JP3613886B2 - L負荷駆動装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ステッピングモータ等におけるL負荷を駆動するL負荷駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の装置として、実公平7ー33598号公報に示す「ステッピングモータ装置」がある。このものの概要について説明する。
図4に示す、バイファイラ巻4相ステッピングモータの駆動回路において、電圧Vccを出力する直流電源1には、第1〜第4の巻線2a〜2dがそれぞれ接続され、これら第1〜第4の巻線2a〜2dには、スイッチング素子としての第1〜第4のMOSトランジスタ3a〜3dがそれぞれ接続されている。
【0003】
また、MOSトランジスタ3a、3cの共通接続点と接地との間には第1の電流検出抵抗4aが接続され、これと並列に巻線エネルギーを放出する経路を形成するダイオード5aが接続されている。同様に、MOSトランジスタ3b、3dの共通接続点と接地との間には第2の電流検出抵抗4bが接続され、これと並列にダイオード5bが接続されている。
【0004】
第1、第2の制御回路6a、6bは、励磁信号発生回路7の出力ライン7a、7bの励磁信号に応答してMOSトランジスタ3a〜3dを所定の励磁方式(例えば2相励磁方式)で制御する。すなわち、制御回路6a、6bは、電流検出抵抗4a、4bに接続された検出ライン8、9から得られる電流検出信号と、基準電圧発生回路10から出力される基準電圧V1、V2とを比較して、MOSトランジスタ3a〜3dを断続制御(チョッピング制御)し、ステッピングモータを定電流駆動する。
【0005】
図5に、ステッピングモータを2相励磁方式で駆動する場合の各部の波形を示す。(A)(B)は励磁信号、(C)〜(F)はMOSトランジスタ3a〜3dのゲート信号をそれぞれ示す。図5(A)に示す励磁信号がハイレベルの時には、MOSトランジスタ3aがチョッピング制御され、図5(B)に示す励磁信号がハイレベルの時には、MOSトランジスタ3bがチョッピング制御される。また、図5(A)に示す励磁信号がローレベルの時には、MOSトランジスタ3cがチョッピング制御され、図5(B)に示す励磁信号がローレベルの時には、MOSトランジスタ3dがチョッピング制御される。
【0006】
制御回路6a、6bは同一の構成であり、図6にその内の一方の制御回路6aの詳細構成を示す。この制御回路6aの作動を、巻線2cを励磁する信号が発生している励磁期間を例にとって、図7に示すタイミングチャートとともに説明する。
電流検出抵抗4aの両端電圧、すなわち電流検出電圧Vrは、MOSトランジスタ3cがオンしている時には、そのオン期間の電流に対応した正電圧となり、MOSトランジスタ3cがオフしている時には、ダイオード5aの順方向降下電圧となる。従って、電流検出電圧Vrは、図7(A)に示すようにMOSトランジスタ3cのオンオフに応じて変化する。
【0007】
電流検出電圧Vrはコンパレータ61において基準電圧V1と比較される。電流検出電圧Vrが基準電圧V1に達すると、コンパレータ61の出力がローレベルになりコンデンサ62が放電される。また、電流検出電圧Vrが基準電圧V1より低いと、コンパレータ61の出力がハイレベルになりコンデンサ62は充電される。このことにより、コンデンサ62の端子電圧V62は、図7(B)に示すように変化する。この電圧V62はコンパレータ63にて所定の基準電圧Voと比較され、図7(C)に示すパルス信号V63に変換される。このパルス信号はNOT回路64にてレベル反転される。
【0008】
巻線2cの励磁期間においては、励磁信号発生回路7からの信号がローレベルでありNOT回路66の出力がハイレベルとなっているため、AND回路65、67のうちAND回路65を介してパルス信号がMOSトランジスタ3cに出力され、MOSトランジスタ3cのゲート−ソース間には、図7(D)に示す電圧VGSが印加される。
【0009】
従って、図7(A)〜(D)の波形に示すように、t1 時点でMOSトランジスタ3cがオンで電流検出電圧Vrが基準電圧V1に達すると、AND回路65からの出力がローレベルになってMOSトランジスタ3cをオフさせ、その後、コンデンサ62が充電されて、その端子電圧V62がt2 時点で基準電圧Voに達すると、AND回路65からの出力がハイレベルになってMOSトランジスタ3cをオンさせる。この作動を繰り返すことにより、MOSトランジスタ3cがチョッピング制御される。
【0010】
ここで、MOSトランジスタ3cのオン期間(t2 〜t3 )においては、電源1、巻線2c、MOSトランジスタ3c、電流検出抵抗4a、接地からなる回路で、図7(E)に示す電流Icが流れる。
また、オフ期間(t1 〜t2 )においては、巻線2cの励磁により蓄積されたエネルギーが、ここに電磁結合されている巻線2aを通して放出される。すなわち、巻線2a、電源1、バイパスダイオード5a、MOSトランジスタ3aの内蔵ダイオード31aからなる閉回路で電流Iaが流れる。
【0011】
電流Iaの向きを図6に示す方向に定義した場合には、電流Iaの波形は図7(F)に示すようになり、電流Icと電流Iaを合成した電流Iは図7(G)に示すようになる。
なお、他の巻線2a、2b、2dの励磁期間においても、上記した巻線2cの励磁期間と同様の動作が行われる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上記した構成において、MOSトランジスタのオン抵抗を低減すれば、第1〜第4のMOSトランジスタ3a〜3dでの消費電力を低減することができるが、巻線の蓄積エネルギーを開放するときには非駆動状態にある電流がMOSトランジスタの内蔵ダイオードを介して電流が流れるため、そのダイオードでの通電電力については大幅に低減することはできない。
【0013】
本発明は上記問題に鑑みたもので、エネルギー開放時の電力消費を低減することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1乃至5に記載の発明においては、第1、第2のトランジスタのうち一方のトランジスタをチョッピング制御して、それに接続されたL負荷を駆動状態にするとともに、そのチョッピング制御において一方のトランジスタがオフしたときに他方のトランジスタをオン動作させ、他方のトランジスタを逆方向に通電動作させて、L負荷に蓄積されたエネルギーを開放する電流路を形成したことを特徴としている。
【0015】
トランジスタの通電時には、そのオン抵抗が小さいため、トランジスタでの消費電力はダイオードによる場合の消費電力に比べて小さくなる。従って、エネルギー開放時にトランジスタを逆方向に通電制御することにより、消費電力を低減することができる。
特に、請求項2、5に記載の発明のように、チョッピング制御における一方のトランジスタのオフ期間の最初と最後の所定期間において、他方のトランジスタに並列接続されたダイオードを介してエネルギーを開放させる電流路を形成するようにすれば、一方のトランジスタが完全にオフした状態で他方のトランジスタの逆通電制御を行うことができるため、動作の安定化を図ることができる。
【0016】
なお、トランジスタとして、MOSトランジスタような絶縁ゲート型トランジスタを用いれば、その内蔵ダイオードによりトランジスタに並列接続されたダイオードを構成することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1に本発明の一実施形態を示すステッピングモータの駆動回路を示す。この図1に示す回路は、図6に示す回路と対応するもので、この図1に示すもの以外の構成は図4、図6に示すものと同一である。
本実施形態においては、制御回路6aの出力段に、制御信号作成回路としての波形分割回路100と、制御信号印加回路としての波形切換回路200を設けている。
【0018】
波形分割回路100は、遅延回路101とNOR回路102とAND回路103から構成されている。遅延回路101は、NOT回路64からのパルス信号A(図2(A)参照)を一定時間td だけ遅延させたパルス信号B(図2(B)参照)を出力する。NOR回路102は、パルス信号A、BのNOR論理により、第1の制御信号C(図2(C)参照)を出力し、AND回路103は、パルス信号A、BのAND論理により、第2の制御信号D(図2(D)参照)を出力する。
【0019】
第1の制御信号Cは、チョッピング制御を行うためのものであり、第2の制御信号Dは、MOSトランジスタ3a、3cを逆方向に通電動作させるためのものである。
波形切換回路200は、OR回路201、202とAND回路203〜206から構成されている。
【0020】
巻線2cの励磁期間においては、励磁信号発生回路7の出力ライン7aの信号がローレベルでありNOT回路66の出力がハイレベルであるため、NOR回路102からの第1の制御信号CがOR回路201を介してMOSトランジスタ3cに印加され、AND回路103からの第2の制御信号DがOR回路202を介してMOSトランジスタ3aに印加される。
【0021】
MOSトランジスタ3cは、第1の制御信号Cを受けてチョッピング制御され、MOSトランジスタ3aは、第2の制御信号Dを受けてエネルギー開放時の逆方向通電動作を行う。
また、巻線2aの励磁期間においては、励磁信号発生回路7の出力ライン7aの信号7aがハイレベルでありNOT回路66の出力がローレベルであるため、NOR回路102からの第1の制御信号CがOR回路202を介してMOSトランジスタ3aに印加され、AND回路103からの第2の制御信号DがOR回路201を介してMOSトランジスタ3cに印加される。
【0022】
MOSトランジスタ3aは、第1の制御信号Cを受けてチョッピング制御され、MOSトランジスタ3cは、第2の制御信号Dを受けてエネルギー開放時の逆方向通電動作を行う。
次に、上述したMOSトランジスタの逆方向通電動作について、巻線2cの励磁期間を例にとって説明する。
【0023】
巻線2cの励磁期間においては、MOSトランジスタ3cがチョッピング制御されるが、このチョッピング制御において、MOSトランジスタ3cがオフすると、巻線2a、電源1、バイパスダイオード5a、MOSトランジスタ3aの内蔵ダイオード31aからなる閉回路で電流Iaが流れる。
MOSトランジスタ3cのオフ後、一定の遅延時間td が経過すると、第2の制御信号Dがハイレベルになり、MOSトランジスタ3aがオン状態になる。この場合、電流Iaは負荷駆動時と逆方向に流れるので、MOSトランジスタ3aは逆方向に通電する動作を行う。
【0024】
この後、MOSトランジスタ3cがオンする一定時間td 前になると、第2の制御信号Dがローレベルになり、MOSトランジスタ3aがオフし、電流IaがMOSトランジスタ3aの内蔵ダイオード31aを流れるようになる。
従って、MOSトランジスタ3cをチョッピング制御しているときにおいて、MOSトランジスタ3cがオフする期間のオフ直後およびオン直前は、MOSトランジスタ3aの内蔵ダイオード31aを介した第1の電流路により、巻線2cの励磁により蓄積されたエネルギーが開放され、それ以外はMOSトランジスタ3aの逆方向通電動作により形成される第2の電流路により、エネルギーが開放される。
【0025】
図3に、電流Iaを流しているときの、ダイオードとMOSトランジスタの電流−電圧特性を示す。
電流Iaが1Aのときに、ダイオードの順方向降下電圧は約0.85Vであり、MOSトランジスタは約0.4Vである。従って、ダイオードを介して電流を流したときには、約0.85Wの消費電力となるのであるが、MOSトランジスタを逆方向に通電動作させたときには、約0.4Wの消費電力となるので、エネルギー開放時の消費電力を大きく低減することができる。
【0026】
すなわち、MOSトランジスタを逆方向に通電動作させたときのオン抵抗と電流の積が、ダイオードの順方向降下電圧より低く設定されていれば、エネルギー開放時の消費電力を低減することができる。
なお、上記実施形態では、第1の制御信号Cの立ち下がり直後と立ち上がり直前に一定時間td の時間差を設けて第2の制御信号Dを作成するものを示したが、それらの時間は同じである必要はなく、異なる時間であってもよい。
【0027】
また、第1、第2の制御信号C、Dに一定時間td のタイミングのずれを設けたのは、両制御信号出力が衝突するのを防止するためであり、それが問題にならないのであれば、タイミングのずれを積極的に設ける必要はない。
さらに、上記した実施形態では、スイッチング素子3a〜3dをMOSトランジスタで構成するものを示したが、ダイオードが並列接続されたバイポーラトランジスタで構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すステッピングモータの駆動回路を示す図である。
【図2】図1中の制御回路の作動説明に供するタイミングチャートである。
【図3】ダイオードとMOSトランジスタの電流−電圧特性図である。
【図4】従来のステッピングモータの駆動回路の全体構成を示す図である。
【図5】図4に示すもののチョッピング制御を説明するためのタイミングチャートである。
【図6】図4に示すものの制御回路を詳細に示す図である。
【図7】図6中の各部の信号波形を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
2a〜2d…巻線、3a〜3d…MOSトランジスタ、
31a、31c…内蔵ダイオード、4a、4b…電流検出抵抗、
6a、6b…制御回路。
Claims (5)
- 電磁結合された第1、第2のL負荷(2a、2c)と、
前記第1、第2のL負荷に直列にそれぞれ接続され、前記第1、第2のL負荷を駆動する第1、第2のトランジスタ(3a、3c)と、
前記第1、第2のトランジスタの一方を駆動状態とし、他方を非駆動状態とするように、前記第1、第2のトランジスタを制御する制御回路(6a)を備え、前記制御回路は、チョッピング制御により前記第1、第2のトランジスタの一方を駆動状態にするとともに、そのチョッピング制御において前記駆動状態にあるトランジスタがオフしたとき非駆動状態にあるトランジスタをオン動作させるものであって、
そのオン動作により、前記駆動状態にあるトランジスタに接続されたL負荷に蓄積されたエネルギーを開放するための電流路が形成されることを特徴とするL負荷駆動装置。 - 前記第1、第2のトランジスタ(3a、3c)には、ダイオード(31a、31c)が並列接続されており、
前記制御回路(6a)は、前記駆動状態にあるトランジスタがオフする期間の最初と最後の所定期間において、前記非駆動状態にあるトランジスタをオフ状態とし、そのトランジスタに並列接続されたダイオードを介して前記エネルギーを開放するための電流路を形成させるものであることを特徴とする請求項1に記載のL負荷駆動装置。 - 前記非駆動状態にあるトランジスタがオン動作するときのオン抵抗と電流の積が、前記ダイオードを介して前記電流路が形成されるときの前記ダイオードの順方向降下電圧より低く設定されていることを特徴とする請求項2に記載のL負荷駆動装置。
- 前記制御回路(6a)は、前記チョッピング制御を行うための第1の制御信号と前記非駆動状態にあるトランジスタをオン動作させるための第2の制御信号を作成する制御信号作成回路(100)と、前記第1のL負荷を駆動するときには前記第1、第2の制御信号を前記第1、第2のトランジスタにそれぞれ印加し、前記第2のL負荷を駆動するときには前記第1、第2の制御信号を前記第2、第1のトランジスタにそれぞれ印加する制御信号印加回路(200)とを有することを特徴とする請求項2又は3に記載のL負荷駆動装置。
- 電磁結合された第1、第2の巻線(2a、2c)と、
前記第1、第2の巻線に直列にそれぞれ接続され、前記第1、第2の巻線を駆動する第1、第2の絶縁ゲート型トランジスタ(3a、3c)と、
前記第1、第2の絶縁ゲート型トランジスタの一方を駆動状態とし、他方を非駆動状態とするように、前記第1、第2の絶縁ゲート型トランジスタを制御する制御回路(6a)とを備えたステッピングモータ装置において、
前記制御回路は、チョッピング制御により前記第1、第2の絶縁ゲート型トランジスタの一方を駆動状態にするとともに、そのチョッピング制御において前記駆動状態にある絶縁ゲート型トランジスタをオフさせる期間となったとき、そのオフ期間の最初と最後の所定期間を除いて、非駆動状態にある絶縁ゲート型トランジスタをオン動作させるものであって、
前記オフ期間の最初と最後の所定期間においては、前記非駆動状態にある絶縁ゲート型トランジスタに内蔵されているダイオード(31a、31c)を介して第1の電流路が形成され、前記オフ期間の最初と最後の所定期間を除く期間においては、前記非駆動状態にある絶縁ゲート型トランジスタのオン動作により第2の電流路が形成され、前記第1、第2の電流路により、前記駆動状態にある絶縁ゲート型トランジスタに接続された巻線に蓄積されたエネルギーを開放するものであり、
前記非駆動状態にある絶縁ゲート型トランジスタがオン動作するときのオン抵抗と電流の積が、前記ダイオードを介して前記電流路が形成されるときの前記ダイオードの順方向降下電圧より低く設定されていることを特徴とするステッピングモータ装置。
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