JPH10270856A - ボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだ接続部のボイドの発生を防止し接続の
信頼性を向上する。 【解決手段】 ＢＧＡ部品２１は、はんだバンプをグリ
ッド状に有して構成され、多層配線基板２２の第１及び
第２のパッド３３及び３４に、はんだ接続部２５によっ
て接続される。外側２列に位置する第１のパッド３３
を、表面導体パターン２９と接続される表面べたパッド
とする。内側２列に位置する第２のパッド３４を、表面
側絶縁層２７を貫通するように形成されたブラインドバ
イアホール３５を介して、内層導体パターン３０に接続
される構成とする。第２のパッド３４は第１のパッド３
３よりも大きくなるが、ソルダレジスト３６によりその
露出部分を同等の大きさとする。多層配線基板２２をサ
ブトラクティブ法により製造する。第１及び第２のパッ
ド３３及び３４は共に表面がフラットなので、空気が残
存することなくクリームはんだが印刷される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ボールグリッドア
レイパッケージ形の半導体部品を、バンプ接続用の複数
個のパッドを有する多層配線基板に実装する構造を改良
したボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の実
装構造に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】ボールグリッドアレイ
パッケージ形の半導体部品１（以下、ＢＧＡ部品１と省
略する）は、図１５（ｂ）に一部を示すように、パッケ
ージ２の実装面（下面）に、ボール形の多数個のはんだ
バンプ３をグリッド状に有して構成されている。従来で
は、このようなＢＧＡ部品１の実装構造としては、図１
０及び図１１に示すような、スルーホール４を有する多
層配線基板５を用いるものがあった。

【０００３】この多層配線基板５の表面には、前記ＢＧ
Ａ部品１のはんだバンプ３に対応したパッド６，７が設
けられている。このうち、外側２列に位置するパッド６
は、そのまま表面導体パターン８に接続されるのである
が、外側から３列目以降の内側のパッド７（図１０で１
個のみ図示）は、表面導体パターン８に接続する余地
（パターンを引出す部分）がないため、そのパッド７の
近傍に形成されたスルーホール４を介して内層導体パタ
ーン９に接続されるようになっていた。尚、前記ＢＧＡ
部品１を実装するにあたっては、前記パッド６，７に対
してクリームはんだを印刷した上で、ＢＧＡ部品１をマ
ウントし、その後リフロー炉を通してはんだを溶融硬化
させて電気的，物理的な接続を行うようになっている。

【０００４】ところで、近年では、部品の小形化や実装
密度の高密度化により、前記パッド６，７の直径寸法が
０．４mm以下とされ、その縦横の配置ピッチ（つまりＢ
ＧＡ部品１のはんだバンプ３の形成ピッチ）も、１．０
mm以下、例えば０．８mmと小形化してきている。これに
対し、前記スルーホール４は、機械加工（ドリルによる
穴あけ）によって形成されるために小形化に限度があ
り、その穴の内径寸法が０．３mm、表面導体部の直径寸
法が０．６mm程度が限度であった。このため、図１０及
び図１１に示す構成では、パッド６，７の配置ピッチが
小さく（１．０mm以下）なると、導体同士間の最小クリ
アランスａが、０．０６mm程度となってしまい、絶縁性
の観点からは品質的に問題がある。

【０００５】そこで、近年では、例えば特開平８−１６
２７６７号公報に示されるように、凹状バイアホールを
用いることが行われてきてる。このものでは、図１２及
び図１３に示すように、多層配線基板１０は、内側に位
置するパッド１１を、断面Ｕ字状のいわゆる凹状バイア
ホール１１ａを介して内層導体パターン９に接続するよ
うにしている。この場合、前記多層配線基板１０は、図
１４に示すように、感光性絶縁樹脂の層を積上げるよう
にしたビルトアップ法により、次のようにして製造され
る。

【０００６】即ち、まず、ベース基板１２の上下両面
に、内層導体パターン９，１３を形成し（図１４（ａ）
参照）、更にその両面に感光性絶縁樹脂１４，１４を積
層し、必要個所（後にバイアホール１１ａとなる位置）
にフォト法により穴１４ａを形成する（図１４（ｂ）参
照）。次に、両面に銅メッキを施し、エッチングにより
表面導体パターン８及びパッド６，１１、並びに裏面側
の導体パターン１５を形成する（図１４（ｃ）参照）。
そして、表面の導体部分にニッケル又は金のメッキを施
して（図１４（ｄ）参照）、最後にソルダレジスト１６
を形成するのである（図１４（ｅ）参照）。

【０００７】これによれば、凹状バイアホール１１ａは
フォト法によって形成されるため、その内径寸法を０．
１mm程度に小さくすることができてパッド１１自体の直
径寸法もパッド６と同等に小さくすることができる。従
って、パッド６，１１の配置ピッチを小さくしても、導
体同士間の最小クリアランスｂを０．１５mm程度とする
ことができ、もって十分な絶縁性を確保することができ
るのである。

【０００８】しかしながら、上記したような凹状バイア
ホール１１ａを用いる実装構造では、ＢＧＡ部品１を実
装した際（図１５参照）に、パッド１１部分のはんだ接
続部１７内にボイドＢが含まれてしまう問題が生じてい
た。このようにはんだ接続部１７内にボイドＢが生ずる
と、ストレスに対する強度が低下して接続の信頼性が低
下してしまう不具合を招く。はんだ接続部１７内にボイ
ドＢが生ずる要因は、次のようなメカニズムによるもの
と考えられる。

【０００９】即ち、図１５（ａ）は、クリームはんだ１
８の印刷時の様子を示しており、多層配線基板１０上に
メタルマスク１９が密着され、スキージ２０がそのメタ
ルマスク１９の上面を矢印Ａ方向に移動されることによ
り、メタルマスク１９上に供給されたクリームはんだ１
８が、透孔１９ａを通して基板１０（パッド６，１１）
上に塗布され、その後メタルマスク１９が上昇されるよ
うになっている。ところが、クリームはんだ１８がメタ
ルマスク１９の透孔１９ａを通って塗布される際に、そ
のクリームはんだ１８が凹状バイアホール１１ａの開口
部全体を一気に塞ぐようにしながら供給されることにな
り（図１５（ａ）参照）、バイアホール１１ａ内に空気
（気泡）が閉じ込められた状態でクリームはんだ１８に
より蓋がされた形態となる。

【００１０】そして、図１５（ｂ），（ｃ），（ｄ）に
示すように、その状態からＢＧＡ部品１が実装される
と、前記クリームはんだ１８とはんだバンプ３とが一体
化して溶融し硬化してはんだ接続部１７となるのである
が、その際に、バイアホール１１ａ内に残っていた空気
が、その後のリフローの工程ではんだ接続部１７内を上
昇するように移動してボイドＢとなるのである。

【００１１】なお、その他にも、上記のようなビルトア
ップ法により製造された多層配線基板１０は、特に穴あ
けのための製造工程が複雑となってコスト高となり、ま
た、パッド１１と内層導体パターン１３との接続が、バ
イアホール１１ａの底部のみで行われているため、メッ
キ金属がいわば点接続された状態となって密着強度（ピ
ール強度）が比較的低いといった事情もあった。

【００１２】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、はんだ接続部のボイドの発生を防止で
きて接続の信頼性を向上させることができるボールグリ
ッドアレイパッケージ形半導体部品の実装構造を提供す
るにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ボールグ
リッドアレイパッケージ形半導体部品を多層配線基板に
実装した際にはんだ接続部にボイドが生ずる要因は、は
んだ印刷時に凹状バイアホール内に空気が閉じ込められ
て残存することにあるという知見に基づき、従来では凹
状バイアホールとしていたものを、穴が塞がれた形態の
ブラインドバイアホールに置き換えることにより、はん
だ印刷時の空気の残存を未然に防止することができるこ
とを確認したのである。

【００１４】即ち、本発明の請求項１のボールグリッド
アレイパッケージ形半導体部品の実装構造は、ボールグ
リッドアレイパッケージ形の半導体部品を、バンプ接続
用の複数個のパッドを有する多層配線基板に対して、前
記パッドに印刷されたはんだを介して実装する構造にあ
って、前記パッドを、前記多層配線基板の表面導体に接
続される第１のパッドと、ブラインドバイアホールを介
して前記多層配線基板の内層導体に接続される第２のパ
ッドとを含んで構成したところに特徴を有するものであ
る。

【００１５】これによれば、第２のパッドは、ブライン
ドバイアホールを介して内層導体に接続されるので、そ
の表面を凹凸のないフラットな状態とすることができ
る。また、表面導体に接続される第１のパッドの表面が
フラットとされることは勿論である。従って、はんだ
は、共にフラットな第１及び第２のパッドの表面に印刷
されることになり、空気が残存することはなくなるので
ある。

【００１６】この結果、本発明によれば、はんだ接続部
のボイドの発生を防止できて接続の信頼性を向上させる
ことができるという優れた効果を得ることができる。ま
た、このブラインドバイアホールにおいては、穴の端部
の周囲部における広い面積にて内層導体と接続されるよ
うになるので、凹状バイアホールを用いた場合と比較し
て、接続の強度（ピール強度）を大幅に向上させること
ができるのである。

【００１７】この場合、ブラインドバイアホールを有す
る多層配線基板を製造するにあたっては、半硬化状の基
材を重ね合わせてプレスするサブトラクティブ法を用い
るようにすれば良く、これにより多層配線基板の製造工
程が簡単となりコストダウンを図ることができるように
なる。ところが、サブトラクティブ基板においては、ブ
ラインドバイアホールを形成するための穴あけ加工がド
リル等による機械加工となってしまい、その内径寸法に
限界があり、ひいては第２のパッドの大きさが、第１の
パッドよりも大きくなってしまうことになる。

【００１８】本発明者等は、このように、多層配線基板
をサブトラクティブ基板から構成し、そのために第２の
パッドが第１のパッドよりも大きくなるものにあって
（請求項２の発明）、パッドの配置ピッチを小さくした
場合でも、導体同士間の絶縁に必要なクリアランスを十
分に確保することができることを確認したのである。従
って、請求項２の発明によれば、導体同士間の絶縁性を
確保しながらも、多層配線基板を安価な構成で済ませる
ことができるものである。

【００１９】ところで、そのように第１のパッドと第２
のパッドとの大きさが相違すると、第２のパッドのはん
だ接続面（導体部）が第１のパッドのはんだ接続面より
も大きくなり、部品実装後の各はんだ接続部に対するス
トレスのかかり具合が不均等となってしまう虞がある。
ところが、第２のパッドの表面の外周部をソルダレジス
トにより覆うことによって、その露出部分の大きさを第
１のパッドの大きさと均等とする構成とすれば（請求項
３の発明）、各はんだ接続部に対するストレスのかかり
具合が均等となって高い接続強度を得ることができるも
のである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例（請求項
１〜３に対応）について、図１ないし図７を参照しなが
ら説明する。図１及び図２は、ボールグリッドアレイパ
ッケージ形半導体部品２１（以下、ＢＧＡ部品２１と省
略する）を、多層配線基板２２に実装した様子を示して
いる。

【００２１】前記ＢＧＡ部品２１は、図５（ｂ）にも示
すように、矩形状のパッケージ２３の実装面（図で下
面）に、ボール状の複数個のはんだバンプ２４（後には
んだ接続部２５となる）をグリッド状（格子状）に有し
て構成されている。この場合、図２から理解できるよう
に、はんだバンプ２４は、パッケージ２３の下面うち、
その中央部の矩形状領域を除いた矩形枠状領域に内外方
向に４列に渡って形成されている。また、はんだバンプ
２４の縦横方向の形成ピッチ（ひいては後述するパッド
の配置ピッチｃ）は、１．０mm以下例えば０．８mmと狭
小なものとされている。

【００２２】これに対し、前記多層配線基板２２は、後
述するように、サブトラクティブ法により製造されるサ
ブトラクティブ基板から構成される。この多層配線基板
２２は、図１及び図４に示すように、中間絶縁層２６の
表裏（図で上下）両面側に、夫々表面側絶縁層２７、裏
面側絶縁層２８を有し、これと共に、前記表面側絶縁層
２７の表面部に位置して表面導体パターン２９、表面側
絶縁層２７と中間絶縁層２６との間に位置して内層導体
パターン３０、前記裏面側絶縁層２８の裏面部に位置し
て裏面導体パターン３１、裏面側絶縁層２８と中間絶縁
層２６との間に位置して裏面側内層導体パターン３２を
有して構成されている。

【００２３】さて、この多層配線基板２２（表面側絶縁
層２７）の表面部の前記ＢＧＡ部品２１が実装される部
位には、図３にも示すように、前記はんだバンプ２４に
対応して複数個のバンプ接続用のパッド３３，３４が設
けられる。そのうち外側（図１．図４で左側）２列に位
置する第１のパッド３３は、前記表面導体パターン２９
と一体に形成されるいわゆる表面べたパッドとされてい
る。

【００２４】本実施例では、この第１のパッド３３は、
直径寸法ｄ（図３参照）が例えば０．４mmの円形状に形
成され、外方に延びる表面導体パターン２９に接続され
ている。このとき、外側から２列目の第１のパッド３３
に接続される表面導体パターン２９は、１列目の第１の
パッド３３同士間を通って導出されている。尚、表面導
体パターン２９の１本の幅寸法は、例えば０．１mmとさ
れ、第１のパッド３３と表面導体パターン２９との間の
最小クリアランスｅ（図３参照）は、例えば０．１５mm
とされている。

【００２５】そして、この多層配線基板２２の表面のう
ちＢＧＡ部品２１の内側２列のはんだバンプ２４に対応
した位置には、第２のパッド３４が設けられる。図１及
び図４に示すように、この第２のパッド３４は、前記表
面側絶縁層２７を貫通するように形成されたブラインド
バイアホール３５を介して、前記内層導体パターン３０
に接続されている。

【００２６】このブラインドバイアホール３５は、後述
するような製造方法によって形成され、表面側絶縁層２
７を貫通する穴の内周面部及びその表裏両面側の開口の
周囲部に連続する導体を設け、その穴を絶縁材により塞
いだ形態をなし、前記第２のパッド３４は、その表面周
囲部のリング状の導体部に接触して覆う円形状に形成さ
れている。また、表面側絶縁層２７の下面側のリング状
の導体部が、前記内層導体パターン３０に一体的に接続
されている。

【００２７】このとき、図３に示すように、この第２の
パッド３４の直径寸法ｆは例えば０．６mmとされ、前記
第１のパッド３３よりも大きいものとなっている。隣合
う第２のパッド３４同士間のクリアランスｇは、０．２
mmが確保される。なお、図１に示すように、この多層配
線基板２２の表裏両面部は、必要部分（パッド３３，３
４部分等）を除いて、ソルダレジスト３６により覆われ
るようになっている。図３及び図４には、このソルダレ
ジスト３６の図示を省略している。

【００２８】本実施例では、表面側のソルダレジスト３
６は、第１のパッド３３の全体を露出させると共に、第
２のパッド３４の外周部を覆ってその露出部分の大きさ
を前記第１のパッド３３と同等とするように設けられて
いる。また、前記第１及び第２のパッド３３及び３４
（露出部分）には、後述するようにペースト状のクリー
ムはんだ３７（図６参照）が印刷され、その上でＢＧＡ
部品２１が実装されるようになっている。

【００２９】ここで、前記多層配線基板２２の製造方法
（サブトラクティブ法）について述べる。図５は、多層
配線基板２２の製造の工程を順に示している。即ち、ま
ず、表面側絶縁層２７となる絶縁材の両面に銅箔を貼付
けてなる両面銅張積層板３８に（ａ）、ブラインドバイ
アホール３５の形成位置に、ドリルによる穴あけ加工を
行って穴３８ａを形成する（ｂ）。そして、全面に銅メ
ッキを施すことにより、穴３８ａ内にスルーホール状の
ブラインドバイアホール３５の導体を形成し（ｃ）、次
いで、エッチングにより、表面側に、後に表面導体パタ
ーン２９及び第１のパッド３３並びに第２のパッド３４
の一部となる表面導体３９を形成すると共に、裏面側に
内層導体パターン３０を形成する（ｄ）。これにより、
表面導体３９のうち後に第２のパッド３４が形成される
部分が、スルーホール４０により内層導体パターン３０
に接続された形態とされる。

【００３０】次に、裏面側絶縁層２８となる両面銅張積
層板４１にも同様の加工を行い、前記両面銅張積層板３
８とその両面銅張積層板４１との間に、中間絶縁層２６
となるプリプレグ（半硬化）状の絶縁材４２を挟んでプ
レス加工を行う（ｅ）。これにより、表面側絶縁層２
７、中間絶縁層２６、裏面側絶縁層２８の三者が一体化
し、内層導体パターン３０及び裏面側内層導体パターン
３２が埋設状態とされた形態の多層基板４３とされ、こ
れと共に、絶縁材４２の材料の一部がスルーホール３９
内に進入して穴が塞がれ、もってブラインドバイアホー
ル３５が形成されるようになる。

【００３１】そして、この多層基板４３の全面に銅メッ
キを施し（ｆ）、次いで、表面のエッチングにより、表
面導体パターン２９及び第１のパッド３３並びに第２の
パッド３４を形成するのである（ｇ）。この後、表面の
導体部分にニッケル又は金のメッキを施して（ｈ）、最
後にソルダレジスト３６を形成して（ｉ）、多層配線基
板２２が構成されるのである。尚、前記ソルダレジスト
３６は、上述のように、第２のパッド３４の露出部分の
大きさを第１のパッド３３と同等とするように形成さ
れ、例えば露出部分の直径寸法が０．４５mmとされてい
る。

【００３２】さて、上記のように構成された多層配線基
板２２に対して、ＢＧＡ部品２１を実装する手順につい
て、図６及び図７も参照しながら述べる。図６は、多層
配線基板２２に対するＢＧＡ部品２１の実装手順を示し
ている。即ち、まず、図６（ａ）に示すように、多層配
線基板２２（パッド３３，３４）の上面にクリームはん
だ３７を印刷塗布する工程が実行される。この印刷の工
程では、図７に示すようなメタルマスク４４が用いられ
る。このメタルマスク４４は、前記パッド３３，３４に
対応した透孔４４ａが形成されているのであるが、この
とき、第２のパッド３４に対応する透孔４４ａは、その
露出部分のみに対応した直径に形成されている。

【００３３】この印刷の工程では、多層配線基板２２の
上面にメタルマスク４４が密着され、そのメタルマスク
４４上にクリームはんだ３７が供給された状態で、スキ
ージ４５が矢印Ａ方向に摺動しながら移動し、透孔４４
ａ内に充填された状態となる。この後、メタルマスク４
４が上昇されることにより、クリームはんだ３７が、透
孔４４ａを通してパッド３３，３４の上面に盛り上がっ
た状態に印刷されるのである。

【００３４】しかる後、図６（ｂ）に示すように、各パ
ッド３３，３４とはんだバンプ２４とが位置合せされた
状態で、多層配線基板２２上にＢＧＡ部品２１がマウン
トされる。そして、図６（ｃ）に示すように、図示しな
いリフロー炉を通されることにより、はんだバンプ２４
とクリームはんだ３７とが溶融し一体化して硬化し、は
んだ接続部２５となり、もって多層配線基板２２に対す
るＢＧＡ部品２１の電気的，物理的接続がなされるので
ある。

【００３５】しかして、このとき、従来例で述べたよう
に、凹状バイアホール１１ａを用いてパッド１１と内層
導体パターン９とを接続するようにしたものでは、凹状
バイアホール１１ａ内に空気が閉じ込められた状態でク
リームはんだ１８が印刷されてはんだ接続部１７内にボ
イドＢが生ずるといった虞があった。ところが、本実施
例では、第１のパッド３３の表面がフラットであること
は勿論、第２のパッド３４についても、ブラインドバイ
アホール３５を介して内層導体パターン３０に接続され
るので、その表面を凹凸のないフラットな状態とするこ
とができる。

【００３６】従って、本実施例によれば、クリームはん
だ３７は、共にフラットな第１及び第２のパッド３３及
び３４の表面に空気が残存することなく印刷されるよう
になり、はんだ接続部２５のボイドの発生を防止でき、
ひいては接続の信頼性を大幅に向上させることができる
という優れた効果を得ることができる。しかも、ブライ
ンドバイアホール３５においては、穴の端部の周囲部に
おける広い面積にて内層導体パターン３０と接続される
ようになるので、凹状バイアホール１１ａを用いた場合
と比較して、接続の強度（ピール強度）を大幅に向上さ
せることができるものである。ちなみに、本実施例のブ
ラインドバイアホール３５では、凹状バイアホール１１
ａを用いた場合の約１０倍の強度が得られた。

【００３７】そして、本実施例では、ブラインドバイア
ホール３５を有する多層配線基板２２の製造に、サブト
ラクティブ法を採用するようにしたので、従来のような
ビルトアップ法を用いて製造された多層配線基板１０と
は異なり、製造工程が簡単となり大幅なコストダウンを
図ることができるようになった。この場合、サブトラク
ティブ法を用いたことにより、ブラインドバイアホール
３５を形成する穴３８ａの内径寸法が比較的大きく
（０．３mm）なってしまう事情があるが、第２のパッド
３４が第１のパッド３３よりも大きくなっても、導体同
士間の絶縁に必要なクリアランスを十分に確保すること
ができるものである。

【００３８】さらに、特に本実施例では、第２のパッド
３４の表面の外周部をソルダレジスト３６により覆うこ
とによって、その露出部分の大きさを第１のパッド３３
の露出部分の大きさと均等とするようにしたので、各は
んだ接続部２５の大きさ（パッド３３，３４との接着面
積）が均等となって、各はんだ接続部２５に対するスト
レスのかかり具合が均等となって高い接続強度を得るこ
とができるというメリットも得ることができる。

【００３９】図８及び図９は、本発明の他の実施例に係
る多層配線基板５１を示すものである。この実施例にお
いては、図８に示すように、バンプ接続用の３列のパッ
ドのうち、外側１列を上記実施例と同様の第１のパッド
３３とし、その内側１列を上記実施例と同様の第２のパ
ッド３４（ブラインドバイアホール３５を介して内層導
体パターン３０に接続されている）とし、最も内側の１
列を第３のパッド５２としている。

【００４０】これら各第３のパッド５２は、この第３の
パッド５２と共に表面導体パターン２９と一体に形成さ
れる細幅の接続部５３を介して、パッド３３，３４，５
２の内側の領域に形成されたスルーホール５４に接続さ
れ、そのスルーホール５４を介して内層導体パターン３
０（あるいは３２）に接続されている。この場合、スル
ーホール５４（及び接続部５３）の形成位置を設定する
ことによって、導体同士間の０．１５mm以上のクリアラ
ンス（例えば寸法ｈが０．１５８mm）が確保されるよう
になっている。

【００４１】このような多層配線基板５１も、上記実施
例と同様にサブトラクティブ法により製造される。この
ときには、図５（ｄ）に示したエッチングによるパター
ン形成時に、表面導体パターン２９、第１のパッド３
３、第２のパッド３４の一部（スルーホール４０）、第
３のパッド５２、導体部５３となる表面導体、内層導体
パターン３０等を形成しておき、積層プレスによって多
層基板５５を構成する（以上の工程についての図示は省
略）。

【００４２】そして、図９に示すように、その多層基板
５５のうちスルーホール５４を形成する位置にドリルに
より穴５５ａを形成し（ａ）、全面に銅メッキを施すこ
とにより、穴５５ａ内にスルーホール５４の導体を形成
し（ｂ）、次いで、エッチングにより不要部を除去する
（ｃ）。これにより、詳しく図示はしていないが、第３
のパッド５２が接続部５３を介してスルーホール５４に
接続された形態に構成される。この後、表面の導体部分
にニッケル及び金のメッキを施して（ｄ）、最後にソル
ダレジスト３６を形成して（ｅ）、多層配線基板５１が
構成されるのである。

【００４３】このような構成においても、第２のパッド
３４を設けたことにより、上記第１の実施例と同様の効
果を得ることができる。そして、これと共に、第１のパ
ッド３３，第２のパッド３４，第３のパッド５２の３種
類の異なる形態のパッドを混在させることにより、十分
な絶縁性を確保しつつ合理的な配線を行うための、基板
の設計の自由度をより一層高めることができるものであ
る。

【００４４】尚、本発明は、上記した各実施例に限定さ
れるものではなく、例えば同一の列においても、第１の
パッドと第２のパッド（更には第３のパッド）とを混在
させるように設けても良く、また、上記した各部の具体
的な寸法や具体的な製造方法は一例に過ぎず各種の変形
が可能である等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更し
て実施し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すもので、ＢＧＡ部品の
基板への実装構造を示す縦断正面図

【図２】ＢＧＡ部品の基板への実装構造を示す平面図

【図３】パッド部分を示す部分的な平面図

【図４】図３のＸ−Ｘ線に沿う縦断正面図

【図５】多層配線基板の製造工程を示す図

【図６】ＢＧＡ部品の実装工程を示す図

【図７】メタルマスクの平面図

【図８】本発明の他の実施例を示す図３相当図

【図９】多層配線基板の製造工程を途中から示す図

【図１０】従来例を示す図３相当図

【図１１】図１０のＸ−Ｘ線に沿う縦断正面図（ａ）及
びＹ−Ｙ線に沿う縦断正面図（ｂ）を並べて示す図

【図１２】他の従来例を示す図３相当図

【図１３】図１２のＸ−Ｘ線に沿う縦断正面図

【図１４】図５相当図

【図１５】図６相当図

【符号の説明】

図面中、２１はボールグリッドアレイパッケージ形半導
体部品、２２，５１は多層配線基板、２４ははんだバン
プ、２５ははんだ接続部、２９は表面導体パターン、３
０は内層導体パターン、３３は第１のパッド、３４は第
２のパッド、３５はブラインドバイアホール、３６はソ
ルダレジスト、３７はクリームはんだを示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 晃嘉 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ボールグリッドアレイパッケージ形の半
   導体部品を、バンプ接続用の複数個のパッドを有する多
   層配線基板に対して、前記パッドに印刷されたはんだを
   介して実装する構造であって、 前記パッドは、前記多層配線基板の表面導体に接続され
   る第１のパッドと、ブラインドバイアホールを介して前
   記多層配線基板の内層導体に接続される第２のパッドと
   を含んでなることを特徴とするボールグリッドアレイパ
   ッケージ形半導体部品の実装構造。
2. 【請求項２】 前記多層配線基板は、サブトラクティブ
   基板からなり、前記第２のパッドが、前記第１のパッド
   よりも大きく構成されていることを特徴とする請求項１
   記載のボールグリッドアレイパッケージ形半導体部品の
   実装構造。
3. 【請求項３】 前記第２のパッドは、表面の外周部がソ
   ルダレジストにより覆われることにより、その露出部分
   の大きさが前記第１のパッドの大きさと均等とされてい
   ることを特徴とする請求項２記載のボールグリッドアレ
   イパッケージ形半導体部品の実装構造。