JP2000069794A - 電流を制御するための方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望される電流値が増加する場合にも減少す
る場合にも、高精度で高速な電流制御を行なう。 【解決手段】 例えばステッパー電動機を制御するため
のＨブリッジにおいて相互連結されている巻線を通る電
流を各チョッパー期間の始まりにおいて制御するため
に、Ｈブリッジは所定の期間（ｔ１−ｔ２）の間低速減
磁状態に保持される。その後、この期間の終了の直前、
最中あるいは直後に実際の値（ＩＡ）と所望される値
（ＩＤ）とが比較される。実際の値（ＩＡ）の方が小さ
い場合、Ｈブリッジは最長でそのチョッパー期間の終了
まで磁化状態に保持される。実際の値の方が大きい場
合、Ｈブリッジは最長でそのチョッパー期間の終了まで
高速減磁状態に保持される。これにより最低限の電流リ
プルにて電流を所望される値に調整することが可能とな
る。これにより電磁雑音が低減される。また、Ｈブリッ
ジが切り替えされる場合に現れる電流スパイクの衝撃も
最低限にされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、慨して電流制御に
関するものであり、より具体的には例えばステッパー電
動機を制御するためのＨブリッジにおいて相互連結され
ている巻線を通る電流を制御するための方法およびその
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】公知であるように、電流値が所望される
値になるように巻線を通る電流を制御するためには、反
復されるチョッパー期間においてこのようなＨブリッジ
を例えば巻線が磁化される磁化状態、巻線がゆっくり減
磁される低速減磁状態および巻線が速く減磁される高速
減磁状態などの間を相互切替する。

【０００３】所望される値が一定であるか増加している
場合、電流を所望される値に制御するのに通常問題は生
じない。

【０００４】しかしながら所望される値が実質的に減少
している場合、電流を所望される値に制御することはよ
り難しくなる。

【０００５】この問題のためのいくつかの解決方法が公
知である。

【０００６】最も一般的な方法とは、何らかの方法によ
って所望される値が増加しているかあるいは減少してい
るかどうかを検知することである。所望される値が所定
の規準を超えて減少している場合、Ｈブリッジは高速減
磁状態に保持される。さもなければこれを低速減磁状態
に保持される。この方法の欠点としては、高速減磁を使
用する場合の決定規準を各アプリケーションおよび仕様
モードによって定義する必要があることである。このた
めには多くの時間が必要となる。またこの方法において
は、電流の実際の値が振動した場合に生じる共振の問題
も解決されない。

【０００７】また別の公知の方法においては、低速減磁
と高速減磁との間の選別は自動的に行なわれる。この場
合、Ｈブリッジを常に磁化状態に切り替えるためのクロ
ックパルスが用いられる。Ｈブリッジを磁化状態に切り
替える直前、その最中あるいは直後に巻線を通る電流の
実際の値と所望される値との比較が行なわれる。この比
較の結果によって磁化段階の後の減磁を高速にあるいは
低速に行なうか制御される。巻線を通る電流の実際の値
は磁化段階の間に増加する。この実際の値は所望される
値と比較され、実際の値が所望される値に達した場合に
Ｈブリッジは高速あるいは低速減磁状態に切り替えら
れ、この選択は先の電流の比較によって制御される。さ
らに、磁化が再度始まる次の刻時サイクルまでに複数の
別の方法によって２つの減磁状態の選択を変更すること
も可能である。

【０００８】この方法の欠点としては、実際の値および
所望される値のいずれにも関係なく、磁化が行なわれる
各刻時サイクルの間に短かい時間が存在するという事実
によって比較的大きな電流リプルが生じるということが
ある。高速減磁が行なわれる期間の時間をも制御するこ
とによって、この方法におけるリプルをある程度改善す
ることができる。しかしながら、Ｈブリッジの状態に関
わらず巻線を通る電流を測定することが可能であること
が要求されている。電流を巻線に対して直列的に測定し
なくてはならないため、このことは実地においては大変
困難となる。電流の測定が行なわれるべき点における電
位は大いに異なる。よって、このような測定方法はめっ
たに使用されない。

【０００９】従来技術の例として米国特許第４，９０
８，５６２号およびスウェーデン特許出願第９８００１
３１−６号を参照されたい。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術による方法における前記の問題点を解消することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明においては、各チ
ョッパー期間の始まりにおける所定の期間の間、Ｈブリ
ッジを低速減磁状態に保つことによってこの目的が達成
されている。その後、この期間の終了の直前、最中ある
いは直後において巻線を通る電流の実際の値と所望され
る値とを比較する。実際の値が所望される値よりも小さ
い場合、この所定の期間の後、Ｈブリッジを最長でチョ
ッパー期間が終了するまで磁化状態に保つ。一方、実際
の値が所望される値よりも大きい場合、この所定の期間
の後、Ｈブリッジを最長でチョッパー期間が終了するま
で高速減磁状態に保つ。

【００１２】巻線を通る電流は、Ｈブリッジとグラウン
ドとの間においてそれ自体公知の方法によって接続され
ているセンス抵抗器によって電圧として容易に測定する
ことができる。

【００１３】電流の実際の値が所望される値よりも高い
場合には決して電流を増加させないように、あるいは逆
の場合には決して電流を減少させないようにブリッジを
制御することによって、電流リプルを最低限に押さえる
ことができる。さらに、巻線によって生じる電磁雑音も
また最低限に減らすことができる。

【００１４】Ｈブリッジの状態が変化すると、Ｈブリッ
ジの再循環ダイオード内に蓄電されている電荷に起因す
る電流スパイクが必然的にセンス抵抗器を通過する。よ
ってこれらスパイクが電流調整に干渉しないようにＨブ
リッジの切り替えシークエンスを制御する。これにより
電流調整の精度と速度とを上げることができる。

【００１５】Ｈブリッジの低速減磁と高速減磁との間の
切り替えは自動的に行なわれ、巻線を通る電流の実際の
値と所望される値との間の差に基づいている。これによ
って電流の実際の値が振動した場合に生じる共振の問題
が低減される。

【００１６】Ｈブリッジの切り替えは容易に制御され得
る。したがってその性能を最適化するために時間をかけ
てアプリケーションの評価を行なう必要がない。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を添付されている
図面に基づいてより詳細に説明する。これら図面のう
ち、図１ａ−ｃは、Ｈブリッジの３つの異なる状態にお
けるＨブリッジ内の巻線における電流の流れを示してい
るものであり、図２は、電流の所望される値が一定であ
る場合における巻線を通る電流の制御方法を示している
ものであり、図３は、電流の所望される値が実質的に減
少している場合における巻線を通る電流の制御方法を示
しているものである。

【００１８】図１ａ−ｃは、公知であるＨブリッジの３
つの異なる状態におけるＨブリッジ内の巻線Ｌにおける
電流の流れを示しているものである。Ｈブリッジをさら
に別の状態に切り替えることが可能であっても、本発明
においてはこれら３つの状態のみを用いるものとする。

【００１９】図１ａ−ｃにおいて示されるＨブリッジ
は、それ自体公知であるように４つのトランジスタＴ
１、Ｔ２、Ｔ３およびＴ４を有している。トランジスタ
Ｔ１のコレクタとトランジスタＴ２のコレクタとは相互
連結されており、この相互連結点は電圧端子Ｖに連結さ
れている。トランジスタＴ１およびＴ２のベースはそれ
ぞれ制御回路１の出力端子に連結されている。

【００２０】トランジスタＴ１およびＴ２のエミッタは
それぞれトランジスタＴ３およびＴ４のコレクタに相互
連結されており、巻線Ｌはこれら相互連結点の間におい
て相互連結されている。

【００２１】トランジスタＴ３およびＴ４のエミッタは
相互連結されており、この相互連結点は抵抗器Ｒを介し
て地面に連結されている。

【００２２】トランジスタＴ３およびＴ４のベースもま
た、制御回路１における個々の出力端子に連結されてい
る。

【００２３】トランジスタＴ１のコレクタと、トランジ
スタＴ１のエミッタとトランジスタＴ３のコレクタとの
間の相互連結点との間には再循環ダイオードＤ１が相互
連結されている。

【００２４】同様に、トランジスタＴ２のコレクタと、
トランジスタＴ２のエミッタとトランジスタＴ４のコレ
クタとの間の相互連結点との間には再循環ダイオードＤ
２が相互連結されている。

【００２５】トランジスタＴ１のエミッタとトランジス
タＴ３のコレクタとの間の相互連結点とグラウンドとの
間には再循環ダイオードＤ３が相互連結されている。

【００２６】同様に、トランジスタＴ２のエミッタとト
ランジスタＴ４のコレクタとの間の相互連結点とグラウ
ンドとの間には再循環ダイオードＤ４が相互連結されて
いる。

【００２７】ブランキング回路あるいは低域フィルタ
（図示されない）を介してコンパレータ２がトランジス
タＴ３およびＴ４の各エミッタ間の相互連結点に連結さ
れており、これにより抵抗器Ｒを横切る電圧を検知し、
この電圧を抵抗器Ｒを通る電流の値、すなわち巻線Ｌを
通る電流の実際の値、に変換し、これと例えばモータ制
御ユニット（図示されない）によってそれ自体は公知で
ある方法によってコンパレータ２の入力端子３を介して
コンパレータ２に供給される所望される値とを比較する
ことができる。コンパレータ２は、制御回路１の入力端
子に連結されている出力端子を介してこの比較の結果を
制御回路１に与える。

【００２８】ブランキング回路あるいは低域フィルタ
（図示されない）の目的は、Ｈブリッジの状態が変わる
場合に常に生じる抵抗器Ｒを横切る電流スパイクをなく
すことにある。この電流スパイクは、主に再循環ダイオ
ードＤ１、Ｄ２、Ｄ３およびＤ４に蓄電される電荷に起
因するものである。また、トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ
３およびＴ４の各コレクタとエミッタとの間のキャパシ
タンスと巻線のキャパシタンスとに蓄電される電荷によ
って小さな電流スパイクが生じる。

【００２９】本発明における切り替えシークエンスは、
Ｈブリッジが磁化状態に入るときに再循環ダイオードに
起因する電流スパイクが抵抗器Ｒを横切って生じないよ
うに始動され、巻線を通る実際の電流を所望される値に
調整し始める。このようにすることによってブランキン
グ回路（図示されない）におけるブランキング時間をか
なり短くすることができ、低域フィルタ（図示されな
い）の帯域幅を広くすることが可能になる。これによ
り、また電流調整の精度および速度を上げることが可能
となる。

【００３０】図１ａは、Ｈブリッジの状態が巻線Ｌが磁
化される状態にある場合を示したものである。このＨブ
リッジの磁化状態において、トランジスタＴ１およびＴ
４は制御回路１の制御によってＯＮ状態にある。したが
って、図１ａにおいて実線４にて概略的に示されている
ように、電流はトランジスタＴ１、巻線Ｌ、トランジス
タＴ４および抵抗器Ｒを通ってグラウンドへ流れる。磁
化電流、すなわち巻線Ｌにおける実際の電流、は抵抗器
Ｒを横切る電圧として検知される。

【００３１】図１ｂおよび１ｃにおいて、Ｈブリッジの
ための制御回路は図示されていない。

【００３２】図１ｂは、Ｈブリッジの状態が巻線Ｌがゆ
っくりと減磁される状態にある場合を示したものであ
る。この低速減磁状態において、図１ａにおいて示され
ているようにトランジスタＴ４は制御回路１の制御によ
ってＯＮ状態にある。したがって減磁電流は、図１ｂに
おいて実線５にて示されているように、巻線Ｌ、トラン
ジスタＴ４、抵抗器Ｒおよび再循環ダイオードＤ３を通
って巻線Ｌに戻る。図１ａ同様、巻線Ｌを通る実際の電
流、すなわちこの場合は減磁電流、は抵抗器Ｒを横切る
電圧として図１ａにおけるコンパレータ２によって検知
される。

【００３３】この低速減磁状態において、１つのトラン
ジスタがＯＮ状態であればいい。トランジスタのうち、
最も抵抗器Ｒに近いものが選択されるべきである。図１
ｂにおいて、トランジスタＴ４が図１ａにおける制御回
路１によってＯＮ状態にあるように選択された。しかし
ながら、トランジスタＴ３がＯＮ状態にあるように選択
されることも同様に可能であった。この場合、電流は反
対方向、すなわち巻線ＬからトランジスタＴ３、抵抗器
Ｒおよび再循環ダイオードＤ４を通って巻線Ｌに戻るこ
とになる。

【００３４】図１ｃは、Ｈブリッジの状態が巻線Ｌが急
速に減磁される状態にある場合を示したものである。こ
の高速減磁状態において、トランジスタＴ１からＴ４の
いずれもがＯＮ状態にない。この場合、図１ｃにおいて
実線６にて示されているように、電流は再循環ダイオー
ドＤ３、巻線Ｌおよび再循環ダイオードＤ２を通って流
れる。この場合に実際の電流、すなわち実線６によって
表される電流の流れは抵抗器Ｒを横切って検知されな
い。

【００３５】本発明においては前述のように、図１ａ−
ｃにおいて示されるように反復するチョッパー期間の間
にＨブリッジが異なる状態に切り替えられ、それにより
巻線Ｌを通る実際の電流の値をそれぞれが異なるもので
あり得る所望される電流の値になるように制御して例え
ばモータ制御ユニットによりコンパレータ２の入力端子
３にこれを供給する。

【００３６】図２は、巻線Ｌを通る電流の所望される値
ＩＤが一定であることを仮定した場合を示すものであ
る。なお、この所望される値ＩＤが増加している場合に
もこの図２は有効である。

【００３７】本発明において、各チョッパー期間の始ま
り、すなわち時間ｔ１において、Ｈブリッジが制御回路
１によって常に図１ｂにおいて示されているように低速
減磁状態にあるように制御され、図２において示される
ように時間ｔ２にて終了する所定の期間の間この状態が
保持される。このＨブリッジの状態において、巻線Ｌを
通る電流の実際の値ＩＡは図２から明らかであるように
ゆっくりと減少する。

【００３８】Ｈブリッジが図１ｃにおいて示されるよう
な高速減磁状態から図１ｂにおいて示されるような低速
減磁状態に移行する場合に、抵抗器Ｒを横切ってかなり
大きい、再循環ダイオードに蓄電される電荷に起因する
電流スパイクが生じることを鑑みて、時間ｔ１−ｔ２は
この電流スパイクの長さよりも長くすべきである。これ
により、必然的に生じる電流スパイクが電流調整に干渉
することがない。

【００３９】この所定の期間ｔ１−ｔ２の終了の直前、
最中あるいは直後、すなわち時間ｔ２付近、において、
コンパレータ２によって検知される抵抗器Ｒを横切って
巻線Ｌを通る電流の実際の値ＩＡと入力端子３を介して
コンパレータに供給される所望される値ＩＤとが比較さ
れる。

【００４０】図２において、巻線Ｌを通る電流の実際の
値ＩＡは所望される値ＩＤよりも小さいものと仮定され
る。

【００４１】このことはコンパレータ２によって検知さ
れ、制御回路１に然るべき情報が与えられる。

【００４２】この場合、制御回路１はＨブリッジを図１
ａによって示される磁化状態にし、そのままこの状態を
所定の期間、すなわち時間ｔ２の後、最長では該チョッ
パー期間の終了、すなわち次の時間ｔ１まで保持する。

【００４３】しかしながら、図２に示すように実際の値
ＩＡがチョッパー期間の残りにおいて所望される値ＩＤ
に達した場合、このことはコンパレータ２によって検知
される。コンパレータ２は制御回路１に然るべき情報を
与え、制御回路１は残りのチョッパー期間分、すなわち
次の時間ｔ１まで、またＨブリッジを低速減磁状態に戻
す。

【００４４】次のチョッパー期間が時間ｔ１において始
まると、Ｈブリッジはすでに図２における低速減磁状態
にあるため、次の時間ｔ２が来るまでこのままの状態が
保持される。

【００４５】何らかの理由によって、次のチョッパー期
間が始まる時間ｔ１においてＨブリッジが磁化状態にあ
る場合には、上述のように本発明においてはＨブリッジ
が制御回路１によって前記の次のチョッパー期間が始ま
る時点、すなわち次の（前記の）時間ｔ１において、低
速減磁状態に戻される。

【００４６】図３は、巻線Ｌを通る電流の所望される値
が実質的に減少し、実際の値が所望される値よりも大き
い場合を示しているものである。図３において所望され
る値をＩＤ’、また実際の値をＩＡ’とする。

【００４７】図２のように、さらに本発明にしたがっ
て、各チョッパー期間の始まり、すなわち図３において
は時間ｔ１’において、制御回路１によってＨブリッジ
が図１ｂにおいて示されるような低速減磁状態にさせら
れ、所定の期間の間、すなわち図３においては時間ｔ
２’まで、この状態が保持される。

【００４８】この所定の期間の終了の直前、最中あるい
は直後、すなわち時間ｔ２’の付近において、コンパレ
ータ２は抵抗器Ｒを横切って検知された電圧から演算さ
れた巻線Ｌを通る電流の実際の値ＩＡ’と、例えばモー
タ制御ユニットから入力端子３を介して供給された所望
される値ＩＤ’とを比較し、実際の値ＩＡ’が所望され
る値ＩＤ’よりも大きいことを検知する。

【００４９】その後コンパレータ２は制御回路１に然る
べき情報を与え、制御回路１は時間ｔ２’においてＨブ
リッジを図１ｃにおいて示される高速減磁状態にし、そ
のままＨブリッジを最長では該チョッパー期間の終了、
すなわち次の時間ｔ１’までこの高速減磁状態に保持す
る。

【００５０】図３に示されるように、通常Ｈブリッジが
次の時間ｔ２’まで低速減磁状態に再度戻される次のチ
ョッパー期間のはじまり、すなわち次の時間ｔ１’まで
この高速減磁状態に保持される。

【００５１】しかしながら、巻線Ｌの速すぎる減磁と結
果的には電流リプルとを避けるために、Ｈブリッジを図
３に示されるように例えば時間ｔ２’から時間ｔ３まで
の第２の所定の期間の間のみ高速減磁状態に保持するこ
とも可能である。図３において破線ＩＡ”にて示されて
いるように、この時間ｔ３から時間ｔ１’におけるチョ
ッパー期間の終了までＨブリッジは低速減磁状態に保持
される。

【００５２】時間ｔ３を固定することも可能であるし、
例えば電流の実際の値と所望される値との間の差によっ
て制御することも可能である。すなわち、図２で説明し
たケースと同様に、実際の電流の値が所望される値と一
致する時刻をｔ３とすることもできる。ただしこの場合
も、本発明の制御の原則により、ｔ３の上限は次のチョ
ッパ期間のはじまり、すなわち次のｔ１’となる。

【００５３】要するに、常にＨブリッジが所定の時間の
間低速減磁状態にある状態でチョッパー期間を開始する
ことによって２つの主たる利点が生じる。

【００５４】第１に、再循環ダイオードに起因する電流
スパイクが電流調整に干渉することがない。したがっ
て、より早くより精度よく電流を所望される値に調整す
ることが可能となる。

【００５５】第２に、電流の所望される値が実際の値よ
りも小さい場合にのみＨブリッジの低速減磁状態と高速
減磁状態との間の切り替えを行ない、電流の所望される
値が実際の値よりも大きい場合にのみ低速減磁状態と磁
化状態との間の切り替えを行なう。これにより電流リプ
ルと電磁雑音とが最低限に低減される。

【００５６】

【発明の効果】本発明の電流を制御するための方法およ
びその装置によれば、所望される電流値が増加している
ときも減少しているときも高精度で高速な制御が可能で
あり、電磁雑音も小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｈブリッジの３つの異なる状態における巻線電
流の流れを示す回路図である。

【図２】本発明における、所望される電流値が一定であ
る場合の電流の制御方法を示す説明図である。

【図３】本発明における、所望される電流値が減少して
いる場合の電流の制御方法を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 制御回路 ２ コンパレータ ３ 入力端子 ４、５、６ 電流経路

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反復するチョッパー期間においてＨブリ
   ッジを磁化状態、低速減磁状態および高速減磁状態に切
   り替えることによってＨブリッジにおいて相互連結され
   る巻線を通る電流を制御するための方法において、各チ
   ョッパー期間内で、各チョッパー期間の始まりにおける
   所定の期間の間、Ｈブリッジを低速減磁状態に保持する
   ステップと、巻線を通る電流の実際の値と所望される値
   とを比較するステップと、実際の値が所望される値より
   も小さい場合には、前記所定の期間の後、最長で前記チ
   ョッパー期間の終了までＨブリッジを磁化状態に保持す
   るステップ、および実際の値が所望される値よりも大き
   い場合には、前記所定の期間の後、最長で前記チョッパ
   ー期間の終了までＨブリッジを高速減磁状態に保持する
   ステップとを有することを特徴とする電流を制御する方
   法。
2. 【請求項２】 前記巻線電流の実際の値と所望される値
   とを、前記所定の期間の終了の直前、最中あるいは直後
   に比較することを特徴とする請求項１記載の電流を制御
   する方法。
3. 【請求項３】 前記巻線電流を比較した場合に、実際の
   値が所望される値よりも小さい場合、前記所定の期間の
   後のチョッパー期間において実際の値が所望される値と
   一致するまでの間のみＨブリッジを磁化状態に保持し、
   その後チョッパー期間が終了するまでＨブリッジを低速
   減磁状態に保持するステップを有することを特徴とする
   請求項１記載の電流を制御する方法。
4. 【請求項４】 前記巻線電流を比較した場合に、実際の
   値が所望される値よりも大きい場合、前記所定の期間の
   後において、第２の所定の期間のみＨブリッジを高速減
   磁状態に保持し、その後チョッパー期間が終了するまで
   Ｈブリッジを低速減磁状態に保持するステップを有する
   ことを特徴とする請求項１記載の電流を制御する方法。
5. 【請求項５】 反復するチョッパー期間において磁化状
   態、低速減磁状態および高速減磁状態に切り替可能なＨ
   ブリッジにおいて相互連結される巻線（Ｌ）を通る電流
   を制御するための装置において、制御回路（１）を用い
   て各チョッパー期間の始まりにおける所定の期間の間
   （ｔ１−ｔ２；ｔ１’−ｔ２’）、Ｈブリッジを低速減
   磁状態に保持し、コンパレータ（２）を用いて巻線
   （Ｌ）を通る電流の実際の値（ＩＡ；ＩＡ’）と所望さ
   れる値（ＩＤ；ＩＤ’）とを比較し、制御回路（１）に
   然るべき情報を与え、実際の値（ＩＡ）が所望される値
   （ＩＤ）よりも小さい場合には、制御回路（１）を用い
   て前記所定の期間（ｔ１−ｔ２）の後、最長で前記チョ
   ッパー期間の終了までＨブリッジを磁化状態に保持し、
   および実際の値（ＩＡ’）が所望される値（ＩＤ’）よ
   りも大きい場合には、制御回路（１）を用いて前記所定
   の期間（ｔ１’−ｔ２’）の後、最長で前記チョッパー
   期間の終了までＨブリッジを高速減磁状態に保持するこ
   とを特徴とする電流を制御する装置。
6. 【請求項６】 コンパレータ（２）を用いて、前記巻線
   電流の実際の値と所望される値とを前記所定の期間（ｔ
   １−ｔ２；ｔ１’−ｔ２’）の終了の直前、最中あるい
   は直後に比較することを特徴とする請求項５記載の電流
   を制御する装置。
7. 【請求項７】 前記巻線電流を比較した場合に、実際の
   値（ＩＡ）が所望される値（ＩＤ）よりも小さい場合、
   制御回路（１）を用いて前記所定の期間（ｔ１−ｔ２）
   の後のチョッパー期間において実際の値（ＩＡ）が所望
   される値（ＩＤ）と一致するまでの間のみＨブリッジを
   磁化状態に保持し、その後チョッパー期間が終了するま
   でＨブリッジを低速減磁状態に保持することを特徴とす
   る請求項５記載の電流を制御する装置。
8. 【請求項８】 前記巻線電流を比較した場合に、実際の
   値（ＩＡ’）が所望される値（ＩＤ’）よりも大きい場
   合、制御回路（１）を用いて前記所定の期間（ｔ１’−
   ｔ２’）の後において、第２の所定の期間（ｔ２’−ｔ
   ３）のみＨブリッジを高速減磁状態に保持し、その後チ
   ョッパー期間が終了するまでＨブリッジを低速減磁状態
   に保持することを特徴とする請求項５記載の電流を制御
   する装置。