JP3534337B2 - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JP3534337B2 JP3534337B2 JP02103499A JP2103499A JP3534337B2 JP 3534337 B2 JP3534337 B2 JP 3534337B2 JP 02103499 A JP02103499 A JP 02103499A JP 2103499 A JP2103499 A JP 2103499A JP 3534337 B2 JP3534337 B2 JP 3534337B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、半導体装置としての人工衛星搭載用
太陽電池セルの電極形成方法に関するものである。
方法に関し、特に、半導体装置としての人工衛星搭載用
太陽電池セルの電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池セルにおける従来の製造方法を
図１１、図１２に示す。太陽電池セルの構造は種類によ
り異なるが、ここではＰ型シリコン基板を使用した太陽
電池セルを例に採り説明する。
図１１、図１２に示す。太陽電池セルの構造は種類によ
り異なるが、ここではＰ型シリコン基板を使用した太陽
電池セルを例に採り説明する。
【０００３】まず、Ｐ型シリコン基板１にＰ／Ｎ接合を
形成するためにリンなどのN型不純物を拡散（Ａ）した
後、片側の拡散層６をエッチング等の方法により取り除
く（Ｂ）。次に、受光面側にフォトレジスト４を使用し
て電極のパターンを形成（図Ｃ）した後、電極材料７を
蒸着する（Ｄ）。その後、フォトレジスト４を剥離（リ
フトオフ）することにより、フォトレジスト上部に付着
している不要な電極材料７を取り除く（Ｅ）。次いで、
裏面側には裏面電極８を全面に蒸着（Ｆ）し、受光面側
には反射防止膜９を蒸着（Ｇ）した後、所定の寸法に切
り出すこと（ダイシング）により、太陽電池セルが完成
する（Ｈ）。
形成するためにリンなどのN型不純物を拡散（Ａ）した
後、片側の拡散層６をエッチング等の方法により取り除
く（Ｂ）。次に、受光面側にフォトレジスト４を使用し
て電極のパターンを形成（図Ｃ）した後、電極材料７を
蒸着する（Ｄ）。その後、フォトレジスト４を剥離（リ
フトオフ）することにより、フォトレジスト上部に付着
している不要な電極材料７を取り除く（Ｅ）。次いで、
裏面側には裏面電極８を全面に蒸着（Ｆ）し、受光面側
には反射防止膜９を蒸着（Ｇ）した後、所定の寸法に切
り出すこと（ダイシング）により、太陽電池セルが完成
する（Ｈ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、変換効率の
高い太陽電池セルを作るためには、受光面側電極７の電
気抵抗を減らす必要がある。通常の太陽電池セルでは、
５〜１０μｍ程度の厚さの電極材料を蒸着している。こ
の場合、配線パターン形成用のフォトレジスト４は少な
くとも蒸着する電極厚さよりも厚くする必要があり、リ
フトオフを容易にするためには、１．５〜２倍程度のレ
ジスト厚さが必要になるが、レジストが厚くなると微細
なパターンを形成することが困難になる。また、レジス
トが十分な厚みを持っていても、パターン形状が図１３
の様な断面形状になれば電極７蒸着後の断面が図１４の
様な段差部でもつながった形状になるため、リフトオフ
が容易にできなくなる。このため、レジストの断面形状
は垂直又は逆テーパー状が望ましいが、１０μｍ以上の
厚さのレジストで垂直又は逆テーパー状に形成するのは
非常に困難である。従来の技術では、レジストのベーク
によるシュリンクを利用して、図１５の様な形状を形成
しているが、この形状にするためには、フォトレジスト
４に対する露光、現像、ベーク等の条件を非常に狭い範
囲で管理する必要があった。
高い太陽電池セルを作るためには、受光面側電極７の電
気抵抗を減らす必要がある。通常の太陽電池セルでは、
５〜１０μｍ程度の厚さの電極材料を蒸着している。こ
の場合、配線パターン形成用のフォトレジスト４は少な
くとも蒸着する電極厚さよりも厚くする必要があり、リ
フトオフを容易にするためには、１．５〜２倍程度のレ
ジスト厚さが必要になるが、レジストが厚くなると微細
なパターンを形成することが困難になる。また、レジス
トが十分な厚みを持っていても、パターン形状が図１３
の様な断面形状になれば電極７蒸着後の断面が図１４の
様な段差部でもつながった形状になるため、リフトオフ
が容易にできなくなる。このため、レジストの断面形状
は垂直又は逆テーパー状が望ましいが、１０μｍ以上の
厚さのレジストで垂直又は逆テーパー状に形成するのは
非常に困難である。従来の技術では、レジストのベーク
によるシュリンクを利用して、図１５の様な形状を形成
しているが、この形状にするためには、フォトレジスト
４に対する露光、現像、ベーク等の条件を非常に狭い範
囲で管理する必要があった。
【０００５】また、蒸着で下地となる電極を形成し、そ
の後メッキにより電極を厚くする場合には、リフトオフ
の容易性は問題無いが、図１６の様に電極の厚さ方向の
みならず横方向に線幅が広がってしまうため、太陽電池
セルの受光面積を少なくしてしまい、セルの出力を低下
させることになってしまう。このため、電極を横方向に
太らせないようにするには、リフトオフ後にもう一度パ
ターンを形成する必要がある。また、図１１の（Ｄ）の
様に蒸着後の余分な電極がついたままの状態でメッキを
行なうと、余分な電極部分と配線パターン部分がつなが
ってしまい、リフトオフができなくなる。 配線パターンを残したまま、余分な電極のみを取り除き
メッキを行なう方法として、特開平２−１２３７３７号
で開示されている方法がある。この方法を簡単に説明す
ると、ＳｉＮ層を形成した後レジストで配線パターンを
形成し、レジスト開口部よりＳｉＮ層をエッチングす
る。次に下地となる電極を形成したあと、レジストを除
去（リフトオフ）することにより余分な電極を取り除
く。その後メッキを行いメッキ層を形成した後、ＳｉＮ
層をエッチングすることにより、下地となる電極とほぼ
同じ厚さの電極をメッキで形成することができるという
ものである。しかし、この方法ではＳｉＮ層の膜厚を厚
くすると基板へのストレスが非常に大きくなるため、Ｓ
ｉＮ層は厚くしても１μｍ程度しか形成できない。従っ
て、厚み１μｍ以上の電極をメッキで形成しようとする
と、ＳｉＮ層より厚くなり、このＳｉＮ層より厚くした
量に比例して下地の電極より幅が広がってしまう。例え
ば、ＳｉＮ層の厚さ１μｍで、厚み５μｍの電極を形成
する場合には、ＳｉＮ層より４μｍ厚く電極がはみ出す
ことになり、図１６類似の様になって電極の幅がはみ出
した両側に約４μｍ、すなわち、所定の配線パターン幅
より８μｍ程度広がってしまうことになる。
の後メッキにより電極を厚くする場合には、リフトオフ
の容易性は問題無いが、図１６の様に電極の厚さ方向の
みならず横方向に線幅が広がってしまうため、太陽電池
セルの受光面積を少なくしてしまい、セルの出力を低下
させることになってしまう。このため、電極を横方向に
太らせないようにするには、リフトオフ後にもう一度パ
ターンを形成する必要がある。また、図１１の（Ｄ）の
様に蒸着後の余分な電極がついたままの状態でメッキを
行なうと、余分な電極部分と配線パターン部分がつなが
ってしまい、リフトオフができなくなる。 配線パターンを残したまま、余分な電極のみを取り除き
メッキを行なう方法として、特開平２−１２３７３７号
で開示されている方法がある。この方法を簡単に説明す
ると、ＳｉＮ層を形成した後レジストで配線パターンを
形成し、レジスト開口部よりＳｉＮ層をエッチングす
る。次に下地となる電極を形成したあと、レジストを除
去（リフトオフ）することにより余分な電極を取り除
く。その後メッキを行いメッキ層を形成した後、ＳｉＮ
層をエッチングすることにより、下地となる電極とほぼ
同じ厚さの電極をメッキで形成することができるという
ものである。しかし、この方法ではＳｉＮ層の膜厚を厚
くすると基板へのストレスが非常に大きくなるため、Ｓ
ｉＮ層は厚くしても１μｍ程度しか形成できない。従っ
て、厚み１μｍ以上の電極をメッキで形成しようとする
と、ＳｉＮ層より厚くなり、このＳｉＮ層より厚くした
量に比例して下地の電極より幅が広がってしまう。例え
ば、ＳｉＮ層の厚さ１μｍで、厚み５μｍの電極を形成
する場合には、ＳｉＮ層より４μｍ厚く電極がはみ出す
ことになり、図１６類似の様になって電極の幅がはみ出
した両側に約４μｍ、すなわち、所定の配線パターン幅
より８μｍ程度広がってしまうことになる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の本発明では、半導体装置表面に下
地となる電極を例えば蒸着により形成した後、その上に
メッキを行い所望の電極を形成する際に、下地となる電
極を形成するための配線用パターン例えばフォトレジス
トのパターンを残したまま、該配線用パターン部以外に
余分に形成された下地電極のみを取り除いた後メッキを
行なうことにしている。
に、請求項１に記載の本発明では、半導体装置表面に下
地となる電極を例えば蒸着により形成した後、その上に
メッキを行い所望の電極を形成する際に、下地となる電
極を形成するための配線用パターン例えばフォトレジス
トのパターンを残したまま、該配線用パターン部以外に
余分に形成された下地電極のみを取り除いた後メッキを
行なうことにしている。
【０００７】請求項１に記載の発明によれば、半導体装
置として例えば太陽電池では、太陽電池セルの受光面積
を減らすことなく電極を所望通りに厚くして電気抵抗を
少なくし、変換効率を改善するとともに、従来の方法で
製造した場合と同程度のコストで製造することができ
る。
置として例えば太陽電池では、太陽電池セルの受光面積
を減らすことなく電極を所望通りに厚くして電気抵抗を
少なくし、変換効率を改善するとともに、従来の方法で
製造した場合と同程度のコストで製造することができ
る。
【０００８】さらに、請求項２に記載の発明によれば、
例えば蒸着により下地となる電極を形成する際にできた
パターン部以外の余分な下地電極を、例えばフォトレジ
ストの様な電極パターン形成材上から粘着テープ等によ
り除去することとしているので、極めて簡単な工程で所
望の電極を形成することができる。
例えば蒸着により下地となる電極を形成する際にできた
パターン部以外の余分な下地電極を、例えばフォトレジ
ストの様な電極パターン形成材上から粘着テープ等によ
り除去することとしているので、極めて簡単な工程で所
望の電極を形成することができる。
【０００９】また、請求項３に記載の発明によれば、下
地となる電極を形成するための配線用パターンが２層以
上の膜で構成されており、下地となる電極を形成した
後、上部１層以上の配線用パターン膜を除去することに
より、パターン部以外の余分な下地電極を除去すること
としているので、やはり、簡単な工程で所望の電極を形
成することができる。
地となる電極を形成するための配線用パターンが２層以
上の膜で構成されており、下地となる電極を形成した
後、上部１層以上の配線用パターン膜を除去することに
より、パターン部以外の余分な下地電極を除去すること
としているので、やはり、簡単な工程で所望の電極を形
成することができる。
【００１０】さらに、請求項３に記載の発明によれば、
下地となる電極を形成するための配線用パターンが２層
の膜で構成されており、上層膜がフォトレジスト、下層
膜が該フォトレジストの現像液によりエッチングできる
材質で形成することにしているので、簡単に電極パター
ンを形成することができる。
下地となる電極を形成するための配線用パターンが２層
の膜で構成されており、上層膜がフォトレジスト、下層
膜が該フォトレジストの現像液によりエッチングできる
材質で形成することにしているので、簡単に電極パター
ンを形成することができる。
【００１１】また、請求項４に記載の発明によれば、下
地となる電極を形成するための配線用パターンの上層膜
にポジ型のフォトレジスト、下層膜にポリイミド樹脂を
使用することとしているので、ありふれた材料を用い、
極めて簡単に電極パターンを形成することができる
地となる電極を形成するための配線用パターンの上層膜
にポジ型のフォトレジスト、下層膜にポリイミド樹脂を
使用することとしているので、ありふれた材料を用い、
極めて簡単に電極パターンを形成することができる
【００１２】さらに、請求項５に記載の発明によれば、
配線用パターンが特性の違う２種類以上のフォトレジス
ト膜で形成されることにしているので、やはり、簡単な
工程で電極パターンを形成することができる
配線用パターンが特性の違う２種類以上のフォトレジス
ト膜で形成されることにしているので、やはり、簡単な
工程で電極パターンを形成することができる
【００１３】また、請求項６に記載の発明によれば、特
性の違う２種類以上のフォトレジスト膜はいずれもネガ
型のフォトレジストであって、上層側となる膜は下層側
となる膜よりも溶剤に対する溶解度が低いフォトレジス
ト膜で形成することにしているので、さらに、簡単な工
程で電極パターンを形成することができる。
性の違う２種類以上のフォトレジスト膜はいずれもネガ
型のフォトレジストであって、上層側となる膜は下層側
となる膜よりも溶剤に対する溶解度が低いフォトレジス
ト膜で形成することにしているので、さらに、簡単な工
程で電極パターンを形成することができる。
【００１４】なお、上記で説明した半導体装置の電極形
成方法を用いて太陽電池セルを作成することにしている
ので、受光面側の電極の幅を広げることなく、該電極を
所望通りに厚くし、電極の電気抵抗を減らすことにより
特性が改善された太陽電池セルを、従来の方法で製造し
た場合と同程度に安価に提供することができる。
成方法を用いて太陽電池セルを作成することにしている
ので、受光面側の電極の幅を広げることなく、該電極を
所望通りに厚くし、電極の電気抵抗を減らすことにより
特性が改善された太陽電池セルを、従来の方法で製造し
た場合と同程度に安価に提供することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて説明するが、図面は、必要に応じて参照する。
いて説明するが、図面は、必要に応じて参照する。
【００１６】太陽電池セル製造の場合、まず、半導体装
置表面に電極用のパターンをフォトレジストにより形成
するが、パターン形成の方法は従来と同じく、フォトレ
ジストを表面全面にスピンコート法により所望の厚さに
塗布した後、オーブンによりベークする。次いで、所定
形状の電極パターンのガラスマスクを使用して露光を行
った後、現像しポストベークを行なうと、所定形状のレ
ジストパターン４が半導体装置（ウェーハ）１上に形成
される（図１参照）。次に、下地となる電極２を蒸着に
より形成する。蒸着の終ったウェーハ１上にはその上に
残っているレジスト４上にも余分な電極材２１が蒸着さ
れているので、本発明を使用し、この余分な電極２１を
取り除く。
置表面に電極用のパターンをフォトレジストにより形成
するが、パターン形成の方法は従来と同じく、フォトレ
ジストを表面全面にスピンコート法により所望の厚さに
塗布した後、オーブンによりベークする。次いで、所定
形状の電極パターンのガラスマスクを使用して露光を行
った後、現像しポストベークを行なうと、所定形状のレ
ジストパターン４が半導体装置（ウェーハ）１上に形成
される（図１参照）。次に、下地となる電極２を蒸着に
より形成する。蒸着の終ったウェーハ１上にはその上に
残っているレジスト４上にも余分な電極材２１が蒸着さ
れているので、本発明を使用し、この余分な電極２１を
取り除く。
【００１７】この取り除き方法は、例えば粘着テープ３
を図１の様にウェーハに貼りつけた後、このテープ３を
剥がすことにより図２の様に余分な電極２１のみを取り
除く事ができる。余分な電極２１を取り除いたウェーハ
をメッキ１０すると、図３の様な形状となり、メッキ後
にレジスト４をアセトン等の溶剤により剥離することで
図４の様な形状の太陽電池セル（ウェーハ１）表面電極
を形成することができる。すなわち、本発明では従来の
ようにリフトオフ後にメッキを行うのではなく、レジス
ト４上から余分な下地電極材２１を取り除いてレジスト
４をウェーハ１上に残したままでウェーハ１上の下地電
極２にメッキを行うので、メッキ電極が横方向に広がる
ことなく、レジストパターンで規制された所望厚さの表
面電極を得ることができる。
を図１の様にウェーハに貼りつけた後、このテープ３を
剥がすことにより図２の様に余分な電極２１のみを取り
除く事ができる。余分な電極２１を取り除いたウェーハ
をメッキ１０すると、図３の様な形状となり、メッキ後
にレジスト４をアセトン等の溶剤により剥離することで
図４の様な形状の太陽電池セル（ウェーハ１）表面電極
を形成することができる。すなわち、本発明では従来の
ようにリフトオフ後にメッキを行うのではなく、レジス
ト４上から余分な下地電極材２１を取り除いてレジスト
４をウェーハ１上に残したままでウェーハ１上の下地電
極２にメッキを行うので、メッキ電極が横方向に広がる
ことなく、レジストパターンで規制された所望厚さの表
面電極を得ることができる。
【００１８】また、別の方法では、２層以上の電極用パ
ターンをウェーハ１上に形成した後、下地となる電極を
形成し、上部１層以上のパターンを除去することにより
余分な電極を取り除く方法がある。例えば、下層にポジ
型レジストの現像液によりエッチングすることができる
ポリイミド樹脂、上層にポジ型レジストを使用して電極
用パターンを形成すればよい。この方法は、まず、ウェ
ーハ１にポリイミド樹脂５をスピンコート法により塗布
し、ベークする。その上にポジ型のフォトレジスト４を
同様にスピンコート塗布しベークする。そして、所定の
電極パターンのガラスマスクを使用して露光を行った
後、現像すると下層のポリイミド樹脂も現像液により同
時にエッチングされるので、その後ポストベークを行な
うことにより図５の様なパターンがウェーハ１上に形成
される。次に、下地となる電極２を蒸着により形成す
る。蒸着の終ったウェーハ１をアセトン等の溶剤に浸
け、上層のフォトレジスト４を溶かすことにより、この
フォトレジスト４と共に余分な電極を取り除く。そし
て、このウェーハをメッキ１０すると、図６の様な形状
となる。メッキ後にポリイミド膜５をフォトレジストの
現増液等で剥離することにより、図４の様な形状の所望
の電極を形成することができる。
ターンをウェーハ１上に形成した後、下地となる電極を
形成し、上部１層以上のパターンを除去することにより
余分な電極を取り除く方法がある。例えば、下層にポジ
型レジストの現像液によりエッチングすることができる
ポリイミド樹脂、上層にポジ型レジストを使用して電極
用パターンを形成すればよい。この方法は、まず、ウェ
ーハ１にポリイミド樹脂５をスピンコート法により塗布
し、ベークする。その上にポジ型のフォトレジスト４を
同様にスピンコート塗布しベークする。そして、所定の
電極パターンのガラスマスクを使用して露光を行った
後、現像すると下層のポリイミド樹脂も現像液により同
時にエッチングされるので、その後ポストベークを行な
うことにより図５の様なパターンがウェーハ１上に形成
される。次に、下地となる電極２を蒸着により形成す
る。蒸着の終ったウェーハ１をアセトン等の溶剤に浸
け、上層のフォトレジスト４を溶かすことにより、この
フォトレジスト４と共に余分な電極を取り除く。そし
て、このウェーハをメッキ１０すると、図６の様な形状
となる。メッキ後にポリイミド膜５をフォトレジストの
現増液等で剥離することにより、図４の様な形状の所望
の電極を形成することができる。
【００１９】第３の方法として、特性の違う２種類のフ
ォトレジストを使用する場合には、まず、ウェーハ１に
ネガ型のフォトレジスト１１をスピンコート塗布しベー
クする。次に、最初に塗布したフォトレジスト１１より
溶剤に対する溶解度が低いフォトレジスト１２をスピン
コート塗布しベークする。そして、所定の電極パターン
のガラスマスクを使用して露光及び現像を行った後、溶
剤を作用させると下層のフォトレジスト１１の方が溶け
やすいので、図７の様な形状になる。なお、この方法で
溶剤が現像液である場合には、ポジ型のフォトレジスト
であってもよい。次いで、このウェーハをポストベーク
した後、下地となる電極２を蒸着により形成し、上層部
のフォトレジスト１２のみを剥離すると、図８の様な形
状になる。そして、このウェーハをメッキ１０すると、
図９の様な形状となり、メッキ後に残りのフォトレジス
ト１１を剥離することにより図１０の様な形状の、下地
電極より僅かに幅広の電極を形成することができる。
ォトレジストを使用する場合には、まず、ウェーハ１に
ネガ型のフォトレジスト１１をスピンコート塗布しベー
クする。次に、最初に塗布したフォトレジスト１１より
溶剤に対する溶解度が低いフォトレジスト１２をスピン
コート塗布しベークする。そして、所定の電極パターン
のガラスマスクを使用して露光及び現像を行った後、溶
剤を作用させると下層のフォトレジスト１１の方が溶け
やすいので、図７の様な形状になる。なお、この方法で
溶剤が現像液である場合には、ポジ型のフォトレジスト
であってもよい。次いで、このウェーハをポストベーク
した後、下地となる電極２を蒸着により形成し、上層部
のフォトレジスト１２のみを剥離すると、図８の様な形
状になる。そして、このウェーハをメッキ１０すると、
図９の様な形状となり、メッキ後に残りのフォトレジス
ト１１を剥離することにより図１０の様な形状の、下地
電極より僅かに幅広の電極を形成することができる。
【００２０】上記本発明の実施の形態により、従来の方
法で製造した場合と同程度のコストで従来の太陽電池セ
ルより、受光面側の電極の幅を広げることなく、該電極
を所望通りに厚くし、電極の電気抵抗を減らすことによ
り特性が改善された変換効率の高い太陽電池セルを製造
することができる。
法で製造した場合と同程度のコストで従来の太陽電池セ
ルより、受光面側の電極の幅を広げることなく、該電極
を所望通りに厚くし、電極の電気抵抗を減らすことによ
り特性が改善された変換効率の高い太陽電池セルを製造
することができる。
【００２１】また、本発明は太陽電池セル以外の半導体
装置でも、例えばプレーナ型パワーレギュレータＩＣ等
においても、その表面配線電極等の形成に使用すること
ができることは言うまでもない。
装置でも、例えばプレーナ型パワーレギュレータＩＣ等
においても、その表面配線電極等の形成に使用すること
ができることは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、半導体装置として例えば太陽電池セルの表面電
極の製造では、下地となる電極を形成するための配線用
パターン材例えばフォトレジストの厚みを自由に設計
し、そのパターンを残したまま該配線用パターン部以外
に余分に形成された下地電極のみを取り除いた後、メッ
キを行って所望の電極を形成しているので、太陽電池セ
ルの受光面積を減らすことなく電極を所望通りに厚くし
て電気抵抗を少なくし、変換効率を改善するとともに、
従来の方法で製造した場合と同程度のコストで製造する
ことができる。
よれば、半導体装置として例えば太陽電池セルの表面電
極の製造では、下地となる電極を形成するための配線用
パターン材例えばフォトレジストの厚みを自由に設計
し、そのパターンを残したまま該配線用パターン部以外
に余分に形成された下地電極のみを取り除いた後、メッ
キを行って所望の電極を形成しているので、太陽電池セ
ルの受光面積を減らすことなく電極を所望通りに厚くし
て電気抵抗を少なくし、変換効率を改善するとともに、
従来の方法で製造した場合と同程度のコストで製造する
ことができる。
【００２３】さらに、請求項２に記載の発明によれば、
例えば蒸着により下地となる電極を形成する際にできた
パターン部以外の余分な下地電極を、例えばフォトレジ
ストの様な電極パターン形成材上から粘着テープ等によ
り除去することとしているので、極めて簡単な工程で所
望の電極を形成することができる。
例えば蒸着により下地となる電極を形成する際にできた
パターン部以外の余分な下地電極を、例えばフォトレジ
ストの様な電極パターン形成材上から粘着テープ等によ
り除去することとしているので、極めて簡単な工程で所
望の電極を形成することができる。
【００２４】また、請求項３に記載の発明によれば、下
地となる電極を形成するための配線用パターンが２層以
上の膜で構成されており、下地となる電極を形成した
後、上部１層以上の配線用パターン膜を除去することに
より、パターン部以外の余分な下地電極を除去すること
としているので、やはり、簡単な工程で所望の電極を形
成することができる。
地となる電極を形成するための配線用パターンが２層以
上の膜で構成されており、下地となる電極を形成した
後、上部１層以上の配線用パターン膜を除去することに
より、パターン部以外の余分な下地電極を除去すること
としているので、やはり、簡単な工程で所望の電極を形
成することができる。
【００２５】さらに、請求項４に記載の発明によれば、
下地となる電極を形成するための配線用パターンが２層
の膜で構成されており、上層膜がフォトレジスト、下層
膜が該フォトレジストの現像液によりエッチングできる
材質で形成することにしているので、簡単に電極パター
ンを形成することができる。
下地となる電極を形成するための配線用パターンが２層
の膜で構成されており、上層膜がフォトレジスト、下層
膜が該フォトレジストの現像液によりエッチングできる
材質で形成することにしているので、簡単に電極パター
ンを形成することができる。
【００２６】また、請求項５に記載の発明によれば、下
地となる電極を形成するための配線用パターンの上層膜
にポジ型のフォトレジスト、下層膜にポリイミド樹脂を
使用することとしているので、ありふれた材料を用い、
極めて簡単に電極パターンを形成することができる。
地となる電極を形成するための配線用パターンの上層膜
にポジ型のフォトレジスト、下層膜にポリイミド樹脂を
使用することとしているので、ありふれた材料を用い、
極めて簡単に電極パターンを形成することができる。
【００２７】さらに、請求項６に記載の発明によれば、
配線用パターンが特性の違う２種類以上のフォトレジス
ト膜で形成されることにしているので、やはり、簡単な
工程で電極パターンを形成することができる。
配線用パターンが特性の違う２種類以上のフォトレジス
ト膜で形成されることにしているので、やはり、簡単な
工程で電極パターンを形成することができる。
【００２８】また、請求項７に記載の発明によれば、特
性の違う２種類以上のフォトレジスト膜はいずれもネガ
型のフォトレジストであって、上層側となる膜は下層側
となる膜よりも溶剤に対する溶解度が低いフォトレジス
ト膜で形成することにしているので、さらに、簡単な工
程で電極パターンを形成することができる。
性の違う２種類以上のフォトレジスト膜はいずれもネガ
型のフォトレジストであって、上層側となる膜は下層側
となる膜よりも溶剤に対する溶解度が低いフォトレジス
ト膜で形成することにしているので、さらに、簡単な工
程で電極パターンを形成することができる。
【００２９】なお、請求項８に記載の発明によれば、上
記で説明した半導体装置の電極形成方法を用いて太陽電
池セルを作成することにしているので、受光面側の電極
の幅を広げることなく、該電極を所望通りに厚くし、電
極の電気抵抗を減らすことにより特性が改善された太陽
電池セルを、従来の方法で製造した場合と同程度に安価
に提供することができる。
記で説明した半導体装置の電極形成方法を用いて太陽電
池セルを作成することにしているので、受光面側の電極
の幅を広げることなく、該電極を所望通りに厚くし、電
極の電気抵抗を減らすことにより特性が改善された太陽
電池セルを、従来の方法で製造した場合と同程度に安価
に提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態で、余分な（不要な）下地
電極を粘着テープにより剥がす実施例の、粘着テープを
ウエハーに貼りつけた状態の断面図である。
電極を粘着テープにより剥がす実施例の、粘着テープを
ウエハーに貼りつけた状態の断面図である。
【図２】図１の状態から不要な下地電極を粘着テープに
より取り除く（剥がす）状態を示す断面図である。
より取り除く（剥がす）状態を示す断面図である。
【図３】不要な下地電極を粘着テープにより取り除いた
後、メッキを行った状態のウエハーの断面図である。
後、メッキを行った状態のウエハーの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態により形成した、所望の電
極形状を示す断面図である。
極形状を示す断面図である。
【図５】本発明の別の実施形態で、フォトレジストとポ
リイミド樹脂により電極パターンを形成した実施例の断
面図である。
リイミド樹脂により電極パターンを形成した実施例の断
面図である。
【図６】上層のフォトレジストを取り除き、ポリイミド
樹脂を残したままメッキを行った状態の断面図である。
樹脂を残したままメッキを行った状態の断面図である。
【図７】本発明の、さらに別の実施形態で、特性の違う
２層のフォトレジストにより電極パターンを形成した実
施例の断面図である。
２層のフォトレジストにより電極パターンを形成した実
施例の断面図である。
【図８】図７の状態から、さらに下地電極を蒸着し、上
層部のフォトレジストのみを剥離した状態の断面図であ
る。
層部のフォトレジストのみを剥離した状態の断面図であ
る。
【図９】図８の状態から、さらにメッキを行った状態の
断面図である。
断面図である。
【図１０】本発明の、さらに別の実施形態で形成した、
所望の電極形状の断面図である。
所望の電極形状の断面図である。
【図１１】従来の太陽電池セルの製造工程図である。
【図１２】従来の太陽電池セルの製造工程図で、図１１
に続いて行われる製造工程を示す。
に続いて行われる製造工程を示す。
【図１３】従来の製造方法で、電極パターン部が順テー
パー状になったフォトレジストの断面図である。
パー状になったフォトレジストの断面図である。
【図１４】図１３の状態から、蒸着のみで電極を形成し
ようとした場合の断面図である。
ようとした場合の断面図である。
【図１５】適正な厚さのフォトレジスト現像後、ポスト
ベークした状態の断面図である。
ベークした状態の断面図である。
【図１６】図１５の状態から、下地電極を蒸着し、リフ
トオフによりフォトレジスト除去後メッキすることによ
り、線幅が広がってしまった電極の断面図である。
トオフによりフォトレジスト除去後メッキすることによ
り、線幅が広がってしまった電極の断面図である。
１ 半導体基板（ウェーハ）
２ 下地となる蒸着電極
２１ 余分な（不要な）蒸着電極
３ 粘着テープ
４ ポジ型フォトレジスト
５ ポリイミド樹脂
６ 拡散層
７ 受光面側電極
８ 裏面電極
９ 反射防止膜
１０ メッキで形成した電極
１１ フォトレジスト１
１２ フォトレジスト２
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−228031（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−206065（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−176835（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−36998（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−20999（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−169325（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/288
H01L 21/3205
H01L 31/04
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体装置の製造方法において、半導体
装置表面に下地電極を形成した後、その上にメッキを行
い所望の電極を形成する際に、該下地電極を形成する位
置に開口部を有する配線用パターンを残したまま、該配
線用パターンの開口部以外に余分に形成された該下地電
極形成用の金属膜のみを取り除いた後、メッキを行なう
ことを特徴とする半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項２】 請求項１における半導体装置の電極形成
方法において、下地電極を形成する際にできた配線用パ
ターンの開口部以外の余分な該下地電極形成用の金属膜
を粘着テープ等により除去することを特徴とする半導体
装置の電極形成方法。 - 【請求項３】 半導体装置の製造方法において、半導体
装置表面に下地電極を形成した後、その上にメッキを行
い所望の電極を形成する際に、該下地電極を形成する位
置に開口部を有する配線用パターンをフォトレジストか
らなる上層膜及び該フォトレジストの現像液によりエッ
チングできる材質からなる下層膜を含む２層以上の膜で
構成し、該配線用パターン膜の上部１層以上を除去する
ことにより、該配線用パターンの開口部以外に余分に形
成された該下地電極形成用の金属膜を取り除いた後、メ
ッキを行なうことを特徴とする半導体装置の電極形成方
法。 - 【請求項４】 請求項３における半導体装置の電極形成
方法において、下地電極を形成するための配線用パター
ンの上層膜にポジ型のフォトレジスト、下層膜にポリイ
ミド樹脂を使用していることを特徴とする半導体装置の
電極形成方法。 - 【請求項５】 請求項３における半導体装置の電極形成
方法において、配線用パターンが特性の違う２種類以上
のフォトレジスト膜で形成されていることを特徴とする
半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項６】 請求項５における半導体装置の電極形成
方法において、特性の違う２種類以上のフォトレジスト
膜はいずれもネガ型のフォトレジストであって、上層側
となる膜は下層側となる膜よりも溶剤に対する溶解度が
低いフォトレジスト膜で形成されていることを特徴とす
る半導体装置の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02103499A JP3534337B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02103499A JP3534337B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223443A JP2000223443A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3534337B2 true JP3534337B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=12043693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02103499A Expired - Fee Related JP3534337B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 半導体装置の電極形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534337B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086531A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Instruments Inc | パターン電極作製法およびその作製法で作製されたパターン電極 |
| JP3928727B2 (ja) | 2003-09-17 | 2007-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電極形成方法 |
| KR100993511B1 (ko) * | 2008-11-19 | 2010-11-12 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| FR2972298B1 (fr) | 2011-03-04 | 2015-07-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de metallisation de surfaces texturees |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP02103499A patent/JP3534337B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000223443A (ja) | 2000-08-11 |
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