JP3463261B2 - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JP3463261B2 JP3463261B2 JP2000279946A JP2000279946A JP3463261B2 JP 3463261 B2 JP3463261 B2 JP 3463261B2 JP 2000279946 A JP2000279946 A JP 2000279946A JP 2000279946 A JP2000279946 A JP 2000279946A JP 3463261 B2 JP3463261 B2 JP 3463261B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、光学装置に関
し、特に、相変化型の光ディスクの記録層を初期化する
ために用いられ、光源としての半導体他レーザーを含む
光発振器等から出射されたレーザー光を光ディスクの記
録層処理面上で所望の投影形状（以下、結像という。）
に変えることができる、光学装置に関する。
し、特に、相変化型の光ディスクの記録層を初期化する
ために用いられ、光源としての半導体他レーザーを含む
光発振器等から出射されたレーザー光を光ディスクの記
録層処理面上で所望の投影形状（以下、結像という。）
に変えることができる、光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、本願発明の背景となる従来の
相変化型の光ディスクの初期化装置に用いられる光学装
置の一例を示す平面図解図であり、図１４は、その正面
図解図である。図１５は、図１３および図１４に示す光
学装置の光源としての半導体レーザーから出射されるレ
ーザー光の発光形状を示す拡大図であり、図１６は、そ
のレーザー光が光ディスク面の記録層に照射されたとき
の結像形状を示す拡大図である。
相変化型の光ディスクの初期化装置に用いられる光学装
置の一例を示す平面図解図であり、図１４は、その正面
図解図である。図１５は、図１３および図１４に示す光
学装置の光源としての半導体レーザーから出射されるレ
ーザー光の発光形状を示す拡大図であり、図１６は、そ
のレーザー光が光ディスク面の記録層に照射されたとき
の結像形状を示す拡大図である。
【０００３】この従来の光学装置１は、その一部に光源
としての半導体レーザー（図１３，図１４では図示せ
ず）を含む光発振器３を含む。半導体レーザーは、図１
３，図１４では図示していないが、図２に示す半導体レ
ーザーと同様の構造を有するものである。この光学装置
１では、光発振器３および光ディスク９間に、コリメー
トレンズ５および集光レンズ７が所定の間隔を隔てて配
置された光学系となっている。光発振器３から出射され
るレーザー光は、図１５および図１６に示すように、た
とえば半導体レーザーの幅が約１μmで長さが数１０μm
〜数１００μmの発光面での発光形状４をそのまま光デ
ィスク９の記録面に投影し熱処理をする構造になってい
る。
としての半導体レーザー（図１３，図１４では図示せ
ず）を含む光発振器３を含む。半導体レーザーは、図１
３，図１４では図示していないが、図２に示す半導体レ
ーザーと同様の構造を有するものである。この光学装置
１では、光発振器３および光ディスク９間に、コリメー
トレンズ５および集光レンズ７が所定の間隔を隔てて配
置された光学系となっている。光発振器３から出射され
るレーザー光は、図１５および図１６に示すように、た
とえば半導体レーザーの幅が約１μmで長さが数１０μm
〜数１００μmの発光面での発光形状４をそのまま光デ
ィスク９の記録面に投影し熱処理をする構造になってい
る。
【０００４】すなわち、この従来の光学装置１では、た
とえば図１５に示す半導体レーザーの発光面２での発光
形状４を有し、光発振器３から出射される出射光が、コ
リメート・レンズ５により、発光形状４の幅方向に平行
なレーザー光６にされる。さらに、平行なレーザー光
は、たとえば図１６に示すように、集光レンズ７によっ
て光ディスク９の記録面に、図１５に示す発光形状とほ
ぼ同形同大に結像される。そして、結像されたレーザー
光は、光ディスクの初期化用の光エネルギー（結晶化エ
ネルギー）として使用される。
とえば図１５に示す半導体レーザーの発光面２での発光
形状４を有し、光発振器３から出射される出射光が、コ
リメート・レンズ５により、発光形状４の幅方向に平行
なレーザー光６にされる。さらに、平行なレーザー光
は、たとえば図１６に示すように、集光レンズ７によっ
て光ディスク９の記録面に、図１５に示す発光形状とほ
ぼ同形同大に結像される。そして、結像されたレーザー
光は、光ディスクの初期化用の光エネルギー（結晶化エ
ネルギー）として使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光学装置１によれば、光ディスク９の記録面
の記録層に照射されるレーザー光は、その結像８の幅方
向の長さが非常に狭いために、振動等の外乱の影響を大
きく受ける恐れがあった。
うな従来の光学装置１によれば、光ディスク９の記録面
の記録層に照射されるレーザー光は、その結像８の幅方
向の長さが非常に狭いために、振動等の外乱の影響を大
きく受ける恐れがあった。
【０００６】また、従来の光学装置１の光学系では、光
源から出射されたレーザー光の光ディスク９面上での結
像スポット形状が出射のときの発光形状とほぼ同形同大
となるので、特定の光強度の密度を有するレーザービー
ムが光ディスク９の記録層に照射される。この場合、光
ディスク９面上に照射される結像スポットの形状を変更
することが困難であった。そのため、従来の光学装置１
では、光ディスク９の記録層の初期化条件によっては、
たとえば初期化処理時間を比較的長くしてゆっくりと加
熱したり、徐々に冷却する構造を必要とする光ディスク
の初期化処理を有効に行うことが困難であった。
源から出射されたレーザー光の光ディスク９面上での結
像スポット形状が出射のときの発光形状とほぼ同形同大
となるので、特定の光強度の密度を有するレーザービー
ムが光ディスク９の記録層に照射される。この場合、光
ディスク９面上に照射される結像スポットの形状を変更
することが困難であった。そのため、従来の光学装置１
では、光ディスク９の記録層の初期化条件によっては、
たとえば初期化処理時間を比較的長くしてゆっくりと加
熱したり、徐々に冷却する構造を必要とする光ディスク
の初期化処理を有効に行うことが困難であった。
【０００７】すなわち、従来の光学装置１では、初期化
条件として、光ディスク９の回転速度と光源から出射さ
れるレーザー光の光強度の可変のみで、より詳細に記録
材料の初期化に最適な加熱・冷却条件とすることは極め
て困難であった。
条件として、光ディスク９の回転速度と光源から出射さ
れるレーザー光の光強度の可変のみで、より詳細に記録
材料の初期化に最適な加熱・冷却条件とすることは極め
て困難であった。
【０００８】それゆえに、本願発明の主たる目的は、相
変化型の光ディスクの記録面上に照射されるレーザー光
の結像形状を初期化条件により適宜変更することができ
る、光学装置を提供することである。
変化型の光ディスクの記録面上に照射されるレーザー光
の結像形状を初期化条件により適宜変更することができ
る、光学装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に構成された本願発明にかかる光学装置は、相変化型の
光ディスクの初期化装置に用いられる光学装置であっ
て、光ディスクの有する記録層を結晶化させて初期化を
実施する入射レーザー光を複数回反射させるために光学
装置の光軸を挟んで対向配置された、反射材料からなる
鏡面部と、鏡面部を光軸に平行な軸を中心として回転さ
せることができる回転手段とを含むことを特徴とする、
光学装置である。また、本願発明にかかる光学装置は、
上記レーザー光が半導体レーザーの端面から出射され、
鏡面部が上記光軸回りに所定の傾きをもって配置される
ことを特徴とする、光学装置である。
に構成された本願発明にかかる光学装置は、相変化型の
光ディスクの初期化装置に用いられる光学装置であっ
て、光ディスクの有する記録層を結晶化させて初期化を
実施する入射レーザー光を複数回反射させるために光学
装置の光軸を挟んで対向配置された、反射材料からなる
鏡面部と、鏡面部を光軸に平行な軸を中心として回転さ
せることができる回転手段とを含むことを特徴とする、
光学装置である。また、本願発明にかかる光学装置は、
上記レーザー光が半導体レーザーの端面から出射され、
鏡面部が上記光軸回りに所定の傾きをもって配置される
ことを特徴とする、光学装置である。
【００１０】
【作用】本願発明にかかる光学装置では、半導体レーザ
ーの発散ビームの広がり角は、pn接合面ないし活性層に
平行な軸を含む面と垂直な軸を含む面とで異なる異方性
を有する。請求項１にかかる本願発明の光学装置では、
特に、光軸を挟んで対向配置された鏡面部の作用によ
り、半導体レーザーから出射されたレーザー光を反射さ
せた後、光ディスク面上に所望の大きさを有する結像形
状に照射することが可能となる。請求項２にかかる本願
発明の光学装置では、特に、鏡面部が光軸回りに所定の
傾きをもって配置される。そのため、対向配置された鏡
面部間を通過するレーザー光は、鏡面部間で反射させる
ことにより、pn接合面に垂直な方向に広げることが可能
となる。このとき、傾き角を大きくすることによって、
光ディスクの記録面上に照射される結像スポットの幅方
向の長さを広くすることが可能となる。
ーの発散ビームの広がり角は、pn接合面ないし活性層に
平行な軸を含む面と垂直な軸を含む面とで異なる異方性
を有する。請求項１にかかる本願発明の光学装置では、
特に、光軸を挟んで対向配置された鏡面部の作用によ
り、半導体レーザーから出射されたレーザー光を反射さ
せた後、光ディスク面上に所望の大きさを有する結像形
状に照射することが可能となる。請求項２にかかる本願
発明の光学装置では、特に、鏡面部が光軸回りに所定の
傾きをもって配置される。そのため、対向配置された鏡
面部間を通過するレーザー光は、鏡面部間で反射させる
ことにより、pn接合面に垂直な方向に広げることが可能
となる。このとき、傾き角を大きくすることによって、
光ディスクの記録面上に照射される結像スポットの幅方
向の長さを広くすることが可能となる。
【００１１】本願発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【実施例】図１は本願発明の一実施例を示す斜視図解図
であり、図２は図１に示す実施例の光学装置に適用され
る半導体レーザーの一例を示す斜視図解図である。図３
は図１に示す実施例の光学系の要部を示す図解図であっ
て、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその平面
図解図であり、（Ｃ）はその側面図解図である。本実施
例にかかる光学装置１０は、相変化型の光ディスクの有
する記録層を結晶化させて初期化を実施する初期化装置
に用いられる光学装置であって、たとえば図１および図
３に示すように、光発振部１２、コリメート部１４、レ
ーザービーム調整部１６、集光部１８および相変化型の
光ディスク２０が所定の間隔を隔てて配列される光学系
を有する。この場合、コリメート部１４、レーザービー
ム調整部１６および集光部１８の軸中心と光発振部１２
から出射されるレーザー光の光軸とは同一軸線上に配置
される。
であり、図２は図１に示す実施例の光学装置に適用され
る半導体レーザーの一例を示す斜視図解図である。図３
は図１に示す実施例の光学系の要部を示す図解図であっ
て、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその平面
図解図であり、（Ｃ）はその側面図解図である。本実施
例にかかる光学装置１０は、相変化型の光ディスクの有
する記録層を結晶化させて初期化を実施する初期化装置
に用いられる光学装置であって、たとえば図１および図
３に示すように、光発振部１２、コリメート部１４、レ
ーザービーム調整部１６、集光部１８および相変化型の
光ディスク２０が所定の間隔を隔てて配列される光学系
を有する。この場合、コリメート部１４、レーザービー
ム調整部１６および集光部１８の軸中心と光発振部１２
から出射されるレーザー光の光軸とは同一軸線上に配置
される。
【００１３】光発振部１２は、たとえば図２に示すよう
な半導体レーザー２２を含む。この半導体レーザー２２
から出射されるレーザービームは、半導体レーザー２２
のpn接合面ないし活性層に平行な軸を含む面と垂直な軸
を含む面とで広がり角度が異なる異方性を有するもので
ある。この半導体レーザー２２の発光部の形状は、たと
えばpn接合面ないし活性層に平行な軸方向に数１０μm
〜数１００μm程度の長さを有し、pn接合面ないし活性
層に垂直な軸方向に約１μ程度の長さを有するものであ
る。
な半導体レーザー２２を含む。この半導体レーザー２２
から出射されるレーザービームは、半導体レーザー２２
のpn接合面ないし活性層に平行な軸を含む面と垂直な軸
を含む面とで広がり角度が異なる異方性を有するもので
ある。この半導体レーザー２２の発光部の形状は、たと
えばpn接合面ないし活性層に平行な軸方向に数１０μm
〜数１００μm程度の長さを有し、pn接合面ないし活性
層に垂直な軸方向に約１μ程度の長さを有するものであ
る。
【００１４】本実施例では、コリメート部１４がコリメ
ート・レンズで形成され、集光部１８が対物レンズで形
成される。レーザービーム調整部１６は、後述する鏡面
体２６を保持する保持体１７を含み、保持体１７は、た
とえば円柱状の回転ドラムで形成される。また、保持体
１７は、光軸に平行な軸を中心として回転させることが
できる回転手段によって、適宜回転可能に形成される。
さらに、保持体１７には、その軸方向の一端から他端に
かけて、断面矩形状の平面鏡２６が配設される。
ート・レンズで形成され、集光部１８が対物レンズで形
成される。レーザービーム調整部１６は、後述する鏡面
体２６を保持する保持体１７を含み、保持体１７は、た
とえば円柱状の回転ドラムで形成される。また、保持体
１７は、光軸に平行な軸を中心として回転させることが
できる回転手段によって、適宜回転可能に形成される。
さらに、保持体１７には、その軸方向の一端から他端に
かけて、断面矩形状の平面鏡２６が配設される。
【００１５】平面鏡２６は、反射面として、たとえば図
３（Ｂ）に示すように、光学装置１０の光軸を挟んで対
向して平行に配置され、反射材料からなる鏡面部２６ａ
および２６ｂを有する。本実施例では、鏡面部２６ａお
よび２６ｂがたとえば平面状部に形成されている。ま
た、平面鏡２６は、たとえば図３（Ｂ）で見て、保持体
１７の垂直軸から反時計方向に、所望の傾き角θでもっ
て傾斜して配置される。すなわち、半導体レーザー２２
のpn接合面に平行な面で且つ光軸を含む面を基準面とし
て、光軸回りに傾き角θ分だけ反時計方向に回転させた
位置に、鏡面部２６ａおよび２６ｂが対向して配置され
る。
３（Ｂ）に示すように、光学装置１０の光軸を挟んで対
向して平行に配置され、反射材料からなる鏡面部２６ａ
および２６ｂを有する。本実施例では、鏡面部２６ａお
よび２６ｂがたとえば平面状部に形成されている。ま
た、平面鏡２６は、たとえば図３（Ｂ）で見て、保持体
１７の垂直軸から反時計方向に、所望の傾き角θでもっ
て傾斜して配置される。すなわち、半導体レーザー２２
のpn接合面に平行な面で且つ光軸を含む面を基準面とし
て、光軸回りに傾き角θ分だけ反時計方向に回転させた
位置に、鏡面部２６ａおよび２６ｂが対向して配置され
る。
【００１６】本実施例の光学装置１０では、先ず、光発
振部１２の半導体レーザー２２からレーザー光が出射さ
れ、コリメート部１４を通過する。このとき、レーザー
光は、上述したように、半導体レーザー２２の発光部の
発光形状２４がpn接合面に平行な軸方向に数１０μm〜
数１００μm程度の長さを有し、pn接合面に垂直な軸方
向に約１μ程度の長さを有するため、pn接合面に平行な
軸方向には平行光となるが、pn接合面に垂直な軸方向に
は所定の広がり角をもったレーザービームとなる。
振部１２の半導体レーザー２２からレーザー光が出射さ
れ、コリメート部１４を通過する。このとき、レーザー
光は、上述したように、半導体レーザー２２の発光部の
発光形状２４がpn接合面に平行な軸方向に数１０μm〜
数１００μm程度の長さを有し、pn接合面に垂直な軸方
向に約１μ程度の長さを有するため、pn接合面に平行な
軸方向には平行光となるが、pn接合面に垂直な軸方向に
は所定の広がり角をもったレーザービームとなる。
【００１７】さらに、コリメート部１４を通過したレー
ザー光は、レーザー調整部１６内の対向する鏡面部２６
ａおよび２６ｂ間を通過する。この場合、レーザー光
は、所定の傾き角θで傾斜した鏡面部２６ａおよび２６
ｂ間で反射されるため、レーザー光をpn接合面に垂直な
方向に広げることができる。さらに、レーザー調整部１
６を通過したレーザー光は、集光部１８により集光さ
れ、相変化型の光ディスク２０の記録面に、所望の大き
さおよび形状を有する結像形状２８として照射される。
そして、相変化型の光ディスク２０面の記録層が結晶化
され、初期化される。
ザー光は、レーザー調整部１６内の対向する鏡面部２６
ａおよび２６ｂ間を通過する。この場合、レーザー光
は、所定の傾き角θで傾斜した鏡面部２６ａおよび２６
ｂ間で反射されるため、レーザー光をpn接合面に垂直な
方向に広げることができる。さらに、レーザー調整部１
６を通過したレーザー光は、集光部１８により集光さ
れ、相変化型の光ディスク２０の記録面に、所望の大き
さおよび形状を有する結像形状２８として照射される。
そして、相変化型の光ディスク２０面の記録層が結晶化
され、初期化される。
【００１８】すなわち、結像形状２８は、半導体レーザ
ー２２の発光部の発光形状２４と比べて、pn接合面に垂
直な方向の長さ、本実施例では、結像形状２８の幅方向
の長さを広くすることができる。そのため、光強度が幅
方向に変化した形状でレーザー光を結像させることがで
きる。したがって、相変化型の光ディスク２０の有する
記録層を結晶化させて初期化を実施するための最適な光
エネルギー（結晶化エネルギー）が得られる。
ー２２の発光部の発光形状２４と比べて、pn接合面に垂
直な方向の長さ、本実施例では、結像形状２８の幅方向
の長さを広くすることができる。そのため、光強度が幅
方向に変化した形状でレーザー光を結像させることがで
きる。したがって、相変化型の光ディスク２０の有する
記録層を結晶化させて初期化を実施するための最適な光
エネルギー（結晶化エネルギー）が得られる。
【００１９】図６は本願発明の他の実施例を示す図解図
であって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はそ
の側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部
拡大図解図である。本実施例では、上述の実施例と比べ
て、特に、鏡面部２７ａ，２７ｂが平面鏡２６の対向面
から光軸側へ突出した状態に形成されている。また、レ
ーザービーム調整部１６の保持体１７が分割部３０で分
割可能に形成された割り子構造を有するものである。そ
して、本実施例においても、上述の実施例と同様に、鏡
面部２７ａ，２７ｂが所望の傾き角θをもって配置され
ている。この場合、図６（Ｂ）に示すように、半導体レ
ーザー２２のpn接合面に平行な面で且つ光軸を含む面を
基準面として、光軸回りに傾き角θ分だけ反時計方向に
回転させた位置に、鏡面部２７ａおよび２７ｂが対向し
て配置される。
であって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はそ
の側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部
拡大図解図である。本実施例では、上述の実施例と比べ
て、特に、鏡面部２７ａ，２７ｂが平面鏡２６の対向面
から光軸側へ突出した状態に形成されている。また、レ
ーザービーム調整部１６の保持体１７が分割部３０で分
割可能に形成された割り子構造を有するものである。そ
して、本実施例においても、上述の実施例と同様に、鏡
面部２７ａ，２７ｂが所望の傾き角θをもって配置され
ている。この場合、図６（Ｂ）に示すように、半導体レ
ーザー２２のpn接合面に平行な面で且つ光軸を含む面を
基準面として、光軸回りに傾き角θ分だけ反時計方向に
回転させた位置に、鏡面部２７ａおよび２７ｂが対向し
て配置される。
【００２０】図７は本願発明のさらに他の実施例を示す
図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、図６に示
す実施例と比べて、特に、レーザービーム調整部１６の
保持体１７が円筒状に形成され、その内周面３２に平面
鏡２６が配設されている。
図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、図６に示
す実施例と比べて、特に、レーザービーム調整部１６の
保持体１７が円筒状に形成され、その内周面３２に平面
鏡２６が配設されている。
【００２１】図８は本願発明のさらに他の実施例を示す
図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、上述の各
実施例と比べて、特に、平面鏡に変えて、円筒鏡３４が
用いられている。この場合、レーザービーム調整部１６
の保持体１７が円柱状に形成され、その中に円筒鏡３４
が配設されている。したがって、鏡面部３６ａ，３６ｂ
は、曲面状に形成されている。また、円筒鏡３４は、図
８（Ｂ）で見て、光軸と重なるレーザービーム調整部１
６の保持体１７の中心軸より所定の距離だけ偏心した位
置に配置されている。さらに、本実施例では、円筒鏡３
４が傾き角θで傾斜した配置ではなく、光軸を挟んで光
軸に平行に対向配置されている。
図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、上述の各
実施例と比べて、特に、平面鏡に変えて、円筒鏡３４が
用いられている。この場合、レーザービーム調整部１６
の保持体１７が円柱状に形成され、その中に円筒鏡３４
が配設されている。したがって、鏡面部３６ａ，３６ｂ
は、曲面状に形成されている。また、円筒鏡３４は、図
８（Ｂ）で見て、光軸と重なるレーザービーム調整部１
６の保持体１７の中心軸より所定の距離だけ偏心した位
置に配置されている。さらに、本実施例では、円筒鏡３
４が傾き角θで傾斜した配置ではなく、光軸を挟んで光
軸に平行に対向配置されている。
【００２２】図９は本願発明のさらに他の実施例を示す
図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、図８に示
す実施例と比べて、特に、レーザービーム調整部１６の
保持体１７が円筒状に形成され、その中空部４０に二重
円筒鏡４２が配設されている。この二重円筒鏡４２は、
たとえば２つの円筒鏡をその一部が重なるように横に並
べ設けることにより形成される。したがって、鏡面部４
２ａ，４２ｂは、光軸を挟んで平行に２つずつ対向配置
される。なお、二重円筒鏡４２は、保持体１７の内周面
に設けた支持部４１により保持体１７の中空部４０に支
持されている。
図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、図８に示
す実施例と比べて、特に、レーザービーム調整部１６の
保持体１７が円筒状に形成され、その中空部４０に二重
円筒鏡４２が配設されている。この二重円筒鏡４２は、
たとえば２つの円筒鏡をその一部が重なるように横に並
べ設けることにより形成される。したがって、鏡面部４
２ａ，４２ｂは、光軸を挟んで平行に２つずつ対向配置
される。なお、二重円筒鏡４２は、保持体１７の内周面
に設けた支持部４１により保持体１７の中空部４０に支
持されている。
【００２３】図１０は本願発明のさらに他の実施例を示
す図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、上述の各
実施例と比べて、特に、楕円鏡４６が所定の傾き角θを
もって配設される。この場合、レーザービーム調整部１
６の保持体１７が円筒状に形成され、その内周面に設け
られた支持片４５によって、楕円鏡４６が中空部４４に
配設される。したがって、本実施例では、鏡面部４６
ａ，４６ｂが楕円状の曲面部に形成されている。
す図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、上述の各
実施例と比べて、特に、楕円鏡４６が所定の傾き角θを
もって配設される。この場合、レーザービーム調整部１
６の保持体１７が円筒状に形成され、その内周面に設け
られた支持片４５によって、楕円鏡４６が中空部４４に
配設される。したがって、本実施例では、鏡面部４６
ａ，４６ｂが楕円状の曲面部に形成されている。
【００２４】図１１は本願発明のさらに他の実施例を示
す図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、上述の各
実施例と比べて、特に、たとえば屈折角が４５度の断面
Ｖ字状の屈折面５０ａ，５０ｂを備えた平面鏡５０が、
光軸を挟んで光軸に平行に対向配置されている。この場
合、屈折面５０ａ，５０ｂは、平面鏡５０の鏡面部とし
ての機能を有する。
す図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、上述の各
実施例と比べて、特に、たとえば屈折角が４５度の断面
Ｖ字状の屈折面５０ａ，５０ｂを備えた平面鏡５０が、
光軸を挟んで光軸に平行に対向配置されている。この場
合、屈折面５０ａ，５０ｂは、平面鏡５０の鏡面部とし
ての機能を有する。
【００２５】図１２は本願発明のさらに他の実施例を示
す図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、図１１に
示す実施例と比べて、特に、図１２（Ｂ）に示すよう
に、屈折角が４５度の断面Ｖ字状の屈折面５０ａ，５０
ｂを備えた平面鏡５０が、横並びに配列されている。
す図解図であって、（Ａ）はその正面図解図であり、
（Ｂ）はその側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状
を示す要部拡大図解図である。本実施例では、図１１に
示す実施例と比べて、特に、図１２（Ｂ）に示すよう
に、屈折角が４５度の断面Ｖ字状の屈折面５０ａ，５０
ｂを備えた平面鏡５０が、横並びに配列されている。
【００２６】上述した各実施例の中で、特にたとえば図
１，図３，図６，図７，図１０に示すように、傾き角θ
を変えることにより、相変化型の光ディスク２０面に結
像される結像形状の幅方向の広がりを適宜変えることが
可能である。また、図８，図９，図１１，図１２に示す
ように、対向する鏡面部の形状を平面状ないし曲面状に
変えることにより、チップに垂直な方向に／pn接合面に
垂直な方向にレーザー光の出力を変化させることがで
き、その光強度の分布を変えることができる。
１，図３，図６，図７，図１０に示すように、傾き角θ
を変えることにより、相変化型の光ディスク２０面に結
像される結像形状の幅方向の広がりを適宜変えることが
可能である。また、図８，図９，図１１，図１２に示す
ように、対向する鏡面部の形状を平面状ないし曲面状に
変えることにより、チップに垂直な方向に／pn接合面に
垂直な方向にレーザー光の出力を変化させることがで
き、その光強度の分布を変えることができる。
【００２７】上述の各実施例において、反射面となる鏡
面部は、母材にアルミニウム、ガラス、プラスチック等
の反射材料が適用され、母材が鏡面切削等の方法によっ
て鏡面に仕上げられることによって形成される。あるい
は、その母材表面にアルミ等の膜を蒸着することによっ
て形成される。
面部は、母材にアルミニウム、ガラス、プラスチック等
の反射材料が適用され、母材が鏡面切削等の方法によっ
て鏡面に仕上げられることによって形成される。あるい
は、その母材表面にアルミ等の膜を蒸着することによっ
て形成される。
【００２８】
【発明の効果】本願発明によれば、相変化型の光ディス
クの記録面上に照射されるレーザー光の結像形状を初期
化条件により適宜変更することができる、光学装置が得
られる。そのため、本願発明にかかる光学装置では、相
変化型の光ディスクの初期化条件をより記録材料に最適
な加熱・冷却条件とすることができる。つまり、初期化
処理後、より均一で信頼性の高い記録面が得られる。
クの記録面上に照射されるレーザー光の結像形状を初期
化条件により適宜変更することができる、光学装置が得
られる。そのため、本願発明にかかる光学装置では、相
変化型の光ディスクの初期化条件をより記録材料に最適
な加熱・冷却条件とすることができる。つまり、初期化
処理後、より均一で信頼性の高い記録面が得られる。
【図１】本願発明の一実施例を示す斜視図解図である。
【図２】図１に示す実施例の光学装置に適用される半導
体レーザーの一例を示す斜視図解図である。
体レーザーの一例を示す斜視図解図である。
【図３】図１に示す実施例の光学系の要部を示す図解図
であって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はそ
の平面図解図であり、（Ｃ）はその側面図解図である。
であって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はそ
の平面図解図であり、（Ｃ）はその側面図解図である。
【図４】図１および図３等に示す実施例の半導体レーザ
ーから出射されるレーザー光の発光形状を示す要部拡大
図解図である。
ーから出射されるレーザー光の発光形状を示す要部拡大
図解図である。
【図５】図１および図３等に示す実施例でレーザー光が
光ディスク面の記録層に照射されたときの結像形状を示
す要部拡大図解図である。
光ディスク面の記録層に照射されたときの結像形状を示
す要部拡大図解図である。
【図６】本願発明の他の実施例を示す図解図であって、
（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側面図解
図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大図解図
である。
（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側面図解
図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大図解図
である。
【図７】本願発明のさらに他の実施例を示す図解図であ
って、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側
面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大
図解図である。
って、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側
面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大
図解図である。
【図８】本願発明のさらに他の実施例を示す図解図であ
って、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側
面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大
図解図である。
って、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側
面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大
図解図である。
【図９】本願発明のさらに他の実施例を示す図解図であ
って、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側
面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大
図解図である。
って、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその側
面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡大
図解図である。
【図１０】本願発明のさらに他の実施例を示す図解図で
あって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその
側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡
大図解図である。
あって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその
側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡
大図解図である。
【図１１】本願発明のさらに他の実施例を示す図解図で
あって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその
側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡
大図解図である。
あって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその
側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡
大図解図である。
【図１２】本願発明のさらに他の実施例を示す図解図で
あって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその
側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡
大図解図である。
あって、（Ａ）はその正面図解図であり、（Ｂ）はその
側面図解図であり、（Ｃ）はその結像形状を示す要部拡
大図解図である。
【図１３】本願発明の背景となる従来の相変化型の光デ
ィスクの初期化装置に用いられる光学装置の一例を示す
平面図解図である。
ィスクの初期化装置に用いられる光学装置の一例を示す
平面図解図である。
【図１４】図１３に示す従来の光学装置の正面図解図で
ある。
ある。
【図１５】図１３および図１４に示す従来の光学装置の
光源としての半導体レーザーから出射されるレーザー光
の発光形状を示す拡大図である。
光源としての半導体レーザーから出射されるレーザー光
の発光形状を示す拡大図である。
【図１６】図１３および図１４に示す従来の光学装置に
おいて、レーザー光が光ディスク面の記録層に照射され
たときの結像形状を示す拡大図である。
おいて、レーザー光が光ディスク面の記録層に照射され
たときの結像形状を示す拡大図である。
１０ 光学装置
１２ 光発振部
１４ コリメート部
１６ レーザービーム調整部
１８ 集光部
２０ 相変化型の光ディスク
２２ 半導体レーザー
２４ 半導体レーザーの発光部の発光形状
２６ 平面鏡
２６ａ，２６ｂ 鏡面部
２８ 結像形状
θ 傾き角
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/26
G02B 5/00
G11B 7/125
G11B 7/135
Claims (2)
- 【請求項１】 相変化型の光ディスクの初期化装置に用
いられる光学装置であって、 前記光ディスクの有する記録層を結晶化させて初期化を
実施する入射レーザー光を複数回反射させるために前記
光学装置の光軸を挟んで対向配置された、反射材料から
なる鏡面部、 前記鏡面部を前記光軸に平行な軸を中心として回転させ
ることができる回転手段を含むことを特徴とする、光学
装置。 - 【請求項２】 前記レーザー光は、半導体レーザーの端
面から出射され、 前記鏡面部は、前記光軸回りに所定の傾きをもって配置
されることを特徴とする、請求項１に記載の光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000279946A JP3463261B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 光学装置 |
| CN 01123691 CN1348174A (zh) | 2000-09-14 | 2001-09-11 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000279946A JP3463261B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002092989A JP2002092989A (ja) | 2002-03-29 |
| JP3463261B2 true JP3463261B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=18764871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000279946A Expired - Fee Related JP3463261B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 光学装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3463261B2 (ja) |
| CN (1) | CN1348174A (ja) |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000279946A patent/JP3463261B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-11 CN CN 01123691 patent/CN1348174A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002092989A (ja) | 2002-03-29 |
| CN1348174A (zh) | 2002-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |