JP3597873B2 - ニトロソアミンの生成抑制法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、特にアミンオキシド類の製造及び/又は貯蔵時におけるニトロソアミンおよびニトリットの生成を抑制する方法、安定剤を含有するアミンオキシド組成物並びに第三級アミンオキシドの製造の改良法に関するものである。
【0002】
【従来の技術と課題】
アミンオキシドは通常、第三級アミンと過酸化水素との反応により製造される。商業的に許容しうる時間内に反応を完結するために、反応混合物を加熱すること及び/又は触媒を使用することが必要である。過度の加熱は過酸化物の分解を引き起こす(促進する)傾向があるので、触媒の使用が好ましい。
例えば、アメリカ特許第3,333,000号明細書には、アミンの0.02〜2重量%の濃度の重炭酸ナトリウムをピロリン酸ナトリウムと共に含有する混合物が前記反応を触媒することが提案されている。実際、上記範囲の低い値、即ちアミンの1重量%以下の重炭酸塩の濃度で該反応が充分に触媒されることがわかったので、生成物中に重炭酸塩が実質的に残らないようにするために高い濃度は避けられていた。
次いで、二酸化炭素が非常に効果的な触媒であることがわかり、重炭酸ナトリウムに代えて、二酸化炭素が使用されるようになった(例えば、イギリス特許第2,032,422号、フランス特許第2,632,638号又はアメリカ特許第4,247,480号明細書参照)。
ヨーロッパ特許第0 409 043号明細書には、アミンオキシドの製造において触媒としてある種のアミノホスホネートを使用することが記載されている。
【0003】
ここ数年来、有害の可能性があると広く考えられていたニトロソアミン、およびニトロソアミンの前駆体であるニトリットは、アミンオキシド中に通常少量であるが、望ましくない痕跡汚染物として存在していることが認識されていた。これらの汚染物は通常200〜1000ppbの非常に低いレベルで市販のアミンオキシド中に存在する。
最近まで、このようなレベルは検出限界に近いか、又はそれ以下であった。しかしながら、分析法の改良により、例えばケミルミネセンス(chemiluminesence)により、10ppb以下のニトロソアミンとニトリットの合計量(以下“全NO”という)を検出することが可能となった。これは通常の周囲大気レベル以下である。
【0004】
このことから、全NOが50ppb以下のアミンオキシドが強く要求されるようになった。このような低いレベルが達成されるならば、そうしたいという要求があるようである。
本発明の目的は全NOが50ppb以下、好ましくは20ppb以下、より好ましくは10ppb以下のアミンオキシド製品を提供することにある。
全NO濃度の低いアミンオキシド製品を製造しても、特に高い温度で貯蔵するとニトロソアミンレベルが増加することが判明した。従って、本発明の特別な目的は、貯蔵中に全NOが上記したような低いレベルに維持されるように、アミンオキシドを安定化することにある。
【0005】
過酸化物とアミンとの割合を調節し且つ溶解している多価金属のイオンを除去した高純度の水及び反応試薬を使用することにより、全NOを非常に低レベルにすることが理論的には可能であることが判明した。しかしながら、その条件は厳格であるために、この手法により一様に低い全NOレベルを達成することは工業的には不可能である。さらに製品は、貯蔵中のNOの蓄積に対しては安定でない。
【0006】
英国特許第2 252 320号明細書には、最初はアミン類の酸化中に、次には製品を安定化するために、ニトロソアミンの生成を抑制するため、比較的高濃度(アミンの2.5重量%以上)の炭酸塩及び/又は重炭酸塩を使用することが開示されている。しかしながら、重炭酸塩を用いて一様に低い全NOレベルを達成するために、重炭酸塩の必要量を使用する結果、製品中の無機系不純物がある種の顧客に受け入れられないレベルとなることがある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、アミンオキシドの製造及び/又は貯蔵中にニトロソアミン及びニトリットの生成を抑制する際に、重炭酸塩及び/又は炭酸塩がホスホネート、例えば有機アミノメチレンホスホネート、およびそれらの酸化物と共働して作用することを見いだした。これらは、ある状況下では予め汚染されたサンプルのニトロソアミン含有量を低減する助けをすることができる。
本発明は、ニトロソアミンによる汚染に敏感である製品中のニトロソアミンを抑制または減少するために、炭酸塩及び/又は重炭酸塩とホスホネートとの共働混合物を使用することを提供するものである。
さらに、本発明は、アミンオキシドの製造、貯蔵及び/又は加熱中のニトロソアミンおよびニトリットの生成を抑制するために、下記成分(1)および(2)を含有する共働安定化剤を、アミンオキシドの製造前、製造中または製造後に別々にまたは一緒にアミンオキシドに添加することを特徴とする、アミンオキシドの安定化方法を提供するものである:
(1)アミンオキシドの製造に使用されたアミンの重量当たり0.05〜20重量%の重炭酸塩及び/又は炭酸塩、
(2)アミンオキシドの製造に使用されたアミンの重量当たり0.005〜5重量%のホスホン酸又はその塩。
【0008】
また、本発明は、アミンオキシドの製造に使用されたアミンの重量当たり0.05〜20重量%の重炭酸塩及び/又は炭酸塩、およびアミンオキシドの製造に使用されたアミンの重量当たり0.005〜5重量%のホスホン酸又はその塩を含有する共働安定剤、並びにアミンオキシドを含む組成物を提供するものである。
さらに、本発明は、第3級アミンと過酸化水素との反応を、該アミンの重量当たり0.05重量%以上で且つニトロソアミン及びニトリットの生成を抑制するのに実質的に充分な量の重炭酸塩及び/又は炭酸塩、およびアミンの重量当たり0.005重量%以上で且つニトロソアミン及びニトリットの生成を抑制するのに実質的に充分な量のアルキレンアミノホスホネート、例えばポリアルキレンアミンメチレンホスホネートを含有する共働安定剤の存在下に行うことを特徴とするアミンオキシドの製造法を提供するものである。
【0009】
重炭酸塩及び/又は炭酸塩成分(1)は、重炭酸ナトリウムのような重炭酸塩からなるものであることが適当である。代わりに、他の水溶性重炭酸塩、例えば重炭酸カリウムまたはリチウムのようなアルカリ金属重炭酸塩、あるいは重炭酸カルシウムまたはマグネシウムのようなアルカリ土類重炭酸塩を存在させることができる。
成分(1)はアルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩または炭酸アンモニウム、例えば炭酸ナトリウム、マグネシウムまたはカルシウム、あるいは重炭酸塩と炭酸塩の混合物(0.01〜1、特に1:1のモル比)からなるものであることが好ましい。炭酸塩が反応混合物に添加される場合は、アミンオキシドの製造中に過酸化水素の分解が起こらないようにpHは高くしてはならない。例えば、アミンオキシドの製造中の反応混合物のpHは10以下、好ましくは9.8以下、典型的には9.5以下にすることが好ましい。しかしながら、安定剤がアミンオキシドの製造後に製品に添加される場合は、このような束縛はなく、従って所望の最終用途に応じて高いpH値を黙認することができる。好ましい態様においては、重炭酸塩及び/又は炭酸塩が反応混合物に存在するが、該混合物の
pHを注意深く、例えば10以下、好ましくは9.8以下、典型的には9.5以下に、例えば希薄な酸により調節すれば、過酸化物の過剰な分解が避けられる。さらに、弱アルカリ性pHの維持が臨界的でない場合の反応の完結時に、サンプルの安定性を高めるために反応混合物のpHを上げることができる。製品のpHは、例えば水酸化ナトリウム溶液のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属水酸化物溶液により、9.5〜12.0、好ましく10〜11.5、より好ましくは10.3〜11.2に上げることが好ましい。
【0010】
ホスホネート(2)は、下記一般式:
RR’−NCH2PO3M2
[式中、RおよびR’は各々別々にCH2PO3M2基;C1〜C12(好ましくはC1〜C4)のアルキル基;アミノ、ヒドロキシ、ホスホノ又はカルボキシ置換C1〜C6(好ましくはC1〜C4)アルキル基;または式:H[O(CH2)m]nあるいはM2O3PCH2[NCH2PO3M2(CH2)m]nの基(但し、Mは水素または組成物が水溶性であるようなカチオンを示し、nは1〜6の整数、mは2〜6の整数を示す)、またはそれらのN−オキシドを示す]で表される有機アミノメチレンホスホネートが好ましい。
Rはメチレンホスホネート基であり、R’はポリエチレンアミノポリ(メチレンホスホネート)基、例えばnが1〜5、好ましくは2〜4、またはエチレン基あるいはヒドロキシエチレン基であることが好ましい。
【0011】
アミンオキシドの製造中に反応混合物にアミノホスホネートが添加される場合は、アミノホスホネート安定剤は通常その場で対応する酸化物に転換される。適当なアミノメチレンホスホネートの例は、アミノトリス(メチレンホスホネート)ナトリウム、アミノトリス(メチレンホスホネート)N−オキシド、または好ましくはジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホネート)ナトリウムあるいはテトラエチレンペンタミンヘプタ(メチレンホスホネート)ナトリウムが包含され、これらはBRIQUEST 301−32S,BRIQUEST 3010−25S,BRIQUEST 543−25S およびBRIQUEST 785−25Sとして比較的入手容易である(BRIQUESTは登録商標である)。本出願人の関連出願には、アミンオキシドの製造中のニトロソアミンの生成を抑制する特に有効な手段としてエタノールアミンビス(メチレンホスホン酸)およびその塩の使用が記載されている。従って、反応混合物のニトロソアミン抑制剤として、BRIQUEST 221の商品名で入手しうるこの製品を使用することが好ましい。特に、エタノールアミンビス(メチレンホスホネート)とジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホネート)との組み合わせを、後者を前者と共に、又は製造後に加えることが好ましい。
【0012】
共働安定剤の少なくとも一部をアミンオキシドの製造中にまず存在させることが好ましいけれども、製造中または製造後に混合物の一部又は全部、あるいはどちらかの成分の一部又は全部を添加することも可能である。特に、ポリ(エチレンアミノ)ポリ(メチレンホスホネート)を製造後に添加すれば、製品の安定化に特に効果的である。
【0013】
成分(1)は、効果的な触媒および抑制作用を達成するために、製品の製造に使用されたアミンの重量当たり0.1〜20重量%、好ましくは少なくとも0.5重量%、例えば少なくとも1重量%、特に2重量%以上の合計割合で存在させることが好ましい。炭酸塩の割合は、無機不純物を最小に、例えば12重量部以下、好ましくは8重量%以下(いずれも使用されたアミン重量当たり)にするために、適当な触媒および抑制作用に調和させて出来るだけ少なくすることが好ましい。使用されたアミンの重量当たり3〜6.5重量%の量が特に好ましいことがわかった。通常、この濃度は全組成物当たり0.05〜10%、例えば0.1〜5%、特に0.75〜4%の濃度に等しい。
【0014】
成分(2)は、典型的には使用されたアミンの重量当たり0.005〜10重量%、より好ましくは0.05〜5重量%、例えば0.1〜3重量%、特に0.2〜2重量%の量で存在させる。
成分(1)と(2)の重量割合は、通常1:0.001〜1:10、好ましくは1:0.01〜1:2、特に1:0.02〜1:1、例えば1:0.05〜1:0.5である。
【0015】
アミンオキシドの製造は、第3級アミンと過酸化水素水溶液との反応による慣用の方法で行うことが好ましい。過酸化水素はアミンと実質的に等モル量で、または(好ましくはごく少ない)理論量過剰で、例えば1:0.9〜1:1.1のアミン:過酸化物比で存在させることができる。過酸化物の過剰は理論重量の0.05%以下であることが好ましい。
本発明の方法に使用することのできるアミンは、典型的には一般式:
R1R2R3Nで表される典型的なアミンである。式中R1、R2及びR3は、同一又は異なる直鎖又は分枝アルキル、アルケニル又はアルアルキル基である。これらは低級アルキル基、即ち1〜7、好ましくは2〜4の炭素原子のものでよいが、本発明の好ましい態様においては、第3級アミンは一般式:(R)m(R1)nN(但し、mは1又は2、nは3−mである)で表されるものであることができる。この場合、Rは同一又は異なる、C6〜C24のアルキル又はアルケニル基、C6〜C24のアルキル又はアルケニルポリアルキレンオキシ基、C6〜C23のエステルアルキル又はアルケニル基、アミドアルキル又はアミドアルケニル基であり、R1は同一又は異なるC1〜C4のアルキル、アルコキシ又はヒドロキシアルキル、あるいはポリアルキレンオキシ基を表す。
アルキレンオキシ基としては、ポリエチレンオキシ基又はポリプロピレンオキシ基、またはエチレンオキシ及び/またはプロピレンオキシ基1〜20を含有する混合エチレンオキシ・プロピレンオキシ基が好ましい。アミドアルキル基としては、C7〜C23のアルキル又はアルケニル−アミドプロピル基が好ましい。
アミンは、環状アミン、例えばイミダゾリン又はピリジン、N−置換ピペラジン、又はN−置換モルフォリン、例えばN−メチルモルフォリンであることができる。
【0016】
本発明の方法は、典型的には水性溶液中で行われる。場合により、EDTAのような非ホスホネート系封鎖剤を使用することができ、該封鎖剤は過酸化水素の分解を触媒する金属イオンを封鎖することによりその分解を防止する。金属イオン封鎖剤としてはピロリン酸塩のようなキレート剤を含む。ホスホネートが製造完結後に添加される場合には、このような遷移金属キレート剤または封鎖剤を存在させるべきである。これは反応を促進するが、ニトロソアミンレベルには十分な効果を有しない。
【0017】
生成物に要求される濃度は、本発明で好ましい第3級アミンが厳密な化学的性質に従い、反応混合物の全重量当たり約30重量%までの濃度で可動性L1相を形成する界面活性特性を有する酸化生成物を生ずるので、使用された第3級アミン出発原料に依存する。高い濃度においては、アミンオキシド生成物は非可動性M相を形成する傾向がある。得られた生成物の最終濃度が可動性になるように、反応容器に水を添加して水性過酸化水素の形態にすることが好ましい。高濃度、例えば60〜80重量%(反応混合物全重量当たり)のアミンオキシドでは可動性G相を形成する。しかしながら、この選択は、通常G−相が得られる比較的狭い濃度範囲のために大規模反応方法の点からみると実際的でなく、従って最も好ましい態様は、達成し得る最高濃度、通常反応混合物全重量当たり約30重量%のL1相である。溶剤、共界面活性剤、ヒドロトロープ又は電解質塩のような相変性剤を存在させることにより、高い濃度を達成することができる。これらはL1/M境界を出現させ、G−相範囲を広げる。生成物は無水の固体または固体水和物として製造される。大規模な場合は、条件が断熱状態に近くなるので反応中に温度が上昇する問題が生じる。それ故、アミン酸化生成物の使用は、系が2相から1相に移るときの誘導期間を避けることにより発熱量を制限するから、好ましいことである。
【0018】
ホスホネートを用い又は用いずに、上記の特定の割合での重炭酸塩及び/又は炭酸塩の存在において、温度は、従来技術で認められるような副生物としてニトロソアミンの形成を制限する重大な因子である必要はないことがわかった。例えば、ヨーロッパ特許出願第88306270.3号明細書は、ニトロソアミンの形成を抑制するためにアミンオキシドの製造は45℃以下、最も好ましくは30℃以下で行うべきであると述べている。これは遅い反応速度を高めるために促進剤の使用を必要とする。
【0019】
本発明によれば、ニトロソアミン生成に対する重炭酸塩及び/又は炭酸塩の抑制作用は、アミンオキシドの製造及び/又は貯蔵中に温度を低く保つ必要性が減少される。従って、本発明の方法が実施される場合、反応容器の温度は2〜85℃の範囲であり、例えば反応速度を速めるためにオートクレーブ中で反応を実施することにより高くすることができるが、最も好ましくは30〜50℃の範囲であり、代表的操作温度は40℃である。反応を完結するための時間は一般に4時間までである。
同様に、本発明のより共働安定剤を生成物に配合することは、ニトロソアミン不純物の形成に関して、該生成物を耐熱性に変える。この効果は、たとえ上記の生成物がニトロソアミン抑制剤の存在下に製造されたものでなくとも、現れることがわかった。
【0020】
アミンオキシドは、本発明によれば、上記の共働安定剤の存在下に第3級アミンと過酸化水素の反応により製造することができる。
ポリ(アルキレンアミノ)ポリ(メチレンホスホネート)の後添加は、たとえ重炭酸塩及び/又は炭酸塩が不存在であっても、従来法で製造されたアミンオキシドを含むアミンオキシドを一般的に安定化する際に有利であることがわかった。アミノホスホネートがアミンオキシドの製造を触媒し、そしてその場でN−オキシドに必ず変換してしまう従来法と比較して、後添加はホスホネートのアミノ基の酸化を起こさない結果をもたらす。従って、得られたアミンオキシドと酸化されていないポリ(アルキレンアミノ)ポリ(メチレンホスホネート)の混合物は新規であり、本発明の特徴を構成する驚くべき有利な組成物である。該混合物は、水、組成物の重量あたり10〜99重量%、好ましくは15〜85重量%、特に20〜35重量%のアミンオキシド、および0.005〜5重量%、特に0.01〜1重量%のホスホネートを含有することが好ましい。ホスホネートは1〜6、好ましくは2〜5個のエチレン及び/又はプロピレン基を有することが好ましい。場合により、該組成物はG−相が形成される量に対応する50〜80%のアミンオキシドを含有することができる。代わりに、その濃度は,20%と
L1/M相境界に対応する濃度との間、典型的には30〜35%であることができる。溶媒、共界面活性剤、ヒドロトロープまたは電解質塩類のような相変性剤は、M−相の形成に必要な界面活性剤の濃度を上昇させるので、35w/w%以上の界面活性剤濃度においてL1/M相境界が現れる。このような相変性剤の添加はG−相が典型的に現れる濃度範囲を広げることもできる。また、実質的に無水の固体または固体水和物としてアミンオキシドを製造することも可能である。
【0021】
また、本発明はニトロソアミンおよびニトリットの危険にかかわる他の製品、例えばアルカノールアミド、および他の反応において生成されるニトロソアミンおよびニトリットの抑制のためにも適用することができる。
【0022】
【実施例】
本発明を以下に示す実施例により説明するが、全ての%は、特記した場合を除き生成物または反応混合物の総重量当たりの重量%である。
実施例2、3および5は下記の典型的な製造法に基づくものである。
[製造例]
ラウリルミリスチルアミン(EMPIGEN AB)を、所定の安定剤、触媒および必要量の水と共にフラスコに入れた。得られた混合物を撹拌下に水浴中で、実施例2及び3では65℃に、実施例5では40℃に温めた。全混合物の20W/W%の過酸化水素(35%)を上記反応混合物に加え、反応発熱を克服するために30分間撹拌した。その後残りの過酸化水素を30〜40分間かけてフラスコに加え、さらに約2時間または反応の完結が確認されるまで、反応を続けた。
この場合、反応混合物中の遊離のアミン含量が0.3W/W%以下で且つ過酸化水素含量が0.1W/W%以下であるときに、反応が完結したようであった。反応混合物の一部の分析結果が高い遊離アミン含量と低い過酸化水素含量を示したときは、さらに過酸化水素を加え、過酸化水素及び遊離アミン含量が許容レベルに達するまで反応を続けた。従って、幾つかの場合アミンとH2O2のモル比は1:1より過剰にすることができる。
【0023】
実施例1
30重量%のアミンオキシド、0.1重量%のEDTA及び1176ppbのニトロソアミンを含有するラウリルミリスチルアミンオキシドの非安定化物を、表1に示す試薬と混合した。得られたサンプルを70℃で2週間貯蔵し、ニトリットをスルファミン酸により分解した後、ケミルミネセンス法により全NO含量を分析した。
【0024】
【表1】
【0025】
表1及び2で用いたホスホネートは25W/W%(酸として)のジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)ナトリウム塩であり、BRIQUEST 543−25Sの商品名で本出願人により販売されているものである。表中のホスホネートの値は全て酸100%として示されている。
[結論]
この実験条件下では重炭酸塩単独により達成されるニトロソアミンの最低レベルは、安定剤が高濃度であっても、対照の63%であることを、この結果は示している。ホスホネート単独では、ニトロソアミンを対照の25%以下にしか減少することができない。
ホスホネート0.5%とNaHCO32%の組み合わせは、ニトロソアミンを対照の7%濃度まで減少させ、かくして出発物と比べて熟成時におけるNO含量の共働的減少の責務を果たしており、それぞれ単独で達成される最高以上の効果を示している。
【0026】
実施例2
表2に示した添加剤および脱イオンした水を使用してアミンオキシドを製造した。ニトロソアミンおよびニトリットはケミルミネセンス法で測定し、両者を
NOとして示した。
【0027】
【表2】
【0028】
ホスホネートとNaHCO3の組み合わせは、減少した初期ニトロソアミン及びニトリットレベルを与え、70℃で熟成中にこれらの生成が減少している。また、反応時間が著しく短縮されている。
【0029】
実施例3
さらに、5ppmまでのFe(II)を含有する蒸留水を用いて65℃で反応を行い、その結果を表3に示した。鉄はアミンオキシド中にニトロソアミンを生成させる有名な促進剤である。さらに、キレート剤の不存在下では、5ppmの鉄は過酸化物の分解による反応の完結への進行を妨げる。
【0030】
【表3】
【0031】
上記の結果は、鉄が存在していても、NaHCO3とホスホネートの組み合わせは、反応の触媒として、および反応及び熟成中のNO/NO2生成の抑制剤として優れいることを示している。
【0032】
実施例4
上記表3に示した反応A及びBの生成物(0.1%のホスホネートを含有)それぞれに、その製造後に下記表4に示した追加のホスホネートを添加した。
【0033】
【表4】
【0034】
[結論]
反応B、C及びDのようなホスホネートの後添加は、初期だけに安定剤を反応混合物に添加する場合よりも、より効果的にサンプル中の全ニトロソアミン及びニトリット含量を低下させる。従って、安定剤の効果はホスホネートの後添加により最大となる。
上記した70℃で2週間の貯蔵試験の全ては、短期間に顕著な差異のあることを示すために、実際に典型的に遭遇するよりもかなり厳しい条件下で行われている。通常の貯蔵温度は、70℃の貯蔵温度よりもニトロソアミン及びニトリットの生成の促進が少ない20〜45℃の範囲であり、これがより工業的に適切な検討温度である。
【0035】
実施例5
超高純度水を用い、表5に示した添加剤を反応開始時に加えてアミンオキシドのさらに2つのサンプル(A及びB)を製造した。アミンオキシドの他のバッチ(C)はホスホネートを後添加した。
ニトロソアミンおよびニトリットをケミルミネセンス法で測定し、NOとして示した。
【0036】
【表5】
【0037】
[結論]
サンプル(C)へのホスホネートの後添加は、45℃での貯蔵において改良されたニトロソアミン及びニトリットレベルを与え、ホスホネート(後添加)と重炭酸塩の共働効果があることがわかる。EDTAの存在下にホスホネートを使用する有益な効果はサンプルAとBの比較からわかる。
Claims (31)
- ニトロソアミンによる汚染に敏感な活性成分を含有する製品中におけるニトロソアミンの生成を抑制し、またはニトロソアミンの濃度を低下させる方法において、該製品の製造前、製造中又は製造後に、該活性成分の重量当たり0.05〜20重量%の重炭酸塩及び/又は炭酸塩(1)および0.005〜5重量%のホスホネート(2)を含有する共働混合物を該製品に添加することを特徴とする方法。
- アミンオキシドの製造、貯蔵及び/又は加熱中のニトロソアミンおよびニトリットの生成を抑制するために、アミンオキシドを安定化する方法において、アミンオキシドの製造に使用されたアミンの重量当たり0.05〜20重量%の重炭酸塩及び/又は炭酸塩(1)、および0.005〜5重量%のホスホネート(2)を含有する共働安定剤を、アミンオキシドの製造前、製造中または製造後に別々にまたは一緒にアミンオキシドに添加することを特徴とする方法。
- 上記(1)の成分がアルカリ金属またはアルカリ土類金属の重炭酸塩を含有するものである請求項1または2に記載の方法。
- 上記(1)の成分がアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、または炭酸アンモニウムを含有するものである請求項1または2に記載の方法。
- 上記(1)の成分が重炭酸ナトリウム塩と炭酸塩ナトリウムの混合物である請求項1または2に記載の方法。
- 炭酸塩と重炭酸塩の割合が0.01:1〜1:0.01である請求項5に記載の方法。
- 上記(2)の成分がアミノトリス(メチレンホスホネート)、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホネート)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホネート)、トリエチレンテトラミンヘキサ(メチレンホスホネート)またはテトラエチレンペンタミンヘプタ(メチレンホスホネート)、もしくはこれらホスホネートの酸化物を含有する請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- アミンオキシドが、アミンの重量当たり0.05〜20重量%の上記(1)成分および0.005〜5重量%の上記(2)成分を含有する共働安定剤の存在下に、第3級アミンと過酸化水素との反応により製造される請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 共働安定剤またはその成分の少なくとも一部が、アミンオキシドの製造後にアミンオキシドに添加される請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- (A)アミンオキシドが0.05〜20重量%(アミンの重量当たり)の上記(1)成分および触媒量の遷移金属イオン用封鎖剤の存在下に第3級アミンと過酸化水素との反応により製造され、そして(B)0.005〜5重量%(混合物中の最初のアミン含量当たり)の上記(2)成分が該アミンオキシドの製造中及び/又は製造後に該アミンオキシドに添加される請求項1〜7および9のいずれか1項に記載の方法。
- 上記第3級アミンが一般式:R1R2R3N(式中、R1、R2及びR3は、同一または異なる直鎖または分岐アルキル、アルケニル又はアルアルキル基を示す)で表されるものである請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 上記第3級アミンが一般式:(R)m(R1)nN(但し、mは1又は2、nは3−mであり、Rは同一又は異なる、C6〜C24のアルキル又はアルケニル基、C6〜C24のアルキル又はアルケニルポリアルキレンオキシ基、C6〜C23のエステルアルキル又はアルケニル基、C6〜C23のアミドアルキル又はアルケニル基、またはC6〜C23のアルキル−又はアルケニル−アミドプロピル基であり、R1は同一又は異なるC1〜C4のアルキル、アルコキシ又はヒドロキシアルキル、あるいはポリアルキレンオキシ基を示す)で表されるものである請求項11に記載の方法。
- 上記第3級アミンが環状アミンである請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 上記第3級アミンがイミダゾリン、ピリジン、N−置換モルホリンまたはN−置換ピペラジンである請求項13に記載の方法。
- アミンと過酸化水素のモル比が1:0.9〜1:1.1である請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- アミンと過酸化水素のモル比が1:1〜1:1.09である請求項15に記載の方法。
- 2〜85℃の温度で実施される請求項1〜16のいずれか1項に記載の方法。
- 上記温度が30〜50℃である請求項17に記載の方法。
- 上記温度が約40℃である請求項17または18に記載の方法。
- アミンオキシドおよび共働安定剤を含有する組成物であって、該安定剤がアミンオキシドの重量当たり、0.05〜20重量%の重炭酸塩及び/又は炭酸塩(1)、および0.005〜5重量%のホスホネート(2)を含有することを特徴とする組成物。
- 上記ホスホネートがアミノホスホネートまたはアミノホスホネートN−オキシドである請求項20に記載の組成物。
- 上記ホスホネートがポリ(アルキレンアミノ)ポリ(メチレンホスホネート)またはそのN−オキシドである請求項21に記載の組成物。
- 上記アルキレンアミノ基がエチレンアミノまたはプロピレンアミノ基である請求項22に記載の組成物。
- 上記ホスホネートが2〜6個のエチレンアミノ基及び/又はプロピレンアミノを含有する請求項23に記載の組成物。
- 上記(2)成分がジエチレントリアミンペンタキス(メチレンホスホネート)、トリエチレンテトラミンヘキサキス(メチレンホスホネート)またはテトラエチレンペンタミンヘプタキス(メチレンホスホネート)を含有する請求項20に記載の組成物。
- アミンオキシドおよび、それの0.05〜5重量%の酸化されていないポリ(エチレンアミノ)ポリ(メチレンホスホネート)を含有する組成物。
- 上記アミンオキシドが固体のアミンオキシドまたはアミンオキシド水和物である請求項20〜26のいずれか1項に記載の組成物。
- 水、および組成物当たり10〜99重量%のアミンオキシドを含有する請求項20〜27のいずれか1項に記載の組成物。
- 上記アミンオキシドがG−相として存在する請求項28に記載の組成物。
- 上記アミンオキシドがL1相として存在する請求項28に記載の組成物。
- 上記アミンオキシドを少なくとも20重量%含有する請求項30に記載の組成物。
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