JP4736849B2 - 半導体装置及び半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法に関する。

電力用半導体モジュールを例えばコンデンサと接続する場合、図１２に示すように、半導体モジュール４０の正側電位の端子４１と、負側電位の端子４２とが水平方向で離れた状態に設けるとともに、配線バー４３，４４を介してコンデンサ４５に接続した場合、配線バー４３，４４と端子４１，４２との接合部においてインダクタンスが発生する。インダクタンスの発生を防止する方法として、図１３に示すように、正側電極端子４６と負側電極端子４７とを上下に平行に配置するとともに、両電極端子４６，４７間に配線バー４３及び配線バー４４の間に絶縁物４８を介在させた状態において、絶縁物製のねじ４９で締め付け固定する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

また、大電力半導体装置において、基板上に固着された半導体チップの電極端子が基板上に形成された電極端子台に接続され、この電極端子台には少なくとも接合端部が板状の外部電極端子の一端が超音波接合により接続された構成が開示されている（例えば、特許文献２参照）。この外部電極端子の一部、前記基板、前記基板上に固着された半導体チップ及び電極端子台は樹脂ケース内に収納されている。
特開２００４−２１４４５２号公報 特開平１１−１９５７２５号公報

特許文献１に開示された電力用半導体モジュール（半導体装置）では図１３に示すように、配線バー４３，４４の間に配置された絶縁物４８と、正側電極端子４６及び負側電極端子４７の間に配置された絶縁物４８との間に隙間Δが存在する。そのため、配線バー４３及び配線バー４４間の絶縁を確保するには沿面距離を確保するために絶縁物４８の厚さを厚くしなければならないという問題がある。また、両電極端子４６，４７と配線バー４３，４４との接合がねじ４９による締め付けで行われているため、見かけ上面接触となるが、実際はねじ４９による締め付け箇所毎の点（線）接触となり、面接触の場合に比較して電気抵抗が大きくなるという問題がある。また、ねじ４９で締め付けるには、ねじ４９が挿通される孔を電極端子４６，４７及び配線バー４３，４４に形成する必要があり、その分、接触面積が小さくなる。従って、必要な接触面積を確保するためには、少なくとも孔の分は電極端子４６，４７及び配線バー４３，４４の接合部における面積を大きくする必要がある。

特許文献２では板状の外部電極端子が超音波接合により電極端子台に接続されている。超音波接合による接合では、接合部は面接触となる。しかし、超音波接合を行う場合は、接合箇所を接合ツール（ホーン）によって強く押圧した状態で振動を加える必要があるため、接合対象物を支持する部分が押圧力で変形しない強度を有する必要がある。そのため、電極端子のように支持部から浮いた状態にあるものや撓み易い支持部で支持された物に対する超音波接合は難しい。

本発明の目的は、インダクタンスの発生を抑制した状態で半導体装置の正側外部接続端子及び負側外部接続端子と、前記各外部接続端子に接合される外部電極との接合部の抵抗が小さくなり、各外部接続端子間及び外部電極間の距離が近くても絶縁を確保することができる半導体装置及びその外部接続端子と外部電極との接合方法を提供することにある。

前記の目的を達成するために、請求項１〜４に記載の発明は、板状の正側外部接続端子に接続される板状の正側外部電極と、板状の負側外部接続端子に接続される板状の負側外部電極とが面同士が並行に、かつ両外部電極間及び両外部接続端子間に電気的絶縁部が連続して配設された状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子の水平に延びる部分にそれぞれ対向する正側外部電極及び負側外部電極の一端が水平状態で接続され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその正側外部接続端子及び負側外部接続端子にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続されている。

ここで、「対向する面全体で接合された状態」とは、超音波接合による接合のように外部電極及び外部接続端子の互いに対向する面同士が直接接触して接合された状態や、外部電極及び外部接続端子の互いに対向する面の間全体に半田や導電性樹脂等の導電性接合材が介在して接合された状態（請求項４）を意味する。

この発明では、それぞれ板状の正側外部接続端子及び負側外部接続端子と正側外部電極及び負側外部電極とが、面同士が並行な状態で面全体で接合されるため、接合部にインダクタンスが発生するのが抑制されるとともに接合部の抵抗が小さくなる。また、両外部電極間及び外部接続端子間に電気的絶縁部が連続して配設されているため、各外部接続端子間及び外部電極間の距離が近くても絶縁を確保することができる。

また、請求項１に記載の発明は、前記電気的絶縁部は、前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子に近い側の部分が絶縁材を注入することで形成されたものである。ここで「絶縁材を注入することで形成されたもの」とは、絶縁材がゲル状のものや液状で注入された後、最終的に硬化して固体として形成されたものを意味する。この発明では、電気的絶縁部の一端側となる正側外部接続端子と負側外部接続端子あるいは一方の外部電極との間に、絶縁を確保した状態で電気的絶縁部を設けるのが容易になる。

また、請求項２に記載の発明は、前記電気的絶縁部は板状の絶縁材で形成されるとともに、一端がハウジングに形成された溝内に挿入されている。この発明では、板状の絶縁材を、その一端が溝内に挿入された状態で正側外部接続端子と負側外部接続端子あるいは一方の外部電極との間に配置することにより、容易に絶縁を確保することができる。

また、請求項３に記載の発明は、前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子と前記正側外部電極及び前記負側外部電極とはそれぞれ超音波接合により接合されている。この発明では、接合部の接合強度が高く、接合面の電気抵抗が小さな接合状態を確保できる。

また、請求項４に記載の発明は、前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子はハウジングの外部に水平に真っ直ぐ突出するように配設され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその間に前記電気的絶縁部が設けられた状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子に導電性接合材を介して電気的に接続されている。この発明では、正側外部接続端子及び負側外部接続端子と、正側外部電極及び負側外部電極との接合を同時に行うことができる。

請求項５に記載の発明は、半導体装置のハウジングから上方に突出するとともに水平な接合面を有する形状に屈曲形成され、かつ前記接合面の高さが異なる板状の正側外部接続端子及び板状の負側外部接続端子に対して、板状の正側外部電極及び板状の負側外部電極をそれぞれ電気的に接続する外部接続端子と外部電極との接合方法である。そして、前記接合面の高さが低い側の外部接続端子に対して対応する外部電極を電気的に接続し、次に当該外部接続端子及び外部電極の上面を覆うように電気的絶縁部を設けた後、前記接合面の高さが高い側の外部接続端子に対して対応する外部電極を前記接合面の高さが低い側の外部接続端子に対して接合された外部電極と並行になる状態で電気的に接続する。この発明では、接合を超音波接合で行う場合でも、容易に対応することが可能になる。

請求項６に記載の発明は、半導体装置のハウジングから平行に突出するように形成された板状の正側外部接続端子及び板状の負側外部接続端子に対して、板状の正側外部電極及び板状の負側外部電極をそれぞれ電気的に接続する外部接続端子と外部電極との接合方法である。そして、前記正側外部電極及び前記負側外部電極の間に電気的絶縁部を介在させた状態で、前記正側外部電極及び前記負側外部電極をその一端側がそれぞれ前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子と対向し、かつ前記正側外部接続端子と前記正側外部電極との間及び前記負側外部接続端子と前記負側外部電極との間に導電性接合材が介在する状態で配置した後、前記導電性接合材により前記正側外部接続端子と前記正側外部電極及び前記負側外部接続端子と前記負側外部電極とをそれぞれ電気的に接続する。この発明では、正側外部接続端子及び負側外部接続端子に対して正側外部電極及び負側外部電極を同時に接合することができる。

本発明によれば、インダクタンスの発生を抑制した状態で半導体装置の正側外部接続端子及び負側外部接続端子と、前記各外部接続端子に接合される外部電極との接合部の抵抗を小さくすることができるとともに、各外部接続端子間及び外部電極間の距離が近くても絶縁を確保することができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置（半導体モジュール）１０は、図示しない電力用半導体素子に一端が接続された板状の正側外部接続端子１１と、板状の負側外部接続端子１２とを備えている。両外部接続端子１１，１２は、側面逆Ｌ字状に形成されるとともに、少なくとも水平に延びる部分が樹脂製のハウジング１３の外部に露出する状態で配設されている。負側外部接続端子１２は水平に延びる部分１２ａの下面がハウジング１３の上面に当接する状態に設けられている。正側外部接続端子１１は、上下方向に延びる部分の一部と、水平に延びる部分１１ａとがハウジング１３の外部に露出するとともに、水平に延びる部分１１ａが負側外部接続端子１２の水平に延びる部分１２ａの一部上方を覆う状態に設けられている。

正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２は、ハウジング１３を構成する樹脂部にモールドされている部分の少なくとも端子露出部に近い側が近接した状態で並行に配置されている。近接した状態とは、樹脂部により電気的絶縁が確保可能な距離で、かつハウジングの小型化に寄与できるように近い状態を意味する。

正側外部接続端子１１の部分１１ａには板状の正側外部電極１４の一端が水平状態で電気的に接続されている。負側外部接続端子１２の部分１２ａには板状の負側外部電極１５の一端が水平状態で電気的に接続されている。正側外部電極１４及び負側外部電極１５は、正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続されている。

負側外部電極１５の上には絶縁板１６、即ち板状の絶縁材が配置され、絶縁板１６の下側、正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２に近い側の部分には絶縁材としての絶縁樹脂部１７が設けられている。絶縁板１６は、幅（図１（ａ）における上下方向の長さ）が正側及び負側外部電極１４，１５の幅より大きく形成されている。絶縁樹脂部１７は例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化製樹脂で形成されている。絶縁樹脂部１７は、絶縁板１６の下側の正側外部接続端子１１と対応する空間に注入された後、硬化することで形成される。絶縁板１６及び絶縁樹脂部１７により、両外部接続端子１１，１２間及び両外部電極１４，１５間に連続して配設された電気的絶縁部が構成されている。

正側外部電極１４は複数のコンデンサ１８のプラス端子１８ａに接続され、負側外部電極１５はコンデンサ１８のマイナス端子１８ｂに接続されている。即ち、複数のコンデンサ１８は並列に接続されている。各外部電極１４，１５は、コンデンサ１８の端子１８ａ，１８ｂと対応する箇所に、端子１８ａ，１８ｂにそれぞれ接続される接続部（図示せず）が折曲げ形成されている。絶縁板１６には外部電極１４，１５の接続部と干渉しないように孔（図示せず）が形成されており、負側外部電極１５には正側外部電極１４の接続部と干渉しないように孔（図示せず）が形成されている。

次に半導体装置１０の製造方法における一工程である外部接続端子１１，１２と外部電極１４，１５との接合方法を説明する。
図２（ａ），（ｂ）に示す正側外部電極１４及び負側外部電極１５が接合されていない状態から、図３（ａ），（ｂ）に示すように、負側外部接続端子１２の部分１２ａの上面に負側外部電極１５の一端が超音波接合により接合される。部分１２ａは下面がハウジング１３の上面に当接しているため、超音波接合の際に負側外部電極１５の上面から図示しない超音波接合用のツール（ホーン）によって、負側外部電極１５及び負側外部接続端子１２に押圧力が加わっても、負側外部接続端子１２及び負側外部電極１５の撓みが抑制された状態で超音波接合が行われる。

次に図４（ａ），（ｂ）に示すように、負側外部電極１５の上に絶縁板１６が配置されるとともに、正側外部接続端子１１の負側外部接続端子１２と対向する側の面、絶縁板１６の下面、負側外部接続端子１２の部分１２ａ、負側外部電極１５の先端面で囲まれる空間に熱硬化製樹脂が注入されるとともに硬化されて絶縁樹脂部１７が形成される。この状態では正側外部接続端子１１の部分１１ａの下面は絶縁板１６に当接し、絶縁板１６の下側は絶縁樹脂部１７が存在するため、部分１１ａの下面とハウジング１３の上面との間には空間が無い状態となる。

次に正側外部接続端子１１の部分１１ａの上面に正側外部電極１４の一端が超音波接合により接合されて、図１（ａ），（ｂ）に示す状態となり、外部接続端子１１，１２と外部電極１４，１５との接合工程が完了する。

次に前記のように構成された半導体装置１０の作用を説明する。この半導体装置１０は、例えば、自動車の電源装置の一部を構成するものとして使用される。
それぞれ板状の正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２と正側外部電極１４及び負側外部電極１５とが、面同士が並行な状態で接合されるため、接合部にインダクタンスが発生するのが抑制される。従って、半導体装置１０を構成する電力用半導体素子のスイッチング時におけるサージ電圧の発生が抑制される。

それぞれ板状の正側外部電極１４及び負側外部電極１５は、それぞれ板状の正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２に対して面接触する状態、即ち正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２にそれぞれ対向する面全体で接合する状態で電気的に接続されているため、接合部の電気的抵抗が小さくなる。また、正側及び負側外部電極１４，１５を正側及び負側外部接続端子１１，１２にねじで締め付け固定する場合と異なり、両外部電極１４，１５及び両外部接続端子１１，１２にねじを挿通する孔を形成する必要がないため、孔の分だけ接合部の面積が大きくなり、同じ外形の場合に接合部の抵抗が小さくなる。

また、両外部接続端子１１，１２間及び両外部電極１４，１５間に電気的絶縁部（絶縁板１６及び絶縁樹脂部１７）が連続して配設されているため、各外部接続端子１１，１２間及び両外部電極１４，１５間の距離が近くても絶縁を確保することができる。

この実施形態では以下の効果を有する。
（１）正側外部電極１４と、負側外部電極１５とが面同士が並行に、かつ両外部電極１４，１５間及び両外部接続端子１１，１２間に電気的絶縁部（絶縁板１６及び絶縁樹脂部１７）が連続して配設された状態で正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続されている。従って、接合部にインダクタンスが発生するのが抑制されるとともに接合部の抵抗が小さくなる。インダクタンスの発生が抑制されることにより、サージ電圧による半導体装置の破損が抑制されるとともに、半導体装置を構成する半導体チップとして耐圧の低いものを使用することが可能となり、コスト低下に寄与する。また、各外部接続端子１１，１２間及び外部電極１４，１５間の距離が近くても絶縁を確保することができる。

（２）電気的絶縁部は、正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２に近い側の部分が絶縁材を注入することで形成されたものであるため、電気的絶縁部の一端側となる正側外部接続端子１１と負側外部接続端子１２あるいは一方の外部電極との間に、絶縁を確保した状態で電気的絶縁部を設けるのが容易になる。

（３）前記電気的絶縁部の一端側となる部分は絶縁材として熱硬化性樹脂で形成された絶縁樹脂部１７で構成されているため、正側外部接続端子１１と正側外部電極１４とを超音波接合により接合することができる。

（４）正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２と正側外部電極１４及び負側外部電極１５とはそれぞれ超音波接合により接合されているため、接合部の接合強度が高く、接合面の電気抵抗が小さな接合状態を確保できる。

（５）正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２は、水平な接合面を有する形状に屈曲形成され、かつ接合面の高さが異なるように形成されるとともに、正側外部接続端子１１の接合面の高さが高く形成されている。また、負側外部接続端子１２に対して負側外部電極１５を電気的に接続し、次に負側外部接続端子１２及び負側外部電極１５の上面を覆うように電気的絶縁部を設けた後、正側外部接続端子１１に対して正側外部電極１４を負側外部電極１５と並行になる状態で電気的に接続する。従って、接合を超音波接合で行う場合でも、容易に対応することが可能になる。

（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図５及び図６を参照しながら説明する。この第２の実施形態は、両外部電極１４，１５間及び両外部接続端子１１，１２間に設けられた電気的絶縁部の構成と、正側外部接続端子１１に対する正側外部電極１４の接合方法とが第１の実施形態と異なり、その他の構成は基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。

図６に示すように、電気的絶縁部は板状の絶縁材である一枚の絶縁板１９で形成されている。絶縁板１９は、幅が正側及び負側外部電極１４，１５の幅より大きく形成されている。絶縁板１９は、一端がハウジング１３に形成された溝２０内に挿入されている。絶縁板１９は、一端が溝２０に嵌合された状態で取り付けられても、一端が溝２０に遊挿されるとともに溝２０に絶縁材を注入した状態で取り付けられてもよい。絶縁材としては、例えば、シリコンゲルや絶縁性樹脂が使用される。

負側外部電極１５は第１の実施形態と同様に超音波接合により負側外部接続端子１２に接続されているが、正側外部電極１４は超音波接合ではなく、正側外部電極１４及び正側外部接続端子１１の互いに対向する面の間全体に導電性接合材（図示せず）が介在した状態で接合されている。導電性接合材としては半田や導電性樹脂等が使用される。

この実施形態の半導体装置１０の製造方法における一工程である外部接続端子１１，１２と外部電極１４，１５との接合方法においては、ハウジング１３の所定位置に溝２０が形成されている点を除き、負側外部接続端子１２に対する負側外部電極１５の接合段階までは、前記第１の実施形態と同じである。

負側外部接続端子１２に対する負側外部電極１５の一端の超音波接合による接合が完了した後、図５に示すように、絶縁板１９が、その一端が溝２０に挿入された状態で負側外部接続端子１２及び負側外部電極１５を覆うように取り付けられる。絶縁板１９が両外部接続端子１１，１２間及び両外部電極１４，１５間に連続して配設された電気的絶縁部を構成する。第１の実施形態と異なり、正側及び負側外部接続端子１１，１２と電気的絶縁部（絶縁板１９）との間には空間が存在するため、正側外部接続端子１１の部分１１ａに対して正側外部電極１４の一端を超音波接合で接合することはできない。正側外部電極１４の一端は部分１１ａに対して導電性接合材を介して接合される。

そのため、絶縁板１９のハウジング１３に対する取り付け作業が完了した後、部分１１ａの上面に例えば半田を塗布するとともに、正側外部電極１４の一端を載置した状態で加熱して、半田を溶融させて、正側外部電極１４及び正側外部接続端子１１の互いに対向する面の間全体に半田が濡れ拡がった状態で両者を接合する。

この第２の実施形態においては、第１の実施形態における（１）と同様の効果の他に次の効果を有する。
（６）両外部接続端子１１，１２間及び両外部電極１４，１５間に連続して配設された電気的絶縁部が一枚の絶縁板１９で構成されている。従って、絶縁板１６及び絶縁樹脂部１７で電気的絶縁部を構成する場合に比較して、電気的絶縁部の構成が簡単になる。

（７）正側外部接続端子１１に対する正側外部電極１４の接合が導電性接合材を介した接合により行われる。従って、正側外部接続端子１１の部分１１ａに対して超音波接合時の負荷が加わった際に部分１１ａを超音波接合に支障無く支持する構成を、部分１１ａとハウジング１３との間に設ける手間がいらなくなる。

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 第２の実施形態のように正側外部接続端子１１に対して正側外部電極１４の一端を、導電性接合材を介して接合する場合は、図７に示すように、正側外部電極１４を部分１１ａの下面と対向するように接合してもよい。

○ 正側及び負側外部接続端子１１，１２に対して正側及び負側外部電極１４，１５をそれぞれ超音波接合で接合する構成として、正側及び負側外部接続端子１１，１２をそれぞれ部分１１ａ，１２ａの下面全体がハウジング１３を構成する樹脂と接する状態にインサート成形してもよい。例えば、図８に示すように、正側外部接続端子１１は部分１１ａの下面を除く部分がハウジング１３から露出し、負側外部接続端子１２は部分１２ａの基端側がハウジング１３内に埋設され先端側下面がハウジング１３の上面に接合された状態でハウジング１３にインサート成形される。この場合、超音波接合の際に加わる押圧力が部分１１ａ，１２ａに上側から作用しても、ハウジング１３によりその押圧力が担われるため、正側及び負側外部電極１４，１５を正側及び負側外部接続端子１１，１２に対して超音波接合で支障無く接合することができる。

○ 正側及び負側外部接続端子１１，１２の部分１１ａ，１２ａの下面がハウジング１３の上面に接合された状態でハウジング１３にインサート成形される構成において、先端側が真っ直ぐ水平に延びる構成に限らず、図９に示すように、先端がハウジング１３内に埋設された構成にしてもよい。部分１１ａ，１２ａは、同じ側（外部電極側）に向かって延びるのではなく、部分１２ａは負側外部電極１５側に向かって延び、部分１１ａは正側外部電極１４と反対側に向かって延びるように設けられている。この場合、先端側が真っ直ぐ水平に延びる構成に比較して、正側及び負側外部電極１４，１５を部分１１ａ，１２ａに超音波接合で接合する際に、部分１１ａ，１２ａに振動が加わった場合に部分１１ａ，１２ａを所定位置に保持する機能が向上する。

○ 正側及び負側外部接続端子１１，１２の部分１１ａ，１２ａの下面がハウジング１３の上面に接合された状態でハウジング１３にインサート成形される構成において、正側及び負側外部接続端子１１，１２の部分１１ａ，１２ａの高さが同じになるように構成してもよい。例えば、図１０に示すように、部分１１ａ，１２ａが異なる側（互いに反対側）に向かって延びるように設けるとともに、正側外部電極１４の一端を段差を有するように屈曲形成する。段差部１４ａの高さは、正側外部電極１４と負側外部接続端子１２の部分１２ａの上面との間に負側外部電極１５及び絶縁板１９を配設可能な値に設定される。

○ 正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２はハウジング１３からの突出部が逆Ｌ字状に屈曲した形状に限らない。例えば、図１１に示すように、正側及び負側外部接続端子１１，１２をハウジング１３の外部に水平に真っ直ぐ突出するように配設し、正側外部電極１４及び負側外部電極１５はその間に電気的絶縁部として絶縁板１９が設けられた状態で正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２に導電性接合材を介して電気的に接続してもよい。この場合、正側及び負側外部電極１４，１５を予め絶縁板１９の両面に接合（接着）した状態で正側及び負側外部接続端子１１，１２間に挿入し、加熱等により導電性接合材を同時に正側及び負側外部接続端子１１，１２に接合することも可能である。

○ 正側及び負側外部接続端子１１，１２に対して正側及び負側外部電極１４，１５を超音波接合により接合するのに可能な構成の実施形態、例えば、第１の実施形態や図８〜図１０に示すような構成においては、正側及び負側外部電極１４，１５を半田や導電性樹脂等の導電性接合材を介して正側及び負側外部接続端子１１，１２に接合してもよい。

○ 正側及び負側外部接続端子１１，１２に対して正側及び負側外部電極１４，１５のいずれか一方を超音波接合で接合し、他方を導電性接合材を介して接合するようにしてもよい。

○ 第１の実施形態のように、電気的絶縁部として正側外部接続端子１１及び負側外部接続端子１２に近い側の部分が絶縁材を注入することで形成されたものである場合、正側外部接続端子１１に対して正側外部電極１４を導電性接合材を介して接合する構成においては、絶縁材としてシリコンゲルのように押圧力に対する強度が弱いものを使用してもよい。

○ 正側及び負側外部電極１４，１５間に設ける絶縁材として絶縁板１６に代えて液状の絶縁材を塗布後、硬化させた構成やゲル状の絶縁材を塗布した構成としてもよい。
○ 半導体装置１０は、正側及び負側外部電極１４，１５が水平に配置される状態で使用されるものに限らず、正側及び負側外部電極１４，１５が鉛直方向に沿うように配置される状態で使用されるものでもよい。即ち、正側及び負側外部電極１４，１５は面同士が互いに並行に配置されており、半導体装置１０の使用状態における配置により、水平状態で並行に配置される場合、鉛直状態で並行に配置される場合あるいは斜めに延びる状態で並行に配置される場合がある。

以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項１に記載の発明において、前記正側外部接続端子及び負側外部接続端子はハウジングを構成する樹脂部にモールドされている部分の少なくとも端子露出部に近い側が近接した状態で並行に配置されている。

第１の実施形態を示し、（ａ）は半導体装置の概略平面図、（ｂ）は半導体装置の部分破断模式側面図。 （ａ）は製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は同じく部分破断模式側面図。 （ａ）は製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は同じく部分破断模式側面図。 （ａ）は製造工程を示す概略平面図、（ｂ）は同じく部分破断模式側面図。 第２の実施形態における図４（ｂ）に対応する部分破断模式側面図。 同じく半導体装置の部分破断模式側面図。 別の実施形態の部分破断模式側面図。 別の実施形態の部分破断模式側面図。 別の実施形態の部分破断模式側面図。 別の実施形態の部分破断模式側面図。 別の実施形態の部分破断模式側面図。 従来技術の模式斜視図。 従来技術の模式断面図。

符号の説明

１０…半導体装置、１１…正側外部接続端子、１１ａ，１２ａ…部分、１２…負側外部接続端子、１３…ハウジング、１４…正側外部電極、１５…負側外部電極、１６…電気的絶縁部を構成する絶縁板、１７…同じく絶縁樹脂部、１９…電気的絶縁部としての絶縁板、２０…溝。

Claims (6)

1. 板状の正側外部接続端子に接続される板状の正側外部電極と、板状の負側外部接続端子に接続される板状の負側外部電極とが面同士が並行に、かつ両外部電極間及び両外部接続端子間に電気的絶縁部が連続して配設された状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子の水平に延びる部分にそれぞれ対向する正側外部電極及び負側外部電極の一端が水平状態で接続され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその正側外部接続端子及び負側外部接続端子にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続され、
   前記電気的絶縁部は、前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子に近い側の部分が絶縁材を注入することで形成されたものである半導体装置。
2. 板状の正側外部接続端子に接続される板状の正側外部電極と、板状の負側外部接続端子に接続される板状の負側外部電極とが面同士が並行に、かつ両外部電極間及び両外部接続端子間に電気的絶縁部が連続して配設された状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子の水平に延びる部分にそれぞれ対向する正側外部電極及び負側外部電極の一端が水平状態で接続され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその正側外部接続端子及び負側外部接続端子にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続され、
   前記電気的絶縁部は板状の絶縁材で形成されるとともに、一端がハウジングに形成された溝内に挿入されている半導体装置。
3. 板状の正側外部接続端子に接続される板状の正側外部電極と、板状の負側外部接続端子に接続される板状の負側外部電極とが面同士が並行に、かつ両外部電極間及び両外部接続端子間に電気的絶縁部が連続して配設された状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子の水平に延びる部分にそれぞれ対向する正側外部電極及び負側外部電極の一端が水平状態で接続され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその正側外部接続端子及び負側外部接続端子にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続され、
   前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子と前記正側外部電極及び前記負側外部電極とはそれぞれ超音波接合により接合されている半導体装置。
4. 板状の正側外部接続端子に接続される板状の正側外部電極と、板状の負側外部接続端子に接続される板状の負側外部電極とが面同士が並行に、かつ両外部電極間及び両外部接続端子間に電気的絶縁部が連続して配設された状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子の水平に延びる部分にそれぞれ対向する正側外部電極及び負側外部電極の一端が水平状態で接続され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその正側外部接続端子及び負側外部接続端子にそれぞれ対向する面全体で接合された状態で電気的に接続され、
   前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子はハウジングの外部に水平に真っ直ぐ突出するように配設され、前記正側外部電極及び前記負側外部電極はその間に前記電気的絶縁部が設けられた状態で前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子に導電性接合材を介して電気的に接続されている半導体装置。
5. 半導体装置のハウジングから上方に突出するとともに水平な接合面を有する形状に屈曲形成され、かつ前記接合面の高さが異なる板状の正側外部接続端子及び板状の負側外部接続端子に対して、板状の正側外部電極及び板状の負側外部電極をそれぞれ電気的に接続する外部接続端子と外部電極との接合方法であって、
   前記接合面の高さが低い側の外部接続端子に対して対応する外部電極を電気的に接続し、次に当該外部接続端子及び外部電極の上面を覆うように電気的絶縁部を設けた後、前記接合面の高さが高い側の外部接続端子に対して対応する外部電極を前記接合面の高さが低い側の外部接続端子に対して接合された外部電極と並行になる状態で電気的に接続する半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法。
6. 半導体装置のハウジングから平行に突出するように形成された板状の正側外部接続端子及び板状の負側外部接続端子に対して、板状の正側外部電極及び板状の負側外部電極をそれぞれ電気的に接続する外部接続端子と外部電極との接合方法であって、
   前記正側外部電極及び前記負側外部電極の間に電気的絶縁部を介在させた状態で、前記正側外部電極及び前記負側外部電極をその一端側がそれぞれ前記正側外部接続端子及び前記負側外部接続端子と対向し、かつ前記正側外部接続端子と前記正側外部電極との間及び前記負側外部接続端子と前記負側外部電極との間に導電性接合材が介在する状態で配置した後、前記導電性接合材により前記正側外部接続端子と前記正側外部電極及び前記負側外部接続端子と前記負側外部電極とをそれぞれ電気的に接続する半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法。

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