JP3460314B2 - ポリエチレン樹脂組成物 - Google Patents

ポリエチレン樹脂組成物

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JP3460314B2
JP3460314B2 JP17394094A JP17394094A JP3460314B2 JP 3460314 B2 JP3460314 B2 JP 3460314B2 JP 17394094 A JP17394094 A JP 17394094A JP 17394094 A JP17394094 A JP 17394094A JP 3460314 B2 JP3460314 B2 JP 3460314B2
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俊生 大浜
明治 鶴田
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、分子量分布および組成
分布が狭いエチレン/ヘキセン−1共重合体と高密度ポ
リエチレンを混合してなるポリエチレン樹脂組成物に関
する。さらに詳しくは、透明性とエレメンドルフ引き裂
き強度のバランスに優れたポリエチレン樹脂組成物に関
する。 【0002】 【従来の技術】エチレンとα−オレフィンの共重合体は
0.940g/cm3以下の密度を有し、直鎖状低密度
ポリエチレン(LLDPE)として知られている。この
様なLLDPEは高密度ポリエチレンと比較して、透明
性、耐衝撃性、耐環境応力亀裂性などに優れており、ま
た高圧法低密度ポリエチレン(LDPE)と比較して、
耐衝撃性および耐クリープ性に優れているために、包装
材料、特にフィルムやラミネーションなどの分野で広く
用いられている。 【0003】しかしながら、LLDPEはLDPEと比
較すると、フィルムの透明性が劣る等の問題がある。従
来公知のチーグラー系触媒で得られるLLDPEに対し
ては、コモノマーであるα−オレフィンの量を多くする
ことで透明性を良好にしようとする検討も行われている
が、それに伴ってラミネーションのスリップ性の低下や
フィルムのべたつきといった問題が生じる。 【0004】一方、特開昭60−88016号公報で
は、メタロセン触媒を用いてLLDPEを重合し、その
組成分布特性に基づいて、透明性が良好で、べたつきの
少ないLLDPEが製造できることを開示している。 【0005】しかし、メタロセン触媒で得られるLLD
PEは、従来公知のチーグラー系触媒で得られるLLD
PEに比べて透明性やべたつきは良好になるものの、エ
レメンドルフ引き裂き強度は小さく、引き裂け易いとい
う欠点を有する。 【0006】 【本発明が解決しようとする課題】本発明は、メタロセ
ン触媒を用いて得られるエチレン/α−オレフィン共重
合体が抱える上記の問題点を解決することを目的とす
る。さらに詳しくは、エチレン/α−オレフィン共重合
体の透明性およびべたつきに関する優れた特徴を維持し
ながら、エレメンドルフ引き裂き強度がより大きくなる
新規なポリエチレン樹脂組成物を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、メタロセン触
媒で得られたエチレン/ヘキセン−1共重合体を主成分
として、高密度ポリエチレンを混合することにより、メ
タロセン触媒で得られるエチレン/ヘキセン−1共重合
体の透明性やべたつきに関する優れた特徴を維持しつ
つ、該エチレン/ヘキセン−1共重合体よりエレメンド
ルフ引き裂き強度が大きくなることを見い出し、本発明
を完成するに至った。 【0008】すなわち本発明は、エチレン/ヘキセン−
1共重合体を主成分とするポリエチレン樹脂組成物であ
って、主成分となるエチレン/ヘキセン−1共重合体が
下記(A)〜(D)の要件を同時に満足し、 (A)MFRが0.001〜100g/10分の範囲に
ある。 【0009】(B)密度が0.860〜0.940g/
cm3の範囲にある。 【0010】(C)重量平均分子量(Mw)と数平均分
子量(Mn)の比(Mw/Mn)が3以下である。 【0011】(D)示差走査型熱量計(DSC)測定に
おいて得られる吸熱曲線のピーク温度(Tm)と赤外線
吸収スペクトルの測定から求めた炭素数1000個当り
の短鎖分岐数(SCB)との間に下記(1)式の関係を
満たす。 【0012】 Tm<−1.8(SCB)+138 (1) 該エチレン/ヘキセン−1共重合体に対して上記(A)
の要件を満たす高密度ポリエチレンを混合してなる組成
物であって、かつ下記(2)および(2)′式を同時に
満足するポリエチレン樹脂組成物である。 【0013】 【0014】 【0015】 【0016】 【0017】 Tmix>−3.3232×105+7.2926×105×dmix −3.9989×105×dmix2 (2) Tmix:組成物のエレメンドルフ引き裂き強度 dmix:組成物の密度 Hmix<1040×dmix−920 (2)′ Hmix:組成物のヘーズ 本発明において主成分となるエチレン/ヘキセン−1共
重合体は、エチレンとヘキセン−1を共重合してなるも
のである。ここでヘキセン−1は通常1〜40重量%共
重合される。 【0018】本発明において主成分であるエチレン/ヘ
キセン−1共重合体は、MFRが0.001〜100g
/10分の範囲にある。MFRが0.001g/10分
未満では得られる組成物の流動性が悪く、100g/1
0分を越える場合は耐衝撃性が低くなる。 【0019】また、本発明において主成分であるエチレ
ン/ヘキセン−1共重合体は、密度が0.860g/c
3〜0.940g/cm3の範囲にある。密度が0.8
60g/cm3未満では得られる組成物の剛性が低くな
り、0.940g/cm3を越える場合は耐衝撃性や耐
引き裂き性が劣るものとなる。ここでの密度は、JIS
K6760に従って求めたものである。 【0020】さらに、本発明において主成分であるエチ
レン/ヘキセン−1共重合体は、重量平均分子量(M
w)と数平均分子量(Mn)の比(Mw/Mn)が3以
下である。Mw/Mnが3を越えると得られる組成物の
耐衝撃性が著しく低下する。 【0021】また、本発明において主成分であるエチレ
ン/ヘキセン−1共重合体は、示差走査熱量計(DS
C)の測定において得られる吸熱曲線のピーク温度(T
m)と赤外線吸収スペクトルの測定から求めた炭素数1
000個当りの短鎖分岐数(SCB)との間に(1)式
の関係を満たしており、 Tm<−1.8(SCB)+138 (1) 好ましくは(1)′式の関係を満たすエチレン/ヘキセ
ン−1共重合体が用いられる。 【0022】 Tm<−1.8(SCB)+135 (1)′ 以上述べた本発明において主成分であるエチレン/ヘキ
セン−1共重合体は、例えば、メタロセン化合物および
メタロセン化合物をイオン化し、カチオン性のメタロセ
ン化合物を生成させることが可能な化合物を基本構成成
分とする触媒系を用いて得ることができる。以下に、上
記共重合体の重合方法およびそれに用いる触媒系の例示
を行うが、本発明において主成分であるエチレン/ヘキ
セン−1共重合体の製造方法は、以下に限定されるもの
ではない。 【0023】本発明において主成分であるエチレン/ヘ
キセン−1共重合体の重合方法の一例として、例えば特
定のメタロセン化合物、有機アルミニウム化合物および
イオン化イオン性化合物を基本成分として含んでなる触
媒系を用いて重合する方法を挙げることができる。 【0024】具体的にはメタロセン化合物が下記の一般
式(3)または(4)で示され、有機アルミニウム化合
物が下記一般式(5)で示され、さらにイオン化イオン
性化合物を基本構成成分とする触媒系を例示することが
できる。 【0025】一般式(3)または(4)は 【0026】 【化1】 【0027】 【化2】 【0028】(式中、Cp1,Cp2は各々独立してシク
ロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基ま
たはこれらの置換体であり、R1はCp1,Cp2を架橋
するように作用しており、置換または無置換のアルキレ
ン基、ジアルキルシランジイル基、ジアルキルゲルマン
ジイル基、アルキルホスフィンジイル基またはアルキル
イミノ基であり、R2,R3は各々独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、炭素数1〜12の炭化水素基、アルコキシ
基またはアリーロキシ基であり、Mはチタン原子、ジル
コニウム原子またはハフニウム原子である。)で示され
るものであり、これらの具体的な化合物としては、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス
(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジメチル、エチレンビス(インデニル)ジルコニウムジ
メチル、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−1
−フルオレニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシラ
ンジイルビス(2,4,5−トリメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイル
ビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス(3−メチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライド、ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、エチレンビス(インデニル)ジル
コニウムジクロライド、イソプロピリデン(シクロペン
タジエニル−1−フルオレニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ジメチルシランジイルビス(2,4,5−トリメ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ジメチルシランジイルビス(2,4−ジメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチ
ルシランジイルビス(3−メチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジフェニル、ビス(メチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、ビス(ブチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、エ
チレンビス(インデニル)ジルコニウムジフェニル、イ
ソプロピリデン(シクロペンタジエニル−1−フルオレ
ニル)ジルコニウムジフェニル、ジメチルシランジイル
ビス(2,4,5−トリメチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジフェニル、ジメチルシランジイルビス
(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジフェニル、ジメチルシランジイルビス(3−メチル
シクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、ビ
ス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベン
ジル、ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジベンジル、エチレンビス(インデニル)ジルコニウ
ムジベンジル、イソプロピリデン(シクロペンタジエニ
ル−1−フルオレニル)ジルコニウムジベンジル、ジメ
チルシランジイルビス(2,4,5−トリメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、ジメチルシ
ランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジベンジル、ジメチルシランジイルビ
ス(3−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
ベンジル、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
メトキシモノクロリド、ビス(メチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムメトキシモノクロリド、ビス(ブチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメトキシモノク
ロリド、エチレンビス(インデニル)ジルコニウムメト
キシモノクロリド、イソプロピリデン(シクロペンタジ
エニル−1−フルオレニル)ジルコニウムメトキシモノ
クロリド、ジメチルシランジイルビス(2,4,5−ト
リメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメトキシ
モノクロリド、ジメチルシランジイルビス(2,4−ジ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメトキシモ
ノクロリド、ジメチルシランジイルビス(3−メチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウムメトキシモノクロリ
ド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルジルコニウム
モノクロリド、ビス(メチルシクロペンタジエニル)メ
チルジルコニウムモノクロリド、ビス(ブチルシクロペ
ンタジエニル)メチルジルコニウムモノクロリド、エチ
レンビス(インデニル)メチルジルコニウムモノクロリ
ド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−1−フ
ルオレニル)メチルジルコニウムモノクロリド、ジメチ
ルシランジイルビス(2,4,5−トリメチルシクロペ
ンタジエニル)メチルジルコニウムモノクロリド、ジメ
チルシランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタ
ジエニル)メチルジルコニウムモノクロリド、ジメチル
シランジイルビス(3−メチルシクロペンタジエニル)
メチルジルコニウムモノクロリド、イソプロピリデン
(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウ
ムジクロライド、ジフェニルメチレン(シクロペンタジ
エニル)(フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、
メチルフェニルメチレン(シクロペンタジエニル)(フ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、イソプロピリ
デン(シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−メチルフ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、イソプロピリ
デン(シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチ
ルフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニ
ルメチレン(シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−メ
チルフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェ
ニルメチレン(シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−
t−ブチルフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、
メチルフェニルメチレン(シクロペンタジエニル)
(2,7−ジ−メチルフルオレニル)ジルコニウムジク
ロライド、メチルフェニルメチレン(シクロペンタジエ
ニル)(2,7−ジ−t−ブチルフルオレニル)ジルコ
ニウムジクロライド、イソプロピリデンビス(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニル
メチレンビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロライド、メチルフェニルメチレンビス(シクロペン
タジエニル)ジルコニウムジクロライド、イソプロピリ
デン(シクロペンタジエニル)(テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニル
メチレン(シクロペンタジエニル)(テトラメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、イソプ
ロピリデンビス(インデニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ジフェニルメチレンビス(インデニル)ジルコニウ
ムジクロライド、メチルフェニルメチレンビス(インデ
ニル)ジルコニウムジクロライド等および上記ジルコニ
ウム化合物のジルコニウム原子を、チタン原子またはハ
フニウム原子に置き換えたメタロセン化合物等を例示す
ることができる。 【0029】一般式(5)は 【0030】 【化3】 【0031】(式中、R4は各々独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、アミド基、炭素数1〜12の炭化水素基、
アルコキシ基またはアリーロキシ基であり、少なくとも
一つは炭素数1〜12の炭化水素基である。)で示さ
れ、これらの具体的な化合物としては、トリメチルアル
ミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピル
アルミニウム、ジイソプロピルアルミニウムクロライ
ド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、トリブチ
ルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジイソ
ブチルアルミニウムクロライド、イソブチルアルミニウ
ムジクロライド、トリ(t−ブチル)アルミニウム、ジ
(t−ブチル)アルミニウムクロライド、t−ブチルア
ルミニウムジクロライド、トリアミルアルミニウム、ジ
アミルアルミニウムクロライド、アミルアルミニウムジ
クロライド等が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。 【0032】また、イオン化イオン性化合物の具体的な
化合物としては、トリ(n−ブチル)アンモニウムテト
ラキス(p−トリル)ボレート、トリ(n−ブチル)ア
ンモニウムテトラキス(m−トリル)ボレート、トリ
(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(2,4−ジメ
チルフェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニ
ウムテトラキス(3,5−ジメチルフェニル)ボレー
ト、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペン
タフルオロフェニル)ボレート、N,N−ジメチルアニ
リニウムテトラキス(p−トリル)ボレート、N,N−
ジメチルアニリニウムテトラキス(m−トリル)ボレー
ト、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(2,4
−ジメチルフェニル)ボレート、N,N−ジメチルアニ
リニウムテトラキス(3,5−ジメチルフェニル)ボレ
ート、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペン
タフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカルベニ
ウムテトラキス(p−トリル)ボレート、トリフェニル
カルベニウムテトラキス(m−トリル)ボレート、トリ
フェニルカルベニウムテトラキス(2,4−ジメチルフ
ェニル)ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキ
ス(3,5−ジメチルフェニル)ボレート、トリフェニ
ルカルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、トロピリウムテトラキス(p−トリル)ボレ
ート、トロピリウムテトラキス(m−トリル)ボレー
ト、トロピリウムテトラキス(2,4−ジメチルフェニ
ル)ボレート、トロピリウムテトラキス(3,5−ジメ
チルフェニル)ボレート、トロピリウムテトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)ボレート、リチウムテトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、リチウムテトラ
キス(フェニル)ボレート、リチウムテトラキス(p−
トリル)ボレート、リチウムテトラキス(m−トリル)
ボレート、リチウムテトラキス(2,4−ジメチルフェ
ニル)ボレート、リチウムテトラキス(3,5−ジメチ
ルフェニル)ボレート、リチウムテトラフルオロボレー
ト、ナトリウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、ナトリウムテトラキス(フェニル)ボレー
ト、ナトリウムテトラキス(p−トリル)ボレート、ナ
トリウムテトラキス(m−トリル)ボレート、ナトリウ
ムテトラキス(2,4−ジメチルフェニル)ボレート、
ナトリウムテトラキス(3,5−ジメチルフェニル)ボ
レート、ナトリウムテトラフルオロボレート、カリウム
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、カリ
ウムテトラキス(フェニル)ボレート、カリウムテトラ
キス(p−トリル)ボレート、カリウムテトラキス(m
−トリル)ボレート、カリウムテトラキス(2,4−ジ
メチルフェニル)ボレート、カリウムテトラキス(3,
5−ジメチルフェニル)ボレート、カリウムテトラフル
オロボレート、マグネシウムテトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)ボレート、マグネシウムテトラキス(フェ
ニル)ボレート、マグネシウムテトラキス(p−トリ
ル)ボレート、マグネシウムテトラキス(m−トリル)
ボレート、マグネシウムテトラキス(2,4−ジメチル
フェニル)ボレート、マグネシウムテトラキス(3,5
−ジメチルフェニル)ボレート、マグネシウムテトラフ
ルオロボレート、カルシウムテトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)ボレート、カルシウムテトラキス(フェニ
ル)ボレート、カルシウムテトラキス(p−トリル)ボ
レート、カルシウムテトラキス(m−トリル)ボレー
ト、カルシウムテトラキス(2,4−ジメチルフェニ
ル)ボレート、カルシウムテトラキス(3,5−ジメチ
ルフェニル)ボレート、カルシウムテトラフルオロボレ
ート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(p
−トリル)アルミネート、トリ(n−ブチル)アンモニ
ウムテトラキス(m−トリル)アルミネート、トリ(n
−ブチル)アンモニウムテトラキス(2,4−ジメチル
フェニル)アルミネート、トリ(n−ブチル)アンモニ
ウムテトラキス(3,5−ジメチルフェニル)アルミネ
ート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)アルミネート、N,N−ジメチ
ルアニリニウムテトラキス(p−トリル)アルミネー
ト、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(m−ト
リル)アルミネート、N,N−ジメチルアニリニウムテ
トラキス(2,4−ジメチルフェニル)アルミネート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(3,5−ジ
メチルフェニル)アルミネート、N,N−ジメチルアニ
リニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)アルミ
ネート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(p−ト
リル)アルミネート、トリフェニルカルベニウムテトラ
キス(m−トリル)アルミネート、トリフェニルカルベ
ニウムテトラキス(2,4−ジメチルフェニル)アルミ
ネート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(3,5
−ジメチルフェニル)アルミネート、トリフェニルカル
ベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)アルミ
ネート、トロピリウムテトラキス(p−トリル)アルミ
ネート、トロピリウムテトラキス(m−トリル)アルミ
ネート、トロピリウムテトラキス(2,4−ジメチルフ
ェニル)アルミネート、トロピリウムテトラキス(3,
5−ジメチルフェニル)アルミネート、トロピリウムテ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)アルミネート、リ
チウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)アルミネ
ート、リチウムテトラキス(フェニル)アルミネート、
リチウムテトラキス(p−トリル)アルミネート、リチ
ウムテトラキス(m−トリル)アルミネート、リチウム
テトラキス(2,4−ジメチルフェニル)アルミネー
ト、リチウムテトラキス(3,5−ジメチルフェニル)
アルミネート、リチウムテトラフルオロアルミネート、
ナトリウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)アル
ミネート、ナトリウムテトラキス(フェニル)アルミネ
ート、ナトリウムテトラキス(p−トリル)アルミネー
ト、ナトリウムテトラキス(m−トリル)アルミネー
ト、ナトリウムテトラキス(2,4−ジメチルフェニ
ル)アルミネート、ナトリウムテトラキス(3,5−ジ
メチルフェニル)アルミネート、ナトリウムテトラフル
オロアルミネート、カリウムテトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)アルミネート、カリウムテトラキス(フェ
ニル)アルミネート、カリウムテトラキス(p−トリ
ル)アルミネート、カリウムテトラキス(m−トリル)
アルミネート、カリウムテトラキス(2,4−ジメチル
フェニル)アルミネート、カリウムテトラキス(3,5
−ジメチルフェニル)アルミネート、カリウムテトラフ
ルオロアルミネート、マグネシウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)アルミネート、マグネシウムテトラ
キス(フェニル)アルミネート、マグネシウムテトラキ
ス(p−トリル)アルミネート、マグネシウムテトラキ
ス(m−トリル)アルミネート、マグネシウムテトラキ
ス(2,4−ジメチルフェニル)アルミネート、マグネ
シウムテトラキス(3,5−ジメチルフェニル)アルミ
ネート、マグネシウムテトラフルオロアルミネート、カ
ルシウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)アルミ
ネート、カルシウムテトラキス(フェニル)アルミネー
ト、カルシウムテトラキス(p−トリル)アルミネー
ト、カルシウムテトラキス(m−トリル)アルミネー
ト、カルシウムテトラキス(2,4−ジメチルフェニ
ル)アルミネート、カルシウムテトラキス(3,5−ジ
メチルフェニル)アルミネート、カルシウムテトラフル
オロアルミネート等およびそれらの金属塩のエーテル錯
体、テトラヒドロフラン錯体等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。 【0033】上記触媒系の調製方法には特に制限はない
が、例えばメタロセン化合物、有機アルミニウム化合物
およびイオン化イオン性化合物の各々に対して不活性な
溶媒下で混合する方法が挙げられる。 【0034】イオン化イオン性化合物は、メタロセン化
合物に対して一般に0.01〜1000倍モルの範囲で
用いられ、好ましくは0.2〜200倍モルの範囲であ
る。 【0035】また、有機アルミニウム化合物の使用量に
ついては特に制限はないが、通常メタロセン化合物に対
して1〜10000倍モル程度用いられる。 【0036】さらに、上記触媒を用いた重合は、液相で
も気相でも行うことができる。仮に重合を液層で行う場
合は、溶媒として一般に用いられる有機溶剤であればい
ずれでも良く、具体的にはベンゼン、トルエン、ヘキサ
ン、塩化メチレン等が挙げられ、またエチレン、ヘキセ
ン−1自身を溶媒とすることもできる。 【0037】重合温度に関しては特別な制限はないが、
通常−100〜300℃の範囲で行うことが好ましい。
また、重合圧力についても特に制限はないが、通常は大
気圧〜30kg/cm2で行われ、大気圧〜3500k
g/cm2の範囲で行うことも可能である。 【0038】なお、上記触媒系は担体に担持させてなる
固体触媒として用い、エチレンとヘキセン−1を共重合
させることにより、本発明における主成分を得ることも
できる。このような固体触媒はメタロセン化合物、メタ
ロセン化合物とイオン化イオン性化合物との混合物、メ
タロセン化合物と有機アルミニウム化合物との反応生成
物、イオン化イオン性化合物自体、または有機アルミニ
ウム化合物自体を、例えばシリカ、アルミナ、塩化マグ
ネシウム、スチレン−ジビニルベンゼンコポリマーまた
はポリエチレンのような担体上に付着させることによっ
て得ることができる。 【0039】次に、本発明において混合成分である高密
度ポリエチレンは、以下の要件を満たすものである。 【0040】 【0041】 【0042】MFRが0.001〜100g/10分の
範囲にある高密度ポリエチレン。 【0043】 【0044】なお、上記の混合成分である高密度ポリエ
チレンは、例えば前述した重合法により、または例えば
従来のチーグラー系触媒を用いることにより得ることが
できる。 【0045】本発明の組成物は、上記の高密度ポリエチ
レンを主成分であるエチレン/ヘキセン−1共重合体に
混合し、かつ前記の(2)式および(2)′式を同時に
満足するものであり、このことにより主成分であるエチ
レン/ヘキセン−1共重合体と同等の透明性を維持しつ
つ,より大きなエレメンドルフ引き裂き強度を有する樹
脂組成物である。 【0046】 【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 【0047】主成分であるエチレン/ヘキセン−1共重
合体は、前述の重合法に従って得られたものを用いた。
具体的にはメタロセン化合物としてジフェニルメチレン
(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウ
ムジクロライド、イオン化イオン性化合物としてN,N
−ジメチルアニリニムテトラキスペンタフルオロフェニ
ルボレート、そして有機アルミニウム化合物としてトリ
イソブチルアルミニウムを用いて、150℃の高温高圧
下で重合して得られた共重合体を用いた。 【0048】なお、重合操作、反応および溶媒精製は、
すべて不活性ガス雰囲気で行った。また反応に用いた溶
媒等は、すべて予め公知の方法で精製、乾燥および/ま
たは脱酸素を行ったものを用い、反応に用いた化合物は
公知の方法により合成、同定したものを用いた。 【0049】 【0050】また、主成分に混合する成分として用いた
高密度ポリエチレンに関しては、前述の重合法に従い、
メタロセン化合物として公知の方法により合成したエチ
レンビスインデニルジルコニウムジクロライド、有機ア
ルミニウム化合物としてトリイソブチルアルミニウム、
イオン化イオン性化合物としてリチウムテトラキスペン
タフルオロフェニルボレートを用いて、64℃で重合し
たものを用いた。また、高密度ポリエチレンに関して
は、従来公知のチーグラー系触媒で得られたものも用い
た。 【0051】比較例には、前述の重合法で得られたエチ
レン/ヘキセン−1共重合体および従来公知のチーグラ
ー系触媒を用い高圧イオン重合法で得られたエチレン/
ヘキセン−1共重合体を用いた。 【0052】実施例の場合は、主成分であるエチレン/
ヘキセン−1共重合体と各種の混合成分を適当な組成で
混ぜ合わせたものに、そして比較例の場合は、用いた重
合体そのものに、それぞれ酸化防止剤を添加し、押し出
し機で溶融造粒(溶融造粒機東洋精機(株)製 ラボプ
ラストミル)した。 【0053】実施例および比較例に用いた上記造粒物の
諸物性は、下記の方法により測定した。 【0054】MFR:ASTM D−1238に従っ
てメルトインデックスを測定した。 【0055】融点:DSC測定装置(パーキンエルマ
ー(株)製 DSC−7)を用いて測定した。 【0056】密度:密度勾配管を用いて、JIS K
6760に従って測定した。 【0057】ヘーズ:圧縮成形機(関西ロール(株)
製)を用いて、厚さ200μmのシートにプレス成形
し、ヘーズメーター(日本電色工業(株)製)を用い
て、JISZ8722に従って測定した。 【0058】エレメンドルフ引き裂き強度:上記の圧
縮成形機を用いて、厚さ90μmのシートを作製し、エ
レメンドルフ引き裂き試験機(日本理学工業(株)製)
を用いて、JIS Z1702に従って測定した。 【0059】実施例に用いた主成分および各種混合成分
の種類とその特徴をそれぞれ表1、表2に示す。ここで
主成分として用いたエチレン/ヘキセン−1共重合体
は、前述の規定(A)〜(D)を全て満足するものであ
る。 【0060】 【表1】 【0061】【表2】 【0062】実施例 表3に主成分と各種混合成分の組合せ、組成比、それら
混合物の密度、ヘーズおよびエレメンドルフ引き裂き強
度を示す。なお、表には(2)式および(2)′式に基
づいて求めた計算値も示す。表より明らかなように、こ
こでの実施例は、混合物のエレメンドルフ引き裂き強度
を規定した(2)式および混合物のヘ−ズを規定した
(2)′を同時に満足している。 【0063】【表3】 【0064】比較例1 前述の重合法で得られたエチレン/ヘキセン−1共重合
体の種類および諸物性を表4に示す。なお、表には
(2)式に基づいて求めたエレメンドルフ引き裂き強度
の計算値も示す。表より明らかなように、ここでの比較
例のエレメンドルフ引き裂き強度は、混合物のエレメン
ドルフ引き裂き強度に対して規定した前述(2)式を満
足していない。 【0065】 【表4】【0066】比較例2 従来公知のチーグラー系触媒を用いて得られたエチレン
/ヘキセン−1共重合体の種類と諸物性を示す。なお,
表には(2)′式に基づいて求めたヘーズの計算値も示
す。表より明らかなように、ここでの比較例のヘーズ
は、混合物のヘーズに対して規定した前述(2)′式を
満足していない。 【0067】 【表5】 【0068】 【発明の効果】以上述べたとおり、本発明におけるポリ
エチレン樹脂組成物は、透明性とエレメンドルフ引き裂
き強度のバランスに優れたものである。 [図面の簡単な説明] 【図2】 得られた樹脂の密度とエレメンドルフ引き裂
き強度の関係を示す図である。 【図4】 得られた樹脂の密度とシートのヘーズ値の関
係を示す図である。
【図面の簡単な説明】 【図1】 得られた樹脂の密度とエレメンドルフ引き裂
き強度の関係を示す図である。 【図2】 得られた樹脂の密度とエレメンドルフ引き裂
き強度の関係を示す図である。 【図3】 得られた樹脂の密度とシートのヘーズ値の関
係を示す図である。 【図4】 得られた樹脂の密度とシートのヘーズ値の関
係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08L 23/00 - 23/36 C08F 10/00 - 10/14 C08F 110/00 - 110/14 C08F 210/00 - 210/18

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】エチレン/ヘキセン−1共重合体を主成分
    とするポリエチレン樹脂組成物であって、主成分となる
    エチレン/ヘキセン−1共重合体が下記(A)〜(D)
    の要件を同時に満足し、 (A)MFRが0.001〜100g/10分の範囲に
    ある。 (B)密度が0.860〜0.940g/cm3の範囲
    にある。 (C)重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)
    の比(Mw/Mn)が3以下である。 (D)示差走査型熱量計(DSC)の測定において得ら
    れる吸熱曲線のピーク温度(Tm)と赤外線吸収スペク
    トルの測定から求めた炭素数1000個当りの短鎖分岐
    数(SCB)との間に下記(1)式の関係を満たす。 Tm<−1.8(SCB)+138 (1) 該エチレン/ヘキセン−1共重合体に対して上記(A)
    の要件を満たす高密度ポリエチレンを混合してなる組成
    物であって、かつ下記(2)および(2)′式を同時に
    満足するポリエチレン樹脂組成物。 Tmix>−3.3232×105+7.2926×105×dmix −3.9989×105×dmix2 (2) Tmix:組成物のエレメンドルフ引き裂き強度 dmix:組成物の密度 Hmix<1040×dmix−920 (2)′ Hmix:組成物のヘーズ
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