応じて移動させられる研磨手段によって行うこととすれば、各辺の傾きに応じた精度の高い面取りを実現することができる。
【００２５】
本発明の請求項４記載の基板面取装置は、上記の課題を解決するために、請求項２または３に記載の構成において、上記高さ測定手段が、研磨手段に対して送り方向前方に設けられており、高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定と並行して、制御手段による移動手段の移動量の制御が行われることを特徴としている。
【００２６】
上記の構成によれば、高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定と、制御手段による移動手段の移動量の制御とを同時進行で行うことができる。したがって、面取り動作にかかる時間を短縮することができるため、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができる。
【００２７】
本発明の請求項５記載の基板面取装置は、上記の課題を解決するために、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の構成において、上記オーバーハング量が一定で、かつ、５〜１５ｍｍであることを特徴としている。
【００２８】
上記の構成によれば、面取りの精度を高めることができるという効果を奏する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図１ないし図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、これによって、本発明が限定されるものではない。本発明の実施の形態に係る基板面取装置は、図１に示すように、面取りが施される一対のガラス基板（基板）１１ａ・１１ｂを有する液晶セル１１を、その固定面１２ｃに吸着・固定するための吸着ステージ（固定台）１２、吸着ステージ１２を、面取りが行われる方向（送り方向）に送るための送り軸１２ａ、吸着ステージ１２を水平方向に旋回するための旋回軸１２ｂを備えている。また、吸着ステージ１２上方には、該吸着ステージ１２に吸着・固定される液晶セル１１の位置を確認するための一対のＣＣＤカメラ１３ａ・１３ｂが備えられている。
【００３０】
一方、吸着ステージ１２の斜め上方においては、固定板２３ａ上に、上面用砥石１４ａを備えた研磨器（研磨手段）１４が設けられており、また、固定板２３ｂ上に、下面用砥石１４ｂを備えた研磨器（研磨手段）１４が設けられている。上記固定板２３ａ上にはさらに、面取りが施されるガラス基板１１ａの上面の高さ、および／または、固定面１２ｃの高さを測定する高さ検出器（高さ測定手段）１５が、固定面１２ｃと対向して設けられている。
【００３１】
上記固定板２３ａには、該固定板２３ａを上下方向に送るための制御軸（移動手段）１６ａと、該固定板２３ａを左右方向（後述する幅方向）に送るための制御軸１６ｂとが備えられている。また、固定板２３ｂには、該固定板２３ｂを上下方向に送るための制御軸（移動手段）１７ａと、該固定板２３ｂを左右方向に送るための制御軸１７ｂとが備えられている。
【００３２】
また、本実施の一形態に係る基板面取装置は、ＣＣＤカメラ１３ａ・１３ｂの撮像した画像を処理し、この処理に基づいて上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージ１２との相対的な位置補正のための信号を出力するアライメント画像処理部１８、高さ検出器１５の測定結果に基づいて、上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージ１２との相対的な位置の補正のために、所定の演算を行う演算機１９、アライメント画像処理部１８からの出力、および、演算機１９からの出力に基づき、送り軸・旋回軸モータコントローラ２１、砥石位置モータコントローラ２２、それぞれに制御信号を出力する主制御部２０とを備えている。尚、送り軸・旋回軸モータコントローラ２１は、吸着ステージ１２に備えられた送り軸１２ａ・旋回軸１２ｂの動作を制御するものであり、砥石位置モータコントローラ２２は、制御軸１６ａ・１６ｂを通じて上面用砥石１４ａの位置を、制御軸１７ａ・１７ｂを通じて下面用砥石１４ｂの位置を、制御するものである。尚、場合によっては、演算機１９を省略することもできる。
【００３３】
次に、該基板面取装置の要部および面取りが施される液晶セル１１について、さらに具体的に説明する。上記吸着ステージ１２は平坦な固定面１２ｃの一部に吸着孔２４を有しており、該吸着孔２４の内部空間を真空にすることで液晶セル１１を吸着し、固定面１２ｃに固定する。尚、液晶セル１１の固定面１２ｃへの固定方法は、これに限られるものではない。吸着ステージ１２の固定面１２ｃは、その幅寸法、および、長さ寸法の両方が、液晶セル１１より小さく設計されている。また、吸着ステージ１２は、旋回軸１２ｂの動作により水平方向に３６０°自由に回転することが可能に設置されており、さらに、送り軸１２ａの動作により送り方向へ移動可能に設置されている。尚、以下に説明するが、吸着ステージ１２のサイズは特に限定されるものではなく、面取りが施されるガラス基板のサイズに応じて変更することが好ましい。
【００３４】
一対の研磨器１４・１４はそれぞれ、制御軸１６ａ・１７ａの動作により上下方向（すなわち、基板に対して垂直方向）に移動可能に設置されており、さらに、制御軸１６ｂ・１７ｂの動作により左右方向（後述する幅方向）に移動可能に設置されている。また、研磨器１４・１４の先端にはそれぞれ、軸支された上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂが設けられ、所定の速度で回転し、液晶セル１１の所定位置に面取りを施す。下面用砥石１４ｂは、上面用砥石１４ａに対し送り方向前方になるように配置されているが、配置関係は特に限定されない。上面用砥石１４ａおよび下面用砥石１４ｂの材質は、その研磨面が、面取りの対象とされるガラス基板１１ａ・１１ｂの硬度と同等か、それ以上の硬度をもつものであれば特に限定されるものではなく、例えば、その研磨面にダイヤモンド粒を配したものを挙げることができる。また、研磨器１４・１４それぞれの、固定板２３ａ・２３ｂに対する取り付け角度は、施される面取りの角度に応じて自由に変更することができるようになっている。尚、上記の研磨器１４は、特に、一対に設けられる必要はなく、少なくとも一つ設けられていればよい。また、その配置は特に限定されるものではなく、例えば、液晶セル１１を挟んで対向するように配置されてもよい。
【００３５】
高さ検出器１５は、図２に示すように、触針１５ａを有しており、触針１５ａで測定すべき対象（図２においては、吸着ステージ１２）の上面に当接して、該上面の水平度やうねり、凹凸の高さや形状等に代表される高さの変動（変動量）を連続的または、不連続に測定し、その状態を電気量に変換するものである。具体的には、例えば、触針１５ａと吸着ステージ１２とを一定速度で相対運動させ、これによって、触針１５ａを、固定面１２ｃ上の凹凸に倣って上下に運動させる。そして、触針１５ａの上下運動が、図示しないレバーを介して変位−電気変換器に伝えられる。この変位−電気変換は、例えば、ａ）ムービングコイル型やムービングマグネット型に代表される速度型、ｂ）差動変圧器等を用いた変位型、等の変位−電気変換器によって行うことができる。
【００３６】
高さ検出器１５は、特に固定板２３に固定される必要はなく、上下・左右方向に移動可能なように、他の固定板に固定されていてもよい。また、高さ検出器１５を、送り方向に移動可能なように取り付けてもよい。また、測定対象（吸着ステージ１２）の表面に触針１５ａによるキズを付けないように測定力（針圧）を小さくしておくことが望ましい。さらに、測定対象表面のうねりや傾斜に対して高さ検出器１５本体を倣い運動させるためにスキッドを設けてもよい。
【００３７】
面取りを施されるべき液晶セル１１として、例えば、１）液晶注入孔を出すためにガラス基板１１ａ・１１ｂの分断が行われたもの、２）図示しない電極部分を出すためにガラス基板１１ａ・１１ｂの分断が行われたもの、３）多面取りの基板から分断されてできた個々の液晶セル１１、等のように、面取りが施されるべき辺を有するガラス基板１１ａ・１１ｂを持つものであれば特に限定されるものではない。液晶セル１１をなす下側のガラス基板１１ｂの幅方向（すなわち、固定面１２ｃと平行で、かつ、送り方向と垂直な方向）両端には、上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージ１２との相対的な位置補正に用いられるアライメント用マーク２２ａ・２２ｂが設けられている。アライメント用マークの形状、配置数、および、配置位置は、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス基板１１ａ・１１ｂの貼り合わせの為の位置合わせマーク等があれば、これを代用することも可能である。尚、特にことわらない限りにおいて、該液晶セル１１の「基板下面」とは、固定面１２ｃと当接している、ガラス基板１１ｂの下面のことを指し、「基板上面」とは、ガラス基板１１ａの上面のことを指すものとする。
【００３８】
続いて、図１、および、図３ないし図９に基づいて、本発明の実施の一形態に係る基板面取装置の動作について具体的に説明する。
【００３９】
図１に示すように、薄型表示機器の代表である液晶ディスプレイの製造の途中段階にある液晶セル１１は、外部より、吸着ステージ１２の固定面１２ｃ上に搬送された後に、吸着孔２４において吸着され、該固定面１２ｃ上に固定される。
【００４０】
続いて、吸着ステージ１２上方に備えられた、一対のＣＣＤカメラ１３ａ・１３ｂにより、液晶セル１１上のアライメント用マーク２２ａ・２２ｂの撮像が行われる。ＣＣＤカメラ１３ａ・１３ｂの撮像した画像は、アライメント画像処理部１８に送られた後に、ここで処理され、この処理に基づいて上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージ１２との相対的な位置補正のための信号が主制御部２０に出力される。主制御部２０は、該信号に基づき、送り軸・旋回軸モータコントローラ２１に制御信号を出力し、該制御信号に基づいた送り軸１２ａおよび旋回軸１２ｂの動作によって液晶セル１１の位置を、正規の位置に補正する。尚、改めて後述するが、液晶セル１１の幅方向への位置補正は、研磨器１４・１４の幅方向への移動により相対的に行われる。
【００４１】
次に、液晶セル１１上面の面取りが行われる付近、すなわち、ガラス基板１１ａ上面の送り方向にのびる一辺の、水平度やうねり、凹凸の高さや形状等に代表される高さの変動量の測定が行われる。この測定は、高さ検出器１５に関する上記説明のように、触針１５ａがガラス基板１１ａ上面の送り方向にのびる一辺に当接した状態で、吸着ステージ１２を一定速度で送り、これによって、触針１５ａを、該一辺上の凹凸に倣って上下に運動させる。そして、触針１５ａの上下運動が、図示しないレバーを介して変位−電気変換器に伝えられる。そして、電気変換された測定結果は、演算機１９に入力されて所定の演算が行われた後に、高さ情報として図示しないメモリに保存される。図３に示すのは、このようにして得られた高さ情報の一例であり、該高さ情報は、ガラス基板１１ａ上面の送り方向にのびる一辺が、送り方向に対して上向きの傾斜を持っていることを示している。
【００４２】
ガラス基板１１ａ上面の送り方向にのびる一辺に高さの変動が生じる原因として、例えば、具体的には、固定面１２ｃ上の凹凸、液晶セル１１のセル厚の不均一性（ガラス基板１１ａ・１１ｂのガラス厚のムラ、図示しないシール材層の厚さムラ等）、ガラス基板１１ａ上面の凹凸、ガラス基板１１ｂ下面の凹凸、固定面１２ｃと液晶セル１１の下面との間への異物の入り込み、吸着ステージ１２下面とその取り付け台との間への異物の入り込み、等をあげることができる。
【００４３】
研磨器１４・１４はそれぞれ、面取り動作に先立って、予め登録されている液晶セル１１の外形、液晶セル１１の厚み、および、施される面取りの量等に応じて所定の位置に移動される。すなわち、液晶セル１１の外形、液晶セル１１の厚み、および、施される面取りの量等に応じて、主制御部２０が、砥石位置モータコントローラ２２に制御信号を出力し、該制御信号に基づいた制御軸１６ａ・１６ｂの動作、および、制御軸１７ａ・１７ｂの動作によって研磨器１４・１４が、それぞれの所定の位置へと移動される。尚、液晶セル１１の幅方向への位置補正が必要な場合には、アライメント画像処理部１８より出力された信号に基づき、主制御部２０が、砥石位置モータコントローラ２２に制御信号を出力する。そして、該制御信号に基づいた制御軸１６ｂの動作、および、制御軸１７ｂの動作によって研磨器１４・１４がそれぞれ、所定の位置への移動とあわせて移動される。この時点では、研磨器１４・１４は、吸着ステージ１２に対し、その送り方向前方に離れて位置している。
【００４４】
続いて、液晶セル１１を真空吸着した吸着ステージ１２は、所定の送り速度（５０ｍｍ／ｓｅｃ〜２００ｍｍ／ｓｅｃ）で、所定の速度で回転する上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂに向かって進行し、液晶セル１１のエッジの研磨（面取り）が行われる。本実施の形態において、面取りが行われるべき液晶セル１１のエッジとは、上面用砥石１４ａと当接するガラス基板１１ａ上面の辺、および、下面用砥石１４ｂと当接するガラス基板１１ｂ下面の辺、の２辺をさす。このときの上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂの回転速度は、３０００ｒｐｍ〜２００００ｒｐｍである。尚、上記の送り速度、回転速度は特に限定されるものではない。
【００４５】
面取り動作時には、研磨器１４・１４の高さはそれぞれ、図示しないメモリに保存された上記高さ情報に応じて小刻みに補正される。すなわち、主制御部２０は、図示しないメモリから読み出された高さ情報に応じて、砥石位置モータコントローラ２２に制御信号を出力する。そして、該制御信号に基づいて制御軸１６ａの移動量、および、制御軸１７ａの移動量の制御が行われることにより、研磨器１４・１４がそれぞれ上下に移動され、一定の面取り量で面取りを行うことができる。これにより、例えば、図３に示すような、送り方向に傾斜を持つ辺に対しても、該辺が水平であるかのように面取りを行うことができる。
【００４６】
一方、図４に示すように、例えば、液晶セル１１の各部位におけるセル厚の不均一性により面取りが施されるべき上側の辺が複雑な傾斜を持つ場合には、該辺が水平であるとして面取り動作を行うと、図５に示すように、その面取り量は一定とはならず、すなわち、該辺の水平精度に応じた面取り加工しかできない。
【００４７】
しかしながら、高さ検出器１５を用いて、液晶セル１１上面の面取りが行われる付近、すなわち、ガラス基板１１ａ上面の送り方向にのびる一辺の、水平度やうねり、凹凸の高さや形状等の測定を行った後に、得られた高さ情報に基づいて、図６に示すように、研磨器１４・１４（上面用砥石１４ａ、および、下面用砥石１４ｂ）の高さを補正しながら面取り動作が行われれば、一定の面取り量で面取りを行うことができる。これにより、例えば、図４に示すような、送り方向に数段階の複雑な傾斜を持つ辺に対しても、図７に示すように、該辺が水平であるかのように精度の高い面取りを行うことができる。
【００４８】
また、上記説明のように得られた高さ情報に基づいて、研磨器１４・１４（上面用砥石１４ａ、および、下面用砥石１４ｂ）の高さを補正しながら面取り動作が行われても、図８に示すように、液晶セル１１の面取りラインが、ガラス基板１１ａ、および、ガラス基板１１ｂの双方において同一の方向に傾く場合がある。このような傾きは、液晶セル１１の設置位置の水平方向のずれに由来するものである。従って、このような場合には、主制御部２０から送り軸・旋回軸モータコントローラ２１に出力された制御信号に基づき旋回軸１２ｂを動作させて、吸着ステージ１２を水平方向に所望の角度旋回して位置補正を行い、さらに、この補正を新たに登録することで一定の面取り量で精度の良い面取りを行うことができる。または、上面用砥石１４ａ、および、下面用砥石１４ｂの位置補正を行うことによっても上記問題に対応することができる。
【００４９】
ところで上記のように、液晶セル１１の上下両面、すなわち、ガラス基板１１ａ上面の辺、および、ガラス基板１１ｂ下面の辺、を同時に面取りする場合には、上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージ１２との接触・緩衝を無くすために、ガラス基板１１ａ・１１ｂの面取りが施される辺が、吸着ステージ１２より外側に突出（オーバーハング）して配置される必要がある。また、面取りの精度を高めるためには、ガラス基板１１ａ・１１ｂの吸着ステージ１２からのオーバーハング量を一定にする必要がある。従って、面取りを施すべき液晶セル１１のサイズ（ガラス基板１１ａ・１１ｂのサイズ）を変更すれば、使用される吸着ステージ１２のサイズも変更する必要がある。尚、適切なオーバーハング量は、面取りが施されるガラス基板１１ａ・１１ｂの設計や、サイズ等に応じて異なるが、おおよそ、５〜１５ｍｍ程度である。
【００５０】
使用される吸着ステージ１２のサイズの変更作業、すなわち、使用される吸着ステージ１２の交換作業には、高い取り付け再現性が要求されるが、近年の要求精度に対し、取り付け再現性の精度を満たすことが厳しくなってきている。この原因の一つとして、例えば、吸着ステージ１２の交換時に、吸着ステージ取り付け面と吸着ステージ１２との間にゴミ等の異物を挟み込んでしまい、吸着ステージ１２の傾きが発生してしまうということ等が挙げられる。図９に示すように、吸着ステージ取り付け面と吸着ステージ１２との間にゴミ等の異物を挟み込んだために、面取りが施されるべき上側の辺が複雑な傾斜を持つ場合には、該辺が水平であるとして面取り動作を行うと、その面取り量は一定とはならない。すなわち、面取りラインが、ガラス基板１１ａ、および、ガラス基板１１ｂにおいて互いに逆方向に傾き、該辺の水平精度に応じた面取り加工しかできない。
【００５１】
しかしながら、本発明の実施の一形態にかかる基板面取装置を用いれば、吸着ステージ１２交換後に、新しい吸着ステージ上に吸着・固定された異なるサイズの液晶セルの上側の辺の高さを、高さ検出器１５で測定し、得られた高さ情報に基づいて（すなわち、測定結果をフィードバックしながら）面取りを実施することにより、精度の高い面取りを実施することができる。また、吸着ステージ１２交換後の調整も簡単となるため、吸着ステージ１２の取り換え時間の短縮を実現することが可能となる。
【００５２】
また、上記の吸着ステージ１２の交換作業は、作業者が直接行うものであるために、誤って、不適切なサイズの吸着ステージに交換されるおそれがある。不適切なサイズの吸着ステージに交換されると、上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージとの接触・緩衝により、例えば、上面用砥石１４ａ、および、下面用砥石１４ｂのそれぞれを回転させている図示しない高精度なモータや、吸着ステージそのものに大きなダメージを与えてしまうこととなる。また、適切なオーバーハング量を確保できないため、面取りの精度を低下させることにもなる。
【００５３】
上記の問題を防止するために、新たに取り付けられた吸着ステージの外周より数ｍｍ外側の位置、例えば、必要とされるオーバーハング量分外側の位置、の高さを、上記高さ検出器１５を用いて計測することによって、該吸着ステージのサイズの適否をチェックすることができる。すなわち、高さ検出器１５は、新たに取り付けられた吸着ステージの外周より数ｍｍ外側と想定される位置に移動された後に、高さの検出動作を行う。ここで、新たに取り付けられた吸着ステージが想定されたサイズ以下であれば、高さ検出器１５に備えられた触針１５ａは、該吸着ステージと当接することがない。したがって、高さ検出器１５は、吸着ステージの高さ付近では、高さを検出することがない。また、新たに取り付けられた吸着ステージが想定されたサイズを超えるが、その超過量が該オーバーハング量未満であれば、高さ検出器１５はやはり、吸着ステージの高さ付近では、高さを検出することがない。一方、新たに取り付けられた吸着ステージが、想定されたサイズを該オーバーハング量以上超えるものであれば、触針１５ａは、該吸着ステージと当接する。したがって、高さ検出器１５は、吸着ステージの高さ付近で、高さを検出する。そして、高さ検出器１５が、吸着ステージの高さ付近で高さを検出する場合には、上面用砥石１４ａ・下面用砥石１４ｂと吸着ステージとの接触・緩衝が生じることとなる。
【００５４】
このようなサイズの適否のチェックを吸着ステージ１２交換時に、常に実施することにより、本実施の形態にかかる基板面取装置においては、不適切なサイズの吸着ステージに交換されることに起因する上記問題を簡単に回避することができる。尚、吸着ステージの外周より数ｍｍ外側の位置、とは、必ずしも、吸着ステージの外周よりオーバーハング量分外側の位置、を意味するものではなく、固定面と平行で、かつ、該吸着ステージの送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、さらに、該吸着ステージの外周より外側の位置であればよい。
【００５５】
吸着ステージのサイズの適否のチェック方法は、特に上記の方法に限られるものではない。例えば、具体的には、高さ検出器１５により、固定面の幅方向の高さの変化量の測定を行うことで該固定面の幅方向両端部の位置を検出し、続いて、その検出結果に基づいて、該固定面の幅寸法を決定し、新たに取り付けられた吸着ステージのサイズの適否を決定するようにしてもよい。即ち、高さ検出器１５は、高さ測定手段としての機能に加えて、長さ測定手段としての機能も有する。
【００５６】
尚、長さ測定手段の種類は、吸着ステージの幅方向の長さを直接的、または、間接的に測定できるものであれば特に限定されるものではない。例えば、従来公知のイメージセンサ、フォトセンサ等であってもよい。
【００５７】
また、液晶セル１１の幅方向にのびるいずれかの辺に対して面取りを施す場合には、吸着ステージ１２を水平方向に９０°旋回させるとよい。この旋回により、該辺を送り方向に平行とすることができる。
【００５８】
上記実施の形態では、面取りが行われるべき液晶セル１１のエッジとは、上面用砥石１４ａと当接するガラス基板１１ａ上面の辺、および、下面用砥石１４ｂと当接するガラス基板１１ｂ下面の辺、をさすものとしたが、特にこれらの辺に限定されるものではない。例えば、具体的には、液晶セル１１をなすガラス基板１１ａ上下面の辺であってもよく、また、ガラス基板１１ｂ上下面の辺であってもよい。また、場合によっては、液晶セル１１として組み立てられる以前の、ガラス基板１１ａ上下面の辺、または、ガラス基板１１ｂ上下面の辺の面取りを行うものであってもよい。尚、ガラス基板１１ａまたはガラス基板１１ｂのような一枚のガラス基板を扱う場合、該ガラス基板の下面は、真空吸着により固定台１２の固定面１２ｃとなじみ、該固定面１２ｃと同じ傾きとなっているので、ガラス基板の厚みのばらつきが少ない限りにおいては、固定面１２ｃの長さ方向の高さの変化量の測定結果にもとづいて、該ガラス基板の上下両面の辺の面取りを精度よく行うことが可能である。
【００５９】
また、上記実施の形態では、一つの高さ情報、すなわち、面取りが施されるガラス基板１１ａ上面の一辺の近傍の高さの変動を測定することにより得られた高さ情報、に基づいて、一対の研磨器１４・１４（上面用砥石１４ａ、および、下面用砥石１４ｂ）の高さを同様に補正する構成であったが、特にこれに限定されるものではなく、場合によっては、固定面１２ｃの高さの変動に基づいて、一対の研磨器１４・１４の高さを同様に補正する構成としてもよい。該構成とすれば、吸着ステージ１２の交換を行わない限りにおいて、同一の高さ情報に基づき一対の研磨器１４・１４の高さを補正することができるので、例えば、液晶セル１１の面取りを効率的に行うことができる。
【００６０】
また、例えば、面取りが施されるガラス基板１１ａ上面の一辺の高さの変動に基づいて上面用砥石１４ａの高さを補正し、一方、固定面１２ｃの高さの変動に基づいて下面用砥石１４ｂの高さを補正を行う構成とすることもできる。このような構成とすれば、上面用砥石１４ａによって面取りが施されるガラス基板１１ａ上面の一辺と、下面用砥石１４ｂによって面取りが施されるガラス基板１１ｂ下面の一辺とが平行でない場合であっても、精度の高い面取りを行うことができる。尚、該構成とする場合には、必要に応じて、高さ検出器１５を複数設けてもよい。さらに、固定面１２ｃの高さ情報を、吸着・固定されるガラス基板１１ｂ下面の形状に応じて変換する変換手段を設けてもよい。
【００６１】
さらにまた、上記実施の形態では、高さ検出器１５と研磨器１４とが、同一の固定板２３ａ上に固定された構成であったが、特にこれに限定されるものではない。例えば、具体的には、高さ検出器１５を、固定板２３ｂに対して送り方向前方に配された別の固定板上に独立に設置する構成とすることもできる。該構成によれば、高さ検出器１５が先行してガラス基板１１ａ上面の高さの変動を検出し、その結果導かれた高さ情報に基づいて研磨器１４・１４を動かすことができる。すなわち、高さの変動の検出と面取り動作とを同時進行で行うことができる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の請求項１記載の基板面取装置は、以上のように、基板を、その固定面上に固定する固定台と、基板の辺の研磨を行う研磨手段とを備え、研磨手段と固定台とを送り方向に相対運動させることで、該辺の面取りを行う基板面取装置において、上記研磨手段を、基板に対して垂直方向に移動させる移動手段と、固定面に対向して設けられ、送り方向への固定台との相対運動が可能な、高さ測定手段とを有し、さらに、上記高さ測定手段による、固定面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、移動手段の移動量を制御する制御手段を備えており、上記高さ測定手段が、上記固定面と平行でかつ送り方向と垂直な方向に移動可能に設けられており、固定台交換時に、新たに取り付けられた固定台の固定面と平行でかつ該固定台の送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、該固定台の外周よりオーバーハング量分外側の位置の高さを計測し、該位置における固定台の検出の有無から上記基板に対する固定台のサイズの適否をチェックするようになっている構成である。
【００６３】
上記の構成によれば、固定面の凹凸、固定台の取り付け精度、固定台下面とその取り付け台との間への異物の入り込み等の、固定面以下の位置における要因により、面取りが施される基板の辺に、該基板に対して垂直方向の傾きが生じている場合であっても、該傾きに応じて研磨手段を移動させることができるため、精度の高い面取りを行うことができる。また、固定台の交換を行わない限りにおいては、高さ測定手段による測定は一度でよい。また、固定台交換時には、固定台の検出を行うことによって、研磨手段と固定台との接触・緩衝を無くすことができる。したがって、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができるという効果を奏する。
【００６４】
本発明の請求項２記載の基板面取装置は、以上のように、基板を、その固定面に固定する固定台と、基板の辺の研磨を行う研磨手段とを備え、研磨手段と固定台とを送り方向に相対運動させることで、該辺の面取りを行う基板面取装置において、上記研磨手段を、基板に対して垂直方向に移動させる移動手段と、固定面に対向して設けられ、送り方向への固定台との相対運動が可能な、高さ測定手段とを有し、さらに、上記高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、移動手段の移動量を制御する制御手段を備えており、上記高さ測定手段が、上記固定面と平行でかつ送り方向と垂直な方向に移動可能に設けられており、固定台交換時に、新たに取り付けられた固定台の固定面と平行でかつ該固定台の送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、該固定台の外周よりオーバーハング量分外側の位置の高さを計測し、該位置における固定台の検出の有無から上記基板に対する固定台のサイズの適否をチェックするようになっている構成である。
【００６５】
上記の構成によれば、基板厚のムラ、基板上面の凹凸、基板下面の凹凸、固定面と基板の下面との間への異物の入り込み、固定面の凹凸、固定台の取り付け精度、固定台下面とその取り付け台との間への異物の入り込み等の、基板上面以下の位置における要因により、面取りが施される基板の辺に、該基板に対して垂直方向の傾きが生じている場合であっても、該傾きに応じて研磨手段を移動させることができる。また、面取りが行われる基板ごとに、高さ測定手段による測定を行うため、各基板ごとの上面の傾きに応じた、精度の高い面取りを行うことができる。さらに、必要に応じて、面取りが行われる基板上面の辺ごとに、該辺の近傍の送り方向における高さの変動量を測定することもできる。また、固定台交換時には、固定台の検出を行うことによって、研磨手段と固定台との接触・緩衝を無くすことができる。したがって、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができるという効果を奏する。
【００６６】
本発明の請求項３記載の基板面取装置は、以上のように、基板を、その固定面に固定する固定台と、基板の辺の研磨を行う複数の研磨手段とを備え、研磨手段と固定台とを送り方向に相対運動させることで、該辺の面取りを行う基板面取装置において、上記複数の研磨手段のそれぞれを独立に、基板に対して垂直方向に移動させる複数の移動手段と、固定面に対向して設けられ、送り方向への固定台との相対運動が可能な、高さ測定手段とを有し、さらに、上記高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量、および、固定面の送り方向における高さの変動量の、測定結果に基づいて複数の移動手段の移動量を独立に制御する制御手段を備えており、上記高さ測定手段が、上記固定面と平行でかつ送り方向と垂直な方向に移動可能に設けられており、固定台交換時に、新たに取り付けられた固定台の固定面と平行でかつ該固定台の送り方向にのびる一辺と垂直な直線上にあり、該固定台の外周よりオーバーハング量分外側の位置の高さを計測し、該位置における固定台の検出の有無から上記基板に対する固定台のサイズの適否をチェックするようになっている構成である。
【００６７】
上記の構成によれば、高さ測定手段が、固定面の送り方向における高さの変動量を測定し、さらに、基板上面の送り方向における高さの変動量を測定する。そして、制御手段が、固定面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、ある移動手段の移動量を制御する。また同時に、制御手段が、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定結果に基づいて、他の移動手段の移動量を制御する。
【００６８】
すなわち、研磨手段のあるものは、ある移動手段により、固定面の送り方向における高さの変動量に応じて、基板に対して垂直方向に移動させられ、また、研磨手段の他のものは、他の移動手段により、基板上面の送り方向における高さの変動量に応じて、該基板に対して垂直方向に移動させられる。また、固定台交換時には、固定台の検出を行うことによって、研磨手段と固定台との接触・緩衝を無くすことができる。したがって、面取りが施される辺ごとに応じて、研磨手段の位置補正を細かく行うことができ、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができるという効果を奏する。
【００６９】
本発明の請求項４記載の基板面取装置は、以上のように、請求項２または３に記載の構成において、上記高さ測定手段が、研磨手段に対して送り方向前方に設けられており、高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定と並行して、制御手段による移動手段の移動量の制御が行われる構成である。
【００７０】
上記の構成によれば、高さ測定手段による、基板上面の送り方向における高さの変動量の測定と、制御手段による移動手段の移動量の制御とを同時進行で行うことができる。したがって、面取り動作にかかる時間を短縮することができるため、基板の辺に対する高精度な面取りを効率的に行うことができる基板面取装置を提供することができるという効果を、請求項２または請求項３に記載の構成による効果に加えて奏する。
【００７１】
本発明の請求項５記載の基板面取装置は、以上のように、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の構成において、上記オーバーハング量が一定で、かつ、５〜１５ｍｍである構成である。
【００７２】
上記の構成によれば、面取りの精度を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態にかかる基板面取装置の構成を示す概略の斜視図である。
【図２】図１に示す基板面取装置に備えられた高さ検出器の構成を示す概略の側面図である。
【図３】液晶セル上面の面取りが行われる付近の、送り方向に沿った高さ情報、すなわち、高さの測定位置と該測定位置における液晶セル上面の相対的な高さとの、送り方向における連続的な関係、の一例を示すグラフである。
【図４】液晶セル上面の面取りが行われる付近の、送り方向に沿った高さ情報の他の例を示すグラフである。
【図５】図４に示す高さ情報を有する液晶セルの、上面上の一辺の面取りと下面上の一辺の面取りとを、該高さ情報に基づいた補正を行わずに実施した場合の、面取りラインを示す概略の平面図である。
【図６】図４に示す高さ情報に基づいて砥石位置の補正を行った場合の、砥石高さと面取り加工位置との、送り方向における連続的な関係を示すグラフである。
【図７】図４に示す高さ情報を有する液晶セルにおいて、図６に示す補正を行った場合の、面取りラインを示す概略の平面図である。
【図８】液晶セルの上面と下面とで、面取りラインが同一の方向に傾く一例を示す概略の平面図である。
【図９】液晶セル上面の面取りが行われる付近の、送り方向に沿った高さ情報のさらに他の例を示すグラフである。
【図１０】従来の基板面取装置の構成を示す概略の斜視図である。
【図１１】従来の基板面取装置の面取り動作を説明するための説明図である。
【図１２】図１０に示す従来の基板面取装置を用いて、ガラス基板の、上面上の一辺の面取りと下面上の一辺の面取りとを実施した場合の、面取りラインの一例を示す概略の斜視図である。
【図１３】図１２に示すガラス基板の概略の平面図である。
【図１４】水平方向に旋回させることで、図１２に示すガラス基板の位置補正を行った後に、図１０に示す従来の基板面取装置を用いて、該ガラス基板の、上面上の一辺の面取りと下面上の一辺の面取りとを実施した場合の、面取りラインの一例を示す概略の斜視図である。
【図１５】図１４に示すガラス基板の概略の平面図である。
【符号の説明】
１１ａガラス基板（基板）
１１ｂガラス基板（基板）
１２吸着ステージ（固定台）
１２ｃ固定面
１４研磨器（研磨手段）
１５高さ検出器（高さ測定手段、長さ測定手段）
１６ａ制御軸（移動手段）
１７ａ制御軸（移動手段）
２０主制御部（制御手段）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate chamfering apparatus that chamfers each side of a transparent substrate such as a glass substrate used in a thin display device such as a liquid crystal display.
[0002]
[Prior art]
A transparent substrate such as a glass substrate used in a thin display device such as a liquid crystal display is assembled as a liquid crystal cell or the like having a pair of transparent substrates after being cut into an appropriate size, for example. However, the transparent substrate after cutting is dangerous because of its sharp cut surface. Furthermore, there is a risk that a backlight provided in the liquid crystal cell is scraped by the cut surface, or an electrode circuit disposed on the transparent substrate is cut. For this reason, for example, chamfering is performed by polishing a side (corner) of the cut surface of the transparent substrate at a terminal portion that connects the electrode circuit in the liquid crystal cell and an external drive circuit.
[0003]
A conventional substrate chamfering apparatus used in a process for chamfering various corners of a transparent substrate is adsorbed on an adsorption stage 120 that can be rotated and fed in a horizontal direction, as shown in FIGS. The CCD camera 130a / 130b for confirming the fixing position of the glass substrate 110a as the transparent substrate to be fixed or the fixing position of the liquid crystal cell 110, and the upper and lower surfaces of the glass substrate 110a or the liquid crystal cell 110 Two rotating grindstones 140a and 140b for polishing are provided. Then, the glass substrate 110a or the liquid crystal cell 110 itself is sucked and fixed to the suction stage 120 by vacuum suction, and then, for example, the glass substrate 110a or the liquid crystal cell 110 is properly connected using the CCD cameras 130a and 130b. The position of the suction stage 120 is corrected so as to come to the position. Then, each side of the glass substrate 110a or each side of the liquid crystal cell 110 is applied to the rotating grindstones 140a and 140b while the suction stage 120 is moved in the length direction of the side to chamfer each side. It is carried out.
[0004]
In the conventional substrate chamfering apparatus, for example, if there is an inclination of the suction stage 120 (see FIG. 10), that is, a height difference between two sides perpendicular to the feeding direction of the suction stage 120, FIG. And as shown in FIG. 13, the inclination of a chamfer line becomes a reverse direction in the upper surface and lower surface of the glass substrate 110a after chamfering. And when the above-mentioned inclination is 20 μm and a 300 mm side is chamfered with a chamfer angle of 30 °, the inclination that cannot be corrected by turning of the suction stage 120 is a theoretical value on each of the upper and lower surfaces of the glass substrate 110a. 34 μm. That is, the chamfering amount variation of ± 34 μm occurs.
[0005]
Further, the chamfering amount variation of ± 51 μm caused by the thickness variation of ± 30 μm of the glass substrate 110a occurs, and the chamfering amount of about ± 20 μm is further caused by the variation of the outer shape of the glass substrate 110a of ± 20 μm and the variation based on the original processing. Variation occurs. In other words, the total chamfering amount varies ± 105 μm with respect to the desired chamfering amount. Further, since the variation in the chamfering amount exists both at the time of setting the condition and at the time of machining, the actual variation in the chamfering amount is further increased.
[0006]
Therefore, when there is an inclination of the suction stage 120 as described above, the suction stage 120 is rotated in the horizontal direction, and the position correction is performed in a direction in which the chamfering amounts of the upper surface and the lower surface are substantially uniform, As shown in FIGS. 14 and 15, for example, the variation in the chamfering amount due to the mounting accuracy of the suction stage 120 is avoided. By performing this position correction, variation in the actual chamfering amount can be kept within a chamfering tolerance range of about ± 0.2 mm, specifically within a range of about ± 150 μm.
[0007]
Further, when chamfering the sides of glass substrates having different sizes, it is necessary to replace the suction stages according to the size of each glass substrate. This is because the side of the glass substrate to be chamfered needs to be arranged to protrude outward from the suction stage, and in order to prevent variation in the chamfering amount of the glass substrate, the amount of protrusion of the glass substrate This is because it is necessary to set a predetermined value for each size of the glass substrate. The suction stage replacement work is performed by the operator based on the collation result between the processing data and the suction stage size.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, in thin display devices, there has been a demand for an increase in display size, accuracy, and densification. On the other hand, emphasis is placed on the portability of thin display devices, and there is a demand for reduction in overall outer shape and weight of the thin display devices. In order to meet these demands, in the liquid crystal cell provided in the thin display device, the display portion is further expanded, while the drive circuit portion and the terminal for connecting the liquid crystal cell and a mounting member such as the drive circuit. The area of the part (non-display part) is further reduced.
[0009]
As described above, as the area of the non-display portion is reduced, a high level of chamfering accuracy of the transparent substrate is required, and recently, the accuracy of the chamfering amount is less than ± 0.1 mm. It has come to be required. For example, if the length of the terminal portion for mounting the mounting member is about 1.2 mm to 2.0 mm, the required chamfering specification is 150 μm ± 60 to 80 μm.
[0010]
However, in the conventional substrate chamfering apparatus, the processing accuracy and mounting accuracy of the suction table itself, and the variation of the chamfering amount due to the temperature change of the cutting water is as large as about ± 0.2 mm. I can't respond.
[0011]
Further, in the conventional substrate chamfering apparatus, the accuracy of attaching the suction stage prepared for each size of the transparent substrate deteriorates the accuracy of chamfering. Therefore, there is also a problem that the suction stage cannot be changed for each size of the transparent substrate. Furthermore, in the above conventional substrate chamfering apparatus, when an operator mistakenly attaches a suction stage of another size, the suction stage and the grindstone may collide with each other, resulting in a deviation in the flatness of the suction stage. In addition, there is a problem that the grindstone and the high-precision motor that rotates the grindstone are decentered, and the subsequent chamfering accuracy cannot be maintained.
[0012]
The present invention has been made to solve the above problems, and the purpose thereof is regardless of the size of the transparent substrate to be handled, the variation in the thickness of the transparent substrate, the processing accuracy or mounting accuracy of the suction table itself, etc. It is an object of the present invention to provide a substrate chamfering apparatus capable of efficiently performing chamfering with high accuracy on the side of the transparent substrate.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the substrate chamfering apparatus according to claim 1 of the present invention includes a fixing base for fixing the substrate on the fixing surface, and a polishing means for polishing the side of the substrate, In a substrate chamfering apparatus that chamfers the side by moving the polishing means and the fixing base relative to each other in the feed direction, the moving means for moving the polishing means in a direction perpendicular to the substrate, and the fixed surface are opposed to each other. And a height measuring means capable of relative movement with the fixed base in the feed direction, and further measuring the amount of variation in height in the feed direction of the fixed surface by the height measuring means. Control means for controlling the amount of movement of the moving means based on the resultThe height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction, and when replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to the fixed surface of the newly mounted fixed table and It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the fixed base, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed base by an overhang amount, and detects whether or not the fixed base is detected at the position. It is designed to check the suitability of the size of the fixed baseIt is characterized by that.
[0014]
According to said structure, a height measurement means measures the variation | change_quantity of the height in the feed direction of a fixed surface. And a control means controls the movement amount of a moving means based on the measurement result by a height measuring means. That is, the polishing means is moved in the direction perpendicular to the substrate by the moving means in accordance with the amount of change in height in the feed direction of the fixed surface.
[0015]
In other words, due to factors in the position below the fixed surface, such as unevenness of the fixed surface, mounting accuracy of the fixed table, entry of foreign matter between the lower surface of the fixed table and the mounting table, the side of the substrate to be chamfered, Even when the substrate is inclined in the vertical direction, the polishing means can be moved in accordance with the inclination, so that highly accurate chamfering can be performed. Further, as long as the fixing base is not exchanged, the height measuring means may be measured once.Further, when the fixed base is replaced, by detecting the fixed base, it is possible to eliminate contact and buffering between the polishing means and the fixed base.Therefore, it is possible to provide a substrate chamfering apparatus that can efficiently perform highly accurate chamfering on the side of the substrate.
[0016]
In order to solve the above problems, a substrate chamfering apparatus according to claim 2 of the present invention comprises a fixing base for fixing the substrate to the fixing surface, and a polishing means for polishing the sides of the substrate. In the substrate chamfering apparatus that chamfers the side by moving the means and the fixing base relative to each other in the feed direction, the polishing means moves in a direction perpendicular to the substrate, and the fixed means faces the moving means. And a height measurement means capable of relative movement with the fixed base in the feed direction, and a measurement result of the amount of variation in height in the feed direction of the substrate upper surface by the height measurement means. Control means for controlling the moving amount of the moving means based onThe height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction, and when replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to the fixed surface of the newly mounted fixed table and It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the fixed base, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed base by an overhang amount, and detects whether or not the fixed base is detected at the position. It is designed to check the suitability of the size of the fixed baseIt is characterized by that.
[0017]
According to said structure, a height measurement means measures the variation | change_quantity of the height in the feed direction of a board | substrate upper surface. And a control means controls the movement amount of a moving means based on the measurement result by a height measuring means. That is, the polishing means is moved in the direction perpendicular to the substrate by the moving means in accordance with the amount of height variation in the feed direction of the upper surface of the substrate.
[0018]
That is, uneven substrate thickness, irregularities on the upper surface of the substrate, irregularities on the lower surface of the substrate, entry of foreign matter between the fixed surface and the lower surface of the substrate, unevenness of the fixing surface, mounting accuracy of the fixing table, lower surface of the fixing table and its mounting table Even if the side of the substrate to be chamfered is inclined in the direction perpendicular to the substrate due to factors at a position below the upper surface of the substrate, such as the entry of foreign matter between The polishing means can be moved according to the inclination. Moreover, since the measurement by the height measuring means is performed for each substrate to be chamfered, highly accurate chamfering can be performed according to the inclination of the upper surface of each substrate. Furthermore, the amount of height fluctuation in the feeding direction in the vicinity of the side can be measured for each side of the upper surface of the substrate where chamfering is performed, as necessary.Also when replacing the fixed base In addition, by detecting the fixed base, it is possible to eliminate contact and buffering between the polishing means and the fixed base.Therefore, it is possible to provide a substrate chamfering apparatus that can efficiently perform highly accurate chamfering on the side of the substrate.
[0019]
In order to solve the above problems, a substrate chamfering apparatus according to a third aspect of the present invention includes a fixing base for fixing the substrate to the fixing surface, and a plurality of polishing means for polishing the sides of the substrate. In the substrate chamfering apparatus for chamfering the side by moving the polishing means and the fixing base relative to each other in the feeding direction, a plurality of the plurality of polishing means are independently moved in the vertical direction with respect to the substrate. And a height measuring means provided opposite to the fixed surface and capable of relative movement with the fixed base in the feed direction. Further, the upper surface of the substrate is fed by the height measuring means. Control means for independently controlling the amount of movement of the plurality of moving means based on the measurement result of the amount of fluctuation in height in the direction and the amount of fluctuation in height in the feed direction of the fixed surfaceThe height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction, and when replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to the fixed surface of the newly mounted fixed table and It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the fixed base, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed base by an overhang amount, and detects whether or not the fixed base is detected at the position. It is designed to check the suitability of the size of the fixed baseIt is characterized by that.
[0020]
For example, when chamfering the side of the upper surface of the substrate and chamfering the side of the lower surface at the same time, the side of the upper surface of the substrate and the side of the lower surface do not necessarily have the same inclination in the vertical direction. If chamfering is performed based on the inclination of the side, chamfering accuracy of the side that is not used as a reference may be reduced.
[0021]
However, according to the above configuration, the height measuring unit measures the amount of fluctuation in height in the feed direction of the fixed surface, and further measures the amount of fluctuation in height in the feed direction of the upper surface of the substrate. And a control means controls the moving amount | distance of a certain moving means based on the measurement result of the fluctuation amount of the height in the feed direction of a fixed surface. At the same time, the control means controls the movement amount of the other movement means based on the measurement result of the height fluctuation amount in the feeding direction of the upper surface of the substrate.
[0022]
That is, some of the polishing means are moved in a direction perpendicular to the substrate by a moving means according to the amount of variation in the height of the fixed surface in the feed direction. The other moving means moves the substrate in the vertical direction with respect to the substrate in accordance with the amount of height variation in the feeding direction of the substrate upper surface.Further, when the fixed base is replaced, by detecting the fixed base, it is possible to eliminate contact and buffering between the polishing means and the fixed base.Therefore, it is possible to provide a substrate chamfering apparatus that can finely correct the position of the polishing means according to each side to be chamfered and can efficiently perform highly accurate chamfering on the side of the substrate. it can.
[0023]
For example, the chamfering of the side of the lower surface of the substrate that is in contact with the fixed surface is performed by a polishing means that is moved according to the amount of variation in the height in the feed direction of the fixed surface, while the chamfering of the side of the upper surface of the substrate is performed. If the polishing is performed according to the amount of fluctuation of the height in the feed direction of the upper surface of the substrate, it is possible to realize highly accurate chamfering according to the inclination of each side.
[0024]
Further, when the chamfering of one side of the upper surface of the upper substrate and the chamfering of one side of the lower surface of the lower substrate of the pair of substrates forming the liquid crystal cell are performed at the same time, for example, it exists between the upper substrate and the lower substrate. The inclination between two sides where chamfering is performed may be greatly different due to uneven thickness of the sealing material layer. However, as described above, chamfering of one side of the lower surface of the lower substrate is performed by polishing means that is moved according to the amount of variation in height in the feed direction of the fixed surface, while chamfering of one side of the upper surface of the upper substrate is performed. If the polishing is performed according to the amount of variation in the height of the upper surface of the substrate in the feed direction, highly accurate chamfering according to the inclination of each side can be realized.
[0025]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate chamfering apparatus according to the second or third aspect, wherein the height measuring means is forward of the polishing means in the feed direction. The movement amount of the moving means is controlled by the control means in parallel with the measurement of the amount of fluctuation in height in the feeding direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means.
[0026]
According to said structure, the measurement of the amount of height fluctuations in the feed direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means and the control of the moving amount of the moving means by the control means can be performed simultaneously. Therefore, since the time required for the chamfering operation can be shortened, it is possible to provide a substrate chamfering apparatus that can efficiently perform chamfering with high accuracy on the side of the substrate.
[0027]
In order to solve the above-described problem, a substrate chamfering apparatus according to claim 5 of the present invention has the configuration according to any one of claims 1 to 4,The amount of overhang is constant and is 5 to 15 mm.It is characterized by that.
[0028]
According to the above configuration,Chamfering accuracy can be increasedThere is an effect.
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9 as follows. Note that the present invention is not limited thereby. The substrate chamfering apparatus according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, adsorbs a liquid crystal cell 11 having a pair of glass substrates (substrates) 11a and 11b to be chamfered to its fixed surface 12c. A suction stage (fixing stage) 12 for fixing, a feed shaft 12a for feeding the suction stage 12 in a direction (feeding direction) in which chamfering is performed, and a turning shaft 12b for turning the suction stage 12 in the horizontal direction are provided. ing. In addition, a pair of CCD cameras 13 a and 13 b for confirming the position of the liquid crystal cell 11 sucked and fixed to the suction stage 12 is provided above the suction stage 12.
[0030]
On the other hand, on the diagonally upper side of the suction stage 12, a grinder (polishing means) 14 having an upper surface grindstone 14a is provided on the fixed plate 23a, and the lower surface grindstone 14b is disposed on the fixed plate 23b. A provided polishing machine (polishing means) 14 is provided. Further, a height detector (height measuring means) 15 for measuring the height of the upper surface of the glass substrate 11a to be chamfered and / or the height of the fixing surface 12c is fixed on the fixing plate 23a. It is provided to face the surface 12c.
[0031]
The fixed plate 23a is provided with a control shaft (moving means) 16a for sending the fixed plate 23a in the vertical direction and a control shaft 16b for sending the fixed plate 23a in the left-right direction (width direction described later). It has been. The fixed plate 23b is provided with a control shaft (moving means) 17a for sending the fixed plate 23b in the vertical direction and a control shaft 17b for sending the fixed plate 23b in the left-right direction.
[0032]
In addition, the substrate chamfering apparatus according to the present embodiment processes images captured by the CCD cameras 13a and 13b, and based on this processing, the upper surface grindstone 14a, the lower surface grindstone 14b and the suction stage 12 are relative to each other. Based on the measurement results of the alignment image processing unit 18 and the height detector 15 for outputting a signal for correct position correction, correction of the relative positions of the upper surface grindstone 14a, the lower surface grindstone 14b and the suction stage 12 is performed. Therefore, based on the output from the calculator 19 that performs a predetermined calculation, the alignment image processing unit 18, and the output from the calculator 19, the feed axis / turn axis motor controller 21 and the grindstone position motor controller 22 are controlled. And a main control unit 20 that outputs a signal. The feed axis / swivel axis motor controller 21 controls the operation of the feed axis 12a / slew axis 12b provided in the suction stage 12, and the grindstone position motor controller 22 is for the upper surface through the control axes 16a, 16b. The position of the grindstone 14a is controlled through the control shafts 17a and 17b. In some cases, the calculator 19 can be omitted.
[0033]
Next, the main part of the substrate chamfering apparatus and the liquid crystal cell 11 to be chamfered will be described in more detail. The suction stage 12 has a suction hole 24 in a part of the flat fixed surface 12c. The liquid crystal cell 11 is suctioned and fixed to the fixed surface 12c by evacuating the internal space of the suction hole 24. In addition, the fixing method to the fixing surface 12c of the liquid crystal cell 11 is not restricted to this. The fixed surface 12 c of the suction stage 12 is designed so that both the width dimension and the length dimension are smaller than the liquid crystal cell 11. Further, the suction stage 12 is installed so as to be able to freely rotate 360 ° in the horizontal direction by the operation of the turning shaft 12b, and is further installed to be movable in the feeding direction by the operation of the feed shaft 12a. In addition, although demonstrated below, the size of the adsorption | suction stage 12 is not specifically limited, It is preferable to change according to the size of the glass substrate in which chamfering is performed.
[0034]
The pair of grinders 14 and 14 respectively have a control shaft 16a17aIt is installed so that it can move in the vertical direction (ie, perpendicular to the substrate) by the operation of16b-It is installed so as to be movable in the left-right direction (width direction described later) by the operation of 17b. Further, the upper grindstone 14a and the lower grindstone 14b, which are pivotally supported, are provided at the tips of the grinders 14 and 14, respectively, and rotate at a predetermined speed to chamfer a predetermined position of the liquid crystal cell 11. The lower surface grindstone 14b is disposed so as to be forward in the feed direction with respect to the upper surface grindstone 14a, but the disposition relationship is not particularly limited. The material of the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b is particularly limited as long as the polished surface has a hardness equal to or higher than the hardness of the glass substrates 11a and 11b to be chamfered. Instead, for example, a material in which diamond grains are arranged on the polished surface can be mentioned. Further, the mounting angle of each of the grinders 14 and 14 with respect to the fixing plates 23a and 23b can be freely changed according to the angle of chamfering to be performed. In addition, it is not necessary to provide the polishing machine 14 in a pair in particular, and it is sufficient that at least one polishing machine 14 is provided. Further, the arrangement is not particularly limited, and for example, the liquid crystal cell 11 may be arranged so as to face each other.
[0035]
As shown in FIG. 2, the height detector 15 has a stylus 15a, abuts against the upper surface of an object to be measured by the stylus 15a (the suction stage 12 in FIG. 2), and the upper surface Is measured continuously or discontinuously, and the state is converted into an electrical quantity. Specifically, for example, the stylus 15a and the suction stage 12 are relatively moved at a constant speed, whereby the stylus 15a is moved up and down following the unevenness on the fixed surface 12c. Then, the vertical movement of the stylus 15a is transmitted to the displacement-electrical converter via a lever (not shown). This displacement-electrical conversion can be performed by a displacement-electrical converter such as a) a speed type represented by a moving coil type or a moving magnet type, and b) a displacement type using a differential transformer or the like. .
[0036]
The height detector 15 does not need to be fixed to the fixed plate 23 in particular, and may be fixed to another fixed plate so as to be movable in the vertical and horizontal directions. Further, the height detector 15 may be attached so as to be movable in the feed direction. In addition, it is desirable to reduce the measurement force (needle pressure) so that the surface of the measurement target (suction stage 12) is not scratched by the stylus 15a. Furthermore, a skid may be provided to cause the height detector 15 main body to follow the undulation or inclination of the surface to be measured.
[0037]
As the liquid crystal cell 11 to be chamfered, for example, 1) the glass substrates 11a and 11b are divided in order to bring out the liquid crystal injection holes, and 2) the glass substrates 11a and 11b in order to bring out electrode portions (not shown). 3) Those having glass substrates 11a and 11b having sides to be chamfered, such as individual liquid crystal cells 11 separated from a multi-chamfered substrate. There is no particular limitation. At both ends in the width direction of the lower glass substrate 11b forming the liquid crystal cell 11 (that is, the direction parallel to the fixed surface 12c and perpendicular to the feed direction), the upper surface grindstone 14a, the lower surface grindstone 14b, and the suction stage 12 are disposed. Alignment marks 22a and 22b used for relative position correction. The shape, number of arrangement, and arrangement position of the alignment mark are not particularly limited. For example, if there is an alignment mark for bonding the glass substrates 11a and 11b, this may be substituted. Is possible. Unless otherwise specified, the “substrate lower surface” of the liquid crystal cell 11 refers to the lower surface of the glass substrate 11b in contact with the fixed surface 12c, and the “substrate upper surface” refers to the glass substrate 11a. It shall refer to the upper surface of.
[0038]
Next, the operation of the substrate chamfering apparatus according to the embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. 1 and FIGS. 3 to 9.
[0039]
As shown in FIG. 1, a liquid crystal cell 11 in the middle of manufacturing a liquid crystal display, which is a typical thin display device, is sucked in a suction hole 24 after being transported from the outside onto a fixed surface 12 c of a suction stage 12. And fixed on the fixing surface 12c.
[0040]
Subsequently, the alignment marks 22 a and 22 b on the liquid crystal cell 11 are imaged by the pair of CCD cameras 13 a and 13 b provided above the suction stage 12. The images captured by the CCD cameras 13a and 13b are sent to the alignment image processing unit 18 and then processed there. Based on this processing, the upper surface grindstone 14a, the lower surface grindstone 14b and the suction stage 12 are relative to each other. A signal for position correction is output to the main controller 20. Based on the signal, the main control unit 20 outputs a control signal to the feed axis / slewing axis motor controller 21, and the operation of the feed axis 12a and the turning axis 12b based on the control signal causes the position of the liquid crystal cell 11 to be Correct the position. As will be described later, the position correction of the liquid crystal cell 11 in the width direction is relatively performed by the movement of the polishers 14 and 14 in the width direction.
[0041]
Next, in the vicinity of the chamfering of the upper surface of the liquid crystal cell 11, that is, on one side extending in the feeding direction of the upper surface of the glass substrate 11 a, measurement of the amount of fluctuation in height represented by the levelness, undulation, height and shape of the unevenness Is done. As described above with respect to the height detector 15, this measurement is performed by feeding the suction stage 12 at a constant speed while the stylus 15a is in contact with one side extending in the feeding direction on the upper surface of the glass substrate 11a. The needle 15a is moved up and down following the unevenness on the one side. Then, the vertical movement of the stylus 15a is transmitted to the displacement-electrical converter via a lever (not shown). Then, the electrical measurement result is input to the calculator 19 and subjected to a predetermined calculation, and then stored as height information in a memory (not shown). FIG. 3 shows an example of the height information obtained in this way. The height information indicates that one side extending in the feed direction on the upper surface of the glass substrate 11a has an upward inclination with respect to the feed direction. It shows that.
[0042]
As a cause of the variation in height on one side extending in the feeding direction of the upper surface of the glass substrate 11a, specifically, for example, unevenness on the fixed surface 12c, non-uniformity of the cell thickness of the liquid crystal cell 11 (glass substrates 11a and 11b) Glass thickness unevenness, sealing material layer thickness unevenness (not shown), unevenness on the upper surface of the glass substrate 11a, unevenness on the lower surface of the glass substrate 11b, entry of foreign matter between the fixed surface 12c and the lower surface of the liquid crystal cell 11, For example, foreign matter can enter between the lower surface of the suction stage 12 and its mounting base.
[0043]
Prior to the chamfering operation, each of the grinders 14 and 14 is moved to a predetermined position according to the external shape of the liquid crystal cell 11, the thickness of the liquid crystal cell 11, the amount of chamfering applied, and the like. . That is, the main control unit 20 outputs a control signal to the grindstone position motor controller 22 in accordance with the outer shape of the liquid crystal cell 11, the thickness of the liquid crystal cell 11, the amount of chamfering applied, and the like, and based on the control signal. The grinders 14 and 14 are moved to their predetermined positions by the operations of the control shafts 16a and 16b and the operations of the control shafts 17a and 17b. When the position correction of the liquid crystal cell 11 in the width direction is necessary, the main control unit 20 outputs a control signal to the grindstone position motor controller 22 based on the signal output from the alignment image processing unit 18. The grinders 14 and 14 are moved together with the movement to the predetermined position by the operation of the control shaft 16b and the operation of the control shaft 17b based on the control signal. At this time, the polishing machines 14 and 14 are located away from the suction stage 12 in the forward direction of the feeding.
[0044]
Subsequently, the suction stage 12 that vacuum-sucks the liquid crystal cell 11 advances at a predetermined feed rate (50 mm / sec to 200 mm / sec) toward the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b that rotate at the predetermined speed. Then, polishing (chamfering) of the edge of the liquid crystal cell 11 is performed. In the present embodiment, the edges of the liquid crystal cell 11 to be chamfered are the side of the upper surface of the glass substrate 11a that contacts the upper surface grindstone 14a and the side of the lower surface of the glass substrate 11b that contacts the lower surface grindstone 14b. Point to two sides. The rotational speeds of the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b at this time are 3000 rpm to 20000 rpm. In addition, said feed speed and rotational speed are not specifically limited.
[0045]
At the time of the chamfering operation, the heights of the polishers 14 and 14 are corrected in small increments according to the height information stored in a memory (not shown). That is, the main control unit 20 outputs a control signal to the grindstone position motor controller 22 in accordance with the height information read from a memory (not shown). Then, by controlling the movement amount of the control shaft 16a and the movement amount of the control shaft 17a based on the control signal, the grinders 14 and 14 are moved up and down, respectively, and chamfering is performed with a constant chamfering amount. It can be carried out. Thereby, for example, as shown in FIG. 3, chamfering can be performed on a side having an inclination in the feeding direction as if the side is horizontal.
[0046]
On the other hand, as shown in FIG. 4, for example, when the upper side to be chamfered has a complicated inclination due to the nonuniformity of the cell thickness in each part of the liquid crystal cell 11, the side is horizontal. As shown in FIG. 5, the amount of chamfering is not constant, that is, only chamfering according to the horizontal accuracy of the side can be performed.
[0047]
However, the height detector 15 is used to measure the level, swell, unevenness height and shape of the vicinity of the chamfering of the upper surface of the liquid crystal cell 11, that is, one side extending in the feeding direction of the upper surface of the glass substrate 11a. Then, based on the obtained height information, a chamfering operation is performed while correcting the height of the grinders 14 and 14 (the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b) as shown in FIG. If chamfered, chamfering can be performed with a constant chamfering amount. Thus, for example, as shown in FIG. 4, even for a side having a complicated inclination in several steps in the feeding direction, as shown in FIG. It can be performed.
[0048]
Further, even if the chamfering operation is performed while correcting the heights of the grinders 14 and 14 (the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b) based on the height information obtained as described above, As shown in FIG. 8, the chamfer line of the liquid crystal cell 11 may be inclined in the same direction in both the glass substrate 11a and the glass substrate 11b. Such an inclination is derived from the horizontal displacement of the installation position of the liquid crystal cell 11. Therefore, in such a case, the swinging shaft 12b is operated based on the control signal output from the main control unit 20 to the feed shaft / turning shaft motor controller 21, and the suction stage 12 is turned in the horizontal direction by a desired angle. By performing position correction and registering this correction anew, accurate chamfering can be performed with a constant chamfering amount. Alternatively, the above problem can be addressed by correcting the positions of the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b.
[0049]
By the way, when chamfering both the upper and lower surfaces of the liquid crystal cell 11, that is, the side of the upper surface of the glass substrate 11a and the side of the lower surface of the glass substrate 11b as described above, the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b are adsorbed. In order to eliminate contact and buffering with the stage 12, the sides of the glass substrates 11 a and 11 b that are to be chamfered need to protrude (overhang) outward from the suction stage 12. Further, in order to increase the accuracy of chamfering, it is necessary to make the amount of overhang from the suction stage 12 of the glass substrates 11a and 11b constant. Therefore, if the size of the liquid crystal cell 11 to be chamfered (the size of the glass substrates 11a and 11b) is changed, the size of the suction stage 12 to be used also needs to be changed. An appropriate overhang amount varies depending on the design and size of the glass substrates 11a and 11b to be chamfered, but is approximately 5 to 15 mm.
[0050]
The work for changing the size of the suction stage 12 to be used, that is, the replacement work of the suction stage 12 to be used, requires high mounting reproducibility, but satisfies the accuracy of mounting reproducibility with respect to the recently required precision. Things are getting tougher. One reason for this is that, for example, when the suction stage 12 is replaced, foreign matter such as dust is caught between the suction stage mounting surface and the suction stage 12, and the suction stage 12 is tilted. Is mentioned. As shown in FIG. 9, when foreign matter such as dust is sandwiched between the suction stage mounting surface and the suction stage 12, the upper side to be chamfered has a complicated inclination. When the chamfering operation is performed on the assumption that is horizontal, the amount of chamfering is not constant. That is, the chamfering lines are inclined in opposite directions to each other in the glass substrate 11a and the glass substrate 11b, and only chamfering processing according to the horizontal accuracy of the side can be performed.
[0051]
However, if the substrate chamfering apparatus according to the embodiment of the present invention is used, the height of the upper side of the liquid crystal cells of different sizes sucked and fixed on the new suction stage after the suction stage 12 is replaced is increased. By performing chamfering based on the height information obtained by measurement with the height detector 15 (that is, while feeding back the measurement result), high-precision chamfering can be performed. In addition, since adjustment after the replacement of the suction stage 12 is simplified, it is possible to reduce the replacement time of the suction stage 12.
[0052]
In addition, since the above-described replacement operation of the suction stage 12 is performed directly by the operator, there is a possibility that the suction stage 12 may be mistakenly replaced with a suction stage of an inappropriate size. When the suction stage is replaced with an inappropriate size, for example, the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b are rotated by contact and buffering between the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b and the suction stage. The high-accuracy motor (not shown) and the suction stage itself are seriously damaged. In addition, since an appropriate overhang amount cannot be ensured, the accuracy of chamfering is reduced.
[0053]
In order to prevent the above problem, the height detector 15 indicates the height of a position several mm outside the outer periphery of the newly attached suction stage, for example, a position outside by the required overhang amount. By measuring using, it is possible to check the suitability of the size of the adsorption stage. That is, the height detector 15 performs a height detecting operation after being moved to a position assumed to be several mm outside the outer periphery of the newly attached suction stage. Here, if the newly attached suction stage is smaller than the assumed size, the stylus 15a provided in the height detector 15 does not come into contact with the suction stage. Therefore, the height detector 15 does not detect the height near the height of the suction stage. If the newly attached suction stage exceeds the assumed size, but the excess amount is less than the overhang amount, the height detector 15 again determines the height near the height of the suction stage. There is no detection. On the other hand, if the newly attached suction stage exceeds the assumed size by the overhang amount or more, the stylus 15a contacts the suction stage. Therefore, the height detector 15 detects the height near the height of the suction stage. When the height detector 15 detects the height in the vicinity of the height of the suction stage, contact / buffering of the upper surface grindstone 14a, the lower surface grindstone 14b, and the suction stage occurs.
[0054]
By checking the suitability of the size at all times when the suction stage 12 is replaced, in the substrate chamfering apparatus according to the present embodiment, the above is caused by replacing the suction stage with an inappropriate size. The problem can be easily avoided. Note that the position a few mm outside the outer periphery of the suction stage does not necessarily mean a position outside the outer periphery of the suction stage by the amount of overhang, but is parallel to the fixed surface and the position of the suction stage. It may be on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction, and further outside the outer periphery of the suction stage.
[0055]
The method for checking the suitability of the size of the suction stage is not particularly limited to the above method. For example, specifically, the height detector 15 detects the amount of change in the height of the fixed surface in the width direction, thereby detecting the positions of both ends of the fixed surface in the width direction, and subsequently detecting the position. Based on the result, the width dimension of the fixed surface may be determined, and the suitability of the size of the newly attached suction stage may be determined. That is, the height detector 15 has a function as a length measuring unit in addition to a function as a height measuring unit.
[0056]
The type of length measuring means is not particularly limited as long as the length in the width direction of the suction stage can be measured directly or indirectly. For example, a conventionally known image sensor or photo sensor may be used.
[0057]
In addition, when chamfering is performed on any side extending in the width direction of the liquid crystal cell 11, the suction stage 12 may be rotated by 90 ° in the horizontal direction. By this turning, the side can be made parallel to the feed direction.
[0058]
In the above embodiment, the edge of the liquid crystal cell 11 to be chamfered is the side of the upper surface of the glass substrate 11a that comes into contact with the upper surface grindstone 14a and the side of the lower surface of the glass substrate 11b that comes into contact with the lower surface grindstone 14b. However, it is not particularly limited to these sides. For example, specifically, the upper and lower sides of the glass substrate 11a forming the liquid crystal cell 11 may be used, or the upper and lower sides of the glass substrate 11b may be used. In some cases, the upper and lower sides of the glass substrate 11a or the upper and lower sides of the glass substrate 11b before the assembly as the liquid crystal cell 11 may be chamfered. When a single glass substrate such as the glass substrate 11a or the glass substrate 11b is handled, the lower surface of the glass substrate fits into the fixing surface 12c of the fixing table 12 by vacuum suction and has the same inclination as the fixing surface 12c. Therefore, as long as there is little variation in the thickness of the glass substrate, the sides of the upper and lower surfaces of the glass substrate are accurately chamfered based on the measurement result of the amount of change in the height of the fixed surface 12c. It is possible.
[0059]
In the above embodiment, based on one piece of height information, that is, height information obtained by measuring a variation in height near one side of the upper surface of the glass substrate 11a to be chamfered, Although it was the structure which correct | amends similarly the height of a pair of grinder 14 * 14 (the upper surface grindstone 14a and the lower surface grindstone 14b), it is not specifically limited to this, A fixed surface depending on the case A configuration may be adopted in which the heights of the pair of polishers 14 and 14 are similarly corrected based on the variation in the height of 12c. With this configuration, the height of the pair of polishers 14 and 14 can be corrected based on the same height information as long as the suction stage 12 is not exchanged. Can be done efficiently.
[0060]
Further, for example, the height of the upper surface grindstone 14a is corrected based on the variation in the height of one side of the upper surface of the glass substrate 11a to be chamfered, while the lower surface grindstone is based on the variation in the height of the fixed surface 12c. It can also be set as the structure which correct | amends the height of 14b. With such a configuration, one side of the upper surface of the glass substrate 11a chamfered by the upper grindstone 14a is not parallel to one side of the lower surface of the glass substrate 11b chamfered by the lower grindstone 14b. However, it is possible to perform chamfering with high accuracy. In addition, when setting it as this structure, you may provide multiple height detectors 15 as needed. Furthermore, you may provide the conversion means which converts the height information of the fixed surface 12c according to the shape of the lower surface of the glass substrate 11b adsorbed and fixed.
[0061]
Furthermore, in the above-described embodiment, the height detector 15 and the polishing device 14 are fixed on the same fixing plate 23a. However, the present invention is not particularly limited to this. For example, specifically, the height detector 15 can be configured to be independently installed on another fixed plate disposed forward in the feed direction with respect to the fixed plate 23b. According to this configuration, the height detector 15 can detect the fluctuation in the height of the upper surface of the glass substrate 11a in advance, and can move the polishers 14 and 14 based on the height information derived as a result. That is, it is possible to simultaneously detect height fluctuation and chamfering.
[0062]
【The invention's effect】
The substrate chamfering apparatus according to claim 1 of the present invention includes the fixing base for fixing the substrate on the fixing surface and the polishing means for polishing the sides of the substrate as described above. In the substrate chamfering apparatus for chamfering the side by moving the table relative to the feed direction, the polishing means is provided facing the fixed surface and the moving means for moving the polishing means in the direction perpendicular to the substrate. A height measuring means capable of relative movement with the fixed base in the feed direction, and further, based on the measurement result of the amount of variation in height in the feed direction of the fixed surface by the height measuring means. A control means for controlling the moving amount of the moving means;The height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction, and when replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to the fixed surface of the newly mounted fixed table and It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the fixed base, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed base by an overhang amount, and detects whether or not the fixed base is detected at the position. It is designed to check the suitability of the size of the fixed baseIt is a configuration.
[0063]
According to the above configuration, chamfering is performed due to factors at a position below the fixed surface, such as unevenness of the fixed surface, mounting accuracy of the fixed table, and entry of foreign matter between the lower surface of the fixed table and the mounting table. Even when the substrate is tilted in the direction perpendicular to the substrate, the polishing means can be moved in accordance with the tilt, so that highly accurate chamfering can be performed. Further, as long as the fixing base is not exchanged, the height measuring means may be measured once.Further, when the fixed base is replaced, by detecting the fixed base, it is possible to eliminate contact and buffering between the polishing means and the fixed base.Therefore, there is an effect that it is possible to provide a substrate chamfering apparatus capable of efficiently performing highly accurate chamfering on the side of the substrate.
[0064]
As described above, the substrate chamfering apparatus according to the present invention includes the fixing base for fixing the substrate to the fixing surface thereof and the polishing means for polishing the sides of the substrate, and the polishing means and the fixing base. In the substrate chamfering apparatus that chamfers the side by relative movement in the feed direction, the polishing means is provided opposite to the fixed surface and the moving means for moving the polishing means in the direction perpendicular to the substrate, A height measuring means capable of relative movement with the fixed base in the feeding direction, and further, based on the measurement result of the amount of variation in height in the feeding direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means, Provided with control means for controlling the moving amount of the moving meansThe height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction, and when replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to the fixed surface of the newly mounted fixed table and It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the fixed base, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed base by an overhang amount, and detects whether or not the fixed base is detected at the position. It is designed to check the suitability of the size of the fixed baseIt is a configuration.
[0065]
According to the above configuration, unevenness of the substrate thickness, unevenness of the upper surface of the substrate, unevenness of the lower surface of the substrate, entry of foreign matter between the fixed surface and the lower surface of the substrate, unevenness of the fixing surface, mounting accuracy of the fixing table, fixing table When the side of the substrate to be chamfered is tilted in the direction perpendicular to the substrate due to factors in the position below the substrate top surface, such as entry of foreign matter between the bottom surface and the mounting base. Even if it exists, a grinding | polishing means can be moved according to this inclination. Moreover, since the measurement by the height measuring means is performed for each substrate to be chamfered, highly accurate chamfering can be performed according to the inclination of the upper surface of each substrate. Furthermore, the amount of height fluctuation in the feeding direction in the vicinity of the side can be measured for each side of the upper surface of the substrate where chamfering is performed, as necessary.Further, when the fixed base is replaced, by detecting the fixed base, it is possible to eliminate contact and buffering between the polishing means and the fixed base.Therefore, there is an effect that it is possible to provide a substrate chamfering apparatus capable of efficiently performing highly accurate chamfering on the side of the substrate.
[0066]
The substrate chamfering apparatus according to claim 3 of the present invention includes, as described above, a fixing base for fixing the substrate to the fixing surface thereof, and a plurality of polishing means for polishing the sides of the substrate. In the substrate chamfering apparatus for chamfering the side by moving the fixed base relative to the feed direction, a plurality of moving means for moving each of the plurality of polishing means independently in a direction perpendicular to the substrate; A height measuring means provided opposite to the fixed surface and capable of relative movement with the fixed base in the feed direction, and the height in the feed direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means. Control means for independently controlling the movement amounts of the plurality of movement means based on the measurement results of the fluctuation amount of the height and the fluctuation amount of the height in the feed direction of the fixed surfaceThe height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction, and when replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to the fixed surface of the newly mounted fixed table and It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the fixed base, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed base by an overhang amount, and detects whether or not the fixed base is detected at the position. It is designed to check the suitability of the size of the fixed baseIt is a configuration.
[0067]
According to the above configuration, the height measuring unit measures the amount of fluctuation in height in the feed direction of the fixed surface, and further measures the amount of fluctuation in height in the feed direction of the upper surface of the substrate. And a control means controls the moving amount | distance of a certain moving means based on the measurement result of the fluctuation amount of the height in the feed direction of a fixed surface. At the same time, the control means controls the movement amount of the other movement means based on the measurement result of the height fluctuation amount in the feeding direction of the upper surface of the substrate.
[0068]
That is, some of the polishing means are moved in a direction perpendicular to the substrate by a moving means according to the amount of variation in the height of the fixed surface in the feed direction. The other moving means moves the substrate in the vertical direction with respect to the substrate in accordance with the amount of height variation in the feeding direction of the substrate upper surface.Further, when the fixed base is replaced, by detecting the fixed base, it is possible to eliminate contact and buffering between the polishing means and the fixed base.Therefore, it is possible to provide a substrate chamfering apparatus that can finely correct the position of the polishing means according to each side to be chamfered and can efficiently perform highly accurate chamfering on the side of the substrate. There is an effect that can be done.
[0069]
As described above, the substrate chamfering apparatus according to claim 4 of the present invention is the structure according to claim 2 or 3, wherein the height measuring means is provided forward in the feed direction with respect to the polishing means. The movement amount of the moving means is controlled by the control means in parallel with the measurement of the amount of variation in height in the feed direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means.
[0070]
According to said structure, the measurement of the amount of height fluctuations in the feed direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means and the control of the moving amount of the moving means by the control means can be performed simultaneously. Therefore, since the time required for the chamfering operation can be shortened, the effect of providing a substrate chamfering apparatus capable of efficiently performing high-precision chamfering on the side of the substrate can be provided. This is in addition to the effect of the configuration according to item 3.
[0071]
As described above, the substrate chamfering apparatus according to claim 5 of the present invention has the configuration according to any one of claims 1 to 4,The amount of overhang is constant and is 5 to 15 mm.It is a configuration.
[0072]
According to the above configuration,There is an effect that the accuracy of chamfering can be increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a configuration of a substrate chamfering apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic side view showing a configuration of a height detector provided in the substrate chamfering apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 shows height information along the feeding direction in the vicinity of the chamfering of the upper surface of the liquid crystal cell, that is, the height measurement position and the relative height of the liquid crystal cell upper surface at the measurement position in the feeding direction. It is a graph which shows an example of a continuous relationship.
FIG. 4 is a graph showing another example of height information in the vicinity of the chamfering of the upper surface of the liquid crystal cell along the feeding direction.
5 is a diagram illustrating a case where chamfering of one side on the upper surface and chamfering of one side on the lower surface of the liquid crystal cell having height information illustrated in FIG. 4 is performed without performing correction based on the height information. It is a schematic plan view showing a chamfer line.
6 is a graph showing a continuous relationship in the feed direction between the grinding wheel height and the chamfering position when the grinding wheel position is corrected based on the height information shown in FIG. 4;
7 is a schematic plan view showing a chamfer line when the correction shown in FIG. 6 is performed in the liquid crystal cell having the height information shown in FIG.
FIG. 8 is a schematic plan view showing an example in which the chamfer line is inclined in the same direction on the upper surface and the lower surface of the liquid crystal cell.
FIG. 9 is a graph showing still another example of height information in the vicinity of the chamfering of the upper surface of the liquid crystal cell along the feeding direction.
FIG. 10 is a schematic perspective view showing a configuration of a conventional substrate chamfering apparatus.
FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining a chamfering operation of a conventional substrate chamfering apparatus.
12 is a schematic diagram showing an example of a chamfer line when chamfering one side on the upper surface and one side on the lower surface of the glass substrate using the conventional substrate chamfering apparatus shown in FIG. It is a perspective view.
13 is a schematic plan view of the glass substrate shown in FIG.
14 is a diagram illustrating a method of correcting the position of the glass substrate shown in FIG. 12 by swiveling in the horizontal direction, and then using the conventional substrate chamfering apparatus shown in FIG. It is a schematic perspective view which shows an example of a chamfering line at the time of implementing chamfering and chamfering of the one side on a lower surface.
15 is a schematic plan view of the glass substrate shown in FIG.
[Explanation of symbols]
11a Glass substrate (substrate)
11b Glass substrate (substrate)
12 Suction stage (fixed stage)
12c fixed surface
14 Polisher (polishing means)
15 Height detector (height measuring means, length measuring means)
16a Control axis (moving means)
17a Control axis (moving means)
20 Main control unit (control means)

Claims

A fixing base for fixing the substrate on the fixing surface;
A polishing means for polishing the side of the substrate,
In the substrate chamfering apparatus for chamfering the side by moving the polishing means and the fixed base relative to each other in the feed direction,
Moving means for moving the polishing means in a direction perpendicular to the substrate;
A height measuring means provided facing the fixed surface and capable of relative movement with the fixed base in the feed direction;
Furthermore, based on the measurement result of the amount of fluctuation in height in the feed direction of the fixed surface by the height measuring means, a control means for controlling the moving amount of the moving means is provided ,
The height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction. When replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to and fixed to the fixed surface of the newly installed fixed table. It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the table, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed table by the overhang amount, and determines whether the fixed table is detected at the position. A substrate chamfering device characterized by checking the suitability of the size of the substrate.

A fixing base for fixing the substrate to the fixing surface;
A polishing means for polishing the side of the substrate,
In the substrate chamfering apparatus for chamfering the side by moving the polishing means and the fixed base relative to each other in the feed direction,
Moving means for moving the polishing means in a direction perpendicular to the substrate;
A height measuring means provided facing the fixed surface and capable of relative movement with the fixed base in the feed direction;
Furthermore, based on the measurement result of the amount of variation in height in the feed direction of the substrate upper surface by the height measuring means, a control means for controlling the moving amount of the moving means is provided ,
The height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction. When replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to and fixed to the fixed surface of the newly installed fixed table. It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the table, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed table by the overhang amount, and determines whether the fixed table is detected at the position. A substrate chamfering device characterized by checking the suitability of the size of the substrate.

A fixing base for fixing the substrate to the fixing surface;
A plurality of polishing means for polishing the sides of the substrate,
In the substrate chamfering apparatus for chamfering the side by moving the polishing means and the fixed base relative to each other in the feed direction,
A plurality of moving means for independently moving each of the plurality of polishing means in a direction perpendicular to the substrate;
A height measuring means provided facing the fixed surface and capable of relative movement with the fixed base in the feed direction;
Further, the movement amounts of the plurality of moving means are independently determined based on the measurement results of the height fluctuation amount in the feed direction of the substrate upper surface and the height fluctuation amount in the feed direction of the fixed surface by the height measuring means. Control means to control ,
The height measuring means is provided so as to be movable in a direction parallel to the fixed surface and perpendicular to the feed direction. When replacing the fixed table, the height measuring means is parallel to and fixed to the fixed surface of the newly installed fixed table. It is on a straight line perpendicular to one side extending in the feed direction of the table, measures the height of the position outside the outer periphery of the fixed table by the overhang amount, and determines whether the fixed table is detected at the position. A substrate chamfering device characterized by checking the suitability of the size of the substrate.

The height measuring means is provided forward of the polishing means in the feed direction,
The amount of movement of the moving means by the control means is controlled in parallel with the measurement of the amount of fluctuation in height in the feed direction of the upper surface of the substrate by the height measuring means. Substrate chamfering device.

5. The substrate chamfering apparatus according to claim 1 , wherein the overhang amount is constant and is 5 to 15 mm .