JP3476850B2 - 含フッ素ビスフェノール系誘導体 - Google Patents
含フッ素ビスフェノール系誘導体Info
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- JP3476850B2 JP3476850B2 JP27417392A JP27417392A JP3476850B2 JP 3476850 B2 JP3476850 B2 JP 3476850B2 JP 27417392 A JP27417392 A JP 27417392A JP 27417392 A JP27417392 A JP 27417392A JP 3476850 B2 JP3476850 B2 JP 3476850B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の樹脂類の添加
剤、並びに各種のプラスチック製の成形体やフィルムお
よび繊維等の表面改質剤等として有用な新規な含フッ素
ビスフェノール系誘導体に関する。 【０００２】 【従来の技術と問題点】含フッ素化合物は一般に、撥水
性、撥油性、耐熱性および摺動性等が優れているため、
各種樹脂類の添加剤並びに各種プラスチック製の成形体
やフィルムおよび繊維等の表面改質剤として種々の分野
において汎用されている。例えばパーフルオロアルケニ
ル基等の含フッ素基を導入したビスフェノール類もこの
種の添加剤や表面改質剤等として知られている（例えば
特開昭５９−４６２３６号公報参照）。しかしながら、
従来から知られている含フッ素ビスフェノール誘導体
は、比較的蒸気圧が高く、約１５０〜２００℃で昇華又
は蒸発するという難点があり、その利用範囲が制限され
ている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決し、耐昇華性又は耐蒸発性にも優れた新規な含フッ
素ビスフェノール系誘導体を提供することを目的とす
る。 【０００４】 【課題を解決するための手段】即ち本発明は、一般式
（Ｉ）： 【化３】 ［式中、Ｘは次式： 【化４】 （式中、Ｒ１およびＲ２は相互に独立して水素原子また
は炭素原子数１〜３のアルキル基を示す）で表わされる
基、−ＣＨ(ＣＦ３)−、Ｃ(ＣＦ３)２−、−Ｏ−または
−ＳＯ２−を示し、ｎは６〜１０の整数を示す］で表さ
れる含フッ素ビスフェノール系誘導体（但し、Ｃ ｎ Ｆ
２ｎ−１ はペルフルオロビニル基を含まない）に関す
る。 【０００５】一般式（Ｉ）において、ペルフルオロアル
ケニルオキシ基−ＯＣnＦ2n-1は分岐鎖を有していても
良く、ｎは６〜１０の整数を示す。特に好ましいペルフ
ルオロアルケニルオキシ基は、ペルフルオロヘキセニル
オキシ基（−ＯＣ6Ｆ11）およびペルフルオロノネニル
オキシ基−ＯＣ9Ｆ17である。ペルフルオロアルケニル
オキシ基の結合位置は特に限定的ではないが、好ましく
は、カルボニル基に対してパラ位である。また、一般式
（Ｉ）においてＸは次式： 【０００６】 【化５】 【０００７】（式中、Ｒ1およびＲ2は相互に独立して水
素原子または炭素原子数１〜３のアルキル基を示す）で
表わされる基、−ＣＨ(ＣＦ3)−、Ｃ(ＣＦ3)2−、−Ｏ
−または−ＳＯ2−で示されるが、特に好ましくは−Ｃ
(ＣＨ3)2−、−(ＣＨ3)Ｃ(Ｃ2Ｈ5)−、−Ｃ(ＣＦ3)2−
を示す。 【０００８】本発明による一般式（Ｉ）で表される含フ
ッ素ビスフェノール系誘導体の製造方法は特に限定的で
はないが、簡便な製法は、一般式（II）： 【０００９】 【化６】 【００１０】（式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ｎは前
記と同意義である）で表わされるペルフルオロアルケニ
ルオキシ安息香酸ハライド、例えば４−ペルフルオロノ
ネニルオキシ安息香酸クロリド等と一般式（III）： 【化７】 （式中、Ｘは前記と同意義である）で表わされるビスフ
ェノール類、例えばビスフェノールＡ、ＢまたはＡＦ等
とを塩基の存在下で反応させる方法である 【００１１】上記方法は通常溶液反応で行う。塩基は脱
塩剤として用いるものであり、好適な塩基としてはトリ
エチルアミン、ピリジンおよびＮ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン等の３級アミンが例示される。反応溶媒としては、非
プロトン性で上記原料を溶解することのできるものを用
いればよく、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、
四塩化炭素およびジクロロエタン等の塩素系溶媒、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンおよび
ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチ
ルエチルケトンおよびメチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶媒、ベンゼントルエンおよびキシレン等の芳香族
炭化水素系溶媒並びにアセトニトリル、ＤＭＦ、ＤＭＡ
およびＤＭＳＯ等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられ
る。 【００１２】上記反応は、通常、ペルフルオロアルケニ
ルオキシ安息香酸ハライド、ビスフェノール類および塩
基のモル比が２：１：２となる条件下で行う。反応温度
は、反応原料の種類によっても異なるが、通常は０〜５
０℃である。 【００１３】前述の含フッ素ビスフェノール系誘導体の
合成反応は界面反応で行うこともできる。この場合は、
脱塩剤として、上記の３級アミンの他に、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウム等の無機系
アルカリを用いてもよい。好適な溶媒は上記の塩素系溶
媒および芳香族炭化水素系溶媒である。 【００１４】 【実施例】本発明を実施例によってさらに詳細に説明す
る。実施例１ 温度計、撹拌装置および冷却管を備えた５００ミリリッ
トルの４つ口フラスコ内に、ビスフェノールＡ１１.４
ｇ（０.０５モル）およびトリエチルアミン１０.１ｇ
（０.１０モル）をクロロホルム２００ミリリットルに
溶解した溶液を入れ、該溶液に、クロロホルム５０ミリ
リットルに４−パーフルオロノネニルオキシ−安息香酸
クロリド５８.７ｇ（０.１０モル）を溶解した溶液を、
室温下で撹拌しながら約３０分間かけて徐々に滴下し
た。滴下終了後、室温で撹拌しながら、約２時間反応を
おこなった。反応混合物を５００ミリリットルの水中へ
投入し、３回水洗を繰り返した後、クロロホルム層分取
し、ＭｇＳＯ4を用いて脱水した。最後に、クロロホル
ムを留去して、次式（Ｉａ）で表される化合物を得た
（収率９２％）。 【００１５】 【化８】 化合物（Ｉａ）の物性を以下の表１に示す。 【００１６】実施例２ ビスフェノールＡ１１.４ｇ（０.０５モル）の代わり
に、ビスフェノールＡＦ１６.８ｇ（０.０５モル）を用
いる以外は、実施例１と同様にして、次式（Ｉｂ）で表
される化合物を得た（収率９０％）。 【００１７】 【化９】 化合物（Ｉｂ）の物性を以下の表１に示す。 【００１８】 【表１】【００１９】 【発明の効果】本発明による含フッ素ビスフェノール系
誘導体は、撥水性、撥油性、耐熱性および摺動性だけで
なく、耐昇華性又は耐蒸発性にも優れているので、広範
な用途を有しており、特に各種の樹脂類、例えばナイロ
ン、ポリエステル等の添加剤、並びに各種のプラスチッ
ク製の成形体やフィルムおよび繊維等の表面改質剤等と
して有用である。
剤、並びに各種のプラスチック製の成形体やフィルムお
よび繊維等の表面改質剤等として有用な新規な含フッ素
ビスフェノール系誘導体に関する。 【０００２】 【従来の技術と問題点】含フッ素化合物は一般に、撥水
性、撥油性、耐熱性および摺動性等が優れているため、
各種樹脂類の添加剤並びに各種プラスチック製の成形体
やフィルムおよび繊維等の表面改質剤として種々の分野
において汎用されている。例えばパーフルオロアルケニ
ル基等の含フッ素基を導入したビスフェノール類もこの
種の添加剤や表面改質剤等として知られている（例えば
特開昭５９−４６２３６号公報参照）。しかしながら、
従来から知られている含フッ素ビスフェノール誘導体
は、比較的蒸気圧が高く、約１５０〜２００℃で昇華又
は蒸発するという難点があり、その利用範囲が制限され
ている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決し、耐昇華性又は耐蒸発性にも優れた新規な含フッ
素ビスフェノール系誘導体を提供することを目的とす
る。 【０００４】 【課題を解決するための手段】即ち本発明は、一般式
（Ｉ）： 【化３】 ［式中、Ｘは次式： 【化４】 （式中、Ｒ１およびＲ２は相互に独立して水素原子また
は炭素原子数１〜３のアルキル基を示す）で表わされる
基、−ＣＨ(ＣＦ３)−、Ｃ(ＣＦ３)２−、−Ｏ−または
−ＳＯ２−を示し、ｎは６〜１０の整数を示す］で表さ
れる含フッ素ビスフェノール系誘導体（但し、Ｃ ｎ Ｆ
２ｎ−１ はペルフルオロビニル基を含まない）に関す
る。 【０００５】一般式（Ｉ）において、ペルフルオロアル
ケニルオキシ基−ＯＣnＦ2n-1は分岐鎖を有していても
良く、ｎは６〜１０の整数を示す。特に好ましいペルフ
ルオロアルケニルオキシ基は、ペルフルオロヘキセニル
オキシ基（−ＯＣ6Ｆ11）およびペルフルオロノネニル
オキシ基−ＯＣ9Ｆ17である。ペルフルオロアルケニル
オキシ基の結合位置は特に限定的ではないが、好ましく
は、カルボニル基に対してパラ位である。また、一般式
（Ｉ）においてＸは次式： 【０００６】 【化５】 【０００７】（式中、Ｒ1およびＲ2は相互に独立して水
素原子または炭素原子数１〜３のアルキル基を示す）で
表わされる基、−ＣＨ(ＣＦ3)−、Ｃ(ＣＦ3)2−、−Ｏ
−または−ＳＯ2−で示されるが、特に好ましくは−Ｃ
(ＣＨ3)2−、−(ＣＨ3)Ｃ(Ｃ2Ｈ5)−、−Ｃ(ＣＦ3)2−
を示す。 【０００８】本発明による一般式（Ｉ）で表される含フ
ッ素ビスフェノール系誘導体の製造方法は特に限定的で
はないが、簡便な製法は、一般式（II）： 【０００９】 【化６】 【００１０】（式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ｎは前
記と同意義である）で表わされるペルフルオロアルケニ
ルオキシ安息香酸ハライド、例えば４−ペルフルオロノ
ネニルオキシ安息香酸クロリド等と一般式（III）： 【化７】 （式中、Ｘは前記と同意義である）で表わされるビスフ
ェノール類、例えばビスフェノールＡ、ＢまたはＡＦ等
とを塩基の存在下で反応させる方法である 【００１１】上記方法は通常溶液反応で行う。塩基は脱
塩剤として用いるものであり、好適な塩基としてはトリ
エチルアミン、ピリジンおよびＮ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン等の３級アミンが例示される。反応溶媒としては、非
プロトン性で上記原料を溶解することのできるものを用
いればよく、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、
四塩化炭素およびジクロロエタン等の塩素系溶媒、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンおよび
ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチ
ルエチルケトンおよびメチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶媒、ベンゼントルエンおよびキシレン等の芳香族
炭化水素系溶媒並びにアセトニトリル、ＤＭＦ、ＤＭＡ
およびＤＭＳＯ等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられ
る。 【００１２】上記反応は、通常、ペルフルオロアルケニ
ルオキシ安息香酸ハライド、ビスフェノール類および塩
基のモル比が２：１：２となる条件下で行う。反応温度
は、反応原料の種類によっても異なるが、通常は０〜５
０℃である。 【００１３】前述の含フッ素ビスフェノール系誘導体の
合成反応は界面反応で行うこともできる。この場合は、
脱塩剤として、上記の３級アミンの他に、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウム等の無機系
アルカリを用いてもよい。好適な溶媒は上記の塩素系溶
媒および芳香族炭化水素系溶媒である。 【００１４】 【実施例】本発明を実施例によってさらに詳細に説明す
る。実施例１ 温度計、撹拌装置および冷却管を備えた５００ミリリッ
トルの４つ口フラスコ内に、ビスフェノールＡ１１.４
ｇ（０.０５モル）およびトリエチルアミン１０.１ｇ
（０.１０モル）をクロロホルム２００ミリリットルに
溶解した溶液を入れ、該溶液に、クロロホルム５０ミリ
リットルに４−パーフルオロノネニルオキシ−安息香酸
クロリド５８.７ｇ（０.１０モル）を溶解した溶液を、
室温下で撹拌しながら約３０分間かけて徐々に滴下し
た。滴下終了後、室温で撹拌しながら、約２時間反応を
おこなった。反応混合物を５００ミリリットルの水中へ
投入し、３回水洗を繰り返した後、クロロホルム層分取
し、ＭｇＳＯ4を用いて脱水した。最後に、クロロホル
ムを留去して、次式（Ｉａ）で表される化合物を得た
（収率９２％）。 【００１５】 【化８】 化合物（Ｉａ）の物性を以下の表１に示す。 【００１６】実施例２ ビスフェノールＡ１１.４ｇ（０.０５モル）の代わり
に、ビスフェノールＡＦ１６.８ｇ（０.０５モル）を用
いる以外は、実施例１と同様にして、次式（Ｉｂ）で表
される化合物を得た（収率９０％）。 【００１７】 【化９】 化合物（Ｉｂ）の物性を以下の表１に示す。 【００１８】 【表１】【００１９】 【発明の効果】本発明による含フッ素ビスフェノール系
誘導体は、撥水性、撥油性、耐熱性および摺動性だけで
なく、耐昇華性又は耐蒸発性にも優れているので、広範
な用途を有しており、特に各種の樹脂類、例えばナイロ
ン、ポリエステル等の添加剤、並びに各種のプラスチッ
ク製の成形体やフィルムおよび繊維等の表面改質剤等と
して有用である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 竹下 正史
兵庫県神戸市中央区加納町６丁目２番１
号 株式会社ネオス内
(56)参考文献 特開 昭60−243135（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−46236（ＪＰ，Ａ)
特表 平４−500388（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07C 69/92
C07C 317/22
C08K 5/00 - 5/107
C08K 5/41
REGISTRY STN
CA STN
ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 一般式（Ｉ）： 【化１】 ［式中、Ｘは次式： 【化２】 （式中、Ｒ１およびＲ２は相互に独立して水素原子また
は炭素原子数１〜３のアルキル基を示す）で表わされる
基、−ＣＨ(ＣＦ３)−、Ｃ(ＣＦ３)２−、−Ｏ−または
−ＳＯ２−を示し、ｎは６〜１０の整数を示す］で表さ
れる含フッ素ビスフェノール系誘導体（但し、Ｃ ｎ Ｆ
２ｎ−１ はペルフルオロビニル基を含まない）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27417392A JP3476850B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 含フッ素ビスフェノール系誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27417392A JP3476850B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 含フッ素ビスフェノール系誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122657A JPH06122657A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3476850B2 true JP3476850B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=17538057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27417392A Expired - Fee Related JP3476850B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 含フッ素ビスフェノール系誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3476850B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-13 JP JP27417392A patent/JP3476850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06122657A (ja) | 1994-05-06 |
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