JP3556767B2 - 半導体集積回路装置の設計装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路装置及びその設計装置に係り、詳しくは所定の機能、例えばRAM(ランダムアクセスメモリ)セル、ROM(リードオンリメモリ)セル等のマクロセル(特定セル)を搭載したマクロ埋め込み型セルアレイ(エンベデッドアレイ)の作成において、任意のサイズの入出力セル(以下、I/Oセルという)を搭載可能とする設計装置に関する。
【0002】
近年、エンベデッドアレイは開発期間を短縮できることから種々の電子機器に使用されるが、顧客要求の多様化に対応するために、様々な機能/特性を持つI/Oセルをそれぞれのセルを構成するために必要な数の素子を備えたサイズで作成し、それを用いて半導体集積回路装置を設計することができる半導体集積回路装置の設計装置が必要とされる。
【0003】
【従来の技術】
従来のエンベデッドアレイの作成におけるI/Oセルを配置するための配置領域(以下、サイトという)は、一定のサイズの領域がI/Oセルの配置領域の最小単位として決定されており、複数のサイトが半導体チップの周辺に規則正しく配置される。サイトはI/Oセルを構成する素子のバルク層のパターンも定義されている。
【0004】
I/Oセルの配線層又はビアパターンはこのサイトのサイズに基づいて作成されている。従って、サイトに配置すべきすべてのI/Oセルは、サイトの整数倍のサイズで作成しなければならなかった。また、I/Oセル内の電源配線や内部領域の周辺の電源配線も固定化して処理していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
さて、ある機能のI/Oセルを作成する際、実際には1つ又は複数のサイト(バルク層)の領域のすべてを使用しなくても必要な機能を実現することができる。
【0006】
しかし、1つのサイトが最小単位になっているため、I/Oセルがそのサイトの一部分しか使用していなくても、バルク層がウェルで分離されているため、そのサイトは別のI/Oセルを構成するために使用することができない。
【0007】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、種々のサイズのI/Oセルを、チップ上に搭載することができる半導体集積回路装置の設計装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項1の発明は、半導体チップの辺に平行に複数の入出力セルが配置され、複数の入出力セルの駆動能力は異なりかつ少なくとも半導体チップの辺と直交する方向におけるサイズが異なる半導体集積回路装置を製造するためのデータを作成するようにした半導体集積回路装置の設計装置であって、半導体チップにおける入出力セルの配置を定義した複数のサイトの情報を記憶した第1の記憶手段と、複数のサイトに配置するための入出力セルに関してセルサイズ及び該入出力セルを構成する素子のパターン情報を記憶した第2の記憶手段と、半導体集積回路装置の論理結線情報を記憶した第3の記憶手段と、論理結線情報及びサイト情報に基づいて複数の入出力セルの配置位置を決定する第1のセル配置部とを備える。
【0009】
請求項2の発明は、配置された複数の入出力セルのサイズに基づいて、同一のサイズの入出力セルのみを含む島の情報を抽出する島情報抽出部と、論理結線情報にない入出力セルとして、島を構成する入出力セルのサイズと同一のサイズの入出力セルを選択して配置する第2のセル配置部とを備える。
【0010】
請求項3の発明は、連続した各島の範囲内において、各島を構成する入出力セル上を通過する電源配線を決定するセル電源配線部を備える。
請求項4の発明は、島情報に基づいて入出力セル領域と内部セル領域との境界情報を抽出する境界情報抽出部と、抽出された境界情報に基づいてその境界に沿うように内部セル領域のための電源配線を決定する内部電源配線部とを備える。
【0011】
(作用)
請求項1の発明では、サイトに対してサイズの異なる種々の入出力セルが配置され、配置された入出力セルに合うバルク層が後で埋め込まれることにより、サイズの異なる入出力セルの配置が可能となる。
【0012】
請求項2の発明では、島情報を抽出して、論理結線情報にない入出力セルもその島の論理結線情報に存在する入出力セルと同じサイズのセルを配置することにより、同じサイズを持った入出力セル領域を凹凸のない連続した領域とすることができる。そのため、入出力セルへの電源供給確保及び内部セル領域周辺の電源配線処理の容易化が可能になる。
【0013】
請求項3の発明では、個々の入出力セル特有の電源配線は、その島の間だけ配線することにより、それぞれの入出力セルに必要な電源を確保することが可能になる。
【0014】
請求項4の発明では、種々のサイズの入出力セルが配置されたことにより凹凸となった入出力セル領域と内部セル領域との境界情報を抽出し、その境界に沿うように内部電源配線を行うことにより、内部セル領域をより有効に利用することが可能になる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の一形態を図面に従って説明する。
図1は本実施例における半導体集積回路装置の設計装置10を示す。この設計装置10は、半導体集積回路装置としてのエンベデッドアレイを製造するために使用されるチップマスターデータの作成を行う。
【0016】
設計装置10はCAD装置からなり、プロセッシングユニットとしての中央処理装置(以下、CPUという)11、主記憶としての半導体メモリ12、磁気ディスク装置13、キーボード14、表示器15及びプリンタ16を備える。CPU11、半導体メモリ12、磁気ディスク装置13、キーボード14、表示器15及びプリンタ16はシステムバス17によって互いに接続されている。
【0017】
半導体メモリ12にはCPU11が実行するプログラムとその実行に必要な各種データが予め記憶されるとともに、当該プログラムデータに基づくCPU11の処理結果等が一時記憶される。キーボード14には図示しないマウスが接続されており、キーボード14又はマウスは、半導体メモリ12に記憶されているプログラムの実行時に必要なデータを入力したり、磁気ディスク装置13、表示器15及びプリンタ16に処理結果等の出力命令を入力するために用いられる。
【0018】
磁気ディスク装置13は、図2に示すように、第1の記憶手段としてのバルクライブラリ29、第2の記憶手段としてのセルライブラリ27、パッケージライブラリ28、及び第3の記憶手段としてのレイアウトデータベース30を備える。
【0019】
パッケージライブラリ28は各パッケージに関して、パッケージピンとボンディングパッドとの対応情報を記憶している。このパッケージピンとボンディングパッドとの対応情報には、入出力信号用のパッケージピンとボンディングパッドとの対応情報、電源用のパッケージピンとボンディングパッドとの対応情報等が含まれる。
【0020】
バルクライブラリ29は半導体チップのサイト情報(I/Oセルや内部セルを配置するための配置位置の情報)を記憶するとともに、図6に示すチップのコーナー部58のバルク情報(フィギュア)等を記憶している。図3(a)はI/Oセルを配置するためのサイト31を示している。各サイト31はI/Oセルを配置するための原点33(▲で示す)の情報のみを備えており、バルク情報は備えていない。
【0021】
セルライブラリ27は前記サイト31に配置される各I/Oセルに関して、I/Oセルのサイズや電源配線の座標、I/Oセルのバルク情報等を記憶するとともに、各サイト31に対応するボンディングパッド32(図3(a)に示す)のサイズの情報を記憶している。図3(b)はサイズが異なるI/Oセル34,36,38を示しており、各I/Oセル34,36,38は該I/Oセルの原点35,37,39(▲で示す)の情報を含む。また、各I/Oセル34,36,38のサイズは矩形状のフレームの4つの頂点の座標で定義されている。図5(a)は各I/Oセル34,36,38上の電源配線41,42,43,44,45,46を示している。
【0022】
レイアウトデータベース30は製造すべき集積回路の論理結線情報及びピンアサイン情報等を記憶している。論理結線情報は半導体集積回路を構成する種々のセル及びI/Oセルの情報と、これらのセル及びI/Oセルの入出力端子を接続するネットの情報とを含む。ピンアサイン情報は各ボンディングパッドにどのI/Oセルを接続すべきかを示す情報である。また、レイアウトデータベース30には各サイズのI/Oセルで形成する島領域情報、I/Oセル領域と内部セル領域との境界情報、各セルの配置情報等が記憶される。
【0023】
CPU11は半導体メモリ12に記憶された所定のプログラムデータに基づいて動作し、図2に示すように、第1のセル配置部21、島情報抽出部22、第2のセル配置部23、セル電源配線部24、境界情報抽出部25、及び内部電源配線部26として動作する。
【0024】
第1のセル配置部21は、バルクライブラリ29から図3(a)に示すサイト情報を読み込むとともに、パッケージライブラリ28から使用するパッケージの情報を読み込む。また、セル配置部21は、レイアウトデータベース30から論理結線情報とピンアサイン情報とを読み込むとともに、バルクライブラリ29からサイト情報を読み込む。そして、セル配置部21はパッケージ情報とピンアサイン情報とに基づいて図4(a)に示すように、電源VDD,VSS用の電源セル51,52を配置すべきサイトの位置を決定する。また、セル配置部21はセルライブラリ27からボンディングパッド32の詳細情報を読み込むとともに、論理結線情報に存在するI/Oセル34,36,38等の詳細情報を読み込む。そして、セル配置部21は、論理結線情報に存在するI/Oセル34,36,38を配線経路を考慮しながら図4(b)に示すように斜線で示す位置のサイト31に配置する。この際、図3(c)に示すように、サイト31の原点32と各I/Oセル34,36,38の原点35,37,39とが重なるようにI/Oセル34,36,38を配置する。
【0025】
そして、第1のセル配置部21は電源セル51,52の配置位置の情報及び論理結線情報に存在するI/Oセル34,36,38の配置情報をレイアウトデータベース30に設定する。
【0026】
島情報抽出部22は、レイアウトデータベース30からI/Oセルの配置結果の情報を読み込み、セルライブラリ27から配置した各I/Oセル34,36,38の詳細情報を読み込み、さらに、バルクライブラリ29からサイト情報を入力する。そして、島情報抽出部22は、図4(b)に示すように、配置された各I/Oセル34,36,38のサイズ毎に島1,2,3の範囲を抽出し、島1,2,3の範囲の情報をレイアウトデータベース30に設定する。
【0027】
第2のセル配置部23は、レイアウトデータベース30から島の範囲情報を読み込み、セルライブラリ27からI/Oセルの詳細情報を読み込み、さらに、バルクライブラリ29からサイト情報を読み込む。セル配置部23は、配置された島の範囲情報に基づいて、図4(c)に示すように、各島の中に配置すべき論理結線情報にないI/Oセルのサイズが、論理結線情報に存在するI/Oセルのサイズと一致するようにI/Oセルを選択しそれを配置するとともに、電源セル51,52のサイズが、論理結線情報に存在するI/Oセルのサイズと一致するように電源セル51,52を選択する。そして、セル配置部23は電源セル51,52の配置情報及び論理結線情報にないI/Oセル34,36,38の配置情報をレイアウトデータベース30に設定する。
【0028】
セル電源配線部24は、レイアウトデータベース30から配置されたI/Oセルの情報(論理結線情報に存在するI/Oセル、論理結線情報にないI/Oセル及び電源セル)及び各島の範囲情報を読み込み、セルライブラリ27からI/Oセルの詳細情報を読み込み、さらに、バルクライブラリ29からサイト情報を読み込む。セル電源配線部24は、図5(b)に示すように配置されたすべてのセル上の電源配線41,43,45を接続するとともに、電源配線42,44,46を接続することによって、複数の島1〜3に共通の電源配線53,54を決定する。また、セル電源配線部24は、島1における電源配線55を決定するとともに、島3における電源配線56,57を決定する。また、図6に示すように、半導体チップのコーナー部58はI/Oセル内の固定化した配線パターンで接続することができないため、セル電源配線部24はコーナー部58の電源配線59,60を自動配線する。
【0029】
そして、セル電源配線部24は複数の島1〜3に共通の電源配線53,54の情報、電源配線55,56,57の情報及び電源配線59,60の情報をレイアウトデータベース30に設定する。
【0030】
境界情報抽出部25は、レイアウトデータベース30から配置されたI/Oセルの情報(論理結線情報に存在するI/Oセル、論理結線情報にないI/Oセル及び電源セル)を読み込み、セルライブラリ27からI/Oセルの詳細情報を読み込み、さらに、バルクライブラリ29からサイト情報を読み込む。境界情報抽出部25は、配置されたI/Oセルの情報に基づいて、I/Oセル配置領域と内部セル領域との境界情報を抽出する。これは、図7(a)に示すように、内部セル領域の周囲に直線状の内部電源配線61,62が形成されると、内部セル領域にデッドスペースDSが生じるのを防止するためである。境界情報抽出部25は、抽出した境界情報をレイアウトデータベース30に設定する。
【0031】
内部電源配線部26は、レイアウトデータベース30からI/Oセル配置領域と内部セル領域との境界情報を読み込み、図7(b)に示すようにこの境界に沿うように内部電源配線63,64を決定する。内部電源配線部26は内部電源配線63,64の情報をレイアウトデータベース30に設定する。
【0032】
図8は上記の設計装置10によって処理された半導体チップ70のイメージ図である。
さて、本実施の形態は、以下の効果がある。
【0033】
(1)I/Oセル34,36,38の配置位置を定義するサイト31は、I/Oセル34のサイズを並べておき、I/Oセル34,36,38を、サイト31の原点32とI/Oセル34,36,38の原点35,37,39とを重ねるように作成している。そして、サイト31と配置するI/Oセルとは原点位置と回転コードによる対応をとるのみで、サイト31のサイズ(長さ)とI/Oセル34,36,38のサイト(長さ)の一致をとらないようにする。また、I/Oセル34,36,38がバルク層の情報を持っている。従って、サイト31に対してサイズの異なる種々の入出力セル34,36,38が配置され、配置された入出力セルに合うバルク層が後で埋め込まれることにより、サイズの異なる入出力セルの配置が可能となる。
【0034】
(2)島情報を抽出して、論理結線情報にない入出力セルもその島の他のI/Oセル34,36,38と同じサイズのセルを配置することにより、同じサイズを持った入出力セル領域を凹凸のない連続した領域とすることができる。そのため、入出力セル34,36,38への電源供給確保及び内部セル領域周辺の電源配線処理の容易化が可能になる。
【0035】
(3)個々の入出力セル34,38に特有の電源配線は、その島の間だけ配線することにより、それぞれの入出力セル34,38に必要な電源を確保することが可能になる。
【0036】
(4)種々のサイズの入出力セル34,36,38が配置されたことにより凹凸となった入出力セル領域と内部セル領域との境界情報を抽出し、その境界に沿うように内部電源配線63,64を行うことにより、内部セル領域をより有効に利用することが可能になる。
【0037】
なお、上記の形態において、I/Oセル34,36,38の配置位置を定義するサイト31は、I/Oセル36のサイズ(最小サイズ)を並べておいてもよい。
【0038】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1の発明は、サイズの異なる入出力セルの配置を行うことができる。
【0039】
請求項2の発明は、同じサイズを持った入出力セル領域を凹凸のない連続した領域とすることができ、入出力セルへの電源供給確保及び内部セル領域周辺の電源配線処理の容易化が可能になる。
【0040】
請求項3の発明は、個々の入出力セルに特有の電源を確保することが可能になる。
請求項4の発明は、内部セル領域をより有効に利用することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態の設計装置を示すブロック図
【図2】図1のCPUを種々の動作に基づいて示す概念図
【図3】サイト及びI/Oセルと、I/Oセルの配置を示す説明図
【図4】I/Oセルの配置処理を示す説明図
【図5】I/Oセル上の電源配線の配線処理を示す説明図
【図6】コーナー部の電源配線の配線処理を示す説明図
【図7】内部電源配線の配線処理を示す説明図
【図8】半導体チップのイメージ図
【符号の説明】
21 第1のセル配置部
22 島情報抽出部
23 第2のセル配置部
24 セル電源配線部
25 境界情報抽出部
26 内部電源配線部
27 第2の記憶手段としてのセルライブラリ
29 第1の記憶手段としてのバルクライブラリ
30 第3の記憶手段としてのレイアウトデータベース
31 サイト
34,36,38 入出力セル
Claims (4)
- 半導体チップの辺に平行に複数の入出力セルが配置され、複数の入出力セルの駆動能力は異なりかつ少なくとも半導体チップの辺と直交する方向におけるサイズが異なる半導体集積回路装置を製造するためのデータを作成するようにした半導体集積回路装置の設計装置であって、
半導体チップにおける入出力セルの配置を定義した複数のサイトの情報を記憶した第1の記憶手段と、
複数のサイトに配置するための入出力セルに関してセルサイズ及び該入出力セルを構成する素子のパターン情報を記憶した第2の記憶手段と、
半導体集積回路装置の論理結線情報を記憶した第3の記憶手段と、
前記論理結線情報及びサイト情報に基づいて複数の入出力セルの配置位置を決定する第1のセル配置部と
を備える半導体集積回路装置の設計装置。 - 配置された複数の入出力セルのサイズに基づいて、同一のサイズの入出力セルのみを含む島の情報を抽出する島情報抽出部と、
前記論理結線情報にない入出力セルとして、島を構成する入出力セルのサイズと同一のサイズの入出力セルを選択して配置する第2のセル配置部と
を備える請求項1に記載の半導体集積回路装置の設計装置。 - 連続した各島の範囲内において、各島を構成する入出力セル上を通過する電源配線を決定するセル電源配線部を備える請求項2に記載の半導体集積回路装置の設計装置。
- 前記島情報に基づいて入出力セル領域と内部セル領域との境界情報を抽出する境界情報抽出部と、
抽出された境界情報に基づいてその境界に沿うように内部セル領域のための電源配線を決定する内部電源配線部と
を備える請求項2又は3に記載の半導体集積回路装置の設計装置。
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