JP3542875B2 - Atmセル速度帯域制御方式 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はATM網における速度帯域制御方式に関し、特にATM網の通信路上へ伝送されるセルの帯域を申告値に従って送出する機構を備える速度帯域制御方式に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来この種のATM網における帯域制御方式は、図11に示すように、通信路からの入力セルはセル分離手段111にて入力セルのヘッダに設定されたVCIの番号に応じて分離され、各VCIに対応する各セル蓄積手段112に蓄積される。
【0003】
各セル蓄積手段112はFIFO(First In First Out)型のメモリで構成され一定容量を持つ。
【0004】
蓄積されたデータは、予め各VCIに対して申告された帯域申告値に対応するデータが制御部より設定されており、各タイミング毎に読み出し制御を行う読み出し制御手段115より、セル蓄積手段112を選択することでセル畜積手段112からセルが読み出され、セル多重手段114より読み出されたセルを出力通信路に多重化して出力することにより、帯域制御を行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
第1の問題点は、従来の技術において帯域制御をセルの読み出し側にて制御していることである。
【0006】
その理由は、一般にATM網の通信路を扱う場合、入力セルのチャネル数は膨大であることである。例えばVCI毎のチャネル数をとったとしてもそのチャネル数は、216=65,536チャネル数あり、従来方式にて、そのチャネル数分の帯域制御を行おうとした場合、読み出し制御手段でのハード的制御手段はチャネル数に依存した形で複雑困難になる。また、読み出し制御部にて疑似乱数発生カウンタを使用した場合、第1番目に入力されたセルが申告帯域を守っているにも関わらず、第2番目、第3番目に入力された他のチャネルのセルよりも遅れて送出される可能性は避けられず、伝送遅延が問題となる。
【0007】
第2の問題点は、従来の技術においてバッファメモリ(FIFO)を各チャネル単位毎に持っていることである。
【0008】
その理由は、上記でも述べたが、一般にATM網の通信路を扱う場合、チャネル数は膨大のため、バッファメモリ領域確保が問題となるからである。
【0009】
本発明の目的は、上記問題を解決し、入力セルを周期毎に書き込み、読み出し周期毎にセルバッファメモリより読み出す周期読み出しセルバッファ方式を用いるATMセル速度帯域制御方式を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のATMセル速度帯域制御方式は、ATM網の通信路上を伝送されるATMセルの速度帯域制御方式において、統計多重された通信路からVCI、VPI、その他複数の異なるチャネルから入力されるセルをチャネル毎に識別するヘッダ検出部と、予め申告された速度帯域を表す2種類のパラメータとしてセル書き込み周期であるセル間隔Kと、周期内書き込み可能セル数Nとを、チャネル単位に格納する速度監視テーブルと、1面が入力セル1個分の容量を持ち、「総縦スロット列AL」×「総横スロット列Am」面分の容量を保持できるメモリからなるセルバッファメモリと、前記セルバッファメモリの総縦スロット列ALの各縦スロット列に書き込まれている書き込みセル数を監視する縦スロット列セルバッファメモリ監視部と、入力セルを前記セルバッファメモリへ書き込む時に、前記速度監視テーブルおよび前記縦スロット列セルバッファメモリ監視部に保持されているデータに基づいて、前記セルバッファメモリへの格納場所の検索および当該格納場所への書き込み制御を行う入力セル書き込み制御部と、読み出し周期毎にセルバッファメモリよりセルを読み出す出力セル周期読み出し制御部を備え、セルを送出する通信路の帯域中の各チャネルに対して予め申告した帯域の比率により入力セルを送出し、さらに、前記入力セル書込み制御部が、読み出し周期毎に1セル送出する速度を基準速度vと、速度監視テーブルに設定するチャネル毎の帯域を(N/K)×vと定義し、チャネル毎に到着セル書き込み縦スロット列Lを判別する手段と、当該縦スロット列に書き込んだ当該チャネルの周期内書き込みセル数nを計算し、n<Nであれば次に同一チャネルのセルが入力された時に当該セルを同じ縦スロット列Lに書き込み、n=Nである場合には当該セルをL+Kの縦スロット列に書き込む手段を有し、出力セル周期読みだし制御部で縦スロット列毎に順次セルバッファメモリよりセルを読み出すことを特徴とする。
【0012】
また、前記縦スロット列セルバッファメモリ監視部は、基準速度vにおけるセルバッファメモリの縦スロット列の読みだし周期として定義される基準速度vのセル間隔T内に送出できるセル数Mを定義し、縦スロット列毎に蓄積されているセル数mを記憶する手段を有し、入力セル到着時に、前記書き込み縦スロット列がLであっても、m=Mである場合には当該入力セルをL+1の縦スロット列に書き込む。
【0013】
また、前記出力セル周期読みだし制御部は、基準速度vのセル間隔周期T内における読みだし周期として定義される装置単位周期T0と前記装置単位周期T0内の読みだしセル数で定義される装置単位セル数X0を設定し、送出セル数xを計数する手段と、周期T0毎に計数された送出セル数xをリセットする手段とを有し、前記送出セル数xが装置単位セル数X0に達した場合はセルバッファメモリからの入力セルの送出を停止する。
【0014】
さらに、チャネル毎に前記速度監視テーブルに輻輳発生閾値QAと、輻輳解除閾値QBを設定する手段と、セルバッファメモリ内に蓄積された当該チャネルのセル数を計数する手段とを有し、計数されたセル数が輻輳発生閾値QAを超えた場合に輻輳として前段のATM網の通信路へ輻輳の発生を通知し、輻輳解除閾値QBを下回った場合に前段のATM網の通信路へ輻輳の発生解除を通知する。
【0015】
さらに、セルバッファメモリの空きを検出する手段を有し、入力セル到着時にセルバッファメモリに空きがなければ当該セルを廃棄し、セル廃棄中の信号を前段のATM網の通信路へ通知する。
【0016】
さらにまた、前記速度監視テーブルは、予め申告された速度帯域を表す2種類のパラメータであるセル書き込み周期であるセル間隔Kと、周期内書き込み可能セル数Nと、さらに周期内書き込みセル数nと、次セル書き込みポインタNPと、輻輳状態判定ビットCGと、輻輳発生閾値QAと、輻輳解除閾値QBと、セルバッファメモリ上に存在するチャネル毎の総セル数Qcntとをチャネル単位に保持できるメモリからなる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0018】
図1は、本発明の一実施例の構成図を示し、速度監視テーブル11と、セルバッファメモリ12と、ヘッダ検出部13と、入力セル書き込み制御部14と、出力セル周期読み出し制御部15と、縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル16とからなる。
【0019】
図2は、速度監視テーブルの構成図を示し、チャネル単位に予め申告された速度帯域を表す2種類のパラメータであるセル間隔Kと、周期内書き込み可能セル数N及び周期内書き込みセル数nと、次セル書き込みポインタNPと、輻輳状態判定ビットCGと、輻輳発生閾値QAと、輻輳解除閾値QBと、セルバッファメモリ上に存在するチャネル毎の総セル数Qcntとをチャネル単位に保持できるメモリからなる。
【0020】
図3は、セルバッファメモリ構成図を示し、1面がATMセル1個分の容量を持ち、総縦スロット列(AL)×総横スロット列(Am)面分の容量を保持できるメモリからなる。
【0021】
図4は、縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル構成図を示し、セルバッファメモリの各縦スロット列に書き込まれているセル数を保持できるメモリからなる。
【0022】
次に、本発明の実施の形態の動作について、図5、図6を参照して詳細に説明する。
【0023】
図5は、本発明の書き込み制御フローチャートを示す。
【0024】
ATM網からの入力セルは、前段ATM網に対して受信セル廃棄通知信号が出力されていない限り、ヘッダ検出部13にて帯域制御されるチャネル(VCI、VPI、他)番号が識別され、入力セル書き込み制御部14へ伝えられる。(S1)
【0025】
入力セル書き込み制御部14は、帯域制御されるチャネル(SHAP)毎の書き込み情報が保持されている速度監視テーブル11から、入力セルに対する各種情報を読み出す。セルバッファメモリ上にあるチャネル毎の総セル数を表す値Qcnt(SHAP)=0の場合は、本チャネルのセルは初めて入力されたセルと同等であるとみなせるので、最も早く読み出される縦スロット列である読み出しポインタOPが示す縦スロット列から数えて+2番目のIP=OP+2縦スロット列目に入力セルを書き込む。
【0026】
また、Qcnt(SHAP)≠0の場合は、通常次セル書き込みポインタであるIP=NP(SHAP)縦スロット列目に入力セルを書き込むが、
NP(SHAP)=OP、OP+1の場合のみ、読み出し処理時の競合を避けるために、IP=OP+2縦スロット列目に入力セルを書き込む。この時、セルバッファメモリへの横スロット列の書き込み位置は、縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル16より該当書き込み縦スロット列を読み出した値Count(IP)である。(S2)
【0027】
入力セルのセルバッファメモリへの書き込み処理と並行して、次に同一チャネルのセルが入力された時の書き込み縦スロット列である次セル書き込みポインタNP(SHAP)を決める処理を行う。
【0028】
つまり、今、セルバッファメモリ上に1個のセルを書き込んだことにより、セルバッファメモリ上に存在するチャネル毎の総セル数、周期内書き込みセル数はそれぞれ、Qcnt(SHAP)←Qcnt(SHAP)+1、
n(SHAP) ←n(SHAP)+1 となる。
また、縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル16の該当書き込みスロット列の値も、Count(IP)←Count(IP)+1となる。(S3)
【0029】
ここで、周期内書き込み可能セル数N(SHAP)と周期内書き込みセル数n(SHAP)が等しい場合、次に同一チャネルのセルが入力された時(次セル)は、今書き込んだ縦スロット列からKスロット列離れた縦スロット列に書き込むことになるため、次セル書き込みポインタは、
NP(SHAP)←IP+K(SHAP)となる。
また、N(SHAP)≠n(SHAP)の場合、次セルも今書き込んだ縦スロット列と同−縦スロット列に書き込むことになるため、次セル書き込みポインタは
NP(SHAP)←IPとなる。
【0030】
通常本処理を行うことで問題はないが、セルバッファメモリの横スロット列は有限値であることから、次セル書き込みポインタNP(SHAP)が、今読み出し処理を行っているOPを追い越す場合を考える必要がある。
もし、NP(SHAP)がOPを追い越した場合、前段ATM網に対して、入力セル受信不可を示す信号を出力し、該当チャネルの次セル書き込みポインタNP(SHAP)は、今読み出し処理を行っているOPにしておく。(S4)
【0031】
このような現象は同一チャネルのセルが連続して入力された時に発生することから、本現象を避けるために予め輻輳発生閾値QAをチャネル毎に設定しておき、入力セルをセルバッファメモリに書き込む毎にQcnt(SHAP)と、
QA(SHAP)を比較し、Qcnt(SHAP)≧QA(SHAP)の時、前段ATM網に対して輻輳チャネルが発生していることを伝える仕組みを設ける。尚、前段ATM網に対して、輻輳が解除されるまで何回も輻輳通知を行うとかえって前段ATM網側での処理ネックになる可能性もあるため、一度輻輳通知を行ったチャネルに対しては、輻輳状態を示すCG(SHAP)ビットを立てて、以後同一チャネルの輻輳発生時には前段のATM網に対して輻輳通知を行わない様にする。(S5)
【0032】
入力セルをセルバッファメモリに書き込む一連の処理は、本説明で全てであり、後は、本装置にセルが入力される毎に上記動作を繰り返せば良いことが分かる。
【0033】
図6は、本発明の読み出し制御フローチャートを示す。
読み出しポインタ(OP)は、セルバッファメモリ12の0スロット列目から読み出し始め、予め申告された基準速度のセル間隔[T]セル個のセルをATM網上に送出する毎に+1づつカウントアップする周期カウンタである。
【0034】
今、あるスロット列に読み出しポインタが移動した時の一連の読み出し処理を説明することとする。
【0035】
読み出しポインタOPが示す縦スロット列に書き込まれているセル数を、縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル16より読み出し、
Count(OP)>0、かつ、基準速度vのセル間隔周期T内における読みだし周期として定義される装置単位周期T0内の読みだしセル数で定義される装置単位セル数[X0]より読み出しセル数が少ない場合、セルバッファメモリ12の(縦列、横列)=(OP、y)面からセルを読み出す。(S6)
【0036】
1セル分の有効セルを読み出したことにより、縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル16のセル数、読み出したセルのチャネル番号のセルバッファメモリ上のチャネル毎の総セル数はそれぞれ、
Count(OP) ←Count(OP)−1、
Qcnt(SHAP)←Qcnt(SHAP)−1 となる。
と同時に、次に読み出す縦スロット列の横列の位置を示す値は、
y←y+1 となる。(S7)
【0037】
この時、読み出したセルのチャネルの輻輳状態を示すCG(SHAP)ビットが立っている場合、読み出したセルのチャネル番号のセルバッファメモリ上のチャネル毎の総セル数Qcnt(SHAP)が輻輳解除閾値QB(SHAP)を下回っていれば、該当チャネルの輻輳状態は解除されたことを前段ATM網に対して通知し、輻輳状態を示すCG(SHAP)のビットを落とす[←0]処理を行う。
【0038】
尚、上記条件Count(OP)>0、かつ、x<X0以外の時は空きセルを1セル分読み出す。
【0039】
この様に、有効セルであれ、空きセルであれ1セル分のセルを読み出したことにより予め申告された装置単位セル数[X0]、装置単位周期[T0]、基準速度のセル間隔[T]に対するそれぞれの関数値は、
x←x+1、w←w+1、t←t+1 となる。(S8)
【0040】
ここで、装置単位周期[T0]分のセルを読み出した[w=T0]のであれば、装置単位セル数X0、装置単位周期T0の関数をクリア[w←0、x←0]する。
【0041】
この様に、基準速度のセル間隔[T]分のセルを読み出すまで、上記処理を繰り返し、t=Tになった時点で、各パラメータ関数をクリア[t←0、w←0、x←0]し、読み出しポインタOPの値をOP←mod(OP+1)に更新する。(S9)
【0042】
その時、本装置が前段ATM網に対して受信セル廃棄通知をしているのであれば、読み出しポインタが更新されたことにより書き込みスロット列が空いたので、前段ATM網に対して受信セル廃棄解除通知を行う。(S10)
【0043】
セルバッファメモリ上のある縦スロット列から読み出す一連の処理は、本説明で全てであり、後は、読み出しポインタが示す縦スロット列から次々に上記動作を繰り返せば良いことが分かる。
【0044】
【実施例】
次に、本発明において異なるチャネルのセルが入力された時に予め申告された通りに帯域制御されてセルが出力される実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【0045】
図7は、速度系列の基準速度を256Kbit/sとした時の各速度に対する書き込み処理におけるセル間隔K、及び、周期内書き込み可能のセル数Nを表した速度テーブルの一例である。
【0046】
本速度テーブルにおいて、例えば64Kbit/sを基準速度にした場合、セル間隔K、及び、セル数Nが次に示す様に変化することは言うまでもない。
【0047】
64Kbit/s(K=1、N=1)
128Kbit/s(K=1、N=2)
256Kbit/s(K=1、N=4)
512Kbit/s(K=1、N=8)
1024Kbit/s(K=1、N=16)
図8は、書き込み側の基準速度に対する読み出し側の基準速度のセル間隔[T]を表した基準速度に対する読み出しセル数の関係の一例である。
【0048】
本表の算出根拠を、今、64Kbit/s帯域のセルについて考えるとする。64Kbit/s帯域のセル発生間隔は、48×8/64=6msである。
155.52Mbit/sの伝送速度で、1セル長が54バイトの場合の1セルの時間は、54×8/155.52μs/セルとなる。6msをセル数に換算すると、6ms÷(54×8/155.52μs/セル)=2160セル。つまり、64Kbit/s帯域のセル発生間隔は、2160セル間隔に1個の有効セルが挿入されるイメージである(2159セルは空きセル)。
【0049】
上記計算式より、一般にXKbit/s帯域とは、
48×8/X[ms]÷(54×8/155.52[μs/セル])
=138,240/X[セル]間隔に1個の有効セルが挿入されることである。
【0050】
図9は、基準速度を256Kbit/sにした場合における本発明のATMセル速度帯域制御方式の処理概要図の一例である。
【0051】
入力セル回線に図9に示す様な、チャネル番号α〜εのセルが入力されたとする。チャネル番号αのセルは出力帯域が128Kbit/sであるため、書き込み側処理としては、2、4、6、8、10縦スロット列に各1セルずつ書き込むことになる。同様処理を、チャネル番号β〜εのセルに対しても行うと図9に示すセルバッファメモリの位置に各入力セルが書き込まれることが分かる。
【0052】
読み出し側処理として、今、基準速度のセル間隔[T]を540、装置単位周期[T0]を5、装置単位セル数[X0]を3とする。読み出しポインタOPが0〜1スロット列目の時は、有効セルが書き込まれていないので、基準速度のセル間隔[T]セル分の空きセルが出力される。第2スロット列目以降は、図9に示した様にセルが出力され、予め申告された速度帯域を守ってセルが送出されることが分かる。
【0053】
次に、本発明の他の実施例の動作について、補足説明する。本文中、セルバッファメモリの横スロット列は有限値であるために発生する書き込み制御時の対策については前に記述した。
【0054】
同様に、セルバッファメモリの縦スロット列についても有限値であるために発生する書き込み制御時の対策について、図10を参照して詳細に説明する。
【0055】
図10は、縦スロット列内の書き込み可能セルの積み残した場合の次の処理を示す一例である。図中(a)は低速帯域制御対象セル[K>1、N=1]での積み残し、(b)は高速帯域制御対象セル[K=1、N>1]での積み残しの場合の処理を示している。
【0056】
書き込み処理時に、基準速度vのセル間隔[T]内に送出できるセル数Mを定義し、縦スロット列セルバッファメモリ監視部に縦スロット列毎に蓄積されているセル数mを記憶する手段を有し、入力セル到着時に、書き込み縦スロット列がLであっても、m=Mである場合には当該入力セルをL+1の縦スロット列に書き込むことで、書き込み周期内バッファ溢れ発生が防止可能になる。
つまり、低速帯域制御対象セルでは、実際の書き込み縦スロット列から次の縦スロット列をカウントし、高速帯域制御対象セルで縦スロット列内書き込み可能セル数が残っている場合には、その分のセルは書き込まずに次の縦スロット列にNセル書き込む処理を行う。
本処理を行うことにより、時間軸上瞬間的には、予め申告された速度帯域に対して大きな速度帯域(送出時間が遅くなる方向)でセルが送出されることになるが、ATM網のトラヒックに応じた形で、効率良くセルバッファメモリを使用可能になる。
【0057】
また、本文中、前段ATM網に対して受信セル廃棄通知信号の解除契機は、読み出しポインタが一度更新された時にするように説明した。
本処理では、受信セル廃棄通知信号解除時に、受信セル廃棄通知信号を発生させたチャネルのセルが入力されたとすると、再度受信セル廃棄通知信号が発生することになる。
本現象を避けるために、ある程度の時間をおいて受信セル廃棄通知信号を解除する様な仕組み、すなわち、読み出しポインタが何縦スロット分か移動した時に受信セル廃棄通知信号を解除する様に、解除契機の可変化処理を加えれば良いことは言うまでもない。
【0058】
【発明の効果】
第1の効果は、一連の速度帯域制御を書き込み制御部にて全て処理し、読み出し制御部では、セルバッファメモリの周期読み出し処理のみ行えば良い点である。その理由は、入力セルのチャネル数に依存せず処理可能な点である。また、入力順序を守った形でのセル送出、及び、装置として速度帯域制御可能な点である。第2の効果は、効率よくセルバッファメモリを使用可能な点である。
【0059】
その理由は、ATM網のトラヒック特性に応じた形でセルバッファメモリの縦スロット列、横スロット列を決定でき、輻輳状態にも耐えうる点である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成図
【図2】本発明の速度監視テーブルの構成図
【図3】本発明のセルバッファメモリの構成図
【図4】本発明の縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブルの構成図
【図5】本発明の書き込み制御フローチャート
【図6】本発明の読み出し制御フローチャート
【図7】本発明の基準速度(256Kbit/s)に対する速度テーブルの一例
【図8】本発明の基準速度に対する読み出しセル数の関係の一例
【図9】本発明のATMセル速度帯域制御方式の処理概要図
【図10】本発明の縦スロット列内の書き込み可能セルの積み残した場合の次の処理の一例、(a)は低速帯域制御対象セル[K>1、N=1]での積み残し、(b)は高速帯域制御対象セル[K=1、N>1]での積み残しの場合の処理
【図11】
従来技術の実施例の構成図
【符号の説明】
11 速度監視テーブル
12 セルバッファメモリ
13 ヘッダ検出部
14 入力セル書き込み制御部
15 出力セル周期読み出し制御部
16 縦スロット列セルバッファメモリ監視テーブル
111 セル分離手段
112 セル蓄積手段
113 最大セル蓄積量設定手順
114 セル多重手段
115 読み出し制御手段
Claims (6)
- ATM網の通信路上を伝送されるATMセルの速度帯域制御方式において、
統計多重された通信路からVCI、VPI、その他複数の異なるチャネルから入力されるセルをチャネル毎に識別するヘッダ検出部と、
予め申告された速度帯域を表す2種類のパラメータとしてセル書き込み周期であるセル間隔Kと、周期内書き込み可能セル数Nとを、チャネル単位に格納する速度監視テーブルと、
1面が入力セル1個分の容量を持ち、「総縦スロット列AL」×「総横スロット列Am」面分の容量を保持できるメモリからなるセルバッファメモリと、
前記セルバッファメモリの総縦スロット列ALの各縦スロット列に書き込まれている書き込みセル数を監視する縦スロット列セルバッファメモリ監視部と、
入力セルを前記セルバッファメモリへ書き込む時に、前記速度監視テーブルおよび前記縦スロット列セルバッファメモリ監視部に保持されているデータに基づいて、前記セルバッファメモリへの格納場所の検索および当該格納場所への書き込み制御を行う入力セル書き込み制御部と、
読み出し周期毎にセルバッファメモリよりセルを読み出す出力セル周期読み出し制御部を備え、
セルを送出する通信路の帯域中の各チャネルに対して予め申告した帯域の比率により入力セルを送出し、
さらに、前記入力セル書込み制御部が、
読み出し周期毎に1セル送出する速度を基準速度vと、速度監視テーブルに設定するチャネル毎の帯域を(N/K)×vと定義し、チャネル毎に到着セル書き込み縦スロット列Lを判別する手段と、
当該縦スロット列に書き込んだ当該チャネルの周期内書き込みセル数nを計算し、n<Nであれば次に同一チャネルのセルが入力された時に当該セルを同じ縦スロット列Lに書き込み、n=Nである場合には当該セルをL+Kの縦スロット列に書き込む手段を有し、
出力セル周期読みだし制御部で縦スロット列毎に順次セルバッファメモリよりセルを読み出すことを特徴とするATMセル速度帯域制御方式。 - 前記縦スロット列セルバッファメモリ監視部が、
基準速度vにおけるセルバッファメモリの縦スロット列の読みだし周期として定義される基準速度vのセル間隔T内に送出できるセル数Mを定義し、縦スロット列毎に蓄積されているセル数mを記憶する手段を有し、
入力セル到着時に、前記書き込み縦スロット列がLであっても、m=Mである場合には当該入力セルをL+1の縦スロット列に書き込む請求項1記載のATMセル速度帯域制御方式。 - 前記出力セル周期読みだし制御部が、
基準速度vのセル間隔T内における読みだし周期として定義される装置単位周期T0と前記装置単位周期T0内の読みだし可能セル数で定義される装置単位セル数X0を設定し、送出セル数xを計数する手段と、
周期T0毎に計数された送出セル数xをリセットする手段とを有し、
前記送出セル数xが装置単位セル数X0に達した場合はセルバッファメモリからの入力セルの送出を停止する請求項1または2に記載のATMセル速度帯域制御方式。 - さらに、チャネル毎に前記速度監視テーブルに輻輳発生閾値QAと、輻輳解除閾値QBを設定する手段と、
セルバッファメモリ内に蓄積された当該チャネルのセル数を計数する手段とを有し、
計数されたセル数が輻輳発生閾値QAを超えた場合に輻輳として前段のATM網の通信路へ輻輳の発生を通知し、輻輳解除閾値QBを下回った場合に前段のATM網の通信路へ輻輳の発生解除を通知する請求項1記載のATMセル速度帯域制御方式。 - さらに、セルバッファメモリの空きを検出する手段を有し、
入力セル到着時にセルバッファメモリに空きがなければ当該セルを廃棄し、セル廃棄中の信号を前段のATM網の通信路へ通知する請求項1記載のATMセル速度帯域制御方式。 - 前記速度監視テーブルが、
予め申告された速度帯域を表す2種類のパラメータであるセル書き込み周期であるセル間隔Kと、周期内書き込み可能セル数Nと、さらに周期内書き込みセル数nと、次セル書き込みポインタNPと、輻輳状態判定ビットCGと、輻輳発生閾値QAと、輻輳解除閾値QBと、セルバッファメモリ上に存在するチャネル毎の総セル数Qcntとをチャネル単位に保持できるメモリからなる請求項1から5の何れかに記載のATMセル速度帯域制御方式。
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