JP3455645B2 - 光検出装置 - Google Patents
光検出装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置を
初めとする各種光学装置における光検出装置に関する。
初めとする各種光学装置における光検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光ディスク装置などでは、光源か
ら出射された光を照射光学系を介して光ディスク面に集
光照射させ、この光ディスクからの反射光を検出光学系
を介して受光素子に導き受光させるように光ピックアッ
プが構成されている。この光ピックアップ中の受光素子
の検出信号（電流信号）は、一般に、光ピックアップ中
に内蔵された電流‐電圧変換増幅器を介して電圧信号に
変換された形で信号処理回路等に出力される。
ら出射された光を照射光学系を介して光ディスク面に集
光照射させ、この光ディスクからの反射光を検出光学系
を介して受光素子に導き受光させるように光ピックアッ
プが構成されている。この光ピックアップ中の受光素子
の検出信号（電流信号）は、一般に、光ピックアップ中
に内蔵された電流‐電圧変換増幅器を介して電圧信号に
変換された形で信号処理回路等に出力される。
【０００３】図６は、このような受光素子１による信号
を取り込むための光検出装置の基本的な構成を示してい
る。受光素子１は電流‐電圧変換増幅器２の主要部を構
成するＯＰアンプ３の−入力端子に接続されており、Ｏ
Ｐアンプ３の＋入力端子は基準電圧Ｖref なる基準電源
４に接続されている。ＯＰアンプ３の出力端子５と入力
側（−入力端子側）との間にはゲインを決定する抵抗Ｒ
が接続されている。これにより、受光素子１が受光した
光量に応じた電流が検出電流として受光素子１に流れ、
その値に応じた電圧信号が出力信号Ｖout として出力端
子５から出力され、情報の再生等に供される。
を取り込むための光検出装置の基本的な構成を示してい
る。受光素子１は電流‐電圧変換増幅器２の主要部を構
成するＯＰアンプ３の−入力端子に接続されており、Ｏ
Ｐアンプ３の＋入力端子は基準電圧Ｖref なる基準電源
４に接続されている。ＯＰアンプ３の出力端子５と入力
側（−入力端子側）との間にはゲインを決定する抵抗Ｒ
が接続されている。これにより、受光素子１が受光した
光量に応じた電流が検出電流として受光素子１に流れ、
その値に応じた電圧信号が出力信号Ｖout として出力端
子５から出力され、情報の再生等に供される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この種の装
置では、受光素子１には本来の検出対象光ＰＳ （ここ
では、光ディスクから反射されて受光素子に集光結像さ
れる光）だけでなく、何らかの原因でフレア光ＰＦ も
混入してしまうことが多々ある。受光素子１にフレア光
ＰＦ が入射すると、受光素子１には本来の検出対象光
ＰＳ による検出電流ＩＳ とフレア光ＰＦ による電流
ＩＦ とが流れる（即ち、ＩＳ ＋ＩＦ ）ことになり、
信号にオフセットを生じてしまうことがある。この結
果、出力端子５か出力される出力信号Ｖout にもフレア
光成分による影響が生じて、検出信号を高精度に検出で
きなくなってしまう。
置では、受光素子１には本来の検出対象光ＰＳ （ここ
では、光ディスクから反射されて受光素子に集光結像さ
れる光）だけでなく、何らかの原因でフレア光ＰＦ も
混入してしまうことが多々ある。受光素子１にフレア光
ＰＦ が入射すると、受光素子１には本来の検出対象光
ＰＳ による検出電流ＩＳ とフレア光ＰＦ による電流
ＩＦ とが流れる（即ち、ＩＳ ＋ＩＦ ）ことになり、
信号にオフセットを生じてしまうことがある。この結
果、出力端子５か出力される出力信号Ｖout にもフレア
光成分による影響が生じて、検出信号を高精度に検出で
きなくなってしまう。
【０００５】特に、近年では、光ピックアップの小型・
一体化等を目指して、光ディスク装置の光源である半導
体レーザのパッケージ内にホログラム（回折格子）を形
成し、受光素子をも内部に配設させるようにしたホログ
ラムレーザ等においては、受光素子にフレア光が入り込
む可能性が高いので、顕著な問題となる。
一体化等を目指して、光ディスク装置の光源である半導
体レーザのパッケージ内にホログラム（回折格子）を形
成し、受光素子をも内部に配設させるようにしたホログ
ラムレーザ等においては、受光素子にフレア光が入り込
む可能性が高いので、顕著な問題となる。
【０００６】また、光ディスク装置に限らず、各種光学
装置における光検出装置においても同様な現象が生じ得
る。
装置における光検出装置においても同様な現象が生じ得
る。
【０００７】そこで、本発明は、フレア光の影響を除去
して検出対象光の成分のみを高精度に検出することがで
きる光検出装置を提供することを目的とする。
して検出対象光の成分のみを高精度に検出することがで
きる光検出装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、検出対象光
を受光する受光素子の検出信号を電流‐電圧変換増幅器
により電圧信号に変換して出力する光検出装置におい
て、前記受光素子の近傍にダミー受光素子を配設し、こ
のダミー受光素子が受光して出力するフレア光成分を用
いて前記受光素子が受光したフレア光成分を除去するよ
うにした。
を受光する受光素子の検出信号を電流‐電圧変換増幅器
により電圧信号に変換して出力する光検出装置におい
て、前記受光素子の近傍にダミー受光素子を配設し、こ
のダミー受光素子が受光して出力するフレア光成分を用
いて前記受光素子が受光したフレア光成分を除去するよ
うにした。
【０００９】一般に、受光素子に何らかのフレア光が入
り込む場合、集光結像される検出対象光と異なり、フレ
ア光は受光素子の周囲もその影響が及ぶ範囲となる。従
って、受光素子の近傍にダミー受光素子を配設すること
により、ダミー受光素子にフレア光成分のみを受光させ
ることが可能となる。そこで、このダミー受光素子が受
光したフレア光成分が受光素子の受光したフレア光成分
と等価的となるようにすることで、受光素子が受光した
フレア光成分が除去され、本来の検出対象光による検出
信号のみを高精度に取り出せる。
り込む場合、集光結像される検出対象光と異なり、フレ
ア光は受光素子の周囲もその影響が及ぶ範囲となる。従
って、受光素子の近傍にダミー受光素子を配設すること
により、ダミー受光素子にフレア光成分のみを受光させ
ることが可能となる。そこで、このダミー受光素子が受
光したフレア光成分が受光素子の受光したフレア光成分
と等価的となるようにすることで、受光素子が受光した
フレア光成分が除去され、本来の検出対象光による検出
信号のみを高精度に取り出せる。
【００１０】この場合、受光素子とダミー受光素子とで
フレア光の受光量が等しい条件下であれば、請求項１記
載の発明のように、いずれもフォトダイオードからなる
受光素子、ダミー受光素子を用い、受光素子の近傍に配
設されたダミー受光素子を受光素子に受光素子のアノー
ド側にカソード側が接続されるように直列接続し、これ
らの受光素子とダミー受光素子との接続中点を前記電流
‐電圧変換増幅器の入力部に接続するだけで、フレア光
成分が回路的に相殺されて、本来の検出対象光による検
出信号のみを電流‐電圧変換増幅器から高精度に取り出
せる。ここに、受光素子とダミー受光素子とでフレア光
の受光量が等しい条件とは、フレア光の強度分布が均等
であれば請求項５記載の発明のように受光素子とダミー
受光素子との面積が同一であることであり、フレア光が
強度分布を持つ場合であれば、請求項７記載の発明のよ
うにフレア光の強度分布に応じて受光素子とダミー受光
素子との面積を異ならせ、結果として受光素子とダミー
受光素子とでフレア光の受光量が等しくなることであ
る。
フレア光の受光量が等しい条件下であれば、請求項１記
載の発明のように、いずれもフォトダイオードからなる
受光素子、ダミー受光素子を用い、受光素子の近傍に配
設されたダミー受光素子を受光素子に受光素子のアノー
ド側にカソード側が接続されるように直列接続し、これ
らの受光素子とダミー受光素子との接続中点を前記電流
‐電圧変換増幅器の入力部に接続するだけで、フレア光
成分が回路的に相殺されて、本来の検出対象光による検
出信号のみを電流‐電圧変換増幅器から高精度に取り出
せる。ここに、受光素子とダミー受光素子とでフレア光
の受光量が等しい条件とは、フレア光の強度分布が均等
であれば請求項５記載の発明のように受光素子とダミー
受光素子との面積が同一であることであり、フレア光が
強度分布を持つ場合であれば、請求項７記載の発明のよ
うにフレア光の強度分布に応じて受光素子とダミー受光
素子との面積を異ならせ、結果として受光素子とダミー
受光素子とでフレア光の受光量が等しくなることであ
る。
【００１１】また、光ディスク装置における情報信号／
トラッキング信号／フォーカス信号等の検出光学系のよ
うに、受光素子が複数の場合には、請求項２記載の発明
のように、各受光素子毎にダミー受光素子を近傍に個別
に有することが有効である。即ち、個々の受光素子が受
光したフレア光成分を各々に対応して状況が近似してい
るダミー受光素子が受光したフレア光成分によって適正
に除去することができる。
トラッキング信号／フォーカス信号等の検出光学系のよ
うに、受光素子が複数の場合には、請求項２記載の発明
のように、各受光素子毎にダミー受光素子を近傍に個別
に有することが有効である。即ち、個々の受光素子が受
光したフレア光成分を各々に対応して状況が近似してい
るダミー受光素子が受光したフレア光成分によって適正
に除去することができる。
【００１２】或いは、受光素子が複数の場合に、請求項
３記載の発明のように、受光素子数より少ない個数のダ
ミー受光素子を有し、これらの受光素子とダミー受光素
子との出力に基づきフレア光成分を除去する演算回路を
備えることも有効である。即ち、演算回路による演算処
理で受光素子側のフレア光成分を除去することができ、
受光素子周りはダミー受光素子の数を減らすことにより
小型・低コスト化を図ることができる。この場合、受光
素子に対してダミー受光素子が少ないが、請求項４記載
の発明のように、演算回路は、ダミー受光素子の出力電
流を分配するカレントミラー回路を含む構成とすれば、
個々の受光素子に対してダミー受光素子を請求項２記載
の発明の場合のように直列接続したものと等価的とな
り、簡単な演算回路で済む。この場合、受光素子とダミ
ー受光素子とでフレア光の受光量が等しい条件下であれ
ば、演算回路には特に工夫を必要としない。ここに、受
光素子とダミー受光素子とでフレア光の受光量が等しい
条件とは、フレア光の強度分布が均等であれば請求項５
記載の発明のように受光素子とダミー受光素子との面積
が同一であることであり、フレア光が強度分布を持つ場
合であれば、請求項７記載の発明のようにフレア光の強
度分布に応じて受光素子とダミー受光素子との面積が異
なり、結果として受光素子とダミー受光素子とでフレア
光の受光量が等しくなることである。一方、受光素子と
ダミー受光素子とでフレア光の受光量が等しくない条件
下であれば、請求項６又は８記載の発明のようにゲイン
補正部を備えることが有効である。請求項６記載の発明
の場合には、ダミー受光素子の面積を、受光素子の面積
より小さく設定することより、受光素子とダミー受光素
子とでフレア光の受光量が等しくない条件下となってお
り、演算回路中にその面積比に応じた出力信号のゲイン
補正部を有することで、これらのフレア光成分が除去さ
れるように演算処理される。請求項８記載の発明の場合
には、例えば、受光素子とダミー受光素子との面積が等
しくても、フレア光が強度分布を有するために受光素子
とダミー受光素子とでフレア光の受光量が等しくない条
件下となっており、フレア光の強度分布に応じた受光素
子とダミー受光素子との出力信号のゲイン補正部を有す
ることで、フレア光成分が除去される。
３記載の発明のように、受光素子数より少ない個数のダ
ミー受光素子を有し、これらの受光素子とダミー受光素
子との出力に基づきフレア光成分を除去する演算回路を
備えることも有効である。即ち、演算回路による演算処
理で受光素子側のフレア光成分を除去することができ、
受光素子周りはダミー受光素子の数を減らすことにより
小型・低コスト化を図ることができる。この場合、受光
素子に対してダミー受光素子が少ないが、請求項４記載
の発明のように、演算回路は、ダミー受光素子の出力電
流を分配するカレントミラー回路を含む構成とすれば、
個々の受光素子に対してダミー受光素子を請求項２記載
の発明の場合のように直列接続したものと等価的とな
り、簡単な演算回路で済む。この場合、受光素子とダミ
ー受光素子とでフレア光の受光量が等しい条件下であれ
ば、演算回路には特に工夫を必要としない。ここに、受
光素子とダミー受光素子とでフレア光の受光量が等しい
条件とは、フレア光の強度分布が均等であれば請求項５
記載の発明のように受光素子とダミー受光素子との面積
が同一であることであり、フレア光が強度分布を持つ場
合であれば、請求項７記載の発明のようにフレア光の強
度分布に応じて受光素子とダミー受光素子との面積が異
なり、結果として受光素子とダミー受光素子とでフレア
光の受光量が等しくなることである。一方、受光素子と
ダミー受光素子とでフレア光の受光量が等しくない条件
下であれば、請求項６又は８記載の発明のようにゲイン
補正部を備えることが有効である。請求項６記載の発明
の場合には、ダミー受光素子の面積を、受光素子の面積
より小さく設定することより、受光素子とダミー受光素
子とでフレア光の受光量が等しくない条件下となってお
り、演算回路中にその面積比に応じた出力信号のゲイン
補正部を有することで、これらのフレア光成分が除去さ
れるように演算処理される。請求項８記載の発明の場合
には、例えば、受光素子とダミー受光素子との面積が等
しくても、フレア光が強度分布を有するために受光素子
とダミー受光素子とでフレア光の受光量が等しくない条
件下となっており、フレア光の強度分布に応じた受光素
子とダミー受光素子との出力信号のゲイン補正部を有す
ることで、フレア光成分が除去される。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
に基づいて説明する。本実施の形態は、例えば光ディス
ク装置における情報信号／トラッキング信号／フォーカ
ス信号等の検出光学系に用いられる光検出装置に適用さ
れており、光ディスクからの反射光が検出対象光ＰＳ
として検出光学系により集光結像される４分割受光素子
１１が設けられている。この４分割受光素子１１は図１
（ａ）に示すように、同一受光面積を有する４個の受光
素子１２Ａ〜１２Ｄを田の字状に一体化させたものであ
る。これらの受光素子１２Ａ〜１２Ｄの近傍には４個の
ダミー受光素子１３Ａ〜１３Ｄが配設されている。近傍
の程度は、これらのダミー受光素子１３Ａ〜１３Ｄも受
光素子１２Ａ〜１２Ｄと同程度にフレア光ＰＦ を受け
得る領域内であって、検出対象光ＰＳ を受光しない位
置である。ここに、これらのダミー受光素子１３Ａ〜１
３Ｄは受光素子１２Ａ〜１２Ｄと同じ面積に形成された
もので、受光素子１２Ａとダミー受光素子１３Ａ、受光
素子１２Ｂとダミー受光素子１３Ｂ、受光素子１２Ｃと
ダミー受光素子１３Ｃ、受光素子１２Ｄとダミー受光素
子１３Ｄとが各々対とされている。
に基づいて説明する。本実施の形態は、例えば光ディス
ク装置における情報信号／トラッキング信号／フォーカ
ス信号等の検出光学系に用いられる光検出装置に適用さ
れており、光ディスクからの反射光が検出対象光ＰＳ
として検出光学系により集光結像される４分割受光素子
１１が設けられている。この４分割受光素子１１は図１
（ａ）に示すように、同一受光面積を有する４個の受光
素子１２Ａ〜１２Ｄを田の字状に一体化させたものであ
る。これらの受光素子１２Ａ〜１２Ｄの近傍には４個の
ダミー受光素子１３Ａ〜１３Ｄが配設されている。近傍
の程度は、これらのダミー受光素子１３Ａ〜１３Ｄも受
光素子１２Ａ〜１２Ｄと同程度にフレア光ＰＦ を受け
得る領域内であって、検出対象光ＰＳ を受光しない位
置である。ここに、これらのダミー受光素子１３Ａ〜１
３Ｄは受光素子１２Ａ〜１２Ｄと同じ面積に形成された
もので、受光素子１２Ａとダミー受光素子１３Ａ、受光
素子１２Ｂとダミー受光素子１３Ｂ、受光素子１２Ｃと
ダミー受光素子１３Ｃ、受光素子１２Ｄとダミー受光素
子１３Ｄとが各々対とされている。
【００１４】受光素子１２Ａとダミー受光素子１３Ａと
の対を例にとると、図１（ｂ）に示すように、電源Ｖcc
と接地との間にダミー受光素子１３Ａと受光素子１２Ａ
とが直列に接続されている。これらのダミー受光素子１
３Ａと受光素子１２Ａとの接続中点が電流‐電圧変換増
幅器１４の主要部を構成するＯＰアンプ１５の−入力端
子に接続されている。ＯＰアンプ１５の＋入力端子は基
準電圧Ｖref なる基準電源１６に接続されている。ＯＰ
アンプ１５の出力端子１７と入力側（−入力端子側）と
の間にはゲインを決定する抵抗Ｒ０ が接続されてい
る。
の対を例にとると、図１（ｂ）に示すように、電源Ｖcc
と接地との間にダミー受光素子１３Ａと受光素子１２Ａ
とが直列に接続されている。これらのダミー受光素子１
３Ａと受光素子１２Ａとの接続中点が電流‐電圧変換増
幅器１４の主要部を構成するＯＰアンプ１５の−入力端
子に接続されている。ＯＰアンプ１５の＋入力端子は基
準電圧Ｖref なる基準電源１６に接続されている。ＯＰ
アンプ１５の出力端子１７と入力側（−入力端子側）と
の間にはゲインを決定する抵抗Ｒ０ が接続されてい
る。
【００１５】特に図示しないが、他の受光素子１２Ｂと
ダミー受光素子１３Ｂとの対、受光素子１２Ｃとダミー
受光素子１３Ｃとの対、受光素子１２Ｄとダミー受光素
子１３Ｄとの対に関しても、各対毎に図１（ｂ）のよう
に接続されている。
ダミー受光素子１３Ｂとの対、受光素子１２Ｃとダミー
受光素子１３Ｃとの対、受光素子１２Ｄとダミー受光素
子１３Ｄとの対に関しても、各対毎に図１（ｂ）のよう
に接続されている。
【００１６】このような構成において、例えば受光素子
１２Ａが検出対象光ＰＳ を受光した場合、その受光量
に応じた電流ＩＳ が検出電流として流れる。この時、
受光素子１２Ａには何らかの原因でフレア光ＰＦ も入
り込むので、受光素子１２Ａ部分にはこのフレア光ＰＦ
の受光量に相当するフレア光成分も電流ＩＦ として流
れる。即ち、受光素子１２ＡにはＩＳ ＋ＩＦ なる電流
が流れる。ここに、受光素子１２Ａの近傍にはダミー受
光素子１３Ａが配設されており、このダミー受光素子１
３Ａも受光素子１２Ａと同等の受光量でフレア光ＰＦ
を受光する。従って、ダミー受光素子１３Ａにもフレア
光ＰＦ の受光量に相当するフレア光成分が電流ＩＦ と
して流れる。このダミー受光素子１３Ａは受光素子１２
Ａに直列に接続されているため、ＯＰアンプ１５に対し
てはフレア光成分の電流ＩＦが相殺される形となり、Ｏ
Ｐアンプ１５の−入力端子には検出電流ＩＳ のみが流
れる。よって、ＯＰアンプ１５の出力端子１７からはこ
の検出電流ＩＳ を所定のゲインで電圧信号に変換して
なる出力電圧Ｖout （＝ＶＡ ）が出力される。従っ
て、出力電圧Ｖout はフレア光成分の影響を受けず検出
対象光ＰＳ にのみ対応する信号となる。
１２Ａが検出対象光ＰＳ を受光した場合、その受光量
に応じた電流ＩＳ が検出電流として流れる。この時、
受光素子１２Ａには何らかの原因でフレア光ＰＦ も入
り込むので、受光素子１２Ａ部分にはこのフレア光ＰＦ
の受光量に相当するフレア光成分も電流ＩＦ として流
れる。即ち、受光素子１２ＡにはＩＳ ＋ＩＦ なる電流
が流れる。ここに、受光素子１２Ａの近傍にはダミー受
光素子１３Ａが配設されており、このダミー受光素子１
３Ａも受光素子１２Ａと同等の受光量でフレア光ＰＦ
を受光する。従って、ダミー受光素子１３Ａにもフレア
光ＰＦ の受光量に相当するフレア光成分が電流ＩＦ と
して流れる。このダミー受光素子１３Ａは受光素子１２
Ａに直列に接続されているため、ＯＰアンプ１５に対し
てはフレア光成分の電流ＩＦが相殺される形となり、Ｏ
Ｐアンプ１５の−入力端子には検出電流ＩＳ のみが流
れる。よって、ＯＰアンプ１５の出力端子１７からはこ
の検出電流ＩＳ を所定のゲインで電圧信号に変換して
なる出力電圧Ｖout （＝ＶＡ ）が出力される。従っ
て、出力電圧Ｖout はフレア光成分の影響を受けず検出
対象光ＰＳ にのみ対応する信号となる。
【００１７】これは受光素子１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ側
についても同様であり、各々検出対象光ＰＳ にのみ対
応する電圧信号ＶＢ ，ＶＣ ，ＶＤ が得られる。これ
らの電圧信号ＶＡ ，ＶＢ ，ＶＣ ，ＶＤ の適宜組合せ
による加算処理、減算処理、除算処理等により情報信号
／トラッキング信号／フォーカス信号等が求められる。
この際、フレア光成分を含まないので、高精度な信号と
なる。
についても同様であり、各々検出対象光ＰＳ にのみ対
応する電圧信号ＶＢ ，ＶＣ ，ＶＤ が得られる。これ
らの電圧信号ＶＡ ，ＶＢ ，ＶＣ ，ＶＤ の適宜組合せ
による加算処理、減算処理、除算処理等により情報信号
／トラッキング信号／フォーカス信号等が求められる。
この際、フレア光成分を含まないので、高精度な信号と
なる。
【００１８】なお、本実施の形態では、４個の受光素子
１２Ａ〜１２Ｄに対して４個のダミー受光素子１３Ａ〜
１３Ｄを設けたが、要は、受光素子‐ダミー受光素子対
が各々形成されればよく、４個に限らず、任意の個数同
士の組合せでよい。
１２Ａ〜１２Ｄに対して４個のダミー受光素子１３Ａ〜
１３Ｄを設けたが、要は、受光素子‐ダミー受光素子対
が各々形成されればよく、４個に限らず、任意の個数同
士の組合せでよい。
【００１９】本発明の第二の実施の形態を図２に基づい
て説明する。図１で示した部分と同一部分は同一符号を
用いて示し、説明も省略する（以降の各実施の形態でも
同様とする）。本実施の形態では、図２（ａ）に示すよ
うに、４つの受光素子１２Ａ〜１２Ｄによる４分割受光
素子１１に対して、１個のダミー受光素子１８が近傍に
配設されている。このダミー受光素子１８は受光素子１
２Ａの近傍に配設されているが、何れの受光素子１２Ａ
〜１２Ｄの近傍であってもこれらの受光素子１２Ａ〜１
２Ｄと同程度にフレア光ＰＦ が入射し得る位置であれ
ばよい。また、ダミー受光素子１８は各受光素子１２Ａ
〜１２Ｄと同一の面積に形成されている。
て説明する。図１で示した部分と同一部分は同一符号を
用いて示し、説明も省略する（以降の各実施の形態でも
同様とする）。本実施の形態では、図２（ａ）に示すよ
うに、４つの受光素子１２Ａ〜１２Ｄによる４分割受光
素子１１に対して、１個のダミー受光素子１８が近傍に
配設されている。このダミー受光素子１８は受光素子１
２Ａの近傍に配設されているが、何れの受光素子１２Ａ
〜１２Ｄの近傍であってもこれらの受光素子１２Ａ〜１
２Ｄと同程度にフレア光ＰＦ が入射し得る位置であれ
ばよい。また、ダミー受光素子１８は各受光素子１２Ａ
〜１２Ｄと同一の面積に形成されている。
【００２０】ここに、図２（ｂ）に示すように、受光素
子１２Ａは電流‐電圧変換増幅器１４Ａの主要部を構成
するＯＰアンプ１５Ａの−入力端子に接続されている。
ＯＰアンプ１５Ａの＋入力端子は基準電圧Ｖref の基準
電源１６に接続され、出力端子・−入力端子間にはＯＰ
アンプ１５Ａのゲインを決定する抵抗ＲＡ が接続され
ている。他の受光素子１２Ｂ〜１２Ｄについても同様で
ある。また、ダミー受光素子１８に関しても、電流‐電
圧変換増幅器１４Ｆの主要部を構成するＯＰアンプ１５
Ｆの−入力端子に接続されている。ＯＰアンプ１５Ｆの
＋入力端子は基準電圧Ｖref の基準電源１６に接続さ
れ、出力端子・−入力端子間にはＯＰアンプ１５Ｆのゲ
インを決定する抵抗ＲＦ が接続されている。ここに、
各抵抗はＲＡ ＝ＲＢ ＝…＝ＲＤ ＝ＲＦ に設定されて
いる。即ち、ＯＰアンプ１５Ａ〜１５Ｆのゲインは全て
同一とされている。
子１２Ａは電流‐電圧変換増幅器１４Ａの主要部を構成
するＯＰアンプ１５Ａの−入力端子に接続されている。
ＯＰアンプ１５Ａの＋入力端子は基準電圧Ｖref の基準
電源１６に接続され、出力端子・−入力端子間にはＯＰ
アンプ１５Ａのゲインを決定する抵抗ＲＡ が接続され
ている。他の受光素子１２Ｂ〜１２Ｄについても同様で
ある。また、ダミー受光素子１８に関しても、電流‐電
圧変換増幅器１４Ｆの主要部を構成するＯＰアンプ１５
Ｆの−入力端子に接続されている。ＯＰアンプ１５Ｆの
＋入力端子は基準電圧Ｖref の基準電源１６に接続さ
れ、出力端子・−入力端子間にはＯＰアンプ１５Ｆのゲ
インを決定する抵抗ＲＦ が接続されている。ここに、
各抵抗はＲＡ ＝ＲＢ ＝…＝ＲＤ ＝ＲＦ に設定されて
いる。即ち、ＯＰアンプ１５Ａ〜１５Ｆのゲインは全て
同一とされている。
【００２１】さらに、これらのＯＰアンプ１５Ａ〜１５
Ｄ，１５Ｆの出力側には演算回路１９が接続されてい
る。この演算回路１９は４つの差動増幅器２０Ａ〜２０
Ｄにより構成されている。ここで、ＯＰアンプ１５Ａか
らの出力電圧をＶＡ′ とし、ＯＰアンプ１５Ｆからの
出力電圧をＶＦ としたとき、差動増幅器２０Ａは出力
電圧ＶＦ を−入力端子への入力電圧とし出力電圧Ｖ
Ａ′ を＋入力端子への入力電圧とし、ＶＡ′ −ＶＦ
＝ＶＡ なる出力電圧を出力端子２１Ａに出すように構
成されている。ＯＰアンプ１５Ｂ〜１５Ｄ側についても
同様であり、例えば、ＯＰアンプ１５Ｂからの出力電圧
をＶＢ′ としたとき、差動増幅器２０Ａは出力電圧Ｖ
Ｆ を−入力端子への入力電圧とし出力電圧ＶＢ′ を＋
入力端子への入力電圧とし、ＶＢ′ −ＶＦ ＝ＶＢ な
る出力電圧を出力端子２１Ｂに出すように構成されてい
る。
Ｄ，１５Ｆの出力側には演算回路１９が接続されてい
る。この演算回路１９は４つの差動増幅器２０Ａ〜２０
Ｄにより構成されている。ここで、ＯＰアンプ１５Ａか
らの出力電圧をＶＡ′ とし、ＯＰアンプ１５Ｆからの
出力電圧をＶＦ としたとき、差動増幅器２０Ａは出力
電圧ＶＦ を−入力端子への入力電圧とし出力電圧Ｖ
Ａ′ を＋入力端子への入力電圧とし、ＶＡ′ −ＶＦ
＝ＶＡ なる出力電圧を出力端子２１Ａに出すように構
成されている。ＯＰアンプ１５Ｂ〜１５Ｄ側についても
同様であり、例えば、ＯＰアンプ１５Ｂからの出力電圧
をＶＢ′ としたとき、差動増幅器２０Ａは出力電圧Ｖ
Ｆ を−入力端子への入力電圧とし出力電圧ＶＢ′ を＋
入力端子への入力電圧とし、ＶＢ′ −ＶＦ ＝ＶＢ な
る出力電圧を出力端子２１Ｂに出すように構成されてい
る。
【００２２】このような構成において、例えば受光素子
１２Ａが検出対象光ＰＳ を受光した場合、その受光量
に応じた電流が検出電流として流れる。この時、受光素
子１２Ａには何らかの原因でフレア光ＰＦ も入り込む
ので、受光素子１２Ａ部分にはこのフレア光ＰＦ の受
光量に相当するフレア光成分の電流も流れる。従って、
ＯＰアンプ１５Ａから得られる出力電圧ＶＡ′ は検出
対象光ＰＳ とフレア光ＰＦ との合成された受光量に基
づく電圧値となる。ここに、受光素子１２Ａの近傍には
ダミー受光素子１８が配設されており、このダミー受光
素子１８も受光素子１２Ａと同等の受光量でフレア光Ｐ
Ｆ を受光する。従って、ＯＰアンプ１５Ｆからはこの
フレア光ＰＦ の受光量に応じた出力電圧ＶＦ が出力さ
れる。これらの出力電圧ＶＦ ，ＶＡ′ はともに差動増
幅器２０Ａに入力され、差動増幅器２０Ａの出力端子２
１ＡからはＶＡ′ −ＶＦ ＝ＶＡ なる出力電圧が出力
される。ここに、電圧ＶＦ の成分は受光素子１２Ａに
おいてもフレア光ＰＦ の受光量相当分として含まれて
いたものであり、この電圧ＶＦ が減算された電圧ＶＡ
は検出対象光ＰＳ のみに対応するものとなる。このよ
うにしてフレア光成分の影響が除去された高精度な出力
電圧ＶＡ が得られる。
１２Ａが検出対象光ＰＳ を受光した場合、その受光量
に応じた電流が検出電流として流れる。この時、受光素
子１２Ａには何らかの原因でフレア光ＰＦ も入り込む
ので、受光素子１２Ａ部分にはこのフレア光ＰＦ の受
光量に相当するフレア光成分の電流も流れる。従って、
ＯＰアンプ１５Ａから得られる出力電圧ＶＡ′ は検出
対象光ＰＳ とフレア光ＰＦ との合成された受光量に基
づく電圧値となる。ここに、受光素子１２Ａの近傍には
ダミー受光素子１８が配設されており、このダミー受光
素子１８も受光素子１２Ａと同等の受光量でフレア光Ｐ
Ｆ を受光する。従って、ＯＰアンプ１５Ｆからはこの
フレア光ＰＦ の受光量に応じた出力電圧ＶＦ が出力さ
れる。これらの出力電圧ＶＦ ，ＶＡ′ はともに差動増
幅器２０Ａに入力され、差動増幅器２０Ａの出力端子２
１ＡからはＶＡ′ −ＶＦ ＝ＶＡ なる出力電圧が出力
される。ここに、電圧ＶＦ の成分は受光素子１２Ａに
おいてもフレア光ＰＦ の受光量相当分として含まれて
いたものであり、この電圧ＶＦ が減算された電圧ＶＡ
は検出対象光ＰＳ のみに対応するものとなる。このよ
うにしてフレア光成分の影響が除去された高精度な出力
電圧ＶＡ が得られる。
【００２３】受光素子１２Ｂ〜１２Ｄ側についてもダミ
ー受光素子１８と同程度のフレア光ＰＦ を受光し、差
動増幅器２０Ｂ〜２０Ｄにおいてフレア光成分が減算さ
れるので、フレア光成分の影響が除去された高精度な出
力電圧ＶＢ 〜ＶＤ が得られる。
ー受光素子１８と同程度のフレア光ＰＦ を受光し、差
動増幅器２０Ｂ〜２０Ｄにおいてフレア光成分が減算さ
れるので、フレア光成分の影響が除去された高精度な出
力電圧ＶＢ 〜ＶＤ が得られる。
【００２４】本実施の形態によれば、フレア光成分の除
去を演算回路１９における演算処理で行っているので、
４つの受光素子１２Ａ〜１２Ｄに対して１つのダミー受
光素子１８で済ませることができ、４分割受光素子１１
部分の素子構成を小型・低コスト化することができる。
去を演算回路１９における演算処理で行っているので、
４つの受光素子１２Ａ〜１２Ｄに対して１つのダミー受
光素子１８で済ませることができ、４分割受光素子１１
部分の素子構成を小型・低コスト化することができる。
【００２５】なお、本実施の形態では、４つの受光素子
１２Ａ〜１２Ｄに対して１つのダミー受光素子１８を組
み合わせた構成としたが、必ずしもダミー受光素子１８
を１つとする必要はなく、受光素子数より少ない数とす
ればよい。
１２Ａ〜１２Ｄに対して１つのダミー受光素子１８を組
み合わせた構成としたが、必ずしもダミー受光素子１８
を１つとする必要はなく、受光素子数より少ない数とす
ればよい。
【００２６】本発明の第三の実施の形態を図３に基づい
て説明する。本実施の形態は、殆ど前記第二の実施の形
態に準じたものであり、ダミー受光素子１８に代えて、
図３（ａ）に示すように、各受光素子１２Ａ〜１２Ｄの
面積の１／２の面積とされたダミー受光素子２２が設け
られている。回路構成も図２（ｂ）の場合と殆ど同じで
あり図３（ｂ）に示すように構成されているが、抵抗Ｒ
Ｆ がＲＦ ＝２ＲＡ＝２ＲＢ ＝…＝２ＲＤ なる関係に
変更されている。即ち、面積が半分とされたダミー受光
素子２２に対するＯＰアンプ１５Ｆ のゲインが、受光
素子１２Ａ〜１２Ｄに対するＯＰアンプ１５Ａ〜１５Ｄ
のゲインの２倍となるように補正されている。即ち、面
積が１／２に減らされた分、ゲインが２倍とされてお
り、「面積」×「ゲイン」の値が全てについて均等とな
るように設定されている。ここに、本実施の形態では、
抵抗ＲＦ 部分がゲイン補正部２３として構成されてい
る。
て説明する。本実施の形態は、殆ど前記第二の実施の形
態に準じたものであり、ダミー受光素子１８に代えて、
図３（ａ）に示すように、各受光素子１２Ａ〜１２Ｄの
面積の１／２の面積とされたダミー受光素子２２が設け
られている。回路構成も図２（ｂ）の場合と殆ど同じで
あり図３（ｂ）に示すように構成されているが、抵抗Ｒ
Ｆ がＲＦ ＝２ＲＡ＝２ＲＢ ＝…＝２ＲＤ なる関係に
変更されている。即ち、面積が半分とされたダミー受光
素子２２に対するＯＰアンプ１５Ｆ のゲインが、受光
素子１２Ａ〜１２Ｄに対するＯＰアンプ１５Ａ〜１５Ｄ
のゲインの２倍となるように補正されている。即ち、面
積が１／２に減らされた分、ゲインが２倍とされてお
り、「面積」×「ゲイン」の値が全てについて均等とな
るように設定されている。ここに、本実施の形態では、
抵抗ＲＦ 部分がゲイン補正部２３として構成されてい
る。
【００２７】本実施の形態によれば、ダミー受光素子２
２の受光するフレア光ＰＦ の受光量は受光素子１２Ａ
〜１２Ｄが各々受光するフレア光ＰＦ の受光量の半分
となるが、ＯＰアンプ１５Ｆで電圧信号ＶＦ に変換さ
れる際には２倍のゲインが与えられるので、ＯＰアンプ
１５Ａ〜１５Ｄ，１５Ｆを経た後のフレア光成分は全て
同等となる。よって、後は前記第二の実施の形態の場合
と同様に演算回路１９でフレア光成分を除去する演算処
理が行われる。
２の受光するフレア光ＰＦ の受光量は受光素子１２Ａ
〜１２Ｄが各々受光するフレア光ＰＦ の受光量の半分
となるが、ＯＰアンプ１５Ｆで電圧信号ＶＦ に変換さ
れる際には２倍のゲインが与えられるので、ＯＰアンプ
１５Ａ〜１５Ｄ，１５Ｆを経た後のフレア光成分は全て
同等となる。よって、後は前記第二の実施の形態の場合
と同様に演算回路１９でフレア光成分を除去する演算処
理が行われる。
【００２８】本実施の形態によれば、４分割受光素子１
１部分の素子構成をより一層小型・低コスト化すること
ができる。
１部分の素子構成をより一層小型・低コスト化すること
ができる。
【００２９】なお、本実施の形態では、ダミー受光素子
２２の面積を１／２に小さくし、ダミー受光素子２２の
出力信号のゲインを２倍にしているが、このような組合
せに限らず、ダミー受光素子の面積を１／４，１／１０
といった具合に小さくし、ダミー受光素子の出力信号の
ゲインを４倍、１０倍といった具合に大きくしてもよ
い。
２２の面積を１／２に小さくし、ダミー受光素子２２の
出力信号のゲインを２倍にしているが、このような組合
せに限らず、ダミー受光素子の面積を１／４，１／１０
といった具合に小さくし、ダミー受光素子の出力信号の
ゲインを４倍、１０倍といった具合に大きくしてもよ
い。
【００３０】本発明の第四の実施の形態を図４に基づい
て説明する。本実施の形態では、４分割受光素子１１周
りの素子構成は、図２（ａ）に示した実施の形態と同一
とされている。即ち、図４（ａ）に示すように、受光素
子１２Ａ〜１２Ｄと同一面積の１つのダミー受光素子１
８が配設されている。ここに、受光素子１２Ａは電流‐
電圧変換増幅器２４Ａの主要部を構成するＯＰアンプ２
５Ａの−入力端子に接続されている。ＯＰアンプ２５Ａ
の＋入力端子は基準電圧Ｖref の基準電源２６に接続さ
れ、出力端子・−入力端子間にはＯＰアンプ２５Ａのゲ
インを決定する抵抗ＲＡ が接続されている。他の受光
素子１２Ｂ〜１２Ｄについても同様である。一方、ダミ
ー受光素子１８は電源Ｖccに接続されているが、演算回
路２７を介して各電流‐電圧変換増幅器２４Ａ〜２４Ｄ
に分岐接続されている。この演算回路２７はベースが共
通に接続された複数のトランジスタによるカレントミラ
ー回路２８により構成されている。よって、ダミー受光
素子１８に流れる電流ＩＦがカレントミラー回路２８に
よって各受光素子１２Ａ〜１２Ｄにもそのまま流れるよ
うに構成されている。つまり、ダミー受光素子１８に流
れる電流ＩＦ がカレントミラー回路２８によって各受
光素子１２Ａ〜１２Ｄに対して分配される形となり、実
質的に図１（ｂ）に示したようにダミー受光素子が受光
素子に直列に接続されている回路構成と等価となる。よ
って、各ＯＰアンプ２５Ａ〜２５Ｄから出力される出力
電圧ＶＡ 〜ＶＤ はフレア光成分が相殺除去されたもの
となる。
て説明する。本実施の形態では、４分割受光素子１１周
りの素子構成は、図２（ａ）に示した実施の形態と同一
とされている。即ち、図４（ａ）に示すように、受光素
子１２Ａ〜１２Ｄと同一面積の１つのダミー受光素子１
８が配設されている。ここに、受光素子１２Ａは電流‐
電圧変換増幅器２４Ａの主要部を構成するＯＰアンプ２
５Ａの−入力端子に接続されている。ＯＰアンプ２５Ａ
の＋入力端子は基準電圧Ｖref の基準電源２６に接続さ
れ、出力端子・−入力端子間にはＯＰアンプ２５Ａのゲ
インを決定する抵抗ＲＡ が接続されている。他の受光
素子１２Ｂ〜１２Ｄについても同様である。一方、ダミ
ー受光素子１８は電源Ｖccに接続されているが、演算回
路２７を介して各電流‐電圧変換増幅器２４Ａ〜２４Ｄ
に分岐接続されている。この演算回路２７はベースが共
通に接続された複数のトランジスタによるカレントミラ
ー回路２８により構成されている。よって、ダミー受光
素子１８に流れる電流ＩＦがカレントミラー回路２８に
よって各受光素子１２Ａ〜１２Ｄにもそのまま流れるよ
うに構成されている。つまり、ダミー受光素子１８に流
れる電流ＩＦ がカレントミラー回路２８によって各受
光素子１２Ａ〜１２Ｄに対して分配される形となり、実
質的に図１（ｂ）に示したようにダミー受光素子が受光
素子に直列に接続されている回路構成と等価となる。よ
って、各ＯＰアンプ２５Ａ〜２５Ｄから出力される出力
電圧ＶＡ 〜ＶＤ はフレア光成分が相殺除去されたもの
となる。
【００３１】よって、本実施の形態によれば、カレント
ミラー回路２８を利用することで極めて簡単な演算回路
２７で済むことになる。
ミラー回路２８を利用することで極めて簡単な演算回路
２７で済むことになる。
【００３２】本発明の第五の実施の形態を図５に基づい
て説明する。本実施の形態は、殆ど前記第四の実施の形
態に準じたものであり、ダミー受光素子１８に代えて、
図５（ａ）に示すように、各受光素子１２Ａ〜１２Ｄの
面積の１／２の面積とされたダミー受光素子２２が設け
られている。回路構成も図４（ｂ）の場合と殆ど同じで
あり図５（ｂ）に示すように構成されているが、カレン
トミラー回路２８において、ダミー受光素子２２に直列
な抵抗Ｒ４ と分配用の４つの抵抗Ｒ５ との関係が２Ｒ
４ ＝Ｒ５ となるように設定されている。即ち、面積が
半分とされたダミー受光素子２２に対するフレア光成分
の電流ＩＦ のゲインが、受光素子１２Ａ〜１２Ｄに対
するフレア光成分の電流の２倍となって分配されるよう
にカレントミラー回路２８でのゲインが補正されてい
る。ここに、本実施の形態では、抵抗Ｒ４ ，Ｒ５ 部分
がゲイン補正部２９として構成されている。よって、後
は前記第四の実施の形態の場合と同様に各ＯＰアンプ２
５Ａ〜２５Ｄでフレア光成分が相殺除去される。
て説明する。本実施の形態は、殆ど前記第四の実施の形
態に準じたものであり、ダミー受光素子１８に代えて、
図５（ａ）に示すように、各受光素子１２Ａ〜１２Ｄの
面積の１／２の面積とされたダミー受光素子２２が設け
られている。回路構成も図４（ｂ）の場合と殆ど同じで
あり図５（ｂ）に示すように構成されているが、カレン
トミラー回路２８において、ダミー受光素子２２に直列
な抵抗Ｒ４ と分配用の４つの抵抗Ｒ５ との関係が２Ｒ
４ ＝Ｒ５ となるように設定されている。即ち、面積が
半分とされたダミー受光素子２２に対するフレア光成分
の電流ＩＦ のゲインが、受光素子１２Ａ〜１２Ｄに対
するフレア光成分の電流の２倍となって分配されるよう
にカレントミラー回路２８でのゲインが補正されてい
る。ここに、本実施の形態では、抵抗Ｒ４ ，Ｒ５ 部分
がゲイン補正部２９として構成されている。よって、後
は前記第四の実施の形態の場合と同様に各ＯＰアンプ２
５Ａ〜２５Ｄでフレア光成分が相殺除去される。
【００３３】なお、これらの各実施の形態では、フレア
光ＰＦ の強度分布が受光素子とダミー受光素子とで均
等であることを前提としているが、場合によっては中央
から周囲に向けて弱くなるような強度分布を持つ場合が
ある。このような場合には、フレア光ＰＦ の強度分布
に応じて受光素子とダミー受光素子との面積を異ならせ
るとか、フレア光ＰＦ の強度分布に応じて受光素子と
ダミー受光素子との出力信号のゲインを補正するように
すればよい。例えば、出力信号のゲインを同一として処
理する条件下であれば、フレア光ＰＦ の強度分布に応
じて受光素子とダミー受光素子との面積を異ならせるこ
とで、結果として受光素子とダミー受光素子とでフレア
光の受光量が等しくなるようにすればよい。また、受光
素子とダミー受光素子とを同一面積とする構成条件であ
れば、フレア光ＰＦ の強度分布に応じて受光素子とダ
ミー受光素子との出力信号のゲインを補正することで、
結果として受光素子とダミー受光素子とで出力信号のフ
レア光成分が等しくなるようにすればよい。結局、「面
積」×「出力信号のゲイン」×「受光するフレア光の強
度」の関係が一致ないしはほぼ一致するように、面積又
は出力信号のゲインの要素を工夫すればよい。
光ＰＦ の強度分布が受光素子とダミー受光素子とで均
等であることを前提としているが、場合によっては中央
から周囲に向けて弱くなるような強度分布を持つ場合が
ある。このような場合には、フレア光ＰＦ の強度分布
に応じて受光素子とダミー受光素子との面積を異ならせ
るとか、フレア光ＰＦ の強度分布に応じて受光素子と
ダミー受光素子との出力信号のゲインを補正するように
すればよい。例えば、出力信号のゲインを同一として処
理する条件下であれば、フレア光ＰＦ の強度分布に応
じて受光素子とダミー受光素子との面積を異ならせるこ
とで、結果として受光素子とダミー受光素子とでフレア
光の受光量が等しくなるようにすればよい。また、受光
素子とダミー受光素子とを同一面積とする構成条件であ
れば、フレア光ＰＦ の強度分布に応じて受光素子とダ
ミー受光素子との出力信号のゲインを補正することで、
結果として受光素子とダミー受光素子とで出力信号のフ
レア光成分が等しくなるようにすればよい。結局、「面
積」×「出力信号のゲイン」×「受光するフレア光の強
度」の関係が一致ないしはほぼ一致するように、面積又
は出力信号のゲインの要素を工夫すればよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、受光素子に何らかのフ
レア光が入り込む場合、集光結像される検出対象光と異
なり、フレア光は受光素子の周囲もその影響が及ぶ点に
着目し、検出対象光を受光する受光素子の検出信号を電
流‐電圧変換増幅器により電圧信号に変換して出力する
光検出装置において、受光素子の近傍にダミー受光素子
を配設し、このダミー受光素子が受光して出力するフレ
ア光成分を用いて受光素子が受光したフレア光成分を除
去するようにしたので、受光素子の近傍にダミー受光素
子を配設させることで、ダミー受光素子にフレア光成分
のみを受光させることができ、よって、このダミー受光
素子が受光したフレア光成分が受光素子の受光したフレ
ア光成分と等価的となるようにすることで、受光素子が
受光したフレア光成分を除去することができ、本来の検
出対象光による検出信号のみを高精度に検出することが
できる。
レア光が入り込む場合、集光結像される検出対象光と異
なり、フレア光は受光素子の周囲もその影響が及ぶ点に
着目し、検出対象光を受光する受光素子の検出信号を電
流‐電圧変換増幅器により電圧信号に変換して出力する
光検出装置において、受光素子の近傍にダミー受光素子
を配設し、このダミー受光素子が受光して出力するフレ
ア光成分を用いて受光素子が受光したフレア光成分を除
去するようにしたので、受光素子の近傍にダミー受光素
子を配設させることで、ダミー受光素子にフレア光成分
のみを受光させることができ、よって、このダミー受光
素子が受光したフレア光成分が受光素子の受光したフレ
ア光成分と等価的となるようにすることで、受光素子が
受光したフレア光成分を除去することができ、本来の検
出対象光による検出信号のみを高精度に検出することが
できる。
【００３５】特に、請求項１記載の発明によれば、受光
素子の近傍に配設されたダミー受光素子を受光素子に直
列接続し、これらの受光素子とダミー受光素子との接続
中点を電流‐電圧変換増幅器の入力部に接続するだけの
簡単な構成で、フレア光成分を回路的に相殺することが
でき、本来の検出対象光による検出信号のみを電流‐電
圧変換増幅器から高精度に検出することができる。ま
た、光ディスク装置における情報信号／トラッキング信
号／フォーカス信号等の検出光学系のように、受光素子
が複数の場合には、請求項２記載の発明のように、各受
光素子毎にダミー受光素子を近傍に個別に備えることよ
り、個々の受光素子が受光したフレア光成分を各々に対
応して状況が近似しているダミー受光素子が受光したフ
レア光成分によって適正に除去することができる。或い
は、請求項３記載の発明のように、受光素子数より少な
い個数のダミー受光素子を有し、これらの受光素子とダ
ミー受光素子との出力に基づきフレア光成分を除去する
演算回路を備えることにより、演算回路による演算処理
で受光素子側のフレア光成分を除去することができ、受
光素子周りはダミー受光素子の数を減らすことにより小
型・低コスト化を図ることができる。特に、請求項４記
載の発明によれば、演算回路を、ダミー受光素子の出力
電流を分配するカレントミラー回路を含む構成としてい
るので、個々の受光素子に対してダミー受光素子を直列
接続したものと等価的な構成とすることができ、簡単な
演算回路で済ませることができる。
素子の近傍に配設されたダミー受光素子を受光素子に直
列接続し、これらの受光素子とダミー受光素子との接続
中点を電流‐電圧変換増幅器の入力部に接続するだけの
簡単な構成で、フレア光成分を回路的に相殺することが
でき、本来の検出対象光による検出信号のみを電流‐電
圧変換増幅器から高精度に検出することができる。ま
た、光ディスク装置における情報信号／トラッキング信
号／フォーカス信号等の検出光学系のように、受光素子
が複数の場合には、請求項２記載の発明のように、各受
光素子毎にダミー受光素子を近傍に個別に備えることよ
り、個々の受光素子が受光したフレア光成分を各々に対
応して状況が近似しているダミー受光素子が受光したフ
レア光成分によって適正に除去することができる。或い
は、請求項３記載の発明のように、受光素子数より少な
い個数のダミー受光素子を有し、これらの受光素子とダ
ミー受光素子との出力に基づきフレア光成分を除去する
演算回路を備えることにより、演算回路による演算処理
で受光素子側のフレア光成分を除去することができ、受
光素子周りはダミー受光素子の数を減らすことにより小
型・低コスト化を図ることができる。特に、請求項４記
載の発明によれば、演算回路を、ダミー受光素子の出力
電流を分配するカレントミラー回路を含む構成としてい
るので、個々の受光素子に対してダミー受光素子を直列
接続したものと等価的な構成とすることができ、簡単な
演算回路で済ませることができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示し、（ａ）は受
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
【図２】本発明の第二の実施の形態を示し、（ａ）は受
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
【図３】本発明の第三の実施の形態を示し、（ａ）は受
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
【図４】本発明の第四の実施の形態を示し、（ａ）は受
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
【図５】本発明の第五の実施の形態を示し、（ａ）は受
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
光素子部付近の概略平面図、（ｂ）はその回路構成図で
ある。
【図６】従来例を示す回路構成図である。
１２Ａ〜１２Ｄ 受光素子
１３Ａ〜１３Ｄ ダミー受光素子
１４ 電流‐電圧変換増幅器
１８ ダミー受光素子
１９ 演算回路
２２ ダミー受光素子
２３ ゲイン補正部
２４Ａ〜２４Ｄ 電流‐電圧変換増幅器
２７ 演算回路
２８ カレントミラー回路
２９ ゲイン補正部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−195742（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−128756（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−32100（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−67340（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−195938（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−155524（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/12 - 7/22
Claims (8)
- 【請求項１】 検出対象光を受光するフォトダイオード
からなる受光素子の検出信号を電流‐電圧変換増幅器に
より電圧信号に変換して出力する光検出装置において、 前記受光素子の近傍に配設されて前記受光素子のアノー
ド側にカソード側が接続されるように前記受光素子に直
列接続されたフォトダイオードからなるダミー受光素子
を備え、これらの受光素子とダミー受光素子との接続中
点を前記電流‐電圧変換増幅器の入力部に接続したこと
を特徴とする光検出装置。 - 【請求項２】 受光素子が複数であり、各受光素子毎に
ダミー受光素子を個別に有することを特徴とする請求項
１記載の光検出装置。 - 【請求項３】 検出対象光を受光する受光素子の検出信
号を電流‐電圧変換増幅器により電圧信号に変換して出
力する光検出装置において、 受光素子が複数であり、前記受光素子の近傍に前記受光
素子数より少ない個数のダミー受光素子を有し、これら
のダミー受光素子が受光して出力するフレア光成分を用
いて前記受光素子が受光したフレア光成分を除去する演
算回路を備えたことを特徴とする光検出装置。 - 【請求項４】 演算回路は、ダミー受光素子の出力電流
を分配するカレントミラー回路を含むことを特徴とする
請求項３記載の光検出装置。 - 【請求項５】 ダミー受光素子の面積は、受光素子の面
積と同一であることを特徴とする請求項１，２，３又は
４記載の光検出装置。 - 【請求項６】 ダミー受光素子の面積は、受光素子の面
積より小さく設定されており、その面積比に応じた出力
信号のゲイン補正部を有して受光素子とダミー受光素子
との出力に基づきフレア光成分を除去する演算回路を備
えたことを特徴とする請求項３記載の光検出装置。 - 【請求項７】 フレア光の強度分布に応じて受光素子と
ダミー受光素子との面積が異なることを特徴とする請求
項１，２，３，４又は６記載の光検出装置。 - 【請求項８】 フレア光の強度分布に応じた受光素子と
ダミー受光素子との出力信号のゲイン補正部を有するこ
とを特徴とする請求項２又は３記載の光検出装置。
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|---|---|---|---|
| JP05591997A JP3455645B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05591997A JP3455645B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 光検出装置 |
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|---|---|
| JPH10255300A JPH10255300A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3455645B2 true JP3455645B2 (ja) | 2003-10-14 |
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ID=13012524
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| JP05591997A Expired - Fee Related JP3455645B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 光検出装置 |
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| JP (1) | JP3455645B2 (ja) |
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-
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| JPH10255300A (ja) | 1998-09-25 |
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