JP3622468B2 - 単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばチョクラルスキー法による単結晶製造時の原料融液洩れの検知技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、結晶引上げ装置における原料融液洩れを検出するため、例えば特開昭62−275087号のような技術が提案されている。
この技術は、融液を収容するルツボと、このルツボを支持する導電性の支持体と、融液に接する種結晶を保持する導電性の吊持具を備えた結晶引上げ装置において、支持体と吊持具との間に常時電圧を負荷し、融液、ルツボを通して支持体と吊持具との間に流れる電流または抵抗の変化をとらえて、融液の漏出を検出するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記技術では、支持体と吊持具の間に常時電圧を負荷しているため、ルツボ中の重金属不純物が電位にそって移動し、これがためにルツボが変形したり、ルツボから不純物が融液中に溶出して単結晶の品質に悪影響を与える虞れが大きい等の不具合があった。
このような不具合を避けるためには引上げ装置を操作しているオペレータが、自ら定期的に炉内を観察し、目視によってルツボ内の融液量を判断せざるを得ない状態であるが、このようなオペレータに頼るやり方は対処が遅れがちになるという問題がある。
すなわち、オペレータが気付いた時には既に相当量の湯洩れが起きており、炉内部材の破損等が生じる上に、ヒータ電源が落とされていないために、シリコン融液が水冷チャンバにまで達し、水蒸気爆発等の事故を起こす危険がある。
【0004】
そこで本発明は、単結晶の品質低下等を招くことなく、単結晶製造中に融液の湯洩れが生じた場合は早期に検知することが出来、また既存の設備等を最大限に活用出来る湯洩れ検知システムの提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明は、単結晶引上げ装置のルツボ内から融液が湯洩れするのを検知するようにした検知システムにおいて、引上げられる単結晶と融液が接触する部分及びその周辺の融液面を撮像する視覚センサと、この画像を処理して湯洩れを検知する画像処理装置を設けた。
【0006】
ここで、単結晶と融液が接触する部分及びその周辺の融液面には、育成中の単結晶を囲むようにフュージョンリングと呼ばれる輝度の高いリング状の明部が発生し、単結晶と融液の接触が無くなるとフュージョンリングも無くなるため、視覚センサでこの輝度の高いフュージョンリングを撮像し、画像処理装置によって判断する。
ここで視覚センサには、CCD(電荷結合素子)、MOS(金属酸化膜半導体)等の半導体イメージセンサ、またはその他のTVカメラ等が適用出来る。
【0007】
また、前記ルツボを昇降手段によって上下動自在とし、またこの昇降手段を、視覚センサから融液面までの距離を一定に制御する制御手段によって駆動制御するようにした。
このようにルツボを上下動自在にして結晶が成長される融液面の位置を視覚センサで検知し易い位置にし、視覚センサから融液面までの距離を一定に制御すれば、視覚センサの検知精度が向上し、画像処理装置における誤判断等が抑制出来る。
【0008】
また、前記視覚センサを、単結晶の直径を制御するための視覚センサと共用するようにした。
ここで、単結晶の直径を制御するための視覚センサは、融液と接触する単結晶の結晶成長界面の撮像データを出力し、この出力信号が直径制御の1つの手段である単結晶引上げ速度の制御因子とされるが、結晶成長界面はフュージョンリングに近接しており、フュージョンリング位置を基準に単結晶の直径は検出されているため、単一の視覚センサで共用することが可能である。
またこのような直径制御用の視覚センサは、既存の単結晶引上げ装置で使用されているため、既存設備の最大活用が図られる。
【0009】
また、ルツボを支持するルツボ支持部材と、種結晶を保持し且つルツボの上部で上下動可能な単結晶引上げ部材との間に、交流または直流電圧を間欠的に印加する電圧印加手段と、ルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間の導電状態の変化を検知する導電変化検出手段を設けた。
【0010】
ここで、ルツボの材料として一般的に石英ルツボが使用されており、この石英ルツボは常温では絶縁体であるが、1000℃以上の高温になると導電性を帯びるようになる。このためこの性質を利用して、ルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間に電圧を印加すると、単結晶が融液に接触していればルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間が導電状態となり、単結晶が融液から離れると電流の流れが遮断される。そしてこの導電状態の変化を検知して湯洩れを判断する。
尚、前記特開昭62−275087号の場合は、ルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間に常時電圧を負荷しているため、ルツボが変形したり、ルツボから不純物が溶出したりして、結晶引上げを続行出来なくなったり、結晶品質の低下を招く虞れがあるが、本発明では、間欠的に電圧を印加するため、かかる不具合がない。
特に交流電圧を印加する場合には、ルツボ内の不純物は移動しないので、上記ルツボが変形したり、ルツボ内から不純物が溶出するといった問題を完全に解決することが出来る。
【0011】
また、前記電圧印加手段を、融液面初期位置調整システムの電圧印加手段と共用するようにした。
ここで、融液面初期位置調整システムの目的は、単結晶の直径を一定に制御するための視覚センサと融液面との当初の距離を一定に設定して撮像精度を高めるためであり、このための電圧印加手段は、融液面を初期位置に設定するため、種結晶を融液に接触させて導電状態になる時点を検出して融液面の現在位置を求め、この現在位置と初期基準位置との補正量を検出するために使用される(特公平5−59876号参照)。
また融液面初期位置調整システムの電圧印加手段は、既存の単結晶引上げ装置で使用されているため、既存設備の最大活用が図られる。
【0012】
また、前記の湯洩れ検知用の視覚センサと、前記の湯洩れ検知用の電圧印加手段とを組み合わせるようにした。
このように両者を組合わせれば、一層正確な検知が可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について添付した図面に基づき説明する。
ここで図1は本発明に係る単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システムのシステム構成図、図2は単結晶引上げ装置の融液面初期位置調整システムのシステム構成図である。
【0014】
本発明に係る単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム1は、例えばシリコン単結晶をチョクラルスキー法で製造する際、シリコン融液が洩出するのを早期に検知して、必要な対処を講じることが出来るようにしたものであり、その基本的構成は図1に示す通りであるが、本実施形態では図2に示す融液面初期位置調整システム2と組合わせて、有効性を一層高めるようにしている。
因みに、図2の融液面初期位置調整システム2は、本出願人の出願に係る公知の特公平5−59876号の技術内容であり、このように図1と図2に分けて示したのは説明を簡単にするためである。
【0015】
単結晶引上げ装置は、図1に示すように、石英ルツボ3内に収容されるシリコン融液4に、種結晶5を接触させて単結晶6を育成しつつ引上げることが出来るようにされ、前記石英ルツボ3は、グラファイトルツボ7で保持されるとともに、このグラファイトルツボ7の周囲には、ポリシリコンを加熱溶融せしめてシリコン融液4とするヒータ8が配設されている。
そして前記グラファイトルツボ7は、ルツボ支持部材であるルツボ支持軸10によって支持され、このルツボ支持軸10は軸受11によって軸支されている。
【0016】
一方、前記種結晶5は、単結晶引上げ部材であるワイヤ12の下端部の種ホルダ13によって保持されており、前記ワイヤ12の上端部は、モータ14の駆動によって回転自在なドラム15に巻き付けられ、ドラム15の回転によって上下動自在にされている。
【0017】
そしてドラム15を支持するベース16と種結晶5の間、及び前記グラファイトルツボ7と軸受11の間は電気的導通が図られている。
【0018】
このような単結晶引上げ装置において、本湯洩れ検知システム1は、主として湯洩れを視覚センサで検知する第1検知手段17と、電気的導通で検知する第2検知手段18を備えている。
【0019】
すなわち、第1検知手段17は、単結晶6とシリコン融液4が接触する部分及びその周辺(結晶成長界面近傍)のシリコン融液面4Hに生じるリング状の輝度の高いフュージョンリングを撮像するCCDカメラ20と、この画像を処理する画像処理装置21を備え、フュージョンリングが消えた時は、湯洩れ検知用コントローラ22を通じて異常と判断して警報器27から警報を発するとともに、ヒータ用電源23を自動的にオフにするようにしている。
尚、このCCDカメラ20は、後述する融液面初期位置調整システム2の直径制御用のCCDカメラ34と同様な構成により、シリコン融液面4Hとの間隔を一定に保持し得るようにして、両システムを共用するようにしても良い。
【0020】
また、第2検知手段18は、一方側の出力端子が前記ベース16に接続され、また他方側の出力端子が抵抗器25を介して前記軸受11に接続される電圧印加手段としての直流または交流の電源24と、この電源24から供給される基準電圧V0 、及び種結晶5をシリコン融液4に接触させた際に抵抗器25の端子に生じる電圧Vを比較する導電変化検出手段(電位差変化検出手段)としての比較器26を備えている。
ここで、石英ルツボ3は常温では絶縁体であるが、1000℃以上の高温になると導電性を帯びるようになるため、シリコン融液(1420℃以上)4に種結晶5を接触させると、ベース16と軸受11間が導通状態となる。
【0021】
また、前記比較器26に供給される基準電圧V0 は、発生電圧Vより小さい値に設定され、V0 <Vとされている。
すなわち、各種条件を変えて、単結晶6とシリコン融液4が接触している時の発生電圧Vを多数実測し、接触中は常にV0 <Vが成立するような基準電圧V0 を求め、この基準電圧V0 を基準にして導電変化(電位差の変化)を検出するようにしている。
【0022】
そしてこの比較器26の出力信号を湯洩れ検知用コントローラ22に送り、湯洩れが生じてV0 >Vとなった場合は、比較器26の出力信号が切換って湯洩れ検知用コントローラ22、警報器27を通じて警報を発するとともに、ヒータ用電源23を自動的にオフにするようにしている。
【0023】
また電源24から電圧を印加する際、本発明では間欠的に行うことで、石英ルツボ3の変形防止、及び石英ルツボ3からの不純物の溶出等を防止している。
因みに、実施形態では20Vの交流を10秒間隔で500msec印加するようにしている。
【0024】
以上のような湯洩れ検知システム1において、石英ルツボ3に穴があいたり破損等によってシリコン融液4が漏出すると、第1検知手段17ではCCDカメラ20の撮像によってフュージョンリングの消失が検知されて湯洩れの対処がなされ、また第2検知手段18では比較器26の出力信号の切換りによって湯洩れの対処がなされる。
勿論、これら第1、第2検知手段17、18はいずれか一方側だけでも良いが、両者を併用することで、一層確実な湯洩れ検知が可能である。
【0025】
次に、融液面初期位置調整システム2の概要について、図2に基づき説明する。
尚、図2では、ヒータ8等の一部について図示を省略している。
この融液初期位置調整システム2は、前記湯洩れ検知システム1の電源24、抵抗器25、比較器26等の構成と同様に構成される電源30、抵抗器31、比較器32の他、前記ルツボ支持軸10を上下動させるためのモータ33と、単結晶の直径を制御するためのCCDカメラ34と、種結晶5の基準位置を光学的に検出する基準位置検出器35を備えており、基準位置検出器35とシリコン融液面4Hとの距離Hを一定に調整することで、CCDカメラ34とシリコン融液面4Hとの初期間隔Lを一定にセット出来るようにしている。
【0026】
すなわち、ルツボ支持軸10移動用のモータ33の近傍には、ルツボ支持軸10の下限位置を検出する下限位置検出器36と、ルツボ支持軸10の上下方向の移動量に比例してパルスを出力するパルスジェネレータ37が設けられる一方、前記ワイヤ12が巻き付けられるドラム15の回転軸には、ドラム15の正・逆方向の回転量に比例してパルスを発生するパルスジェネレータ38と、このパルスをカウントするカウンタ40が設けられており、このカウンタ40の出力と前記ルツボ支持軸10側のパルスジェネレータ37の出力は、コントローラ41に送られて処理されるようになっている。
【0027】
このような構成の融液面初期位置調整システム2において、最初に種結晶5を接触させて単結晶を育成させる時のシリコン融液面4HとCCDカメラ34との初期間隔Lを一定に調整するため、まず種結晶5を下降させる途中で基準位置検出器35により種結晶5の通過時点を検出し、この時点から種結晶5がシリコン融液面4Hに接触する時点(ベース16と軸受11間が導通状態になることで検知可能)までの距離をパルスジェネレータ38のパルスで検出する。
そしてこの距離Hから、CCDカメラ34とシリコン融液面4Hの間隔Lを基準値に設定するための補正量を求める。
【0028】
そしてこの補正は、ルツボ支持軸10をモータ33で上下動させることで行い、また補正量のコントールはパルスジェネレータ37で行う。
尚、以上のような調整により、シリコン融液面4Hの初期位置を所望の位置に調整するが、単結晶引上げ中は、例えば結晶直径、引上げ速度等から計算で求められる移動速度でルツボ支持軸10を移動させ、CCDカメラ34とシリコン融液面4Hの間隔Lを一定に保つよう図る。
因みに、このような融液面初期位置調整システム2は、従来の設備に既に適用されているものである。
【0029】
ところで、以上のような融液面初期位置調整システム2と前記湯洩れ検知システム1を組合わせる場合、電圧印加手段としての電源30、24等とか、CCDカメラ34、20とか、コントローラ41、22等を共用することによって、既存の設備を最大限に活用した構成が簡素に出来る。
但し、電源30、24等を共用する場合は、シリコン融液面4Hの初期位置を調整する時だけは、間欠的な電圧の印加でなく、継続的に電圧を印加しておくよう制御する必要があるが、この時間は短時間であるため特に問題はないし、前述のように交流電圧を用いれば問題はない。
【0030】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば融液はシリコン融液以外の場合でも適用出来、また単結晶引上げ部材はシャフト等のワイヤ方式以外でも良い。
【0031】
【発明の効果】
以上のように本発明は、単結晶引上げ装置のルツボ内から融液が湯洩れするのを検知するため、引上げられる単結晶と融液が接触する部分及びその周辺の融液面を撮像する視覚センサと、この画像を処理して湯洩れを検知する画像処理装置を設けたため、フュージョンリング等を利用して迅速に湯洩れを検知することが出来る。
また、ルツボを昇降手段によって上下動自在にするとともに、制御手段によって視覚センサから融液面までの距離を一定に制御すれば、視覚センサの検知精度が向上し、画像処理装置における誤判断等が抑制出来る。
そして、この視覚センサを単結晶の直径を制御するための視覚センサと共用すれば、既存設備の最大活用が図られる。
【0032】
また、ルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間に、交流または直流電圧を間欠的に印加する電圧印加手段を設け、ルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間の導電状態の変化を導電変化検出手段で検出して湯洩れを検知することも可能であり、この場合には、きわめて迅速に湯洩れを検知できるとともに、ルツボが変形したり、不純物が溶出して結晶品質の低下を招くようなこともない。
この際、融液面初期位置調整システムの電圧印加手段と共用すれば、既存設備の最大活用が図られる。
そして、湯洩れ検知用の視覚センサと、湯洩れ検知用の電圧印加手段を組み合わせれば、一層正確な検知が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システムのシステム構成図である。
【図2】単結晶引上げ装置の融液面初期位置調整システムのシステム構成図である。
【符号の説明】
1…湯洩れ検知システム、 2…融液面初期位置調整システム、
3…石英ルツボ、 4…シリコン融液、
4H…シリコン融液面、 5…種結晶、
6…単結晶、 7…グラファイトルツボ、
8…ヒータ、 10…ルツボ支持軸、
11…軸受、 12…ワイヤ、
13…種ホルダ、 14…モータ、
15…ドラム、 16…ベース、
17…第1検知手段 18…第2検知手段、
20…CCDカメラ、 21…画像処理装置、
22…湯洩れ検知用コントローラ、 23…ヒータ用電源、
24…電源、 25…抵抗器、
26…比較器、 27…警報器、
30…電源、 31…抵抗器、
32…比較器、 33…モータ、
34…CCDカメラ、 35…基準位置検出器、
36…下限位置検出器、 37…パルスジェネレータ、
38…パルスジェネレータ、 40…カウンタ、
41…コントローラ。
Claims (5)
- 単結晶引上げ装置のルツボ内から融液が湯洩れするのを検知するようにした検知システムであって、引上げられる単結晶と融液が接触する部分及びその周辺の融液面を撮像する視覚センサと、この画像を処理して湯洩れを検知する画像処理装置を備え、前記ルツボは昇降手段によって上下動自在とされ、またこの昇降手段は、前記視覚センサから融液面までの距離を一定に制御する制御手段によって駆動制御されることを特徴とする単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム。
- 請求項1に記載の湯洩れ検知システムにおいて、前記視覚センサは、単結晶の直径を制御するための視覚センサと共用されることを特徴とする融液の湯洩れ検知システム。
- 単結晶引上げ装置のルツボ内から融液が湯洩れするのを検知するようにした検知システムであって、前記ルツボを支持するルツボ支持部材と、種結晶を保持し且つ前記ルツボの上部で上下動可能な単結晶引上げ部材との間に、交流または直流電圧を間欠的に印加する電圧印加手段と、前記ルツボ支持部材と単結晶引上げ部材との間の導電状態の変化を検知する導電変化検出手段を備えたことを特徴とする単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム。
- 請求項3に記載の湯洩れ検知システムにおいて、前記電圧印加手段は、融液面初期位置調整システムの電圧印加手段と共用されることを特徴とする融液の湯洩れ検知システム。
- 請求項1又は請求項2に記載の湯洩れ検知用の視覚センサと、請求項3又は請求項4に記載の湯洩れ検知用の電圧印加手段とが組み合わされることを特徴とする単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム。
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