JP3490862B2 - 半導体装置の配線構造 - Google Patents
半導体装置の配線構造Info
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Description
し、特にIGBT等のスイッチング素子で構成されるイ
ンバータスタック等の半導体装置に備わる配線構造に関
するものである。
ータスタック)の等価回路図を、図7に示す。図8はそ
のようなインバータ回路の配線構造を示す図である。図
9はそのような配線構造の外部接続のための端子を部分
的に拡大した断面図である。又、図10はそのような端
子での接続状態を示す断面図である。
スイッチング素子(IGBT)、105はスナバコンデ
ンサ、106は電解コンデンサ、107はスナバコンデ
ンサCsとスイッチング素子とが接続された配線構造の
接続部分、108,109はインバータスタックの電極
引出しのための絶縁層、111はIGBT101,10
3のコレクタCに接続されたP側(プラス側)の平板導
体、112はIGBT102,104のエミッタEに接
続されたN側(マイナス側)の平板導体、113,12
3はガラスエポキシ、あるいは他のプラスチックのプレ
ートやフィルム等から形成される絶縁層、114は平板
導体111の端部を折り曲げて形成された外部接続のた
めの端子、115は同じく平板導体112の端部を折り
曲げて形成された外部接続のための端子、116は絶縁
層113の突出部、117は絶縁層113と同じくガラ
スエポキシ、あるいは他のプラスチックのプレートやフ
ィルム等から形成される補助絶縁層、121,122は
それぞれスナバコンデンサ105の配線構造を構成する
P側、N側の導体である平板導体、124は平板導体1
21の端部を折り曲げて形成された外部接続のための端
子、125は同じく平板導体122の端部を折り曲げて
形成された外部接続のための端子、128は絶縁層11
3と絶縁層123の突合わせ部である。
負電圧が印加された場合、IGBT101〜104のゲ
ート電極G1〜G4に印加する電圧を順次切り換える
と、外部端子L1,L2間には交流電流が流れる。ゲー
ト電極G1〜G4に印加する電圧の周期を変化させる
と、交流電流の周波数を変化させることができる。スナ
バコンデンサ105(Cs)はこのインバータ回路をサ
ージ電圧から保護するための容量数μFの保護用コンデ
ンサである。また、電解コンデンサ106(Ce)は、
DC電源からの電流を蓄積しインバータ回路に安定した
電流を流すための数千〜数万μFの電源安定化用コンデ
ンサである。
されるインバータスタックにおいてはスイッチング素子
にかかる過電圧を抑制するためにDC電源回路の電解コ
ンデンサ、スナバ回路とスイッチング素子からなる閉回
路のインダクタンスを極力小さくすることが配線上極め
て重要な課題となっている。これにより、スイッチング
素子の過電圧抑制のため接続されるスナバ回路の省略、
スナバ容量の低減が可能となり、インバータ装置の小型
化やコストダウンを図れるという大きな利点がある。
ンデンサ105→IGBT101→IGBT102→ス
ナバコンデンサ105、あるいはスナバコンデンサ10
5→IGBT103→IGBT104→スナバコンデン
サ105、あるいは電解コンデンサ106→IGBT1
01→IGBT102→電解コンデンサ106、あるい
は電解コンデンサ106→IGBT103→IGBT1
04→電解コンデンサ106に示す閉回路でのインダク
タンスの低減が重要な課題となってくる。このようなイ
ンダクタンス低減の手段としては、図9のように銅やア
ルミ等より成る平行平板導体111,112を絶縁層1
13を介して積層し電流が逆向きに流れる往復導体を構
成することが有効となる。
対し、例えばスナバコンデンサ105は図8に示すよう
に接続される。なお、図7で示したIGBT103,1
04、電解コンデンサ106は、図8中では見えない所
にあるため図示されていない。
き(往復)の電流が流れる。端子114,115は、平
板導体111,112の間あるいはその一方に外部から
スナバコンデンサや電解コンデンサ等の他の部品、ある
いは他の回路を接続し易いように設けられたもので、絶
縁層116は平板導体111,112を電気的に絶縁す
るために設けられている。突出部116は、端子114
と端子115との絶縁の沿面距離を確保するために設け
られている。突出部116は平板導体111,112間
に印加される電圧が高くなればなるほど重要な役割を担
っている。
21及び平板導体112,122間の接続固定にはボル
トやナットが用いられている。この接続固定された状態
でスナバコンデンサ側の端子124,125はIGBT
側の平板導体114,115と電気的に接続されてい
て、絶縁層123は絶縁層113と向かい合い、空間で
ある突合わせ部128が存在する。この突合わせ部12
8において、沿面放電や絶縁破壊が起きるのを防止する
ため、補助絶縁層117が設けられている。
線構造は、上述したように構成されているので、次のよ
うな問題点を内包している。
構造は、高電圧用には適しているが、外部から平板導体
を接続する場合において、相手側の接続部分が図10に
示すように複雑となる。すなわち、補助絶縁層117を
設けるなどして絶縁上の対策をしなければならず、非常
に面倒であった。
配線構造では接続主体側の絶縁層113と相手側の絶縁
層123との間に、突合わせ部128が存在する。前述
したように、突合わせ部128において沿面放電や絶縁
破壊が起こり、これを防止するために補助絶縁層117
が必要となる。この補助絶縁層117は、絶縁層11
3,123と平板導体122との間に存在するため、そ
の分だけ平板導体121と平板導体122との間隔が大
きくなり、平板導体111,112と段違いとなり接続
しにくくなる他、平板導体121,122間の絶縁層も
段違いとなって間隙ができる等、絶縁構造上望ましいと
は言えない。また、内部の沿面距離を延ばすためには補
助絶縁層117の寸法を長くしなければならず接続に要
する寸法が長くなる上、補助絶縁層117を挿入しなけ
ればならず、作業性も悪くなるという問題点もあった。
るためになされたものであり、接続部分の絶縁性能を改
善し接続の際に要する補助絶縁層をなくして接続部分の
寸法を小さくすると共に平板導体同士の接続の際に作業
性の良い半導体装置の配線構造を提供することをその目
的としている。
装置の配線構造は、端部を折り曲げることにより形成さ
れた外部接続のための端子を有する第1の平板導体と、
前記第1の平板導体に近接して平行に配置され、端部を
前記第1の平板導体に揃えてかつ反対方向に折り曲げる
ことにより形成された外部接続のための端子を有し、前
記第1の平板導体とは往復導体を構成する第2の平板導
体と、前記第1及び第2の平板導体の間に設けられた絶
縁層とを備え、前記絶縁層は、前記第1及び第2の平板
導体の端部近傍において、当該端部の位置を基準として
窪み部と突出部とを備えていることを特徴としている。
は、第1の発明の半導体装置の配線構造であって、前記
半導体装置の配線構造の前記端子には所望の被接続体が
接続され、前記被接続体の配線構造は、前記半導体装置
の配線構造と同様の構成を備えていることを特徴として
いる。
は、第1又は第2の発明の半導体装置の配線構造であっ
て、前記絶縁層は単一の層より成り、前記窪み部は、前
記絶縁層の一部が切り欠き削除され形成されたことを特
徴としている。
は、第1又は第2の発明の半導体装置の配線構造であっ
て、前記絶縁層は、複数の絶縁シートを積層して形成さ
れており、前記複数の絶縁シートの端部は、前記窪み部
及び突出部に対応して凹凸状に位置をずらされているこ
とを特徴としている。
1及び図2に基づき説明する。
導体装置において配線構造が接続される前後の様子を示
す断面図である。
体の構成については従来の技術と変化はないので従来の
技術の説明で触れた図8の配線構造の接続部分107を
拡大した断面図についてのみ説明を行う。
10では平板導体11,12の間に絶縁層13が挿入さ
れている。平板導体11,12は端部でお互い反対向き
にほぼ直角に折り曲げられて、端子14,15が形成さ
れている。絶縁層13は、平板導体11,12の端部に
おいて厚みの一部が切り欠き削除されており、これによ
り前記端部より窪んでいる窪み部17と前記端部より突
出している突出部16とが形成されている。
の場合も接続部分10の構成と同じ構成をしており、平
板導体21,22の間に絶縁層23が挿入され、平板導
体21,22は端部でお互い反対方向にほぼ直角に折り
曲げられて、端子24,25が形成されている。平板導
体21,22の端部において絶縁層23の厚みの一部が
切り欠き削除されて窪み部27及び突出部26が形成さ
れていることも同じである。
されているので、お互いに接続部分10と20とを接合
させることが可能となる。つまり、接続部分10の突出
部16は接続部分20の窪み部27に挿入され、接続部
分20の突出部26は接続部分10の窪み部17に挿入
されることとなり、端子14,24はほぼ直角に起立し
ているために端子14,24の面同士で合わさり、端子
15,25もほぼ直角に起立しているために同じように
端子15,25の面同士で合わせることが可能となる。
接合が終了後の様子を説明するならば、突出部16,2
6がそれぞれ窪み部27,17に旨くはめ込まれ、端子
14と端子24同士、端子15と端子25同士はボルト
及びナットによりネジ止めして接続固定が行われる。こ
の時、突出部16、窪み部27あるいは突出部26、窪
み部17にはそれぞれ突合わせ部28,18が生じる
が、絶縁層23,13の存在のために反対側の平板導体
まで突合わせ部28,18は達していない。このため、
十分に沿面放電や絶縁破壊を防止することが可能とな
る。
は、接続部分10,20のそれぞれの絶縁層13,23
に突出部16,26と窪み部17,27が形成されるこ
とで、図10の補助絶縁層117が不要となり、IGB
T側の配線構造の平板導体11,12とスナバコンデン
サ側の配線構造の平板導体21,22の間隔が一定に保
たれて、IGBT側の配線構造とスナバコンデンサ側の
配線構造が容易に接合することが可能となる。また、絶
縁層13,23の内部沿面距離を突出部16,26及び
窪み部17,27の長さを変えることにより(印加電圧
が高い時は突出部16,26及び窪み部17,27の長
さを長くし、印加電圧が低い時には突出部16,26及
び窪み部17,27の長さを短くし)、印加回路電圧に
対応した設計が可能となり、内部沿面距離を接続部分1
0,20の両方に取ることができるため接続部分10,
20の寸法を大幅に短縮できる。
層の一部を切り欠き削除して突出部及び窪み部を形成す
ることで、接続部分の絶縁性能を改善し従来の技術で必
要とされた補助絶縁層が不要となるため平板導体の接続
部分の寸法を小さくすることができ、また平行平板導体
間隔が一定に保たれるので作業性を著しく向上させるこ
とが可能となる。
の絶縁層の厚みの一部を削除して突出部及び窪み部を形
成したが、本実施の形態2では、複数の絶縁シートを凹
凸状に積層して絶縁層を形成することにより突出部及び
窪み部を形成する。
び図4を用いて説明を行う。
導体装置において配線構造が接続される前後の様子を示
す断面図である。
り、IGBT側の接続部分30は平板導体31,32の
間に絶縁層として複数の絶縁シート33a,33bが凹
凸状に積層して形成されている。平板導体31,32の
端部では、お互い反対向きにほぼ直角に折れ曲がった端
子34,35が形成されている。なお、この端部から絶
縁シート33aの一部がはみ出して、突出部36を形成
している。一方、絶縁シート33bは端部よりも窪んで
おり、窪み部37を形成している。なお、絶縁シートは
ガラスエポキシ板のような堅い物でもよいし、ポリエス
テル等の柔軟性を有する物でも良い。
サ側の接続部分40も接続部分30と同様に平板導体4
1,42の間に絶縁層として複数の絶縁シート43a,
43bが凹凸状に積層して形成されており、平板導体4
1,42は端部で折り曲げられて端子44,45を形成
している。絶縁シート43aの一部は端部よりもはみ出
して突出部46を形成しており、絶縁シート43bは端
部よりも窪んでいて窪み部47を形成している。
されているので、お互いに接続部分30と40とを接合
させることが可能となる。つまり、接続部分30の突出
部36は接続部分40の窪み部47に挿入され、接続部
分40の突出部46は接続部分30の窪み部37に挿入
されることとなり、端子34,44はほぼ直角に起立し
ているために端子34,44の面同士で合わさり、端子
35,45もほぼ直角に起立しているために同じように
端子35,45の面同士で合わせることが可能となる。
接合が終了後の様子を説明するならば、突出部36,4
6がそれぞれ窪み部47,37に旨くはめ込まれ、端子
34と端子44同士、端子35と端子45同士はボルト
及びナットによりネジ止めして接続固定が行われる。こ
の時、突出部36、窪み部47あるいは突出部46、窪
み部37にはそれぞれ突合わせ部48,38が生じる
が、絶縁層43a,43b,33a,33bの存在のた
めに反対側の平板導体まで突合わせ部48,38は達し
ていない。このため、十分に沿面放電や絶縁破壊を防止
することが可能となる。
ると、絶縁層を絶縁シートで構成することでIGBT側
の接続部分30の突出部36及び窪み部37を絶縁シー
ト33a,33bで構成するか、あるいはスナバコンデ
ンサ側の接続部分40の絶縁層の突出部46及び窪み部
36を絶縁シート43a,43bで構成することになる
ので、実施の形態1に比べて突出部及び窪み部を有する
絶縁層を容易に作成することができる。また、図10の
補助絶縁層117が不要となり、IGBT側の配線構造
の平板導体31,32とスナバコンデンサ側の配線構造
の平板導体41,42の間隔が一定に保たれて、IGB
T側の配線構造とスナバコンデンサ側の配線構造が容易
に接合することが可能となる。なお、内部沿面距離を突
出部36,46及び窪み部37,47の長さを変えるこ
とにより印加回路電圧に対応した設計が可能となり、内
部沿面距離を接続部分30,40の両方に取ることがで
きるため接続部分30,40の寸法を大幅に短縮でき
る。
層を複数の絶縁シートにより凹凸状に構成して突出部及
び窪み部を形成することで、接続部分の絶縁性能を改善
し従来の技術で必要とされた補助絶縁層が不要となるた
め平板導体の接続部分の寸法を小さくすることができ、
また平行平板導体間隔が一定に保たれて作業性を著しく
向上させることが可能となる。
態2では絶縁シートを2枚用いて突出部及び窪み部を有
する絶縁層を作成することで半導体装置の配線構造を形
成していたが、3枚以上の絶縁シートを用いて各複数の
突出部及び窪み部を有する絶縁層を作成することにより
半導体装置の配線構造を形成することも可能である。そ
こで、ここでの変形例では、一例として絶縁シートを4
枚用いた半導体装置の配線構造について図5,図6によ
り説明を行う。
50の絶縁層は各2枚の絶縁シート53a,53bから
構成されており、平板導体51,52の端部において2
枚の絶縁シート53aの一部がはみ出して突出部56を
形成しており、2枚の絶縁シート53bは窪んで窪み部
57を形成している。なお、絶縁シートはガラスエポキ
シ板のような堅い物でもよいし、ポリエステル等の柔軟
性を有する物でも良い。
ても同様に絶縁層は各2枚の絶縁シート63a,63b
が凹凸状に積層することで構成されており、平板導体6
1,62の端部において2枚の絶縁シート63aの一部
がはみ出し突出部66を形成し、2枚の絶縁シート63
bは窪んで窪み部67を形成している。
らば、絶縁シート53a,53bはそれぞれ絶縁シート
63b,63aと突き合い、突き合わせ部58,68が
存在する。
変形例では、絶縁層が複数の薄い絶縁シートから構成さ
れているため、絶縁シートの材料として柔軟性を接続し
た後も柔軟性を有し、配線構造自体が壊れにくくなる。
このため、接続部分50と接続部分60との接合角度が
ずれていても接続を図れることができる。また、接続を
行った後にも配線構造自体に柔軟性を有することになる
ため、配線を曲げることができる。
形態2の変形例では、IGBTインバータ回路の配線に
ついて述べたが、GTOやその他のスイッチング素子を
用いた回路の配線でもよく、広く低インダクタンスの配
線構造に適用できる。
よれば、2枚の平板導体の端部において突出部及び窪み
部が形成されている絶縁層を備えることで、接続部分の
絶縁性能を改善し従来の技術で必要とされた補助絶縁層
が不要となり接続部分の寸法が小さくなった接合部を有
する半導体装置の配線構造を提供できるという効果があ
る。
縁層の一部を切り欠き削除して形成したことで、単一の
絶縁層を用いれば済むという効果がある。
シートを積層しその端部を凹凸状に位置ずらしすること
で、突出部及び窪み部を容易に形成することができ、し
かも絶縁シートが柔軟性を有すれば曲げ加工できる接合
部を形成できるという効果がある。
の配線構造が接続される前の様子を示す断面図である。
の配線構造が接続された後の様子を示す断面図である。
の配線構造が接続される前の様子を示す断面図である。
の配線構造が接続された後の様子を示す断面図である。
導体装置の配線構造が接続される前の様子を示す断面図
である。
導体装置の配線構造が接続された後の様子を示す断面図
である。
図である。
図である。
的に拡大した断面図である。
部接続の様子を示す断面図である。
1,52,61,62平板導体、13,23 絶縁層、
14,15,24,25,34,35,44,45,5
4,55,64,65 端子、16,26,36,4
6,56,66突出部、17,27,37,47,5
7,67 窪み部、33a,33b,43a,43b,
53a,53b,53c,53d,63a,63b,6
3c,63d 絶縁シート、18,28,38,48,
58,68 突合わせ部。
Claims (4)
- 【請求項1】 端部を折り曲げることにより形成された
外部接続のための端子を有する第1の平板導体と、 前記第1の平板導体に近接して平行に配置され、端部を
前記第1の平板導体に揃えてかつ反対方向に折り曲げる
ことにより形成された外部接続のための端子を有し、前
記第1の平板導体とは往復導体を構成する第2の平板導
体と、 前記第1及び第2の平板導体の間に設けられた絶縁層と
を備え、 前記絶縁層は、前記第1及び第2の平板導体の端部近傍
において、当該端部の位置を基準として窪み部と突出部
とを備えていることを特徴とする、半導体装置の配線構
造。 - 【請求項2】 前記半導体装置の配線構造の前記端子に
は所望の被接続体が接続され、 前記被接続体の配線構造は、前記半導体装置の配線構造
と同様の構成を備えていることを特徴とする、請求項1
記載の半導体装置の配線構造。 - 【請求項3】 前記絶縁層は単一の層より成り、 前記窪み部は、前記絶縁層の一部が切り欠き削除され形
成されたことを特徴とする、請求項1又は2記載の半導
体装置の配線構造。 - 【請求項4】 前記絶縁層は、複数の絶縁シートを積層
して形成されており、 前記複数の絶縁シートの端部は、前記窪み部及び突出部
に対応して凹凸状に位置をずらされていることを特徴と
する、請求項1又は2記載の半導体装置の配線構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10898597A JP3490862B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 半導体装置の配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10898597A JP3490862B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 半導体装置の配線構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303349A JPH10303349A (ja) | 1998-11-13 |
JP3490862B2 true JP3490862B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=14498671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10898597A Expired - Fee Related JP3490862B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 半導体装置の配線構造 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3490862B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3642012B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2005-04-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置,電力変換装置及び自動車 |
JP4687286B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の実装構造 |
JP4736849B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-07-27 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置及び半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法 |
JP4434181B2 (ja) | 2006-07-21 | 2010-03-17 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP4452953B2 (ja) | 2007-08-09 | 2010-04-21 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5080326B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-11-21 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子部品の端子接続構造及び電動パワーステアリング装置のコントロールユニット構造並びに電子部品の端子接続方法 |
JP5551808B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-07-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体モジュール及びこれを備えた電力変換装置 |
JP5706563B2 (ja) * | 2013-04-10 | 2015-04-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体モジュール及びこれを備えた電力変換装置 |
WO2015087433A1 (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
JPWO2024004383A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10898597A patent/JP3490862B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10303349A (ja) | 1998-11-13 |
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