JP2002196049A - Ic試験装置 - Google Patents

Ic試験装置

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JP2002196049A
JP2002196049A JP2001323699A JP2001323699A JP2002196049A JP 2002196049 A JP2002196049 A JP 2002196049A JP 2001323699 A JP2001323699 A JP 2001323699A JP 2001323699 A JP2001323699 A JP 2001323699A JP 2002196049 A JP2002196049 A JP 2002196049A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】分解能精度が低い遅延回路を用いても高分解能
のクロックを発生する。 【構成】IC試験装置は、一定周期クロックパルスの原
振130、クロックパルスに基き所望周期で第1クロック
を発生する手段101、クロックパルスを計数し、原振周
期の整数倍の周期で計数クロックを発生する計数回路10
2〜106、各計数クロックを遅延させて第2クロックを発
生する遅延回路108〜112、高精度な時間分解能を有し、
クロックパルスに基き基準クロックを発生する基準クロ
ック発生手段137,129、基準クロックを任意遅延回路へ
分配する分配手段128、計数クロック及び基準クロック
を遅延回路に選択的に入力する選択入力手段113〜117、
1対の遅延回路の出力(第2クロック、基準クロック)の
位相一致を検出する位相検出手段125〜127、第2クロッ
ク側遅延回路へ与えるデータを可変すると共に位相一致
が検出された第2クロック側遅延回路に与えたデータを
保持する手段119を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC試験装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】ICの試験では、IC試験装置から被試
験ICへ試験信号を印加し、被試験ICからの応答信号
をIC試験装置内へ取込み、被試験ICの良否判定を行
なっている。この試験信号の作成、応答信号の判定に
は、複数の時間精度の高いクロックパルスが必要であ
り、従来、図11に示すようなクロック発生回路を用い
ていた。
【0003】以下、図11に示す回路の動作を図12の
タイミングチャートを用いて説明する。周期クロック発
生回路B3では、原振B1を計数した後、計数出力を遅
延させて、サイクルごとに所望の周期R(K)、R(K
+1)を有する周期クロックB8を発生する(Kはサイ
クル数)。この所望の周期のことを設定周期とよび、予
め周期クロック発生回路B3内のメモリ等に設定、記憶
されており、必要に応じて読み出されるものである。読
みだしに必要なメモリのアドレスA(K)、A(K+
1)は(図12中には図示せず)、パターン発生回路B
2から供給される。一方、前述の試験時に必要となる高
時間精度のクロックパルスのことをエッジクロックと称
し、エッジクロック用計数回路B4,B5,…と、遅延
回路A,B,…(B6,B7,…)とによりエッジクロ
ック1,2,…(B9,B10,…)を作成する。エッ
ジクロックの設定遅延量とは、図12に示すように周期
クロックからの遅延量E1(K)〜E2(K+1)であ
り、これらも設定周期と同様に、エッジクロック用計数
回路B4、B5内に予め設定、記憶されているものであ
る。エッジクロック用計数回路B4では、設定遅延量E
1(K)に応じて、原振B1からのクロックをディジタ
ル計数し、原振周期の整数倍の長さを持つ計数クロック
1を作成する。遅延回路Aでは、この計数クロック1を
入力して、原振周期以下の遅延を行ない、所望の設定遅
延量E1(K)をもつエッジクロック1を発生する。遅
延回路Bについても同様にしてエッジクロック2を発生
する。但し、図12の示したエッジクロック2の例で
は、エッジクロックの遅延量が周期クロッックの設定周
期を越える場合(E2(K)>R(K))を示している
が、このような設定は図11の従来回路では実現できな
い。
【0004】尚、この種の装置として関連するものに
は、特開昭58−32178号、特開昭61−8102
6号、特開昭63−298076号公報、特開平3−1
31778号、特開平3−135779号の各公報記載
のものがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような遅延回路に
おいては、設定遅延量を可変する際に常に一定の時間間
隔で可変できること、即ち遅延分解能が高精度に一定で
あることが望まれるが、従来例においてはこのことが配
慮されていなかった。特に、IC試験装置の小型化を図
るために、回路をCMOSLSI化しようとした場合に
遅延回路に高い精度を要求することが困難であった。
【0006】また、図12中のエッジクロック2の設定
遅延量E2(K)に見られるように、エッジクロックの
設定が周期クロッックの設定周期R(K)を越えて設定
したい(E2(K)>R(K))場合があり、これにつ
いても従来例では配慮されていなかった。
【0007】本発明の目的は、低精度の分解能を有する
遅延回路を用いた場合であっても遅延回路の遅延分解能
を高精度に設定することができるIC試験装置を提供す
ることにある。
【0008】本発明の他の目的は、周期クロックの設定
周期を超えてエッジクロックの遅延量を設定することが
できるIC試験装置を提供することにある。
【0009】本発明のさらに他の目的は、小型のIC試
験装置実現に適した遅延回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるIC試験装置は、一定周期のクロック
パルスを発生する原振と、該原振からのクロックパルス
を入力し所望周期の第1クロックを発生する手段と、該
原振からのクロックパルスを計数して、該原振周期の整
数倍の周期を有する複数の計数クロックを作成する複数
の計数回路と、該複数の計数クロックをそれぞれ遅延さ
せることにより複数の第2クロックを発生する複数の遅
延回路とを備えたIC試験装置において、高精度な時間
分解能を有し、前記原振からのクロックを入力して、補
正の基準となる基準クロックを発生する基準クロック発
生手段と、該基準クロックを任意の前記遅延回路へ分配
する分配手段と、前記遅延回路の入力側に設けられ、該
遅延回路へ当該計数クロックおよび前記基準クロックの
どちらかを選択的に入力するための選択入力手段と、そ
れぞれ1対の遅延回路の出力が接続され、両遅延回路を
それぞれ通過した第2クロックと基準クロックの位相一
致を検出する複数の位相検出手段と、前記第2クロック
側の遅延回路に与えるデータを可変する制御手段と、前
記位相検出手段による一致検出時の第2クロック側の遅
延回路に与えたデータを記憶保持する記憶手段と、を具
備したものである。
【0011】本発明による他のIC試験装置は、一定周
期のクロックパルスを発生する原振と、該原振からのク
ロックパルスを入力し所望の周期を有する第1クロック
を発生する手段と、該第1クロックから所望の遅延量だ
け遅延した複数の第2クロックを作成する手段とを備え
たIC試験装置において、第1クロックの発生手段は、
前記原振からのクロックパルスを計数する計数手段と、
所望の周期に対応したデータを保持する第1記憶手段か
ら逐次読み出されたデータを累積加算する第1の演算手
段と、該第1演算手段と前記計数手段の両出力を比較し
一致を検出する第1の一致検出手段と、一致が検出され
た時に前記原振からのクロックパルスを入力して遅延す
る第1の遅延制御手段とにより構成され、第2クロック
の発生手段は、前記第1の記憶手段と同じ内容のデータ
が格納されている第2の記憶手段と、第2クロックの所
望の遅延量が格納された第3の記憶手段と、第2、第3
の記憶手段のアドレスを前記第1クロックに同期して格
納し、前記第2クロックに同期して読み出す先入れ・先
出しメモリと、前記第2の記憶手段から読み出されたデ
ータを累積加算する第2の演算手段と、該第2の演算手
段の出力と前記第3の記憶手段からのデータとを加算す
る加算手段と、該加算手段と前記計数手段の両出力を比
較し一致を検出する第2の一致検出手段と、一致が検出
された時に原振からのクロックパルスを入力して遅延す
る第2の遅延制御手段により構成されるものである。
【0012】また、本発明による主たる遅延回路は、遅
延されるべき信号が入力される入力手段と、該入力手段
に接続され、CMOSトランジスタで構成されるインバ
ータと、該インバータで遅延された信号が出力される出
力手段と、前記インバータと電源またはグランドとの間
に設けた、少なくとも1つ以上のMOSトランジスタが
直列に接続されたトランジスタ列を少なくとも2列以上
並列に接続した遅延制御回路部とを備え、該遅延制御回
路部の各MOSトランジスタのゲート電極には、前記直
列に接続されたトランジスタ列のいずれを導通するかを
決定する制御信号が印加されるようにしたものである。
【0013】
【作用】高精度な分解能を有する基準遅延回路から出力
される基準クロックと、第2クロック(エッジクロッ
ク)との位相合わせを行なって、位相一致時のエッジク
クロックに与えたデータを補正データとして用いるた
め、エッジクロック生成用の遅延回路の分解能を高精度
化できる。
【0014】また、先入れ・先出しメモリにより、設定
遅延量がエッジクロックを書き込みクロックとして遅延
を発生させる回路部に設定できるため、周期クロックの
周期に関係無く設定遅延量を大きくすることができる。
【0015】また、遅延回路は、少なくとも1つ以上の
MOSトランジスタが直列に接続されたトランジスタ列
を少なくとも2列以上並列に接続した遅延制御回路部を
インバータの負荷抵抗として設け、どのトランジスタ列
を選択するかによって、オン抵抗の総和の相違によって
インバータの異なる遅延時間を得ることができる。MO
Sトランジスタの使用により、回路の高集積化が可能に
なり、IC試験装置の小型化が図れる。この遅延回路の
分解能精度は低いが、この問題は上述した分解能補正手
法により解決することができる。
【0016】
【実施例】まず、図1に、本発明によるIC試験装置の
要部である、遅延回路分解能補正回路付きクロック発生
回路の構成を示す。
【0017】図1において、周期クロック発生回路10
1は、所望設定周期に応じた周期クロックを出力端子1
31に発生する。エッジクロック用計数回路102〜1
06では、公知の様にそれぞれの設定遅延量に応じて、
原振130をディジタル計数し、原振周期の整数倍の周
期を有する計数クロックを後段の遅延回路108〜11
2へ出力するものである。エッジクロック用計数回路1
02〜106では得られない微小な遅延時間は、遅延回
路108〜112で、この入力された計数クロックを、
それぞれの設定遅延量に応じて、原振周期以下の遅延量
で遅延させることにより得る。このようにして、所望の
設定遅延量を持つエッジクロックを作成し、それぞれ出
力端子132〜136へ出力する。
【0018】遅延回路108〜112の分解能精度を補
償するために、本実施例では、原振130からのクロッ
クを入力して、基準となる高精度な分解能を有する基準
クロックを作成するための基準クロック用計数回路13
7および基準遅延回路129と、基準クロックを各遅延
回路に選択的に分配する分配回路128、基準クロック
と計数クロックとを選択的に遅延回路へ入力するための
選択入力ゲート113〜117、基準クロックが入力さ
れた遅延回路と計数クロックが入力された遅延回路に接
続され、基準クロックと計数クロックとの位相一致を検
出する位相検出回路125〜127、位相一致検出のた
めの遅延回路へのデータを設定し、位相一致が検出され
たときの設定データを記憶するためのデータ制御保持回
路119〜123が設けられる。
【0019】図4に、データ制御保持回路119の構成
例を示す。このデータ制御保持回路119は、周期クロ
ックを計数するカウンタ119aと、遅延回路108の
高精度分解能を保証する設定データを格納するメモリ1
19bと、このメモリのアドレスを出力するアドレスカ
ウンタ119cと、カウンタ119aまたはメモリ11
9bの出力を選択して遅延回路108へ供給するセレク
タ119dからなる。セレクタ119dは図示しない制
御レジスタ等によって、遅延回路の設定データの決定時
にはカウンタ119aの出力を選択し、実際のIC試験
時にはメモリ119bの出力を選択するよう切換制御さ
れる。IC試験時には図示しないアドレス設定手段によ
りメモリ119bにアドレスが与えられる。
【0020】以下の説明では便宜上、出力端子132、
133から出力されるエッジクロックの分解能を補正す
る場合について述べる。基準クロック用計数回路137
はエッジクロック用計数回路102等が出力する計数ク
ロックと同一周期となるように設定されており、基準遅
延回路129は、補正に先だって必要とされる分解能の
クロックが高精度に作成できるように事前補正されてい
る。
【0021】このようにして作成された基準クロックは
分配回路128に入力され、まず、遅延回路108には
エッジクロック計数回路102からの計数クロックが供
給され、遅延回路109には分配回路128から基準ク
ロックが供給されるように、エッジクロック用計数回路
103の出力と分配回路出力128ー2とが共にローレ
ベルに制御される。この後、データ制御保持回路119
から遅延回路108へ一連の、例えばビットサーチ用の
データ(図4では周期クロックの計数値)を順次供給
し、位相検出回路125により計数クロックと基準クロ
ックとの位相一致が検出されるまで、遅延回路108に
よる計数クロックの遅延量を変化させる。計数クロック
と基準クロックとの位相一致が検出された時の遅延回路
108へのデータを検知し、このデータをデータ制御保
持回路119に記憶する。すなわち、図4のデータ制御
保持回路119では、位相一致検出信号202Aに従っ
て、その時点のカウンタ119aの計数出力がメモリ1
19bに格納される。これと共に、カウンタ119aが
次のビットサーチ用データの生成のためにリセットされ
る。同時にアドレスカウンタ119cがインクリメント
される。カウンタ119aをリセットして再度計数を始
めるのは、後述するような低精度の遅延回路を用いたと
きに、遅延回路に与える制御データの大きさと得られる
遅延量とは比例しないだけでなく、部分的には制御デー
タの増加に対して遅延量が減少するような場合も考えれ
らるからである。
【0022】次に、基準遅延回路129の設定遅延量を
補正したい分解能の量だけ増加して設定する。その後、
先述と同様に、データ制御保持回路119により遅延回
路108から出力される計数クロックの遅延量を変化さ
せて、位相検出回路125により計数クロックと基準ク
ロックの位相一致が検出された時の遅延回路108に与
えたデータを検知し、このデータをデータ制御保持回路
118に記憶する。以降、順次同様に、基準遅延回路1
29の設定遅延量を所望分解能に応じて増加し、一致検
出時の遅延回路108の設定データを記憶する動作を繰
返して行なうことにより、出力端子132より出力され
るエッジクロックの分解能の補正が行なわれる。このよ
うに、位相一致検出時に遅延回路108に与えた設定デ
ータを記憶しておき、必要時にこの設定データを用いれ
ば正確な分解能でクロックを出力することが可能とな
る。
【0023】一方、遅延回路109の分解能補正は、遅
延回路109に計数クロックが入力され、遅延回路10
8に基準クロックが入力されるようにしておき、以上の
説明と同様の手順でおこなえばよい。
【0024】本実施例によれば、エッジクロックの分解
能補正を、全エッジクロックの半数ずつ同時に実行する
ことができ、補正に要する時間を短縮できる。
【0025】なお、位相検出回路125に入力される計
数クロックの数を単一としたが、信号セレクタ等をもち
いて、1つの検出回路に複数の計数クロックを選択的に
入力して補正動作を行なうこともできる。図2はこのよ
うな構成を有する本発明の他の実施例を示す。図1と同
一の部分には同一の番号を付してある。本実施例では、
検出回路202が1つだけ設けられ、補正されるべきエ
ッジクロック132〜136は信号セレクタ201によ
り選択的に検出回路202に入力される。本実施例にお
ける補正動作は、先の実施例の場合と異なり、遅延回路
108から遅延回路112まで、順次行なわれる。
【0026】さらに、基準クロック用計数回路137、
基準遅延回路129、および検出回路125を複数個設
け、補正を並列に行なうことも可能である。
【0027】このようなクロックパルスを発生するため
の実施例について、図3、図13〜図15を用いて説明
する。発生しようとするクロックは、図13,14に示
す周期クロック321およびエッジクロック322であ
る。これらのクロックの発生に先だって、周期クロック
321では所望の設定周期R(K)が、エッジクロック
322では周期クロックからの設定遅延量E(K)が決
定され、設定周期R(K)および設定遅延量E(K)
は、予めメモリA307、メモリC312にそれぞれ格
納されている(K=1、2、3...N...)。尚、メモリ
B311は、メモリAと同一の内容(設定周期)が格納
されているものである。本例では、これら設定値R
(K)、E(K)を、図15に示す様に便宜的に原振周
期tの任意数倍で表し、設定されているものとする。な
お、本実施例を図1の実施例と組み合わせ、遅延回路3
05、318等は図1で説明した手順により予め分解能
を補正しておくことができる。
【0028】図3に示すように本例では、原振301か
らのクロックパルスを計数するためのカウンタ302が
設けられ、カウンタ出力は一致回路A303、一致回路
B316に入力される。一方、メモリA307では、ラ
ッチA306を介して設定周期が格納されているアドレ
ス(図13,14中、A(K))が供給され、このアド
レスに従って設定周期R(K)が、加算回路A308、
ラッチB309で構成される演算回路へ読み出される。
この演算回路は、メモリAから読み出される設定周期を
順次加算し、累積しておくためのものである。演算回路
の出力(ラッチB309の出力)は遅延回路A305の
遅延量を制御する。一致回路A303では、演算回路の
出力値(図13,14中、C(K))とカウンタ出力値
との一致が見られた場合に、ゲートA304を開き原振
クロックを通過させることにより、原振周期の整数倍の
クロックを作成し、遅延回路A305に入力する。遅延
回路A305では、原振周期以下の遅延量が設定されて
おり、所望の設定周期を有する周期クロック321が作
成される。例えば、設定周期R(N)=1.75tに相
当する周期クロックを発生する場合には、演算回路の出
力値C(N)は12.25t=12t+0.25tであ
り、カウンタ302の出力値が12となった時に一致回
路A302で一致が検出されゲートA303よりクロッ
クパルスが出力される。この時、遅延回路Aには0.2
5tの遅延量が設定されており、この設定値に応じてク
ロックパルスが遅延され、周期1.75tの周期パルス
321が出力される。
【0029】エッジクロック322の発生に関しては、
設定周期R(K)及び設定遅延量E(K)が格納されて
いるメモリB311、メモリC312のアドレスが、周
期クロック321に同期して先入れ・先出し(FIF
O)メモリ310へ書き込まれ、エッジクロック322
が与えるタイミングで出力され、メモリB311、メモ
リC312から、設定周期R(K)及び設定遅延量E
(K)が読み出される。加算回路B313とラッチC3
14で構成される演算回路では、前述と同様にKー1番
目までの設定周期の加算と累積が行なわれ、この累積値
が加算回路C315により設定遅延量E(K)と加算さ
れ、その出力値D(K)とカウンタ302の出力値との
一致が、一致回路B316により検出される。ゲートB
317は一致が検出された時に開き、原振301からの
クロックパルスを通過させ、原振周期の整数倍の周期を
有するクロックを作成し、遅延回路B318により原振
周期以下の遅延を行なって、所望のエッジクロック32
2を得る。遅延回路B318の遅延量は加算回路C31
5の出力値D(K)により制御される。例えば、図13
〜図15に示す、設定周期R(N)=1.75tに対し
て設定遅延量E(N)=2tのエッジクロックを発生す
る場合には、加算回路C315の出力値D(N)は1
2.5t=12t+0.5tであり、カウンタ302の出
力値が12となった時に一致回路B316で一致が検出
され、ゲートB317からクロックパルスが出力され
る。この時、遅延回路B318には、0.5tの遅延量
が設定されており、この設定値に応じてクロックパルス
が遅延され、設定遅延量2tのエッジクロック322が
出力される。また、この場合には、エッジクロックに同
期してデータ(メモリB,Cのアドレス)を出力する先
入れ・先出しメモリ310を設けたことにより、N番目
のエッジクロック322の設定遅延量E(N)を、周期
クロック321のN番目の設定周期R(N)よりも大き
な値とすることができ、N+1番目の周期クロックより
も時間的にうしろに設定することが可能となっている。
本例では、エッジクロックの設定は、先入れ・先出しメ
モリの深さをM段とすれば、N+Mー1番目の周期クロ
ックよりも後ろに設定することが可能である。
【0030】図5は本発明の他の実施例であり、図3と
同一の部分には同一番号を付してある。本実施例では、
前述のメモリB311および、加算回路B313とラッ
チC314で構成される演算回路のかわりに、第2の先
入れ・先出しメモリ501が設けられる。先入れ・先出
しメモリ501には、周期クロック側の累積値が、周期
クロック321により書き込まれ、エッジクロック32
2により読み出されるため、加算回路C315からは前
述と同様の演算結果が得られエッジクロックを発生する
ことが可能である。
【0031】以上の実施例における遅延回路は、例えば
図6〜図10に示される回路構成で実現できる。図6に
おいて、本例による遅延回路には遅延されるべきパルス
が、緩衝回路である入力用インバータ605を経て次段
のインバータ606に入力される。インバータ606の
Pチャネルトランジスタ(以下、PーCHトランジスタ
とする)606aと電源VCCとの間には、それぞれ直
列接続数が1、2、3、および4であるPーCHトラン
ジスタ列601、602、603、および604が並列
に接続された遅延制御回路と、制御入力609〜612
が設けられている。従って、制御入力609〜612の
いずれかにローレベル論理信号を与えることにより、対
応したトランジスタ列毎にオン状態とし、インバータ6
06と電源VCC間を、PーCHトランジスタのオン抵
抗を介して導通状態とすることができ、ローレベル論理
信号の与え方により遅延制御回路内のオン抵抗の値を変
えることが可能である。一方、インバータ606に入力
されるパルスの遅延時間は近似的に、インバータ606
のPーCHトランジスタと遅延制御回路と出力用インバ
ータ607の入力までで構成される回路の時定数に比例
したものとなるため、制御入力609〜612に入力す
るローレベル論理信号の与え方を変えれば、異なったオ
ン抵抗の値に応じて、異なった遅延量を持つパルスがイ
ンバータ606より出力される。一例として、制御入力
612にローレベル論理信号を与え、制御入力609〜
611にハイレベル論理信号を与えた場合には、トラン
ジスタ列604だけがオン状態となり、1つのPーCH
トランジスタのオン抵抗をRとおくと、インバータ60
6と電源VCCは4Rの抵抗を介して接続されたことに
なり、インバータ606のPーCHトランジスタと直列
接続されるため、オン抵抗の総和は5Rである。これに
対して、制御入力611だけにローレベル論理信号を入
力した場合には、オン抵抗の総和は3R+R=4Rとな
る。従って、この2つの場合に得られる入力パルスの遅
延時間の差は、オン抵抗の変化分のみで決定し、5Rー
4R=Rに対応した遅延時間差が得られることになる。
図16に、本実施例で得られるオン抵抗の、全ての組み
合せについて示す。図16において、Aはトランジスタ
列601を、Bはトランジスタ列602を、Cはトラン
ジスタ列603を、Dはトランジスタ列604を表すも
のであり、A^B^Cは、トランジスタ列601、60
2、603がオン状態となり、並列に接続されたことを
示す。以上のようにして遅延された入力パルスは、出力
回路であるインバータ607に入力され、正規の論理電
圧レベルを有するパルスに復元され出力される。本遅延
回路では縦続に接続するか、あるいは、遅延制御回路内
の直並列に設けたトランジスタの個数を適宜変えること
により、より大きな遅延時間幅またはより小さな遅延時
間差を得ることが可能である。
【0032】図6における第2出力用インバータ608
は、遅延制御回路内の直列トランジスタ列の導通を個別
に試験するために設けられたものである。例えば、まず
制御入力611だけにローレベル論理信号を与えた後、
入力616にローレベル信号を与えた時に、出力615
がハイレベルとなることによりトランジスタ列603が
導通したことを検知する。次に入力616にハイレベル
論理信号を与えて、出力615をローレベルとした後、
次に制御入力609〜612の全てにハイレベル論理信
号を入力し、入力613にローレベル論理信号を入力し
ても、出力615がローレベルのままであることを確認
した後に、制御入力612にローレベル論理信号を、入
力616にローレベル論理信号を順次与えて、出力61
5がハイレベルとなることを検知することによりトラン
ジスタ列604の導通を試験することができる。
【0033】図7〜図10は、遅延回路の他の構成例を
示すものであり、図6と同一部分には同一番号を付して
ある。図7の例では制御入力が直列トランジスタ列の1
つだけに入力され、他のトランジスタのゲート電極は接
地されている場合である。これにより、遅延時間設定の
切換を高速に行える。図8、図9は、直列トランジスタ
列601〜604による第1遅延制御回路と、これに直
列に設けられた第2遅延制御回路801が、インバータ
606の出力と電源との間に設けられたものである。図
10は、図8の例において第2遅延制御回路を設けず
に、第1遅延制御回路を直接インバータ出力に接続した
例である。尚、以上の説明では遅延制御回路をPーCH
トランジスタにより構成したが、NーCHトランジスタ
を用いても同様に構成できる。
【0034】
【発明の効果】本発明によるIC試験装置によれば、分
解能の精度が低い遅延回路を用いて、高い分解能のクロ
ックを発生することができる。また、その設定基準とな
る周期クロックの周期を越えて発生させることができ
る。遅延回路そのものについても高い時間分解能で大き
な遅延可変幅が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるIC試験装置における分解能補正
回路付きクロック発生回路の一例のブロック図である。
【図2】本発明における分解能補正回路付きクロック発
生回路の他の例を示すブロック図である。
【図3】図1、図2に示したクロック発生回路の一例の
ブロック図である。
【図4】図1、図2に示したデータ制御保持回路の一例
のブロック図である。
【図5】クロック発生回路の他の例を示すブロック図で
ある。
【図6】図1、図2に示した遅延回路の一構成例の回路
図である。
【図7】遅延回路の第2の構成例の回路図である。
【図8】遅延回路の第3の構成例の回路図である。
【図9】遅延回路の第4の構成例の回路図である。
【図10】遅延回路の第5の構成例の回路図である。
【図11】従来例を示す構成図である。
【図12】従来例における所望のタイムチャートであ
る。
【図13】本発明におけるクロック発生回路のタイムチ
ャートの一部である。
【図14】図13のタイムチャートに続くタイムチャー
トの他の部分である。
【図15】図3に示すクロック発生回路における各設定
値の説明図である。
【図16】図6に示す遅延回路における各抵抗値の説明
図である。
【符号の説明】
102〜106…エッジクロック用計数回路、129…
基準遅延回路、128…分配回路、125〜127…位
相一致回路、108〜112…遅延回路、119〜12
3…データ制御保持回路。
【手続補正書】
【提出日】平成13年11月20日(2001.11.
20)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 IC試験装置
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】削除
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】削除
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】削除
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【課題を解決するための手段】 本発明に係るIC試験装
置は、一定周期のクロックパルスを発生する原振と、該
原振からのクロックパルスを入力し所望の周期を有する
第1クロックを発生する手段と、該第1クロックから所
望の遅延量だけ遅延した複数の第2クロックを作成する
手段とを備えたIC試験装置において、前記第1クロッ
クの発生手段は、前記原振からのクロックパルスを計数
する計数手段と、所望の周期に対応したデータを保持す
る第1記憶手段から逐次読み出されたデータを累積加算
する第1の演算手段と、前記第1演算手段と前記計数
手段の両出力を比較し一致を検出する第1の一致検出手
段と、前記第1の一致検出手段により一致が検出された
場合に、前記原振からのクロックパルスを入力して遅延
する第1の遅延制御手段と、を備え、前記第2クロック
の発生手段は、前記第1の記憶手段と同じ内容のデータ
が格納されている第2の記憶手段と、第2クロックの所
望の遅延量が格納された第3の記憶手段と、前記第2
よび前記第3の記憶手段のアドレスを前記第1クロック
に同期して格納し、前記第2クロックに同期して読み出
す先入れ・先出しメモリと、前記第2の記憶手段から読
み出されたデータを累積加算する第2の演算手段と、
第2の演算手段の出力と前記第3の記憶手段からのデ
ータとを加算する加算手段と、前記加算手段と前記計数
手段の両出力と比較し、一致を検出する第2の一致検
出手段と、前記第2の一致検出手段によって一致が検出
された場合に原振からのクロックパルスを入力して遅延
する第2の遅延制御手段と、を備えるものである。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】削除
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】削除
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】
【作用】 先入れ・先出しメモリにより、設定遅延量がエ
ッジクロックを書き込みクロックとして遅延を発生させ
る回路部に設定できるため、周期クロックの周期に関係
無く設定遅延量を大きくすることができる。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】削除
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】
【発明の効果】本発明によるIC試験装置によれば、
ッジクロックの遅延量を周期クロックの周期を越えて
定することができる

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一定周期のクロックパルスを発生する原振
    と、該原振からのクロックパルスを入力し所望周期の第
    1クロックを発生する手段と、該原振からのクロックパ
    ルスを計数して、該原振周期の整数倍の周期を有する複
    数の計数クロックを作成する複数の計数回路と、該複数
    の計数クロックをそれぞれ遅延させることにより複数の
    第2クロックを発生する複数の遅延回路とを備えたIC
    試験装置において、 高精度な時間分解能を有し、前記原振からのクロックを
    入力して、補正の基準となる基準クロックを発生する基
    準クロック発生手段と、 該基準クロックを任意の前記遅延回路へ分配する分配手
    段と、 前記遅延回路の入力側に設けられ、該遅延回路へ当該計
    数クロックおよび前記基準クロックのどちらかを選択的
    に入力するための選択入力手段と、 それぞれ1対の遅延回路の出力が接続され、両遅延回路
    をそれぞれ通過した第2クロックと基準クロックの位相
    一致を検出する複数の位相検出手段と、 前記第2クロック側の遅延回路に与えるデータを可変す
    る制御手段と、 前記位相検出手段による一致検出時の第2クロック側の
    遅延回路に与えたデータを記憶保持する記憶手段と、 を具備したことを特徴とするIC試験装置。
  2. 【請求項2】前記複数の位相検出手段に代えて単一の位
    相検出手段を設けるとともに、前記複数の遅延回路の複
    数の出力から1対の出力を選択する選択手段を設け、各
    1対の出力について前記単一の位相検出手段を共用する
    ことを特徴とする請求項1記載のIC試験装置。
  3. 【請求項3】一定周期のクロックパルスを発生する原振
    と、該原振からのクロックパルスを入力し所望の周期を
    有する第1クロックを発生する手段と、該第1クロック
    から所望の遅延量だけ遅延した複数の第2クロックを作
    成する手段とを備えたIC試験装置において、 第1クロックの発生手段は、前記原振からのクロックパ
    ルスを計数する計数手段と、所望の周期に対応したデー
    タを保持する第1記憶手段から逐次読み出されたデータ
    を累積加算する第1の演算手段と、該第1演算手段と前
    記計数手段の両出力を比較し一致を検出する第1の一致
    検出手段と、一致が検出された時に前記原振からのクロ
    ックパルスを入力して遅延する第1の遅延制御手段とに
    より構成され、 第2クロックの発生手段は、前記第1の記憶手段と同じ
    内容のデータが格納されている第2の記憶手段と、第2
    クロックの所望の遅延量が格納された第3の記憶手段
    と、第2、第3の記憶手段のアドレスを前記第1クロッ
    クに同期して格納し、前記第2クロックに同期して読み
    出す先入れ・先出しメモリと、前記第2の記憶手段から
    読み出されたデータを累積加算する第2の演算手段と、
    該第2の演算手段の出力と前記第3の記憶手段からのデ
    ータとを加算する加算手段と、該加算手段と前記計数手
    段の両出力を比較し一致を検出する第2の一致検出手段
    と、一致が検出された時に原振からのクロックパルスを
    入力して遅延する第2の遅延制御手段により構成される
    ことを特徴とするIC試験装置。
  4. 【請求項4】前記第2の記憶手段および第2の演算手段
    に代えて第2の先いれ・先だしメモリを設け、該第2の
    先いれ・先だしメモリに前記第1の演算手段の出力を前
    記第1クロックに同期して格納し前記第2クロックに同
    期して読み出すことを特徴とする請求項3記載のIC試
    験装置。
  5. 【請求項5】遅延されるべき信号が入力される入力手段
    と、 該入力手段に接続され、CMOSトランジスタで構成さ
    れるインバータと、 該インバータで遅延された信号が出力される出力手段
    と、 前記インバータと電源またはグランドとの間に設けた、
    少なくとも1つ以上のMOSトランジスタが直列に接続
    されたトランジスタ列を少なくとも2列以上並列に接続
    した遅延制御回路部とを備え、 該遅延制御回路部の各MOSトランジスタのゲート電極
    には、前記直列に接続されたトランジスタ列のいずれを
    導通するかを決定する制御信号が印加されることを特徴
    とする遅延回路。
  6. 【請求項6】遅延されるべき信号が入力される入力手段
    と、 該入力手段に接続され、CMOSトランジスタで構成さ
    れるインバータと、 該インバータで遅延された信号が出力される出力手段
    と、 前記インバータと電源またはグランドとの間に設けた、
    少なくとも1つ以上のMOSトランジスタが直列に接続
    されたトランジスタ列を少なくとも2列以上並列に接続
    した第1遅延制御回路部と、 該第1遅延制御回路部と直列に接続される第2遅延制御
    回路部とを備え、 該第1遅延制御回路部のMOSトランジスタのゲート電
    極には、前記直列に接続されたトランジスタ列のいずれ
    を導通するかを決定する制御信号が入力され、前記第2
    遅延制御回路部のMOSトランジスタのゲート電極に
    は、前記インバータの入力信号が入力されることを特徴
    とする遅延回路。
  7. 【請求項7】遅延されるべき信号が入力される入力手段
    と、 該入力手段に接続され、CMOSトランジスタで構成さ
    れるインバータと、 該インバータで遅延された信号が出力される出力手段
    と、 前記インバータと電源またはグランドとの間に設けた、
    少なくとも1つ以上のMOSトランジスタが直列に接続
    されたトランジスタ列を少なくとも2列以上並列に接続
    した遅延制御回路部とを備え、 該遅延制御回路部の各トランジスタ列の少なくとも1つ
    以上のMOSトランジスタのゲート電極には前記インバ
    ータの入力信号が入力され、他の該MOSトランジスタ
    のゲート電極には、前記直列に接続されたトランジスタ
    列のいずれを導通するかを決定する制御信号が印加され
    ることを特徴とする遅延回路。
  8. 【請求項8】前記制御信号が印加される遅延制御回路部
    の各トランジスタ列に共通に直列接続された他の出力手
    段をさらに備えたことを特徴とする請求項5、6または
    7記載の遅延回路。
  9. 【請求項9】前記入力手段および前記出力手段が、CM
    OSトランジスタで構成されるインバータであることを
    特徴とする請求項5、6、7または8記載の遅延回路。
  10. 【請求項10】前記遅延制御回路部の直列接続された各
    トランジスタ列について、1個のトランジスタのゲート
    電極にのみ前記制御信号が印加され、他のトランジスタ
    のゲート電極には該トランジスタを導通させる固定電位
    を印加することを特徴とする請求項5、6または7記載
    の遅延回路。
  11. 【請求項11】請求項5〜10のいずれかに記載の遅延
    回路を備えたことを特徴とするIC試験装置。
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JP2007097078A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Yokogawa Electric Corp プログラマブル遅延発生装置の調整方法及び調整装置並びに半導体検査装置
US7406646B2 (en) 2002-10-01 2008-07-29 Advantest Corporation Multi-strobe apparatus, testing apparatus, and adjusting method

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