JP3507467B2 - Ic試験装置 - Google Patents

Ic試験装置

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JP3507467B2
JP3507467B2 JP2001323699A JP2001323699A JP3507467B2 JP 3507467 B2 JP3507467 B2 JP 3507467B2 JP 2001323699 A JP2001323699 A JP 2001323699A JP 2001323699 A JP2001323699 A JP 2001323699A JP 3507467 B2 JP3507467 B2 JP 3507467B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC試験装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】ICの試験では、IC試験装置から被試
験ICへ試験信号を印加し、被試験ICからの応答信号
をIC試験装置内へ取込み、被試験ICの良否判定を行
なっている。この試験信号の作成、応答信号の判定に
は、複数の時間精度の高いクロックパルスが必要であ
り、従来、図11に示すようなクロック発生回路を用い
ていた。
【0003】以下、図11に示す回路の動作を図12の
タイミングチャートを用いて説明する。周期クロック発
生回路B3では、原振B1を計数した後、計数出力を遅
延させて、サイクルごとに所望の周期R(K)、R(K
+1)を有する周期クロックB8を発生する(Kはサイ
クル数)。この所望の周期のことを設定周期とよび、予
め周期クロック発生回路B3内のメモリ等に設定、記憶
されており、必要に応じて読み出されるものである。読
みだしに必要なメモリのアドレスA(K)、A(K+
1)は(図12中には図示せず)、パターン発生回路B
2から供給される。一方、前述の試験時に必要となる高
時間精度のクロックパルスのことをエッジクロックと称
し、エッジクロック用計数回路B4,B5,…と、遅延
回路A,B,…(B6,B7,…)とによりエッジクロ
ック1,2,…(B9,B10,…)を作成する。エッ
ジクロックの設定遅延量とは、図12に示すように周期
クロックからの遅延量E1(K)〜E2(K+1)であ
り、これらも設定周期と同様に、エッジクロック用計数
回路B4、B5内に予め設定、記憶されているものであ
る。エッジクロック用計数回路B4では、設定遅延量E
1(K)に応じて、原振B1からのクロックをディジタ
ル計数し、原振周期の整数倍の長さを持つ計数クロック
1を作成する。遅延回路Aでは、この計数クロック1を
入力して、原振周期以下の遅延を行ない、所望の設定遅
延量E1(K)をもつエッジクロック1を発生する。遅
延回路Bについても同様にしてエッジクロック2を発生
する。但し、図12の示したエッジクロック2の例で
は、エッジクロックの遅延量が周期クロッックの設定周
期を越える場合(E2(K)>R(K))を示している
が、このような設定は図11の従来回路では実現できな
い。
【0004】尚、この種の装置として関連するものに
は、特開昭58−32178号、特開昭61−8102
6号、特開昭63−298076号公報、特開平3−1
31778号、特開平3−135779号の各公報記載
のものがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような遅延回路に
おいては、設定遅延量を可変する際に常に一定の時間間
隔で可変できること、即ち遅延分解能が高精度に一定で
あることが望まれるが、従来例においてはこのことが配
慮されていなかった。特に、IC試験装置の小型化を図
るために、回路をCMOSLSI化しようとした場合に
遅延回路に高い精度を要求することが困難であった。
【0006】また、図12中のエッジクロック2の設定
遅延量E2(K)に見られるように、エッジクロックの
設定が周期クロッックの設定周期R(K)を越えて設定
したい(E2(K)>R(K))場合があり、これにつ
いても従来例では配慮されていなかった。
【0007】
【0008】本発明の他の目的は、周期クロックの設定
周期を超えてエッジクロックの遅延量を設定することが
できるIC試験装置を提供することにある。
【0009】
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、 一定周期のクロックパルスを発生する原振と、 前記
原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有する
第1のクロックを生成する手段と、 前記原振からのクロ
ックパルスを用いて所望の周期を有する少なくとも一つ
の第2のクロックを生成する手段と、を備えたIC試験
装置において、 前記第1のクロック生成手段は、少なく
とも、 前記原振からのクロックパルスを計数する計数手
段と、 前記所望の周期に対応し、第一のクロックを生成
するために用いられるデータを保持する記憶手段と、
記憶手段から逐次読み出された値を累積加算する演算手
段と、 該演算手段の出力のうち、前記原振の周期の整数
倍に該当する第一の値を取り込み、該第一の値と前記計
数手段からの出力値とを比較して一致した場合に前記原
振を通過させる一致検出手段と、 該演算手段の出力のう
ち、前記原振の周期より小さい第二の値に相当する量を
取り込み、該第二の値に相当する量だけ前記一致検出手
段の出力を遅延させる遅延手段と、を用いて第1のクロ
ックを生成することを特徴とするIC試験装置、が提供
される。
【0011】また、本発明の第二の態様によれば、一定
周期のクロックパルスを発生する原振と、前記原振から
のクロックパルスを用いて所望の周期を有する第1のク
ロックを生成する手段と、前記原振からのクロックパル
スを用いて所望の周期を有する少なくとも一つの第2の
クロックを生成する手段と、を備えたIC試験装置にお
いて、前記第2のクロック生成手段は、少なくとも、
記原振からのクロックパルスを計数する計数手段と、
記所望の周期に対応し、第2のクロックを生成するため
に用いられる第1のデータを保持する第一の記憶手段
と、前記所望の周期に対応し、第2のクロックを生成す
るために用いられる第2のデータを保持する第二の記憶
手段と、該第一の記憶手段と第二の記憶手段のアドレス
を該第1のクロックに同期して格納し、該第2のクロッ
クに同期して読み出す先入れ・先出しメモリと、該第一
記憶手段から逐次読み出された値を累積加算する
手段と、演算手段の出力と第二の記憶手段の出力を加
算する加算手段と、該加算手段の出力のうち、前記原振
の周期の整数倍に該当する第一の値を取り込み、該第一
の値と前記計数手段からの出力値とを比較して一致し
場合に前記原振を通過させる一致検出手段と、該加算手
段の出力のうち、前記原振の周期より小さい第二の値に
相当する量を取り込み、該第二の値に相当する量だけ一
致検出手段の出力を遅延させる遅延段と、を用いて第
2のクロックを生成することを特徴とするIC試験装置
が提供される。
【0012】さらに、本発明の第三の態様によれば、
定周期のクロックパルスを発生する原振と、 前記原振か
らのクロックパルスを用いて所望の周期を有する第1の
クロックを生成する手段と、 前記原振からのクロックパ
ルスを用いて所望の周期を有する少なくとも一つの第2
のクロックを生成する手段と、を備えたIC試験装置に
おいて、 前記第1のクロック生成手段は、少なくとも、
前記原振からのクロックパルスを計数する計数手段と、
前記所望の周期に対応し、第一のクロックを生成するた
めに用いられるデータを保持する第1のクロック生成用
記憶手段と、 該第1のクロック生成用記憶手段から逐次
読み出された値を累積加算する第一のクロック生成用の
演算手段と、 該第一のクロック生成用の演算手段の出力
のうち、前記原振の周期の整数倍に該当する第一の値を
取り込み、該第一の値と前記計数手段からの出力値とを
比較して一致した場合に前記原振を通過させる第一のク
ロック生成用の一致検出手段と、 該第一のクロック生成
用の演算手段の出力のうち、前記原振の周期より小さい
第二の値に相当する量を取り込み、該第二の値に相当す
る量だけ第一のクロック生成用の一致検出手段の出力を
遅延させる第一のクロック生成用の遅延手段と、を用い
て第1のクロックを生成し、 前記第2のクロック生成手
段は、少なくとも、 前記計数手段と、 前記所望の周期に
対応し、第2のクロックを生成するために用いられる第
1のデータを保持する第2のクロック生成用の第一記憶
手段と、 前記所望の周期に対応し、第2のクロックを生
成するために用いられる第2のデータを保持する第2の
クロック生成用の第二記憶手段と、 該第2のクロック生
成用の第一記憶手段と第2のクロック生成用の第二記憶
手段のアドレスを該第1のクロックに同期して格納し、
該第2のクロックに同期し て読み出す先入れ・先出しメ
モリと、 該第2のクロック生成用の第一記憶手段から逐
次読み出された値を累積加算する第二のクロック生成用
の演算手段と、 第二のクロック生成用の演算手段の出力
と第二の記憶手段の出力を加算する第二のクロック生成
用の加算手段と、 該第二のクロック生成用の加算手段の
出力のうち、前記原振の周期の整数倍に該当する第一の
値を取り込み、該第一の値と前記計数手段からの出力値
とを比較して一致した場合に前記原振を通過させる第二
のクロック生成用の一致検出手段と、 該第二のクロック
生成用の加算手段の出力のうち、前記原振の周期より小
さい第二の値に相当する量を取り込み、該第二の値に相
当する量だけ該第二のクロック生成用の一致検出手段の
出力を遅延させる第二のクロック生成用の遅延手段と、
を用いて第2のクロックを生成することを特徴とするI
C試験装置が提供される。
【0013】
【0014】本発明の第二の形態及び第三の形態によれ
ば、先入れ・先出しメモリにより、設定遅延量がエッ
ジクロックを書込みクロックとして遅延を発生させる回
路部に設定されるため、周期クロックの周期に関係なく
設定遅延量を大きくすることができる。
【0015】
【0016】
【実施例】まず、図1に、本発明によるIC試験装置の
要部である、遅延回路分解能補正回路付きクロック発生
回路の構成を示す。
【0017】図1において、周期クロック発生回路10
1は、所望設定周期に応じた周期クロックを出力端子1
31に発生する。エッジクロック用計数回路102〜1
06では、公知の様にそれぞれの設定遅延量に応じて、
原振130をディジタル計数し、原振周期の整数倍の周
期を有する計数クロックを後段の遅延回路108〜11
2へ出力するものである。エッジクロック用計数回路1
02〜106では得られない微小な遅延時間は、遅延回
路108〜112で、この入力された計数クロックを、
それぞれの設定遅延量に応じて、原振周期以下の遅延量
で遅延させることにより得る。このようにして、所望の
設定遅延量を持つエッジクロックを作成し、それぞれ出
力端子132〜136へ出力する。
【0018】遅延回路108〜112の分解能精度を補
償するために、本実施例では、原振130からのクロッ
クを入力して、基準となる高精度な分解能を有する基準
クロックを作成するための基準クロック用計数回路13
7および基準遅延回路129と、基準クロックを各遅延
回路に選択的に分配する分配回路128、基準クロック
と計数クロックとを選択的に遅延回路へ入力するための
選択入力ゲート113〜117、基準クロックが入力さ
れた遅延回路と計数クロックが入力された遅延回路に接
続され、基準クロックと計数クロックとの位相一致を検
出する位相検出回路125〜127、位相一致検出のた
めの遅延回路へのデータを設定し、位相一致が検出され
たときの設定データを記憶するためのデータ制御保持回
路119〜123が設けられる。
【0019】図4に、データ制御保持回路119の構成
例を示す。このデータ制御保持回路119は、周期クロ
ックを計数するカウンタ119aと、遅延回路108の
高精度分解能を保証する設定データを格納するメモリ1
19bと、このメモリのアドレスを出力するアドレスカ
ウンタ119cと、カウンタ119aまたはメモリ11
9bの出力を選択して遅延回路108へ供給するセレク
タ119dからなる。セレクタ119dは図示しない制
御レジスタ等によって、遅延回路の設定データの決定時
にはカウンタ119aの出力を選択し、実際のIC試験
時にはメモリ119bの出力を選択するよう切換制御さ
れる。IC試験時には図示しないアドレス設定手段によ
りメモリ119bにアドレスが与えられる。
【0020】以下の説明では便宜上、出力端子132、
133から出力されるエッジクロックの分解能を補正す
る場合について述べる。基準クロック用計数回路137
はエッジクロック用計数回路102等が出力する計数ク
ロックと同一周期となるように設定されており、基準遅
延回路129は、補正に先だって必要とされる分解能の
クロックが高精度に作成できるように事前補正されてい
る。
【0021】このようにして作成された基準クロックは
分配回路128に入力され、まず、遅延回路108には
エッジクロック計数回路102からの計数クロックが供
給され、遅延回路109には分配回路128から基準ク
ロックが供給されるように、エッジクロック用計数回路
103の出力と分配回路出力128ー2とが共にローレ
ベルに制御される。この後、データ制御保持回路119
から遅延回路108へ一連の、例えばビットサーチ用の
データ(図4では周期クロックの計数値)を順次供給
し、位相検出回路125により計数クロックと基準クロ
ックとの位相一致が検出されるまで、遅延回路108に
よる計数クロックの遅延量を変化させる。計数クロック
と基準クロックとの位相一致が検出された時の遅延回路
108へのデータを検知し、このデータをデータ制御保
持回路119に記憶する。すなわち、図4のデータ制御
保持回路119では、位相一致検出信号202Aに従っ
て、その時点のカウンタ119aの計数出力がメモリ1
19bに格納される。これと共に、カウンタ119aが
次のビットサーチ用データの生成のためにリセットされ
る。同時にアドレスカウンタ119cがインクリメント
される。カウンタ119aをリセットして再度計数を始
めるのは、後述するような低精度の遅延回路を用いたと
きに、遅延回路に与える制御データの大きさと得られる
遅延量とは比例しないだけでなく、部分的には制御デー
タの増加に対して遅延量が減少するような場合も考えれ
らるからである。
【0022】次に、基準遅延回路129の設定遅延量を
補正したい分解能の量だけ増加して設定する。その後、
先述と同様に、データ制御保持回路119により遅延回
路108から出力される計数クロックの遅延量を変化さ
せて、位相検出回路125により計数クロックと基準ク
ロックの位相一致が検出された時の遅延回路108に与
えたデータを検知し、このデータをデータ制御保持回路
118に記憶する。以降、順次同様に、基準遅延回路1
29の設定遅延量を所望分解能に応じて増加し、一致検
出時の遅延回路108の設定データを記憶する動作を繰
返して行なうことにより、出力端子132より出力され
るエッジクロックの分解能の補正が行なわれる。このよ
うに、位相一致検出時に遅延回路108に与えた設定デ
ータを記憶しておき、必要時にこの設定データを用いれ
ば正確な分解能でクロックを出力することが可能とな
る。
【0023】一方、遅延回路109の分解能補正は、遅
延回路109に計数クロックが入力され、遅延回路10
8に基準クロックが入力されるようにしておき、以上の
説明と同様の手順でおこなえばよい。
【0024】本実施例によれば、エッジクロックの分解
能補正を、全エッジクロックの半数ずつ同時に実行する
ことができ、補正に要する時間を短縮できる。
【0025】なお、位相検出回路125に入力される計
数クロックの数を単一としたが、信号セレクタ等をもち
いて、1つの検出回路に複数の計数クロックを選択的に
入力して補正動作を行なうこともできる。図2はこのよ
うな構成を有する本発明の他の実施例を示す。図1と同
一の部分には同一の番号を付してある。本実施例では、
検出回路202が1つだけ設けられ、補正されるべきエ
ッジクロック132〜136は信号セレクタ201によ
り選択的に検出回路202に入力される。本実施例にお
ける補正動作は、先の実施例の場合と異なり、遅延回路
108から遅延回路112まで、順次行なわれる。
【0026】さらに、基準クロック用計数回路137、
基準遅延回路129、および検出回路125を複数個設
け、補正を並列に行なうことも可能である。
【0027】このようなクロックパルスを発生するため
の実施例について、図3、図13〜図15を用いて説明
する。発生しようとするクロックは、図13,14に示
す周期クロック321およびエッジクロック322であ
る。これらのクロックの発生に先だって、周期クロック
321では所望の設定周期R(K)が、エッジクロック
322では周期クロックからの設定遅延量E(K)が決
定され、設定周期R(K)および設定遅延量E(K)
は、予めメモリA307、メモリC312にそれぞれ格
納されている(K=1、2、3...N...)。尚、メモリ
B311は、メモリAと同一の内容(設定周期)が格納
されているものである。本例では、これら設定値R
(K)、E(K)を、図15に示す様に便宜的に原振周
期tの任意数倍で表し、設定されているものとする。な
お、本実施例を図1の実施例と組み合わせ、遅延回路3
05、318等は図1で説明した手順により予め分解能
を補正しておくことができる。
【0028】図3に示すように本例では、原振301か
らのクロックパルスを計数するためのカウンタ302が
設けられ、カウンタ出力は一致回路A303、一致回路
B316に入力される。一方、メモリA307では、ラ
ッチA306を介して設定周期が格納されているアドレ
ス(図13,14中、A(K))が供給され、このアド
レスに従って設定周期R(K)が、加算回路A308、
ラッチB309で構成される演算回路へ読み出される。
この演算回路は、メモリAから読み出される設定周期を
順次加算し、累積しておくためのものである。演算回路
の出力(ラッチB309の出力)は遅延回路A305の
遅延量を制御する。一致回路A303では、演算回路の
出力値(図13,14中、C(K))とカウンタ出力値
との一致が見られた場合に、ゲートA304を開き原振
クロックを通過させることにより、原振周期の整数倍の
クロックを作成し、遅延回路A305に入力する。遅延
回路A305では、原振周期以下の遅延量が設定されて
おり、所望の設定周期を有する周期クロック321が作
成される。例えば、設定周期R(N)=1.75tに相
当する周期クロックを発生する場合には、演算回路の出
力値C(N)は12.25t=12t+0.25tであ
り、カウンタ302の出力値が12となった時に一致回
路A302で一致が検出されゲートA303よりクロッ
クパルスが出力される。この時、遅延回路Aには0.2
5tの遅延量が設定されており、この設定値に応じてク
ロックパルスが遅延され、周期1.75tの周期パルス
321が出力される。
【0029】エッジクロック322の発生に関しては、
設定周期R(K)及び設定遅延量E(K)が格納されて
いるメモリB311、メモリC312のアドレスが、周
期クロック321に同期して先入れ・先出し(FIF
O)メモリ310へ書き込まれ、エッジクロック322
が与えるタイミングで出力され、メモリB311、メモ
リC312から、設定周期R(K)及び設定遅延量E
(K)が読み出される。加算回路B313とラッチC3
14で構成される演算回路では、前述と同様にKー1番
目までの設定周期の加算と累積が行なわれ、この累積値
が加算回路C315により設定遅延量E(K)と加算さ
れ、その出力値D(K)とカウンタ302の出力値との
一致が、一致回路B316により検出される。ゲートB
317は一致が検出された時に開き、原振301からの
クロックパルスを通過させ、原振周期の整数倍の周期を
有するクロックを作成し、遅延回路B318により原振
周期以下の遅延を行なって、所望のエッジクロック32
2を得る。遅延回路B318の遅延量は加算回路C31
5の出力値D(K)により制御される。例えば、図13
〜図15に示す、設定周期R(N)=1.75tに対し
て設定遅延量E(N)=2tのエッジクロックを発生す
る場合には、加算回路C315の出力値D(N)は1
2.5t=12t+0.5tであり、カウンタ302の出
力値が12となった時に一致回路B316で一致が検出
され、ゲートB317からクロックパルスが出力され
る。この時、遅延回路B318には、0.5tの遅延量
が設定されており、この設定値に応じてクロックパルス
が遅延され、設定遅延量2tのエッジクロック322が
出力される。また、この場合には、エッジクロックに同
期してデータ(メモリB,Cのアドレス)を出力する先
入れ・先出しメモリ310を設けたことにより、N番目
のエッジクロック322の設定遅延量E(N)を、周期
クロック321のN番目の設定周期R(N)よりも大き
な値とすることができ、N+1番目の周期クロックより
も時間的にうしろに設定することが可能となっている。
本例では、エッジクロックの設定は、先入れ・先出しメ
モリの深さをM段とすれば、N+Mー1番目の周期クロ
ックよりも後ろに設定することが可能である。
【0030】図5は本発明の他の実施例であり、図3と
同一の部分には同一番号を付してある。本実施例では、
前述のメモリB311および、加算回路B313とラッ
チC314で構成される演算回路のかわりに、第2の先
入れ・先出しメモリ501が設けられる。先入れ・先出
しメモリ501には、周期クロック側の累積値が、周期
クロック321により書き込まれ、エッジクロック32
2により読み出されるため、加算回路C315からは前
述と同様の演算結果が得られエッジクロックを発生する
ことが可能である。
【0031】以上の実施例における遅延回路は、例えば
図6〜図10に示される回路構成で実現できる。図6に
おいて、本例による遅延回路には遅延されるべきパルス
が、緩衝回路である入力用インバータ605を経て次段
のインバータ606に入力される。インバータ606の
Pチャネルトランジスタ(以下、PーCHトランジスタ
とする)606aと電源VCCとの間には、それぞれ直
列接続数が1、2、3、および4であるPーCHトラン
ジスタ列601、602、603、および604が並列
に接続された遅延制御回路と、制御入力609〜612
が設けられている。従って、制御入力609〜612の
いずれかにローレベル論理信号を与えることにより、対
応したトランジスタ列毎にオン状態とし、インバータ6
06と電源VCC間を、PーCHトランジスタのオン抵
抗を介して導通状態とすることができ、ローレベル論理
信号の与え方により遅延制御回路内のオン抵抗の値を変
えることが可能である。一方、インバータ606に入力
されるパルスの遅延時間は近似的に、インバータ606
のPーCHトランジスタと遅延制御回路と出力用インバ
ータ607の入力までで構成される回路の時定数に比例
したものとなるため、制御入力609〜612に入力す
るローレベル論理信号の与え方を変えれば、異なったオ
ン抵抗の値に応じて、異なった遅延量を持つパルスがイ
ンバータ606より出力される。一例として、制御入力
612にローレベル論理信号を与え、制御入力609〜
611にハイレベル論理信号を与えた場合には、トラン
ジスタ列604だけがオン状態となり、1つのPーCH
トランジスタのオン抵抗をRとおくと、インバータ60
6と電源VCCは4Rの抵抗を介して接続されたことに
なり、インバータ606のPーCHトランジスタと直列
接続されるため、オン抵抗の総和は5Rである。これに
対して、制御入力611だけにローレベル論理信号を入
力した場合には、オン抵抗の総和は3R+R=4Rとな
る。従って、この2つの場合に得られる入力パルスの遅
延時間の差は、オン抵抗の変化分のみで決定し、5Rー
4R=Rに対応した遅延時間差が得られることになる。
図16に、本実施例で得られるオン抵抗の、全ての組み
合せについて示す。図16において、Aはトランジスタ
列601を、Bはトランジスタ列602を、Cはトラン
ジスタ列603を、Dはトランジスタ列604を表すも
のであり、A^B^Cは、トランジスタ列601、60
2、603がオン状態となり、並列に接続されたことを
示す。以上のようにして遅延された入力パルスは、出力
回路であるインバータ607に入力され、正規の論理電
圧レベルを有するパルスに復元され出力される。本遅延
回路では縦続に接続するか、あるいは、遅延制御回路内
の直並列に設けたトランジスタの個数を適宜変えること
により、より大きな遅延時間幅またはより小さな遅延時
間差を得ることが可能である。
【0032】図6における第2出力用インバータ608
は、遅延制御回路内の直列トランジスタ列の導通を個別
に試験するために設けられたものである。例えば、まず
制御入力611だけにローレベル論理信号を与えた後、
入力616にローレベル信号を与えた時に、出力615
がハイレベルとなることによりトランジスタ列603が
導通したことを検知する。次に入力616にハイレベル
論理信号を与えて、出力615をローレベルとした後、
次に制御入力609〜612の全てにハイレベル論理信
号を入力し、入力613にローレベル論理信号を入力し
ても、出力615がローレベルのままであることを確認
した後に、制御入力612にローレベル論理信号を、入
力616にローレベル論理信号を順次与えて、出力61
5がハイレベルとなることを検知することによりトラン
ジスタ列604の導通を試験することができる。
【0033】図7〜図10は、遅延回路の他の構成例を
示すものであり、図6と同一部分には同一番号を付して
ある。図7の例では制御入力が直列トランジスタ列の1
つだけに入力され、他のトランジスタのゲート電極は接
地されている場合である。これにより、遅延時間設定の
切換を高速に行える。図8、図9は、直列トランジスタ
列601〜604による第1遅延制御回路と、これに直
列に設けられた第2遅延制御回路801が、インバータ
606の出力と電源との間に設けられたものである。図
10は、図8の例において第2遅延制御回路を設けず
に、第1遅延制御回路を直接インバータ出力に接続した
例である。尚、以上の説明では遅延制御回路をPーCH
トランジスタにより構成したが、NーCHトランジスタ
を用いても同様に構成できる。
【0034】
【発明の効果】本発明によるIC試験装置によれば、
ッジクロックの遅延量を周期クロックの周期を越えて
定することができる
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるIC試験装置における分解能補正
回路付きクロック発生回路の一例のブロック図である。
【図2】本発明における分解能補正回路付きクロック発
生回路の他の例を示すブロック図である。
【図3】図1、図2に示したクロック発生回路の一例の
ブロック図である。
【図4】図1、図2に示したデータ制御保持回路の一例
のブロック図である。
【図5】クロック発生回路の他の例を示すブロック図で
ある。
【図6】図1、図2に示した遅延回路の一構成例の回路
図である。
【図7】遅延回路の第2の構成例の回路図である。
【図8】遅延回路の第3の構成例の回路図である。
【図9】遅延回路の第4の構成例の回路図である。
【図10】遅延回路の第5の構成例の回路図である。
【図11】従来例を示す構成図である。
【図12】従来例における所望のタイムチャートであ
る。
【図13】本発明におけるクロック発生回路のタイムチ
ャートの一部である。
【図14】図13のタイムチャートに続くタイムチャー
トの他の部分である。
【図15】図3に示すクロック発生回路における各設定
値の説明図である。
【図16】図6に示す遅延回路における各抵抗値の説明
図である。
【符号の説明】
102〜106…エッジクロック用計数回路、129…
基準遅延回路、128…分配回路、125〜127…位
相一致回路、108〜112…遅延回路、119〜12
3…データ制御保持回路。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一定周期のクロックパルスを発生する原振
    と、 前記原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有
    する第1のクロックを生成する手段と、前記原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有
    する少なくとも一つの 第2のクロックを生成する手段
    と、を備えたIC試験装置において、 前記第1クロック生成手段は、少なくとも、 前記原振からのクロックパルスを計数する計数手段と、 前記所望の周期に対応し、第一のクロックを生成するた
    めに用いられるデータを保持する記憶手段と、 記憶手段から逐次読み出された値を累積加算する
    手段と、 演算手段の出力のうち、前記原振の周期の整数倍に該
    当する第一の値を取り込み、該第一の値と前記計数手段
    からの出力とを比較して一致した場合に前記原振を通
    過させる一致検出手段と、該演算手段の出力のうち、前記原振の周期より小さい第
    二の値に相当する量を取り込み、該第二の値に相当する
    量だけ前記一致検出手段の出力を遅延させる 遅延手段
    と、を用いて第1のクロックを生成する ことを特徴とするI
    C試験装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載のIC試験装置であって、 前記演算手段は、加算回路とラッチ回路とを有し、 該加算回路は、該記憶手段から読み出された値と、該該
    記憶手段が読み出された時に該ラッチ回路から出力され
    た値とを加算し、該ラッチ回路に出力することを特徴と
    するIC試験装置。
  3. 【請求項3】請求項2に記載のIC試験装置であって、 前記ラッチ回路は、前記遅延手段の出力に同期させて前
    記加算回路からの出力を通過させることを特徴とするI
    C試験装置。
  4. 【請求項4】一定周期のクロックパルスを発生する原振
    と、 前記原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有
    する第1のクロックを生成する手段と、 前記原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有
    する少なくとも一つの第2のクロックを生成する手段
    と、を備えたIC試験装置において、 前記第2のクロック生成手段は、少なくとも、 前記原振からのクロックパルスを計数する計数手段と、 前記所望の周期に対応し、第2のクロックを生成するた
    めに用いられる第1のデータを保持する第一の記憶手段
    と、 前記所望の周期に対応し、第2のクロックを生成するた
    めに用いられる第2のデータを保持する第二の記憶手段
    と、 該第一の記憶手段と第二の記憶手段のアドレスを該第1
    のクロックに同期して格納し、該第2のクロックに同期
    して読み出す先入れ・先出しメモリと、 該第一の記憶手段から逐次読み出された値を累積加算す
    る演算手段と、 該演算手段の出力と第二の記憶手段の出力を加算する加
    算手段と、 該加算手段の出力のうち、前記原振の周期の整数倍に該
    当する第一の値を取り込み、該第一の値と前記計数手段
    からの出力値とを比較して一致した場合に前記原振を通
    過させる一致検出手段と、 該加算手段の出力のうち、前記原振の周期より小さい第
    二の値に相当する量を取り込み、該第二の値に相当する
    量だけ一致検出手段の出力を遅延させる遅延手段と、 を用いて第2のクロックを生成することを特徴とするI
    C試験装置。
  5. 【請求項5】請求項4に記載のIC試験装置であって、 前記演算手段は、加算回路とラッチ回路とを有し、 該加算回路は、該第一の記憶手段から読み出された値
    と、該第一の記憶手段が読み出された時に該ラッチ回路
    から出力された値とを加算し、該ラッチ回路に出力する
    ことを特徴とするIC試験装置。
  6. 【請求項6】請求項5に記載のIC試験装置であって、 前記ラッチ回路は、前記遅延手段の出力に同期させて前
    記加算回路からの出力を通過させることを特徴とするI
    C試験装置。
  7. 【請求項7】一定周期のクロックパルスを発生する原振
    と、 前記原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有
    する第1のクロックを生成する手段と、 前記原振からのクロックパルスを用いて所望の周期を有
    する少なくとも一つの第2のクロックを生成する手段
    と、を備えたIC試験装置において、 前記第1のクロック生成手段は、少なくとも、 前記原振からのクロックパルスを計数する計数手段と、 前記所望の周期に対応し、第一のクロックを生成するた
    めに用いられるデータを保持する第1のクロック生成用
    記憶手段と、 該第1のクロック生成用記憶手段から逐次読み出された
    値を累積加算する第一のクロック生成用の演算手段と、 該第一のクロック生成用の演算手段の出力のうち、前記
    原振の周期の整数倍に該当する第一の値を取り込み、該
    第一の値と前記計数手段からの出力値とを比較して一致
    した場合に前記原振を通過させる第一のクロック生成用
    の一致検出手段と、 該第一のクロック生成用の演算手段の出力のうち、前記
    原振の周期より小さい第二の値に相当する量を取り込
    み、該第二の値に相当する量だけ第一のクロック生成用
    の一致検出手段の出力を遅延させる第一のクロック生成
    用の遅延手段と、を用いて第1のクロックを生成し、 前記第2のクロック生成手段は、少なくとも、 前記計数手段と、 前記所望の周期に対応し、第2のクロックを生成するた
    めに用いられる第1のデータを保持する第2のクロック
    生成用の第一記憶手段と、 前記所望の周期に対応し、第2のクロックを生成するた
    めに用いられる第2の データを保持する第2のクロック
    生成用の第二記憶手段と、 該第2のクロック生成用の第一記憶手段と第2のクロッ
    ク生成用の第二記憶手段のアドレスを該第1のクロック
    に同期して格納し、該第2のクロックに同期して読み出
    す先入れ・先出しメモリと、 該第2のクロック生成用の第一記憶手段から逐次読み出
    された値を累積加算する第二のクロック生成用の演算手
    段と、 第二のクロック生成用の演算手段の出力と第二の記憶手
    段の出力を加算する第二のクロック生成用の加算手段
    と、 該第二のクロック生成用の加算手段の出力のうち、前記
    原振の周期の整数倍に該当する第一の値を取り込み、該
    第一の値と前記計数手段からの出力値とを比較して一致
    した場合に前記原振を通過させる第二のクロック生成用
    の一致検出手段と、 該第二のクロック生成用の加算手段の出力のうち、前記
    原振の周期より小さい第二の値に相当する量を取り込
    み、該第二の値に相当する量だけ該第二のクロック生成
    用の一致検出手段の出力を遅延させる第二のクロック生
    成用の遅延手段と、を用いて第2のクロックを生成する
    ことを特徴とするIC試験装置。
  8. 【請求項8】請求項7に記載のIC試験装置であって、 前記第2のクロック生成用の第一記憶手段および第二の
    クロック生成用の演算手段に代えて、第二の先入れ・先
    出しメモリを設け、 該第二の先入れ・先出しメモリは、該第一のクロック生
    成用の演算手段の出力を第1のクロックに同期して格納
    し、かつ該第2のクロックに同期して読み出すことを特
    徴とするIC試験装置。
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