JP3502556B2 - オージェ電子分光分析方法およびその装置 - Google Patents
オージェ電子分光分析方法およびその装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオージェ電子分光分
析による深さ方向の組成分析方法及びオージェ電子分光
分析装置に関する。
析による深さ方向の組成分析方法及びオージェ電子分光
分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オージェ電子分光分析において
は、イオンビームによるスパッタエッチングを組み合わ
せて、試料の深さ方向組成分析が行われている。
は、イオンビームによるスパッタエッチングを組み合わ
せて、試料の深さ方向組成分析が行われている。
【０００３】以下図面を参照しながら、従来のオージェ
電子分光分析装置とその分析方法の一例について説明す
る。図１０は従来の装置の概念図である。図１０におい
て、３１は試料、３２は電子銃、３３は電子銃制御、３
４はイオン銃、３５はイオン銃制御、３６はアナライ
ザ、３７はアンプ、３８はインターフェースである。以
上のように構成されたオージェ電子分光分析装置につい
て簡単にその分析方法を図９のフローチャートにより説
明する。まづ始めに分析条件設定の段階で、イオンビー
ムの加速電圧、電流量、試料への入射角度、イオンビー
ムの走査領域、時間、測定したい元素のオージェ電子ピ
ークを含むようにエネルギーウインド等をあらかじめ設
定する。次にエッチング前の表面層の分光分析を行う、
すなわち電子銃からの電子線を照射し、このとき発生し
たオージェ電子をアナライザでエネルギー分光し、各エ
ネルギーウインドでのスペクトルを得る。
電子分光分析装置とその分析方法の一例について説明す
る。図１０は従来の装置の概念図である。図１０におい
て、３１は試料、３２は電子銃、３３は電子銃制御、３
４はイオン銃、３５はイオン銃制御、３６はアナライ
ザ、３７はアンプ、３８はインターフェースである。以
上のように構成されたオージェ電子分光分析装置につい
て簡単にその分析方法を図９のフローチャートにより説
明する。まづ始めに分析条件設定の段階で、イオンビー
ムの加速電圧、電流量、試料への入射角度、イオンビー
ムの走査領域、時間、測定したい元素のオージェ電子ピ
ークを含むようにエネルギーウインド等をあらかじめ設
定する。次にエッチング前の表面層の分光分析を行う、
すなわち電子銃からの電子線を照射し、このとき発生し
たオージェ電子をアナライザでエネルギー分光し、各エ
ネルギーウインドでのスペクトルを得る。
【０００４】次に試料はイオン銃から照射されるイオン
ビームによって、あらかじめ設定されたスパッタエッチ
ング条件で、その試料表面層を削り取り、試料の新たな
表面層を露出させる。次に、露出した表面層に電子銃か
らの電子線を照射し、このとき発生したオージェ電子を
アナライザでエネルギー分光し、各エネルギーウインド
でのスペクトル測定により各元素の信号強度を得る。
ビームによって、あらかじめ設定されたスパッタエッチ
ング条件で、その試料表面層を削り取り、試料の新たな
表面層を露出させる。次に、露出した表面層に電子銃か
らの電子線を照射し、このとき発生したオージェ電子を
アナライザでエネルギー分光し、各エネルギーウインド
でのスペクトル測定により各元素の信号強度を得る。
【０００５】このようにイオンビームによるスパッタエ
ッチングと分光分析を交互に繰り返すことで、深さ方向
と、各元素の信号強度との関係を得ることができ、深さ
方向組成分析が可能となる。
ッチングと分光分析を交互に繰り返すことで、深さ方向
と、各元素の信号強度との関係を得ることができ、深さ
方向組成分析が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
層からなる試料において、詳細な分析を行いたい層が薄
くその上に、厚い層が積層したような構造である場合
に、上記のように分析条件設定の段階で、スパッタエッ
チングの条件が一つであると以下のような問題がある。
薄い層の詳細な分析の為、小さなスパッタレートの条件
でスパッタエッチングを行うと、厚い層を削り取るのに
時間がかかり、分析に要する時間が長くなってしまう。
また、厚い層を短い時間で削り取るために、大きなスパ
ッタレートの条件でスパッタエッチングすると、薄い層
の詳細な分析ができなくなってしまう。
層からなる試料において、詳細な分析を行いたい層が薄
くその上に、厚い層が積層したような構造である場合
に、上記のように分析条件設定の段階で、スパッタエッ
チングの条件が一つであると以下のような問題がある。
薄い層の詳細な分析の為、小さなスパッタレートの条件
でスパッタエッチングを行うと、厚い層を削り取るのに
時間がかかり、分析に要する時間が長くなってしまう。
また、厚い層を短い時間で削り取るために、大きなスパ
ッタレートの条件でスパッタエッチングすると、薄い層
の詳細な分析ができなくなってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、イオンビームによるスパッタエッチン
グとオージェ電子分光分析によるスペクトル測定とを交
互に行うマルチレイヤー試料の深さ方向分析において、
スペクトル測定の際に、測定したい元素のオージェ電子
のピークを含むエネルギー範囲のウィンドウの他に、測
定したい元素のオージェ電子のピークを含まないエネル
ギー範囲のウィンドウをモニターし、測定したい元素の
オージェ電子のピークを含むエネルギー範囲のウインド
ウにおける信号強度と測定したい元素のオージェ電子の
ピークを含まないエネルギー範囲のウインドウにおける
信号強度とを比較して、所定の条件を満たした時に、ス
パッタエッチングの条件を変更することを特徴とするオ
ージェ電子分光分析方法を提案する。また、これを実現
するために、試料をスパッタエッチングするイオン銃
と、試料に電子線を照射する電子銃と、そのとき発生し
たオージェ電子を検出するアナライザと、測定したい元
素のオージェ電子のピークを含むエネルギー範囲のウイ
ンドウにおける信号強度と測定したい元素のオージェ電
子のピークを含まないエネルギー範囲のウインドウにお
ける信号強度とを比較して、所定の条件を満たすかどう
かを判別するロジック部と、所定の条件を満たした時に
自動でスパッタエッチングの条件を変更する制御部を有
するオージェ電子分光分析装置を提案する。
めに、本発明は、イオンビームによるスパッタエッチン
グとオージェ電子分光分析によるスペクトル測定とを交
互に行うマルチレイヤー試料の深さ方向分析において、
スペクトル測定の際に、測定したい元素のオージェ電子
のピークを含むエネルギー範囲のウィンドウの他に、測
定したい元素のオージェ電子のピークを含まないエネル
ギー範囲のウィンドウをモニターし、測定したい元素の
オージェ電子のピークを含むエネルギー範囲のウインド
ウにおける信号強度と測定したい元素のオージェ電子の
ピークを含まないエネルギー範囲のウインドウにおける
信号強度とを比較して、所定の条件を満たした時に、ス
パッタエッチングの条件を変更することを特徴とするオ
ージェ電子分光分析方法を提案する。また、これを実現
するために、試料をスパッタエッチングするイオン銃
と、試料に電子線を照射する電子銃と、そのとき発生し
たオージェ電子を検出するアナライザと、測定したい元
素のオージェ電子のピークを含むエネルギー範囲のウイ
ンドウにおける信号強度と測定したい元素のオージェ電
子のピークを含まないエネルギー範囲のウインドウにお
ける信号強度とを比較して、所定の条件を満たすかどう
かを判別するロジック部と、所定の条件を満たした時に
自動でスパッタエッチングの条件を変更する制御部を有
するオージェ電子分光分析装置を提案する。
【０００８】本発明によれば、分析の途中でスパッタエ
ッチングの条件を変更することが可能であるので、例え
ば、試料が、詳細に分析を行いたい層の上に厚い層が積
層している構造である場合、厚い層は大きなエッチング
レートの条件でスパッタエッチングし、詳細に分析を行
いたい層は小さなエッチングレートの条件でスパッタエ
ッチングすることが可能となり、分析時間を増やすこと
なく、詳細な分析が可能となる。
ッチングの条件を変更することが可能であるので、例え
ば、試料が、詳細に分析を行いたい層の上に厚い層が積
層している構造である場合、厚い層は大きなエッチング
レートの条件でスパッタエッチングし、詳細に分析を行
いたい層は小さなエッチングレートの条件でスパッタエ
ッチングすることが可能となり、分析時間を増やすこと
なく、詳細な分析が可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による深さ方向組成
分析方法について、図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明によるオージェ電子分光分析を用いた深さ方
向組成分析方法のフローチャート、図２は、本発明によ
るオージェ電子分光分析装置の概念図であり、１は試
料、２は電子銃、３は電子銃制御、４はイオン銃、５は
イオン銃制御、６はアナライザ、７はアンプ、８はイン
ターフェースであり、従来の装置との違いは、オージェ
電子分光分析によりえられた信号が、所定の条件を満た
すかどうかを判別するロジック部９とその判別結果が、
あらかじめ設定してある条件を満たしたときのみ、スパ
ッタエッチングの条件を変更する条件変更制御部１０を
設けていることである。
分析方法について、図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明によるオージェ電子分光分析を用いた深さ方
向組成分析方法のフローチャート、図２は、本発明によ
るオージェ電子分光分析装置の概念図であり、１は試
料、２は電子銃、３は電子銃制御、４はイオン銃、５は
イオン銃制御、６はアナライザ、７はアンプ、８はイン
ターフェースであり、従来の装置との違いは、オージェ
電子分光分析によりえられた信号が、所定の条件を満た
すかどうかを判別するロジック部９とその判別結果が、
あらかじめ設定してある条件を満たしたときのみ、スパ
ッタエッチングの条件を変更する条件変更制御部１０を
設けていることである。
【００１０】図３は、分析しようとする試料の断面構造
である。試料は元素Ａからなる層１１、元素Ｂからなる
層１２、元素Ｃからなる層１３で、詳細な分析を行いた
いのは層１２であり、この層は薄く、この層１２の上に
は厚い層１１が積層している。
である。試料は元素Ａからなる層１１、元素Ｂからなる
層１２、元素Ｃからなる層１３で、詳細な分析を行いた
いのは層１２であり、この層は薄く、この層１２の上に
は厚い層１１が積層している。
【００１１】以下フローチャートに沿ってこの試料の分
析方法を説明する。まづ、分析条件設定の時、スパッタ
エッチングの条件即ち一回あたりのスパッタエッチング
により削る試料の膜厚の設定については、従来は一つで
あったが、本発明では、一回あたりのスパッタエッチン
グで削られる試料の膜厚が大きい条件ａと小さい条件ｂ
の二つを設定する、またエネルギーウインドの設定につ
いては、従来は、元素Ａ、元素Ｂ、元素Ｃのオージェ電
子ピークを含む３個のエネルギーウィンドウを設定する
だけであったが、本発明による分析法では、図４に示す
ようにエネルギーウィンドウ２１、２２、２３に加え
て、新たに元素Ａ、Ｂ、Ｃのオージェ電子ピークを含ま
ないエネルギーウィンドウ２４も設定しておく。次のス
ペクトル測定では、設定したそれぞれのエネルギーウィ
ンドウについて、オージェ電子分光分析によるスペクト
ル測定を行う。次にロジックでは、それぞれのエネルギ
ーウィンドウにおける信号強度を算出し、あらかじめ設
定した判別式（１）を満たすかを判断する。
析方法を説明する。まづ、分析条件設定の時、スパッタ
エッチングの条件即ち一回あたりのスパッタエッチング
により削る試料の膜厚の設定については、従来は一つで
あったが、本発明では、一回あたりのスパッタエッチン
グで削られる試料の膜厚が大きい条件ａと小さい条件ｂ
の二つを設定する、またエネルギーウインドの設定につ
いては、従来は、元素Ａ、元素Ｂ、元素Ｃのオージェ電
子ピークを含む３個のエネルギーウィンドウを設定する
だけであったが、本発明による分析法では、図４に示す
ようにエネルギーウィンドウ２１、２２、２３に加え
て、新たに元素Ａ、Ｂ、Ｃのオージェ電子ピークを含ま
ないエネルギーウィンドウ２４も設定しておく。次のス
ペクトル測定では、設定したそれぞれのエネルギーウィ
ンドウについて、オージェ電子分光分析によるスペクト
ル測定を行う。次にロジックでは、それぞれのエネルギ
ーウィンドウにおける信号強度を算出し、あらかじめ設
定した判別式（１）を満たすかを判断する。
【００１２】
（ウィンドウ２２の信号強度）＞ｋ＊（ウィンドウ２４の信号強度）・・（１）
ｋは１以上の実数
層１１の分析中は、それぞれのウィンドウにおけるスペ
クトルは、図５ａに示すように、２１ａ、２２ａ、２３
ａ、２４ａのようになり、ウィンドウ２２の信号強度は
ウィンドウ２４の信号強度と同程度であるので、判別式
（１）を満たさない。よって、この後のスパッタエッチ
ングでは、あらかじめ設定したエッチング条件（条件
ａ）で、試料のスパッタエッチングを再度行う。このよ
うに、分光分析とスパッタエッチングを繰り返して分析
を進める。分析が、層１１と層１２の界面付近まで進む
と、それぞれのウィンドウにおけるスペクトルは、図５
ｂに示すように、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂのよ
うになり、元素Ｂの信号強度が大きくなり、判別式
（１）を満たす。判別式（１）を満たすと、スパッタエ
ッチング条件の変更が行われ、スパッタエッチング条件
が、条件ａから、あらかじめ設定しておいた別の条件
（条件ｂ）に変更される。ところで、条件ｂは、条件ａ
に比べて、一回あたりのスパッタエッチングで削られる
試料の膜厚が小さくなるように、イオンビームの加速電
圧を小さくするか、またはイオンビームの電流量を低減
するか、またはイオンビームの走査領域を広くするか、
または一回あたりのスパッタエッチング時間を短くする
かのいづれかひとつ、あるいは複数の設定を行ってお
く。次に、この条件ｂでスパッタエッチングが行われる
が、条件ｂは、条件ａに比べて、一回あたりのスパッタ
エッチングで削られる試料の膜厚が小さいので、層１２
の詳細な分析が可能となる。以降、分析とスパッタエッ
チングを繰り返すことにより、試料の分析を進めること
で深さ方向組成分析ができる。
クトルは、図５ａに示すように、２１ａ、２２ａ、２３
ａ、２４ａのようになり、ウィンドウ２２の信号強度は
ウィンドウ２４の信号強度と同程度であるので、判別式
（１）を満たさない。よって、この後のスパッタエッチ
ングでは、あらかじめ設定したエッチング条件（条件
ａ）で、試料のスパッタエッチングを再度行う。このよ
うに、分光分析とスパッタエッチングを繰り返して分析
を進める。分析が、層１１と層１２の界面付近まで進む
と、それぞれのウィンドウにおけるスペクトルは、図５
ｂに示すように、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂのよ
うになり、元素Ｂの信号強度が大きくなり、判別式
（１）を満たす。判別式（１）を満たすと、スパッタエ
ッチング条件の変更が行われ、スパッタエッチング条件
が、条件ａから、あらかじめ設定しておいた別の条件
（条件ｂ）に変更される。ところで、条件ｂは、条件ａ
に比べて、一回あたりのスパッタエッチングで削られる
試料の膜厚が小さくなるように、イオンビームの加速電
圧を小さくするか、またはイオンビームの電流量を低減
するか、またはイオンビームの走査領域を広くするか、
または一回あたりのスパッタエッチング時間を短くする
かのいづれかひとつ、あるいは複数の設定を行ってお
く。次に、この条件ｂでスパッタエッチングが行われる
が、条件ｂは、条件ａに比べて、一回あたりのスパッタ
エッチングで削られる試料の膜厚が小さいので、層１２
の詳細な分析が可能となる。以降、分析とスパッタエッ
チングを繰り返すことにより、試料の分析を進めること
で深さ方向組成分析ができる。
【００１３】従来の分析方法では、終わりまで一定のス
パッタエッチング条件で分析を行うことになるので、条
件ａだと、一回あたりのスパッタエッチングで削られる
試料の膜厚が大きい条件で、層１２をスパッタエッチン
グすることになり、詳細な分析ができない。また、条件
ｂだと、一回あたりのスパッタエッチングで削られる試
料の膜厚が小さい条件で、層１１をスパッタエッチング
することとなり、分析に時間がかかる。本発明による分
析では、厚い層は短い時間で分析が行え、薄い層は詳細
な分析が可能となる。
パッタエッチング条件で分析を行うことになるので、条
件ａだと、一回あたりのスパッタエッチングで削られる
試料の膜厚が大きい条件で、層１２をスパッタエッチン
グすることになり、詳細な分析ができない。また、条件
ｂだと、一回あたりのスパッタエッチングで削られる試
料の膜厚が小さい条件で、層１１をスパッタエッチング
することとなり、分析に時間がかかる。本発明による分
析では、厚い層は短い時間で分析が行え、薄い層は詳細
な分析が可能となる。
【００１４】実際に、シリコン酸化膜を形成したＳｉ基
板上に上から元素ＡとしてＡｌを１１００ｎｍ、元素Ｂ
としてＴｉＮを１５０ｎｍ、元素ＣとしてＴｉを１００
ｎｍ形成された３層の試料を、図８に示す分析条件によ
り深さ方向に組成分析した結果を図６と図７に示す。図
６は本発明による分析方法を用いて分析した結果であ
り、図７は、条件ａによる従来の分析方法を用いて分析
した結果である。本分析は層１２、層１３を詳細に分析
することを目的としており、層１２の上には、厚い層１
１が積層している。
板上に上から元素ＡとしてＡｌを１１００ｎｍ、元素Ｂ
としてＴｉＮを１５０ｎｍ、元素ＣとしてＴｉを１００
ｎｍ形成された３層の試料を、図８に示す分析条件によ
り深さ方向に組成分析した結果を図６と図７に示す。図
６は本発明による分析方法を用いて分析した結果であ
り、図７は、条件ａによる従来の分析方法を用いて分析
した結果である。本分析は層１２、層１３を詳細に分析
することを目的としており、層１２の上には、厚い層１
１が積層している。
【００１５】本発明による分析方法を用いた図６は、条
件ａで分析を開始し、Ｔｉ＋Ｎのオージェ電子ピークを
含むエネルギーウィンドウの信号強度（信号強度＿Ｔｉ
＋Ｎ）と、ウィンドウ＿ＢＧの信号強度（信号強度＿Ｂ
Ｇ）を比較して、（信号強度＿Ｔｉ＋Ｎ）＞２＊（信号
強度＿ＢＧ）を満たしたときに、スパッタエッチング条
件を条件ｂに変更し、以降は分析終了まで条件ｂで分析
を行っている。従来の分析方法を用いた図７の結果で
は、一回あたりにエッチングされる試料の膜厚が大き
く、本発明による分析方法を用いた図６の結果に比べ
て、層１２、層１３の詳細な分析が実現できていない。
なお、従来の分析方法を用い、スパッタエッチングの条
件として条件ｂを用いて分析を行った場合は、本発明に
よる分析方法を用いた図６の結果と同様、層１２、層１
３の詳細な分析は実現されるものの、分析に要する時間
は、図６では２００分程度なのに対して、５００分程度
と、非常に時間がかかってしまうことになる。
件ａで分析を開始し、Ｔｉ＋Ｎのオージェ電子ピークを
含むエネルギーウィンドウの信号強度（信号強度＿Ｔｉ
＋Ｎ）と、ウィンドウ＿ＢＧの信号強度（信号強度＿Ｂ
Ｇ）を比較して、（信号強度＿Ｔｉ＋Ｎ）＞２＊（信号
強度＿ＢＧ）を満たしたときに、スパッタエッチング条
件を条件ｂに変更し、以降は分析終了まで条件ｂで分析
を行っている。従来の分析方法を用いた図７の結果で
は、一回あたりにエッチングされる試料の膜厚が大き
く、本発明による分析方法を用いた図６の結果に比べ
て、層１２、層１３の詳細な分析が実現できていない。
なお、従来の分析方法を用い、スパッタエッチングの条
件として条件ｂを用いて分析を行った場合は、本発明に
よる分析方法を用いた図６の結果と同様、層１２、層１
３の詳細な分析は実現されるものの、分析に要する時間
は、図６では２００分程度なのに対して、５００分程度
と、非常に時間がかかってしまうことになる。
【００１６】以上は薄い層の上に厚い層が形成されてい
る試料についての場合であるが、本発明の方法によれ
ば、層毎にスパッタエッチングの速度を変えることがで
きるので厚さの違う種々な積層の試料に対しても適用で
きる。
る試料についての場合であるが、本発明の方法によれ
ば、層毎にスパッタエッチングの速度を変えることがで
きるので厚さの違う種々な積層の試料に対しても適用で
きる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、試料が、詳細
に分析を行いたい層の上に厚い層が積層している構造で
ある場合でも、分析時間を増やすことなく、所望の層の
詳細な分析を行うことが可能となる。
に分析を行いたい層の上に厚い層が積層している構造で
ある場合でも、分析時間を増やすことなく、所望の層の
詳細な分析を行うことが可能となる。
【図１】本発明による分析のフローチャートである。
【図２】本発明による装置の概念図である。
【図３】試料断面構造図である。
【図４】各エネルギーウィンドウにおけるスペクトルを
示す図である。
示す図である。
【図５】（ａ）は、層１１の分析中の各ウィンドウにお
けるスペクトルを示す図、（ｂ）は、層１１と層１２の
界面の各ウィンドウにおけるスペクトルを示す図であ
る。
けるスペクトルを示す図、（ｂ）は、層１１と層１２の
界面の各ウィンドウにおけるスペクトルを示す図であ
る。
【図６】本発明による分析方法での分析結果を示す図で
ある。
ある。
【図７】従来技術による分析方法での分析結果を示す図
である。
である。
【図８】分析条件を示す図である。
【図９】従来技術による分析のフローチャートである。
【図１０】従来技術による装置の概念図である。
１ 試料
２ 電子銃
３ 電子銃制御
４ イオン銃
５ イオン銃制御
６ アナライザ
７ アンプ
８ インターフェース
９ ロジック部
１０ 条件変更制御部
１１ 元素Ａからなる層
１２ 元素Ｂからなる層
１３ 元素Ｃからなる層
２１ 元素Ａのオージェ電子ピークを含むエネルギ
ー範囲のウィンドウ ２２ 元素Ｂのオージェ電子ピークを含むエネルギ
ー範囲のウィンドウ ２３ 元素Ｃのオージェ電子ピークを含むエネルギ
ー範囲のウィンドウ ２４ 元素Ａ、Ｂ、Ｃのオージェ電子ピークを含ま
ないエネルギー範囲のウィンドウ ２１ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２１のス
ペクトル ２２ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２２のス
ペクトル ２３ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２３のス
ペクトル ２４ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２４のス
ペクトル ２１ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
１のスペクトル ２２ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
２のスペクトル ２３ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
３のスペクトル ２４ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
４のスペクトル
ー範囲のウィンドウ ２２ 元素Ｂのオージェ電子ピークを含むエネルギ
ー範囲のウィンドウ ２３ 元素Ｃのオージェ電子ピークを含むエネルギ
ー範囲のウィンドウ ２４ 元素Ａ、Ｂ、Ｃのオージェ電子ピークを含ま
ないエネルギー範囲のウィンドウ ２１ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２１のス
ペクトル ２２ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２２のス
ペクトル ２３ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２３のス
ペクトル ２４ａ 層１１の分析中におけるウィンドウ２４のス
ペクトル ２１ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
１のスペクトル ２２ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
２のスペクトル ２３ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
３のスペクトル ２４ｂ 層１１と層１２の界面におけるウィンドウ２
４のスペクトル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−108949（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−273157（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−5826（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−122556（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 23/00 - 23/227
Claims (4)
- 【請求項１】 イオンビームによるスパッタエッチング
とオージェ電子分光分析によるスペクトル測定とを交互
に行うマルチレイヤー試料の深さ方向分析において、ス
ペクトル測定の際に、測定したい元素のオージェ電子の
ピークを含むエネルギー範囲のウィンドウの他に、測定
したい元素のオージェ電子のピークを含まないエネルギ
ー範囲のウィンドウをモニターし、測定したい元素のオ
ージェ電子のピークを含むエネルギー範囲のウインドウ
における信号強度と測定したい元素のオージェ電子のピ
ークを含まないエネルギー範囲のウインドウにおける信
号強度とを比較して、所定の条件を満たした時に、スパ
ッタエッチングの条件を変更することを特徴とするオー
ジェ電子分光分析方法。 - 【請求項２】 試料をスパッタエッチングするイオン銃
と、試料に電子線を照射する電子銃と、そのとき発生し
たオージェ電子を検出するアナライザと、測定したい元
素のオージェ電子のピークを含むエネルギー範囲のウイ
ンドウにおける信号強度と測定したい元素のオージェ電
子のピークを含まないエネルギー範囲のウインドウにお
ける信号強度とを比較して、所定の条件を満たすかどう
かを判別するロジック部と、所定の条件を満たした時に
自動でスパッタエッチングの条件を変更する制御部とを
備えたオージェ電子分光分析装置。 - 【請求項３】 ある測定したい元素のオージェ電子ピー
クを含むエネルギー範囲のウィンドウにおける信号強度
Ａと、測定したい元素のオージェ電子のピークを含まな
いエネルギー範囲のウィンドウにおける信号強度Ｂとを
比較し、（信号強度Ａ）＞ｋ＊（信号強度Ｂ） （ただ
し、ｋは１以上の実数） を満たすときに、スパッタエ
ッチングの条件を変更することを特徴とする請求項１に
記載のオージェ電子分光分析方法。 - 【請求項４】 変更するスパッタエッチングの条件は、
イオンビームの加速電圧、イオンビームの電流量、イオ
ンビームの走査領域、一回あたりのスパッタエッチング
時間のいづれか一つ、あるいは複数の条件を変更するこ
とを特徴とする請求項１に記載のオージェ電子分光分析
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36415198A JP3502556B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | オージェ電子分光分析方法およびその装置 |
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