JP3531253B2 - パルス電源 - Google Patents

パルス電源

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JP3531253B2
JP3531253B2 JP00370195A JP370195A JP3531253B2 JP 3531253 B2 JP3531253 B2 JP 3531253B2 JP 00370195 A JP00370195 A JP 00370195A JP 370195 A JP370195 A JP 370195A JP 3531253 B2 JP3531253 B2 JP 3531253B2
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  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサを直流電源
として高電圧・大電流のパルスを発生するためのパルス
電源に関する。
【0002】
【従来の技術】パルスレーザ励起やパルスプラズマ発
生、パルス脱硝装置等のパルス電源には、半導体スイッ
チと磁気スイッチになる可飽和トランスや可飽和リアク
トルを組み合わせたものがある。
【0003】このパルス電源は、例えば、図10に示す
構成にされる。高圧直流電源HDCによってコンデンサ
0を初期充電しておき、半導体スイッチSWのオンに
よってコンデンサC0から可飽和トランスSTの一次側
に放電電流を供給し、この可飽和トランスSTによって
昇圧さらに磁気スイッチ動作とLC反転による倍電圧発
生回路LCによって昇圧とパルス圧縮し、さらに可飽和
リアクトルSI1のパルス圧縮によってピーキング・コ
ンデンサCPとレーザ発振器LHへ超短パルスを発生さ
せる。
【0004】なお、半導体スイッチと磁気スイッチによ
る構成は、可飽和トランスSTの前段に昇圧用トランス
を設ける構成など、種々の変形例がある。
【0005】ここで、コンデンサC0の初期充電のため
の高圧直流電源HDCは、レーザ発振器LHへの高い繰
り返し(例えば600パルス/秒)のパルス電流供給に
合わせて高い繰り返しでコンデンサC0を充電する必要
がある。また、コンデンサC0の電圧が出力に直接影響
することから、充電電圧に高い精度のものが要求され
る。
【0006】このための従来の高圧直流電源には、図1
1に示す構成のものがある。交流電源から直流を得る整
流器等にされる直流電源1は、その出力段の平滑コンデ
ンサ2と共に、電圧形にされるインバータ主回路3の直
流電源を構成する。
【0007】インバータ主回路3は、パワートランジス
タやIGBT、GTOなどの半導体素子をスイッチU,
V,X,Yとしてブリッジ接続で構成され、パルス幅制
御(パルス幅変調も含む)した交流電力を得る。
【0008】出力トランス4は、インバータ主回路3か
らの交流出力を一定比で取り出す。整流回路5は、ダイ
オードDのブリッジ接続で構成され、トランス4の出力
を交流入力とし、その全波整流を行う。
【0009】コンデンサC0は、パルス発生により放電
した後、回路インピーダンスの不整合や負荷での余剰エ
ネルギーがトランスSTの磁気スイッチ動作時に逆極性
で戻り、このリターンパルス電流で負の電圧に充電され
る。この逆充電により、コンデンサC0から整流回路5
を通して電流が流れ、この電流による整流回路5の電流
破壊を防ぐためにリアクトル6Bと抵抗6Aを設ける。
【0010】この構成において、コンデンサC0の充電
電圧VCは、インバータ主回路3の制御率で調節され、
このための制御回路7は、回路要素71〜75を備える。
【0011】一次側直流電圧検出回路71は、平滑コン
デンサ2の直流電圧(インバータ主回路3の直流電圧)
を検出する。指令電圧変換回路72は、コンデンサC0
充電電圧指令電圧(直流又は正弦波電圧)を直流電圧検
出回路71の検出電圧で補正することにより、該直流電
圧の変動によるコンデンサC0の充電電圧の変動を補償
する。
【0012】比較回路73は、指令電圧変換回路72を通
した指令電圧と、搬送波としての三角波発生器74から
の三角波とのレベル比較によりパルス幅制御又は変調し
た信号を得る。ゲート回路75は、比較回路73からのパ
ルス幅制御信号にしたがってインバータ主回路3の各ス
イッチU,V,X,Yのゲート信号を得る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】従来のコンデンサ充電
装置において、コンデンサC0に負の電圧が充電された
とき、整流回路5のダイオードDと抵抗6A、リアクト
ル6Bのループに放電電流が流れる。この放電で該ダイ
オードDが破壊されないよう、抵抗6Aとリアクトル6
Bのインピーダンスが設計される。
【0014】この電流抑制回路を設けることは、コンデ
ンサC0を充電するときに抵抗6Aにジュール損が発生
し、電力効率を悪くすると共に、その冷却のための設計
構造を必要とする。
【0015】本発明の目的は、コンデンサの充電に電力
ロスを少なくしたパルス電源を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題の解
決を図るため、電圧制御した交流出力を得る電力変換器
と、この電力変換器の交流出力を整流する整流回路と、
この整流回路の整流出力で高圧充電されるコンデンサ
と、このコンデンサを直流電源とし半導体スイッチのオ
ン制御と可飽和トランス又は可飽和リアクトルによる磁
気スイッチ動作によって高電圧・大電流のパルスを発生
するパルス発生回路とを備えたパルス電源において、前
記整流回路から前記コンデンサへの充電路に設けられて
該コンデンサとの間で振動電流を得るリアクトルと、こ
のリアクトルと前記コンデンサの直列回路に並列に設け
られ、前記パルス発生回路の磁気スイッチ動作により該
コンデンサが逆極性に充電されたときに該リアクトルを
通して該コンデンサの反転充電のための電流路を形成す
るダイオードと、前記コンデンサが反転充電されたとき
に前記半導体スイッチをオフ制御するスイッチ制御回路
とを備えたことを特徴とする。
【0017】また、前記スイッチ制御回路は、前記ダイ
オードの電流を検出し、この検出値が設定レベル以上に
なったときに前記半導体スイッチのオフ制御信号を得る
ことを特徴とする。
【0018】また、前記スイッチ制御回路は、前記コン
デンサの正の充電電圧の変化率を検出し、この変化率が
設定値以上になったときに前記半導体スイッチのオフ制
御信号を得ることを特徴とする。
【0019】また、前記スイッチ制御回路は、前記コン
デンサの充電電流を検出し、この検出値が設定値以上に
なったときに前記半導体スイッチのオフ制御信号を得る
ことを特徴とする。
【0020】
【作用】コンデンサが逆極性に充電されたときに、ダイ
オードを通してリアクトルと該コンデンサに半波期間の
振動電流を発生させ、この振動電流でコンデンサを反転
充電させる。これにより、パルス発生回路からの余剰エ
ネルギーをコンデンサの充電電荷として回生し、抵抗に
よる電力ロス及び熱発生を無くす。
【0021】
【実施例】図1は、本発明の一実施例を示す回路構成図
であり、図10又は図11と同等の部分は同一符号で示
す。
【0022】整流回路5からコンデンサC0への充電電
流路にはコンデンサC0に直列に電流制限用リアクトル
8を設け、このリアクトル8とコンデンサC0の直列回
路に並列にダイオード9を設ける。このダイオード9の
接続極性は、コンデンサC0が逆充電されたときにリア
クトル8との間の振動電流でコンデンサC0を反転充電
する方向にされる。
【0023】また、本実施例におけるパルス発生回路
は、可飽和トランスSTにパルス電流が供給されたとき
に、その初期には昇圧動作をしてコンデンサC1を充電
し、この充電電流は可飽和リアクトルSI1を通して流
れ、放電管LH側へのプリパルスを防止する。その後の
磁気スイッチ動作でコンデンサC1の充電電荷を可飽和
トランスSTの二次巻線を通してピーキングコンデンサ
P側に供給する。
【0024】整流回路5とコンデンサC0との間に示す
Lは、浮遊リアクタンスを示す。
【0025】本実施例において、コンデンサC0の繰り
返し充電には、整流回路5からリアクトル8を通して電
流制限して供給される。このとき、ダイオード9は、逆
極性になって非導通になり、充電電流に影響を与えな
い。
【0026】次いで、コンデンサC0から可飽和トラン
スST側への放電において、コンデンサC0が逆極性に
充電される電流が発生したとき、リアクトル8とダイオ
ード9によるコンデンサC0への反転充電を得、この反
転充電終了タイミングでスイッチSWをオフ制御する。
これにより、負荷側の余剰エネルギーをコンデンサC0
の充電電荷として回生する。
【0027】この制御における各部波形を図2に示す。
コンデンサC0の充電終了後、スイッチSWのオン(時
刻t1)でスイッチSWの電流ISWにはメインパルス電
流が流れ、コンデンサC0の電圧VCOは一定値から低下
し始める。このとき、ダイオード9の電流IDPは零にあ
る。
【0028】次に、コンデンサC0の完全放電後、可飽
和トランスST側からリターンパルス電流が発生したと
き(時刻t2)、コンデンサC0はスイッチSWを通して
逆極性に充電され、リターンパルスの終了時(時刻
3)又はその近傍のタイミングでコンデンサC0からダ
イオード9を通してリアクトル8に振動電流が流れ、振
動電流の半波期間でコンデンサC0を反転充電させる。
【0029】この反転充電の終了タイミング(時刻
4)でスイッチSWをオフ制御することにより、コン
デンサC0ではリターンパルスの余剰エネルギーを充電
電荷として保持し、次回の充電電力の一部として利用す
る。
【0030】なお、制御回路7によるコンデンサC0
充電に際して、コンデンサC0には前回の余剰エネルギ
ーによる残留電圧があるため、この電圧検出も行って充
電制御することにより、コンデンサC0の充電電圧精度
を確保することができる。
【0031】したがって、本実施例によれば、コンデン
サC0の充電には、従来の電流抑制用抵抗6Aが介在し
ないため、抵抗6Aによる電力ロス発生を無くし、余剰
エネルギーをコンデンサC0の充電電荷として回生する
ため、電力効率を高めることができると共に、抵抗6A
の冷却装置を不要にする。
【0032】図3〜図6は、本発明の他の実施例を示す
要部回路図であり、これら回路構成においてもダイオー
ド9とリアクトル8によるコンデンサC0の反転充電に
より余剰エネルギーの回生ができる。
【0033】図3では、可飽和トランスSTに代えてパ
ルストランスPTを用い、また可飽和リアクトルSI0
をトランスPTに直列に設けてパルス電流に磁気スイッ
チ動作を得、負荷側の回路ではコンデンサC1の充電電
荷を可飽和リアクトルSI1を通してパルス圧縮を得
る。
【0034】図4では、可飽和トランスを2段設け、ま
た負荷側ではコンデンサC2の充電を可飽和リアクトル
SI1を通して得、この後に可飽和トランスSI2の磁気
スイッチ動作でレーザヘッドLHに短パルスを得る。
【0035】図5では、可飽和トランスSTの後段にL
C倍電圧回路を設け、この倍電圧を可飽和トランスST
の磁気スイッチ動作と可飽和リアクトルST1を通して
レーザヘッドLHに短パルスを得る。
【0036】図6では、コンデンサC0をパルストラン
スPTを通して初期充電し、スイッチSWのオンで可飽
和リアクトルSI0を通してパルス電流をトランスPT
に供給する場合である。
【0037】以上までの各実施例において、スイッチS
Wのオフ制御は、適切なタイミングで行う必要がある。
すなわち、リターンパルスが流れているときにオフする
とスイッチSWを破壊したり、余剰エネルギーの十分な
回収ができなくなる。また、ダイオード9に反転充電電
流が流れ終わった後に遅れてスイッチをオフするとコン
デンサC0からスイッチSWに短絡電流が流れてその破
壊を起こす。
【0038】このスイッチSWのオフ制御を適切にする
ための実施例を図7〜図9に示す。
【0039】図7では、図3の回路に適用した場合を示
し、ダイオード9の電流IDPの検出によりスイッチSW
のオフ制御を行う回路を追加した場合である。オン信号
発生部11とオフ信号発生部12は、余剰エネルギーを
回生しない従来構成での信号発生タイミングを有し、こ
れら信号はアンドゲート13と論理インバータ14とオ
アゲート15で構成するオフ優先回路を通してゲート回
路16にオン又はオフ信号を与え、ゲート回路16によ
りスイッチSWをオン/オフ制御する。
【0040】この構成に加えて、本実施例では、電流検
出器17によりダイオード9の電流を検出し、この検出
値が設定器18の設定レベル以上になったことをコンパ
レータ19で検出し、この検出信号とオフ許可信号発生
部20からのオフ許可信号との同時成立をアンドゲート
21に得、オアゲート15にオフ制御信号を与える。オ
フ許可信号発生部20の信号発生は、充電回路によるコ
ンデンサC0の充電休止期間にする。
【0041】本実施例では、ダイオード9に電流が流れ
始めて設定器18の設定レベルを越えたときにスイッチ
SWのオフ制御がなされる。これはリターンパルスが流
れ終わった後でかつコンデンサC0が反転充電開始され
始めたタイミングになり、スイッチSWの破壊を防止
し、また余剰エネルギーの十分な回生を得ることができ
る。
【0042】なお、ダイオード電流の検出はコンデンサ
0の充放電電流(メインパルスとリターンパルス)と
は分離されているため、ダイオード電流の検出を容易に
し、またメインパルス等に影響を与えることがない。
【0043】図8の実施例では、図7におけるダイオー
ド電流検出に代えて、コンデンサC0の電圧変化を検出
してオフ制御を行う場合である。リアクトル8とダイオ
ード9を通してコンデンサC0の反転充電が始まったと
き(図2の時刻t3)、この正の充電電圧変化を微分回
路22で検出し、この検出レベルが変化率設定器23の
設定値を越えたときにコンパレータ19にオフ制御信号
を得る。
【0044】本実施例においても図7の場合と同様の作
用効果を得ることができる。これに加えて、コンデンサ
0の電圧検出には制御回路7による充電制御のための
電圧検出手段を利用でき、回路的には図7の場合に比べ
て簡単になる。
【0045】図9の実施例では、図8におけるコンデン
サの電圧変化率検出に代えて、コンデンサC0の充電電
流を検出してオフ制御を行う場合である。コンデンサC
0が正極性に充電されることを電流検出器24で検出
し、この充電電流が設定器25の設定値を越えたことを
コンパレータ19に得てオフ制御信号を得る。
【0046】このオフ信号はコンデンサC0の初期充電
開始にも検出されるが、この検出でスイッチSWをオフ
制御することは回路的に副作用を起こすことはないし、
むしろスイッチSWの確実なオフ制御を得ることができ
る。
【0047】本実施例においても図7又は図8と同様の
作用効果を得ることができる。これに加えて、本実施例
では図8の場合に比べて微分回路22を含まないため、
ノイズ等による誤動作を防止できる。
【0048】以上までのオフ制御回路は、図1及び図4
〜図6の回路に適用できるのは勿論である。
【0049】また、以上までの実施例において、インバ
ータ主回路3と制御回路7及び出力トランス4になる電
力変換器は、パルス幅制御又はパルス幅変調の出力を得
る他の電力変換器、例えばチョッパ回路に置換して同等
の作用効果を得ることができる。
【0050】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、コンデ
ンサが逆極性に充電されたときに、ダイオードを通して
リアクトルと該コンデンサに半波期間の振動電流を発生
させ、この振動電流でコンデンサを反転充電させるよう
にしたため、以下の効果がある。
【0051】(1)コンデンサの充電電流路に従来の電
流抑制用抵抗が介在しないため、電力効率を高めること
ができる。また、抵抗の冷却手段を不要にする。
【0052】(2)コンデンサへの電力回生によりコン
デンサ充電回路に必要とする容量を小さくできる。
【0053】(3)余剰エネルギー回生用の回路が簡単
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す回路構成図。
【図2】実施例における電圧、電流波形。
【図3】他の実施例を示す要部回路図。
【図4】他の実施例を示す要部回路図。
【図5】他の実施例を示す要部回路図。
【図6】他の実施例を示す要部回路図。
【図7】実施例のスイッチ制御回路図。
【図8】実施例のスイッチ制御回路図。
【図9】実施例のスイッチ制御回路図。
【図10】パルス電源例。
【図11】従来例の回路構成図。
【符号の説明】
3…インバータ主回路 4…出力トランス 5…整流回路 8…リアクトル 9…ダイオード 17、24…電流検出器 19…コンパレータ 20…オフ許可信号発生部 22…微分回路 C0…コンデンサ SW…半導体スイッチ ST…可飽和トランス SI0、SI1…可飽和リアクトル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳瀬 寿 東京都品川区大崎2丁目1番17号 株式 会社明電舎内 (56)参考文献 特開 平8−107245(JP,A) 特開 平8−102647(JP,A) 特開 平7−284279(JP,A) 特開 平6−112776(JP,A) 特開 平5−121807(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 3/57 H02M 9/04 H03K 3/537

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧制御した交流出力を得る電力変換器
    と、この電力変換器の交流出力を整流する整流回路と、
    この整流回路の整流出力で高圧充電されるコンデンサ
    と、このコンデンサを直流電源とし半導体スイッチのオ
    ン制御と可飽和トランス又は可飽和リアクトルによる磁
    気スイッチ動作によって高電圧・大電流のパルスを発生
    するパルス発生回路とを備えたパルス電源において、 前記整流回路から前記コンデンサへの充電路に設けられ
    て該コンデンサとの間で振動電流を得るリアクトルと、 このリアクトルと前記コンデンサの直列回路に並列に設
    けられ、前記パルス発生回路の磁気スイッチ動作により
    該コンデンサが逆極性に充電されたときに該リアクトル
    を通して該コンデンサの反転充電のための電流路を形成
    するダイオードと、 前記コンデンサが反転充電されたときに前記半導体スイ
    ッチをオフ制御するスイッチ制御回路とを備えたことを
    特徴とするパルス電源。
  2. 【請求項2】 前記スイッチ制御回路は、前記ダイオー
    ドの電流を検出し、この検出値が設定レベル以上になっ
    たときに前記半導体スイッチのオフ制御信号を得ること
    を特徴とする請求項1記載のパルス電源。
  3. 【請求項3】 前記スイッチ制御回路は、前記コンデン
    サの正の充電電圧の変化率を検出し、この変化率が設定
    値以上になったときに前記半導体スイッチのオフ制御信
    号を得ることを特徴とする請求項1記載のパルス電源。
  4. 【請求項4】 前記スイッチ制御回路は、前記コンデン
    サの充電電流を検出し、この検出値が設定値以上になっ
    たときに前記半導体スイッチのオフ制御信号を得ること
    を特徴とする請求項1記載のパルス電源。
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