JP3521464B2 - セラミックハニカム体の焼成方法 - Google Patents

セラミックハニカム体の焼成方法

Info

Publication number
JP3521464B2
JP3521464B2 JP00257394A JP257394A JP3521464B2 JP 3521464 B2 JP3521464 B2 JP 3521464B2 JP 00257394 A JP00257394 A JP 00257394A JP 257394 A JP257394 A JP 257394A JP 3521464 B2 JP3521464 B2 JP 3521464B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fired
end surface
ceramic
torch
firing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP00257394A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07208873A (ja
Inventor
養 西村
雅一 村田
浩次郎 徳田
満也 船橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP00257394A priority Critical patent/JP3521464B2/ja
Publication of JPH07208873A publication Critical patent/JPH07208873A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3521464B2 publication Critical patent/JP3521464B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、焼成台を使用したセラ
ミックハニカム体の焼成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、まだ焼成されていない生素地成形
体を焼成してセラミック製品を製造する方法として、焼
成台(以下、トチと言う)を、生素地成形体と焼成棚板
との間に挟み込んで、クラックを防止するセラミック焼
成法が知られている。これは、セラミックが焼成時に、
収縮または膨張することで発生する応力を緩和するもの
であるが、従来は、セラミックの焼成時に同一材質、或
いは同一組成からなるトチを使用してきている。しかし
ながら、この方法では、繰り返し使用できないことか
ら、セラミックの焼成毎にトチを作製する必要があっ
た。
【0003】ところで、繰り返し使用できるトチとし
て、トチの外周部に面取りを施すことによって、特に焼
成時にハニカム構造のセラミックハニカム体の外縁部分
に発生するクラックを抑制するセラミック焼成法が提案
されてきている。これは、セラミックが焼成時に、収縮
することで発生する応力を緩和する構造のトチを応用し
たセラミック焼成法である。
【0004】このような技術を開示するものとして、特
公平1−54636号公報がある。しかしながら、前記
公報に記載された技術では、作業性が不十分であり、作
業効率の悪いものであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のごと
き状況を鑑みて、焼成時に与えられる応力を最大限緩和
し、クラックの発生を防止できるトチを使用したセラミ
ックハニカム体の焼成方法を提供できるようにすること
で作業効率を改善するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1は、上端面と下端面に連なる流路を有した
セラミックハニカム板からなり、しかも前記端面の少な
くともいずれか一方の端面の内側に凸状の段差部からな
る凸状段差部上端面を備え、また前記上端面から前記凸
状段差部上端面への高さが、少なくとも1mm以上であ
るセラミック焼成台の前記凸状段差部上端面の外縁部
が、まだ焼成されていない生素地成形体である被焼成体
のセラミックハニカム体の前記凸状段差部上端面との接
触面側の下端面外縁部よりも、少なくとも3mm内側に
なるように配置して焼成することを特徴とするセラミッ
クハニカム体の焼成方法を採用するものである。
【0007】
【0008】
【0009】
【0010】
【作用】上記手段を採用したことにより、即ち、請求項
1の採用により、被焼成体の外縁とトチの凸状段差部上
端面の外縁との最短距離Lを3mm以上としたことか
ら、焼成収縮する際、被焼成体の外縁部分のトチと被焼
成体の接触面で摩擦抵抗力を無くすことができるととも
に、また上端面から凸状段差部上端面までの高さhを1
mm以上としたことから、被焼成体はグラグラ揺れるこ
と無く安定して保持されるので、処理と取扱が容易とな
る。また、クラックのないセラミックハニカム体の焼成
が可能となる。
【0011】
【0012】
【発明の効果】上記作用が奏功し、即ち、クラックの発
生を防止できるトチを使用したセラミックハニカム体の
焼成方法を提供できるようになる。
【0013】
【実施例】
(第1実施例)上記問題点について、本発明者等は課題
解決するために鋭意検討したが、その結果について、以
下に詳細を記す。尚、図に記した一実施例を参照しなが
ら説明する。
【0014】図1は、本発明の実施例であるトチを説明
するための外観斜視図で有る。図において、1は、トチ
であり、2は、上端面、3は、凸状段差部、4は、凸状
段差部上端面である。そして、前記トチ1は、前記上端
面2及び前記凸状段差部上端面4から、下端面6にわた
って、ハニカム構造のセル5からなる流路を有してい
る。また、前記トチ1は、被焼成体と同一材質、或いは
同一組成からなるセラミック材料で作製した。
【0015】また、図2において、図は、被焼成体の焼
成方法を側面から見た図を示したものである。7は、被
焼成体であるハニカム構造のセルを有したセラミック生
ハニカム体であり、コ−ジェライト或いはムライト等の
セラミック原料から作製されている。h(mm)は、前
記上端面2から前記凸状段差部上端面4までの高さであ
る。種々なる大きさのhを有した前記トチ1が作製さ
れ、前記トチ1上に前記被焼成体7を配置して焼成した
後、前記被焼成体7中のクラックの発生状況が検討され
た。また、L(mm)は、前記被焼成体7の外縁と前記
トチ1の前記凸状段差部上端面4の外縁との最短距離で
ある。前記被焼成体7は、種々なるLが設けられた前記
トチ1上に配置されて焼成された後、前記被焼成体7中
のクラックの発生状況が検討された。
【0016】図3は、種々なる高さh,及び種々なる最
短距離Lで、前記被焼成体7であるハニカム構造のセル
を有した前記セラミック生ハニカム体を焼成し、焼成さ
れた前記被焼成体7中に発生したクラックの発生状況を
記したグラフである。図中、○はクラックの発生「無
し」を示しており、また、×はクラックの発生「有り」
を示している。図から明らかなように、前記被焼成体7
の外縁と前記トチ1の前記凸状段差部上端面4の外縁と
の最短距離Lが3mm以上であり、また前記上端面2か
ら前記凸状段差部上端面4までの高さhが1mm以上で
あれば、焼成された前記被焼成体7中にクラックを認め
ることはできなっかった。
【0017】これは、次に記すような作用によるもので
あると解せられる。即ち、前記被焼成体7は、焼成時
に、前記トチ1と前記被焼成体7の接触面で摩擦抵抗力
を伴いながら下端面6の重心位置方向へと収縮する。こ
の時、前記被焼成体7の外縁部分が最も長い距離を移動
するために、トチと前記被焼成体7の接触面で発生する
摩擦抵抗力を、前記被焼成体7の外縁部分が最も受ける
ことになる。そのために、従来被焼成体の外縁部分にク
ラックを発生しやすかったのである。しかしながら、本
発明のごとく、前記被焼成体7の外縁と前記トチ1の前
記凸状段差部上端面4の外縁との最短距離Lを3mm以
上としたことから、焼成収縮する際、前記被焼成体7の
外縁部分の前記トチ1と前記被焼成体7の接触面で摩擦
抵抗力を無くすことができるとともに、また前記上端面
2から前記凸状段差部上端面4までの高さhを1mm以
上としたことから、前記被焼成体7はグラグラ揺れるこ
と無く安定して保持されるので、処理と取扱が容易とな
る。また、前記トチ1を前記被焼成体7と同一材質、或
いは同一組成からなる生セラミック材料で作製したこと
から、前記被焼成体7と前記トチ1との間に発生する焼
成収縮による摩擦抵抗力を軽減することができる。
【0018】上記の実施例では、板状の凸状段差部上端
面4を有したトチ1の例を記したが、環状の凸状段差部
上端面4を有したトチ1であっても同様な効果を有す
る。このような他の実施例の一例を図4に記す。また、
図5は、被焼成体の焼成方法を側面から見た図を示した
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(ア)は、本発明の実施例であるトチの構造を
説明するための外観斜視図である。(イ)は、本発明の
実施例であるトチの構造を説明するための外観側面図で
ある。
【図2】本発明の実施例であるトチを用いて焼成する方
法を側面から見た図である。
【図3】本発明の実施例であるトチを用いて焼成した結
果(クラック発生状況)を記したグラフである。
【図4】(ア)は、本発明の他の実施例であるトチの構
造を説明するための外観斜視図である。(イ)は、本発
明の他の実施例であるトチの構造を説明するための概略
断面図である。
【図5】本発明の他の実施例であるトチを用いて焼成す
る方法を側面方向から見た概略断面図である。
【符号の説明】
1 トチ 2 上端面 3 凸状段差部 4 凸状段差部上端面 5 セル 6 下端面 7 被焼成体であるセラミック生ハニカム体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船橋 満也 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−252886(JP,A) 特開 平2−86187(JP,A) 実開 昭59−113200(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) F27D 3/12 C04B 35/64

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上端面と下端面に連なる流路を有したセ
    ラミックハニカム板からなり、しかも前記端面の少なく
    ともいずれか一方の端面の内側に凸状の段差部からなる
    凸状段差部上端面を備え、また前記上端面から前記凸状
    段差部上端面への高さが、少なくとも1mm以上である
    セラミック焼成台の前記凸状段差部上端面の外縁部が、
    まだ焼成されていない生素地成形体である被焼成体のセ
    ラミックハニカム体の前記凸状段差部上端面との接触面
    側の下端面外縁部よりも、少なくとも3mm内側になる
    ように配置して焼成することを特徴とするセラミックハ
    ニカム体の焼成方法。
  2. 【請求項2】前記凸状の段差部は環状である請求項1に
    記載のセラミックハニカム体の焼成方法。
JP00257394A 1994-01-14 1994-01-14 セラミックハニカム体の焼成方法 Expired - Fee Related JP3521464B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00257394A JP3521464B2 (ja) 1994-01-14 1994-01-14 セラミックハニカム体の焼成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00257394A JP3521464B2 (ja) 1994-01-14 1994-01-14 セラミックハニカム体の焼成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07208873A JPH07208873A (ja) 1995-08-11
JP3521464B2 true JP3521464B2 (ja) 2004-04-19

Family

ID=11533123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00257394A Expired - Fee Related JP3521464B2 (ja) 1994-01-14 1994-01-14 セラミックハニカム体の焼成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3521464B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006035674A1 (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Ngk Insulators, Ltd. 焼成用敷板及びこれを用いたハニカム成形体の焼成方法
JP5032923B2 (ja) * 2006-10-16 2012-09-26 イビデン株式会社 ハニカム構造体用載置台、及び、ハニカム構造体の検査装置
JP2008182136A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Tdk Corp 多層セラミック基板の製造方法
JP6312617B2 (ja) * 2015-02-24 2018-04-18 日本碍子株式会社 ハニカム構造体の製造方法
JP6224637B2 (ja) * 2015-02-24 2017-11-01 日本碍子株式会社 ハニカム構造体の製造方法、及びハニカム成形体
JP6649777B2 (ja) 2016-01-19 2020-02-19 日本碍子株式会社 ハニカム構造体
JP2019100645A (ja) * 2017-12-05 2019-06-24 株式会社アルバック 真空加熱装置及び高融点金属体の製造方法
JP7303284B1 (ja) * 2021-12-23 2023-07-04 株式会社キャタラー ハニカム基材焼成用リングトレイ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07208873A (ja) 1995-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3521464B2 (ja) セラミックハニカム体の焼成方法
EP0449534B1 (en) Method of producing ceramic products
JP2000111269A (ja) 焼成用治具
JPS62252886A (ja) トチとその使用方法
JP3416417B2 (ja) ハニカム型セラミックフィルタ
JP3324354B2 (ja) 焼結用治具
JP2000274954A (ja) 焼成用敷板
JPH02141476A (ja) セラミック基板の製造方法
JP3083919B2 (ja) 電子部品熱処理用冶具
JP2828750B2 (ja) 金属溶湯用濾材の焼成方法及びそれに用いる焼成用治具
JPH0438234Y2 (ja)
JPH02261604A (ja) 磁器素体
JP2954385B2 (ja) アルミニウム収容槽の内張煉瓦及び該内張煉瓦を使用したアルミニウム収容槽
JP2000074571A (ja) 焼成用治具
JPS6030716Y2 (ja) 金属板被覆懸吊用耐火煉瓦
JPS6314317Y2 (ja)
JPS63112472A (ja) セラミツクの製造方法
JPH0734073B2 (ja) Plzt表示ディバイスの製造装置およびそのディバイスの製造方法
JP2559442Y2 (ja) 真空脱ガス槽
JPH0429588Y2 (ja)
JPH0645833Y2 (ja) 焼成用焼台
JPS6326298A (ja) 溶接用エンドタブ連結体
JPS5830518B2 (ja) 磁器タイル素体の匣詰立焼法
JPH044272B2 (ja)
JPS5848560Y2 (ja) 瓦焼成用スペ−サ−櫛歯

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031216

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040202

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees