JP3583019B2 - 放熱配線基板の接合構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気自動車、ハイブリッド車、新幹線、地下鉄、通勤電車、エレベータ、ロボット、クレーンや空調装置等に搭載されるパワーデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) や、半導体素子が収容搭載される半導体素子収納用パッケージや、半導体素子の他にコンデンサや抵抗体等の各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等で、大電流を流すことが可能な低抵抗配線導体を有する放熱配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
パワーデバイスは、最も歴史のある半導体素子であるが、近年、高耐圧化、大電流化、高速・高周波化、高機能化が著しく進み、IGBT、GTO、IPM、パワーMOS FET等の高速のMOS系パワーデバイスが出現するに至った。これらのパワーデバイスは、自動車、インバータ電車、ストロボ、電子レンジ、ゴルフカート等に広く利用されている。しかしながら、環境問題を背景にハイブリッド車、電気自動車が一般に普及しつつある昨今では、これらのパワーデバイス、特にIGBTの耐高電圧化、小型化、薄型化、軽量化が要求されている。
【0003】
放熱配線基板としては、特開平7−162157号公報では、『複数の絶縁層からなる多層基板上にパワー素子を配置し、一以上の絶縁層のパワー素子下部領域に前記パワー素子の熱伝達用導体を充填したことを特徴とする多層基板。』が提案され、特開昭63−120448号公報では、放熱用基板として、『低熱膨張性金属材料の繊維からなる基材に、放熱性の良い金属材料を含浸させてなる放熱用基板。』が提案されている。これらの基板は、例えば、半導体素子収納用パッケージに適用した場合には、その絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラスあるいは樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定すると共に、半導体素子の各電極が凹部周辺に位置する配線導体にワイヤボンディングを介して電気的に接続され、金属やセラミックスなどからなる蓋体を前記凹部をふさぐように前記接着剤と同様の封止剤を介して接合し、絶縁基体の凹部内に半導体素子を機密に収容することにより最終製品としての半導体装置としていた。これらの基板は絶縁基板として使用され、ランクサイド( Alを含浸SiCファイバー) などの放熱板に接着する事で放熱配線基板を形成していた。図7に従来の放熱配線基板の模式図を示す。
【0004】
ラジエター4にランクサイド等からなる放熱基板12がネジ締めによって接合され、その上に半田10からなる層を介して両面アルミニウム8貼りの窒化アルミニウム基板9が絶縁体として接合されている。その上に半導体素子1がマウントされる構造となっている。
【0005】
これらの用途に使用される放熱配線基板は、当然の事ながら半導体素子で発生した熱を効率良くラジエターなどのヒートシンクに伝達しなければならない。一般的に自動車では、図7に示した構造において、放熱基板12に丸穴を空け、さらにラジエター4にネジ穴を空け、M6程度のネジで放熱基板12の四隅を6±1Nmのトルクでラジエター4に締め付けて固定していた。
【0006】
しかしながら、前記従来の多段構造の放熱配線基板では、冷却効率が不十分であり、冷却効率を高めるために冷媒が流れるラジエターに直接接合されるような用途、例えば、環境問題への取り組みから登場を余儀なくされているハイブリッド車、電気自動車には適用できなかった。
【0007】
このため、本発明者等は、図8に示すように半導体素子1を搭載した窒化アルミニウム等の放熱配線基板3を直接ラジエター4にネジで固定する構造を提案した。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図8に示すように窒化アルミニウム等のセラミックスからなる放熱配線基板3を直接ネジ6で接合したものでは、ネジ6と放熱配線基板3との間のワッシャーの硬度が高いと、ネジ6を締め込む際に片当たりが発生し、ワッシャーの基板の締め付け部分に割れまたは破損が発生し、固定不可能になる。また、ワッシャーの硬度が低いと、ワッシャーが変形しすぎて、ネジ6を締め込むことができないという第一の課題があることが判った。
【0009】
また、図8に示す構造では、放熱配線基板3のそりを考慮していない為、基板中心部分の放熱配線基板3とラジエター4の密着性が悪く、良好な放熱特性が得られないという第二の課題があった。
【0010】
【課題を解決する為の手段】
前記第一の課題に対し、本発明は、窒化アルミニウム、窒化珪素の中から選ばれる少なくとも一種以上を主成分とするセラミックスからなり、半導体素子を実装するための配線導体層を有し、かつ四隅に丸穴をあけた放熱配線基板と、その下部に配置したヒートシンクとを、上記丸穴を介して硬度25〜70kg/mm2 のワッシャを用いてネジ締めによって接合したことを特徴とする。
【0011】
また、第二の課題に対し、本発明は、窒化アルミニウム、窒化珪素の中から選ばれる少なくとも一種以上を主成分とするセラミックスからなり、半導体素子を実装するための配線導体層を有し、厚さ0.3mm以上、面積30cm2 以上の放熱配線基板を、ヒートシンクとの接合面側が凸となるように反り量20〜600μmで反らせたことを特徴とする。
【0012】
本発明の放熱基板であれば、下に凸のそりを持った基板をヒートシンクに締め付けるので、放熱基板とヒートシンクとの密着性が良く、特に放熱基板中央部の密着性が良くなる為、ヒートシンクとのネジ締め接合による熱抵抗の少ない放熱配線基板が提供される。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明による放熱配線基板3の平面図および断面図を図1、2に示す。
【0014】
図1に示すように、放熱配線基板3の四隅にはM6(直径6mm)程度のネジ穴5が形成され、中央部には不図示の半導体素子を搭載するための低抵抗の配線導体層2が載置されている。また、図2(a)には、ラジエター4に本発明の放熱配線基板3がネジ6にて直接ネジ締め接合されている様子を示してある。図2(b)は、本発明のワッシャ7の構造を示した平面図と側面図である。
【0015】
放熱配線基板3を構成する材質は、熱伝導性が良好で電気絶縁性良な窒化珪素、窒化アルミニウムから選ばれる一種以上を主成分とするセラミックスであることが望ましい。また、その主たる焼結助剤としては、酸化エルビウム、酸化イットリウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる一種以上であることが望ましい。主焼結助剤を酸化エルビウム、酸化イットリウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも一種とした理由は、本発明者らの知見では、窒化アルミニウムからなる放熱配線基板3の強度、破壊靱性がこれらの焼結助剤を使用した場合に最も大きくなるからである。そして、このことは、固定する際の割れまたは破損の防止に大きく寄与する。
【0016】
上記の材質からなる放熱配線基板3とその下部に配置したヒートシンクであるラジエータ4とがそのネジ穴5を介してネジ締めによって一体化されており、ネジ締めを行う際に使用するワッシャ7の硬度は、25〜70kg/mm2 としてある。
【0017】
その理由は、マイクロビッカース硬度が70kg/mm2 以上のワッシャ7を使用した場合には、図6(c)に示すようにワッシャ7が固すぎる為、ネジ6を締めつけていった際にネジ6が変形せずに放熱配線基板3の締め付け部分のうねりを吸収できない為、ある一点に集中荷重が発生し、放熱配線基板3自体がこの集中荷重に耐えきれなくなり放熱配線基板3に割れまたは破損が発生する。
【0018】
また、ワッシャ7のマイクロビッカース硬度が25kg/mm2 以下では、図6(a)に示すようにワッシャ7が柔らかすぎて変形しすぎてしまうため、固定が不可能になる。
【0019】
具体的なワッシャ7の材質としては、アルミニウムや意図的に10%程度の気孔率を持たせた銅などが好ましい。また、ここで言うワッシャ7の硬度とは、マイクロビッカース硬度計で荷重100g、時間15秒の条件で測定した値である。
【0020】
本発明の放熱配線基板3は、半導体素子1実装のための配線導体層2としてCu、Al、Agの中から選ばれる少なくとも一種以上の金属箔が前記セラミックス基板上で一体化されていることが望ましい。また、本発明をパワーモジュールとして使用する場合には、バスバー用としてCu、Al、W、Moの中から選ばれる少なくとも一種以上の金属層が前記放熱配線基板3上で一体化されていることが望ましい。
【0021】
次に、第二の発明について説明する。図3に示すように、理想的な放熱配線基板3の構造と放熱配線基板3を固定する相手材との密着性を鋭意検討の結果、厚さ0.3mm以上、面積30cm2 以上である窒化アルミニウム、窒化珪素の中から選ばれる少なくとも一種以上からなるセラミック製の放熱配線基板3であって、放熱配線基板3の反り方向がヒートシンクとの接合面側に凸であり、なおかつその反り量が600μm以下、20μm以上である放熱配線基板3が最適である事を見出した。
【0022】
即ち、図3(a)に示すように下に凸の反りを持つ放熱配線基板3を用い、図3(b)に示すようにヒートシンクであるラジエータ4に締め付ける事により、放熱配線基板3の中央部の密着性を良くし、放熱配線基板3全体で浮き部のない密着性を実現する事ができるからである。逆に下に凹では、いくら放熱配線基板3の四隅を締め付けても、中央部に浮き部が発生し、さらに中央部分を締め付けても放熱配線基板3全体でみれば、浮き部の発生は解消できないからである。
【0023】
なおかつ下に凸の反り量が基板全体に対し20μm以下では、中央部の密着性が損なわれ、600μm以上では、放熱配線基板3をねじ止めにて固定する際に放熱配線基板3に割れが発生する。厚さ0.3mm以上、面積30cm2 以上と形状を限定した理由は、これより小さいあるいは薄い放熱配線基板3では、その放熱特性が特に放熱配線基板3の反りに依存しないからである。
【0024】
また、本発明を放熱配線基板3として使用する場合には、半導体素子1実装のための配線導体層2としてCu、Al、Agの中から選ばれる少なくとも一種以上の金属箔が前記放熱配線基板3上で一体化されていることが望ましい。
【0025】
さらに、本発明をパワーモジュールとして使用する場合には、バスバー用としてCu、Al、W、Moの中から選ばれる少なくとも一種以上の金属層が前記放熱配線基板3上で一体化されていることが望ましい。
【0026】
上記放熱配線基板3を構成する窒化アルミニウム又は窒化ケイ素の主焼結助剤が、酸化イットリウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも一種以上であることを特徴とする。これは、本発明者らの知見では、窒化アルミニウム、窒化ケイ素ともにこの焼結助剤を使用した場合がもっとも破壊靱性、破壊強度が向上するため、本発明の用途に好ましい。
【0027】
以上の図3の実施形態において、放熱配線基板3と相手材との固定方法には以下の二種類がある。一つは、図4に示すように、放熱配線基板3に一カ所以上のネジ穴5を形成し、そのネジ穴5にM6のネジ6で5Nm以上の締め付けトルクで締め付ける固定構造であり、他方は図5に示すように、放熱配線基板3を固定する相手材に二カ所以上の貫通穴を形成し、その貫通穴にM6のネジ6で5Nm以上の締め付けトルクで固定金具11を締め付け、その固定金具11で放熱配線基板3を固定する固定構造である。
【0028】
以下、本発明の放熱配線基板の製造方法を図3を用いて説明する。
【0029】
窒化アルミニウムと焼結助剤からなるセラミックス粉末に所定のバインダーを添加し、ドクターブレード法によりテープ成形して得られたテープ上に、Wを主成分とするペーストをプリントした。しかる後に脱脂工程を通した後、窒素雰囲気中1650〜1800℃で焼成し、Wメタライズを有する窒化アルミニウム基板を得た。その後、Wメタライズ上にNiメッキを施し、半導体素子実装のための低抵抗導体2として銅板2を活性金属法にて接合した。この際20μm〜600μmの「下に凸」の反りを得るためには、低抵抗導体2を接合する際の窒化アルミニウムからなる放熱配線基板3と低抵抗導体2のヤング率、熱膨張係数の差を考慮し、低抵抗導体2と窒化アルミニウムからなる放熱配線基板3を焼き付ける際にどのくらいの反りが発生するかを予測しなければならない。特に低抵抗導体2の厚み、面積、形状に留意しなければならない。これらと窒化アルミニウムからなる放熱配線基板3の強度、厚みとの相乗効果で反り量が決定される。
【0030】
【実施例】
実施例1
以下に第一の発明についての具体的実施例を示す。窒化アルミニウムと焼結助剤からなるセラミックス粉末に所定のバインダーを添加し、ドクターブレード法によりテープ成形して得られたテープ上に、Wを主成分とするペーストをプリントした。しかる後に脱脂工程を通した後、窒素雰囲気中1650〜1800℃で焼成し、Wメタライズを有する窒化アルミニウムからなる放熱配線基板3を得た。
【0031】
その後、Wメタライズ上にNiメッキを施し、半導体素子実装のための配線導体層2として銅板を活性金属法にて接合した。放熱配線基板3の締め付け方法は、図1、2に示すように四隅をワッシャ7を介してネジ締めして固定した。
【0032】
締め付けトルクは各々表1に示した。また、本実施例に用いたワッシャーの形状は、図2(b)に示すように外径12mm、内径7mm、厚み0.5mmであった。ラジエータ4には、本発明の放熱配線基板3がネジ6によって直接ねじ締め接合されている。そのネジを締めつける際のトルクレンチで測定したトルクを締め付け結果の欄に示した。
【0033】
表1に示したように、ワッシャ硬度80kg/mm2 のNo.8は締め付けトルク2Nmで破損した。また、ワッシャ硬度20kg/mm2 のNo.7は締め付けができなかった。これに対し、本発明の範囲のワッシャ硬度25kg/mm2より大きく70kg/mm2 未満であるNo.1〜4は、締め付けトルク6〜12Nmで良好な締め付けができた。
【0034】
また、主焼結助剤をNd2 O3 としたNo.9は、ワッシャ硬度が本発明の範囲内の50kg/mm2 のものを用いても、締め付けトルク3Nmで放熱配線基板3に割れが発生した。これに対し、No.1〜6に示したようにY2 O3 、Yb2 O3 、Er2 O3 を主焼結助剤に用いたものは、締め付けトルク6〜12Nmで良好な締め付けができた。
【0035】
【表1】
【0036】
実施例2
以下に第2の発明に関する具体的実施例を示す。窒化アルミニウムと焼結助剤からなるセラミックス粉末に所定のバインダーを添加し、ドクターブレード法によりテープ成形して得られたテープ上に、Wを主成分とするペーストをプリントした。しかる後に脱脂工程を通した後、窒素雰囲気中1650〜1800℃で焼成し、Wメタライズを有する窒化アルミニウムからなる放熱配線導体基板3を得た。
【0037】
その後、Wメタライズ上にNiメッキを施し、半導体素子実装のための配線導体層2として銅板を活性金属法にて接合した。放熱配線基板3の締め付け方法は、図3に示すように四隅をワッシャ7を介してネジ締めして固定した。基板の厚みは1.5mm、面積は50cm2 とした。
【0038】
本発明者らが行った放熱試験とは、セラミックス基板の四隅に直径8mmの丸穴を開け、疑似ラジエターとして厚み20mmのアルミニウムブロックを用意し、アルミニウムブロックにM6のネジ穴を開け、M6六角穴付きボルトをトルクレンチでアルミニウムブロックに締め付けることにより、放熱配線基板3を固定した。その後、実際に放熱配線基板3にヒータにて熱を加え、放熱配線基板3上の温度とアルミブロックの反対側の温度を測定し、その温度差を測定した。実施例には、もっとも放熱特性の良かった600μmの際の温度差を1.00とし、比で温度差を表した。放熱配線基板からの発熱がアルミニウムブロック側へうまく伝達されないと、放熱配線基板の温度が上昇するので、温度差の比が1.00を越えて大きくなるに従い、放熱特性が悪くなることを示している。
【0039】
その結果を表2に示した。表2から判るように、反り量が本発明の請求範囲外の250μmのNo.7は、締め付けにより放熱配線基板3が割れてしまう。また、反り方向が「上に凸」であるNo.8は、放熱特性が1.50と低下する。反り方向が「下に凸」であるが反り量が10μmと小さ過ぎる場合、やはり放熱特性が1.65と低下する。これに対し、本発明の請求範囲内であるNo.1〜6、即ち反り方向が「下に凸」であり反り量が20〜200μmである放熱配線基板3は、割れの発生もなく放熱特性も1.00〜1.10と良好であることが判った。
【0040】
【表2】
【0041】
【発明の効果】
窒化アルミニウム、窒化珪素の中から選ばれる少なくとも一種以上を主成分とするセラミックスからなり、半導体素子を実装するための配線導体層を有し、かつ四隅に丸穴を備えた放熱配線基板と、その下部に配置したヒートシンクとを、上記丸穴を介して硬度25〜70kgf/mm2 のワッシャを用いてネジ締めによって接合したことにより、基板の割れや破損を生じることなく、放熱配線基板とヒートシンクを強固い接合することができる。
【0042】
また、厚さ0.3mm以上、面積30cm2 以上である窒化アルミニウム、窒化珪素の中から選ばれる少なくとも一種以上を主成分とするセラミックスからなる放熱配線基板であって、基板の反り方向がヒートシンクとの接合面側に凸となっており、その反り量が600μm以下、20μm以上であることにより、放熱配線基板の割れや破損がなく放熱特性良好な放熱配線基板の接合構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放熱配線基板の接合構造を示す平面図である。
【図2】(a)は本発明の放熱配線基板の接合構造を示す断面図、(b)はこれに用いるワッシャを示す図である。
【図3】(a)は本発明の放熱配線基板のネジ締め前の状態を示す断面図であり、(b)はネジ締め後の状態を示す断面図である。
【図4】本発明の放熱配線基板の接合構造を示す平面図である。
【図5】本発明の放熱配線基板の接合構造の他の実施形態を示す平面図である。
【図6】(a)〜(c)はワッシャの硬度と固定状態を説明するための断面図である。
【図7】従来の放熱配線基板を示す断面図である。
【図8】従来の放熱配線基板を示す断面図である。
【符号の説明】
1:半導体素子
2:低抵抗導体
3:放熱配線基板
4:ラジエータ
5:ネジ穴
6:ネジ
7:ワッシャー
8:アルミニウム
9:窒化アルミニウム基板
10:半田
11:固定金具
12:放熱基板
Claims (4)
- 窒化アルミニウム、窒化珪素の少なくとも一種を主成分とし、主焼結助剤として酸化エルビウム、酸化イットリウム、酸化イッテルビウムの少なくとも一種以上を含有するセラミックスからなり、半導体素子実装のための配線導体層を備えるとともに、四隅に丸穴を有する放熱配線基板と、その下部に配置したヒートシンクとを、上記丸穴を介して硬度が25kgf/mm 2 より大きく70kgf/mm 2 未満のワッシャを用いて、ネジ締めによって接合したことを特徴とする放熱配線基板の接合構造。
- 上記放熱配線基板は、厚さ0.3mm以上、面積30cm2 以上であり、かつ上記ヒートシンクとの接合面側が凸となるように20〜600μmの反り量で反っていることを特徴とする請求項1記載の放熱配線基板の接合構造。
- 半導体素子実装のための配線導体層としてCu、Al、Agの少なくとも一種以上の金属箔が上記放熱配線基板上に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の放熱配線基板の接合構造。
- 上記放熱配線基板上に、バスバー用としてCu、Al、W、Moの少なくとも一種以上の金属層が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の放熱配線基板の接合構造。
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