JP3503297B2 - 電圧‐電流変換回路 - Google Patents

電圧‐電流変換回路

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JP3503297B2 JP25264095A JP25264095A JP3503297B2 JP 3503297 B2 JP3503297 B2 JP 3503297B2 JP 25264095 A JP25264095 A JP 25264095A JP 25264095 A JP25264095 A JP 25264095A JP 3503297 B2 JP3503297 B2 JP 3503297B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆるgm アン
プと称される電圧‐電流変換回路に関し、特に低電圧回
路におけるフィルタや電子ボリューム等に用いて好適な
電圧‐電流変換回路に関する。 【0002】 【従来の技術】電圧‐電流変換回路の基本回路構成を図
3に示す。図3において、トランジスタQ31のベース
が入力端子31に接続され、このトランジスタQ31の
エミッタは入力抵抗Rinを介してトランジスタQ32
のエミッタに接続されている。トランジスタQ32のベ
ースには、所定の基準電圧Vbが印加されている。トラ
ンジスタQ31,Q32の各エミッタとグランドとの間
には電流源32,33が接続されている。また、トラン
ジスタQ31,Q32の各コレクタは、ダイオードD3
1,D32の各カソードに接続されている。ダイオード
D31,D32の各アノードはダイオードD33のカソ
ードに共通に接続され、ダイオードD33のアノードは
電源Vccに接続されている。 【0003】トランジスタQ31,Q32の各コレクタ
はさらに、差動対トランジスタQ33,Q34の各ベー
スに接続されている。トランジスタQ33,Q34の各
エミッタは共通に接続され、このエミッタ共通接続点と
グランドとの間には電流源34が接続されている。トラ
ンジスタQ33のコレクタは、出力端子35に接続され
るとともに、抵抗R31を介して電源Vccに接続され
ている。トランジスタQ34のコレクタは、抵抗R32
を介して電源Vccに接続されている。 【0004】この基本回路構成において、入力信号Vi
nが入力端子31を介してトランジスタQ31のベース
に印加されることで、入力信号Vinと基準電圧Vbと
の電圧差が入力抵抗Rinで電流振幅に変換される。こ
の電流振幅はダイオードD31,D32の各カソード間
に電圧振幅として現れる。この電圧振幅は差動対トラン
ジスタQ33,Q34のベース間に印加されることで、
再度電流振幅に変換される。そして、この電流振幅が出
力抵抗R31を流れることで、出力信号Voutとして
導出される。 【0005】ここで、入力抵抗Rinで変換された電流
をΔi1 、差動対トランジスタQ33,Q34で変換さ
れた電流をΔi2 、信号入力側の直流電流をIin、信
号出力側の直流電流をIout とした場合、 【数1】Δi2 /Δi1 =Iout /Iin の関係が成り立つ。ただし、信号入力側の直流電流Ii
nは、電流源32,33の各電流をI32,I33とし
た場合、 【数2】Iin=I32+I33 である。また、信号出力側の直流電流Ioutは、電流
源34の電流である。 【0006】この電圧‐電流変換回路を例えば電子ボリ
ュームに適用した場合、通常、信号入力側の電流Iin
を制御するか、又は信号出力側の電流Iout を制御
することによってゲインを変え、ボリューム制御を行う
ことになる。しかしながら、信号入力側の電流Iin、
即ち電流源32,33の電流I32,I33を制御する
と、入力信号レベルのダイナミックレンジがRin×
(I32+I33)で決められるので、電流I32,I
33を小さくすることができない。一方、信号出力側の
電流Ioutを制御すると、出力抵抗R31の両端に発
生する電圧が変動し、出力端子35の電位が直流的にシ
フトするため、次段の回路にDC直結できない。 【0007】また、図3の構成の電圧‐電流変換回路で
は、電流源32,33の各々でダイオード1個分相当の
電圧降下があるものと見なすと、電源Vccとグランド
との間には、ダイオードが4個分直列に接続されている
ことになる。ここで、ダイオードの電圧降下分を0.7
Vとすると、2.8V(=0.7V×4)の電源が必要
となり、さらに入力信号Vinのレベルに応じてトラン
ジスタQ31,Q23のエミッタ・コレクタ間の電圧が
変動することから、最低限5V程度の電源が必要となる
ため、電源Vccの低電圧化への対応が難しいという問
題もある。 【0008】この低電圧化の問題、さらには上述した各
問題を解消した電圧‐電流変換回路として、図4に示す
回路構成のものがある。図4中、図3と同等部分には同
一符号を付して示している。図4において、トランジス
タQ31,32の各コレクタが電流源36,37を介し
て電源Vccに接続されているとともに、ダイオードD
33,D34の各アノードに直接に接続されている。ダ
イオードD33,D34の各カソードは、トランジスタ
Q33,34の各ベースおよびダイオードD35,D3
6の各アノードにそれぞれ接続されている。ダイオード
D35,D36の各カソードは共通に接続され、さらに
抵抗R33を介して接地されている。 【0009】上記構成の電圧‐電流変換回路を例えば電
子ボリュームに適用した場合、電流源36,37の各電
流I36,I37を可変とし、この電流I36,I37
を制御することによって電子ボリュームを実現できると
ともに、上述した如き各問題も解消することができ、し
かも電源Vccとグランドとの間にはダイオードが3個
分直列に接続されるだけであるため、図3の基本回路構
成に対して少なくともダイオード1個の電圧降下分だけ
電源Vccを低電圧化できることになる。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の電圧‐電流変換回路では、電流源36,37の各電
流I36,I37を制御した場合に(D)点の電位が変
動するため、これに伴って信号出力側のトランジスタQ
33,Q34のベース電位も変動し、このトランジスタ
Q33,Q34でのダイナミックレンジを確保できない
ことになる。これに対し、抵抗R33に代えてダイオー
ドを挿入することも可能であるが、この場合、温度特性
によってダイオード3個分の変動がトランジスタQ3
1,Q32の各コレクタに現れることになる。また、低
電圧回路では、ダイナミックレンジを確保するために、
(D)点の電位を0.4V程度にしたいが、ダイオード
を挿入することで0.7Vより下げることができない。 【0011】また、低電圧化に対応可能な電圧‐電流変
換回路として、図5に示すように、入力抵抗Rinで変
換された電流Δiをカレントミラー回路51,52によ
って次段に伝送し、この電流ΔiをダイオードD51,
D52の各アノード間に電圧振幅として得る構成のもの
も考えられる。しかしながら、この電圧‐電流変換回路
では、カレントミラー回路51,52をpnpトランジ
スタで構成することになるので、周波数特性が悪くな
り、実用的ではない。 【0012】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、制御電流によって回
路のダイナミックレンジを損なうことなく、しかも周波
数特性に優れた電圧‐電流変換回路を提供することにあ
る。 【0013】 【課題を解決するための手段】本発明による電圧‐電流
変換回路は、ベースが入力端子に接続された第1のトラ
ンジスタと、ベースに所定の基準電圧もしくは第1のト
ランジスタのベース電圧と逆相の電圧が印加される第2
のトランジスタと、これらトランジスタの各エミッタ間
に接続された入力抵抗と、第1,第2のトランジスタの
各エミッタと基準電位点との間に接続された第1,第2
の電流源と、第1,第2のトランジスタの各コレクタと
電源との間に接続された第3,第4の電流源と、第1,
第2のトランジスタの各コレクタにアノードがそれぞれ
接続された第1,第2のダイオードと、これらダイオー
ドの各カソードにアノードがそれぞれ接続されかつ各カ
ソードが共通に接続された第3,第4のダイオードと、
これらダイオードのカソード共通接続点と基準電位点と
の間に接続された第5の電流源と、このカソード共通接
続点と電源との間に接続された第3のトランジスタと、
この第3のトランジスタのベースに所定のバイアス電圧
を印加するバイアス回路と、第1,第2のダイオードの
各カソードにベースがそれぞれ接続されかつエミッタが
共通接続され、一方のコレクタが出力端子に接続された
第4,第5のトランジスタと、これらトランジスタのエ
ミッタ共通接続点と基準電位点との間に接続された第6
の電流源とを備え、前記第3,第4の電流源の電流が可
変であるとともに、前記第5の電流源の電流が前記第
3,第4の電流源の電流に比例して可変である構成とな
っている。 【0014】 上記構成の電圧‐電流変換回路におい
て、入力信号が入力端子を介して第1のトランジスタの
ベースに印加されると、その入力信号の基準電圧(もし
くは、入力信号と逆相の信号)に対する電圧差が入力抵
抗で電流振幅に変換される。この電流振幅は、第1,第
2のダイオードのカソード間に電圧振幅として現れる。
この電圧振幅は、第4,第5のトランジスタのベース間
に印加されることで、電流振幅に変換される。ここで、
第3,第4のダイオードのカソード共通接続点と基準電
位点との間に第5の電流源の接続されていることで、第
3,第4の電流源の電流が変化しても、カソード共通接
続点の電位が変化することはない。また、第3のトラン
ジスタは、温度特性による第3,第4のダイオードの電
圧変動分を吸収する作用をなす。更に、第5の電流源の
電流を第3,第4の電流源の電流に比例させて制御する
ことで、第5の電流源には常に必要最低限の電流しか流
れないため、消費電力を低減できる。 【0015】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は、例えば電
子ボリュームに適用された本発明の参考例を示す回路図
である。図1において、第1のトランジスタQ11のベ
ースが入力端子11に接続されており、このトランジス
タQ11のエミッタは抵抗(入力抵抗)R11を介して
第2のトランジスタQ12のエミッタに接続されてい
る。第2のトランジスタQ12のベースは、所定の電圧
Vaによってバイアスされている。なお、本例では、第
2のトランジスタQ12のベースに所定の電圧Vaを印
加するとしたが、第1のトランジスタQ11のベース入
力、即ち入力信号Vinと逆相の信号を印加するように
することも可能である。 【0016】第1,第2のトランジスタQ11,Q12
の各エミッタと基準電位点としてのグランドとの間には
第1,第2の電流源12,13が接続されている。第
1,第2のトランジスタQ11,Q12の各コレクタ
は、第3,第4の電流源14,15を介して電源Vcc
に接続されているとともに、第1,第2のダイオードD
11,D12の各アノードに直接に接続されている。第
3,第4の電流源14,15の電流は可変であり、外部
のボリューム操作に応じて制御端子16から与えられる
制御信号によって制御される。第1,第2のダイオード
D11,D12の各カソードは、第3,第4のダイオー
ドD13,D14の各アノードに接続されている。 【0017】第3,第4のダイオードD13,D14の
各カソードは共通接続されている。この共通接続点
(A)とグランドとの間には第5の電流源17が接続さ
れ、さらに電源Vccとの間には、第3,第4のダイオ
ードD13,D14と同じ温度特性を持つ第3のトラン
ジスタQ13が接続されている。また、第3のトランジ
スタQ13のベースとグランドとの間には電流源18が
接続され、さらに電源Vccとの間には抵抗R12が接
続されている。この電流源18および抵抗R12によ
り、第3のトランジスタQ13のベースに所定のバイア
ス電圧を印加するバイアス回路が構成されている。 【0018】第1,第2のダイオードD11,D12の
各カソードにはさらに、第4,第5のトランジスタ(差
動対トランジスタ)Q14,Q15の各ベースが接続さ
れている。第4,第5のトランジスタQ14,Q15の
各エミッタは共通接続され、このエミッタ共通接続点と
グランドとの間には第6の電流源18が接続されてい
る。第4のトランジスタQ14のコレクタは、出力端子
19に接続されるとともに、抵抗R13を介して電源V
ccに接続されている。第5のトランジスタQ15のコ
レクタは、抵抗R14を介して電源Vccに接続されて
いる。 【0019】上記構成の電圧‐電流変換回路において、
入力端子11を介して第1のトランジスタQ11のベー
スに入力信号Vinが印加されると、基準電圧Vaに対
する電圧差が入力抵抗R11で電流振幅に変換される。
この電流振幅は、第1,第2のダイオードD11,D1
2のカソード間(第3,第4のダイオードD13,D1
4のアノード間)に電圧振幅として現れる。この電圧振
幅は、第4,第5のトランジスタQ14,Q15のベー
ス間に印加され、再び電流振幅に変換される。この電流
は出力抵抗R13を流れることでその両端に電圧として
現れ、出力信号Voutとして導出される。 【0020】そして、第3,第4の電流源14,15の
電流を制御端子16を介して入力される制御信号に応じ
て制御することにより、回路のゲインが変化するため、
電子ボリュームを実現できる。また、第3,第4のダイ
オードD13,D14のカソード共通接続点(A)とグ
ランドとの間には第5の電流源17が接続されているの
で、第3,第4の電流源14,15の電流を制御して
も、(A)点の電位が第3,第4の電流源14,15の
電流値によって変動することはない。 【0021】ここで、第3,第4の電流源14,15の
各電流をIとした場合、第5の電流源17にはその2倍
の電流2Iが流れることになるため、第3,第4の電流
源14,15の最大電流をImax とすると、第5の電流
源17としては2Imax の容量のものを用いるようにす
れば良い。 【0022】また、第3,第4のダイオードD13,D
14のカソード共通接続点(A)の電位と、第4,第5
のトランジスタQ14,Q15のエミッタ共通接続点
(B)の電位が等しく、この電位が第5,第6の電流源
17,19が飽和しない最低の電位になるように設定す
ると、本回路のダイナミックレンジを有効にとれること
になる。 【0023】さらに、第3,第4のダイオードD13,
D14のカソード共通接続点(A)と電源Vccとの間
に、ベースが所定のバイアス電圧でバイアスされかつ第
3,第4のダイオードD13,D14と同じ温度特性を
持つ第3のトランジスタQ13を接続した構成を採って
いるので、温度によって第3,第4のダイオードの電圧
に変動が生じたとしても、その電圧変動分を第3のトラ
ンジスタQ13によって吸収することができる。従っ
て、第3のトランジスタQ13のベースを基準電位に設
定すると、図中の(C)点は温度特性に影響されず一定
となり、この回路でのダイナミックレンジを最大にとれ
ることになる。 【0024】またさらに、第3,第4の電流源14,1
5および第5の電流源17の各々でダイオード1個分相
当の電圧降下があるものと見なすと、電源Vccとグラ
ンドとの間には、ダイオードが4個分直列に接続されて
いることになるが、この直列接続回路内では電流のみが
変化し、電圧的には変化がないため、ダイオードの電圧
降下分を0.7Vとすると、電源Vccを2.8V(=
0.7V×4)まで低電圧化できる。 【0025】 図2は、本発明の一実施形態を示す回路
図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して
示している。本実施形態においては、第3,第4の電流
源14,15の各電流に加え、第5の電流源17の電流
が第3,第4の電流源14,15の各電流に比例して可
変な構成となっている。具体的には、第3,第4の電流
源14,15の各電流を制御端子16から与えられる制
御信号によって直接に制御するのに対し、第5の電流源
17の電流については、係数回路21で制御信号に係数
Kを乗じた信号によって制御するようにしている。 【0026】ここで、第3,第4の電流源14,15の
各電流をIとし、その制御による変化量を±ΔIとする
と、第5の電流源17は2(I±ΔI)の電流を引き込
めば良い。そこで、係数回路21の係数KをK=2に設
定し、第5の電流源17には第3,第4の電流源14,
15の各電流に比例して2倍の電流が流れるように制御
する。これにより、第5の電流源17には常に必要最低
限の電流、即ち第3,第4の電流源14,15の各電流
の2倍の電流しか流れなく、不要な電流を使うことがな
いため、消費電力を低減できる。すなわち、低電圧化に
加え、低消費電力化も可能となる。 【0027】 なお、上記実施形態では、電子ボリュー
ムに適用された場合について説明したが、電子ボリュー
ムへの適用に限定されるものではなく、本発明による電
圧‐電流変換回路は、低電圧化が可能であることから、
低電圧回路におけるフィルタなどにも同様に適用可能で
ある。 【0028】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信号入力側の第1,第2の電流源および信号出力側の第
6の電流源とは別に、制御用の第3,第4,第5の電流
源を設け、この第3,第4の電流源による制御電流の変
化に応じて回路内の電圧が変動しないようにし、ダイナ
ミックレンジを最大限に使うようにするとともに、第5
の電流源の電流を第3,第4の電流源の電流に比例させ
て制御し、第5の電流源には常に必要最低限の電流しか
流れないようにしたので、制御電流によって回路のダイ
ナミックレンジを損なうことなく、低電圧で低消費電力
の電圧‐電流変換回路を提供でき、しかもpnpトラン
ジスタを用いて信号伝送を行う必要もないので、周波数
特性に優れた電圧‐電流変換回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の参考例を示す回路図である。 【図2】本発明の一実施形態を示す回路図である。 【図3】電圧‐電流変換回路の基本回路構成を示す回路
図である。 【図4】一従来例を示す回路図である。 【図5】他の従来例を示す回路図である。 【符号の説明】 11 入力端子 12 第1の電流源 13 第2の電流源 14 第3の電流源 15 第4の電流源 16 制御端子 17 第5の電流源 19 第6の電流源

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 ベースが入力端子に接続された第1のト
    ランジスタと、 ベースに所定の基準電圧もしくは前記第1のトランジス
    タのベース電圧と逆相の電圧が印加される第2のトラン
    ジスタと、 前記第1,第2のトランジスタの各エミッタ間に接続さ
    れた入力抵抗と、 前記第1,第2のトランジスタの各エミッタと基準電位
    点との間に接続された第1,第2の電流源と、 前記第1,第2のトランジスタの各コレクタと電源との
    間に接続された第3,第4の電流源と、 前記第1,第2のトランジスタの各コレクタにアノード
    がそれぞれ接続された第1,第2のダイオードと、 前記第1,第2のダイオードの各カソードにアノードが
    それぞれ接続されかつ各カソードが共通に接続された第
    3,第4のダイオードと、 前記第3,第4のダイオードのカソード共通接続点と
    基準電位点との間に接続された第5の電流源と、 前記カソード共通接続点と前記電源との間に接続された
    第3のトランジスタと、 前記第3のトランジスタのベースに所定のバイアス電圧
    を印加するバイアス回路と、 前記第1,第2のダイオードの各カソードにベースがそ
    れぞれ接続されかつエミッタが共通接続され、一方のコ
    レクタが出力端子に接続された第4,第5のトランジス
    タと、 前記第4,第5のトランジスタのエミッタ共通接続点と
    前記基準電位点との間に接続された第6の電流源とを備
    前記第3,第4の電流源の電流が可変であり、 前記第5の電流源の電流が前記第3,第4の電流源の電
    流に比例して可変である ことを特徴とする電圧‐電流変
    換回路。
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