JP3591197B2

JP3591197B2 - ボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造

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Publication number: JP3591197B2
Application number: JP07568697A
Authority: JP
Inventors: 友幸平松; 秀樹袋; 雅之青山; 晃嘉山本
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1997-03-27
Filing date: 1997-03-27
Publication date: 2004-11-17
Anticipated expiration: 2017-03-27
Also published as: JPH10270856A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ボールグリッドアレイパッケージ形の半導体部品を、バンプ接続用の複数個のパッドを有する多層配線基板に実装する構造を改良したボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
ボールグリッドアレイパッケージ形の半導体部品１（以下、ＢＧＡ部品１と省略する）は、図１５（ｂ）に一部を示すように、パッケージ２の実装面（下面）に、ボール形の多数個のはんだバンプ３をグリッド状に有して構成されている。従来では、このようなＢＧＡ部品１の実装構造としては、図１０及び図１１に示すような、スルーホール４を有する多層配線基板５を用いるものがあった。
【０００３】
この多層配線基板５の表面には、前記ＢＧＡ部品１のはんだバンプ３に対応したパッド６，７が設けられている。このうち、外側２列に位置するパッド６は、そのまま表面導体パターン８に接続されるのであるが、外側から３列目以降の内側のパッド７（図１０で１個のみ図示）は、表面導体パターン８に接続する余地（パターンを引出す部分）がないため、そのパッド７の近傍に形成されたスルーホール４を介して内層導体パターン９に接続されるようになっていた。尚、前記ＢＧＡ部品１を実装するにあたっては、前記パッド６，７に対してクリームはんだを印刷した上で、ＢＧＡ部品１をマウントし、その後リフロー炉を通してはんだを溶融硬化させて電気的，物理的な接続を行うようになっている。
【０００４】
ところで、近年では、部品の小形化や実装密度の高密度化により、前記パッド６，７の直径寸法が０．４ｍｍ以下とされ、その縦横の配置ピッチ（つまりＢＧＡ部品１のはんだバンプ３の形成ピッチ）も、１．０ｍｍ以下、例えば０．８ｍｍと小形化してきている。これに対し、前記スルーホール４は、機械加工（ドリルによる穴あけ）によって形成されるために小形化に限度があり、その穴の内径寸法が０．３ｍｍ、表面導体部の直径寸法が０．６ｍｍ程度が限度であった。このため、図１０及び図１１に示す構成では、パッド６，７の配置ピッチが小さく（１．０ｍｍ以下）なると、導体同士間の最小クリアランスａが、０．０６ｍｍ程度となってしまい、絶縁性の観点からは品質的に問題がある。
【０００５】
そこで、近年では、例えば特開平８−１６２７６７号公報に示されるように、凹状バイアホールを用いることが行われてきてる。このものでは、図１２及び図１３に示すように、多層配線基板１０は、内側に位置するパッド１１を、断面Ｕ字状のいわゆる凹状バイアホール１１ａを介して内層導体パターン９に接続するようにしている。この場合、前記多層配線基板１０は、図１４に示すように、感光性絶縁樹脂の層を積上げるようにしたビルトアップ法により、次のようにして製造される。
【０００６】
即ち、まず、ベース基板１２の上下両面に、内層導体パターン９，１３を形成し（図１４（ａ）参照）、更にその両面に感光性絶縁樹脂１４，１４を積層し、必要個所（後にバイアホール１１ａとなる位置）にフォト法により穴１４ａを形成する（図１４（ｂ）参照）。次に、両面に銅メッキを施し、エッチングにより表面導体パターン８及びパッド６，１１、並びに裏面側の導体パターン１５を形成する（図１４（ｃ）参照）。そして、表面の導体部分にニッケル又は金のメッキを施して（図１４（ｄ）参照）、最後にソルダレジスト１６を形成するのである（図１４（ｅ）参照）。
【０００７】
これによれば、凹状バイアホール１１ａはフォト法によって形成されるため、その内径寸法を０．１ｍｍ程度に小さくすることができてパッド１１自体の直径寸法もパッド６と同等に小さくすることができる。従って、パッド６，１１の配置ピッチを小さくしても、導体同士間の最小クリアランスｂを０．１５ｍｍ程度とすることができ、もって十分な絶縁性を確保することができるのである。
【０００８】
しかしながら、上記したような凹状バイアホール１１ａを用いる実装構造では、ＢＧＡ部品１を実装した際（図１５参照）に、パッド１１部分のはんだ接続部１７内にボイドＢが含まれてしまう問題が生じていた。このようにはんだ接続部１７内にボイドＢが生ずると、ストレスに対する強度が低下して接続の信頼性が低下してしまう不具合を招く。はんだ接続部１７内にボイドＢが生ずる要因は、次のようなメカニズムによるものと考えられる。
【０００９】
即ち、図１５（ａ）は、クリームはんだ１８の印刷時の様子を示しており、多層配線基板１０上にメタルマスク１９が密着され、スキージ２０がそのメタルマスク１９の上面を矢印Ａ方向に移動されることにより、メタルマスク１９上に供給されたクリームはんだ１８が、透孔１９ａを通して基板１０（パッド６，１１）上に塗布され、その後メタルマスク１９が上昇されるようになっている。ところが、クリームはんだ１８がメタルマスク１９の透孔１９ａを通って塗布される際に、そのクリームはんだ１８が凹状バイアホール１１ａの開口部全体を一気に塞ぐようにしながら供給されることになり（図１５（ａ）参照）、バイアホール１１ａ内に空気（気泡）が閉じ込められた状態でクリームはんだ１８により蓋がされた形態となる。
【００１０】
そして、図１５（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように、その状態からＢＧＡ部品１が実装されると、前記クリームはんだ１８とはんだバンプ３とが一体化して溶融し硬化してはんだ接続部１７となるのであるが、その際に、バイアホール１１ａ内に残っていた空気が、その後のリフローの工程ではんだ接続部１７内を上昇するように移動してボイドＢとなるのである。
【００１１】
なお、その他にも、上記のようなビルトアップ法により製造された多層配線基板１０は、特に穴あけのための製造工程が複雑となってコスト高となり、また、パッド１１と内層導体パターン１３との接続が、バイアホール１１ａの底部のみで行われているため、メッキ金属がいわば点接続された状態となって密着強度（ピール強度）が比較的低いといった事情もあった。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、はんだ接続部のボイドの発生を防止できて接続の信頼性を向上させることができるボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造を提供するにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、ボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品を多層配線基板に実装した際にはんだ接続部にボイドが生ずる要因は、はんだ印刷時に凹状バイアホール内に空気が閉じ込められて残存することにあるという知見に基づき、従来では凹状バイアホールとしていたものを、穴が塞がれた形態のブラインドバイアホールに置き換えることにより、はんだ印刷時の空気の残存を未然に防止することができることを確認したのである。
【００１４】
即ち、本発明の請求項１のボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造は、ボールグリッドアレイパッケージ形の半導体部品を、バンプ接続用の複数個のパッドを有する多層配線基板に対して、前記パッドに印刷されたはんだを介して実装する構造にあって、前記パッドを、前記多層配線基板の表面導体に接続される第１のパッドと、ブラインドバイアホールを介して前記多層配線基板の内層導体に接続される第２のパッドとを含んで構成すると共に、前記第２のパッドの表面の外周部をソルダレジストにより覆うことにより、その露出部分の大きさを前記第１のパッドの大きさと均等としたところに特徴を有するものである。
【００１５】
これによれば、第２のパッドは、ブラインドバイアホールを介して内層導体に接続されるので、その表面を凹凸のないフラットな状態とすることができる。また、表面導体に接続される第１のパッドの表面がフラットとされることは勿論である。従って、はんだは、共にフラットな第１及び第２のパッドの表面に印刷されることになり、空気が残存することはなくなるのである。
【００１６】
この結果、本発明によれば、はんだ接続部のボイドの発生を防止できて接続の信頼性を向上させることができるという優れた効果を得ることができる。また、このブラインドバイアホールにおいては、穴の端部の周囲部における広い面積にて内層導体と接続されるようになるので、凹状バイアホールを用いた場合と比較して、接続の強度（ピール強度）を大幅に向上させることができるのである。
【００１７】
ところで、上記ブラインドバイアホールを形成するための穴あけ加工にドリル等による機械加工を採用した場合、その内径寸法に限界があり、ひいては第２のパッドの大きさが、第１のパッドよりも大きくなってしまうことになる。そのように第１のパッドと第２のパッドとの大きさが相違すると、第２のパッドのはんだ接続面（導体部）が第１のパッドのはんだ接続面よりも大きくなり、部品実装後の各はんだ接続部に対するストレスのかかり具合が不均等となってしまう虞がある。ところが、第２のパッドの表面の外周部をソルダレジストにより覆うことによって、その露出部分の大きさを第１のパッドの大きさと均等とする構成とすれば、各はんだ接続部に対するストレスのかかり具合が均等となって高い接続強度を得ることができるものである。
【００１８】
このとき、上記多層配線基板を、半硬化状の基材を重ね合わせてプレスしてなるサブトラクティブ基板から構成することができる（請求項２の発明）。これにより多層配線基板の製造工程が簡単となりコストダウンを図ることができるようになる。また、このサブトラクティブ基板においては、第２のパッドが第１のパッドよりも大きくなるが、パッドの配置ピッチを小さくした場合でも、導体同士間の絶縁に必要なクリアランスを十分に確保することができ、導体同士間の絶縁性を確保することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例について、図１ないし図７を参照しながら説明する。図１及び図２は、ボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品２１（以下、ＢＧＡ部品２１と省略する）を、多層配線基板２２に実装した様子を示している。
【００２１】
前記ＢＧＡ部品２１は、図５（ｂ）にも示すように、矩形状のパッケージ２３の実装面（図で下面）に、ボール状の複数個のはんだバンプ２４（後にはんだ接続部２５となる）をグリッド状（格子状）に有して構成されている。この場合、図２から理解できるように、はんだバンプ２４は、パッケージ２３の下面うち、その中央部の矩形状領域を除いた矩形枠状領域に内外方向に４列に渡って形成されている。また、はんだバンプ２４の縦横方向の形成ピッチ（ひいては後述するパッドの配置ピッチｃ）は、１．０ｍｍ以下例えば０．８ｍｍと狭小なものとされている。
【００２２】
これに対し、前記多層配線基板２２は、後述するように、サブトラクティブ法により製造されるサブトラクティブ基板から構成される。この多層配線基板２２は、図１及び図４に示すように、中間絶縁層２６の表裏（図で上下）両面側に、夫々表面側絶縁層２７、裏面側絶縁層２８を有し、これと共に、前記表面側絶縁層２７の表面部に位置して表面導体パターン２９、表面側絶縁層２７と中間絶縁層２６との間に位置して内層導体パターン３０、前記裏面側絶縁層２８の裏面部に位置して裏面導体パターン３１、裏面側絶縁層２８と中間絶縁層２６との間に位置して裏面側内層導体パターン３２を有して構成されている。
【００２３】
さて、この多層配線基板２２（表面側絶縁層２７）の表面部の前記ＢＧＡ部品２１が実装される部位には、図３にも示すように、前記はんだバンプ２４に対応して複数個のバンプ接続用のパッド３３，３４が設けられる。そのうち外側（図１．図４で左側）２列に位置する第１のパッド３３は、前記表面導体パターン２９と一体に形成されるいわゆる表面べたパッドとされている。
【００２４】
本実施例では、この第１のパッド３３は、直径寸法ｄ（図３参照）が例えば０．４ｍｍの円形状に形成され、外方に延びる表面導体パターン２９に接続されている。このとき、外側から２列目の第１のパッド３３に接続される表面導体パターン２９は、１列目の第１のパッド３３同士間を通って導出されている。尚、表面導体パターン２９の１本の幅寸法は、例えば０．１ｍｍとされ、第１のパッド３３と表面導体パターン２９との間の最小クリアランスｅ（図３参照）は、例えば０．１５ｍｍとされている。
【００２５】
そして、この多層配線基板２２の表面のうちＢＧＡ部品２１の内側２列のはんだバンプ２４に対応した位置には、第２のパッド３４が設けられる。図１及び図４に示すように、この第２のパッド３４は、前記表面側絶縁層２７を貫通するように形成されたブラインドバイアホール３５を介して、前記内層導体パターン３０に接続されている。
【００２６】
このブラインドバイアホール３５は、後述するような製造方法によって形成され、表面側絶縁層２７を貫通する穴の内周面部及びその表裏両面側の開口の周囲部に連続する導体を設け、その穴を絶縁材により塞いだ形態をなし、前記第２のパッド３４は、その表面周囲部のリング状の導体部に接触して覆う円形状に形成されている。また、表面側絶縁層２７の下面側のリング状の導体部が、前記内層導体パターン３０に一体的に接続されている。
【００２７】
このとき、図３に示すように、この第２のパッド３４の直径寸法ｆは例えば０．６ｍｍとされ、前記第１のパッド３３よりも大きいものとなっている。隣合う第２のパッド３４同士間のクリアランスｇは、０．２ｍｍが確保される。なお、図１に示すように、この多層配線基板２２の表裏両面部は、必要部分（パッド３３，３４部分等）を除いて、ソルダレジスト３６により覆われるようになっている。図３及び図４には、このソルダレジスト３６の図示を省略している。
【００２８】
本実施例では、表面側のソルダレジスト３６は、第１のパッド３３の全体を露出させると共に、第２のパッド３４の外周部を覆ってその露出部分の大きさを前記第１のパッド３３と同等とするように設けられている。また、前記第１及び第２のパッド３３及び３４（露出部分）には、後述するようにペースト状のクリームはんだ３７（図６参照）が印刷され、その上でＢＧＡ部品２１が実装されるようになっている。
【００２９】
ここで、前記多層配線基板２２の製造方法（サブトラクティブ法）について述べる。図５は、多層配線基板２２の製造の工程を順に示している。即ち、まず、表面側絶縁層２７となる絶縁材の両面に銅箔を貼付けてなる両面銅張積層板３８に（ａ）、ブラインドバイアホール３５の形成位置に、ドリルによる穴あけ加工を行って穴３８ａを形成する（ｂ）。そして、全面に銅メッキを施すことにより、穴３８ａ内にスルーホール状のブラインドバイアホール３５の導体を形成し（ｃ）、次いで、エッチングにより、表面側に、後に表面導体パターン２９及び第１のパッド３３並びに第２のパッド３４の一部となる表面導体３９を形成すると共に、裏面側に内層導体パターン３０を形成する（ｄ）。これにより、表面導体３９のうち後に第２のパッド３４が形成される部分が、スルーホール４０により内層導体パターン３０に接続された形態とされる。
【００３０】
次に、裏面側絶縁層２８となる両面銅張積層板４１にも同様の加工を行い、前記両面銅張積層板３８とその両面銅張積層板４１との間に、中間絶縁層２６となるプリプレグ（半硬化）状の絶縁材４２を挟んでプレス加工を行う（ｅ）。これにより、表面側絶縁層２７、中間絶縁層２６、裏面側絶縁層２８の三者が一体化し、内層導体パターン３０及び裏面側内層導体パターン３２が埋設状態とされた形態の多層基板４３とされ、これと共に、絶縁材４２の材料の一部がスルーホール３９内に進入して穴が塞がれ、もってブラインドバイアホール３５が形成されるようになる。
【００３１】
そして、この多層基板４３の全面に銅メッキを施し（ｆ）、次いで、表面のエッチングにより、表面導体パターン２９及び第１のパッド３３並びに第２のパッド３４を形成するのである（ｇ）。この後、表面の導体部分にニッケル又は金のメッキを施して（ｈ）、最後にソルダレジスト３６を形成して（ｉ）、多層配線基板２２が構成されるのである。尚、前記ソルダレジスト３６は、上述のように、第２のパッド３４の露出部分の大きさを第１のパッド３３と同等とするように形成され、例えば露出部分の直径寸法が０．４５ｍｍとされている。
【００３２】
さて、上記のように構成された多層配線基板２２に対して、ＢＧＡ部品２１を実装する手順について、図６及び図７も参照しながら述べる。図６は、多層配線基板２２に対するＢＧＡ部品２１の実装手順を示している。即ち、まず、図６（ａ）に示すように、多層配線基板２２（パッド３３，３４）の上面にクリームはんだ３７を印刷塗布する工程が実行される。この印刷の工程では、図７に示すようなメタルマスク４４が用いられる。このメタルマスク４４は、前記パッド３３，３４に対応した透孔４４ａが形成されているのであるが、このとき、第２のパッド３４に対応する透孔４４ａは、その露出部分のみに対応した直径に形成されている。
【００３３】
この印刷の工程では、多層配線基板２２の上面にメタルマスク４４が密着され、そのメタルマスク４４上にクリームはんだ３７が供給された状態で、スキージ４５が矢印Ａ方向に摺動しながら移動し、透孔４４ａ内に充填された状態となる。この後、メタルマスク４４が上昇されることにより、クリームはんだ３７が、透孔４４ａを通してパッド３３，３４の上面に盛り上がった状態に印刷されるのである。
【００３４】
しかる後、図６（ｂ）に示すように、各パッド３３，３４とはんだバンプ２４とが位置合せされた状態で、多層配線基板２２上にＢＧＡ部品２１がマウントされる。そして、図６（ｃ）に示すように、図示しないリフロー炉を通されることにより、はんだバンプ２４とクリームはんだ３７とが溶融し一体化して硬化し、はんだ接続部２５となり、もって多層配線基板２２に対するＢＧＡ部品２１の電気的，物理的接続がなされるのである。
【００３５】
しかして、このとき、従来例で述べたように、凹状バイアホール１１ａを用いてパッド１１と内層導体パターン９とを接続するようにしたものでは、凹状バイアホール１１ａ内に空気が閉じ込められた状態でクリームはんだ１８が印刷されてはんだ接続部１７内にボイドＢが生ずるといった虞があった。ところが、本実施例では、第１のパッド３３の表面がフラットであることは勿論、第２のパッド３４についても、ブラインドバイアホール３５を介して内層導体パターン３０に接続されるので、その表面を凹凸のないフラットな状態とすることができる。
【００３６】
従って、本実施例によれば、クリームはんだ３７は、共にフラットな第１及び第２のパッド３３及び３４の表面に空気が残存することなく印刷されるようになり、はんだ接続部２５のボイドの発生を防止でき、ひいては接続の信頼性を大幅に向上させることができるという優れた効果を得ることができる。しかも、ブラインドバイアホール３５においては、穴の端部の周囲部における広い面積にて内層導体パターン３０と接続されるようになるので、凹状バイアホール１１ａを用いた場合と比較して、接続の強度（ピール強度）を大幅に向上させることができるものである。ちなみに、本実施例のブラインドバイアホール３５では、凹状バイアホール１１ａを用いた場合の約１０倍の強度が得られた。
【００３７】
そして、本実施例では、ブラインドバイアホール３５を有する多層配線基板２２の製造に、サブトラクティブ法を採用するようにしたので、従来のようなビルトアップ法を用いて製造された多層配線基板１０とは異なり、製造工程が簡単となり大幅なコストダウンを図ることができるようになった。この場合、サブトラクティブ法を用いたことにより、ブラインドバイアホール３５を形成する穴３８ａの内径寸法が比較的大きく（０．３ｍｍ）なってしまう事情があるが、第２のパッド３４が第１のパッド３３よりも大きくなっても、導体同士間の絶縁に必要なクリアランスを十分に確保することができるものである。
【００３８】
さらに、特に本実施例では、第２のパッド３４の表面の外周部をソルダレジスト３６により覆うことによって、その露出部分の大きさを第１のパッド３３の露出部分の大きさと均等とするようにしたので、各はんだ接続部２５の大きさ（パッド３３，３４との接着面積）が均等となって、各はんだ接続部２５に対するストレスのかかり具合が均等となって高い接続強度を得ることができるというメリットも得ることができる。
【００３９】
図８及び図９は、本発明の他の実施例に係る多層配線基板５１を示すものである。この実施例においては、図８に示すように、バンプ接続用の３列のパッドのうち、外側１列を上記実施例と同様の第１のパッド３３とし、その内側１列を上記実施例と同様の第２のパッド３４（ブラインドバイアホール３５を介して内層導体パターン３０に接続されている）とし、最も内側の１列を第３のパッド５２としている。
【００４０】
これら各第３のパッド５２は、この第３のパッド５２と共に表面導体パターン２９と一体に形成される細幅の接続部５３を介して、パッド３３，３４，５２の内側の領域に形成されたスルーホール５４に接続され、そのスルーホール５４を介して内層導体パターン３０（あるいは３２）に接続されている。この場合、スルーホール５４（及び接続部５３）の形成位置を設定することによって、導体同士間の０．１５ｍｍ以上のクリアランス（例えば寸法ｈが０．１５８ｍｍ）が確保されるようになっている。
【００４１】
このような多層配線基板５１も、上記実施例と同様にサブトラクティブ法により製造される。このときには、図５（ｄ）に示したエッチングによるパターン形成時に、表面導体パターン２９、第１のパッド３３、第２のパッド３４の一部（スルーホール４０）、第３のパッド５２、導体部５３となる表面導体、内層導体パターン３０等を形成しておき、積層プレスによって多層基板５５を構成する（以上の工程についての図示は省略）。
【００４２】
そして、図９に示すように、その多層基板５５のうちスルーホール５４を形成する位置にドリルにより穴５５ａを形成し（ａ）、全面に銅メッキを施すことにより、穴５５ａ内にスルーホール５４の導体を形成し（ｂ）、次いで、エッチングにより不要部を除去する（ｃ）。これにより、詳しく図示はしていないが、第３のパッド５２が接続部５３を介してスルーホール５４に接続された形態に構成される。この後、表面の導体部分にニッケル及び金のメッキを施して（ｄ）、最後にソルダレジスト３６を形成して（ｅ）、多層配線基板５１が構成されるのである。
【００４３】
このような構成においても、第２のパッド３４を設けたことにより、上記第１の実施例と同様の効果を得ることができる。そして、これと共に、第１のパッド３３，第２のパッド３４，第３のパッド５２の３種類の異なる形態のパッドを混在させることにより、十分な絶縁性を確保しつつ合理的な配線を行うための、基板の設計の自由度をより一層高めることができるものである。
【００４４】
尚、本発明は、上記した各実施例に限定されるものではなく、例えば同一の列においても、第１のパッドと第２のパッド（更には第３のパッド）とを混在させるように設けても良く、また、上記した各部の具体的な寸法や具体的な製造方法は一例に過ぎず各種の変形が可能である等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すもので、ＢＧＡ部品の基板への実装構造を示す縦断正面図
【図２】ＢＧＡ部品の基板への実装構造を示す平面図
【図３】パッド部分を示す部分的な平面図
【図４】図３のＸ−Ｘ線に沿う縦断正面図
【図５】多層配線基板の製造工程を示す図
【図６】ＢＧＡ部品の実装工程を示す図
【図７】メタルマスクの平面図
【図８】本発明の他の実施例を示す図３相当図
【図９】多層配線基板の製造工程を途中から示す図
【図１０】従来例を示す図３相当図
【図１１】図１０のＸ−Ｘ線に沿う縦断正面図（ａ）及びＹ−Ｙ線に沿う縦断正面図（ｂ）を並べて示す図
【図１２】他の従来例を示す図３相当図
【図１３】図１２のＸ−Ｘ線に沿う縦断正面図
【図１４】図５相当図
【図１５】図６相当図
【符号の説明】
図面中、２１はボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品、２２，５１は多層配線基板、２４ははんだバンプ、２５ははんだ接続部、２９は表面導体パターン、３０は内層導体パターン、３３は第１のパッド、３４は第２のパッド、３５はブラインドバイアホール、３６はソルダレジスト、３７はクリームはんだを示す。

Claims

ボールグリッドアレイパッケージ形の半導体部品を、バンプ接続用の複数個のパッドを有する多層配線基板に対して、前記パッドに印刷されたはんだを介して実装する構造であって、
前記パッドは、前記多層配線基板の表面導体に接続される第１のパッドと、ホール内部に絶縁材が充填されたブラインドバイアホールを介して前記多層配線基板の内層導体に接続される第２のパッドとを含んでなると共に、
前記第２のパッドは、表面の外周部がソルダレジストにより覆われることにより、その露出部分の大きさが前記第１のパッドの大きさと均等とされていることを特徴とするボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造。
前記多層配線基板は、半硬化状の基材を重ね合わせてプレスしてなるサブトラクティブ基板からなることを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造。