JP3533333B2 - 光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
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- JP3533333B2 JP3533333B2 JP25205898A JP25205898A JP3533333B2 JP 3533333 B2 JP3533333 B2 JP 3533333B2 JP 25205898 A JP25205898 A JP 25205898A JP 25205898 A JP25205898 A JP 25205898A JP 3533333 B2 JP3533333 B2 JP 3533333B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録ディスク用
の干渉膜材料として使用されるスパッタリングターゲッ
トと、その製造方法とに関する。
の干渉膜材料として使用されるスパッタリングターゲッ
トと、その製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
【０００５】相変化型光記録媒体では、通常、記録層の
両側に干渉膜（エンハンス層）が形成されている。これ
らの干渉膜には、 １）レーザー光照射による熱履歴に対し、記録層や基板
などを保護できること、 ２）各層の界面で反射してくる光の干渉効果を利用して
再生信号を増幅できること、 ３）各干渉膜の熱伝導率等を適当に調整することによ
り、記録・消去特性を調整できることなどが求められ
る。
両側に干渉膜（エンハンス層）が形成されている。これ
らの干渉膜には、 １）レーザー光照射による熱履歴に対し、記録層や基板
などを保護できること、 ２）各層の界面で反射してくる光の干渉効果を利用して
再生信号を増幅できること、 ３）各干渉膜の熱伝導率等を適当に調整することによ
り、記録・消去特性を調整できることなどが求められ
る。
【０００６】このような条件を満足する干渉膜として、
屈折率の高いＺｎＳ等のカルコゲン化物を主成分とする
もの、特にカルコゲン化物とガラスとの混合物が用いら
れることが多い。例えば、特公平４−７４７８５号公報
には、結晶質のカルコゲン化物とガラスとの混合物から
なる干渉膜を有する光学式情報記録部材が記載されてい
る。カルコゲン化物としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｚｎ
Ｔｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ等が挙げられる。ガ
ラスとしては、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｎＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、ＴｅＯ2等が挙げられる。干渉膜をこのような組
成にすることで、記録時の照射パワーに対する感度が上
昇し、記録消去の繰り返しに関する信頼性が向上する。
感度の上昇は干渉膜の熱定数の最適化によるもので、記
録消去の繰り返し回数の増大は記録および消去に要する
レーザーパワーの低下によるものとしている。同公報で
は、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）が１０〜３０モル％
のときに、記録および消去に要するレーザーエネルギー
が最も少なくてすむので好ましいとしている。
屈折率の高いＺｎＳ等のカルコゲン化物を主成分とする
もの、特にカルコゲン化物とガラスとの混合物が用いら
れることが多い。例えば、特公平４−７４７８５号公報
には、結晶質のカルコゲン化物とガラスとの混合物から
なる干渉膜を有する光学式情報記録部材が記載されてい
る。カルコゲン化物としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｚｎ
Ｔｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ等が挙げられる。ガ
ラスとしては、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｎＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、ＴｅＯ2等が挙げられる。干渉膜をこのような組
成にすることで、記録時の照射パワーに対する感度が上
昇し、記録消去の繰り返しに関する信頼性が向上する。
感度の上昇は干渉膜の熱定数の最適化によるもので、記
録消去の繰り返し回数の増大は記録および消去に要する
レーザーパワーの低下によるものとしている。同公報で
は、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）が１０〜３０モル％
のときに、記録および消去に要するレーザーエネルギー
が最も少なくてすむので好ましいとしている。
【０００７】従来、光記録媒体の干渉膜材料として用い
られているカルコゲン化物とガラスとの混合物は絶縁体
であり、ＤＣスパッタ法を用いることができず、干渉膜
はＲＦスパッタ法によって形成されている。しかしなが
ら、ＲＦスパッタ法は、ＤＣスパッタ法と比較して、電
力制御、成膜レート制御の精度が低く、膜特性がばらつ
いてしまう。また、生産性が低いので、特に大量生産す
る上で好ましくない。光記録ディスクを量産化するため
には、従来のものと同等の特性を維持した上で、ＤＣス
パッタ法による干渉膜の成膜を可能にすることが重要な
課題である。
られているカルコゲン化物とガラスとの混合物は絶縁体
であり、ＤＣスパッタ法を用いることができず、干渉膜
はＲＦスパッタ法によって形成されている。しかしなが
ら、ＲＦスパッタ法は、ＤＣスパッタ法と比較して、電
力制御、成膜レート制御の精度が低く、膜特性がばらつ
いてしまう。また、生産性が低いので、特に大量生産す
る上で好ましくない。光記録ディスクを量産化するため
には、従来のものと同等の特性を維持した上で、ＤＣス
パッタ法による干渉膜の成膜を可能にすることが重要な
課題である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光記
録ディスクの量産化のために、干渉膜としての特性を満
たし、低抵抗であり、ＤＣスパッタ法によって成膜でき
る光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットと、
その製造方法を提供することである。
録ディスクの量産化のために、干渉膜としての特性を満
たし、低抵抗であり、ＤＣスパッタ法によって成膜でき
る光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットと、
その製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明により達成される。
の本発明により達成される。
【００１０】（１） 光記録ディスク用の干渉膜をＤＣ
スパッタ法により形成する際に用いられるターゲットで
あって、カルコゲン化物とガラスとを含み、さらに、Ｚ
ｎＯ x （０．８≦ｘ≦０．９８）で表される酸化亜鉛を
含有するか、酸化ホウ素および／または酸化アルミニウ
ムと、酸化亜鉛とを含有し、電気抵抗値が０．００１〜
０．１Ω・cmである光記録媒体の干渉膜用スパッタリン
グターゲット。 （２） 前記カルコゲン化物が硫化亜鉛であり、前記ガ
ラスが酸化ケイ素である上記（１）の光記録媒体の干渉
膜用スパッタリングターゲット。 （３） 上記（１）の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットを製造する方法であって、酸化亜鉛と、
亜鉛および／または炭素とを焼成し、ＺｎＯxで表した
とき ０．８≦ｘ≦０．９８ である酸化亜鉛を得、この酸化亜鉛と、カルコゲン化物
と、ガラスとを不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧
焼成することにより焼結する光記録媒体の干渉膜用スパ
ッタリングターゲットの製造方法。 （４） 上記（１）の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットを製造する方法であって、酸化亜鉛を還
元雰囲気下で焼成し、ＺｎＯxで表したとき ０．８≦ｘ≦０．９８ である酸化亜鉛を得、この酸化亜鉛と、カルコゲン化物
と、ガラスとを不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧
焼成することにより焼結する光記録媒体の干渉膜用スパ
ッタリングターゲットの製造方法。 （５） 上記（１）の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットを製造する方法であって、酸化亜鉛と、
酸化ホウ素および／または酸化アルミニウムとを焼成
し、この酸化亜鉛と、酸化ホウ素および／または酸化ア
ルミニウムと、カルコゲン化物と、ガラスとを不活性ガ
ス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより焼結
する光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットの
製造方法。
スパッタ法により形成する際に用いられるターゲットで
あって、カルコゲン化物とガラスとを含み、さらに、Ｚ
ｎＯ x （０．８≦ｘ≦０．９８）で表される酸化亜鉛を
含有するか、酸化ホウ素および／または酸化アルミニウ
ムと、酸化亜鉛とを含有し、電気抵抗値が０．００１〜
０．１Ω・cmである光記録媒体の干渉膜用スパッタリン
グターゲット。 （２） 前記カルコゲン化物が硫化亜鉛であり、前記ガ
ラスが酸化ケイ素である上記（１）の光記録媒体の干渉
膜用スパッタリングターゲット。 （３） 上記（１）の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットを製造する方法であって、酸化亜鉛と、
亜鉛および／または炭素とを焼成し、ＺｎＯxで表した
とき ０．８≦ｘ≦０．９８ である酸化亜鉛を得、この酸化亜鉛と、カルコゲン化物
と、ガラスとを不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧
焼成することにより焼結する光記録媒体の干渉膜用スパ
ッタリングターゲットの製造方法。 （４） 上記（１）の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットを製造する方法であって、酸化亜鉛を還
元雰囲気下で焼成し、ＺｎＯxで表したとき ０．８≦ｘ≦０．９８ である酸化亜鉛を得、この酸化亜鉛と、カルコゲン化物
と、ガラスとを不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧
焼成することにより焼結する光記録媒体の干渉膜用スパ
ッタリングターゲットの製造方法。 （５） 上記（１）の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットを製造する方法であって、酸化亜鉛と、
酸化ホウ素および／または酸化アルミニウムとを焼成
し、この酸化亜鉛と、酸化ホウ素および／または酸化ア
ルミニウムと、カルコゲン化物と、ガラスとを不活性ガ
ス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより焼結
する光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットの
製造方法。
【００１１】
【作用】本発明では、光記録媒体の干渉膜用材料として
従来使用されているカルコゲン化物とガラスとの混合物
を主要マトリックス材とし、さらに低抵抗化材を添加す
ることによって導電路を形成し、干渉膜として必要な屈
折率を得、しかも、電気抵抗値を０．００１〜０．１Ω
・cmと低くしている。その結果、電気抵抗値が十分低い
ので、本発明の光記録媒体の干渉膜用スパッタリングタ
ーゲットを用いると、従来ではＲＦスパッタ法でしか成
膜できなかった干渉膜をＤＣスパッタ法で成膜でき、生
産性の向上が図れ、光記録ディスクを量産化できる。成
膜される干渉膜の特性は、ＲＦスパッタ法で成膜される
従来のものと同等である。
従来使用されているカルコゲン化物とガラスとの混合物
を主要マトリックス材とし、さらに低抵抗化材を添加す
ることによって導電路を形成し、干渉膜として必要な屈
折率を得、しかも、電気抵抗値を０．００１〜０．１Ω
・cmと低くしている。その結果、電気抵抗値が十分低い
ので、本発明の光記録媒体の干渉膜用スパッタリングタ
ーゲットを用いると、従来ではＲＦスパッタ法でしか成
膜できなかった干渉膜をＤＣスパッタ法で成膜でき、生
産性の向上が図れ、光記録ディスクを量産化できる。成
膜される干渉膜の特性は、ＲＦスパッタ法で成膜される
従来のものと同等である。
【００１２】低抵抗化材としては、ＺｎＯxで表すと
０．８≦ｘ≦１である酸素欠損ないし酸素欠陥をもつ酸
化亜鉛、または、酸化ホウ素および／または酸化アルミ
ニウムをドープした酸化亜鉛が好ましく用いられる。こ
のような低抵抗化材をカルコゲン化物とガラスとに加え
てターゲットに含有させることにより、ＤＣスパッタ可
能な低い電気抵抗値と、干渉膜として必要な屈折率とを
両立することができる。
０．８≦ｘ≦１である酸素欠損ないし酸素欠陥をもつ酸
化亜鉛、または、酸化ホウ素および／または酸化アルミ
ニウムをドープした酸化亜鉛が好ましく用いられる。こ
のような低抵抗化材をカルコゲン化物とガラスとに加え
てターゲットに含有させることにより、ＤＣスパッタ可
能な低い電気抵抗値と、干渉膜として必要な屈折率とを
両立することができる。
【００１３】本発明の光記録媒体の干渉膜用スパッタリ
ングターゲットは、各種光記録ディスク、好ましくは相
変化型ディスク、例えばＤＶＤの干渉膜の成膜に好適に
用いられる。また、光磁気ディスクにも適用できる。
ングターゲットは、各種光記録ディスク、好ましくは相
変化型ディスク、例えばＤＶＤの干渉膜の成膜に好適に
用いられる。また、光磁気ディスクにも適用できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】ターゲット
本発明のターゲットは、光記録ディスク用の干渉膜をＤ
Ｃスパッタ法により形成する際に用いられるものであ
る。
Ｃスパッタ法により形成する際に用いられるものであ
る。
【００１５】本発明のターゲットは、カルコゲン化物と
ガラスとを主要マトリックス材として含む。カルコゲン
化物としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化鉛（Ｐｂ
Ｓ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（ＰｂＴ
ｅ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化マグネシウム
（ＭｇＳ）等が挙げられる。中でも、硫化亜鉛を用いる
ことが好ましい。カルコゲン化物は、１種を用いても２
種以上を併用してもかまわない。ガラスとしては、酸化
ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸
化スズ（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸
化テルル（ＴｅＯ2）等が挙げられる。中でも、酸化ケ
イ素を用いることが好ましい。ガラスは、１種を用いて
も２種以上を併用してもかまわない。カルコゲン化物、
ガラスは、通常、化学量論組成で存在するが、多少化学
量論組成から偏倚していてもかまわない。
ガラスとを主要マトリックス材として含む。カルコゲン
化物としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化鉛（Ｐｂ
Ｓ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（ＰｂＴ
ｅ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化マグネシウム
（ＭｇＳ）等が挙げられる。中でも、硫化亜鉛を用いる
ことが好ましい。カルコゲン化物は、１種を用いても２
種以上を併用してもかまわない。ガラスとしては、酸化
ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸
化スズ（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸
化テルル（ＴｅＯ2）等が挙げられる。中でも、酸化ケ
イ素を用いることが好ましい。ガラスは、１種を用いて
も２種以上を併用してもかまわない。カルコゲン化物、
ガラスは、通常、化学量論組成で存在するが、多少化学
量論組成から偏倚していてもかまわない。
【００１６】カルコゲン化物とガラスとの混合比は、ガ
ラスが１０〜３０mol％、特に１５〜２５mol％であるこ
とが好ましい。ガラスの含有量が多すぎると、光記録デ
ィスクの干渉膜としたときに、屈折率が小さくなりすぎ
て高Ｃ／Ｎが得られにくくなり、良好な特性が得られに
くくなる。一方、ガラスの含有量が少なすぎると、光記
録ディスクの干渉膜としたときに、記録消去の繰り返し
に関する信頼性が低下してきて、良好な特性が得られに
くくなる。
ラスが１０〜３０mol％、特に１５〜２５mol％であるこ
とが好ましい。ガラスの含有量が多すぎると、光記録デ
ィスクの干渉膜としたときに、屈折率が小さくなりすぎ
て高Ｃ／Ｎが得られにくくなり、良好な特性が得られに
くくなる。一方、ガラスの含有量が少なすぎると、光記
録ディスクの干渉膜としたときに、記録消去の繰り返し
に関する信頼性が低下してきて、良好な特性が得られに
くくなる。
【００１７】そして、本発明のターゲットは、電気抵抗
値を０．００１〜０．１Ω・cm、好ましくは０．００３
〜０．０２Ω・cmにする。従来干渉膜材料として用いら
れているカルコゲン化物とガラスの混合物は絶縁体であ
り、ＲＦスパッタ法でしか成膜できなかったが、このよ
うに電気抵抗値を低くすることによって、量産化に適し
たＤＣスパッタ法で成膜することが可能になる。
値を０．００１〜０．１Ω・cm、好ましくは０．００３
〜０．０２Ω・cmにする。従来干渉膜材料として用いら
れているカルコゲン化物とガラスの混合物は絶縁体であ
り、ＲＦスパッタ法でしか成膜できなかったが、このよ
うに電気抵抗値を低くすることによって、量産化に適し
たＤＣスパッタ法で成膜することが可能になる。
【００１８】また、本発明のターゲットは、光記録ディ
スクの干渉膜としたときに必要な屈折率を得るために、
このターゲットを用いて成膜した膜の波長６５０nmにお
ける屈折率は２．０〜２．３、特に２．１〜２．２であ
ることが好ましい。屈折率がこれより大きくても小さく
ても干渉膜としての良好な特性が得られにくくなってく
る。ターゲットそのものの屈折率は、表面粗さ等のため
に精度よく測定することができない。膜の屈折率はター
ゲットの組成によって変化し、その組成を変えることに
よって制御できる。硫化亜鉛の屈折率は２．４、二酸化
ケイ素の屈折率は１．４、酸化亜鉛の屈折率は１．９で
あり、成膜される膜の屈折率は、通常、屈折率の加成性
関係から求められる。なお、本発明のターゲットを用い
て成膜される干渉膜の屈折率は、従来のものと同等であ
る。
スクの干渉膜としたときに必要な屈折率を得るために、
このターゲットを用いて成膜した膜の波長６５０nmにお
ける屈折率は２．０〜２．３、特に２．１〜２．２であ
ることが好ましい。屈折率がこれより大きくても小さく
ても干渉膜としての良好な特性が得られにくくなってく
る。ターゲットそのものの屈折率は、表面粗さ等のため
に精度よく測定することができない。膜の屈折率はター
ゲットの組成によって変化し、その組成を変えることに
よって制御できる。硫化亜鉛の屈折率は２．４、二酸化
ケイ素の屈折率は１．４、酸化亜鉛の屈折率は１．９で
あり、成膜される膜の屈折率は、通常、屈折率の加成性
関係から求められる。なお、本発明のターゲットを用い
て成膜される干渉膜の屈折率は、従来のものと同等であ
る。
【００１９】本発明では、上記の主要マトリックス材に
低抵抗化材を添加することにより、干渉膜として必要な
屈折率を保ちつつ、ターゲットの電気抵抗値を下げる。
低抵抗化材としては、十分な導電性を有し、干渉膜とし
て必要な屈折率を保てるものが好ましく、酸素欠損ない
し酸素欠陥をもつ酸化亜鉛、または、酸化ホウ素および
／または酸化アルミニウムをドープした酸化亜鉛が好ま
しい。低抵抗化材は、十分低い電気抵抗値と必要な屈折
率が得られれば、１種を用いても２種以上を併用しても
かまわない。酸化亜鉛（ＺｎＯ）は導電性を持たない
が、酸素欠損を生成したり、ドープしたりすると十分な
導電性が得られる。しかも、屈折率が１．９程度で、カ
ルコゲン化物とガラスと組み合わせて用いても光記録媒
体の干渉膜として必要な屈折率が得られる。
低抵抗化材を添加することにより、干渉膜として必要な
屈折率を保ちつつ、ターゲットの電気抵抗値を下げる。
低抵抗化材としては、十分な導電性を有し、干渉膜とし
て必要な屈折率を保てるものが好ましく、酸素欠損ない
し酸素欠陥をもつ酸化亜鉛、または、酸化ホウ素および
／または酸化アルミニウムをドープした酸化亜鉛が好ま
しい。低抵抗化材は、十分低い電気抵抗値と必要な屈折
率が得られれば、１種を用いても２種以上を併用しても
かまわない。酸化亜鉛（ＺｎＯ）は導電性を持たない
が、酸素欠損を生成したり、ドープしたりすると十分な
導電性が得られる。しかも、屈折率が１．９程度で、カ
ルコゲン化物とガラスと組み合わせて用いても光記録媒
体の干渉膜として必要な屈折率が得られる。
【００２０】酸素欠損酸化亜鉛の組成をＺｎＯxで表す
と、 ０．８≦ｘ≦１、特に０．９≦ｘ≦０．９８ が好ましい。ｘがこれより大きくなって酸素欠損が少な
くなると、十分な導電性が得られなくなってくる。ま
た、ｘがこれより小さくなって酸素欠損が多くなると、
金属部が析出し、安定なスパッタ成膜ができなくなって
くる。このような酸素欠損をもつ酸化亜鉛は、後述する
が、水素等の還元雰囲気下で酸化亜鉛（ＺｎＯ）を焼成
したり、酸化亜鉛に炭素を加えて焼成したり、または、
酸化亜鉛に亜鉛を加えて焼成したりして得られる。これ
らは併用してもよい。
と、 ０．８≦ｘ≦１、特に０．９≦ｘ≦０．９８ が好ましい。ｘがこれより大きくなって酸素欠損が少な
くなると、十分な導電性が得られなくなってくる。ま
た、ｘがこれより小さくなって酸素欠損が多くなると、
金属部が析出し、安定なスパッタ成膜ができなくなって
くる。このような酸素欠損をもつ酸化亜鉛は、後述する
が、水素等の還元雰囲気下で酸化亜鉛（ＺｎＯ）を焼成
したり、酸化亜鉛に炭素を加えて焼成したり、または、
酸化亜鉛に亜鉛を加えて焼成したりして得られる。これ
らは併用してもよい。
【００２１】酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）および／または酸化
アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）をドープした酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）では、酸化ホウ素および／または酸化アルミニウム
の含有量は０．１〜５wt％、特に０．５〜２wt％である
ことが好ましい。含有量がこれより多くても少なくて
も、十分な導電性が得られにくくなってくる。このよう
なドープして導電性を持たせた酸化亜鉛は、後述する
が、酸化亜鉛に酸化ホウ素および／または酸化アルミニ
ウムを加えて焼成することで得られる。なお、この場合
も、酸化亜鉛は酸素欠損を有していてもよく、化学量論
組成から多少偏倚していてもかまわない。また、酸化ホ
ウ素および／または酸化アルミニウムが酸化亜鉛に固溶
せず、一部が酸化ホウ素、酸化アルミニウムとして存在
していてもよい。酸化ホウ素、酸化アルミニウムも、Ｏ
量が多少偏倚していてもかまわない。
アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）をドープした酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）では、酸化ホウ素および／または酸化アルミニウム
の含有量は０．１〜５wt％、特に０．５〜２wt％である
ことが好ましい。含有量がこれより多くても少なくて
も、十分な導電性が得られにくくなってくる。このよう
なドープして導電性を持たせた酸化亜鉛は、後述する
が、酸化亜鉛に酸化ホウ素および／または酸化アルミニ
ウムを加えて焼成することで得られる。なお、この場合
も、酸化亜鉛は酸素欠損を有していてもよく、化学量論
組成から多少偏倚していてもかまわない。また、酸化ホ
ウ素および／または酸化アルミニウムが酸化亜鉛に固溶
せず、一部が酸化ホウ素、酸化アルミニウムとして存在
していてもよい。酸化ホウ素、酸化アルミニウムも、Ｏ
量が多少偏倚していてもかまわない。
【００２２】上記のような低抵抗化材は、ターゲット中
に好ましくは１０〜３０vol％、特に１４〜２５vol％含
有されていることが好ましい。含有量がこれより少なく
なると、十分な導電性が得られにくくなる。これより多
くなると、光記録ディスクの干渉膜としたときに、良好
な特性が得られにくくなる。
に好ましくは１０〜３０vol％、特に１４〜２５vol％含
有されていることが好ましい。含有量がこれより少なく
なると、十分な導電性が得られにくくなる。これより多
くなると、光記録ディスクの干渉膜としたときに、良好
な特性が得られにくくなる。
【００２３】低抵抗化材は、ＤＣスパッタ法で成膜可能
な低い電気抵抗値と、光記録媒体の干渉膜として必要な
屈折率とが得られれば特に限定されない。酸化亜鉛にド
ープするものも酸化ホウ素、酸化アルミニウムに限定さ
れず、他のものも使用できる。
な低い電気抵抗値と、光記録媒体の干渉膜として必要な
屈折率とが得られれば特に限定されない。酸化亜鉛にド
ープするものも酸化ホウ素、酸化アルミニウムに限定さ
れず、他のものも使用できる。
【００２４】また、ターゲット中には、不可避的不純物
として、例えばＣ、Ｆｅ、Ｐｂ等の少なくとも１種が含
まれていてもよい。これらの元素の合計含有量は、０．
１at％以下であることが好ましい。
として、例えばＣ、Ｆｅ、Ｐｂ等の少なくとも１種が含
まれていてもよい。これらの元素の合計含有量は、０．
１at％以下であることが好ましい。
【００２５】本発明のターゲットは、通常、カルコゲン
化物、ガラス、低抵抗化材がそれぞれ独立して存在す
る。通常、カルコゲン化物は結晶状態で存在し、ガラス
は焼結後に非晶質となってカルコゲン化物の粒界に析出
し、カルコゲン化物結晶をつなぎ合わせている。ガラス
は結晶であってもよい。低抵抗化材も、通常、結晶状態
で存在し、３次元的につながってターゲット中に導電パ
スを形成している。ターゲットは、カルコゲン化物とガ
ラスとから成る主要マトリックス材と、低抵抗化材とが
異相を形成していると考えられるが、ガラスは、一部、
低抵抗化材の粒界に析出して導電パスの形成を防げてい
ると考えられる。なお、好ましくは結晶質のガラスを用
いてターゲットを製造するが、この場合も焼成後には通
常非晶質となる。ただし、一部結晶が残っていてもよ
い。
化物、ガラス、低抵抗化材がそれぞれ独立して存在す
る。通常、カルコゲン化物は結晶状態で存在し、ガラス
は焼結後に非晶質となってカルコゲン化物の粒界に析出
し、カルコゲン化物結晶をつなぎ合わせている。ガラス
は結晶であってもよい。低抵抗化材も、通常、結晶状態
で存在し、３次元的につながってターゲット中に導電パ
スを形成している。ターゲットは、カルコゲン化物とガ
ラスとから成る主要マトリックス材と、低抵抗化材とが
異相を形成していると考えられるが、ガラスは、一部、
低抵抗化材の粒界に析出して導電パスの形成を防げてい
ると考えられる。なお、好ましくは結晶質のガラスを用
いてターゲットを製造するが、この場合も焼成後には通
常非晶質となる。ただし、一部結晶が残っていてもよ
い。
【００２６】本発明のターゲットのカルコゲン化物や低
抵抗化材の平均グレイン径は、０．１〜２０μm程度で
ある。ガラスの平均粒界層厚さは０．５〜５μm程度で
ある。
抵抗化材の平均グレイン径は、０．１〜２０μm程度で
ある。ガラスの平均粒界層厚さは０．５〜５μm程度で
ある。
【００２７】本発明のターゲットは板状体であり、その
厚さは特に限定されないが、通常、４〜１２mm程度であ
る。ターゲットの平面形状は、円、楕円、方形等のいず
れであってもよい。ターゲットの直径ないし短径は、通
常、１２０〜２６０mm程度である。
厚さは特に限定されないが、通常、４〜１２mm程度であ
る。ターゲットの平面形状は、円、楕円、方形等のいず
れであってもよい。ターゲットの直径ないし短径は、通
常、１２０〜２６０mm程度である。
【００２８】ターゲットの焼結密度は、好ましくは８０
％以上、より好ましくは９５％以上である。後述する製
造方法によれば、このように高い焼結密度が容易に得ら
れる。本発明のターゲットは焼結密度が高いことから十
分な機械的強度が得られるので、スパッタ装置に設置す
る際のターゲットボンディング工程において割れにく
い。なお、この場合の焼結密度とは、理論密度に対する
焼結体の密度の比率である。
％以上、より好ましくは９５％以上である。後述する製
造方法によれば、このように高い焼結密度が容易に得ら
れる。本発明のターゲットは焼結密度が高いことから十
分な機械的強度が得られるので、スパッタ装置に設置す
る際のターゲットボンディング工程において割れにく
い。なお、この場合の焼結密度とは、理論密度に対する
焼結体の密度の比率である。
【００２９】ターゲットの製造方法
次に、本発明のターゲットを製造する方法について説明
する。
する。
【００３０】酸化ホウ素および／または酸化アルミニウ
ムをドープした酸化亜鉛の調製 まず、酸化亜鉛と、酸化ホウ素および／または酸化アル
ミニウムとをこれらの比率が所望の組成となるように混
合する。混合手段は特に限定されないが、ボールミル等
で行えばよい。混合は、通常、大気中で行う。酸化亜
鉛、酸化ホウ素、酸化アルミニウムの平均粒径は好まし
くは０．１〜１０μmとする。粒径が小さすぎると嵩高
くなり、作業がしにくくなってくる。一方、粒径が大き
すぎると焼結しにくくなるので、後述する焼成工程にお
いて焼成温度を高くする必要が生じる。混合後、必要に
応じ、ふるい等により分級してもよい。
ムをドープした酸化亜鉛の調製 まず、酸化亜鉛と、酸化ホウ素および／または酸化アル
ミニウムとをこれらの比率が所望の組成となるように混
合する。混合手段は特に限定されないが、ボールミル等
で行えばよい。混合は、通常、大気中で行う。酸化亜
鉛、酸化ホウ素、酸化アルミニウムの平均粒径は好まし
くは０．１〜１０μmとする。粒径が小さすぎると嵩高
くなり、作業がしにくくなってくる。一方、粒径が大き
すぎると焼結しにくくなるので、後述する焼成工程にお
いて焼成温度を高くする必要が生じる。混合後、必要に
応じ、ふるい等により分級してもよい。
【００３１】そして、この混合粉末を大気中で仮焼成す
る。また、窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気
中、水素等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。焼成温
度は好ましくは６００〜１０００℃であり、前記焼成温
度に保持する時間は好ましくは３０〜１２０分間であ
り、焼成温度まで昇温するときの速度は好ましくは１０
℃/分間以上である。このようにして、酸化ホウ素およ
び／または酸化アルミニウムをドープした酸化亜鉛が得
られる。
る。また、窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気
中、水素等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。焼成温
度は好ましくは６００〜１０００℃であり、前記焼成温
度に保持する時間は好ましくは３０〜１２０分間であ
り、焼成温度まで昇温するときの速度は好ましくは１０
℃/分間以上である。このようにして、酸化ホウ素およ
び／または酸化アルミニウムをドープした酸化亜鉛が得
られる。
【００３２】酸素欠損酸化亜鉛の調製
まず、酸化亜鉛と、炭素および／または亜鉛とをこれら
の比率が所望の組成となるように混合する。混合手段は
特に限定されないが、ボールミル等で行えばよい。混合
は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行う。
酸化亜鉛、炭素、亜鉛の平均粒径は好ましくは０．１〜
１０μmとする。粒径が小さすぎると混合時の酸化によ
りターゲット中の酸素含有量が多くなりすぎる。一方、
粒径が大きすぎると焼結しにくくなるので、後述する焼
成工程において焼成温度を高くする必要が生じる。混合
後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。
の比率が所望の組成となるように混合する。混合手段は
特に限定されないが、ボールミル等で行えばよい。混合
は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行う。
酸化亜鉛、炭素、亜鉛の平均粒径は好ましくは０．１〜
１０μmとする。粒径が小さすぎると混合時の酸化によ
りターゲット中の酸素含有量が多くなりすぎる。一方、
粒径が大きすぎると焼結しにくくなるので、後述する焼
成工程において焼成温度を高くする必要が生じる。混合
後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。
【００３３】そして、この混合粉末をＡｒガス等の不活
性ガス雰囲気中または真空中で仮焼成する。また、水素
等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。焼成温度は好ま
しくは６００〜１０００℃であり、前記焼成温度に保持
する時間は好ましくは３０〜１２０分間であり、焼成温
度まで昇温するときの速度は好ましくは１０℃/分間以
上である。炭素を加えた場合、仮焼成によって炭素が酸
化亜鉛中の酸素と反応し、一酸化炭素となって気化して
酸素欠損が生成する。このようにして、酸素欠損をもつ
酸化亜鉛が得られる。
性ガス雰囲気中または真空中で仮焼成する。また、水素
等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。焼成温度は好ま
しくは６００〜１０００℃であり、前記焼成温度に保持
する時間は好ましくは３０〜１２０分間であり、焼成温
度まで昇温するときの速度は好ましくは１０℃/分間以
上である。炭素を加えた場合、仮焼成によって炭素が酸
化亜鉛中の酸素と反応し、一酸化炭素となって気化して
酸素欠損が生成する。このようにして、酸素欠損をもつ
酸化亜鉛が得られる。
【００３４】また、水素等の還元雰囲気中で酸化亜鉛を
上記の条件で仮焼成することによっても酸素欠損をもつ
酸化亜鉛が得られる。
上記の条件で仮焼成することによっても酸素欠損をもつ
酸化亜鉛が得られる。
【００３５】混合工程
次いで、カルコゲン化物と、ガラスと、低抵抗化材であ
る上記の酸化ホウ素および／または酸化アルミニウムを
ドープした酸化亜鉛、または、酸素欠損酸化亜鉛とを、
これらの比率が所望の組成となるように混合する。混合
手段は特に限定されないが、ボールミル等で行えばよ
い。混合は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中
で行う。カルコゲン化物、ガラスの平均粒径は好ましく
は０．１〜１０μmとする。粒径が小さすぎると混合時
の酸化によりターゲット中の酸素含有量が多くなりすぎ
る。一方、粒径が大きすぎると焼結しにくくなるので、
後述する焼成工程において焼成温度を高くする必要が生
じる。混合後、必要に応じ、ふるい等により分級しても
よい。
る上記の酸化ホウ素および／または酸化アルミニウムを
ドープした酸化亜鉛、または、酸素欠損酸化亜鉛とを、
これらの比率が所望の組成となるように混合する。混合
手段は特に限定されないが、ボールミル等で行えばよ
い。混合は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中
で行う。カルコゲン化物、ガラスの平均粒径は好ましく
は０．１〜１０μmとする。粒径が小さすぎると混合時
の酸化によりターゲット中の酸素含有量が多くなりすぎ
る。一方、粒径が大きすぎると焼結しにくくなるので、
後述する焼成工程において焼成温度を高くする必要が生
じる。混合後、必要に応じ、ふるい等により分級しても
よい。
【００３６】焼成工程
次に、この混合粉末を窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガ
ス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、焼
結体を得る。Ｈ2等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成して
もかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いる
ことが好ましい。加圧焼成の際の圧力および温度は、緻
密な焼結体が得られるように決定すればよい。焼成温度
は、液相焼結が生じない温度とすることが好ましい。ま
た、ターゲットの割れを防ぐために、粒成長が生じない
温度で焼成することが好ましい。
ス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、焼
結体を得る。Ｈ2等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成して
もかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いる
ことが好ましい。加圧焼成の際の圧力および温度は、緻
密な焼結体が得られるように決定すればよい。焼成温度
は、液相焼結が生じない温度とすることが好ましい。ま
た、ターゲットの割れを防ぐために、粒成長が生じない
温度で焼成することが好ましい。
【００３７】具体的には、ホットプレス法を用いる場合
には、加圧力は好ましくは２００kgf/cm2以上、特に好
ましくは２２０〜２８０kgf/cm2であり、焼成温度は好
ましくは９００〜１２００℃であり、前記焼成温度に保
持する時間は好ましくは５〜６０分間であり、焼成温度
まで昇温するときの速度は好ましくは１０℃/分間以上
である。加圧力が小さすぎると、焼結密度が低くなって
しまう。一方、焼成温度が低すぎると、焼結密度が低く
なってしまい、ターゲットの機械的強度が不十分とな
る。昇温速度および焼成時間を上記範囲とするのは、焼
結密度を高くしてターゲットを割れにくくするためであ
る。なお、加圧力の上限は特にないが、ホットプレス法
において成形用型枠として一般的なカーボン型を用いる
場合には、通常、６００kgf/cm2以下とすることが好ま
しい。
には、加圧力は好ましくは２００kgf/cm2以上、特に好
ましくは２２０〜２８０kgf/cm2であり、焼成温度は好
ましくは９００〜１２００℃であり、前記焼成温度に保
持する時間は好ましくは５〜６０分間であり、焼成温度
まで昇温するときの速度は好ましくは１０℃/分間以上
である。加圧力が小さすぎると、焼結密度が低くなって
しまう。一方、焼成温度が低すぎると、焼結密度が低く
なってしまい、ターゲットの機械的強度が不十分とな
る。昇温速度および焼成時間を上記範囲とするのは、焼
結密度を高くしてターゲットを割れにくくするためであ
る。なお、加圧力の上限は特にないが、ホットプレス法
において成形用型枠として一般的なカーボン型を用いる
場合には、通常、６００kgf/cm2以下とすることが好ま
しい。
【００３８】なお、加圧焼成に際しては、加圧した後、
昇温し、焼成温度に所定時間保持した後、圧力を解放し
て冷却することが好ましい。
昇温し、焼成温度に所定時間保持した後、圧力を解放し
て冷却することが好ましい。
【００３９】焼成後、焼結体表面付近に存在する組成的
および組織的に不均質な領域を研削により除去し、スパ
ッタ用ターゲットを完成させる。このときの研削深さ
は、１mm程度以下で十分である。
および組織的に不均質な領域を研削により除去し、スパ
ッタ用ターゲットを完成させる。このときの研削深さ
は、１mm程度以下で十分である。
【００４０】干渉膜の成膜方法
このようにして製造される本発明のターゲットは、銅等
にインジウム等でボンディングした後、ＤＣスパッタ法
によって光記録ディスクの干渉膜を形成する際に用いら
れる。
にインジウム等でボンディングした後、ＤＣスパッタ法
によって光記録ディスクの干渉膜を形成する際に用いら
れる。
【００４１】スパッタガスには、通常のスパッタ装置に
使用される不活性ガスが使用できるが、好ましくはＡ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれか、あるいはこれらの少なくと
も１種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好まし
く、特にＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ単体が好ましい。動作圧は
０．０５〜０．２Paの範囲が好ましい。スパッタガスの
流量は５０〜１５０sccm程度が好ましい。ＤＣスパッタ
装置の電力としては５００Ｗ〜２kＷ程度が好ましい。
基板ターゲット間距離は３５〜２００mm程度であること
が好ましい。
使用される不活性ガスが使用できるが、好ましくはＡ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれか、あるいはこれらの少なくと
も１種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好まし
く、特にＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ単体が好ましい。動作圧は
０．０５〜０．２Paの範囲が好ましい。スパッタガスの
流量は５０〜１５０sccm程度が好ましい。ＤＣスパッタ
装置の電力としては５００Ｗ〜２kＷ程度が好ましい。
基板ターゲット間距離は３５〜２００mm程度であること
が好ましい。
【００４２】
【実施例】実施例１
まず、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）とを酸化アルミニウムが１wt％になるように調合
し、大気中でボールミルで混合した。酸化亜鉛の平均粒
径は０．５μm、酸化アルミニウムの平均粒径は０．５
μmだった。
Ｏ3）とを酸化アルミニウムが１wt％になるように調合
し、大気中でボールミルで混合した。酸化亜鉛の平均粒
径は０．５μm、酸化アルミニウムの平均粒径は０．５
μmだった。
【００４３】そして、この混合粉末をＡｒガス等の大気
中、８００℃で１００分間仮焼成して、酸化アルミニウ
ムをドープした酸化亜鉛を得た。
中、８００℃で１００分間仮焼成して、酸化アルミニウ
ムをドープした酸化亜鉛を得た。
【００４４】次いで、硫化亜鉛（ＺｎＳ）と、酸化ケイ
素（ＳｉＯ2）と、上記の酸化アルミニウムをドープし
た酸化亜鉛とを、ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８：２（モル
比）、この混合物に対して酸化アルミニウムをドープし
た酸化亜鉛が２０vol％になるように調合し、Ｎ2雰囲気
中でボールミルで混合した。硫化亜鉛の平均粒径は０．
５μm、酸化ケイ素の平均粒径は０．１μmだった。
素（ＳｉＯ2）と、上記の酸化アルミニウムをドープし
た酸化亜鉛とを、ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８：２（モル
比）、この混合物に対して酸化アルミニウムをドープし
た酸化亜鉛が２０vol％になるように調合し、Ｎ2雰囲気
中でボールミルで混合した。硫化亜鉛の平均粒径は０．
５μm、酸化ケイ素の平均粒径は０．１μmだった。
【００４５】そして、カーボン型にこの混合粉末を充填
し、２５０kgf/cm2で加圧しながら１５℃／分間の速度
で昇温し、Ａｒ雰囲気中において１０００℃で２０分間
ホットプレスした。加圧を解除した後、冷却し、焼結体
を得た。平均グレイン径は、５μmだった。
し、２５０kgf/cm2で加圧しながら１５℃／分間の速度
で昇温し、Ａｒ雰囲気中において１０００℃で２０分間
ホットプレスした。加圧を解除した後、冷却し、焼結体
を得た。平均グレイン径は、５μmだった。
【００４６】この焼結体の外周面および表裏面を１mmの
深さまで研削して除去し、ターゲットを得た。このター
ゲットは、直径１２７mm、厚さ６mmであった。
深さまで研削して除去し、ターゲットを得た。このター
ゲットは、直径１２７mm、厚さ６mmであった。
【００４７】このターゲットの電気抵抗値を４端針測定
法で測定したところ、０．００８Ω・cmであった。
法で測定したところ、０．００８Ω・cmであった。
【００４８】このターゲットを用いて、射出成形により
グルーブ（幅０．７４μm、深さ６５nm、ピッチ１．４
８μm）を同時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmの
ディスク状ポリカーボネート基体の表面に、第１干渉
膜、記録層、第２干渉膜、反射層および保護層を以下に
示す手順で形成し、光記録ディスクを作製した。
グルーブ（幅０．７４μm、深さ６５nm、ピッチ１．４
８μm）を同時形成した直径１２０mm、厚さ０．６mmの
ディスク状ポリカーボネート基体の表面に、第１干渉
膜、記録層、第２干渉膜、反射層および保護層を以下に
示す手順で形成し、光記録ディスクを作製した。
【００４９】第１干渉膜および第２干渉膜は、上記のタ
ーゲットを用いてＤＣスパッタ法により形成した。第１
干渉膜の厚さは１００nm、第２干渉膜の厚さは２０nmと
した。成膜条件は、スパッタガスはＡｒ８０sccm、動作
圧は０．１Pa、投入電力は８００Ｗ、基板とターゲット
間の距離は１５０mmとした。
ーゲットを用いてＤＣスパッタ法により形成した。第１
干渉膜の厚さは１００nm、第２干渉膜の厚さは２０nmと
した。成膜条件は、スパッタガスはＡｒ８０sccm、動作
圧は０．１Pa、投入電力は８００Ｗ、基板とターゲット
間の距離は１５０mmとした。
【００５０】記録層は、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ
法により形成した。ターゲットにはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２：２：５）を用いた。厚さは２
０nmとした。
法により形成した。ターゲットにはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２：２：５）を用いた。厚さは２
０nmとした。
【００５１】反射層は、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ
法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子％
Ｃｒを用いた。厚さは１５０nmとした。
法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子％
Ｃｒを用いた。厚さは１５０nmとした。
【００５２】保護層は、紫外線硬化型樹脂をスピンコー
ト法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層の厚さは５μm であった。
ト法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層の厚さは５μm であった。
【００５３】このようにして作製した光記録ディスク
は、干渉膜の波長６５０nmにおける屈折率が２．１５
で、十分な屈折率を有し、特性が良好であった。
は、干渉膜の波長６５０nmにおける屈折率が２．１５
で、十分な屈折率を有し、特性が良好であった。
【００５４】実施例２
酸化アルミニウムの代わりに酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）を用
いた他は実施例１と同様にしてターゲットを作製した。
いた他は実施例１と同様にしてターゲットを作製した。
【００５５】このターゲットは、電気抵抗値が０．０１
Ω・cmであった。ターゲットの平均グレイン径は、５μ
mだった。
Ω・cmであった。ターゲットの平均グレイン径は、５μ
mだった。
【００５６】このターゲットを用いて実施例１と同様に
光記録ディスクを作製したところ、干渉膜の波長６５０
nmにおける屈折率が２．１０で、十分な屈折率を有し、
特性の良好な光記録ディスクが得られた。
光記録ディスクを作製したところ、干渉膜の波長６５０
nmにおける屈折率が２．１０で、十分な屈折率を有し、
特性の良好な光記録ディスクが得られた。
【００５７】実施例３
まず、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と炭素（Ｃ）とを炭素が１wt
％になるように調合し、Ｎ2雰囲気中でボールミルで混
合した。酸化亜鉛の平均粒径は０．５μm、炭素の平均
粒径は０．１μmとした。
％になるように調合し、Ｎ2雰囲気中でボールミルで混
合した。酸化亜鉛の平均粒径は０．５μm、炭素の平均
粒径は０．１μmとした。
【００５８】そして、この混合粉末をＡｒガス等の不活
性ガス雰囲気中、８００℃で１００分間仮焼成して、酸
素欠損酸化亜鉛ＺｎＯ0.95を得た。
性ガス雰囲気中、８００℃で１００分間仮焼成して、酸
素欠損酸化亜鉛ＺｎＯ0.95を得た。
【００５９】そして、酸化アルミニウムをドープした酸
化亜鉛の代わりに上記のＺｎＯ0.95を用いて実施例１と
同様にターゲットを作製した。
化亜鉛の代わりに上記のＺｎＯ0.95を用いて実施例１と
同様にターゲットを作製した。
【００６０】このターゲットは、電気抵抗値が０．００
７Ω・cmであった。ターゲットの平均グレイン径は、５
μmだった。
７Ω・cmであった。ターゲットの平均グレイン径は、５
μmだった。
【００６１】このターゲットを用いて実施例１と同様に
光記録ディスクを作製したところ、干渉膜の波長６５０
nmにおける屈折率が２．１２で、十分な屈折率を有し、
特性の良好な光記録ディスクが得られた。
光記録ディスクを作製したところ、干渉膜の波長６５０
nmにおける屈折率が２．１２で、十分な屈折率を有し、
特性の良好な光記録ディスクが得られた。
【００６２】実施例４
まず、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と亜鉛（Ｚｎ）とを亜鉛が１
wt％になるように調合し、Ｎ2雰囲気中でボールミルで
混合した。酸化亜鉛の平均粒径は０．５μm、亜鉛の平
均粒径は１．０μmとした。
wt％になるように調合し、Ｎ2雰囲気中でボールミルで
混合した。酸化亜鉛の平均粒径は０．５μm、亜鉛の平
均粒径は１．０μmとした。
【００６３】そして、この混合粉末をＡｒガス等の不活
性ガス雰囲気中、８００℃で１００分間仮焼成して、酸
素欠損酸化亜鉛ＺｎＯ0.96を得た。
性ガス雰囲気中、８００℃で１００分間仮焼成して、酸
素欠損酸化亜鉛ＺｎＯ0.96を得た。
【００６４】そして、酸化アルミニウムをドープした酸
化亜鉛の代わりに上記のＺｎＯ0.96を用いて実施例１と
同様にターゲットを作製した。
化亜鉛の代わりに上記のＺｎＯ0.96を用いて実施例１と
同様にターゲットを作製した。
【００６５】このターゲットは、電気抵抗値が０．００
９Ω・cmであった。ターゲットの平均グレイン径は、５
μmだった。
９Ω・cmであった。ターゲットの平均グレイン径は、５
μmだった。
【００６６】このターゲットを用いて実施例１と同様に
光記録ディスクを作製したところ、干渉膜の波長６５０
nmにおける屈折率が２．１０で、十分な屈折率を有し、
特性の良好な光記録ディスクが得られた。
光記録ディスクを作製したところ、干渉膜の波長６５０
nmにおける屈折率が２．１０で、十分な屈折率を有し、
特性の良好な光記録ディスクが得られた。
【００６７】本発明のターゲットを用いると、従来ＲＦ
スパッタ法でしか成膜できなかった光ディスクの干渉膜
を、より量産に適したＤＣスパッタ法で成膜することが
できた。また、成膜された干渉膜の屈折率は従来のもの
と同等のものが得られた。
スパッタ法でしか成膜できなかった光ディスクの干渉膜
を、より量産に適したＤＣスパッタ法で成膜することが
できた。また、成膜された干渉膜の屈折率は従来のもの
と同等のものが得られた。
【００６８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光記録
ディスクの量産化のために、干渉膜としての特性を満た
し、低抵抗であり、ＤＣスパッタ法によって成膜できる
光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットと、そ
の製造方法を実現できる。
ディスクの量産化のために、干渉膜としての特性を満た
し、低抵抗であり、ＤＣスパッタ法によって成膜できる
光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットと、そ
の製造方法を実現できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/34
G11B 7/24 - 7/26
Claims (5)
- 【請求項１】 光記録ディスク用の干渉膜をＤＣスパッ
タ法により形成する際に用いられるターゲットであっ
て、 カルコゲン化物とガラスとを含み、さらに、ＺｎＯ x （０．８≦ｘ≦０．９８）で表される
酸化亜鉛を含有するか、酸化ホウ素および／または酸化
アルミニウムと、酸化亜鉛とを含有し、 電気抵抗値が０．００１〜０．１Ω・cmである光記録媒
体の干渉膜用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 前記カルコゲン化物が硫化亜鉛であり、 前記ガラスが酸化ケイ素である請求項１の光記録媒体の
干渉膜用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 請求項１の光記録媒体の干渉膜用スパッ
タリングターゲットを製造する方法であって、 酸化亜鉛と、亜鉛および／または炭素とを焼成し、Ｚｎ
Ｏxで表したとき ０．８≦ｘ≦０．９８ である酸化亜鉛を得、 この酸化亜鉛と、カルコゲン化物と、ガラスとを不活性
ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより焼
結する光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲット
の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１の光記録媒体の干渉膜用スパッ
タリングターゲットを製造する方法であって、 酸化亜鉛を還元雰囲気下で焼成し、ＺｎＯxで表したと
き ０．８≦ｘ≦０．９８ である酸化亜鉛を得、 この酸化亜鉛と、カルコゲン化物と、ガラスとを不活性
ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより焼
結する光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲット
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１の光記録媒体の干渉膜用スパッ
タリングターゲットを製造する方法であって、 酸化亜鉛と、酸化ホウ素および／または酸化アルミニウ
ムとを焼成し、 この酸化亜鉛と、酸化ホウ素および／または酸化アルミ
ニウムと、カルコゲン化物と、ガラスとを不活性ガス雰
囲気中または真空中で加圧焼成することにより焼結する
光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25205898A JP3533333B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | 光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25205898A JP3533333B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | 光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000064035A JP2000064035A (ja) | 2000-02-29 |
| JP3533333B2 true JP3533333B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=17231986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25205898A Expired - Lifetime JP3533333B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | 光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3533333B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3916125B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2007-05-16 | 日鉱金属株式会社 | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用してＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 |
| JP2003099995A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Ulvac Japan Ltd | 光ディスク用誘電体ターゲット及び成膜方法 |
| JP4198918B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2008-12-17 | 日鉱金属株式会社 | 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN100476017C (zh) * | 2003-03-04 | 2009-04-08 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法和光信息记录介质用薄膜及其制造方法 |
| JP4345328B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP2004297359A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
| JP4697404B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2011-06-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| CN101208451B (zh) * | 2005-06-23 | 2010-06-16 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶及光信息记录介质用薄膜 |
| JP4697441B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-06-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP4642833B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2011-03-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 |
| JP5134382B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-01-30 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリング複合ターゲット |
| JP4965524B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2012-07-04 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5102338B2 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-12-19 | 株式会社アルバック | 光ディスク用誘電体ターゲット及び成膜方法 |
| JP5776563B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2015-09-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明膜およびその製造方法並びに透明膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP6233233B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-11-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5902333B1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-04-13 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-08-21 JP JP25205898A patent/JP3533333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000064035A (ja) | 2000-02-29 |
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