JP3487152B2

JP3487152B2 - 磁気ヘッド及びその製造方法

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Publication number: JP3487152B2
Application number: JP35820597A
Authority: JP
Inventors: 輝往稲熊
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-12-25
Filing date: 1997-12-25
Publication date: 2004-01-13
Anticipated expiration: 2017-12-25
Also published as: US20020039263A1; JPH11191203A; CN1221171A; CN1196108C

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に対
して信号の記録及び／又は再生を行う磁気ヘッド並びに
この磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気ヘッドを回転ドラムに搭
載し、この回転ドラムを回転させることにより磁気ヘッ
ドを走行する磁気テープ上を斜めに摺動させ、磁気テー
プに所定のデータを書き込み又は磁気テープに書き込ま
れたデータを読み取るようにした、ヘリカルスキャン
（Helical Scan：斜め走査）方式と呼ばれる記録再生方
式が提案されている。

【０００３】このヘリカルスキャン方式は、磁気ヘッド
が、走行する磁気テープ上を高速で摺動してデータの記
録再生を行うので、磁気テープと磁気ヘッドとの相対摺
動速度が速く、高いデータ転送レートが得られるという
利点を有する。

【０００４】このヘリカルスキャン方式に用いられる磁
気ヘッドは、通常、支持基板に取り付けられた状態で回
転ドラムに搭載される。

【０００５】磁気ヘッドには、コイルを用いた磁気誘導
型の磁気ヘッドの場合にはコイルに電流を供給するため
の接続端子が設けられ、外部磁界の変化により抵抗値が
変化する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）
を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッド
という。）の場合にはＭＲ素子に電流を供給するための
接続端子が設けられている。そして、この磁気ヘッドに
設けられた接続端子が、支持基板に設けられ電源と接続
された端子部と接続されることにより、コイル又はＭＲ
素子に電流が供給されるようになされている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の磁気
ヘッド１００においては、図４５に示すように、接続端
子１０３が、一対のコア材１０１，１０２のうち一方の
コア材１０１の他方のコア材１０２との接合面を構成す
る一側面１０１ａ上に形成されていた。すなわち、従来
の磁気ヘッド１００は、一対のコア材１０１，１０２の
うち一方のコア材１０１の接合面を構成する一側面１０
１ａの面積が、他方のコア材１０２の接合面の面積より
も大とされており、これら一対のコア材１０１，１０２
が接合されたときに、一方のコア材１０１の一側面１０
１ａの外部に露呈した部分に接続端子１０３が形成され
ていた。

【０００７】そして、磁気ヘッド１００は、一方のコア
材１０１の一側面１０１ａと非平行とされるヘッド側面
１００ａを取り付け面として、支持基板１１０の端子部
１１１，１１２が設けられた主面１１０ａ上に取り付け
られていた。

【０００８】したがって、磁気ヘッド１００が支持基板
１１０に取り付けられた状態において、磁気ヘッド１０
０の接続端子１０３が設けられた一側面１０１ａと支持
基板１１０の端子部１１１，１１２が設けられた主面１
１０ａとは非平行とされていた。

【０００９】このように、互いに非平行とされる面上に
形成された磁気ヘッド１００の接続端子１０３と支持基
板１１０の端子部１１１，１１２とを接続させるには、
フレキシブル導体シート１１３，１１４等を用いて手作
業で両者の接続を図る必要があり、半導体等の製造に用
いられるワイヤボンディング装置等の機械を用いた自動
接続が行えないため、作業性が著しく悪いとの問題を有
していた。

【００１０】そこで、本発明は、接続端子を支持基板の
端子部に接続させる際に、機械を用いた自動接続を行え
るようにし、生産性の向上を図るようにした磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ヘッド
は、接合一体化される一対のコア材のうち少なくとも一
方のコア材の支持台への取り付け面と非平行とされる側
面上に、８０μｍ以上の厚みをもって隆起して導電体が
設けられている。この磁気ヘッドは、導電体が厚み方向
に切断された切断面が、支持台への取り付け面又は支持
台への取り付け面と略平行な面に露呈して、支持台の端
子部と接続される接続端子部とされている。

【００１２】この磁気ヘッドは、接続端子部が支持台へ
の取り付け面又は支持台への取り付け面と略平行な面に
設けられているので、接続端子部と支持台に設けられた
端子部とを接続する際に、機械を用いた自動接続が可能
となる。

【００１３】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方
法は、接合一体化される一対のコア材のうち少なくとも
一方のコア材の支持台への取り付け面と非平行とされる
側面上に、８０μｍ以上の厚みをもって隆起した導電体
を形成する第１の工程と、この導電体を厚み方向に切断
しこの切断面を支持台への取り付け面又は上記支持台へ
の取り付け面と略平行な面に露呈させて支持台の端子部
に接続される接続端子部を形成する第２の工程とを備え
ている。

【００１４】この磁気ヘッドの製造方法によれば、支持
台に接合される面と略平行な面に接続端子部を備えた磁
気ヘッドが製造され、接続端子部と支持台上に設けられ
た端子部とを接続する際に、機械を用いた自動接続が可
能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００１６】まず、本発明を、外部磁界の変化により抵
抗値が変化する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う。）を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという。）に適用した例について説明する。

【００１７】このＭＲヘッド１は、図１及び図２に示す
ように、Ｎｉ―Ｚｎフェライト等の軟磁性材料からなる
第１及び第２のシールドコア２，３が、ギャップ部ｇ₁
を介して接合一体化され、ギャップ部ｇ₁内に、ＭＲ素
子とこのＭＲ素子にＤＣバイアス磁界を印加するための
軟磁性膜（Soft Adjacent Layer：以下、ＳＡＬ膜とい
う。）とを備えた感磁部４が配設されてなる。そして、
ＭＲヘッド１は、感磁部４の端部が外方を臨むように、
一方の面が研磨されている。そして、この研磨された面
が媒体摺動面ｍとされている。なお、図２は図１におけ
るＡ−Ａ線断面図であり、第１のシールドコア２側を示
す図である。

【００１８】第１のシールドコア２は、媒体摺動面ｍと
略直交する面が、第２のシールドコア３と比較して、媒
体摺動面ｍから離間する方向に大とされている。そし
て、この第１のシールドコア２の媒体摺動面ｍ側に、第
２のシールドコア３がギャップ部ｇ₁を介して接合され
ている。

【００１９】感磁部４は、ＭＲ素子とＳＡＬ膜とがそれ
ぞれ薄い非磁性層に挟み込まれてなり、第１のシールド
コア２と第２のシールドコア３との接合面間のギャップ
部ｇ ₁内に配設されている。すなわち、感磁部４は、図
３に示すように、例えばＴａ等からなる第１の非磁性層
５と、ＮｉＦｅＮｂ等からなるＳＡＬ膜６と、Ｔａ等か
らなる第２の非磁性層７と、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ素
子８と、Ｔａ等からなる第３の非磁性層９とが、ギャッ
プ部ｇ₁を構成するＡｌ₂Ｏ₃等からなる第１のギャップ
膜１０を介して、第１のシールドコア２の接合面２ａ上
に順次積層されてなる。

【００２０】そして、感磁部４は、第１のシールドコア
２と第２のシールドコア３とが接合一体化されたとき
に、両者の接合面２ａ，３ａ間に形成されるギャップ部
ｇ₁内に配設される。なお、図３は図２におけるＢ−Ｂ
線断面図である。

【００２１】この感磁部４は、略直方体に形成され、長
手方向が媒体摺動面ｍと略平行となるように、ギャップ
部ｇ₁内に配設されている。そして、この感磁部４の長
手方向の長さが、ＭＲヘッド１のトラック幅とされる。

【００２２】また、ギャップ部ｇ₁内には、ＭＲ素子８
の磁区を単一化させるための、ＣｏＮｉＰｔ等よりなる
一対の強磁性体部１１，１２が、感磁部４の長手方向の
両端に隣接して設けられている。この強磁性体部１１，
１２は、感磁部４と同様に、第１のギャップ膜１０が形
成された第１のシールドコア２の接合面２ａ上に形成さ
れることにより、第１のシールドコア２と第２のシール
ドコア３とが接合一体化されたときに、両者の接合面２
ａ，３ａ間に形成されるギャップ部ｇ₁内に配設される
ようになされている。

【００２３】第１のギャップ膜１０が形成された第１の
シールドコア２の接合面２ａ上には、Ｃｕ等からなる一
対の導体部１３，１４が設けられている。この一対の導
体部１３，１４は、ＭＲ素子８にセンス電流を供給する
ための電極となるものであり、それぞれの一端部１３
ａ，１４ａが、強磁性体部１１，１２を介してＭＲ素子
８に接続されている。また、一対の導体部１３，１４の
他端部１３ｂ，１４ｂ側は、第１のシールドコア２の接
合面２ａ上の媒体摺動面ｍから離間した位置、すなわ
ち、第２のシールドコア３が接合されない位置に位置す
るようになされている。

【００２４】そして、一対の導体部１３，１４の他端部
１３ｂ，１４ｂ上に、Ｃｕ等からなる一対の導電体１
５，１６が、例えば８０μｍ以上の厚みをもって、第１
のシールドコア２の接合面２ａから隆起して形成されて
いる。

【００２５】この一対の導電体１５，１６は、ＭＲヘ
ッド１の製造工程においてＭＲヘッド１がチップ毎に切
断される際に、厚み方向に切断され、それぞれの切断面
が、媒体摺動面ｍ及び接合面２ａと略直交する第１のシ
ールドコア２の一側面（以下、ヘッド側面２ｂとい
う。）側から外部に露呈されている。この外部に露呈し
た一対の導電体１５，１６の切断面が、導体部１３，１
４を電源に接続させるための一対の接続端子部１７，１
８とされている。

【００２６】感磁部４、一対の強磁性体部１１，１２及
び一対の導体部１３，１４と第２のシールドコア３との
間には、Ａｌ₂Ｏ₃等からなる第２のギャップ膜１９が設
けられている。この第２のギャップ膜１９は上述した第
１のギャップ膜１０とともに、ギャップ部ｇ₁を構成し
ている。

【００２７】また、第１のシールドコア２の接合面２ａ
上の媒体摺動面ｍから離間した箇所、すなわち、第２の
シールドコア３が接合されない箇所は、エポキシ樹脂等
の保護材２０により覆われて、一対の導体部１３，１４
及び一対の導電体１５，１６の保護が図られている。

【００２８】以上のように構成されるＭＲヘッド１は、
図４に示すように、ヘッド側面２ｂと略平行な面を接着
面として、ヘッドベース２１に取り付けられる。

【００２９】ヘッドベース２１は、その主面２１ａ上
に、電源と接続された一対の端子部２２，２３を備えて
いる。そして、ＭＲヘッド１は、一対の接続端子部１
７，１８を、ワイヤ等の接続部材２４，２５を介してヘ
ッドベース２１の一対の端子部２２，２３に接続させる
ことにより、電源と接続され、ＭＲ素子８にセンス電流
が供給される。

【００３０】このＭＲヘッド１は、一対の接続端子部１
７，１８が、ヘッドベース２１の主面２１ａへの接着面
と略平行なヘッド側面２ｂ側から外部に露呈するように
設けられているので、このＭＲヘッド１の接続端子部１
７，１８とヘッドベース２１の主面２１ａ上に設けられ
た端子部２２，２３とは略平行な位置関係とされる。し
たがって、ＭＲヘッド１の接続端子部１７，１８をヘッ
ドベース２１の端子部２２，２３に接続させる際は、ワ
イヤボンディング装置等の自動接続装置を用いて容易に
両者の接続を図ることが可能となる。

【００３１】ＭＲヘッド１は、このようにヘッドベース
２１に取り付けられ、一対の接続端子部１７，１８がヘ
ッドベース２１の一対の端子部２２，２３に接続された
状態で、例えば回転ドラムに搭載される。そして、ＭＲ
ヘッド１は、回転ドラムの回転に伴って回転し、媒体摺
動面ｍが、情報信号が記録された磁気記録媒体上を摺動
する。このとき、ＭＲ素子８は、情報信号に対応する磁
気記録媒体の磁界の変化に応じてその抵抗値を変化させ
る。ＭＲヘッド１は、ＭＲ素子８にセンス電流を供給
し、その抵抗変化を検出することにより、磁気記録媒体
に記録された情報信号を読み取るようにしている。

【００３２】なお、以上は、一対の接続端子部１７，１
８を、ヘッドベース２１の主面２１ａへの接着面と略平
行なヘッド側面２ｂ側から外部に露呈するように設け、
この接続端子部１７，１８を、ワイヤ等の接続部材２
４，２５を用いてヘッドベース２１の一対の端子部２
２，２３に接続させる例について説明したが、本発明に
係る磁気ヘッドはこの例に限定されるものではなく、一
対の接続端子部１７，１８を、ヘッドベース２１の主面
２１ａへの接着面側から外部に露呈するように設け、こ
の接続端子部１７，１８を、ヘッドベース２１の一対の
端子部２２，２３に直接接続させるようにしても良い。

【００３３】この場合も接続端子部１７，１８は、第１
のシールドコア２の接合面２ａ上の第２のシールドコア
３が接合されない位置に隆起して形成された一対の導電
体１５，１６が、厚み方向に切断された切断面により構
成される。

【００３４】また、以上はＭＲヘッド１をヘッドベース
２１に取り付けた状態で回転ドラムに搭載した例につい
て説明したが、本発明に係る磁気ヘッドはこの例に限定
されるものではなく、回転ドラムに直接搭載されても良
い。

【００３５】この場合、接続端子部１７，１８は、回転
ドラムに設けられた端子部に接続されることになる。

【００３６】次に、ＭＲヘッド１の製造方法について説
明する。

【００３７】ＭＲヘッド１は、図５に示すように、積層
膜形成工程ＳＴ１と、強磁性体部形成工程ＳＴ２と、感
磁部・導体部形成工程ＳＴ３と、導電体形成工程ＳＴ４
と、チップ切断工程ＳＴ５と、接合工程ＳＴ６とを経て
製造される。

【００３８】まず、積層膜形成工程ＳＴ１において、図
６に示すように、例えばＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−
Ｚｎフェライト等の軟磁性材料からなる基板３０が用意
される。この基板３０は、ＭＲヘッド１の第１のシール
ドコア２となるものであり、例えば直径３インチで厚さ
が２ｍｍの円板状の基板３０が用いられる。この基板３
０の少なくとも一方の円形表面３０ａには、鏡面加工が
施されている。

【００３９】次に、図７に示すように、この基板３０の
鏡面加工が施された円形表面３０ａ上に、例えばＡｌ₂
Ｏ₃等の非磁性非導電性材料が、スパッタ等の薄膜形成
法により成膜され、第１の非磁性非導電性膜３１が形成
される。この第１の非磁性非導電性膜３１は、ＭＲヘッ
ド１の第１のギャップ膜１０となるものであり、その厚
みはＭＲヘッド１が適用されるシステムで扱う周波数等
により決定される。ここでは、第１の非磁性非導電性膜
３１の膜厚は、例えば約１９０ｎｍに設定される。

【００４０】次に、図８に示すように、第１の非磁性非
導電性膜３１が形成された基板３０上に、例えばＴａ等
の非磁性材料と、ＮｉＦｅＮｂ等の軟磁性材料と、Ｔａ
等の非磁性材料と、ＮｉＦｅＮｂ等の軟磁性材料と、Ｔ
ａ等の非磁性材料とが、スパッタ等の薄膜形成法により
順次成膜され、第１の非磁性膜３２と、ＳＡＬ膜３３
と、第２の非磁性膜３４と、ＭＲ膜３５と、第３の非磁
性膜３６とが積層形成される。

【００４１】これら第１の非磁性膜３２と、ＳＡＬ膜３
３と、第２の非磁性膜３４と、ＭＲ膜３５と、第３の非
磁性膜３６とは、それぞれＭＲヘッド１の感磁部４を構
成する第１の非磁性層５、ＳＡＬ膜６、第２の非磁性層
７、ＭＲ素子８、第３の非磁性層９となるものであり、
用いられる材料及びその膜厚は、ＭＲヘッド１が適用さ
れるシステムに応じて決定される。ここでは、例えば第
１の非磁性膜３２の膜厚は約５ｎｍ、ＳＡＬ膜３３の膜
厚は約４３ｎｍ、第２の非磁性膜３４の膜厚は約５ｎ
ｍ、ＭＲ膜３５の膜厚は約４０ｎｍ、第３の非磁性膜３
６の膜厚は約１ｎｍに設定される。

【００４２】次に、強磁性体部形成工程ＳＴ２におい
て、上述した感磁部４を構成する積層膜が形成された基
板３０上に、フォトリソグラフィー技術により、ＭＲヘ
ッド１の強磁性体部１１，１２を構成する強磁性体膜３
７，３８を形成するためのレジストがパターニング形成
される。そして、このレジストをマスクとしてイオンエ
ッチング等を行うことにより、所定の箇所の積層膜が除
去される。この積層膜が除去された箇所に、例えばＣｏ
ＮｉＰｔ等の強磁性材料が、スパッタ等の薄膜形成法に
より成膜され、図９に示すように、ＭＲヘッド１の強磁
性体部１１，１２を構成する一対の強磁性体膜３７，３
８が形成される。

【００４３】強磁性材料としては、保磁力が１０００Ｏ
ｅ以上の材料が好ましく、ＣｏＮｉＰｔの他に例えばＣ
ｏＣｒＰｔ等が好適である。また、強磁性体膜３７，３
８の大きさは、ＭＲヘッド１が適用されるシステムに応
じて決定される。ここでは、例えば強磁性体膜３７，３
８は、横方向の長さが約５０μｍ、縦方向の長さが約１
０μｍ、厚さが感磁部４を構成する積層膜の総厚と同程
度に設定される。

【００４４】なお、これら一対の強磁性体膜３７，３８
間の積層膜がＭＲヘッド１の感磁部４を構成することに
なるので、一対の強磁性体膜３７，３８間の距離ｔが、
ＭＲヘッド１のトラック幅となる。この一対の強磁性体
膜３７，３８間の距離ｔも、ＭＲヘッド１が適用される
システムに応じて決定される。ここでは、一対の強磁性
体膜３７，３８間の距離ｔは例えば約５μｍに設定され
る。

【００４５】次に、感磁部・導体部形成工程ＳＴ３にお
いて、フォトリソグラフィー技術により、ＭＲヘッド１
の感磁部４となる箇所及び一対の導体部１３，１４が形
成される箇所にレジストがパターニング形成される。そ
して、このレジストをマスクとして、イオンエッチング
等を行うことにより、図１０に示すように、感磁部４と
なる箇所及び一対の導体部１３，１４が形成される箇所
以外の余分な積層膜が除去される。

【００４６】なお、感磁部４の縦方向の長さｄは、ＭＲ
ヘッド１のＭＲ素子８のデプス寸法となるので、この感
磁部４の縦方向の長さｄも、ＭＲヘッド１が適用される
システムに応じて決定される。ここでは、例えば感磁部
４の縦方向の長さｄは約４μｍに設定される。

【００４７】次に、一対の導体部１３，１４が形成され
る箇所の積層膜を、より電気抵抗の小さい金属膜に置き
換えるため、フォトリソグラフィー技術により、一対の
導体部１３，１４が形成される箇所以外の箇所にレジス
トがパターニング形成される。そして、このレジストを
マスクとして、イオンエッチング等を行うことにより、
一対の導体部１３，１４が形成される箇所の積層膜が除
去される。

【００４８】さらに、レジストが形成された状態で、ス
パッタ等の薄膜形成法により、例えばＴｉ、Ｃｕ等の金
属材料が順次成膜されることにより、一端部１３ａ，１
４ａが一対の強磁性体膜３７，３８に接続された導体部
１３，１４が形成される。なお、導体部１３，１４以外
の箇所に成膜された金属材料は、レジストを洗浄除去す
る際にリフトオフ除去される。また、導体部１３，１４
の厚さは、ＭＲヘッド１が適用されるシステムに応じて
決定されるが、ここでは、例えばＴｉ膜の膜厚が約１５
ｎｍ、Ｃｕ膜の膜厚が約７０ｎｍに設定される。

【００４９】次に、導電体形成工程ＳＴ４において、一
対の導電体１５，１６を形成するために、図１１及び図
１２に示すように、フォトリソグラフィー技術により、
一対の導体部１３，１４の他端部１３ｂ，１４ｂ以外の
箇所に、膜厚が１μｍ程度のレジスト４０がパターニン
グ形成される。このレジスト４０が形成されない箇所の
縦方向の長さＬ１は、ＭＲヘッド１の一対の接続端子部
１７，１８の一辺を構成するので、一対の接続端子部１
７，１８の面積をワイヤボンディング可能なものとする
ため、８０μｍ以上とされることが望ましい。なお、図
１２は図１１におけるＣ−Ｃ線断面図である。

【００５０】次に、図１３に示すように、スパッタ等の
薄膜形成法により、全面にＣｕ等の金属材料が約３０ｎ
ｍの膜厚に成膜され、導電体１５，１６の下地となる金
属薄膜４１が形成される。

【００５１】次に、図１４に示すように、一対の導体部
１３，１４の他端部１３ｂ，１４ｂ近傍以外の箇所に、
膜厚が１００μｍ程度のレジスト４２が形成される。こ
のレジスト４２は、例えばＡＺ４９０３（商品名）等の
厚膜用のレジスト材料が、ごく低速で回転される基板３
０上に塗布されるか、または上記レジスト材料が数回繰
り返して基板３０上に塗布されることにより形成され
る。また、このレジスト４２は、厚みが１００μｍ程度
のシートレジストを加熱圧線して貼り付けることにより
形成するようにしても良い。

【００５２】次に、図１５に示すように、レジスト４２
をマスクとして、例えば硫酸銅水溶液を用いて電解めっ
き等を行い、一対の導体部１３，１４の他端部１３ｂ，
１４ｂ上に導電体１５，１６を形成する。導電体１５，
１６の材料としては、他の部材に影響を与えない金属材
料であればいかなる材料も適用可能で、例えばピロ燐酸
銅等を用いることができる。

【００５３】また導電体１５，１６の厚さＨ１は、ＭＲ
ヘッド１の一対の接続端子部１７，１８の一辺を構成す
るので、一対の接続端子部１７，１８の面積をワイヤボ
ンディング可能なものとするため、上述したレジスト４
０が形成されない箇所の縦方向の長さＬ１と同様に８０
μｍ以上とされることが望ましい。

【００５４】なお、導電体１５，１６を形成する方法と
しては、電解メッキ等を行う代わりに、レジスト４２に
囲まれた領域、すなわち一対の導体部１３，１４の他端
部１３ｂ，１４ｂ上に導電性ペースト等を充填する方法
を用いるようにしても良い。この場合も、導電体１５，
１６の厚さＨ１は８０μｍ以上とされることが望まし
い。

【００５５】次に、基板３０を有機溶剤を用いて洗浄す
ることにより、図１６に示すように、レジスト４０及び
レジスト４２が除去され、導電体１５，１６が基板３０
上から隆起した状態とされる。

【００５６】次に、図１７に示すように、基板３０上の
少なくとも感磁部４となる積層膜、強磁性体膜３７，３
８及び一対の導体部１３，１４の一端部１３ａ，１４ａ
側が形成された箇所に亘って、例えばＡｌ₂Ｏ₃等の非磁
性非導電性材料が、スパッタ等の薄膜形成法により成膜
され、第２の非磁性非導電性膜４３が形成される。この
第２の非磁性非導電性膜４３は、ＭＲヘッド１の第２の
ギャップ膜１９となるものであり、その厚みは、第１の
非磁性非導電性膜３１と同様に、ＭＲヘッド１が適用さ
れるシステムで扱う周波数等により決定される。ここで
は、例えば第２の非磁性非導電性膜４３の膜厚は、約１
８０ｎｍに設定される。なお、図１７においては、説明
の便宜上、第２の非磁性非導電性膜４３の一部を省略し
ている。

【００５７】次に、チップ切断工程ＳＴ５において、以
上の工程を経た基板３０がチップ毎に切断される。この
際、基板３０は、図１８に示すように、一対の導電体１
５，１６を通る切断線に沿って切断される。これによ
り、基板３０の切断面と同一平面上に導電体１５，１６
の切断面が現れることになる。この基板３０の切断面と
同一平面上に現れる導電体１５，１６の切断面が、ＭＲ
ヘッド１の接続端子部１７，１８とされる。

【００５８】次に、接合工程ＳＴ６において、図１９に
示すように、チップ毎に切断された基板３０上に、感磁
部４となる積層膜、強磁性体膜３７，３８及び一対の導
体部１３，１４の一端部１３ａ，１４ａ側を覆うよう
に、第２のシールドコア３となるコア材４４が接合され
る。このとき、一対の導体部１３，１４の他端部１３
ｂ，１４ｂ側及び導電体１５，１６は外部に露出した状
態とされる。なお、コア材４４としては、基板３０と同
様に、例えばＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェラ
イト等の軟磁性材料が用いられる。

【００５９】次に、図２０に示すように、外部に露出し
た一対の導体部１３，１４の他端部１３ｂ，１４ｂ側と
導電体１５，１６の切断面を除く部分が、エポキシ樹脂
等の保護材２０により被覆され、外気との遮断が図られ
る。

【００６０】次に、図２１に示すように、基板３０及び
コア材４４の感磁部４となる積層膜が設けられた側の側
面に円筒研磨加工が施され、媒体摺動面ｍが形成され
る。この円筒研磨加工により、感磁部４となる積層膜の
端部が外方に臨まされて、先に図１に示したＭＲヘッド
１が完成する。

【００６１】以上のように製造されたＭＲヘッド１は、
接続端子部１７，１８が露呈した面（ヘッド側面２ｂ）
と略平行な取り付け面をヘッドベース２１の主面２１ａ
上に接合させることにより、ヘッドベース２１に取り付
けられる。そして、ＭＲヘッド１の接続端子部１７，１
８とヘッドベース２１の主面２１ａ上に設けられた一対
の端子部２２，２３とが、ワイヤ等の接続部材２４，２
５により接続される。このとき、ＭＲヘッド１の接続端
子部１７，１８と、ヘッドベース２１の端子部２２，２
３とは、それぞれ略平行な面上に設けられ、略平行な位
置関係とされているので、ワイヤボンディング装置等の
自動接続装置を用いて容易に両者の接続を図ることが可
能となる。

【００６２】また、このＭＲヘッド１は、接続端子部１
７，１８を取り付け面側から露呈させるようにしても良
い。この場合、ＭＲヘッド１は、接続端子部１７，１８
を、ワイヤ等の接続部材２４，２５を用いずに、直接ヘ
ッドベース２１の端子部２２，２３に接続させることが
できる。

【００６３】次に、本発明を、磁気ギャップを介して接
合一体化される一対の磁気コア半体のうち少なくとも一
方の磁気コア半体の接合面に、コイル形成用凹部が形成
され、このコイル形成用凹部内に薄膜コイルが形成され
てなる、いわゆるバルク薄膜型磁気ヘッドに適用した例
について説明する。

【００６４】バルク薄膜型磁気ヘッド５０は、図２２及
び図２３に示すように、非磁性基板５１に、スパッタ等
の薄膜形成法により、磁気コアとなる金属磁性膜５２が
形成された一対の磁気コア半体５３，５４が、低温金属
拡散接合によって接合一体化され、接合面間に磁気ギャ
ップｇ₂が形成されてなる。そして、このバルク薄膜型
磁気ヘッド５０は、一対の磁気コア半体５３，５４のう
ち少なくとも一方の磁気コア半体５３の接合面に、図示
しないコイル形成用凹部が形成され、このコイル形成用
凹部内に励磁用又は誘導起電圧検出用の薄膜コイル５５
が形成されている。なお、図２３は、図２２におけるＡ
部を拡大して示す図である。

【００６５】また、このバルク薄膜型磁気ヘッド５０
は、金属磁性膜５２が形成された一対の磁気コア半体５
３，５４の接合面に、金属磁性膜５２の接合面側の一部
を分離するように、巻線溝５６が形成されている。した
がって、このバルク薄膜型磁気ヘッド５０においては、
磁気ギャップｇ₂は、この巻線溝５６によって作動ギャ
ップであるフロントギャップ５７とバックギャップ５８
とに分離されている。

【００６６】また、このバルク薄膜型磁気ヘッド５０の
一対の磁気コア半体５３，５４には、図２４に示すよう
に、コイル端子を外部に引き出すための導電体５９，６
０が、それぞれの接合面から隆起して設けられている。
そして、この導電体５９，６０は、バルク薄膜型磁気ヘ
ッド５０の製造工程においてバルク薄膜型磁気ヘッド５
０がチップ毎に切断される際に、厚み方向に切断され、
それぞれの切断面がヘッド側面５０ａ側から外部に露呈
されている。そして、この外部に露呈した導電体５９，
６０の切断面が、薄膜コイル５５に電流を供給するため
の電源に接続させるため接続端子部６１，６２とされて
いる。さらに、一対の磁気コア半体５３，５４のそれぞ
れの接合面には、これら一対の磁気コア半体５３，５４
が接合一体化されたときに、相対する磁気コア半体に設
けられた導電体が進入する導電体進入用凹部６３，６４
がそれぞれ形成されている。

【００６７】以上のように構成されるバルク薄膜型磁気
ヘッド５０は、図２５に示すように、ヘッド側面５０ａ
と略平行な面を接着面として、ヘッドベース６５に取り
付けられる。

【００６８】ヘッドベース６５は、その主面６５ａ上
に、電源と接続された一対の端子部６６，６７を備えて
いる。そして、バルク薄膜型磁気ヘッド５０は、一対の
接続端子部６１，６２を、ワイヤ等の接続部材６８，６
９を介してヘッドベース６５の一対の端子部６１，６２
に接続させることにより、電源と接続され、薄膜コイル
５５に駆動電流が供給される。

【００６９】このバルク薄膜型磁気ヘッド５０は、一対
の接続端子部６１，６２が、ヘッドベース６５の主面６
５ａへの接着面と略平行なヘッド側面５０ａ側から外部
に露呈するように設けられているので、このバルク薄膜
型磁気ヘッド５０の接続端子部６１，６２とヘッドベー
ス６５の主面６５ａ上に設けられた端子部６６，６７と
は略平行な位置関係とされる。したがって、バルク薄膜
型磁気ヘッド５０の接続端子部６１，６２をヘッドベー
ス６５の端子部６６，６７に接続させる際は、ワイヤボ
ンディング装置等の自動接続装置を用いて容易に両者の
接続を図ることが可能となる。

【００７０】バルク薄膜型磁気ヘッド５０は、このよう
にヘッドベース６５に取り付けられ、一対の接続端子部
６１，６２がヘッドベース６５の一対の端子部６６，６
７に接続された状態で、例えば回転ドラムに搭載され
る。そして、バルク薄膜型磁気ヘッド５０は、回転ドラ
ムの回転に伴って回転しながら磁気記録媒体上を摺動
し、この磁気記録媒体に対して情報信号の書き込みまた
は読み出しを行う。

【００７１】なお、以上は、接続端子部６１，６２を、
ヘッドベース６５の主面６５ａへの接着面と略平行なヘ
ッド側面５０ａ側から外部に露呈するように設け、この
接続端子部６１，６２を、ワイヤ等の接続部材６８，６
９を用いてヘッドベース６５の一対の端子部６６，６７
に接続させる例について説明したが、本発明に係る磁気
ヘッドはこの例に限定されるものではなく、接続端子部
６１，６２を、ヘッドベース６５の主面６５ａへの接着
面側から外部に露呈するように設け、この接続端子部６
１，６２を、ヘッドベース６５の一対の端子部６６，６
７に直接接続させるようにしても良い。

【００７２】この場合も接続端子部６１，６２は、一対
の磁気コア半体５３，５４の接合面に隆起して設けられ
た導電体５９，６０が、厚み方向に切断された切断面に
より構成される。

【００７３】また、以上はバルク薄膜型磁気ヘッド５０
をヘッドベース６５に取り付けた状態で回転ドラムに搭
載した例について説明したが、本発明に係る磁気ヘッド
はこの例に限定されるものではなく、回転ドラムに直接
搭載されても良い。

【００７４】この場合、接続端子部６１，６２は、回転
ドラムに設けられた端子部に接続されることになる。

【００７５】次に、バルク薄膜型磁気ヘッド５０の製造
方法について説明する。

【００７６】バルク薄膜磁気ヘッド５０は、図２６に示
すように、磁気コア形成工程ＳＴ１１と、分離溝・巻線
溝形成工程ＳＴ１２と、薄膜コイル形成工程ＳＴ１３
と、磁気コア半体接合工程ＳＴ１４と、切断工程ＳＴ１
５とを経て製造される。

【００７７】まず、磁気コア形成工程ＳＴ１１におい
て、図２７に示すように、一対の略平板状の非磁性基板
材７０，７１が準備される。この非磁性基板材７０，７
１は、最終的に切断されて上述したバルク薄膜型磁気ヘ
ッド５０の非磁性基板５１となるものであり、摺動特
性、摩耗特性が良好で機械加工性に優れた材料が用いら
れ、例えば、チタン酸カルシウム，チタン酸カリウム，
チタン酸バリウム，酸化ジルコニウム（ジルコニア），
アルミナ，アルミナチタンカーバイト，ＳＩＯ₂，Ｍｎ
Ｏ―ＮｉＯ混合焼結材，Ｚｎフェライト，結晶化ガラ
ス，高硬度ガラス等が用いられる。本例においては、厚
さが約２ｍｍ、長さ及び幅が約３０ｍｍのＭｎＯ―Ｎｉ
Ｏ混合焼結材を用いている。

【００７８】そして、図２８に示すように、この一対の
非磁性基板材７０，７１のそれぞれの主面７０ａ，７１
ａ上に、この主面７０ａ，７１ａに対し所定の角度をも
って傾斜する傾斜面７２ａを有する磁気コア形成用溝７
２が複数列形成される。この磁気コア形成用溝７２の傾
斜面７２ａの角度は２５度から６０度の範囲内で設定さ
れるが、疑似ギャップやトラック幅精度を考慮すると、
この傾斜面７２ａの角度は、３５度から５０度程度であ
ることが望ましい。本例においては、非磁性基板材７
０，７１の主面７０ａ，７１ａに対し４５度の角度をも
って傾斜する傾斜面７２ａを有し、その深さが約１３０
μｍ、幅が約１５０μｍとなる磁気コア形成用溝７２を
形成する。この磁気コア形成用溝７２は、片面を斜めに
成形した砥石を用いて形成される。

【００７９】次に、図２９に示すように、磁気コア形成
用溝７２の傾斜面７２ａ上に、金属磁性膜７３が、マグ
ネトロンスパッタリング法等のＰＶＤ法又はＣＶＤ法等
の薄膜形成方法により均一の膜厚となるように形成され
る。この金属磁性膜７３は、最終的に上述したバルク薄
膜型磁気ヘッド５０の磁気コアを構成する金属磁性膜５
２となるものであり、高飽和磁化かつ高透磁率であり、
薄膜化が容易な材料が用いられ、例えば、センダスト
（Ｆｅ―Ａｌ―Ｓｉ系合金），Ｆｅ―Ａｌ系合金，Ｆｅ
―Ｓｉ―Ｃｏ系合金，Ｆｅ―Ｇａ―Ｓｉ系合金，Ｆｅ―
Ｇａ―Ｓｉ―Ｒｕ系合金，Ｆｅ―Ａｌ―Ｇｅ系合金，Ｆ
ｅ―Ｇａ―Ｇｅ系合金，Ｆｅ―Ｓｉ―Ｇｅ系合金，Ｆｅ
―Ｃｏ―Ｓｉ―Ａｌ系合金，Ｆｅ―Ｎｉ系合金等の結晶
質合金等が用いられる。あるいは、金属磁性膜７３は、
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちの１以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，
Ｓｉのうちの１以上の元素とからなる合金、またはこれ
を主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合
金等に代表されるメタル−メタロイド系アモルファス合
金や、Ｃｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移金属と希土類元素を主
成分とするメタル−メタル系アモルファス合金等の非晶
質合金からなるようなものであってもよい。

【００８０】また、金属磁性膜７３は、上述した金属磁
性材料の単層膜であってもよいが、より高周波領域にお
いて高感度を持たせるために、非磁性層により金属磁性
材料を複数の層に分断する積層構造とする方が好まし
い。このように、金属磁性膜７３を金属磁性層と非磁性
層との積層構造とすることにより、渦電流損失を低減さ
せることができる。また、この場合、非磁性層の厚さ
は、最低限絶縁効果の得られる厚み以上が必要である
が、疑似ギャップとして作用してしまわない程度の厚み
とする。本例においては、厚さ約５μｍのセンダストか
らなる金属磁性層、厚さ約０．１５μｍのアルミナから
なる非磁性層を交互に積層し、３層の磁性層を有するよ
うにしている。

【００８１】次に、分離溝・巻線溝形成工程ＳＴ１２に
おいて、図３０に示すように、それぞれの非磁性基板材
７０，７１の主面７０ａ，７１ａ上に、磁気コア形成用
溝７２と直交する方向に、分離溝７４及び巻線溝７５が
交互に複数列形成される。

【００８２】分離溝７４は、金属磁性膜７３を磁気的に
分離して磁気コアを形成し、最終的にバルク薄膜型磁気
ヘッド５０となったときの閉磁路を構成するためのもの
である。したがって、分離溝７４は、金属磁性膜７３を
確実に分断するだけの深さが必要であるが、その形状に
は制限はない。本例においては、磁気コア形成用溝７２
の底辺より約１５０μｍ深く、すなわち、約２８０μｍ
の深さを有し、断面略コの字状の溝として形成する。

【００８３】巻線溝７５は、後述する工程で形成される
薄膜コイル５５の巻き線に供するとともに、最終的にバ
ルク薄膜型磁気ヘッド５０となったときに、フロントギ
ャップ５７とバックギャップ５８とを分離するものであ
り、金属磁性膜７３を切断しない程度の深さ寸法で形成
される必要がある。そして、この巻線溝７５は、その形
状がフロントギャップ５７及びバックギャップ５８の長
さ寸法に応じて決定されるが、ここでは、幅が約１４０
μｍ程度とされ、フロントギャップ５７の長さが約３０
０μｍとなり、バックギャップ５８の長さが約８５μｍ
となるように形成される。

【００８４】また、この巻線溝７５は、最終的にバルク
薄膜型磁気ヘッド５０となったときにフロントギャップ
５７側の端部が鋭角に絞り込まれた形状となっている方
が、磁束を集中させ、ヘッドの記録感度を向上させるこ
とができる。したがって、この巻線溝７５は、フロント
ギャップ５７側が傾斜した形状に形成することが望まし
く、本例においては、フロントギャップ５７側の壁面が
４５度の傾斜面となるように形成する。

【００８５】次に、図３１に示すように、磁気コア形成
用溝７２、分離溝７４及び巻線溝７５が形成された非磁
性基板材７０，７１の主面７０ａ，７１ａ上に、溶融し
た低融点ガラス７６が充填される。そして、低融点ガラ
ス７６が充填された非磁性基板材７０，７１の主面７０
ａ，７１ａの表面がポリッシング等により平坦化され
る。

【００８６】次に、薄膜コイル形成工程ＳＴ１３におい
て、図３２に示すように、平坦化された非磁性基板材７
０，７１の主面７０ａ，７１ａ上の所定の位置に、イオ
ンエッチング等の手法を用いて、凹部７７が形成され
る。この凹部７７は、最終的にバルク薄膜型磁気ヘッド
５０の導電体進入用溝部６３，６４となるものであり、
導電体５９，６０に対応した形状に形成される。

【００８７】次に、図３３乃至図３６に示すように、非
磁性基板材７０，７１の主面７０ａ，７１ａ上に、コイ
ル形状に応じた形状のコイル形成用凹部７９が形成され
る。そして、このコイル形成用凹部７９内に、電解メッ
キ法等の方法により薄膜コイル５５が形成される。コイ
ル形成用凹部７９は、一端側にコイル端子収容部７９ａ
を有し、このコイル端子収容部７９ａ内に、薄膜コイル
５５のコイル端子５５ａが形成される。なお、図３４は
図３３におけるＢ部を拡大して示す図であり、図３５は
図３３におけるＣ部を拡大して示す図であり、図３６は
図３４におけるＤ−Ｄ線断面図である。

【００８８】ここで、一対の非磁性基板材７０，７１の
うち一方の非磁性基板材７０には、図３４に示すよう
に、コイル端子収容部７９ａが凹部７７よりもバックギ
ャップ５８側に位置するように、コイル形成用凹部７９
が形成される。そして、薄膜コイル５５は、コイル端子
５５ａが凹部７７よりもバックギャップ５８側に位置す
るように、コイル形成用凹部７９内に形成される。

【００８９】一方、一対の非磁性基板材７０，７１のう
ち他方の非磁性基板材７１には、図３５に示すように、
コイル端子収容部７９ａが凹部７７よりもバックギャッ
プ５８から離間した位置となるように、コイル形成用凹
部７９が形成される。そして、薄膜コイル５５は、コイ
ル端子５５ａが凹部７７よりもバックギャップ５８から
離間した位置となるように、コイル形成用凹部７９内に
形成される。

【００９０】そして、これら一対の非磁性基板材７０，
７１が突き合わされたときに、一方の非磁性基板材７０
上に形成された薄膜コイル５５のコイル端子５５ａが他
方の非磁性基板材７１上に形成された凹部７７と対向
し、他方の非磁性基板材７１上に形成された薄膜コイル
５５のコイル端子５５ａが一方の非磁性基板材７０上に
形成された凹部７７と対向するようになされている。

【００９１】次に、図３７に示すように、フォトリソグ
ラフィー技術により、コイル形成用凹部７９のコイル端
子収容部７９ａ以外の箇所に、膜厚が１μｍ程度のレジ
スト８０がパターニング形成される。このレジスト８０
が形成されないコイル端子収容部７９ａの幅方向の長さ
Ｌ２は、バルク薄膜型磁気ヘッド５０の一対の接続端子
部６１，６２の一辺を構成するので、一対の接続端子部
６１，６２の面積をワイヤボンディング可能なものとす
るため、８０μｍ以上とされることが望ましい。

【００９２】次に、図３８に示すように、レジスト８０
をマスクとして、スパッタ等の薄膜形成法により、Ｃｕ
等の金属材料が約３０ｎｍの膜厚に成膜され、導電体５
９，６０の下地となる金属薄膜８１が形成される。

【００９３】次に、図３９に示すように、コイル形成用
凹部７９のコイル端子収容部７９ａ以外の箇所に、膜厚
が１００μｍ程度のレジスト８２が形成される。このレ
ジスト８２は、例えばＡＺ４９０３（商品名）等の厚膜
用のレジスト材料が、ごく低速で回転される非磁性基板
材７０，７１上に塗布されるか、または上記レジスト材
料が数回繰り返して非磁性基板７０，７１上に塗布され
ることにより形成される。

【００９４】次に、図４０に示すように、レジスト８２
をマスクとして、例えば硫酸銅水溶液を用いて電解めっ
き等を行い、コイル形成用凹部７９のコイル端子収容部
７９ａ上に、薄膜コイル５５と接続された状態で、導電
体５９，６０が形成される。導電体５９，６０の材料と
しては、他の部材に影響を与えない金属材料であればい
かなる材料も適用可能で、例えばピロ燐酸銅等を用いる
ことができる。

【００９５】また導電体５９，６０の厚さＨ２は、バル
ク薄膜型磁気ヘッド５０の接続端子部６１，６２の一辺
を構成するので、接続端子部６１，６２の面積をワイヤ
ボンディング可能なものとするため、上述したレジスト
８０が形成されない箇所の縦方向の長さＬ２と同様に８
０μｍ以上とされることが望ましい。

【００９６】なお、導電体５９，６０を形成する方法と
しては、電解メッキ等を行う代わりに、レジスト８２に
囲まれた領域、すなわちコイル形成用凹部７９のコイル
端子収容部７９ａ上に導電性ペースト等を充填する方法
を用いるようにしても良い。この場合も、導電体５９，
６０の厚さＨ２は８０μｍ以上とされることが望まし
い。

【００９７】次に、非磁性基板材７０，７１を有機溶剤
を用いて洗浄することにより、図４１に示すように、レ
ジスト８０及びレジスト８２が除去され、導電体５９，
６０が非磁性基板材７０，７１上から隆起した状態とさ
れる。

【００９８】次に、薄膜コイル５５上に、この薄膜コイ
ル５５を外気との接触から保護するための図示しないコ
イル保護層が形成される。このコイル保護層はＡｌ₂Ｏ
₃等からなり、上述したコイル形成用凹部７９内に埋め
込まれるように形成される。

【００９９】次に、磁気コア半体接合工程ＳＴ１４にお
いて、図４２に示すように、上述のように同時に形成さ
れた複数個の磁気コア半体が横方向に一列に並ぶよう
に、非磁性基板材７０，７１が切断され、一対の磁気コ
ア半体ブロック８３，８４が作成される。

【０１００】ここで、一対の磁気コア半体ブロック８
３，８４のうち一方の磁気コア半体ブロック８３に設け
られた導電体５９は、凹部７７よりもバックギャップ５
８側に位置している。一方、一対の磁気コア半体ブロッ
ク８３，８４のうち他方の磁気コア半体ブロック８４に
設けられた導電体６０は、凹部７７よりもバックギャッ
プ５８から離間した位置に位置している。

【０１０１】そして、これら一対の磁気コア半体ブロッ
ク８３，８４が突き合わされたときに、一方の磁気コア
半体ブロック８３に設けられた導電体５９が他方の磁気
コア半体ブロック８４に設けられた凹部７７と対向し、
他方の磁気コア半体ブロック８４に設けられた導電体６
０が一方の磁気コア半体ブロック８３に設けられた凹部
７７と対向するようになされている。

【０１０２】その後、図示は省略するが、一対の磁気コ
ア半体ブロック８３，８４の接合面に、金属接合膜がス
パッタリング法等の薄膜形成方法により所定の形状に形
成される。この金属接合膜は、低温金属拡散接合により
一対の磁気コア半体ブロック８３，８４を接合するもの
であるので、その材料としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｌ等の金属が好ましい。本例においては、金属接
合膜として、膜厚が約０．１μｍのＡｕ膜を形成してい
る。

【０１０３】そして、図４３に示すように、一対の磁気
コア半体ブロック８３，８４の金属接合膜同士が突き合
わされて低温金属拡散接合が行われ、磁気コア半体ブロ
ック８３，８４が接合一体化される。このとき、一方の
磁気コア半体ブロック８３に設けられた導電体５９が他
方の磁気コア半体ブロック８４に設けられた凹部７７に
嵌合し、他方の磁気コア半体ブロック８４に設けられた
導電体６０が一方の磁気コア半体ブロック８３に設けら
れた凹部７７に嵌合する。

【０１０４】次に、切断工程ＳＴ１５において、図４４
に示すように、一対の磁気コア半体ブロック８３，８４
を貼り合わせることにより得られた磁気コアブロック８
５を、図４４中Ａ１−Ａ２，Ｂ１―Ｂ２で示す線に沿っ
て切断し、個々のバルク薄膜型磁気ヘッド５０に分離す
る。このとき、薄膜コイル形成工程ＳＴ１３において形
成された導電体５９，６０の切断面がヘッド側面に露呈
し、このヘッド側面に露呈した導電体５９，６０の切断
面がバルク薄膜型磁気ヘッド５０の接続端子部６１，６
２とされる。

【０１０５】そして、図示しないが、このバルク薄膜型
磁気ヘッド５０の媒体摺動面が円筒形を呈するように、
この媒体摺動面に円筒研磨加工が施される。この媒体摺
動面の円筒研磨加工により、フロントギャップ５７のデ
プス寸法が決定される。

【０１０６】そして、媒体摺動面上に、磁気記録媒体と
の当たり特性を良好なものとなるための当たり規制溝
が、磁気記録媒体の摺動方向に対して略平行となるよう
に形成され、先に図２２及び図２３で示したバルク薄膜
型磁気ヘッド５０が完成する。

【０１０７】以上のように製造されたバルク薄膜型磁気
ヘッド５０は、接続端子部６１，６２が露呈したヘッド
側面と略平行な面を取り付け面として、ヘッドベース６
５の主面６５ａ上に取り付けられる。そして、バルク薄
膜型磁気ヘッド５０の接続端子部６１，６２とヘッドベ
ース６５の主面６５ａ上に設けられた一対の端子部６
６，６７とが、ワイヤ等の接続部材６８，６９により接
続される。このとき、バルク薄膜型磁気ヘッド５０の接
続端子部６１，６２と、ヘッドベース６５の端子部６
６，６７とは、それぞれ略平行な面上に設けられ、略平
行な位置関係とされているので、ワイヤボンディング装
置等の自動接続装置を用いて容易に両者の接続を図るこ
とが可能となる。

【０１０８】また、このバルク薄膜型磁気ヘッド５０
は、接続端子部６１，６２を取り付け面側から露呈させ
るようにしても良い。この場合、バルク薄膜型磁気ヘッ
ド５０は、接続端子部６１，６２を、ワイヤ等の接続部
材６８，６９を用いずに、直接ヘッドベース６５の端子
部６６，６７に接続させることができる。

【０１０９】

【発明の効果】本発明に係る磁気ヘッドは、支持基板上
に設けられた端子部に接続される接続端子部が、支持基
板に接合される面と略平行な面に設けられているので、
接続端子部と支持基板上に設けられた端子部とを接続す
る際に、機械を用いた自動接続が可能となる。したがっ
て、この磁気ヘッドは、支持基板への搭載が容易である
とともに、支持基板上に設けられた端子部との接続が確
実となり、接続の信頼性の向上が図られる。

【０１１０】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、一対のコア材のうち少なくとも一方のコア材の接合
面上にこの接合面から隆起して形成された導電体を厚み
方向に切断し、この切断面を支持基板に接合される面と
略平行な面に露呈させて支持基板の端子部に接続される
接続端子部を形成するようにしているので、支持基板に
接合される面と略平行な面に接続端子部を備えた磁気ヘ
ッドを容易に製造することができ、磁気ヘッドの生産性
を大幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＭＲヘッドの平面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。

【図３】図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。

【図４】支持基板に支持されたＭＲヘッドの平面図であ
る。

【図５】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図である。

【図６】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、基
板の斜視図である。

【図７】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、第
１の非磁性非導電性膜が形成された基板の要部断面図で
ある。

【図８】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、積
層膜が形成された基板の要部断面図である。

【図９】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、強
磁性体膜が形成された基板の要部平面図である。

【図１０】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
導体部が形成された基板の要部平面図である。

【図１１】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
レジストが形成された基板の要部平面図である。

【図１２】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
図１１におけるＣ−Ｃ線断面図である。

【図１３】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
金属薄膜が形成された基板の要部断面図である。

【図１４】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
厚膜レジストが形成された基板の要部断面図である。

【図１５】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
導電体が形成された基板の要部断面図である。

【図１６】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
厚膜レジストが除去された基板の要部断面図である。

【図１７】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
第２の非磁性非導電性膜が形成された基板の要部断面図
である。

【図１８】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
基板を切断する工程を説明する図である。

【図１９】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
コア材が接合された基板の平面図である。

【図２０】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
導体部及び導電体が保護材で被覆された状態を示す平面
図である。

【図２１】ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
媒体摺動面を形成する工程を説明する図である。

【図２２】バルク薄膜型磁気ヘッドの全体斜視図であ
る。

【図２３】図２２におけるＡ部を拡大して示すバルク薄
膜型磁気ヘッドの斜視図である。

【図２４】バルク薄膜型磁気ヘッドの分解斜視図であ
る。

【図２５】支持基板に支持されたバルク薄膜型磁気ヘッ
ドの平面図である。

【図２６】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図である。

【図２７】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、一対の非磁性基板材の斜視図である。

【図２８】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、磁気コア形成用溝が形成された一対の非磁
性基板材の斜視図である。

【図２９】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、金属磁性膜が形成された一対の非磁性基板
材の斜視図である。

【図３０】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、分離溝及び巻線溝が形成された一対の非磁
性基板材の斜視図である。

【図３１】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、低融点ガラスが充填された一対の非磁性基
板材の斜視図である。

【図３２】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、溝部が形成された一対の非磁性基板材の斜
視図である。

【図３３】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、コイル形成用凹部が形成された一対の非磁
性基板材の斜視図である。

【図３４】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、図３２におけるＢ部を拡大して示す斜視図
である。

【図３５】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、図３２におけるＣ部を拡大して示す斜視図
である。

【図３６】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、図３４におけるＤ−Ｄ線断面図である。

【図３７】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、レジストが形成された非磁性基板材の要部
断面図である。

【図３８】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、金属薄膜が形成された非磁性基板材の要部
断面図である。

【図３９】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、厚膜レジストが形成された非磁性基板材の
要部断面図である。

【図４０】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、導電体が形成された非磁性基板材の要部断
面図である。

【図４１】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、厚膜レジストが除去された非磁性基板材の
要部断面図である。

【図４２】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、一対の磁気コア半体ブロックの斜視図であ
る。

【図４３】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、一対の磁気コア半体ブロックを接合する工
程を説明する図である。

【図４４】バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程を説明す
る図であり、磁気コアブロックを切断する工程を説明す
る図である。

【図４５】支持基板に支持された従来の磁気ヘッドの斜
視図である。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド、１５，１６導電体、１７，１８接
続端子部、２１ヘッドベース、２２，２３端子部、
５０バルク薄膜型磁気ヘッド、５９，６０導電体、６
１，６２接続端子部、６５ヘッドベース、６６，６
７端子部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/17

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一対のコア材が接合一体化されてなり、
支持台に取り付けられた状態で磁気記録媒体に対して信
号の記録及び／又は再生を行う磁気ヘッドにおいて、上記一対のコア材のうち少なくとも一方のコア材の上記
支持台への取り付け面と非平行とされる側面上には、８
０μｍ以上の厚みをもって隆起して導電体が設けられ、上記導電体が厚み方向に切断された切断面が、上記支持
台への取り付け面又は上記支持台への取り付け面と略平
行な面に露呈して、上記支持台の端子部と接続される接
続端子部とされていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】外部磁界の変化により抵抗値が変化する
磁気抵抗効果素子を備え、上記接続端子部は、上記磁気抵抗効果素子と電気的に接
続されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項３】上記導電体は、導電材料をメッキ成長す
ることにより形成されてなることを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッド。
【請求項４】一対のコア材が接合一体化されてなり、
支持台に取り付けられた状態で磁気記録媒体に対して信
号の記録及び／又は再生を行う磁気ヘッドの製造方法に
おいて、上記一対のコア材のうち少なくとも一方のコア材の上記
支持台への取り付け面と非平行とされる側面上に、８０
μｍ以上の厚みをもって隆起した導電体を形成する第１
の工程と、上記導電体を厚み方向に切断し、この切断面を上記支持
台への取り付け面又は上記支持台への取り付け面と略平
行な面に露呈させて上記支持台の端子部に接続される接
続端子部を形成する第２の工程とを備えることを特徴と
する磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】上記磁気ヘッドは、外部磁界の変化によ
り抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子を備え、上記第１の工程は、上記誘電体を上記磁気抵抗効果素子
に電気的に接続させて形成する工程であることを特徴と
する請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】上記第１の工程は、導電材料をメッキ成
長することにより上記導電体を形成する工程であること
を特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。