JP3485627B2

JP3485627B2 - 媒体の認証方法

Info

Publication number: JP3485627B2
Application number: JP07149194A
Authority: JP
Inventors: 資則小林; 剛弘鈴木
Original assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Current assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Priority date: 1994-03-16
Filing date: 1994-03-16
Publication date: 2004-01-13
Anticipated expiration: 2019-01-13
Also published as: JPH07262327A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばカード状の媒体
の認証方法であって、特に導電体を一定の密度でランダ
ムに分布させた媒体の認証方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、カード状の媒体の正当性を認証す
る方式として、例えば磁気記録を用いるものが知られて
いる。この方式によれば、磁気記録部に暗証番号等のカ
ード固有情報が記録され、媒体を利用する際に媒体保持
者が媒体を読み取り装置に挿入し、暗証番号等を入力す
ると、読み取り装置内で媒体の磁気記録部に予め記録さ
れている暗証番号等を読み取り、媒体保持者が入力した
暗証番号等と比較照合することで媒体の正当性を確認し
ていた。

【０００３】しかし、このような磁気記録された情報
は、磁気リーダ、マグネットテープビュアーもしくは磁
気現像液（微小な鉄粉をコロイド状にして揮発性溶液中
に分散させたもの）等により容易に読み取ることがで
き、また、磁気ヘッドにより磁気記録された情報を書き
換えることもできるため、媒体自体を偽造、改ざんされ
る恐れがあった。

【０００４】そこで、媒体の偽造を困難にする方法とし
て、媒体内部に媒体固有の情報を形成し、その固有情報
をマイクロ波センサを用いて検出する方法が提案されて
いる（例えば、特開昭５５−１６３４４３号公報）。

【０００５】この方法によれば、図９に示すように媒体
１には、ランダムに分布する金属等の繊維状の導電体２
が媒体固有の情報として埋設されている。繊維状の導電
体２は、媒体１の製造工程においてランダムに分布する
ようにされるから、媒体１毎にその分布が異なり、この
媒体１にマイクロ波を照射し、その反射波または透過波
をマイクロ波センサで走査し媒体１の導電体２を検出す
る。

【０００６】このとき、検出された導電体２の反射波ま
たは透過波の分布は、媒体１毎に異なるため、この導電
体２の分布の状態を検出し、照合することで媒体の正当
性を確認することができる。

【０００７】また、媒体１に埋設されている繊維状の導
電体２の分布は、媒体１毎に微妙に異なるように製造す
ることができるので媒体１を偽造することは困難であ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ようなマイクロ波センサを用いるシステムでは、マイク
ロ波の発信部および検出部が必要となり、発信したマイ
クロ波が外部に伝播した場合、他の装置に影響を及ぼす
こともある。また、媒体中に分布する導電体から得られ
る出力が余り大きくないため外部からのノイズの影響を
受けやすく、媒体中の繊維状の導電体の分布を正確に読
み取ることができなくなる可能性もあるので、マイクロ
波の発信部および検出部をシールド（遮蔽）しなければ
ならなかった。

【０００９】このため、装置の機構が複雑となり、ま
た、装置内の媒体の搬送系の機構に制約を与える等の問
題があった。

【００１０】そして、前述のようなマイクロ波センサを
用いるシステムでは、媒体の偽造を判定するためには有
効でも、使い捨てタイプの媒体（例えば、テレホンカー
ド、オレンジカード等に代表されるプリペイドカード）
を改ざんして再利用される可能性が残されている。

【００１１】これらの、使い捨てタイプの媒体では、改
ざんして再利用されることを防止する手段として、使用
金額に応じたパンチ穴を開ける等の手段があるが、媒体
の大きさから開けられる穴の大きさおよび数には限りが
あり、また、テープ等で穴を塞ぐことにより穴の検出が
不可能となり、したがって改ざんの恐れがある。

【００１２】本発明は、上述のような問題点を解消し、
簡単な機構の装置を用いて媒体の正当性を容易に認証
し、しかも、改ざんも防止することができる媒体の認証
方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、任意の形状の導電体がランダムに分布
された媒体の認証方法において、高周波電流を印加した
コイルにより高周波磁界を発生し、高周波磁界と媒体と
を相対的に移動することにより媒体の導電体の分布を高
周波磁界の変化として検出し、高周波磁界の変化と、予
め検出された導電体の分布とを比較して媒体の正当性を
確認することを特徴とする。

【００１４】また、媒体はカード形状で磁気記録層を有
し、磁気記録層には予め検出された媒体の導電体の分布
が記録され、媒体の正当性は、高周波磁界の変化として
検出された磁界の変化に基づく導電体の分布と磁気記録
層に記録された導電体の分布とを比較することにより確
認してもよい。または、媒体はカード形状で磁気記録層
および金属薄膜層を有し、金属薄膜層は媒体の使用に応
じて任意の形状に溶融破壊され、磁気記録層には予め媒
体の使用に応じて任意の形状に溶融破壊された金属薄膜
層と導電体の分布とを高周波磁界の変化として検出され
た情報が記録され、媒体の正当性は、媒体の使用に応じ
て任意の形状に溶融破壊された金属薄膜層と導電体の分
布を高周波磁界の変化として検出された情報と、予め磁
気記録層に記録された媒体の使用に応じて任意の形状に
溶融破壊された金属薄膜層と導電体の分布を高周波磁界
の変化として検出した情報とを比較することで確認して
もよい。なお、増幅器と増幅器からの出力を検波する検
波器により媒体の導電体の分布を高周波磁界の変化とし
て検出してもよい。また、媒体の導電体の分布の密度は
４〜８ｇ／ｍ ² としてもよい。さらに、媒体の金属薄膜
層は、厚さ５００Å以上としてもよい。

【００１５】

【作用】即ち、本発明の媒体の認証方法によれば、任意
の形状の導電体がランダムに分布された媒体と、その媒
体上に磁気記録層および金属薄膜層を有し、金属薄膜層
を媒体の使用に応じて任意の形状に溶融破壊する。この
ため、媒体から検出される情報は、導電体の分布と金属
薄膜層を媒体の使用に応じて任意の形状に溶融破壊され
た部分とが重なったものとなる。

【００１６】そして、この重なった情報は、媒体毎にラ
ンダムであり、また、同一の媒体でも媒体の使用毎にも
異なり、さらに金属薄膜層を使用に応じて溶融破壊し除
去するので、偽造のみならず改ざんをも有効に防止する
ことができる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面により詳細に説
明する。なお、本実施例は媒体をカードとした場合の認
証方法である。

【００１８】図２には本発明の実施例に使用されるカー
ドの一実施例の未使用状態、図３は図２のカードの使用
状態、図１は図３のＡ−Ａ′断面が示されている。

【００１９】図１、図２および図３において、カード２
０は、基材１１上に、磁気記録層１３、熱溶融層１４、
金属薄膜層１５および保護層１６を順次積層した構造を
有している。

【００２０】この例では、金属薄膜層１５は、図２に示
すカード２０の全表面を覆うように設けられ、そのカー
ド２０には、長辺方向に延びる長方形の認証領域Ｒが１
００の枡目となるように５×２０の区画の金属薄膜層１
５を溶融破壊できるようにしている。図３は、カード２
０の使用に応じて認証領域Ｒに位置する金属薄膜層１５
が２０枡目分ランダムに溶融破壊された様子が示されて
いる。同図に示すように、金属薄膜層１５の溶融破壊さ
れていない部分Ｒｂ（□で示す。）と溶融破壊されてい
る部分Ｒａ（■で示す。）とが混在するようにランダム
に溶融除去される。

【００２１】また、図２および図３に示すように、カー
ド２０の磁気記録層１３には、後述する磁気情報を記録
するための情報記録領域Ｔが設けられている。

【００２２】カード２０の導電体１１と金属薄膜層１５
は図７に示す磁界検出部３０により検出される。

【００２３】基材１０は、一般の磁気記録媒体に使用さ
れている基材の材料に微細な導電体１１（金属繊維）を
ランダムに分布・混入した材料から構成されている。こ
のような基材１０として例えば、ポリエステル、ポリプ
ロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリイミ
ド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのマトリ
ックス中に適当な長さの微細な導電体１１を混入し、こ
れを通常の方法でフィルムまたはシート状に形成するこ
とにより得られる。このようにして得られた基材１０
は、マトリックス（樹脂マトリックス）中に微細な導電
体１１がランダムに分布したものとなる。この基材１１
に、以下に示す機能を持つ層を形成後、所望の形状に加
工し、カード２０を得る。

【００２４】導電体１１は、分布の密度が磁界の変化を
充分に生じさせる状態が必要であり、例えば、体積抵抗
率（ρ）を室温（２０℃）で１×１０^-8〜１００×１０
^-8Ωｍの範囲の金属（Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｚｎ、
Ｉｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔ
ｉ、Ａｇ、Ａｕ等の単体若しくはこれらの任意の組成の
合金を用いることができる。）を有効に用いることがで
き、その時の導電体１１の分布密度（面積密度）は、２
ｇ／ｍ²以上がよく、４〜８ｇ／ｍ²の範囲が磁界検出
部３０により検出される波形の形状がカード２０を区別
（識別）するのに充分な変化を持つので望ましい。

【００２５】また、磁気記録層１３は、通常の磁気記録
媒体に使用されている材料と同じ材料を用いることがで
きる。

【００２６】つぎに、図１に示すように導電体１１と磁
気記録層１３の他に金属薄膜層１５を設ける場合には、
熱溶融層１４が磁気気記録層１３と金属薄膜層１５の間
に必要とされる。

【００２７】熱溶融層１４は、その上に位置する金属薄
膜層１５がサーマルヘッド２３の加熱により溶融された
ときに金属薄膜層１５の金属の表面張力により細粒化
し、金属薄膜層１５をその内部に吸収し、周囲の温度が
下がると熱溶融層１４は再び固化され、金属薄膜層１５
は細粒化した状態で熱溶融層１４中に保持される。

【００２８】金属薄膜層１５は、部分的に除去されたと
きに金属薄膜層１５が除去された部分とされない部分と
で、磁界の変化に充分な差を生じさせるとともに導電体
１１も同時に磁界の変化として検出できる材料が望まし
く、それらの材料は、薄膜状態で導電体１１と同様の体
積抵抗率を持ち、またサーマルヘッド２３の加熱により
容易に溶融破壊される金属材料か望ましい。そのような
金属材料としては、導電体１１と同様の金属を用いるこ
とができるが、金属薄膜層１５と導電体１１を同時に磁
界の変化として検出する条件は金属薄膜層１５の体積抵
抗率および膜厚と導電体１１の体積抵抗率と密度との相
関関係によって決定される。

【００２９】金属薄膜層１５は、熱溶融層１４上に真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法お
よびメッキ法などにより形成することができるが、必要
に応じて金属薄膜層１５と熱溶融層１４の密着性を高め
るためにアンカー層を介在させてもよい。

【００３０】金属薄膜層１５は、記録膜としての特性を
持たせるために、０．０４〜０．１μｍの範囲の厚みが
望ましく、０．０５μｍ以上の厚みであれば、金属単体
でも酸化しにくく、また、金属薄膜層１５が除去された
部分とされない部分とで、高周波磁界の変化に充分な差
を生じさせることができる。

【００３１】熱溶融層１４を構成する材料としては、サ
ーマルヘッド２３の加熱により容易に溶融可能で、金属
薄膜１５との密着性の良好な材料が望ましい。このよう
な材料として例えば、エチルセルロース、ヒドロキシエ
チルセルロース、セルロースアセテートプロピオネー
ト、酢酸セルロース等のセルロース誘導体、溶剤可溶型
のポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ビニル系
樹脂、アクリル系樹脂等の熱可塑性樹脂や水性ポリビニ
ルアルコールを用いることができる。これらの樹脂材料
には可塑剤としてフタル酸エステル、脂肪酸エステル、
正燐酸エステル等を必要に応じて添加することができ
る。

【００３２】熱溶融層１４は、グラビア法、ロールコー
ト法、ナイフエッジ法およびオフセット法等の通常の塗
工方法で磁気記録層１３上に形成することができ、その
厚みは乾燥膜厚が１〜５μｍ程度が磁気記録層１３の電
磁変換特性に影響を与えないので望ましい。

【００３３】保護層１６は、金属薄膜層１５の酸化を防
止するとともに、カード２０の表面保護のために設けら
れるもので、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびポ
リエステル系樹脂などの紫外線硬化型樹脂や電子線硬化
型樹脂を用いることができる。紫外線硬化型樹脂や電子
線硬化型樹脂を保護層１６に用いた場合には、溶剤分を
含まないので金属薄膜層１５等の下地を溶剤分により侵
すことがなく、また、形成も容易であり、さらに、耐熱
性、耐光性、耐薬品性および耐磨耗性も向上させること
ができる。

【００３４】また、保護層１６上もしくは保護層１６と
金属薄膜層１５の間には、任意の文字、図形および模様
等を印刷により設けてもよい（図示しない）。

【００３５】次に、図７に示した磁界検出部３０につい
て説明する。磁界検出部３０は、高周波電源３１、セン
サコイル３３、コンデンサＣ、増幅器３４および検波器
３５から構成されている。センサコイル３３はコンデイ
サＣを介して増幅器３４に接続され、また、センサコイ
ル３３とコンデンサＣの両端には高周波電源３１が接続
されている。

【００３６】そして、センサコイル３３に高周波電流を
印加すると高周波磁界が発生し、この発生した高周波磁
界にカード２０を充分近接（接触しない程度）させ、セ
ンサコイル３３とカード２０を相対的に移動させると、
電磁誘導作用によって前述したカード２０の認証領域Ｒ
の金属薄膜層１５を溶融破壊し除去された部分Ｒａと導
電体１１に渦電流が発生する。この渦電流は、カード２
０の認証領域Ｒの金属薄膜層１５を溶融破壊し除去され
た部分Ｒａおよび導電体１１の重なった部分の密度の変
化に対応して、例えば図８に示すような出力が検波器３
５から出力される。

【００３７】センサコイル３３に印加される高周波電流
の励磁周波数は、２〜１０ｋＨｚ程度でよい。

【００３８】図１、図２および図３に示したカード２０
について、図４の装置を使ったカード２０の発行方法お
よびカード２０の使用時における処理方法について、図
５および図６のフローチャートを参照しながら以下に説
明する。

【００３９】図４において、３０はカード２０の認証領
域Ｒを走査する磁界センサ部、２２は情報記録領域（磁
気トラック）を走査（磁気情報の記録および再生）する
磁気ヘッド、２３は、認証領域Ｒのエリア内の金属薄膜
層１５を溶融破壊するサーマルヘッドである。

【００４０】認証領域Ｒを磁界検出部３０で走査し読み
取られた情報は、Ａ／Ｄ変換器２４でディジタル信号に
変換された後、比較回路２５に送られる。また、磁気ヘ
ッド２２によって読み取られた情報は復調回路２７で復
調され、Ａ／Ｄ変換器２４でディジタル信号に変換され
た認証領域Ｒの情報と比較回路２５において比較され
る。

【００４１】次ぎに、カード２０の使用に応じてコント
ローラ２９から認証領域Ｒを任意に溶融破壊する情報が
変換回路２８に送られ、この情報に基づいて金属薄膜層
１５がサーマルヘッド２３により溶融破壊される。

【００４２】そして、再度カード２０の認証領域Ｒを磁
界検出部３０で読み取った情報をＡ／Ｄ変換器２４でデ
ィジタル信号に変換し、そのディジタル信号を変調回路
２６を介して磁気ヘッド２２によりカード２０の情報記
録領域Ｔに記録する。

【００４３】次に図５により、カード２０の発行時の処
理について説明する。図２に示すように発行前のカード
２０は、認証領域Ｒに位置する金属薄膜層１５が溶融破
壊されていないため、認証領域Ｒを磁界検出部３０で走
査し読み取った波形は、直線状の波形となる。これは、
認証領域Ｒに位置する導電体１１の分布の状態が金属薄
膜層１５によって検出できないためである（金属薄膜層
１５が溶融破壊されれば、導電体１１の分布が検出でき
る。）。

【００４４】発行前のカード２０を図４の装置に挿入し
て、発行処理（カード２０を使用可能状態とする処理）
を行う手順を図５に示す。

【００４５】最初のステップＳ１では、コントローラ２
９からの指令により、カード２０の種類等によって予め
決められているパターンに対応するように金属薄膜層１
５を溶融破壊するデータが変換回路２８に送られ、この
金属薄膜層１５を溶融破壊するデータに基づいて、カー
ド２０の認証領域Ｒがサーマルヘッド２３により溶融破
壊される。次に、ステップＳ２において、認証領域Ｒを
磁界検出部３０で走査し、ステップＳ３において、読み
出された信号がＡ／Ｄ変換器２４および変調回路２６を
経て、磁気ヘッド２２によりカード２０の情報記録領域
Ｔに記録される。

【００４６】このとき、必要であればカード２０の残金
額、発行者、発行日等の情報を同時に情報記録領域Ｔに
磁気記録することができる。この処理が終了（ＥＮＤ）
すれば、カード２０は排出され使用可能な状態となる。

【００４７】次に、図６により、カード２０の使用時の
認証処理について説明する。まず、カード２０の真偽判
定が行われる。図６において、ステップＳ１１で磁界検
出部３０により認証領域Ｒの高周波磁界の変化が検出さ
れ、次にステップＳ１２で、磁気ヘッド２２により情報
記録領域Ｔから磁気記録されている情報の読出が行われ
る。そして、ステップＳ１１およびステップＳ１２で得
られた情報をステップＳ１３で比較し、カード２０の真
偽判定が行われる。この判定の結果、両情報が一致せ
ず、カード２０が「偽」と判定された場合には、このカ
ード２０を回収するとともに異常が発生したことを知ら
せる。

【００４８】両情報が一致してカード２０が「真」と判
定されると、ステップＳ１４へ進み、利用金額が残金額
以内かを判定し、残金額以内であればステップＳ１５に
おいてカード２０の残金額から利用金額を差し引いた残
額に応じた認証領域Ｒの区画を溶融破壊し除去する。

【００４９】次に、ステップＳ１６において、認証領域
Ｒについて磁界検出部３０により高周波磁界の変化を検
出し、検出した信号をＡ／Ｄ変換器２４によってディジ
タル信号に変換し変調回路２６を経て、磁気ヘッド２２
によりカード２０の情報記録領域Ｔに更新した情報が磁
気記録される（ステップＳ１７）。そして、再びステッ
プＳ１１に戻る。

【００５０】ステップＳ１４で、利用金額が残金額以内
ではない（残金額不足）と判定された場合には、ステッ
プＳ１８において、現金等による不足金額の補充が行わ
れ、次に、ステップＳ１９において、サーマルヘッド２
３により認証領域Ｒの金属薄膜層１５が全て除去され
る。次に、ステップ２０において、カード２０の情報記
録領域Ｔの情報が磁気ヘッド２２により全て消去され、
処理を終了（ＥＮＤ）する。

【００５１】図２に示したカード２０の認証領域Ｒ内の
金属薄膜層１５を５×２０の略正方形の枡目状（１００
個）に区画し、そのうち認証領域Ｒ内の金属薄膜層１５
を０個から８０個まで２０個づつランダムに溶融破壊し
除去した時に磁界検出部３０から得られる検出波形（図
４のＡ／Ｄ変換器２４に入力される情報）を図８に示
す。ここで、図８中のパターン０は、図２の状態（認証
領域Ｒ内の金属薄膜層１５が溶融破壊されていない状
態）を示し、図８中のパターン２０は、図３の状態を示
す（パターン４０からパターン８０を溶融破壊したカー
ド２０は、図示していない。）。

【００５２】磁界検出部３０から得られる検出波形は、
認証領域Ｒ内の金属薄膜層１５を溶融破壊し除去したパ
ターンと、基材１０に予めランダムに分布された導電体
１１との重なり合いに対応しているが、認証領域Ｒ内の
金属薄膜層１５を、例えば１個（１区画）ずつ溶融破壊
し除去した場合でも、除去した個数に対応して徐々に変
化する（この場合には、磁界検出部３０から得られる検
出波形の分解能を良くすれば、微妙な変化を識別するこ
とができる。）。

【００５３】なお、上述の実施例では、認証領域Ｒ内の
金属薄膜層１５を枡目状の区画にランダムに溶融破壊し
除去したものとしたが、認証領域Ｒ内の金属薄膜層１５
を予め線状に形成し、カード２０の使用に応じてその線
状を一端から所定の長さもしくは適当な長さをランダム
に溶融破壊し除去することにより行ってもよい（図示し
ない。）。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば個
々の媒体の識別を導電体がランダムに分布された媒体
と、所定の領域（認証領域）に形成された金属薄膜層の
重なった部分と重なっていない部分とを磁界検出部によ
って読み取った情報と、予め磁気トラック（情報記録領
域）に記録されている情報とを照合することにより行わ
れる。しかも、金属薄膜層は媒体の使用に応じてランダ
ムに更新される。そして、この媒体は導電体がランダム
に分布され、金属薄膜層も媒体の使用に応じてランダム
に更新された（溶融破壊し除去された）ものとなり、ラ
ンダムなもの同志の組み合わせとなるため、その媒体を
改ざんして再利用されることを防止することができる。

【００５５】また、磁界検出部は簡単な機構なので装置
内の媒体の搬送系の機構に制約を与えることがない。し
たがって、本方法では、偽造および改ざんを防止するこ
とができる媒体を簡単な機構の検出装置を用いて検出す
るようにしたので安全性の高い有用な媒体の認証方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による使用時のカードの縦断
面図である。

【図２】本発明の一実施例による発行前のカードの平面
図である。

【図３】本発明の一実施例による使用時のカードの平面
図である。

【図４】図２のカードの真偽判定および更新を行うため
の装置の一実施例を示すブロック図である。

【図５】図４の装置によるカードの発行時の動作を示す
フローチャートである。

【図６】図４の装置によるカードの使用時の動作を示す
フローチャートである。

【図７】図４の装置の磁界検出部を示すブロック図であ
る。

【図８】図７の装置の磁界検出部から得られた出力の変
化を示す図である。

【図９】従来の媒体の例を示す平面図である。

【符号の説明】

１０基材１１導電体１３磁気記録層１４熱溶融層１５金属薄膜層１６保護層２０カード２２磁気ヘッド２３サーマルヘッド２４Ａ／Ｄ変換器２５比較回路２６変調回路２７復調回路２８変換回路２９コントローラ３０磁界検出部３１高周波電源３３センサコイル３４増幅器３５検波器Ｒ認証領域Ｔ情報記録領域（磁気トラック）Ｃコンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06K 17/00 B42D 15/10 G07D 7/00 - 7/20

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】任意の形状の導電体がランダムに分布さ
れた媒体の認証方法において、高周波電流を印加したコ
イルにより高周波磁界を発生させ、該高周波磁界と前記
媒体とを相対的に移動することにより前記媒体の前記導
電体の分布を前記高周波磁界の変化として検出し、該高
周波磁界の変化と、予め検出されている導電体の分布と
を比較して前記媒体の正当性を確認することを特徴とす
る媒体の認証方法。
【請求項２】前記媒体はカード形状で磁気記録層を有
し、前記磁気記録層には予め検出された前記媒体の導電体の
分布が記録され、前記媒体の正当性は前記高周波磁界の変化として検出さ
れる磁界の変化に基づく前記導電体の分布と前記磁気記
録層に記録された導電体の分布とを比較することにより
確認することを特徴とする請求項１に記載の媒体の認証
方法。
【請求項３】前記媒体はカード形状で磁気記録層およ
び金属薄膜層を有し、前記金属薄膜層は前記媒体の使用に応じて任意の形状に
溶融破壊され、前記磁気記録層には予め前記媒体の使用に応じて任意の
形状に溶融破壊された前記金属薄膜層と前記導電体の分
布とを前記高周波磁界の変化として検出された情報が記
録され、前記媒体の正当性は前記媒体の使用に応じて任意の形状
に溶融破壊された前記金属薄膜層と前記導電体の分布を
前記高周波磁界の変化として検出した情報と、予め前記
磁気記録層に記録された前記媒体の使用に応じて任意の
形状に溶融破壊された金属薄膜層と導電体の分布を前記
高周波磁界の変化として検出された情報とを比較するこ
とで確認することを特徴とする請求項１に記載の媒体の
認証方法。
【請求項４】前記金属薄膜層は、厚さ５００Å以上で
あることを特徴とする請求項３記載の媒体の認証方法。
【請求項５】増幅器と該増幅器からの出力を検波する
検波器により前記媒体の前記導電体の分布を前記高周波
磁界の変化として検出することを特徴とする請求項１か
ら４のいずれか１項に記載の媒体の認証方法。
【請求項６】前記媒体の導電体の分布の密度は４〜８
ｇ／ｍ²であることを特徴とする請求項１から５のいず
れか１項に記載の媒体の認証方法。