JP3536559B2 - 半溶融金属の成形方法 - Google Patents
半溶融金属の成形方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半溶融過共晶Ａｌ
−Ｓｉ系合金の成形方法に係り、熱伝導率が１ｋｃａｌ
／ｍｈ℃以上の保持容器の中に注湯されたＰを０．００
５％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金を、所定
の液相率を示す成形温度まで冷却しながら保持する工程
において、該合金の注湯完了直後の温度から、Ａｌ、Ｓ
ｉの二元共晶温度まであるいは該共晶温度より高い成形
温度までの平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／
ｓとすることにより、微細な初晶Ｓｉを該合金液中に晶
出させ、必要に応じて引き続き所定の液相率を示すまで
共晶組織を晶出させ、該合金を該保持容器から取り出し
て成形用金型に供給して加圧成形する半溶融金属の成形
方法に関するものである。
−Ｓｉ系合金の成形方法に係り、熱伝導率が１ｋｃａｌ
／ｍｈ℃以上の保持容器の中に注湯されたＰを０．００
５％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金を、所定
の液相率を示す成形温度まで冷却しながら保持する工程
において、該合金の注湯完了直後の温度から、Ａｌ、Ｓ
ｉの二元共晶温度まであるいは該共晶温度より高い成形
温度までの平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／
ｓとすることにより、微細な初晶Ｓｉを該合金液中に晶
出させ、必要に応じて引き続き所定の液相率を示すまで
共晶組織を晶出させ、該合金を該保持容器から取り出し
て成形用金型に供給して加圧成形する半溶融金属の成形
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】過共晶合金は、耐摩耗性、耐熱性に優れ
た合金として知られ、低圧鋳造、重力鋳造、高速ダイキ
ャスト法、スクイズ鋳造法などを用いてピストン、エン
ジンブロツクなどに多く使用されている。チクソキャス
ト法（Ａ）は、従来の鋳造法に比べて鋳造欠陥や偏析が
少なく、金属組織が均一で、金型寿命が長いことや成形
サイクルが短いなどの利点があり、最近注目されている
技術である。この成形法において使用されるビレット
は、半溶融温度領域で機械撹拌や電磁撹拌を実施する
か、あるいは加工後の再結晶を利用することによって得
られた球状化組織を特徴とするものである。一方、ビレ
ットを半溶融温度領域まで昇温し成形する方法と異な
り、球状の初晶を含む融液を連続的に生成し、ビレット
として一旦固化することなく、そのままそれを成形する
レオキャスト法（Ｂ）が知られている。
た合金として知られ、低圧鋳造、重力鋳造、高速ダイキ
ャスト法、スクイズ鋳造法などを用いてピストン、エン
ジンブロツクなどに多く使用されている。チクソキャス
ト法（Ａ）は、従来の鋳造法に比べて鋳造欠陥や偏析が
少なく、金属組織が均一で、金型寿命が長いことや成形
サイクルが短いなどの利点があり、最近注目されている
技術である。この成形法において使用されるビレット
は、半溶融温度領域で機械撹拌や電磁撹拌を実施する
か、あるいは加工後の再結晶を利用することによって得
られた球状化組織を特徴とするものである。一方、ビレ
ットを半溶融温度領域まで昇温し成形する方法と異な
り、球状の初晶を含む融液を連続的に生成し、ビレット
として一旦固化することなく、そのままそれを成形する
レオキャスト法（Ｂ）が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、過共晶
合金においては、とりわけ、Ｓｉ量が１５％を超えるよ
うな合金においては、湯流れ性は優れているものの粗大
な引け欠陥（ざく巣）が発生しやすい。加えて、初晶Ｓ
ｉの微細化剤として添加されている燐（Ｐ）の効果を十
分に発揮させるため、鋳造温度が高くする必要があり、
そのために、凝固時間が長くなり最終凝固部に引け欠陥
が発生しやすい。高速ダイキャストにおいては、冷却速
度が速く、初晶Ｓｉは細かいものの金型キャビティに溶
湯を充填する際に空気が巻き込みやすく高品質を要求さ
れる製品には不適である。また、上述した（Ａ）の方法
によれば、金型に充填されてからの冷却速度は速く引け
欠陥の発生は少ないが、半溶融成形用のビレットを製造
するための撹拌法や再結晶を利用する方法はいずれの場
合も煩雑であり、製造コストが高くなる難点がある。し
かも、半溶融成形するためには、一旦液相を固化しその
ビレットを再度半溶融温度領域まで昇温する必要があ
り、従来鋳造法に比べてコスト高になり、また原料とし
てのビレットはリサイクルが難しく、また液相率もビレ
ットのハンドリング上の問題から高くできない。
合金においては、とりわけ、Ｓｉ量が１５％を超えるよ
うな合金においては、湯流れ性は優れているものの粗大
な引け欠陥（ざく巣）が発生しやすい。加えて、初晶Ｓ
ｉの微細化剤として添加されている燐（Ｐ）の効果を十
分に発揮させるため、鋳造温度が高くする必要があり、
そのために、凝固時間が長くなり最終凝固部に引け欠陥
が発生しやすい。高速ダイキャストにおいては、冷却速
度が速く、初晶Ｓｉは細かいものの金型キャビティに溶
湯を充填する際に空気が巻き込みやすく高品質を要求さ
れる製品には不適である。また、上述した（Ａ）の方法
によれば、金型に充填されてからの冷却速度は速く引け
欠陥の発生は少ないが、半溶融成形用のビレットを製造
するための撹拌法や再結晶を利用する方法はいずれの場
合も煩雑であり、製造コストが高くなる難点がある。し
かも、半溶融成形するためには、一旦液相を固化しその
ビレットを再度半溶融温度領域まで昇温する必要があ
り、従来鋳造法に比べてコスト高になり、また原料とし
てのビレットはリサイクルが難しく、また液相率もビレ
ットのハンドリング上の問題から高くできない。
【０００４】また、（Ｂ）の方法では、球状の初晶を含
む融液を連続的に生成供給するため、コスト的、エネル
ギ的にもチクソキャストよりも有利であるが、球状組織
と液相からなる金属原料を製造する機械と最終製品を製
造する鋳造機との設備的連動が煩雑である。しかも、半
溶融過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金に関しての報告はほとんど
ない。
む融液を連続的に生成供給するため、コスト的、エネル
ギ的にもチクソキャストよりも有利であるが、球状組織
と液相からなる金属原料を製造する機械と最終製品を製
造する鋳造機との設備的連動が煩雑である。しかも、半
溶融過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金に関しての報告はほとんど
ない。
【０００５】本発明は、上述の従来の各方法の問題点に
着目し、ビレットを使用することなくしかも煩雑な方法
をとることなく、簡便容易に、微細な初晶Ｓｉを含む均
一な組織と、均一な温度分布を有する成形に適した半溶
融金属（従来チクソキャスト法より高液相率の半溶融金
属まで対象となる）を得て、加圧成形する方法を提供す
ることを目的とするものである。
着目し、ビレットを使用することなくしかも煩雑な方法
をとることなく、簡便容易に、微細な初晶Ｓｉを含む均
一な組織と、均一な温度分布を有する成形に適した半溶
融金属（従来チクソキャスト法より高液相率の半溶融金
属まで対象となる）を得て、加圧成形する方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】このような問題点を解
決するために、本発明においては、第１の発明では、熱
伝導率が１ｋｃａｌ／ｍｈ℃以上の保持容器の中に注湯
されたＰを０．００５％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−
Ｓｉ系合金を、所定の液相率を示す成形温度まで冷却し
ながら保持し、その後、前記合金を保持容器から取り出
して成形用金型に供給して加圧成形する半溶融金属の成
形方法であって、注がれ蓄えられていく合金溶湯を加振
棒で振動させながら注ぐか、あるいは、液相線温度に対
する過熱度が１００℃未満の温度の液体状態の合金溶湯
を治具を使用することなく直接注ぐ給湯工程と、少なく
とも保持容器の上部または下部のいずれかを保温する
か、あるいは、該上部または該下部を該保持容器の中央
部に比べて高温に加熱するか、あるいは、該保持容器の
上部または下部の厚みを該保持容器の中央部よりも薄く
するかのいずれか一つの方法を用いて局部的な温度低下
を防ぎつつ、該保持容器の外部へ空気または水を噴射す
る方法か、あるいは、該保持容器を所定の時間だけ冷却
水に浸漬する方法のうち、少なくともいずれかの方法を
用いて該合金の注湯完了直後の温度からＡｌ、Ｓｉの二
元共晶温度に到達するまでの冷却速度を０．１５℃／ｓ
〜２．０℃／ｓとする冷却工程と、保持容器に注湯され
た合金の温度保持を、誘導加熱により該保持容器内の合
金の各部の温度を遅くとも成形する時までには所定の液
相率を示す目標成形温度範囲内に収める温度調整工程
と、該合金を該保持容器から取り出して成形用金型に供
給して加圧成形する加圧成形工程と、からなる構成とし
た。
決するために、本発明においては、第１の発明では、熱
伝導率が１ｋｃａｌ／ｍｈ℃以上の保持容器の中に注湯
されたＰを０．００５％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−
Ｓｉ系合金を、所定の液相率を示す成形温度まで冷却し
ながら保持し、その後、前記合金を保持容器から取り出
して成形用金型に供給して加圧成形する半溶融金属の成
形方法であって、注がれ蓄えられていく合金溶湯を加振
棒で振動させながら注ぐか、あるいは、液相線温度に対
する過熱度が１００℃未満の温度の液体状態の合金溶湯
を治具を使用することなく直接注ぐ給湯工程と、少なく
とも保持容器の上部または下部のいずれかを保温する
か、あるいは、該上部または該下部を該保持容器の中央
部に比べて高温に加熱するか、あるいは、該保持容器の
上部または下部の厚みを該保持容器の中央部よりも薄く
するかのいずれか一つの方法を用いて局部的な温度低下
を防ぎつつ、該保持容器の外部へ空気または水を噴射す
る方法か、あるいは、該保持容器を所定の時間だけ冷却
水に浸漬する方法のうち、少なくともいずれかの方法を
用いて該合金の注湯完了直後の温度からＡｌ、Ｓｉの二
元共晶温度に到達するまでの冷却速度を０．１５℃／ｓ
〜２．０℃／ｓとする冷却工程と、保持容器に注湯され
た合金の温度保持を、誘導加熱により該保持容器内の合
金の各部の温度を遅くとも成形する時までには所定の液
相率を示す目標成形温度範囲内に収める温度調整工程
と、該合金を該保持容器から取り出して成形用金型に供
給して加圧成形する加圧成形工程と、からなる構成とし
た。
【０００７】また、第２の発明では、第１の発明の成形
温度がＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度より高い場合には、該
合金の注湯完了直後の温度から所定の液相率を示す成形
温度に到達するまでの平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜
２．０℃／ｓとすることにより微細な初晶Ｓｉを該合金
液中に晶出させ、あるいは、成形温度がＡｌ、Ｓｉの二
元共晶温度以下の場合には、該合金の注湯完了直後の温
度からＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度に到達するまでの冷却
速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓとすることにより
微細な初晶Ｓｉを該合金液中に晶出させ、さらに該共晶
温度において所定の液相率を示すまで共晶組織を晶出さ
せることとした。
温度がＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度より高い場合には、該
合金の注湯完了直後の温度から所定の液相率を示す成形
温度に到達するまでの平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜
２．０℃／ｓとすることにより微細な初晶Ｓｉを該合金
液中に晶出させ、あるいは、成形温度がＡｌ、Ｓｉの二
元共晶温度以下の場合には、該合金の注湯完了直後の温
度からＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度に到達するまでの冷却
速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓとすることにより
微細な初晶Ｓｉを該合金液中に晶出させ、さらに該共晶
温度において所定の液相率を示すまで共晶組織を晶出さ
せることとした。
【０００８】また、第３の発明では、第１の発明または
第２の発明のＰに加え、０．００５％〜０．０３％Ｓｒ
および０．００１％〜０．０１％Ｎａのうち少なくとも
どちらかを添加した過共晶Ａｌ−Ｓｉ合金とした。
第２の発明のＰに加え、０．００５％〜０．０３％Ｓｒ
および０．００１％〜０．０１％Ｎａのうち少なくとも
どちらかを添加した過共晶Ａｌ−Ｓｉ合金とした。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明では、熱伝導率が１ｋｃａ
ｌ／ｍｈ℃以上の保持容器の中に所定の方法で注湯され
たＰを０．００５％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ
系合金を、所定の液相率を示す成形温度まで冷却しなが
ら保持する工程において、該合金の注湯完了直後の温度
から、Ａｌ、Ｓｉの二元共晶温度まであるいは該共晶温
度より高い成形温度までの平均冷却速度を０．１５℃／
ｓ〜２．０℃／ｓとすることにより、微細な初晶Ｓｉを
該合金液中に晶出させ、必要に応じて引き続き所定の液
相率を示すまで共晶組織を晶出させ、その後、該合金を
該保持容器から取り出して成形用金型に供給して加圧成
形することにより、微細かつ均一な初晶Ｓｉを有する優
れた成形体が得られる。
ｌ／ｍｈ℃以上の保持容器の中に所定の方法で注湯され
たＰを０．００５％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ
系合金を、所定の液相率を示す成形温度まで冷却しなが
ら保持する工程において、該合金の注湯完了直後の温度
から、Ａｌ、Ｓｉの二元共晶温度まであるいは該共晶温
度より高い成形温度までの平均冷却速度を０．１５℃／
ｓ〜２．０℃／ｓとすることにより、微細な初晶Ｓｉを
該合金液中に晶出させ、必要に応じて引き続き所定の液
相率を示すまで共晶組織を晶出させ、その後、該合金を
該保持容器から取り出して成形用金型に供給して加圧成
形することにより、微細かつ均一な初晶Ｓｉを有する優
れた成形体が得られる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例の詳細
について説明する。図１〜図８は本発明の実施例に係
り、図１はＰ添加過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金の半溶融金属
の製造から成形までを示す工程説明図、図２は極微細な
初晶Ｓｉの生成から成形までの工程説明図、図３は図２
に示した各工程の金属組織の模写図、図４はＡｌ−Ｓｉ
系合金の平衡状態図、図５は本発明例の金属組織を示す
顕微鏡写真の模写図、図６、図７および図８は比較例の
金属組織を示す顕微鏡写真の模写図である。
について説明する。図１〜図８は本発明の実施例に係
り、図１はＰ添加過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金の半溶融金属
の製造から成形までを示す工程説明図、図２は極微細な
初晶Ｓｉの生成から成形までの工程説明図、図３は図２
に示した各工程の金属組織の模写図、図４はＡｌ−Ｓｉ
系合金の平衡状態図、図５は本発明例の金属組織を示す
顕微鏡写真の模写図、図６、図７および図８は比較例の
金属組織を示す顕微鏡写真の模写図である。
【００１１】本発明においては、図１、図４に示すよう
に、液相線温度よりも高いＰ添加過共晶合金溶湯を、
（１）冷却治具２０に接触させる、（２）液相線温度に
対する過熱度を１００℃未満とする、（３）保持容器に
注がれて蓄えられていく溶湯に加振棒４０で振動させ
る、のいずれかの方法により、保持容器３０に注ぎ液中
に結晶核（微細な結晶）を発生させ、その保持容器３０
内において該合金Ｍ2 の注湯完了直後の温度から、Ａ
ｌ、Ｓｉの二元共晶温度まで、あるいは、該共晶温度よ
り高い成形温度までの平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜
２．０℃／ｓとすることにより、微細な初晶Ｓｉを該合
金液中に晶出させる。実用の過共晶Ａｌ−Ｓｉ合金は初
晶の晶出量が少ないために、必要に応じて引き続き、所
定の液相率を示すまで共晶組織を晶出させる。その後、
該合金を該容器から取り出して成形用金型に供給して加
圧成形するようにした。
に、液相線温度よりも高いＰ添加過共晶合金溶湯を、
（１）冷却治具２０に接触させる、（２）液相線温度に
対する過熱度を１００℃未満とする、（３）保持容器に
注がれて蓄えられていく溶湯に加振棒４０で振動させ
る、のいずれかの方法により、保持容器３０に注ぎ液中
に結晶核（微細な結晶）を発生させ、その保持容器３０
内において該合金Ｍ2 の注湯完了直後の温度から、Ａ
ｌ、Ｓｉの二元共晶温度まで、あるいは、該共晶温度よ
り高い成形温度までの平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜
２．０℃／ｓとすることにより、微細な初晶Ｓｉを該合
金液中に晶出させる。実用の過共晶Ａｌ−Ｓｉ合金は初
晶の晶出量が少ないために、必要に応じて引き続き、所
定の液相率を示すまで共晶組織を晶出させる。その後、
該合金を該容器から取り出して成形用金型に供給して加
圧成形するようにした。
【００１２】ここで、注湯完了直後の温度は、図１に示
すように、液相線温度以下の一部固相を含む温度（点ｂ
２）、あるいは、液相線温度に対する過熱度が１０℃以
下（点ｂ２）とする。過熱度が１０℃を超えるような場
合、保持容器３０内の金属溶湯の冷却が遅くなり、微細
な初晶Ｓｉが得られにくくなる。
すように、液相線温度以下の一部固相を含む温度（点ｂ
２）、あるいは、液相線温度に対する過熱度が１０℃以
下（点ｂ２）とする。過熱度が１０℃を超えるような場
合、保持容器３０内の金属溶湯の冷却が遅くなり、微細
な初晶Ｓｉが得られにくくなる。
【００１３】本発明でいう「保持容器」とは、注湯され
た金属溶湯を所定の液相率まで冷却し、微細な組織を晶
出させるために用いるものであるが、該保持容器３０の
室温における熱伝導率が１．０ｋｃａｌ／ｈｒ℃未満の
場合は、断熱性が良いため、該保持容器３０に注がれた
合金溶湯が所定の液相率を示す温度まで冷却保持される
時間が長くなり、作業能率が悪く、かつ、生成した初晶
も粗くなり成形性が低下する。このため、保持容器の熱
伝導率は１．０ｋｃａｌ／ｍｈｒ℃とする。また、材質
は、金属または非金属あるいは非金属を塗布した金属の
いずれでも構わない。また、保持容器３０の厚みに関し
ては、注湯された後、保持容器３０の壁面に接する合金
溶湯より凝固層が発生しないか、あるいは、発生しても
その後の高周波誘導装置により容易に再溶融する厚みと
することが望ましく、合金の種類および保持容器３０内
の合金の重量により適宜決定される。ちなみに、２ｋｇ
程度の鋳物の製造に当たっては、たとえば３ｍｍ以下の
平均厚みのステンレス容器や鋳鉄容器が使用される。
た金属溶湯を所定の液相率まで冷却し、微細な組織を晶
出させるために用いるものであるが、該保持容器３０の
室温における熱伝導率が１．０ｋｃａｌ／ｈｒ℃未満の
場合は、断熱性が良いため、該保持容器３０に注がれた
合金溶湯が所定の液相率を示す温度まで冷却保持される
時間が長くなり、作業能率が悪く、かつ、生成した初晶
も粗くなり成形性が低下する。このため、保持容器の熱
伝導率は１．０ｋｃａｌ／ｍｈｒ℃とする。また、材質
は、金属または非金属あるいは非金属を塗布した金属の
いずれでも構わない。また、保持容器３０の厚みに関し
ては、注湯された後、保持容器３０の壁面に接する合金
溶湯より凝固層が発生しないか、あるいは、発生しても
その後の高周波誘導装置により容易に再溶融する厚みと
することが望ましく、合金の種類および保持容器３０内
の合金の重量により適宜決定される。ちなみに、２ｋｇ
程度の鋳物の製造に当たっては、たとえば３ｍｍ以下の
平均厚みのステンレス容器や鋳鉄容器が使用される。
【００１４】また、「所定の液相率」とは、加圧成形に
適する液相の量を意味し、ダイカスト鋳造、スクイズ鋳
造などの高圧鋳造では液相率は３０％〜９５％、好まし
くは４０％〜７０％とする。３０％未満では保持容器３
０からの取り出しが容易でなく、また素材の成形性が劣
り，９５％以上では素材が軟らかいためハンドリングが
難しいばかりでなく、均一な組織が得にくくなる。押出
法や鍛造法では、１．０％〜７０％、好ましくは１０％
〜６５％とする。１．０％未満では変形抵抗が高いの
で、１．０％以上とする。７０％を超える場合は、組織
の不均一が生じる怖れがある。
適する液相の量を意味し、ダイカスト鋳造、スクイズ鋳
造などの高圧鋳造では液相率は３０％〜９５％、好まし
くは４０％〜７０％とする。３０％未満では保持容器３
０からの取り出しが容易でなく、また素材の成形性が劣
り，９５％以上では素材が軟らかいためハンドリングが
難しいばかりでなく、均一な組織が得にくくなる。押出
法や鍛造法では、１．０％〜７０％、好ましくは１０％
〜６５％とする。１．０％未満では変形抵抗が高いの
で、１．０％以上とする。７０％を超える場合は、組織
の不均一が生じる怖れがある。
【００１５】また、合金を保持容器の中に「注湯する方
法」は、注湯された溶湯中に結晶核（微細結晶）を発生
させることが出来るものであり、異質核として、あるい
は、結晶遊離の促進元素として、働く微細化剤Ｐの効果
を発現させるために、冷却治具（具体的には傾斜板）と
接触させる、あるいは、注湯され蓄えられる溶湯に加振
棒により振動を付与する。もしくは、液相線温度に対す
る過熱度が１００℃未満とする。過熱度が１００℃を超
えると粗大なＳｉが発生しやすい。このため１００℃未
満とする。好ましくは溶湯の過熱度を３０℃未満とする
ことにより微細な初晶を得ることができる。なお、長時
間の低温での溶湯保持は、Ｐの凝集をもたらし、微細化
効果を低下させるので、注意が必要である。なお、本発
明の「振動」とは、振動発生装置の種類、振動条件（周
波数、振幅）を限定するものでないが、市販のエア式振
動装置、電動式振動装置でもよく、また使用される振動
条件としては、たとえば、周波数は１０Ｈｚ〜５０ｋＨ
ｚ、好ましくは５０Ｈｚ〜１ｋＨｚ、片振幅は１ｍｍ〜
０．１μｍ、好ましくは５００μｍ〜１０μｍが望まし
い。
法」は、注湯された溶湯中に結晶核（微細結晶）を発生
させることが出来るものであり、異質核として、あるい
は、結晶遊離の促進元素として、働く微細化剤Ｐの効果
を発現させるために、冷却治具（具体的には傾斜板）と
接触させる、あるいは、注湯され蓄えられる溶湯に加振
棒により振動を付与する。もしくは、液相線温度に対す
る過熱度が１００℃未満とする。過熱度が１００℃を超
えると粗大なＳｉが発生しやすい。このため１００℃未
満とする。好ましくは溶湯の過熱度を３０℃未満とする
ことにより微細な初晶を得ることができる。なお、長時
間の低温での溶湯保持は、Ｐの凝集をもたらし、微細化
効果を低下させるので、注意が必要である。なお、本発
明の「振動」とは、振動発生装置の種類、振動条件（周
波数、振幅）を限定するものでないが、市販のエア式振
動装置、電動式振動装置でもよく、また使用される振動
条件としては、たとえば、周波数は１０Ｈｚ〜５０ｋＨ
ｚ、好ましくは５０Ｈｚ〜１ｋＨｚ、片振幅は１ｍｍ〜
０．１μｍ、好ましくは５００μｍ〜１０μｍが望まし
い。
【００１６】また、保持容器３０の中に注湯された合金
の共晶温度までの「冷却方法」は、所定の冷却速度で強
制的に冷却させるために行なわれるものであり、保持容
器３０の外部へ空気また水を噴射するか、あるいは保持
容器３０を所定の時間だけ冷却水に浸漬する。また、保
持容器に注湯された合金の「温度保持」は、急速に冷却
することにより生じた保持容器各部の温度の不均一を誘
導加熱により遅くとも成形する時までに、所定の液相率
を示す目標成形温度範囲内に収めるように温度調整する
ようにするものである。成形温度が共晶温度より高い場
合（点ｃ１）には、保持容器内の代表温度（保持容器内
に入れられた合金の中心温度）が目標成形温度に対して
１０℃以上低下しない段階までに、所定量の電流を所定
の時間内に流して目標成形温度に対して−５℃〜＋５℃
の温度範囲に収める。成形温度が２元共晶温度である場
合（点ｃ２）には、共晶温度より低下しない段階で所定
量の電流を所定の時間内に流して所定の液相率を示すよ
うにする。
の共晶温度までの「冷却方法」は、所定の冷却速度で強
制的に冷却させるために行なわれるものであり、保持容
器３０の外部へ空気また水を噴射するか、あるいは保持
容器３０を所定の時間だけ冷却水に浸漬する。また、保
持容器に注湯された合金の「温度保持」は、急速に冷却
することにより生じた保持容器各部の温度の不均一を誘
導加熱により遅くとも成形する時までに、所定の液相率
を示す目標成形温度範囲内に収めるように温度調整する
ようにするものである。成形温度が共晶温度より高い場
合（点ｃ１）には、保持容器内の代表温度（保持容器内
に入れられた合金の中心温度）が目標成形温度に対して
１０℃以上低下しない段階までに、所定量の電流を所定
の時間内に流して目標成形温度に対して−５℃〜＋５℃
の温度範囲に収める。成形温度が２元共晶温度である場
合（点ｃ２）には、共晶温度より低下しない段階で所定
量の電流を所定の時間内に流して所定の液相率を示すよ
うにする。
【００１７】保持容器３０に注湯された合金が成形に適
した液相率を示すまで冷却される際に、保持容器上部お
よび保持容器下部は、「加熱もしくは保温」が必要であ
る。それがなされない場合、該保持容器の上部および／
あるいは保持容器の下部の合金の表皮部に粗大な初晶が
発生したり、凝固層が成長し保持容器内の金属の温度分
布も不均一になるため、高周波誘導により加熱しても保
持容器から合金を反転して取り出す場合、保持容器から
所定の液相率の合金を排出出来なかったり、保持容器内
部に凝固層が残り連続成形が困難になったり、温度分布
が完全に改善されなかったりする。このため、注湯後成
形温度までの保持時間が短い場合、冷却過程では保持容
器上部および／あるいは保持容器下部を保持容器中央部
より加熱したりあるいは保温し、必要に応じて、注湯後
の冷却過程だけでなく、注湯前にあらかじめ該保持容器
の上部、下部を加熱する。また、保持容器の上部、下部
の厚みを薄くすることは、中央部に比べて凝固層の生成
を抑制することに効果的である。
した液相率を示すまで冷却される際に、保持容器上部お
よび保持容器下部は、「加熱もしくは保温」が必要であ
る。それがなされない場合、該保持容器の上部および／
あるいは保持容器の下部の合金の表皮部に粗大な初晶が
発生したり、凝固層が成長し保持容器内の金属の温度分
布も不均一になるため、高周波誘導により加熱しても保
持容器から合金を反転して取り出す場合、保持容器から
所定の液相率の合金を排出出来なかったり、保持容器内
部に凝固層が残り連続成形が困難になったり、温度分布
が完全に改善されなかったりする。このため、注湯後成
形温度までの保持時間が短い場合、冷却過程では保持容
器上部および／あるいは保持容器下部を保持容器中央部
より加熱したりあるいは保温し、必要に応じて、注湯後
の冷却過程だけでなく、注湯前にあらかじめ該保持容器
の上部、下部を加熱する。また、保持容器の上部、下部
の厚みを薄くすることは、中央部に比べて凝固層の生成
を抑制することに効果的である。
【００１８】具体的には、以下のとおりの手順により作
業を進める。図２および図３の工程［１］においてラド
ル１０内に入れられた完全液体である金属Ｍ1 を工程
［２］において、傾斜冷却用治具２０に溶湯を接触させ
て、あるいは保持容器（セラミック塗布金属製容器）３
０内に注湯され蓄えられていく溶湯に加振棒４０により
振動を付与して（注湯完了後は振動棒は引き上げる）、
あるいは、溶湯の液相線温度に対する過熱度を１００℃
未満、好ましくは５０℃未満、さらに好ましくは３０℃
未満に保持して、保持容器内に注ぐことにより結晶核
（あるいは微細結晶）を含む液相線直上、直下の合金を
得る。
業を進める。図２および図３の工程［１］においてラド
ル１０内に入れられた完全液体である金属Ｍ1 を工程
［２］において、傾斜冷却用治具２０に溶湯を接触させ
て、あるいは保持容器（セラミック塗布金属製容器）３
０内に注湯され蓄えられていく溶湯に加振棒４０により
振動を付与して（注湯完了後は振動棒は引き上げる）、
あるいは、溶湯の液相線温度に対する過熱度を１００℃
未満、好ましくは５０℃未満、さらに好ましくは３０℃
未満に保持して、保持容器内に注ぐことにより結晶核
（あるいは微細結晶）を含む液相線直上、直下の合金を
得る。
【００１９】次に、工程［３］において、保持容器３０
の外部から空気５０または水６０を噴射するか、あるい
は、保持容器３０を所定の時間ほど冷却水に浸漬する
か、もしくは、これらの方法を併用するかして、合金溶
湯の注湯完了直後の温度から、Ａｌ、Ｓｉの二元共晶温
度まで、あるいは、該共晶温度より高い成形温度までを
０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓの平均冷却速度で冷却し
ながら、加圧成形直前まで保持容器３０内に保持し、微
細な初晶を該合金Ｍ2 中に晶出させる。この間、保持容
器３０回りの加熱コイル９０に通電することにより誘導
加熱を行ない、また、保持容器３０の上部、下部に保温
用のセラミック（熱伝導率が１ｋｃａｌ／ｍｈｒ℃未
満）８０により、成形する時点までに所定の液相率を示
す目標温度範囲内に保持容器内各部の温度を収める。こ
れにより、導入された結晶核から微細な初晶Ｓｉが生成
し（工程［３］−ａ）、固相率の増加に伴ない初晶Ｓｉ
が周囲に初晶αを伴なって成長する。このようにして得
られた所定の液相率を有する合金Ｍ2 を、たとえば、工
程［３］−ｂのように、ダイキャストの射出スリーブ７
０に挿入した後、ダイキャストマシンの金型キャビティ
１００ａ内で加圧成形して成形品を得る。
の外部から空気５０または水６０を噴射するか、あるい
は、保持容器３０を所定の時間ほど冷却水に浸漬する
か、もしくは、これらの方法を併用するかして、合金溶
湯の注湯完了直後の温度から、Ａｌ、Ｓｉの二元共晶温
度まで、あるいは、該共晶温度より高い成形温度までを
０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓの平均冷却速度で冷却し
ながら、加圧成形直前まで保持容器３０内に保持し、微
細な初晶を該合金Ｍ2 中に晶出させる。この間、保持容
器３０回りの加熱コイル９０に通電することにより誘導
加熱を行ない、また、保持容器３０の上部、下部に保温
用のセラミック（熱伝導率が１ｋｃａｌ／ｍｈｒ℃未
満）８０により、成形する時点までに所定の液相率を示
す目標温度範囲内に保持容器内各部の温度を収める。こ
れにより、導入された結晶核から微細な初晶Ｓｉが生成
し（工程［３］−ａ）、固相率の増加に伴ない初晶Ｓｉ
が周囲に初晶αを伴なって成長する。このようにして得
られた所定の液相率を有する合金Ｍ2 を、たとえば、工
程［３］−ｂのように、ダイキャストの射出スリーブ７
０に挿入した後、ダイキャストマシンの金型キャビティ
１００ａ内で加圧成形して成形品を得る。
【００２０】図１、図２、図３に示す本発明の方法と、
従来のチクソキャスト法、レオキャスト法の違いは図よ
り明らかである。すなわち、本発明では従来法のよう
に、半溶融温領域で晶出した初晶を機械撹拌や電磁撹拌
で強制的に破砕球状化することはなく、半溶融温度領域
での温度低下とともに液中に導入された結晶核を起点と
して晶出、成長する多数の初晶が合金自身が持っている
熱量により（必要に応じて外部から加熱保持されること
もありうる）連続的に粒状化されるものであり、また、
チクソキャスト法におけるビレットの再昇温による半溶
融化の工程が省かれているため極めて簡便な方法であ
る。
従来のチクソキャスト法、レオキャスト法の違いは図よ
り明らかである。すなわち、本発明では従来法のよう
に、半溶融温領域で晶出した初晶を機械撹拌や電磁撹拌
で強制的に破砕球状化することはなく、半溶融温度領域
での温度低下とともに液中に導入された結晶核を起点と
して晶出、成長する多数の初晶が合金自身が持っている
熱量により（必要に応じて外部から加熱保持されること
もありうる）連続的に粒状化されるものであり、また、
チクソキャスト法におけるビレットの再昇温による半溶
融化の工程が省かれているため極めて簡便な方法であ
る。
【００２１】上述した各工程、すなわち、図２に示す保
持容器への注湯工程、粒状化工程、のそれぞれにおいて
設定された条件や本発明で示した数値限定理由について
以下に説明する。亜共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金では、傾斜冷
却板を通過した合金を冷却しながら半溶融温度領域に保
持することにより微細な球状の初晶が得られるが、過共
晶Ａｌ−Ｓｉ系合金では４０μｍ未満の初晶Ｓｉは容易
には得られない。そこで、多数の結晶核を発生させるた
めにＰを添加するが、０．００５％未満では微細化効果
は小さく、０．０３％を超えて添加してもそれ以上の効
果は期待出来ないので、Ｐは０．００５％〜０．０３％
とする。保持容器３０の中に注湯されたＰを０．００５
％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金を、所定の
液相率を示す成形温度まで冷却しながら保持する工程に
おいて、該合金の注湯完了直後の温度から、Ａｌ、Ｓｉ
の二元共晶温度まで、あるいは、該共晶温度より高い成
形温度までの平均冷却速度を、０．１５℃／ｓ〜２．０
℃／ｓとする。０．１５℃／ｓ未満では、たとえＰが含
まれていても、いずれの注湯法（冷却板接触法、低温溶
湯注湯法、振動法）を使用しても、４０μｍ未満の初晶
Ｓｉは容易には得られず、粗大なＳｉが混在する。ま
た、２．０℃／ｓを越えると、微細な初晶Ｓｉ以外に粗
大な針状Ｓｉが発生し組織が不均一になる。このため、
平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓとする。
持容器への注湯工程、粒状化工程、のそれぞれにおいて
設定された条件や本発明で示した数値限定理由について
以下に説明する。亜共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金では、傾斜冷
却板を通過した合金を冷却しながら半溶融温度領域に保
持することにより微細な球状の初晶が得られるが、過共
晶Ａｌ−Ｓｉ系合金では４０μｍ未満の初晶Ｓｉは容易
には得られない。そこで、多数の結晶核を発生させるた
めにＰを添加するが、０．００５％未満では微細化効果
は小さく、０．０３％を超えて添加してもそれ以上の効
果は期待出来ないので、Ｐは０．００５％〜０．０３％
とする。保持容器３０の中に注湯されたＰを０．００５
％〜０．０３％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金を、所定の
液相率を示す成形温度まで冷却しながら保持する工程に
おいて、該合金の注湯完了直後の温度から、Ａｌ、Ｓｉ
の二元共晶温度まで、あるいは、該共晶温度より高い成
形温度までの平均冷却速度を、０．１５℃／ｓ〜２．０
℃／ｓとする。０．１５℃／ｓ未満では、たとえＰが含
まれていても、いずれの注湯法（冷却板接触法、低温溶
湯注湯法、振動法）を使用しても、４０μｍ未満の初晶
Ｓｉは容易には得られず、粗大なＳｉが混在する。ま
た、２．０℃／ｓを越えると、微細な初晶Ｓｉ以外に粗
大な針状Ｓｉが発生し組織が不均一になる。このため、
平均冷却速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓとする。
【００２２】共晶温度域での保持時間が長い場合、共晶
組織が粗くなる。このため、共晶組織を細かくし機械的
性質を改善するために、ＳｒあるいはＮａを添加する。
Ｓｒが０．００５％未満であれば、共晶Ｓｉの微細化効
果は小さく、０．０３％を超えて添加すると、初晶Ｓｉ
の微細化を損なうことがあることから、０．００５％〜
０．０３％とする。Ｎａは０．００１％未満であれば、
共晶Ｓｉの微細化効果は小さく、０．０１％を超えて添
加すると、初晶Ｓｉの微細化を損なうことがあることか
ら、０．００１％〜０．０１％とする。
組織が粗くなる。このため、共晶組織を細かくし機械的
性質を改善するために、ＳｒあるいはＮａを添加する。
Ｓｒが０．００５％未満であれば、共晶Ｓｉの微細化効
果は小さく、０．０３％を超えて添加すると、初晶Ｓｉ
の微細化を損なうことがあることから、０．００５％〜
０．０３％とする。Ｎａは０．００１％未満であれば、
共晶Ｓｉの微細化効果は小さく、０．０１％を超えて添
加すると、初晶Ｓｉの微細化を損なうことがあることか
ら、０．００１％〜０．０１％とする。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１に、半溶融金属の製造条件および成形
体の組織観察の結果を示す。成形は、図２に示すよう
に、半溶融金属を射出スリーブ７０に挿入し、その後、
スクイズ鋳造機を用いて行なった。成形条件は、加圧力
９５０ｋｇｆ／ｃｍ2、射出速度０．５ｍ／ｓ、鋳造品
重量（ビスケット含む）１．５ｋｇ、金型温度２３０℃
とした。比較例１では、Ｐを含んでいないため、冷却板
を使用しても微細な初晶Ｓｉは得られず、図６に示すよ
うな粗大な初晶Ｓｉしか得られない。比較例２、比較例
３では、冷却速度が遅いために微細な初晶Ｓｉの他に、
図７に示すような粗大な初晶Ｓｉが混在する。比較例
４、比較例５、比較例６では、保持容器内メタルの温度
調整のための高周波誘導炉の使用あるいは保持容器の上
部、下部の保温のいずれかが無いため、保持容器からメ
タルを排出することが出来なかったり、成形時に不均一
な組織が発生する。比較例７では、冷却速度が速いため
に、図８に示すように微細な組織以外に、粗大な針状Ｓ
ｉが発生する。
体の組織観察の結果を示す。成形は、図２に示すよう
に、半溶融金属を射出スリーブ７０に挿入し、その後、
スクイズ鋳造機を用いて行なった。成形条件は、加圧力
９５０ｋｇｆ／ｃｍ2、射出速度０．５ｍ／ｓ、鋳造品
重量（ビスケット含む）１．５ｋｇ、金型温度２３０℃
とした。比較例１では、Ｐを含んでいないため、冷却板
を使用しても微細な初晶Ｓｉは得られず、図６に示すよ
うな粗大な初晶Ｓｉしか得られない。比較例２、比較例
３では、冷却速度が遅いために微細な初晶Ｓｉの他に、
図７に示すような粗大な初晶Ｓｉが混在する。比較例
４、比較例５、比較例６では、保持容器内メタルの温度
調整のための高周波誘導炉の使用あるいは保持容器の上
部、下部の保温のいずれかが無いため、保持容器からメ
タルを排出することが出来なかったり、成形時に不均一
な組織が発生する。比較例７では、冷却速度が速いため
に、図８に示すように微細な組織以外に、粗大な針状Ｓ
ｉが発生する。
【００２５】一方、本発明例８〜１４では、図５に示す
ような微細な初晶Ｓｉが得られる。
ような微細な初晶Ｓｉが得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明に係る半溶融金属の成形方法では、従来の機械撹
拌法、電磁撹拌法によらず、簡便容易に、かつ、低コス
トで微細かつ粒状の組織を有する成形体が得られる。
本発明に係る半溶融金属の成形方法では、従来の機械撹
拌法、電磁撹拌法によらず、簡便容易に、かつ、低コス
トで微細かつ粒状の組織を有する成形体が得られる。
【図１】本発明に実施例に係るＰ添加過共晶Ａｌ−Ｓｉ
系合金の半溶融金属の製造から成形までを示す工程説明
図である。
系合金の半溶融金属の製造から成形までを示す工程説明
図である。
【図２】本発明の実施例に係る極微細な初晶Ｓｉの生成
から成形までの工程説明図である。
から成形までの工程説明図である。
【図３】図２に示した各工程の金属組織の模式図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例に係る代表的なＡｌ−Ｓｉ系合
金の平衡状態図である。
金の平衡状態図である。
【図５】本発明例の金属組織を示す顕微鏡写真の模写図
である。
である。
【図６】比較例の金属組織を示す顕微鏡写真の模写図で
ある。
ある。
【図７】比較例の金属組織を示す顕微鏡写真の模写図で
ある。
ある。
【図８】比較例の金属組織を示す顕微鏡写真の模写図で
ある。
ある。
【符号の説明】
１０ ラドル
２０ 冷却治具
３０ 保持容器（金属製容器）
４０ 加振棒
５０ 空気
６０ 水
７０ 射出スリーブ
８０ セラミック
９０ コイル
１００ 金型
１００ａ 金型キャビティ
Ｍ1 金属溶湯
Ｍ2 金属溶湯
Ｔ 保持時間
ｔ 容器内メタル温度
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−164108（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−187547（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−32113（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−257722（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−87768（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−96341（ＪＰ，Ａ)
特公 昭54−8325（ＪＰ，Ｂ１)
特許3211754（ＪＰ，Ｂ２)
特許3246363（ＪＰ，Ｂ２)
特許3246296（ＪＰ，Ｂ２)
特許3246358（ＪＰ，Ｂ２)
欧州特許392998（ＥＰ，Ｂ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C22C 1/02
B22D 17/00 - 17/32
B22D 27/00 - 27/20
Claims (3)
- 【請求項１】 熱伝導率が１ｋｃａｌ／ｍｈ℃以上の
保持容器の中に注湯されたＰを０．００５％〜０．０３
％含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ系合金を、所定の液相率を示す
成形温度まで冷却しながら保持し、その後、前記合金を
保持容器から取り出して成形用金型に供給して加圧成形
する半溶融金属の成形方法であって、 注がれ蓄えられていく合金溶湯を加振棒で振動させなが
ら注ぐか、あるいは、液相線温度に対する過熱度が１０
０℃未満の温度の液体状態の合金溶湯を治具を使用する
ことなく直接注ぐ給湯工程と、 少なくとも保持容器の上部または下部のいずれかを保温
するか、あるいは、該上部または該下部を該保持容器の
中央部に比べて高温に加熱するか、あるいは、該保持容
器の上部または下部の厚みを該保持容器の中央部よりも
薄くするかのいずれか一つの方法を用いて局部的な温度
低下を防ぎつつ、該保持容器の外部へ空気または水を噴
射する方法か、あるいは、該保持容器を所定の時間だけ
冷却水に浸漬する方法のうち、少なくともいずれかの方
法を用いて該合金の注湯完了直後の温度からＡｌ、Ｓｉ
の二元共晶温度に到達するまでの冷却速度を０．１５℃
／ｓ〜２．０℃／ｓとする冷却工程と、 保持容器に注湯された合金の温度保持を、誘導加熱によ
り該保持容器内の合金の各部の温度を遅くとも成形する
時までには所定の液相率を示す目標成形温度範囲内に収
める温度調整工程と、 該合金を該保持容器から取り出して成形用金型に供給し
て加圧成形する加圧成形工程と、からなることを 特徴と
する半溶融金属の成形方法。 - 【請求項２】 成形温度がＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度
より高い場合には、該合金の注湯完了直後の温度から所
定の液相率を示す成形温度に到達するまでの平均冷却速
度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃／ｓとすることにより微
細な初晶Ｓｉを該合金液中に晶出させ、あるいは、成形
温度がＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度以下の場合には、該合
金の注湯完了直後の温度からＡｌ、Ｓｉの二元共晶温度
に到達するまでの冷却速度を０．１５℃／ｓ〜２．０℃
／ｓとすることにより微細な初晶Ｓｉを該合金液中に晶
出させ、さらに該共晶温度において所定の液相率を示す
まで共晶組織を晶出させる請求項１記載の半溶融金属の
成形方法。 - 【請求項３】 過共晶Ａｌ−Ｓｉ合金を、０．００５
％〜０．０３％Ｓｒおよび０．００１％〜０．０１％Ｎ
ａのうち、少なくともどちらかを含む過共晶Ａｌ−Ｓｉ
合金とした請求項１または請求項２に記載の半溶融金属
の成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31432996A JP3536559B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半溶融金属の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31432996A JP3536559B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半溶融金属の成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152731A JPH10152731A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3536559B2 true JP3536559B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=18052028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31432996A Expired - Fee Related JP3536559B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半溶融金属の成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3536559B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5937223B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-06-22 | 学校法人常翔学園 | 過共晶アルミニウム−シリコン合金ダイカスト部材およびその製造方法 |
| KR101580943B1 (ko) * | 2014-03-26 | 2015-12-30 | 한국기계연구원 | 과공정 Al-Si계 주조합금의 제조방법 |
| US11447850B2 (en) * | 2019-04-25 | 2022-09-20 | GM Global Technology Operations LLC | Wear-resistant component and system |
| CN112517873B (zh) * | 2020-11-01 | 2022-04-12 | 广州德珐麒自动化技术有限公司 | 一种半固态铝合金浆料制备工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3211754B2 (ja) | 1996-11-28 | 2001-09-25 | 宇部興産株式会社 | 半溶融成形用金属の製造装置 |
| JP3246296B2 (ja) | 1995-11-09 | 2002-01-15 | 宇部興産株式会社 | 半溶融金属の成形方法 |
| JP3246358B2 (ja) | 1996-11-08 | 2002-01-15 | 宇部興産株式会社 | 半溶融金属の成形方法 |
| JP3246363B2 (ja) | 1996-11-28 | 2002-01-15 | 宇部興産株式会社 | 半溶融金属の成形方法 |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP31432996A patent/JP3536559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3246358B2 (ja) | 1996-11-08 | 2002-01-15 | 宇部興産株式会社 | 半溶融金属の成形方法 |
| JP3211754B2 (ja) | 1996-11-28 | 2001-09-25 | 宇部興産株式会社 | 半溶融成形用金属の製造装置 |
| JP3246363B2 (ja) | 1996-11-28 | 2002-01-15 | 宇部興産株式会社 | 半溶融金属の成形方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10152731A (ja) | 1998-06-09 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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