JP3470802B2 - アルコールの分解下でエラストマーに架橋可能なオルガノポリシロキサン材料 - Google Patents

アルコールの分解下でエラストマーに架橋可能なオルガノポリシロキサン材料

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、アルコキシ基を末端に有するオ
ルガノポリシロキサンの製造および前記オルガノポリシ
ロキサンを含有するRTV−1−アルコキシ材料に関す
る。
【0002】オルガノポリシロキサンの概念は、本発明
の範囲内で二量体、オリゴマーおよびポリマーのシロキ
サンを含む。
【0003】湿分の遮断下で貯蔵可能でありかつ湿分の
侵入下に室温でアルコールの分解下に湿潤するオルガノ
ポリシロキサン材料、所謂RTV−1−アルコキシ材料
は、既に久しく公知である。このオルガノポリシロキサ
ン材料は、本質的にオルガニルオキシ基を末端に有する
オルガノポリシロキサン、ならびに他の成分として少な
くとも3個の加水分解可能な基を有する架橋剤、触媒お
よび場合による添加剤からなる。このRTV−1−アル
コキシ系の利点は、このアルコキシ系が架橋過程の際に
無臭で中性の環境保護性のアルコールを分解生成物とし
て遊離することにある。
【0004】アルコキシ基を末端に有するオルガノポリ
シロキサンは、HO末端基を有するオルガノポリシロキ
サンをアルコキシシランと反応させることによって製造
される。これは、例えば米国特許第4942211号明
細書に記載されている。この方法の欠点は、反応が室温
で数時間を必要とすることにある。実際に、温度を高め
た場合には、反応時間は短縮されるが、しかし、アルコ
キシ基を末端に有する形成されたオルガノポリシロキサ
ンおよび他の成分を用いてRTV−1−アルコキシ材料
を製造することができるまで待たなければならない程度
の長さである。
【0005】HO末端基を有するオルガノポリシロキサ
ンとアルコキシシランとの反応を種々の触媒によって促
進させることは、公知である。例えば、欧州特許出願公
開第763557号明細書の場合には、反応は、酸性の
ジアルキル燐酸エステルの存在下に実施される。ジアル
キル燐酸エステルは、反応後に塩基によって失活されな
ければならない。それというのも、とにかくアルコキシ
基を末端に有するオルガノポリシロキサンは、脱重合さ
れ、その架橋能は、失われるからである。
【0006】本発明の課題は、RTV−1−アルコキシ
材料のためのアルコキシ基を末端に有するオルガノポリ
シロキサンをできるだけ簡単な方法で製造することであ
る。
【0007】本発明の対象は、 (A)HO末端基を有するオルガノポリシロキサンを (B)一般式(III) R5μSi(OR64-μ 〔式中、R5およびR6は、弗素原子、塩素原子、臭素原
子、C1〜C4−アルコキシアルキル基またはシアノ基で
置換されていてもよい一価のC1〜C13−炭化水素基を
表わし、μは、0または1の値を表わす〕で示されるア
ルコキシシランおよび/またはその部分水解物と、 (C)一般式(I) (HO)aOP(-O-[(CR1 2)b-O]c[(CR2 2)d]e-L-M)(3-a) (I) 〔式中、aは、1または2の値を表わし、R1およびR2
は、水素原子、メチル基またはヒドロキシル基を表わ
し、bおよびdは、2または3の値を表わし、cは、2
〜15の整数の値を表わし、eは、0または1の値を表
わし、Lは、基−O−、−COO−、−OOC−、−C
ONR3−、−NR4CO−および−CO−からの1つの
基を表わし、R3およびR4は、水素原子またはC1〜C
10−アルキル基を表わし、Mは、ヒドロキシル基、弗素
原子、塩素原子、臭素原子、C1〜C10−アルコキシア
ルキル基またはシアノ基で置換されていてもよい一価の
1〜C20−炭化水素基を表わし、この場合基R1および
2は、全ての炭素原子に対して1回だけヒドロキシル
基であってもよい〕で示される酸性の燐酸エステルの存
在下に反応させることを特徴とする、オルガニルオキシ
基を末端に有するオルガノポリシロキサンを製造する方
法である。
【0008】この方法は、既に室温で極めて高い反応速
度で選択的に進行し、したがって成分(A)、(B)お
よび(C)の混合直後にアルコキシ基を末端に有する形
成されたオルガノポリシロキサンは、場合によっては他
の成分の混入後にRTV−1−アルコキシ材料として使
用されてよい。反応が完全に進行したかどうかの管理
は、行なわなくてよい。
【0009】この方法の場合もう1つの利点は、この場
合に副反応が全く進行せず、例えば線状のオルガノポリ
シロキサンについて、T単位およびQ単位の形成が観察
されなかったことに見ることができる。
【0010】酸性の燐酸エステル(C)は、反応後に直
接に引続き失活される必要はない。
【0011】有利には、cは、2〜10、殊に2、3、
4または5の整数の値を意味する。
【0012】有利には、Lは、基−O−を意味する。
【0013】有利には、Mは、C1〜C10−アルコキシ
アルキル基で置換されていてもよいC1〜C20−炭化水
素基、殊に非置換のC5〜C18−炭化水素基を意味す
る。
【0014】有利には、R1およびR2は、水素原子を意
味する。
【0015】有利には、bおよびdは、2の値を意味す
る。
【0016】HO末端基を有するオルガノポリシロキサ
ン(A)としては、有利に一般式(II) HO−[R2SiO]m−H (II) 〔式中、Rは、弗素原子、塩素原子、臭素原子、C1
4−アルコキシアルキル基またはシアノ基で置換され
ていてもよい一価のC1〜C8−炭化水素基を表わし、m
は、HO末端基を有するオルガノポリシロキサン(A)
の粘度0.05〜1000Pa.sに相当する値を表わ
す〕で示される線状α,ω−ジヒドロキシポリ(ジオル
ガノシロキサン)が使用される。
【0017】炭化水素基Rの例は、線状および環式の飽
和アルキル基および不飽和アルキル基、例えばメチル
基、アリール基、例えばフェニル基、アルカリール基、
例えばトリル基およびアラルキル基、例えばベンジル基
である。
【0018】基Rとして好ましいのは、1〜6個の炭素
原子を有する非置換の炭化水素基であり、この場合に
は、メチル基が特に好ましい。
【0019】オルガノポリシロキサン(A)は、有利に
それぞれ23℃で測定された、100〜700000m
Pa.s、殊に20000〜350000mPa.sの
粘度を有する。
【0020】
【0021】アルコキシシラン(B)の部分水解物は、
殊に2〜4個のアルコキシシランを加水分解しかつ縮合
させることによって生成されたものである。部分水解物
(B)は、例えばヘキサメトキシジシロキサンおよびヘ
キサエトキシジシロキサンである。
【0022】有利にR5およびR6は、それぞれ非置換の
1〜C6−炭化水素基、殊にメチル基、エチル基および
プロピル基を表わす。
【0023】一般式(I)の酸性の燐酸エステル(C)
は、アルコキシ基を末端に有するオルガノポリシロキサ
ンから得られたRTV−1−アルコキシ材料を貯蔵の際
に安定化する。殊に、RTV−1−アルコキシ材料の被
膜形成時間は、殆んど一定で安定したままであり、変色
が阻止される。
【0024】一般式(I)〜(III)において、全て
の基R、R1〜R6ならびに全ての符号a、b、c、d、
e、mおよびμは、互いに独立に等しいかまたは異な
る。
【0025】全ての式において、珪素原子の四原子価が
当てはまる。例えば、n+oは、最高で4である。
【0026】酸性の燐酸エステル(C)は、HO末端基
を有するオルガノポリシロキサン(A)500質量部に
対して0.1〜50質量部、殊に2〜20質量部が添加
される。
【0027】HO末端基を有するオルガノポリシロキサ
ン(A)へのアルコキシシラン(B)の添加は、有利に
過剰量で行なわれ、このことは、化学量論的割合に関連
する。HO末端基を有するオルガノポリシロキサン
(A)とアルコキシシラン(B)との反応をできるだけ
完全に進行させることができるようにするために、有利
には、HO末端基を有するオルガノポリシロキサン
(A)500質量部当たりアルコキシシラン(B)10
〜60質量部、殊に20〜50質量部を使用することが
できる。反応の間に反応しなかった過剰量のアルコキシ
シラン(B)は、オルガニルオキシ基を末端に有するオ
ルガノポリシロキサンおよびRTV−1−アルコキシ材
料においては欠点ではなく、したがって反応生成物中に
残存することができる。過剰量のアルコキシシラン
(B)は、架橋剤成分としてRTV−1−アルコキシ材
料中で作用する。
【0028】反応は、有利に+20〜+50℃、殊に室
温で行なわれる。反応時間は、使用されるアルコキシシ
ラン(B)に依存して1〜10分間である。
【0029】反応の際の反応時間は、一面で、使用され
るアルコキシシラン(B)の反応性に左右され、他面、
酸性の燐酸エステル(C)に左右される。
【0030】特に好ましい反応時間は、室温で2〜5分
間であり、このことは、まさに一槽法においてRTV−
1材料を製造するのに有利である。
【0031】また、本発明は、本質的成分としてアルコ
キシ基を末端に有するオルガノポリシロキサンを含有す
る前記方法により得られた反応生成物を含むRTV−1
−アルコキシ材料にも関する。
【0032】前記成分の他に、RTV−1−アルコキシ
材料は、自体公知の他の成分を含有することができる。
【0033】有利にRTV−1−アルコキシ材料を準備
する際に共用されてよい他の物質は、アルコキシ基がO
6の意味を有するビス(トリアルコキシシリル)C1
12−アルカン、例えばビス(トリエトキシシリル)エ
タンである。
【0034】同様に、RTV−1−アルコキシ材料を準
備する場合には、縮合触媒、強化用充填剤、非強化用充
填剤、顔料、可溶性着色剤、加香料、可塑剤、例えば室
温で液状の、トリメチルシロキシ基によって末端封鎖さ
れたジメチルポリシロキサンまたは燐酸エステル、殺真
菌剤、(CH33SiO1/2単位およびSiO4/2単位か
らなるものを含めて樹脂状オルガノポリシロキサン、純
粋な有機樹脂、例えばアクリルニトリル、スチロール、
塩化ビニルまたはプロピレンのホモポリマーまたはコポ
リマー、この場合このような純粋な有機樹脂、殊にスチ
ロールおよびn−ブチルアクリレートからなるコポリマ
ーは、既に末端の単位中にそれぞれ1個のSi結合した
ヒドロキシル基を有するジオルガノポリシロキサンの存
在下に記載されたモノマーを遊離ラジカルを用いて重合
させることによって製造されたものであってもよく、腐
食防止剤、エステル化および/またはエーテル化されて
いてもよいポリグリコール、酸化防止剤、熱安定剤、溶
剤、電気的性質に影響を及ぼすための薬剤、例えば導電
性カーボン、防炎剤、光安定剤および被膜形成時間を延
長させるための薬剤、例えばSiC結合したメルカプト
アルキル基を有するシラン、ならびにセル発生剤、例え
ばアゾジカルボンアミドが使用されてよい。同様に、付
着助剤、有利にアミノ−アルキル官能性シラン、例えば
γ−アミノプロピルトリエトキシシランが添加されても
よい。
【0035】縮合触媒が有利に使用される。RTV−1
−アルコキシ材料は、本発明によれば、これまで水の遮
断下に貯蔵可能で水の侵入下に室温でエラストマーに架
橋する材料中で得られ存在していてもよかった任意の触
媒を含有することができる。
【0036】このような縮合触媒の例は、錫、亜鉛、ジ
ルコニウム、チタンおよびアルミニウムの有機化合物で
ある。この縮合触媒の中で好ましいのは、ブチルチタネ
ートおよび有機錫化合物、例えばジ−n−ブチル錫ジア
セテート、ジ−n−ブチル錫ジラウレートおよび1分子
当たり酸素原子により珪素に結合された、アルコキシ基
によって置換されていてもよい少なくとも2個の一価炭
化水素基を加水分解可能な基として有するシランまたは
そのオリゴマーとジオルガノ錫ジアシレートとの反応生
成物であり、この場合この反応生成物において、錫原子
の全原子価は、基≡SiOSn≡の酸素原子によって飽
和されているかまたはSnC結合した1価の有機基によ
って飽和されている。
【0037】有利にRTV−1−アルコキシ材料は、充
填剤を含有する。充填剤の例は、非強化用充填剤、即ち
50m2/gまでのBET表面積を有する充填剤、例え
ば石英、珪藻土、珪酸カルシウム、珪酸ジルコニウム、
ゼオライト、金属酸化物粉末、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化チタン、酸化鉄もしくは酸化亜鉛またはこれら
の混合酸化物、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、石膏、
窒化珪素、炭化珪素、窒化硼素、ガラス粉末およびプラ
スチック粉末、例えばポリアクリルニトリル粉末;強化
用充填剤、即ち50m2/gよりも多いBET表面積を
有する充填剤、例えば熱分解法により得られた珪酸、沈
降珪酸、カーボンブラック、例えばファーネスブラック
およびアセチレンカーボンブラックならびにより大きい
BET表面積の珪素−アルミニウム混合酸化物;繊維状
充填剤、例えばアスベストおよびプラスチック繊維であ
る。
【0038】記載された充填剤は、例えばオルガノシラ
ンもしくはオルガノシロキサンまたはステアリン酸を用
いての処理またはアルコキシ基へのヒドロキシル基のエ
ーテル化によって疎水性にされていてよい。1種類の充
填剤を使用してもよく、また、少なくとも2つの充填剤
の混合物を使用してもよい。
【0039】強化用珪酸を充填剤として単に使用する場
合には、透明のRTV−1−アルコキシ材料を得ること
ができる。
【0040】RTV−1−アルコキシ材料を架橋するた
めには、空気の通常の含水量で十分である。架橋は、望
ましい場合には、室温よりも高い温度または室温よりも
低い温度、例えば−5℃〜10℃または30℃〜50℃
で実施されてもよい。
【0041】従って、本発明によるRTV−1−アルコ
キシ材料は、例えば建物、車両、船舶および航空機の顕
著に例えば垂直に走る継目および例えば内径10〜40
mmの類似の空隙を含めての継目のためのパッキング材
料として、または例えば窓の建造においてかまたはガラ
ス戸棚の製造の際に接着剤またはパテ材料として適当で
あり、ならびに例えば保護被覆またはゴム弾性成形体の
製造ならびに電気的装置または電子的装置の絶縁に適当
である。
【0042】次に記載された実施例において、百分率で
の部の全ての記載は、別記しない限り、質量に対するも
のである。更に、全ての粘度の記載は、25℃の温度に
対するものである。別記しない限り、次の実施例は、周
囲の大気の圧力、即ち約1000hPaで室温、即ち約
20℃で、反応体を室温で付加的な加熱または冷却なし
に室温で一緒に入れた際に生じる温度で実施される。
【0043】実施例 例1 真空を備えた遊星型ミキサー中で、水の遮断下に末端の
単位中にそれぞれ1個のヒドロキシル基を有するジメチ
ルポリシロキサン500gを23℃で80000mP
a.sの粘度で、粘度100mm2/s(23℃)の末
端単位中にトリメチルシロキシ基を有するポリジメチル
シロキサン350gおよび式(OH)1PO[(OCH2
CH23〜4−O−(CH211〜14−CH32および
(OH)2PO[(OCH2CH23〜4−O−(CH2
11〜14−CH3]1のアルコキシル化された燐酸エステ
ルの混合物10gと混合する。その直後にメチルトリメ
トキシシラン25g中に添加し、真空中で5分間均質化
する。その後に、RTV−1材料にとって常用の混合技
術を維持しながら記載された順序で添加する: γ−アミノプロピルトリエトキシシラン13.5g、1
50m2/gのBET表面積を有する熱分解法で得られ
た親水性珪酸80.0gおよびテトラエチルシリケート
4部およびジ−n−ブチル錫ジアセテート2.2部から
の混合物を120℃で周囲大気の圧力で攪拌しながら6
時間加熱し、生成された酢酸エチルエステルを同時に留
去することによって得られた反応生成物5.0g。
【0044】真空中での均質化後、化合物を耐湿性容器
中に充填する。種々の時間後、試料を取り出し、これか
ら得られたエラストマーの被膜形成時間(23℃/相対
空気湿度50%で)を測定する。この場合に達成される
結果は、第1表中に記載されている。
【0045】エラストマーの次の機械的性質が測定され
た: ショアーA:10;破断強さ:1.0N/mm2;破断
時の伸び:560%;再引裂き強度:2.7N/mm;
100%の伸びでの応力値:0.2N/mm2 例2 例1と同様に行なう。例1のα,ω−ジヒドロキシポリ
ジメチルシロキサン600gに次の成分を記載した順序
で混入する: −Si(CH33−末端基を有するポリジメチルシロキ
サン280.0g、例1のアルコキシル化された燐酸エ
ステル10.0g、ビニルトリメトキシシラン25.0
g、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン15.0
g、150m2/gのBET表面積を有する熱分解法で
得られた親水性珪酸70.0gおよびテトラエチルシリ
ケートと例1のジ−n−ブチル錫ジアセテートとからの
反応生成物5.0g。
【0046】これから得られたエラストマーの被膜形成
時間は、第1表に記載されている。
【0047】例3 例1と同様に行なう。α,ω−ジヒドロキシポリジメチ
ルシロキサン500gに次の成分を記載した順序で混入
する: −Si(CH33−末端基を有するポリジメチルシロキ
サン380.0g、例1のアルコキシル化された燐酸エ
ステル10.0g、メチルトリメトキシシラン25.0
g、3−(2−アミノエチルアミノ)−プロピルトリメ
トキシシラン10.0g、150m2/gのBET表面
積を有する熱分解法で得られた親水性珪酸70.0gお
よびテトラエチルシリケートと例1のジ−n−ブチル錫
ジアセテートとからの反応生成物4.0g。
【0048】これから得られたエラストマーの被膜形成
時間は、第1表に記載されている。
【0049】例4 例1と同様に行なう。次の成分を混合する: 例1のα,ω−ジヒドロキシポリジメチルシロキサン5
00.0g、−Si(CH33−末端基を有するポリジ
メチルシロキサン380.0g、例1のアルコキシル化
された燐酸エステル10.0g、メチルトリメトキシシ
ラン25.0g、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン8.0g、150m2/gのBET表面積を有する熱
分解法で得られた親水性珪酸70.0gおよびテトラエ
チルシリケートと例1のジ−n−ブチル錫ジアセテート
とからの反応生成物4.0g。
【0050】これから得られたエラストマーの被膜形成
時間は、第1表に記載されている。
【0051】例5 例1と同様に行なう。次の成分を混合する: 例1のα,ω−ジヒドロキシポリジメチルシロキサン5
00.0g、−Si(CH33−末端基を有するポリジ
メチルシロキサン380.0g、例1のアルコキシル化
された燐酸エステル10.0g、ビニルトリメトキシシ
ラン25.0g、アミノ官能性シロキサン:2.2のア
ミン価を有する、アミノプロピルトリエトキシシランと
メチルトリエトキシシランからの縮合物/水解物とから
の平衡化生成物25.0g、150m2/gのBET表
面積を有する熱分解法で得られた親水性珪酸70.0g
およびテトラエチルシリケートと例1のジ−n−ブチル
錫ジアセテートとからの反応生成物5.0g。
【0052】これから得られたエラストマーの被膜形成
時間は、第1表に記載されている。
【0053】
【表1】
【0054】例6: 真空を備えた遊星型ミキサー中で、水の遮断下に末端の
単位中にそれぞれ1個のヒドロキシル基を有しかつ23
℃で80000mPa.sの粘度を有するポリジメチル
シロキサン600g、末端単位としてのトリメチルシロ
キシ基を有しかつ23℃で100m2/sの粘度を有す
るポリジメチルシロキサン300gおよび例1のアルコ
キシル化された燐酸エステル10gと均一に混合する。
【0055】その直後にメチルトリメトキシシラン35
gを添加し、再び5分間均質化する。次に、この混合物
にRTV−1材料にとって常用の混合技術を維持しなが
ら段階的に次の成分を順次に添加する: γ−アミノプロピルトリエトキシシラン15.0g、1
50m2/gのBET表面積を有する熱分解法で得られ
た親水性珪酸70.0gおよびテトラエチルシリケート
と例1のジ−n−ブチル錫ジアセテートとの反応生成物
5.0g。
【0056】減圧下での均質化後、化合物を耐湿性容器
中に充填する。室温で1日の貯蔵後10分間の被膜形成
時間(23℃/相対空気湿度50%)を測定する。50
℃で付加的に7日間の貯蔵の後、15分間の被膜形成時
間が生じる。
【0057】例7: 例6を繰り返す。しかし、同じ組成の前混合物に他の成
分を順序を変えて添加する: 150m2/gのBET表面積を有する熱分解法で得ら
れた親水性珪酸70.0g、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン15.0gおよびテトラエチルシリケート
と例1のジ−n−ブチル錫ジアセテートとの反応生成物
5.0g。
【0058】減圧下での均質化後、化合物を耐湿性容器
中に充填する。室温で1日の貯蔵後12分間の被膜形成
時間(23℃/相対空気湿度50%)を測定する。50
℃で付加的に7日間の貯蔵の後、15分間の被膜形成時
間が生じる。
【0059】例8 例6を繰り返す。しかし、同じ組成の前混合物に他の成
分を次の順序で添加する: 150m2/gのBET表面積を有する熱分解法で得ら
れた親水性珪酸70.0gおよびテトラエチルシリケー
トと例1のジ−n−ブチル錫ジアセテートとの反応生成
物5.0g。
【0060】減圧下での均質化後、化合物を3時間湿分
の遮断下に貯蔵し、引続きγ−アミノプロピルトリエト
キシシラン15gを混入する。減圧下で再度の均質化
後、化合物を耐湿性容器中に充填する。室温で1日の貯
蔵後、12分間の被膜形成時間(23℃/相対空気湿度
50%)を測定する。50℃で付加的に7日間の貯蔵の
後、15分間の被膜形成時間が生じる。
【0061】例6〜8は、付着助剤のγ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランの添加順序が被膜形成時間に対す
る事後の影響を及ぼすことを示す。従って、塩基性付着
助剤によるアルコキシル化された燐酸エステルの即座の
中和は、不必要である。
【0062】例9: 真空を備えた遊星型ミキサー中で、水の遮断下に末端の
ヒドロキシル基および23℃で80000mPa.sの
粘度を有するポリジメチルシロキサン550g、末端の
トリメチルシロキシ基を有するポリジメチルシロキサン
325gおよび例1のアルコキシル化された燐酸エステ
ル10gを均一に混合する。約10分後、次の成分を順
次に添加し、これら成分を均一に全質量中に混入する: γ−アミノプロピルトリエトキシシラン15.0g、1
50m2/gのBET表面積を有する熱分解法で得られ
た親水性珪酸73.0g、テトラエチルシリケートと例
1のジ−n−ブチル錫ジアセテートとの反応生成物5.
0gおよび粉砕されたステアリン酸処理された白亜20
0.0g。
【0063】室温で1日の貯蔵後、15分間の被膜形成
時間を測定する。50℃で付加的に7日間の貯蔵の後、
20分間の被膜形成時間を測定した。
【0064】例10: 例9を繰り返したが、しかし、粉砕されたステアリン酸
処理された白亜の代わりに、同量の粉砕された未処理の
白亜を使用した。
【0065】室温で1日の貯蔵後、20分間の貯蔵時間
を測定し、50℃で付加的に7日間の貯蔵後、25分間
の被膜形成時間を測定した。
【0066】例11: 例9を繰り返したが、しかし、150m2/gのBET
表面積を有する熱分解法で得られた親水性の珪酸73g
の代わりに、50gだけを混入し、粉砕されたステアリ
ン酸処理された白亜200gの代わりに同量の19m2
/gの表面積を有するステアリン酸処理された沈降白亜
を使用した。室温で1日の貯蔵後、15分間の被膜形成
時間を測定し、50℃で付加的に7日間の貯蔵後、被膜
形成時間は2分間であった。
【0067】例12 例1と同様に行なう。次の順序で混合する: 例1のα,ω−ジヒドロキシポリジメチルシロキサン9
5.3g、例1のアルコキシル化された燐酸エステル
1.2gおよびメチルトリメトキシシラン3.5g。
【0068】混合物の粘度を測定した: 1時間後 64000mPas 2時間後 62400mPas 3時間後 60800mPas 例13(比較例) 例1と同様に行なう。次に順序で混合する: 例1のα,ω−ジヒドロキシポリジメチルシロキサン9
5.3g、ジ−2−エチルヘキシルホスフェート1.2
g(欧州特許出願公開第763557号明細書)および
メチルトリメトキシシラン3.5g。
【0069】混合物の粘度を測定した: 1時間後 32000mPas 2時間後 12000mPas 3時間後 2000mPas ジ−2−エチルヘキシルホスフェートは、アルコキシ基
を末端に有するオルガノポリシロキサンを脱重合させ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オスヴィン ゾンマー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン カ ール−グロス−シュトラーセ 29 (72)発明者 シュテファン オーバーネーダー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ヘ ルダーシュトラーセ 4 (72)発明者 ヴォルフガング ヘヒトル ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ロ ーベルト−コッホ−シュトラーセ 53 (56)参考文献 特開 昭53−67764(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 77/00 - 77/62 C08L 83/00 - 83/16

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 オルガニルオキシ基を末端に有するオル
    ガノポリシロキサンを製造する方法において、 (A)HO末端基を有するオルガノポリシロキサンを (B)一般式(III) 5 μSi(OR 6 4-μ 〔式中、 5 およびR 6 は、弗素原子、塩素原子、臭素原子、C 1
    〜C 4 −アルコキシアルキル基またはシアノ基で置換さ
    れていてもよい一価のC 1 〜C 13 −炭化水素基を表わ
    し、 μは、0または1の値を表わす〕で示される アルコキシ
    シランおよび/またはその部分水解物と、 (C)一般式(I) (HO)aOP(-O-[(CR1 2)b-O]c[(CR2 2)d]e-L-M)(3-a) (I) 〔式中、 aは、1または2の値を表わし、 R1およびR2は、水素原子、メチル基またはヒドロキシ
    ル基を表わし、 bおよびdは、2または3の値を表わし、 cは、2〜15の整数の値を表わし、 eは、0または1の値を表わし、 Lは、基−O−、−COO−、−OOC−、−CONR
    3−、−NR4CO−および−CO−からの1つの基を表
    わし、 R3およびR4は、水素原子またはC1〜C10−アルキル
    基を表わし、 Mは、ヒドロキシル基、弗素原子、塩素原子、臭素原
    子、C1〜C10−アルコキシアルキル基またはシアノ基
    で置換されていてもよい一価のC1〜C20−炭化水素基
    を表わし、この場合基R1およびR2は、全ての炭素原子
    に対して1回だけヒドロキシル基であってもよい〕で示
    される酸性の燐酸エステルの存在下に反応させることを
    特徴とする、オルガニルオキシ基を末端に有するオルガ
    ノポリシロキサンを製造する方法。
  2. 【請求項2】 HO末端基を有するオルガノポリシロキ
    サン(A)として一般式(II) HO−[R2SiO]m−H (II) 〔式中、 Rは、弗素原子、塩素原子、臭素原子、C1〜C4−アル
    コキシアルキル基またはシアノ基で置換されていてもよ
    い一価のC1〜C8−炭化水素基を表わし、 mは、HO末端基を有するオルガノポリシロキサン
    (A)の粘度0.05〜1000Pa.sに相当する値
    を表わす〕で示される線状α,ω−ジヒドロキシポリ
    (ジオルガノ)シロキサンを使用する、請求項1記載の
    方法。
  3. 【請求項3】 求項1または2の記載により得られた
    反応生成物を含有するRTV−1−アルコキシ材料。
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