JP3535418B2 - 導体パターン形成方法 - Google Patents
導体パターン形成方法Info
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- JP3535418B2 JP3535418B2 JP20005099A JP20005099A JP3535418B2 JP 3535418 B2 JP3535418 B2 JP 3535418B2 JP 20005099 A JP20005099 A JP 20005099A JP 20005099 A JP20005099 A JP 20005099A JP 3535418 B2 JP3535418 B2 JP 3535418B2
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- metal ions
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
の表面に導体層をパターン形成する方法に関する。
の表面に導体層をパターン形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小型化に伴う基板への高密度
実装化を実現すべく、プリント配線板に形成される導体
パターンのファインピッチ化が進んでいる。その一方
で、安価な材料や簡易なプロセスを採用し、コスト的に
有利で、しかも信頼性の高い導体パターンを形成する技
術を確立することが要求されている。
実装化を実現すべく、プリント配線板に形成される導体
パターンのファインピッチ化が進んでいる。その一方
で、安価な材料や簡易なプロセスを採用し、コスト的に
有利で、しかも信頼性の高い導体パターンを形成する技
術を確立することが要求されている。
【０００３】基板上に導体パターンを形成する方法とし
ては、たとえば特開昭６１−１０４０８３号公報、特開
昭６３−３０４６９３号公報、あるいは特許第２７４０
７６４号掲載公報などに無電解メッキを利用する方法が
開示されている。
ては、たとえば特開昭６１−１０４０８３号公報、特開
昭６３−３０４６９３号公報、あるいは特許第２７４０
７６４号掲載公報などに無電解メッキを利用する方法が
開示されている。
【０００４】特開昭６１−１０４０８３号公報に記載さ
れた発明は、レーザービームなどの放射エネルギビーム
を、たとえば液中において所定の対象物の表面に照射す
ることにより局所的に温度上昇させて対象物の所望部位
のみを選択的に活性化した後、活性部位のみに無電解メ
ッキを施す方法である。
れた発明は、レーザービームなどの放射エネルギビーム
を、たとえば液中において所定の対象物の表面に照射す
ることにより局所的に温度上昇させて対象物の所望部位
のみを選択的に活性化した後、活性部位のみに無電解メ
ッキを施す方法である。
【０００５】特開昭６３−３０４６９３号公報に記載さ
れた発明は、銀や銅の金属塩（金属イオン）やカチオン
重合性化合物を含む感光液を塗布した基板上に高エネル
ギ線を照射し、カチオンを重合させるとともに金属イオ
ンの還元により金属触媒核（活性部位）を形成した後、
活性部位のみに無電解メッキを施す方法である。
れた発明は、銀や銅の金属塩（金属イオン）やカチオン
重合性化合物を含む感光液を塗布した基板上に高エネル
ギ線を照射し、カチオンを重合させるとともに金属イオ
ンの還元により金属触媒核（活性部位）を形成した後、
活性部位のみに無電解メッキを施す方法である。
【０００６】特許第２７４０７６４号掲載公報に記載さ
れた方法は、高分子成形品に紫外レーザ光を照射して成
形品に表面電位を生じさせ、この表面電位とは反対の電
位を有するパラジウムコロイド液中において、紫外レー
ザ光を照射した部位のみにパラジウムコロイドを付着さ
せて活性化した後、活性部位のみに無電解メッキを施す
方法である。
れた方法は、高分子成形品に紫外レーザ光を照射して成
形品に表面電位を生じさせ、この表面電位とは反対の電
位を有するパラジウムコロイド液中において、紫外レー
ザ光を照射した部位のみにパラジウムコロイドを付着さ
せて活性化した後、活性部位のみに無電解メッキを施す
方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−１０４０８３号公報に記載された発明は、放射エ
ネルギビーム照射による局所的な温度上昇によって活性
化する方法である。このため、無電解メッキの際にメッ
キ液の金属イオンを還元析出させるときに、活性部位を
金属触媒核として形成する場合のように、金属触媒核の
触媒活性を利用することができない。したがって、放射
エネルギビームが照射された所望部位に対して、選択性
高く、しかも確実に、メッキ液の金属イオンを還元析出
させるのが困難である。
６１−１０４０８３号公報に記載された発明は、放射エ
ネルギビーム照射による局所的な温度上昇によって活性
化する方法である。このため、無電解メッキの際にメッ
キ液の金属イオンを還元析出させるときに、活性部位を
金属触媒核として形成する場合のように、金属触媒核の
触媒活性を利用することができない。したがって、放射
エネルギビームが照射された所望部位に対して、選択性
高く、しかも確実に、メッキ液の金属イオンを還元析出
させるのが困難である。
【０００８】また、特開昭６３−３０４６９３号公報に
記載された発明は、金属イオンを含有した感光性液を塗
布した基板に、高エネルギ線を照射して活性化する方法
であるため、高エネルギ線を照射後に不要な感光液を除
去する必要があるが、この除去作業が煩雑である。
記載された発明は、金属イオンを含有した感光性液を塗
布した基板に、高エネルギ線を照射して活性化する方法
であるため、高エネルギ線を照射後に不要な感光液を除
去する必要があるが、この除去作業が煩雑である。
【０００９】さらに、特許第２７４０７６４号掲載公報
に記載された方法では、活性化する際のパラジウムコロ
イド（金属イオン）の付着が、パラジウムコロイドと対
象物との間の静電気的な力により達成されているため、
対象物に対するパラジウムコロイドの付着力が小さい。
このため、不必要なパラジウムコロイドなどを除去すべ
く活性化された対象物を水洗したり、あるいはメッキ液
中に浸漬した際などに、対象物からパラジウムコロイド
が遊離してしまうことが懸念され、所望の部位において
適切に金属が還元析出されないといった事態が生じかね
ない。
に記載された方法では、活性化する際のパラジウムコロ
イド（金属イオン）の付着が、パラジウムコロイドと対
象物との間の静電気的な力により達成されているため、
対象物に対するパラジウムコロイドの付着力が小さい。
このため、不必要なパラジウムコロイドなどを除去すべ
く活性化された対象物を水洗したり、あるいはメッキ液
中に浸漬した際などに、対象物からパラジウムコロイド
が遊離してしまうことが懸念され、所望の部位において
適切に金属が還元析出されないといった事態が生じかね
ない。
【００１０】本発明は、上記した事情のもとで考え出さ
れたものであって、所定の対象物に対して、ファインピ
ッチ化されたパターンを容易かつ確実に形成できる導体
パターン形成方法を提供することをその課題としてい
る。
れたものであって、所定の対象物に対して、ファインピ
ッチ化されたパターンを容易かつ確実に形成できる導体
パターン形成方法を提供することをその課題としてい
る。
【００１１】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【００１２】すなわち、本発明により提供される導体パ
ターン形成方法は、有機化合物を主原料とするプリント
配線基板の表面に、金属イオンを保持させる工程と、保
持された金属イオンを、上記プリント配線基板の表面に
還元析出させて触媒化する工程と、を含み、上記金属イ
オンを保持させる工程は、上記プリント配線基板の表面
において、上記有機化合物にカルボキシル基を導入した
後に、当該カルボキシル基から水素イオンを遊離したカ
ルボキシラートイオンに、金属イオンを結合させること
により行われ、上記金属イオンの触媒化は、上記プリン
ト配線基板の表面に対し、形成されるべき配線パターン
に応じてレーザ光を走査させつつ照射することにより行
われることを特徴としている。
ターン形成方法は、有機化合物を主原料とするプリント
配線基板の表面に、金属イオンを保持させる工程と、保
持された金属イオンを、上記プリント配線基板の表面に
還元析出させて触媒化する工程と、を含み、上記金属イ
オンを保持させる工程は、上記プリント配線基板の表面
において、上記有機化合物にカルボキシル基を導入した
後に、当該カルボキシル基から水素イオンを遊離したカ
ルボキシラートイオンに、金属イオンを結合させること
により行われ、上記金属イオンの触媒化は、上記プリン
ト配線基板の表面に対し、形成されるべき配線パターン
に応じてレーザ光を走査させつつ照射することにより行
われることを特徴としている。
【００１３】この方法では、プリント配線基板に金属イ
オンを保持させる方法として、カルボキシラートイオン
を利用している。すなわち、イオン交換反応などを利用
して、カルボキシラートイオンに、金属イオンをイオン
結合または配位結合させて、プリント配線基板に金属イ
オンを保持させている。このような方法で保持された金
属イオンは、静電気的な力により、パラジムコロイドな
どをプリント配線基板に付着させ、コロイド状態で金属
イオンをプリント配線基板に保持させる場合と比較し
て、より強固に保持される。
オンを保持させる方法として、カルボキシラートイオン
を利用している。すなわち、イオン交換反応などを利用
して、カルボキシラートイオンに、金属イオンをイオン
結合または配位結合させて、プリント配線基板に金属イ
オンを保持させている。このような方法で保持された金
属イオンは、静電気的な力により、パラジムコロイドな
どをプリント配線基板に付着させ、コロイド状態で金属
イオンをプリント配線基板に保持させる場合と比較し
て、より強固に保持される。
【００１４】つまり、高分子を構成している側鎖ないし
末端基を酸化することによりカルボキシル基が導入され
ているから、カルボキシル基とプリント配線基板との結
びつきが強いのはいうまでもなく、金属イオンの保持力
は、実質的には、カルボキシラートイオンと金属イオン
との結合力に依存する。この結合力は、通常、イオン結
合または配位結合であり、粒径の大きなコロイドの静電
気的な結合力よりも大きいのは明らかである。このよう
に、カルボキシル基を導入し、これのカルボキシラート
イオンに金属イオンを結合させる保持方法では、基板の
所望の部位に対して、より強固に金属イオンを導入する
ことができる。
末端基を酸化することによりカルボキシル基が導入され
ているから、カルボキシル基とプリント配線基板との結
びつきが強いのはいうまでもなく、金属イオンの保持力
は、実質的には、カルボキシラートイオンと金属イオン
との結合力に依存する。この結合力は、通常、イオン結
合または配位結合であり、粒径の大きなコロイドの静電
気的な結合力よりも大きいのは明らかである。このよう
に、カルボキシル基を導入し、これのカルボキシラート
イオンに金属イオンを結合させる保持方法では、基板の
所望の部位に対して、より強固に金属イオンを導入する
ことができる。
【００１５】また、上記方法では、カルボキシラートイ
オンを利用したイオン交換反応などにより金属イオンを
導入するから、種々の金属イオンを保持させることがで
きる。たとえば、イオン交換反応を利用する場合、カル
ボキシル基の水素イオンとの交換が可能な金属イオンで
あれば、それを保持させることができる。たとえば、銅
イオン、ニッケルイオン、パラジウムイオン、銀イオ
ン、あるいは金イオンなどといった標準電極電位の高い
金属のイオンを保持させることができる。これらの金属
イオンは、遷移金属のイオンであるから、それを還元し
て金属として析出させれば、還元触媒として利用するこ
とができる。したがって、カルボキシラートイオンを利
用したイオン交換反応などにより金属イオンを導入する
方法では、導入できる金属イオンの種類が多いことか
ら、後において行われる無電解メッキの際に還元析出さ
せることができる金属の種類も多くなる。
オンを利用したイオン交換反応などにより金属イオンを
導入するから、種々の金属イオンを保持させることがで
きる。たとえば、イオン交換反応を利用する場合、カル
ボキシル基の水素イオンとの交換が可能な金属イオンで
あれば、それを保持させることができる。たとえば、銅
イオン、ニッケルイオン、パラジウムイオン、銀イオ
ン、あるいは金イオンなどといった標準電極電位の高い
金属のイオンを保持させることができる。これらの金属
イオンは、遷移金属のイオンであるから、それを還元し
て金属として析出させれば、還元触媒として利用するこ
とができる。したがって、カルボキシラートイオンを利
用したイオン交換反応などにより金属イオンを導入する
方法では、導入できる金属イオンの種類が多いことか
ら、後において行われる無電解メッキの際に還元析出さ
せることができる金属の種類も多くなる。
【００１６】上記方法ではさらに、保持された金属イオ
ンが還元されて、プリント配線基板の表面に金属として
析出（触媒化）される。このようにして金属イオンを触
媒化しておけば、後において無電解メッキを施す際に、
その触媒活性を利用することができる。このため、レー
ザ照射による局所的な温度上昇により活性化する方法と
比較すれば、金属イオンを触媒化する工程を含む導体パ
ターン形成方法では、より確実に無電解メッキにより導
体層を形成することができる。
ンが還元されて、プリント配線基板の表面に金属として
析出（触媒化）される。このようにして金属イオンを触
媒化しておけば、後において無電解メッキを施す際に、
その触媒活性を利用することができる。このため、レー
ザ照射による局所的な温度上昇により活性化する方法と
比較すれば、金属イオンを触媒化する工程を含む導体パ
ターン形成方法では、より確実に無電解メッキにより導
体層を形成することができる。
【００１７】ここで、有機化合物へのカルボキシル基の
導入方法としては、たとえば酸化されてカルボキシル基
となる側鎖ないし末端基を有する有機化合物を含む材料
からプリント配線基板を使用するともに、当該有機化合
物の側鎖ないし末端基を酸化する方法が挙げられる。酸
化されてカルボキシル基となる側鎖ないし末端基として
は、第一級アルコール系のもの、アルデヒド基、メチル
基などのアルキル基が挙げられ、有機化合物の多く、と
くに高分子は、このような側鎖ないし末端基を有してい
る。また、プリント配線基板には、一般的に耐熱性が要
求される。このため、有機化合物を含む材料としては、
たとえばエポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、
あるいはポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が有用であ
るが、これらの樹脂を構成する有機化合物も、酸化され
てカルボキシル基となる側鎖ないし末端基を有している
ため、本発明において好適に採用される。
導入方法としては、たとえば酸化されてカルボキシル基
となる側鎖ないし末端基を有する有機化合物を含む材料
からプリント配線基板を使用するともに、当該有機化合
物の側鎖ないし末端基を酸化する方法が挙げられる。酸
化されてカルボキシル基となる側鎖ないし末端基として
は、第一級アルコール系のもの、アルデヒド基、メチル
基などのアルキル基が挙げられ、有機化合物の多く、と
くに高分子は、このような側鎖ないし末端基を有してい
る。また、プリント配線基板には、一般的に耐熱性が要
求される。このため、有機化合物を含む材料としては、
たとえばエポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、
あるいはポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が有用であ
るが、これらの樹脂を構成する有機化合物も、酸化され
てカルボキシル基となる側鎖ないし末端基を有している
ため、本発明において好適に採用される。
【００１８】そして、有機化合物の側鎖ないし末端基の
酸化は、たとえば酸化剤を含んだ溶液をプリント配線基
板に塗布し、あるいは当該溶液中にプリント配線基板を
浸漬させることにより行われる。酸化剤としては、マン
ガン化合物、クロム化合物、鉛化合物、あるいは過酸化
物などが挙げられる。
酸化は、たとえば酸化剤を含んだ溶液をプリント配線基
板に塗布し、あるいは当該溶液中にプリント配線基板を
浸漬させることにより行われる。酸化剤としては、マン
ガン化合物、クロム化合物、鉛化合物、あるいは過酸化
物などが挙げられる。
【００１９】プリント配線基板に保持された金属イオン
の触媒化（還元）は、プリント配線基板の表面に対し、
形成されるべき配線パターンに応じてレーザ光を走査さ
せつつ照射することにより行う。
の触媒化（還元）は、プリント配線基板の表面に対し、
形成されるべき配線パターンに応じてレーザ光を走査さ
せつつ照射することにより行う。
【００２０】すなわち、レーザでは、その特性である収
束性の高さから、レーザ光の照射スポットを絞り込むこ
とができるため、レーザを利用すれば、プリント配線基
板における金属イオンを触媒化する領域の幅を細くする
ことができるため、導体パターンのファインピッチを達
成できる。
束性の高さから、レーザ光の照射スポットを絞り込むこ
とができるため、レーザを利用すれば、プリント配線基
板における金属イオンを触媒化する領域の幅を細くする
ことができるため、導体パターンのファインピッチを達
成できる。
【００２１】ここで、レーザとしては、エキシマレーザ
やアルゴンレーザなどの公知の種々のレーザを使用する
ことができる。そして、公知のレーザから、還元される
金属イオンの種類により、所望とする波長のレーザ光を
発振できるレーザを選択して使用すればよい。
やアルゴンレーザなどの公知の種々のレーザを使用する
ことができる。そして、公知のレーザから、還元される
金属イオンの種類により、所望とする波長のレーザ光を
発振できるレーザを選択して使用すればよい。
【００２２】本発明のその他の特徴および利点は、添付
図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明
らかとなろう。
図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明
らかとなろう。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面を参照して具体的に説明する。
態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００２４】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る導体
パターン形成方法の実施形態の各工程を表す 模式図であ
る。本実施形態では、酸化されてカルボキシル基となる
側鎖ないし末端基を有する有機化合物を主原料とする基
板の表面に、導体パターンを形成する場合について説明
する。
パターン形成方法の実施形態の各工程を表す 模式図であ
る。本実施形態では、酸化されてカルボキシル基となる
側鎖ないし末端基を有する有機化合物を主原料とする基
板の表面に、導体パターンを形成する場合について説明
する。
【００２５】本発明の実施形態の導体パターン形成方法
は、基板の前処理、基板の酸化処理、イオン交換処理、
触媒化処理、洗浄処理、および無電解メッキ処理からな
る。
は、基板の前処理、基板の酸化処理、イオン交換処理、
触媒化処理、洗浄処理、および無電解メッキ処理からな
る。
【００２６】基板の前処理においては、たとえば水洗、
表面粗化、および表面洗浄などが行われる。表面粗化
は、後に行われる触媒化処理や無電解メッキ処理におい
て析出される金属の、基板に対する密着性を高めるため
の処理であり、たとえばウエットエッチングなどの化学
的手法やブラストなどを利用した機械的手法により行わ
れる。表面洗浄は、基板の表面に付着しているホコリや
油脂性の汚れを除去するための処理であり、たとえば有
機溶媒、酸性あるいはアルカリ性の脱脂剤を利用して行
われる。
表面粗化、および表面洗浄などが行われる。表面粗化
は、後に行われる触媒化処理や無電解メッキ処理におい
て析出される金属の、基板に対する密着性を高めるため
の処理であり、たとえばウエットエッチングなどの化学
的手法やブラストなどを利用した機械的手法により行わ
れる。表面洗浄は、基板の表面に付着しているホコリや
油脂性の汚れを除去するための処理であり、たとえば有
機溶媒、酸性あるいはアルカリ性の脱脂剤を利用して行
われる。
【００２７】次いで、基板を水洗した後に酸化処理を行
って、図１（ａ）に示すように基板１を構成する有機化
合物にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を導入する。この
酸化処理は、過マンガン酸塩やクロム酸塩などの酸化剤
を含む溶液を調整し、この溶液を基板１の表面に塗布す
ることにより、あるいは当該溶液中に基板１を浸漬する
ことにより行われる。そうすると、基板１を構成する有
機化合物の側鎖ないし末端基のうち、メチル基、アルデ
ヒド基、あるいは第一級アルコールなどといった部分が
酸化されてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）となる。
って、図１（ａ）に示すように基板１を構成する有機化
合物にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を導入する。この
酸化処理は、過マンガン酸塩やクロム酸塩などの酸化剤
を含む溶液を調整し、この溶液を基板１の表面に塗布す
ることにより、あるいは当該溶液中に基板１を浸漬する
ことにより行われる。そうすると、基板１を構成する有
機化合物の側鎖ないし末端基のうち、メチル基、アルデ
ヒド基、あるいは第一級アルコールなどといった部分が
酸化されてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）となる。
【００２８】さらに、基板１を水洗した後にイオン交換
処理を行って、図１（ｂ）に示すように基板１に金属イ
オン（Ｍ + ）を保持させる。なお、図１（ｂ）では、一
価の金属イオンを例にして示している。このイオン交換
処理は、たとえば水素よりも標準電極電位の大きな遷移
金属のイオンを含む溶液を調整し、この溶液を基板１に
塗布することにより、あるいは当該溶液中に基板１を浸
漬することにより行われる。そうすると、カルボキシル
基（−ＣＯＯＨ）から水素イオン（Ｈ + ）が遊離したカ
ルボキシラートイオン（−ＣＯＯ - ）に金属イオン（Ｍ
+ ）が結合し、有機化合物の側鎖ないし末端基の一部と
して、基板１の表面に金属イオン（Ｍ + ）が保持され
る。
処理を行って、図１（ｂ）に示すように基板１に金属イ
オン（Ｍ + ）を保持させる。なお、図１（ｂ）では、一
価の金属イオンを例にして示している。このイオン交換
処理は、たとえば水素よりも標準電極電位の大きな遷移
金属のイオンを含む溶液を調整し、この溶液を基板１に
塗布することにより、あるいは当該溶液中に基板１を浸
漬することにより行われる。そうすると、カルボキシル
基（−ＣＯＯＨ）から水素イオン（Ｈ + ）が遊離したカ
ルボキシラートイオン（−ＣＯＯ - ）に金属イオン（Ｍ
+ ）が結合し、有機化合物の側鎖ないし末端基の一部と
して、基板１の表面に金属イオン（Ｍ + ）が保持され
る。
【００２９】次いで、基板１を水洗した後に触媒化処理
を行って、カルボキシラートイオン（−ＣＯＯ - ）に結
合した金属イオン（Ｍ + ）を触媒化する。この触媒化処
理は、形成すべきパターンに応じて、エキシマレーザ２
などのレーザ光を走査させつつ基板１に照射することに
より行われる。そうすると、図１（ｃ）に示すように基
板１におけるレーザ光が照射された部分の金属イオン
（Ｍ + ）のみが選択的に還元されて析出し、後に行われ
る無電解メッキ処理において成長の核となる触媒核３が
パターン形成される。
を行って、カルボキシラートイオン（−ＣＯＯ - ）に結
合した金属イオン（Ｍ + ）を触媒化する。この触媒化処
理は、形成すべきパターンに応じて、エキシマレーザ２
などのレーザ光を走査させつつ基板１に照射することに
より行われる。そうすると、図１（ｃ）に示すように基
板１におけるレーザ光が照射された部分の金属イオン
（Ｍ + ）のみが選択的に還元されて析出し、後に行われ
る無電解メッキ処理において成長の核となる触媒核３が
パターン形成される。
【００３０】さらに、基板１を水洗した後に洗浄処理を
行って、レーザ光が照射されずに還元されなかった金属
イオン（Ｍ + ）を除去し、また残存するカルボキシル基
（−ＣＯＯＨ）を還元除去する。この洗浄処理では、硝
酸水溶液により金属イオン（Ｍ + ）の除去が行われ、過
酸化水素水によりカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）の還元
が行われる。
行って、レーザ光が照射されずに還元されなかった金属
イオン（Ｍ + ）を除去し、また残存するカルボキシル基
（−ＣＯＯＨ）を還元除去する。この洗浄処理では、硝
酸水溶液により金属イオン（Ｍ + ）の除去が行われ、過
酸化水素水によりカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）の還元
が行われる。
【００３１】次いで、基板１を水洗した後に無電解メッ
キ処理を行って、図１（ｄ）に示すように触媒核３の部
分に導体層４を形成させる。この無電解メッキ処理は、
金属イオンおよび還元剤を少なくとも含み、必要に応じ
て錯化剤、ｐＨ調整剤その他の添加剤を含んだメッキ液
を調整し、このメッキ液を基板１の表面に塗布すること
により、あるいはメッキ液中に基板１を浸漬することに
より行われる。そうすると、メッキ液中の還元剤および
基板１の表面の触媒核３の作用により、金属イオンが還
元されて触媒核３の部分に対して選択的に導体層４が形
成される。このようにして、基板１における所望の部位
のみに選択的に無電解 メッキが施され、導体パターンが
形成される。
キ処理を行って、図１（ｄ）に示すように触媒核３の部
分に導体層４を形成させる。この無電解メッキ処理は、
金属イオンおよび還元剤を少なくとも含み、必要に応じ
て錯化剤、ｐＨ調整剤その他の添加剤を含んだメッキ液
を調整し、このメッキ液を基板１の表面に塗布すること
により、あるいはメッキ液中に基板１を浸漬することに
より行われる。そうすると、メッキ液中の還元剤および
基板１の表面の触媒核３の作用により、金属イオンが還
元されて触媒核３の部分に対して選択的に導体層４が形
成される。このようにして、基板１における所望の部位
のみに選択的に無電解 メッキが施され、導体パターンが
形成される。
【００３２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明では、所
定のプリント配線基板に対して、ファインピッチ化され
たパターンを容易かつ確実に形成できる。
定のプリント配線基板に対して、ファインピッチ化され
たパターンを容易かつ確実に形成できる。
【図１】本発明に係る導体パターン形成方法の実施形態
の各工程を表す模式図である。
の各工程を表す模式図である。
１ 基板
２ レーザ
３ 触媒核
４ 導体層
Ｍ+ 金属イオン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−304693（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−247376（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−297471（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−257479（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−64882（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−306855（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−272980（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−253869（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−209354（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−202483（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−231474（ＪＰ，Ａ)
特公 平６−96771（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/20 - 18/30
Claims (2)
- 【請求項１】 有機化合物を主原料とするプリント配線
基板の表面に、金属イオンを保持させる工程と、保持さ
れた金属イオンを、上記プリント配線基板の表面に還元
析出させて触媒化する工程と、を含む導体パターン形成
方法であって、 上記金属イオンを保持させる工程は、上記プリント配線
基板の表面において、上記有機化合物にカルボキシル基
を導入した後に、当該カルボキシル基から水素イオンを
遊離したカルボキシラートイオンに、金属イオンを結合
させることにより行われ、上記金属イオンの触媒化は、
上記プリント配線基板の表面に対し、形成されるべき配
線パターンに応じてレーザ光を走査させつつ照射するこ
とにより行われることを特徴とする、導体パターン形成
方法。 - 【請求項２】 上記有機化合物は、酸化されてカルボキ
シル基となる側鎖ないし末端基を有しているとともに、
当該有機化合物へのカルボキシル基の導入は、その側鎖
ないし末端基を酸化することにより行われる、請求項１
に記載の導体パターン形成方法。
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