JP3594221B2 - 半導体集積回路装置のテスト回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置、特に、半導体記憶装置、更に特には、フラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
次世代フラッシュメモリには、より一層の低電圧化、低消費電力化及び低コスト化が求められている。この低電圧化対応のため、一般にフラッシュメモリは外部から供給される低電圧電源を昇圧するための昇圧回路(以下、「チャージポンプ回路」と称す)を有している。そして、このチャージポンプ回路は、フラッシュメモリの待機時においては、消費電力を下げるため、昇圧動作を止め、昇圧した出力電圧が動作上問題の生じない範囲で下がることを許容し、フラッシュメモリの活動状態では昇圧電圧を維持して出力する機能を有している。このため、フラッシュメモリを市場に出荷する前に、フラッシュメモリが待機時から活動状態になる際、安定して正常に動作するか否かのテストがウェハ状態及びパッケージングされた状態で必要となっている。
【0003】
このテストの一つに、チャージポンプ回路の出力ノードの電位を測定するものがある。この従来技術を図4に示し、これを基に説明する。
【0004】
この図4では説明を容易にするため、チャージポンプ回路、チャージポンプ回路を間欠動作させるための低周波発振回路(以下、「LFO」と称す)、及び、ワード線を駆動するワード線駆動回路及びテスト用配線とその端子等、必要な部分のみを示している。外部から供給される低電圧の電源電圧Vccを基に、チャージポンプ回路29により、Vccより高い電圧VHに昇圧する。ここでフラッシュメモリが正常な動作を行うのに必要な最低保証電圧をVLとする。この昇圧した電圧をロウデコーダ26やワード線駆動回路27の電源としている。ノードVPXに昇圧された電圧が出力される。ロウデコーダ26は、図示されていないが、プリデコーダからの信号A1〜Anに応じて、出力部X1〜Xnに昇圧された電圧レベルかVssレベル(GND)を出力する。
【0005】
なお、チャージポンプ回路、ロウデコーダ、及びワード線駆動回路は、既知の技術で構成されており、ここでは特に説明は省略する。
【0006】
ワード線駆動回路27は、PチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタで構成されたインバータバッファである。先のX1〜Xn部の信号を反転し、この出力に応じて、各ワード線WL1〜WLnにゲートが接続されているメモリアレイのメモリセル(図示せず)が、選択または非選択状態となる。
【0007】
次に、フラッシュメモリの待機時での消費電力を低く押さえるため、チャージポンプ回路29を、LFO28の信号により間欠動作させる方法を行っている。このチャージポンプ回路29は、フラッシュメモリの待機時は、LFO28からの出力信号LFOPにより制御され、一方、フラッシュメモリが活動状態になると、すなわち、読み出し状態等になると、アドレスの変化を検出したアドレス遷移回路30の出力信号により制御されるものである。
【0008】
図5に、フラッシュメモリの待機時にチャージポンプ回路29を間欠動作させた場合の各ノードの電圧変化の一例を示す。
【0009】
LFO28はリングオシレータで構成され、その出力信号LFOPは、一定の周期Tで、ハイレベルはVccレベル、ロウレベルはVssレベルを持って発振する。チャージポンプ回路29は、出力信号LFOPが、例えば、ハイレベル時にのみ活性化し、昇圧動作を行い、ノードVPXの電圧を規定の電圧VHにする。一方、出力信号LFOPがロウレベル時は、チャージポンプ回路29は昇圧動作を止め、休眠状態、すなわち、チャージポンプ回路自体も消費電力をほとんど消費しない状態となる。この休眠状態では、チャージポンプ回路29の出力ノードVPXはハイインピーダンスとなるため、ノードVPXはフローティング状態となる。ノードVPXには、多くの回路(ロウデコーダ26、ワード線駆動回路27等)が接続されているため、寄生容量も大きく、この寄生容量での電荷の蓄積により、ノードVPXの電位はある程度維持されるが、例えば、ワード線駆動回路27内のPチャネルMOSトランジスタのオフリーク等のリーク電流により放電され、ノードVPXの電位は徐々に低下していく。しかしながら、LFO28の発振周期Tの時間が経過すると、再び、LFO28の出力信号LFOPはハイレベルとなるため、チャージポンプ回路29は活性化され、昇圧動作を開始し、ノードVPXの電圧は、出力信号LFOPのハイレベルの期間、上昇し、規定の電圧VHになる。
【0010】
以上は、フラッシュメモリが待機状態である場合を説明した。
【0011】
次に、フラッシュメモリが待機状態(チップイネーブル信号/CEがハイレベル)から活動状態(/CEがロウレベル)に移行する際について、図6を基に説明する。図6は、待機状態から読み出し状態にフラッシュメモリが移行した時の各ノードの電位変化の一例を示す図である。
【0012】
待機状態から読み出し状態となると、チャージポンプ回路29はLFO28からの出力信号LFOPの状態ではなく、アドレスの変化を検出したアドレス遷移検出回路30からの出力信号により読み出し状態であることを検出し、常に活性化し、チャージポンプ回路29の出力ノード、すなわち、ノードVPXは電圧VHで一定となる。但し、チップイネーブル信号/CEが立ち下がってから、チャージポンプ回路29が活性化して出力が所定の値になるまでに、遅延時間TDが存在する。
【0013】
このため、活動状態に切り替わった初期の状態、すなわち、最初のアクセスはノードVPXが放電により、電位が低下した状態でワード線WLを駆動することになる。このアクセスを正常に行うと共に、そのアクセス速度を速くするためには、常にノードVPXの電位を最低動作保証電圧VLより十分に高く保つことが必要となる。しかしながら、例えばLFO28の発振周波数を高くしてノードVPXを必要以上に高い電圧で維持すると、待機時の消費電力が増えることになる。したがって、ノードVPXの電位を最低動作保証電圧VLより若干高い値になるように、LFO28の発振周波数等を設定することになる。
【0014】
このため、デバイスの特性のばらつきにより、先述のワード線駆動回路内のPチャネルMOSトランジスタのオフリーク電流が大きかったり、LFO28のリングオシレータの発振周波数が低い等により、ノードVPXの電位が正常な動作を保証する電圧VLを下回ってしまうことがある。
【0015】
この場合、動作不良やアクセス時間の増大を招くことになるため、ウェハ状態若しくはパッケージング後の状態で、ノードVPXの電位をチェックし、特に待機状態時において、規定のVL以下になるデバイスは排除する必要がある。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、チャージポンプ回路29が、常に活動状態の場合、すなわち、読み出し状態ならば、従来技術である図4でスイッチ24を閉じれば、電位測定パッド25を介して、ノードVPXの電位は測定可能である。なお、スイッチ24の制御は、図示していないが、フラッシュメモリ内部にあるテストモード時に動作するテスト制御用回路からの制御信号によって行われるものである。
【0017】
しかしながら、待機状態では、先述のように、チャージポンプ回路29は間欠動作をしており、チャージポンプ回路が休眠状態の期間は、ノードVPXはフローティング状態となっている。このため、図4のような活動状態と同じ方法でノードVPXの電位を計測すると、ノードVPXに蓄積されている電荷が電位測定パッド25を介して、図示していないが、計測機器に抜けてしまい、ノードVPXの正確な電位を測定することが出来ない。
【0018】
このため、例えば、ウェハ段階で、待機時にノードVPXが先の電圧VL以下になるデバイスを正確に排除することができず、不良品がパッケージング工程まで流れ、コストアップの要因となったり、パッケージング後のテストで漏れれば、不良品が市場に出てしまうことになる。これを避けるため、仕様を厳しくすれば、歩留まりが下がり、コストアップ化になり、或いは、設計段階で余裕を見て、例えば、先述のLFOの発振周波数を高めに設定したりすれば、デバイスの待機時の消費電力が増大してしまう等、不都合を生じていた。
【0019】
本発明は、このような従来の問題点を解決すべくなされたものであり、正確な電位測定を可能とするテスト回路を内蔵した半導体集積回路装置を提供するものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路装置のテスト回路は、待機状態において間欠動作し、通常動作状態において常に活性化される昇圧手段を有し、該昇圧手段の出力ノードが、ロウデコーダおよびワード線駆動回路に接続された半導体集積回路装置において、上記昇圧手段が間欠動作される待機状態での上記昇圧手段の出力ノードの電位を測定するために設けられたテスト回路であって、上記出力ノードに、その一端が接続された第1のスイッチング手段と、そのゲートが上記第1のスイッチング手段の他端に接続され、そのソースが基準電位に接続され、そのドレインが第1の計測用端子に接続されており、ゲート−ソース間の電圧とドレイン電流の特性が予め計測されたNチャネルMOSトランジスタとを備え、上記第1のスイッチング手段の他端が上記NチャネルMOSトランジスタのゲートのみに接続されていることを特徴とするものである。
【0021】
上記第1の計測用端子が、半導体集積回路装置内部の計測用パッドであることを特徴としてもよい。
【0022】
上記第1の計測用端子が、外部パッドであることを特徴としてもよい。
【0023】
上記第1の計測用端子が、半導体集積回路装置の通常動作時に信号入力、信号出力、または信号入出力端子として機能する外部パッドであり、該外部パッドと上記NチャネルMOSトランジスタのドレインとの間に第2のスイッチング手段が設けられていることを特徴としてもよい。
【0024】
また、本発明の半導体集積回路装置のテスト回路は、待機状態において間欠動作し、通常動作状態において常に活性化される昇圧手段を有し、該昇圧手段の出力ノードが、ロウデコーダおよびワード線駆動回路に接続された半導体集積回路装置において、上記昇圧手段が間欠動作される待機状態での上記昇圧手段の出力ノードの電位を測定するために設けられたテスト回路であって、上記出力ノードに、その一端が接続された第1のスイッチング手段と、そのゲートが上記第1のスイッチング手段の他端に接続され、そのソースが基準電位に接続され、そのドレインが第1の計測用端子に接続されたNチャネルMOSトランジスタと、その一端が上記NチャネルMOSトランジスタのゲートに接続され、その他端が第2の計測用端子に接続された第2のスイッチング手段とを備え、上記第1のスイッチング手段の他端に、上記NチャネルMOSトランジスタのゲートおよび上記第2のスイッチング手段の一端のみが接続されていることを特徴とするものである。
【0025】
上記第1の計測用端子及び第2の計測用端子が、それぞれ、半導体集積回路装置内部の計測用パッドであることを特徴としてもよい。
【0026】
上記第1の計測用端子及び第2の計測用端子が、それぞれ、外部パッドであることを特徴としてもよい。
【0027】
上記第1の計測用端子が、半導体集積回路装置の通常動作時に信号入力、信号出力、または信号入出力端子として機能する第1の信号端子と兼用される第1の外部パッドであり、上記第2の計測用端子が、半導体集積回路装置の通常動作時に信号入力、信号出力、または信号入出力端子として機能する第2の信号端子と兼用される第2の外部パッドであって、上記第1の外部パッドと上記NチャネルMOSトランジスタのドレインとの間に第3のスイッチング手段が設けられていることを特徴してもよい。
【0028】
かかる本発明の半導体集積回路装置のテスト回路によれば、昇圧手段の出力ノードは、直接、計測用端子に接続されることはなく、NチャネルMOSトランジスタのゲートにのみ接続されるものであるため、出力ノードの充電電荷の抜けは全く生じず、したがって、正確な電位測定が可能となるものである。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0030】
まず、本発明の第1の実施形態を図1を基に説明する。
【0031】
ここでも、従来技術の説明と同様に、本発明に関係するチャージポンプ回路9、チャージポンプ回路9を間欠動作させるための低周波発振回路(LFO)8、アドレス遷移検出回路10、及び、ワード線WL1〜WLnを駆動するワード線駆動回路7、ロウデコーダ6と、スイッチング手段2、3とNチャネルMOSトランジスタ1と計測用端子(パッド)4、5等の必要な部分のみを図示している。
【0032】
従来技術と動作が同じ部分は説明を省略する。
【0033】
チャージポンプ回路9の出力ノードであるノードVPXは、第1のスイッチング手段2を介してNチャネルMOSトランジスタ1のゲートに接続されている。更に、NチャネルMOSトランジスタ1のゲートは第2のスイッチング手段3の一端に接続され、このスイッチング手段3の他端は、第1の計測用パッド5に接続されている。また、NチャネルMOSトランジスタ1のドレインは第2の計測用パッド4に接続され、一方、ソースはVss(GND)に接続されている。
【0034】
なお、上記スイッチング手段2及び3は、既知の技術、例えば、Pチャネル若しくはNチャネルMOSトランジスタやCMOSトランスミッションゲート等で容易に構成可能である。また、このスイッチング手段2及び3の制御については、図示されていないが、デバイスに内蔵されているテスト用回路がテストモード時に動作し、この回路からの制御信号によりスイッチング手段の開閉が行われる。
【0035】
さて、チャージポンプ回路9は、デバイスの待機時はLFO8からの出力信号LFOPにより間欠動作を行い、活動と休眠状態を繰り返している。
【0036】
次に、デバイスの待機時、すなわち、チャージポンプ回路の休眠状態を含む状態での、本回路によるノードVPXの電位を測定する手順の一例を説明する。
【0037】
まず、第1のスイッチング手段2を導通状態、一方、第2のスイッチング手段3を非導通状態にする。そして、計測用パッド4を介して適当な電圧VBを印加し、この計測用パッド4を通じて流れる電流を測定する。この時の電流値をI1とする。
【0038】
次に、第1のスイッチング手段2を非導通状態、一方、第2のスイッチング手段3を導通状態にすると共に、計測用パッド4に先程と同じ電圧VBを印加する。そして、今度は、計測用パッド5に別の電圧を印加する。この電圧は、計測用パッド4を通じて流れる電流が先程の電流値I1になるように調整する。
【0039】
計測用パッド4を通じて流れる電流が先程の電流値I1になる時の電圧の値VMが、求めるノードVPXの電位と等しいことになる。
【0040】
以上の構成及び測定方法により、ノードVPXにはNチャネルMOSトランジスタ1のゲートのみが接続されているだけなので、計測時に於いてもノードVPXに蓄積されている電荷が計測回路を通じて抜けてしまうことはない。したがって、正確な電位測定が可能となるものである。
【0041】
また、計測用パッド5を通じてNチャネルMOSトランジスタ1の特性を測定することが出来るので、NチャネルMOSトランジスタ1の、プロセスばらつきに伴う特性の変動や、測定時の周辺温度による特性の変動による測定誤差を全く排除することが出来、ノードVPXの電位を精度良く測定することが可能である。
【0042】
なお、上記の方法では、計測用パッド4を通じて流れる電流値により、ノードVPXの電位を測定しているが、他の方法でも可能である。例えば、計測用パッド4に適当な電源と適当な抵抗を直列に接続し、計測用パッド4の電位を測定する方法を用いてもよい。
【0043】
次に、本発明の第2の実施形態を図2を基に説明する。
【0044】
この実施形態は、第1の実施形態で用いられている計測用パッド4につながる配線に第3のスイッチング手段21を設け、該第3のスイッチング手段21及び第2のスイッチング手段13を、通常動作時とテスト時とで切り替えることで、計測用パッド14及び15を、信号用(アドレス用やデータ用)に使用されているパッドと兼用するものである。すなわち、パッド14は、本来(通常動作時)は信号22(入力信号、出力信号、或いは入出力信号)のためのパッドであるが、スイッチング手段21を介してNチャネルMOSトランジスタ11のドレインに接続されている。一方、パッド15もまた、本来(通常動作時)は信号23(同)のためのパッドであるが、スイッチング手段13を介してNチャネルMOSトランジスタ11のゲートに接続されている。この部分以外の構成は、第1の実施形態と同様である。すなわち、19はチャージポンプ回路、18はLFO、20はアドレス遷移検出回路であり、また、16はロウデコーダ、17はワード線駆動回路であり、更に、12は第1のスイッチング手段である。
【0045】
通常動作時はスイッチング手段12、13及び21を非導通状態にして使用する。一方、テスト時(ノードVPXの電位測定時)はスイッチング手段12及び21を導通状態にして、後は第1の実施形態で説明したのと同じ方法にて、ノードVPXの電位測定を行うことができる。テスト時は、信号線22及び23に繋がる回路(図示せず)はハイインピーダンスになっているため、ノードVPXの電位の測定には影響を及ぼさない。
【0046】
また、スイッチング手段13及び21を、できるだけパッド15及び14に近い所に配置することにより、計測用回路を接続したことによるパッド14や15の入力容量や出力容量の増加を最小限に抑えることができる。
【0047】
この構成によれば、計測用パッドを新たに増やすことなく、ウェハ状態だけではなく、パッケージング後もノードVPXの電位を測定することができるものである。また、特に半導体記憶装置のように、パッケージの端子配置に互換性が要求される場合でも、対応が可能となるものである。
【0048】
更に、本発明の第3の実施形態を図3を基に説明する。
【0049】
この実施形態は、第1の実施形態の回路から、NチャネルMOSトランジスタ1のゲートに接続されていたスイッチング手段3と計測用パッド5とを省略したものである。したがって、ノードVPXに接続されたスイッチング手段32と、該スイッチング手段32の他端に接続されたNチャネルMOSトランジスタ31とのみを有し、このNチャネルMOSトランジスタ31のドレインが計測用パッド34に接続されている。また、NチャネルMOSトランジスタ31のソースはVss(GND)に接続されている。この部分以外の回路構成は、第1の実施形態と同様である。すなわち、39はチャージポンプ回路、38はLFO、40はアドレス遷移検出回路であり、また、36はロウデコーダ、37はワード線駆動回路である。
【0050】
本実施形態に於ける、ノードVPXの電位測定手順を以下に示す。
【0051】
まず、デバイスと同一のウェハから取った特性評価素子(TEST ELEMENT GROUP。以下、「TEG」と称す)等により、あらかじめNチャネルMOSトランジスタ31と同等のトランジスタの特性を計測し、NチャネルMOSトランジスタのゲート−ソース間の電圧とドレイン電流の特性に関する特性表を作成しておく。そして、スイッチング手段32は通常動作時は非導通状態にして使用する。
【0052】
次に、チャージポンプ回路39の間欠動作時のノードVPXの電位を測定する際には、スイッチング手段32を導通状態にし、計測用パッド34に適当な電圧を印加して、この計測用パッド34を通して流れる電流を測定する。この電流値を先の特性表に照らし合わせることにより、ノードVPXの電位を知ることができる。なお、上記の計測方法では、計測用パッド34を通して流れる電流値により、ノードVPXの電位を計測しているが、他の方法でも良い。例えば、計測用パッド34に適当な電源と適当な抵抗を直列に接続し、計測用パッド34の電位を計測する方法を用いてもよい。この回路構成によれば、第1の実施形態と比較して、計測用パッド及びスイッチング手段を、それぞれ、1つずつ減少させることができるものである。
【0053】
また、本実施形態を第2の実施形態に適用してもよい。すなわち、第3の実施形態で用いられている計測用パッド34につながる配線に第3のスイッチング手段を設け、該第3のスイッチング手段を、通常動作時とテスト時とで切り替えることで、計測用パッド34を、信号用(アドレス用やデータ用)に使用されているパッドと兼用するものである。この構成によれば、第2の実施形態と比較してスイッチング手段を減少させることができるものである。
【0054】
なお、上記何れの実施形態においても、ウェハ状態でのテストは、デバイスチップ上の計測用パッド(内部パッド)にプローブカードの針を当てることによりノードVPXの電位を計測することができる。
【0055】
また、計測用パッド(内部パッド)とパッケージの端子(外部パッド)とを、例えば、ワイヤボンディング等により電気的接続を行うことで、パッケージング後のノードVPXの電位が外部パッドで計測できる。この場合は、パッケージ等の浮遊容量も含めた実働状態に近い環境で、より正確に精度よく計測が可能となる。
【0056】
以上、本発明の説明を行ってきたが、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、数々の変更や組み合わせも可能であることは言うまでもない。
【0057】
例えば、上述した本発明の実施形態は、1つのチャージポンプ回路に全てのワード線駆動回路等が接続された構成であるが、LFOは一つでワード線駆動回路がいくつかのブロックに分かれて構成され、各々のブロックにチャージポンプ回路が接続され、かつ各々のノードVPXに、計測用のスイッチング手段とNチャネルMOSトランジスタと計測用パッドが接続されている回路構成も可能である。
【0058】
また、これまでの説明は、フラッシュメモリにおけるワード線駆動のための昇圧電位を計測する例により行ったが、本発明はフラッシュメモリに限らず、デバイス内部で昇圧し、デバイスの待機時の低消費電力化等のために昇圧回路の出力ノードがフローティング状態を含む状態になる、DRAM等の他の半導体記憶装置に対しても応用が可能である。
【0059】
更に、本発明はワード線駆動のための昇圧電位の測定に限らず、フローティング状態のノードの電位計測すべてに応用が可能である。
【0060】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、NチャネルMOSトランジスタのプロセスばらつきに伴う特性の変動や、測定時の周辺温度による特性の変動による影響を受けることなく、フローティング状態を含む出力ノードの電位を正確に且つ精度良く測定することができる。これにより、先述の仕様を厳しくすることによる歩留り低下からのコストアップ要因や、或いは、設計段階で余裕を見ての例えば、先述のLFOの発振周波数を高めに設定したりしてのデバイスの待機時の消費電力が増大してしまう等の不都合を排除することができ、コストダウン化と低消費電力化を実現できるものである。
【0061】
また、パッケージの外部パッドとデバイスチップ上の計測用内部パッドとを電気的に接続することで、パッケージング後にも電位を測定することができる。これにより、パッケージング後の実働状態に近い環境で、より正確に精度よくテストすることができるものである。
【0062】
更に、通常動作時とテスト時での切り替え手段を設けることで、通常動作時には信号用パッドであり、テスト時には計測用パッドであるというように、パッドを兼用することができるため、テスト用パッドを新たに設けることなく、ウェハ状態だけではなくパッケージング後も電位を測定することができる。このことは、特に半導体記憶装置のように、パッケージの端子配置に互換性が要求される場合に効果を発するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の構成図である。
【図2】本発明の第2の実施形態の構成図である。
【図3】本発明の第3の実施形態の構成図である。
【図4】従来技術の構成図である。
【図5】チャージポンプ回路を間欠動作させたときの波形図である。
【図6】フラッシュメモリが待機状態から読み出し状態へ移行したときの波形図である。
【符号の説明】
1、11、31 NチャネルMOSトランジスタ
2、3、12、13、21、32 スイッチング手段
4、5、14、15、34 計測用パッド
9、19、39 チャージポンプ回路
10、20、40 アドレス遷移検出回路
Claims (8)
- 待機状態において間欠動作し、通常動作状態において常に活性化される昇圧手段を有し、該昇圧手段の出力ノードが、ロウデコーダおよびワード線駆動回路に接続された半導体集積回路装置において、上記昇圧手段が間欠動作される待機状態での上記昇圧手段の出力ノードの電位を測定するために設けられたテスト回路であって、
上記出力ノードに、その一端が接続された第1のスイッチング手段と、
そのゲートが上記第1のスイッチング手段の他端に接続され、そのソースが基準電位に接続され、そのドレインが第1の計測用端子に接続されており、ゲート−ソース間の電圧とドレイン電流の特性が予め計測されたNチャネルMOSトランジスタとを備え、
上記第1のスイッチング手段の他端が上記NチャネルMOSトランジスタのゲートのみに接続されていることを特徴とする、半導体集積回路装置のテスト回路。 - 上記第1の計測用端子が、半導体集積回路装置内部の計測用パッドであることを特徴とする、請求項1に記載の半導体集積回路装置のテスト回路。
- 上記第1の計測用端子が、外部パッドであることを特徴とする、請求項1に記載の半導体集積回路装置のテスト回路。
- 上記第1の計測用端子が、半導体集積回路装置の通常動作時に信号入力、信号出力、または信号入出力端子として機能する外部パッドであり、該外部パッドと上記NチャネルMOSトランジスタのドレインとの間に第2のスイッチング手段が設けられていることを特徴とする、請求項3に記載の半導体集積回路装置のテスト回路。
- 待機状態において間欠動作し、通常動作状態において常に活性化される昇圧手段を有し、該昇圧手段の出力ノードが、ロウデコーダおよびワード線駆動回路に接続された半導体集積回路装置において、上記昇圧手段が間欠動作される待機状態での上記昇圧手段の出力ノードの電位を測定するために設けられたテスト回路であって、
上記出力ノードに、その一端が接続された第1のスイッチング手段と、
そのゲートが上記第1のスイッチング手段の他端に接続され、そのソースが基準電位に接続され、そのドレインが第1の計測用端子に接続されたNチャネルMOSトランジスタと、
その一端が上記NチャネルMOSトランジスタのゲートに接続され、その他端が第2の計測用端子に接続された第2のスイッチング手段とを備え、
上記第1のスイッチング手段の他端に、上記NチャネルMOSトランジスタのゲートおよび上記第2のスイッチング手段の一端のみが接続されていることを特徴とする、半導体集積回路装置のテスト回路。 - 上記第1の計測用端子及び第2の計測用端子が、それぞれ、半導体集積回路装置内部の計測用パッドであることを特徴とする、請求項5に記載の半導体集積回路装置のテスト回路。
- 上記第1の計測用端子及び第2の計測用端子が、それぞれ、外部パッドであることを特徴とする、請求項5に記載の半導体集積回路装置のテスト回路。
- 上記第1の計測用端子が、半導体集積回路装置の通常動作時に信号入力、信号出力、または信号入出力端子として機能する第1の信号端子と兼用される第1の外部パッドであり、上記第2の計測用端子が、半導体集積回路装置の通常動作時に信号入力、信号出力、または信号入出力端子として機能する第2の信号端子と兼用される第2の外部パッドであって、上記第1の外部パッドと上記NチャネルMOSトランジスタのドレインとの間に第3のスイッチング手段が設けられていることを特徴とする、請求項7に記載の半導体集積回路装置のテスト回路。
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