JP5134382B2 - スパッタリング複合ターゲット - Google Patents
スパッタリング複合ターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5134382B2 JP5134382B2 JP2008011201A JP2008011201A JP5134382B2 JP 5134382 B2 JP5134382 B2 JP 5134382B2 JP 2008011201 A JP2008011201 A JP 2008011201A JP 2008011201 A JP2008011201 A JP 2008011201A JP 5134382 B2 JP5134382 B2 JP 5134382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- transparent conductive
- carbon
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
これらの透明導電膜を形成する方法としては、スパッタリングターゲットを原料として、基板上にスパッタリング法によって透明導電膜を形成する方法が知られている(例えば特許文献1)。
ZnO系の透明導電膜は、ZnOにAlをドープしたAZOを中心として、様々な種類の添加剤や成膜方法等が検討されているが、成膜安定性、導電安定性の点では、未だITOに及ばず、透明導電膜の主流はITO系に譲っているのが現状である。
また、酸化亜鉛粉末に酸化ガリウム粉末を添加した混合粉末を所定の温度で焼結し、その後還元して、酸素欠陥を有するスパッタリングターゲット用ZnO−Ga2O3系焼結体を得て、このスパッタリングターゲットを用いて、GZO膜を形成する方法が挙げられる(特許文献3,4)。
また、酸化物をスパッタリングターゲットとして用い、不活性ガスに水素及び/又は有機ガスを導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により、酸化過剰な状態を抑制して、抵抗率や抵抗分布が改善された透明導電膜を製造する方法が挙げられる(特許文献5)。
スパッタリングは、通常、真空にしたチャンバー内に基板及びターゲットを設置して行われるが、チャンバー内を真空にするために、例えばクライオポンプ等のためこみ式ポンプ(固体表面に気体分子を吸着して気相から気体分子を除去する形式のポンプ)が使用される。還元性雰囲気でスパッタリングを行うと、還元性雰囲気中に含まれる水素ガスの影響によりクライオポンプの再生間隔を短くする必要があり、効率的な成膜が困難になるという問題もある。
酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有し、
アルミニウム、ガリウム、インジウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、イットリウム及び希土類元素から成る群より選ばれた少なくとも1種の元素を有し、
元素の含有割合が1.0〜10.0質量%であり、
酸化物系成分の表面の一部に炭素系成分を積層して成ることを特徴とする。
酸化物系成分は、酸化亜鉛から成るものでもよく、酸化亜鉛以外のものを含むものでもよい。酸化物系成分としては、例えば酸化亜鉛のチップ、酸化亜鉛粉末から成る焼結体、この焼結体に後述する特定の元素をドープしたもの、又は、酸化亜鉛粉末と後述する特定の元素を含む酸化物粉末を混合して焼結した焼結体等を用いることができる。
スパッタリング複合ターゲットが炭素系成分を有することにより、安定した一定量の酸素欠陥を透明導電膜中に導入することができる。
酸素欠陥が導入されるメカニズムは明らかではないが、ZnOを含む酸化物系成分中の酸素(O)が、炭素系成分中のCと結びついてCO又はCO2となって放出されることにより、スパッタリングする時間や雰囲気変化等にかかわらず、安定した一定量の酸素欠陥が透明導電膜中に導入されると推測する。
透明導電膜に安定した一定量の酸素欠陥が導入され、この酸素欠陥が導電性キャリアとして機能するため、安価な材料であるZnO系の材料を用いて、ITO系の透明導電膜と同程度かそれ以上に電気抵抗が低く、良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができる。
炭素系成分の他に、ホウ素系成分を複合ターゲットとして用いることも考えられたが、ホウ素系成分を複合ターゲットに用いると、透明導電膜の電気抵抗が高くなり、導電性が劣化した。
酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体である場合は、これらを共にスパッタリングすることが好ましい。
なお、本明細書において「共に」とは、別体のスパッタリング複合ターゲットを略同時にスパッタリングする意味のことをいい、多少時間的なずれがある場合であっても、同一の還元性雰囲気中で別体のスパッタリング複合ターゲットをスパッタリングすることをいう。
また、酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体の場合は、スパッタリング複合ターゲットとして、酸化物系成分の表面の少なくとも一部に炭素系成分を積層したものを用いることが好ましい。
次に、酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体のスパッタリング複合ターゲットの例を説明する。
図1に示すように、本例のスパッタリング複合ターゲット1は、円盤状の酸化物系成分(例えばZnO)2と、所定の角度を有する扇形状の4つの炭素系成分(例えばカーボンチップ)3a〜3dとを有するものである。
スパッタリング複合ターゲット1は、酸化物系成分2の表面に、その中心部から所定の角度で放射線上に、扇形状の4つの炭素系成分3a〜3dを積層したものである。
炭素系成分3a〜3dは、スパッタリングにより形成される透明導電膜中に均等に酸素欠陥が導入されるように、酸化物系成分2の表面に等角度又は等間隔で配置することが好ましい。
なお、図1では、4つの扇形状の炭素系成分3a〜3dを、円盤状の酸化物系成分2の表面に配置した例を示したが、酸化物系成分2や炭素系成分3a〜3dの数、形状又は配列方法は、本例に限定されない。
スパッタリング複合ターゲットにおいて、炭素系成分が占める面積比が2%未満であると、スパッタリング複合ターゲットを用いて得られた透明導電膜の電気抵抗が低くならず、炭素系成分を用いた効果が発揮されない場合がある。一方、該面積比が15%を超えると、カーボンが透明導電膜中に取り込まれてしまい、得られた透明導電膜の電気抵抗が高くなり、導電性が低下する場合がある。
スパッタリング複合ターゲットが酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているものである場合は、酸化物系成分100重量部に対して、炭素系成分を0.8〜7.5重量部含有することが好ましい。
炭素系成分の含有量が0.8重量部未満であると、得られる透明導電膜の電気抵抗が低くならず、炭素系成分を用いた効果が発揮されない場合があり、7.5重量部を超えると、炭素が透明導電膜中に取り込まれてしまい、得られた透明導電膜の電気抵抗が高くなって、導電性が低下する場合がある。
スパッタリング複合ターゲットが上記金属元素を有するものであると、優れた電導性を有する透明導電膜を得ることができる。
上記元素は酸化物系成分中にドープしてもよく、上記元素を含む金属又は酸化物等を用いてもよい。
本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。
図2に示すように、RFマグネトロンスパッタリング装置10は、チャンバー11内に、基板4を保持する基板ホルダー12と、ターゲット1を保持するターゲットホルダー13とが対向配置されている。ターゲットホルダー13には、基板4とターゲット1との間に高周波(例えば13.56HMz)の電圧を印加する電源15が接続されている。
ターゲットホルダー13は、図示を省略した磁石及びヨークと、冷却水等の冷媒を循環させる配管14とを備えている。
なお、図2においては、1つのガスボンベ16を設けた例を示したが、複数種類のガスを混合したスパッタガスを使用する場合は、複数のガスボンベを設け、該ガスボンベから複数のガスをチャンバー内に供給するようにしてもよい。
まず、基板ホルダー12に基板4をセットする。
基板4は、例えば表面が清浄な透明のガラス基板、又は、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)及びポリオレフィン(PO)から成る群より選ばれた少なくとも1種の透明な樹脂基板を用いることができる。
その後、排気を継続しながらチャンバー1内にガスボンベ16からスパッタガスを導入し、チャンバー11内が一定の雰囲気圧力になるようにする。スパッタガスは、例えば不活性ガスであるArガスを用いることが好ましく、Arガスと必要に応じてO2ガスを所定量混合した混合ガス等を用いてもよい。
ガス流量は、10〜50sccmが好ましくは、ガス圧は、0.5〜2.0Paが好ましい。
そして、電源14から80〜120W、具体的には100Wの電力を印加して、基板4を加熱することなくスパッタリングを開始し、スパッタ時間10分間、室温(20±5℃)で、基板4上に厚さ200nm程度の透明導電膜を形成する。
また、スパッタリング複合ターゲットに含まれる炭素系成分の面積比及び含有量が上記範囲内のものであれば、光透過率が80%以上の透明導電膜を得ることができる。
図3は、他例のRFマグネトロンスパッタ装置10の概略構成を示す図である。なお、図3において、図2と同様の部材には、同一の符号を付した。
図3に示すRFマグネトロンスパッタ装置10は、酸化物系成分を含有する第1ターゲット2’と、炭素系成分を含有する第2ターゲット3’をそれぞれ異なる位置に配置する2つのターゲットホルダー13a,13bを備えたものである。
この2つのターゲットホルダー13a,13bに、各々第1ターゲット2’、第2ターゲット3’を設置して、スパッタリング複合ターゲット1’とし、第1ターゲット2’と第2ターゲット3’を共に略同時にスパッタリングしてもよい。
なお、均質な透明導電膜を形成するために、基板ホルダー12を所定の速度で回転させるようにしてもよい。
また、図3においては、ターゲットホルダー13a,13bに各々電源15a,15bを接続した例を示したが、1つの電源からターゲットホルダー13a,13bの両方に電圧を印加するようにしてもよい。
また、スパッタリング複合ターゲット1は、図1〜3に示す例に限らず、酸化物系成分2と炭素系成分3とを一体化したものを用いてもよい。
本発明によって得られる透明導電膜は、太陽電池や、LCD(Liquid Crystal Display)、PDP(Plasma Display Panel)等のFPD(Flat Panel Display)に好適に用いることができる。
に限定されるものではない。
図2に示すRF(高周波)マグネトロンスパッタ装置を用いて、ターゲットホルダーに、直径4インチ×厚さ4mmの酸化亜鉛から成る焼結体であるZnO成分を設置し、このZnO成分上に、ZnO成分の最大表面積100%に対して、金属Alを面積比で3%になるように設置した。
ZnO+Al成分の上に、ZnO+Al成分の最大表面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積100%に対して、カーボンチップ(C)を面積比で6%になるように設置し、スパッタリング複合ターゲットとした。
そして、チャンバー内を排気ポンプで真空にした後、スパッタガスとして、流量15sccm、ガス圧1PaのArガスをチャンバー内に導入した。
その後、基板を加熱することなく、室温(20±5℃)で、電源により100Wの高周波(13.56MHz)の電圧を、基板及びスパッタリング複合ターゲットの間に印加し、スパッタ時間10分間で、基板上に厚さ200nmの透明導電膜を形成した。
得られた透明導電膜の電気抵抗を4端子法測定機により測定した。透明導電膜の電気抵抗は、1.0×10−4Ω・cmであった。また、透明導電膜の光透過率は、85%であった。
トータルして50時間スパッタした後、上記と同様に10分間スパッタを行い、透明導電膜を製造した場合においても、透明導電膜の電気抵抗は1×10−4Ω・cm程度であった。
スパッタリング複合ターゲットとして、実施例1と同様のZnO+Al成分のターゲット表面積100%に対して、カーボンチップ(C)を面積比で2%になるように設置したものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、1.0×10−4Ω・cmであり、光透過率は、85%であった。
スパッタリング複合ターゲットとして、実施例1と同様のZnO+Al成分のターゲット表面積100%に対して、カーボンチップ(C)を面積比で15%になるように設置したものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、1.0×10−4Ω・cmであり、光透過率は、80%であった。
ZnO、Al2O3、C(グラファイト)を以下の比率で粉体混合し、焼結等により一体化したスパッタリング複合ターゲットを用いたこと以外は、実施例1と同様にして透明導電膜を形成した。
参考例4;ZnO:Al2O3:C(グラファイト)=97.2%:2.0%:0.8%
参考例5;ZnO:Al2O3:C(グラファイト)=95.5%:2.0%:2.5%
参考例6;ZnO:Al2O3:C(グラファイト)=91.5%:1.9%:6.7%
上記参考例4〜6のスパッタリング複合ターゲットを用いて得られた透明導電膜は、いずれも電気抵抗が1.0×10−4Ω・cm(参考例4〜6)であり、光透過率が85%(参考例4〜6)であった。
直径4インチ×厚さ4mmのZnO成分をスパッタリングターゲットとしたこと以外は、実施例1と同様にして、透明導電膜を形成した。
得られた透明導電膜の電気抵抗は、3×10−1Ω・cmであり、光透過率は、85%であった。
直径4インチ×厚さ4mmのZnO成分上に、ZnO成分の最大表面積100%に対して、金属Al成分を面積比で3%になるように設置したものをスパッタリングターゲットとしたこと以外は、実施例1と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、8×10−4Ω・cmであり、光透過率は、85%であった。
金属Alの代わりに、金属Ta,金属Nb,希土類元素(具体的にはTa)を含む化合物を用いたスパッタリングターゲットを用いて、比較例2と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、いずれも8×10−4Ω・cm以上であり、光透過率は、いずれも85%であった。
実施例1〜3、参考例4〜6のスパッタリング複合ターゲットを用いて製造した透明導電膜は、いずれも電気抵抗が1×10−4Ω・cm以下と低く、基板を高温(例えば200℃)に加熱することなく室温で、且つ、ZnO系の安価な材料を用いて、ITOと同程度かそれ以上に低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができた。
また、スパッタを50時間行った後であっても、得られる透明導電膜の電気抵抗が1×10−4Ω・cmと変わらず、スパッタの再現性が良好であることが確認できた。
一方、比較例1〜5のスパッタリングターゲットを用いると、得られた透明導電膜の電気抵抗が3×10−1Ω・cm又は8×10−4Ω・cm以上と高く、ITOと同程度の電気抵抗を有する透明導電膜を得ることができなかった。
Claims (4)
- 酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有し、
アルミニウム、ガリウム、インジウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、イットリウム及び希土類元素から成る群より選ばれた少なくとも1種の元素を有し、
上記元素の含有割合が1.0〜10.0質量%であり、
上記酸化物系成分の表面の一部に上記炭素系成分を積層して成ることを特徴とするスパッタリング複合ターゲット。 - 上記炭素系成分は、カーボンチップである請求項1に記載のスパッタリング複合ターゲット。
- 上記酸化物系成分の最大面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積100%に対して、上記炭素系成分が占める面積比が2〜15%であることを特徴とする請求項1または2に記載のスパッタリング複合ターゲット。
- 上記酸化物系成分が焼結体であり、上記炭素系成分が非焼結体であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のスパッタリング複合ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008011201A JP5134382B2 (ja) | 2008-01-22 | 2008-01-22 | スパッタリング複合ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008011201A JP5134382B2 (ja) | 2008-01-22 | 2008-01-22 | スパッタリング複合ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009173962A JP2009173962A (ja) | 2009-08-06 |
JP5134382B2 true JP5134382B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=41029361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008011201A Active JP5134382B2 (ja) | 2008-01-22 | 2008-01-22 | スパッタリング複合ターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5134382B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014065969A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-04-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料およびそれを用いたターゲット |
KR101625773B1 (ko) * | 2012-10-02 | 2016-05-31 | 제이엑스금속주식회사 | 산화아연계 소결체, 그 소결체로 이루어지는 산화아연계 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 스퍼터링하여 얻어진 산화아연계 박막 |
WO2014157000A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 炭素ドープ酸化亜鉛膜及びその製造方法 |
CN114134467B (zh) * | 2021-10-29 | 2024-04-23 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种汽车玻璃用合金靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2522309B2 (ja) * | 1987-06-25 | 1996-08-07 | 株式会社明電舎 | 半導体化炭素薄膜の形成方法 |
JPH03271366A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-03 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット及びそれを用いる装置 |
JP3533333B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2004-05-31 | Tdk株式会社 | 光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP4894103B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2012-03-14 | 株式会社ブリヂストン | 透明導電フィルム及びタッチパネル |
JP4201557B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2008-12-24 | 正二郎 三宅 | 硬質炭素皮膜摺動部材 |
JP4817102B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2011-11-16 | 麒麟麦酒株式会社 | ダイヤモンド状炭素薄膜、それを表面に成膜したプラスチックフィルム及びガスバリア性プラスチックボトル |
JP2009167515A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Kanazawa Inst Of Technology | 透明導電膜製造用スパッタリングターゲット及び透明導電膜形成方法 |
-
2008
- 2008-01-22 JP JP2008011201A patent/JP5134382B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009173962A (ja) | 2009-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5580972B2 (ja) | スパッタリング複合ターゲット | |
JP4397511B2 (ja) | 低抵抗ito薄膜及びその製造方法 | |
US20110194181A1 (en) | Film forming method for antireflection film, antireflection film, and film forming device | |
JP2007314364A (ja) | 酸化物焼結体、ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜ならびにその製造方法 | |
EP2166132A2 (en) | Transparent conductive film and method for production thereof | |
JP5134382B2 (ja) | スパッタリング複合ターゲット | |
JPWO2014115770A1 (ja) | 透明導電性基材ならびにその製造方法 | |
CN103632754B (zh) | 一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | |
TWI409540B (zh) | 觸控面版的製造方法及成膜裝置 | |
CN101985740A (zh) | 一种铝掺氧化锌透明导电薄膜的退火方法 | |
JP3780932B2 (ja) | 透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法 | |
CN113186528B (zh) | 一种铂金薄膜及其制备方法和用途 | |
WO2008013237A1 (en) | Method for forming transparent conductive film | |
JP4287001B2 (ja) | 透明導電積層体 | |
KR20090066047A (ko) | 도전 적층체 및 이의 제조방법 | |
JP4687374B2 (ja) | 透明導電膜及びそれを含む透明導電性基材 | |
JP2017193755A (ja) | 透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜 | |
KR20090121186A (ko) | 기판 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 기판 | |
JP2001135149A (ja) | 酸化亜鉛系透明電極 | |
KR102164629B1 (ko) | 복합체 투명 전극 | |
JPH1088332A (ja) | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 | |
JP4229803B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
JP5123785B2 (ja) | 反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜 | |
CN101834009B (zh) | 一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法 | |
JP5035857B2 (ja) | 低抵抗ito薄膜及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090907 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091030 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120702 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120927 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121030 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121109 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5134382 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |