JP3440635B2 - アルミワイヤボンディング用パッド及びその製造方法 - Google Patents
アルミワイヤボンディング用パッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3440635B2 JP3440635B2 JP15640495A JP15640495A JP3440635B2 JP 3440635 B2 JP3440635 B2 JP 3440635B2 JP 15640495 A JP15640495 A JP 15640495A JP 15640495 A JP15640495 A JP 15640495A JP 3440635 B2 JP3440635 B2 JP 3440635B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- bonding
- wire
- pad body
- aluminum wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05073—Single internal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48491—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48755—Nickel (Ni) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
- H01L2224/85207—Thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミワイヤボンディン
グ用パッド及びその製造方法に関する。本発明のボンデ
ィング用パッドは、ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）におけ
る基板内のＡｌワイヤ接続端子台、ＩＣ回路におけるノ
イズ防止のアース端子台等に適用できる。
グ用パッド及びその製造方法に関する。本発明のボンデ
ィング用パッドは、ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）におけ
る基板内のＡｌワイヤ接続端子台、ＩＣ回路におけるノ
イズ防止のアース端子台等に適用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来よりアルミワイヤをボンディングし
たアルミワイヤボンディングパッドが電子基板等におい
て使用されている。このアルミワイヤボンディングパッ
ドは、素地母材で区別すると、図１８（Ａ）に示すＡｌ
系合金の形態と、図１８（Ｂ）〜（Ｄ）に示すＦｅ−Ｎ
ｉ系合金の形態とに大別できる。
たアルミワイヤボンディングパッドが電子基板等におい
て使用されている。このアルミワイヤボンディングパッ
ドは、素地母材で区別すると、図１８（Ａ）に示すＡｌ
系合金の形態と、図１８（Ｂ）〜（Ｄ）に示すＦｅ−Ｎ
ｉ系合金の形態とに大別できる。
【０００３】即ち図１８（Ａ）に示す様に、Ａｌ系パッ
ド１００としては、一方の面のみに表面処理を実施して
半田接合面１００ａとし、他方の面をＡｌ面を露出させ
たワイヤ接合面１００ｂとしたものがある。このワイヤ
接合面１００ｂには、アルミワイヤ（以下Ａｌワイヤと
もいう）２００がボンディング処理により接合されるさ
れる。
ド１００としては、一方の面のみに表面処理を実施して
半田接合面１００ａとし、他方の面をＡｌ面を露出させ
たワイヤ接合面１００ｂとしたものがある。このワイヤ
接合面１００ｂには、アルミワイヤ（以下Ａｌワイヤと
もいう）２００がボンディング処理により接合されるさ
れる。
【０００４】また図１８（Ｂ）に示す様に、Ｆｅ−Ｎｉ
系のパッド１０２として、全面にＮｉ系メッキを実施す
ることにより、半田接合面１０２ａにＮｉ系メッキ膜１
０２ｃを積層し、ワイヤ接合面１０２ｂにもＮｉ系メッ
キ膜１０２ｄを積層した形態のものがある。Ｎｉ系メッ
キ膜は主として、半田付け性を確保するためのものであ
る。
系のパッド１０２として、全面にＮｉ系メッキを実施す
ることにより、半田接合面１０２ａにＮｉ系メッキ膜１
０２ｃを積層し、ワイヤ接合面１０２ｂにもＮｉ系メッ
キ膜１０２ｄを積層した形態のものがある。Ｎｉ系メッ
キ膜は主として、半田付け性を確保するためのものであ
る。
【０００５】また図１８（Ｃ）に示す様に、Ｆｅ−Ｎｉ
系のパッド１０４として、半田接合面１０４ａに半田メ
ッキ膜１０４ｃを積層し、ワイヤ接合面１０４ｂにＡｌ
蒸着膜１０４ｄを積層した形態のものがある。また図１
８（Ｄ）に示す様に、Ｆｅ−Ｎｉ系のパッド１０６とし
て、Ｎｉを４２ｗｔ％含むＦｅ−Ｎｉ系のパッド本体１
０６ｃの半田接合面１０６ａにＮｉ系メッキ膜１０６ｅ
を積層すると共に、ワイヤ接合面１０６ｂにＡｌ板１０
６ｆを積層した形態のものがある。
系のパッド１０４として、半田接合面１０４ａに半田メ
ッキ膜１０４ｃを積層し、ワイヤ接合面１０４ｂにＡｌ
蒸着膜１０４ｄを積層した形態のものがある。また図１
８（Ｄ）に示す様に、Ｆｅ−Ｎｉ系のパッド１０６とし
て、Ｎｉを４２ｗｔ％含むＦｅ−Ｎｉ系のパッド本体１
０６ｃの半田接合面１０６ａにＮｉ系メッキ膜１０６ｅ
を積層すると共に、ワイヤ接合面１０６ｂにＡｌ板１０
６ｆを積層した形態のものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した図１８（Ａ）
〜（Ｄ）に示す各種ボンディングパッド１００〜１０６
を技術評価すると、近年の厳しい要求を考慮すると、品
質及びコストともに充分に満足できるものはない。即
ち、図１８（Ａ）に示すＡｌ系パッド１００は、これの
ワイヤ接合面１００ｂを形成するＡｌ面へアルミワイヤ
２００をボンディングするものであり、Ａｌ−Ａｌとい
う同系材質間のボンディングのため信頼性は高い。よっ
て高品質ボンディングが得られるＡｌパッドとして、従
来より安定供給されている。但し、難点はパッド１００
の母材がＡｌであるため、パッド１００を固定する基板
の材質であるセラミックスとの線膨張係数差が大きく、
そのため冷熱サイクル等の負荷がかかると、Ａｌパッド
１００の半田接合面１００ａを基板３００に固定する半
田付部２０１が損傷、劣化するおそれがある。
〜（Ｄ）に示す各種ボンディングパッド１００〜１０６
を技術評価すると、近年の厳しい要求を考慮すると、品
質及びコストともに充分に満足できるものはない。即
ち、図１８（Ａ）に示すＡｌ系パッド１００は、これの
ワイヤ接合面１００ｂを形成するＡｌ面へアルミワイヤ
２００をボンディングするものであり、Ａｌ−Ａｌとい
う同系材質間のボンディングのため信頼性は高い。よっ
て高品質ボンディングが得られるＡｌパッドとして、従
来より安定供給されている。但し、難点はパッド１００
の母材がＡｌであるため、パッド１００を固定する基板
の材質であるセラミックスとの線膨張係数差が大きく、
そのため冷熱サイクル等の負荷がかかると、Ａｌパッド
１００の半田接合面１００ａを基板３００に固定する半
田付部２０１が損傷、劣化するおそれがある。
【０００７】図１８（Ｂ）に示すパッド１０２の母材は
Ｆｅ−Ｎｉ系のため、Ａｌ母材に比較して、基板の材質
であるセラミックスとの線膨張係数差が小さく、そのた
めパッド１０２を基板に固定する半田付部の劣化を抑制
できる利点が得られる。しかしワイヤ接合面１０２ｂに
接合されたＮｉ系メッキ膜１０２ｄへＡｌワイヤをボン
ディングするため、ＮｉとＡｌという異系材質間のボン
ディングであり、ボンディング技術が充分確立されてい
ない。そのため、前述したＡｌ−Ａｌの組合わせに相当
するボンディングに匹敵する様な信頼性を確保すること
が課題となっている。
Ｆｅ−Ｎｉ系のため、Ａｌ母材に比較して、基板の材質
であるセラミックスとの線膨張係数差が小さく、そのた
めパッド１０２を基板に固定する半田付部の劣化を抑制
できる利点が得られる。しかしワイヤ接合面１０２ｂに
接合されたＮｉ系メッキ膜１０２ｄへＡｌワイヤをボン
ディングするため、ＮｉとＡｌという異系材質間のボン
ディングであり、ボンディング技術が充分確立されてい
ない。そのため、前述したＡｌ−Ａｌの組合わせに相当
するボンディングに匹敵する様な信頼性を確保すること
が課題となっている。
【０００８】図１８（Ｃ）に示すパッド１０４は、母材
がＦｅ−Ｎｉ系といえども、ワイヤ接合面１０４ｂにＡ
ｌ蒸着膜１０４ｄが積層されており、Ａｌワイヤをボン
ディングするに際してはＡｌ−Ａｌという同系材質間の
ボンディングとなり、信頼性が向上する。しかし、Ａｌ
蒸着膜１０４ｄが薄いため、蒸着後に行うプレス打抜き
加工でキズ、素地露出及びプレス油等の打ち込み等の不
具合が生じることがあり、この意味においてボンディン
グの信頼性低下の要因となり易い。さらに、Ａｌ蒸着は
ボンディングパッドとしてはコスト的に高い。
がＦｅ−Ｎｉ系といえども、ワイヤ接合面１０４ｂにＡ
ｌ蒸着膜１０４ｄが積層されており、Ａｌワイヤをボン
ディングするに際してはＡｌ−Ａｌという同系材質間の
ボンディングとなり、信頼性が向上する。しかし、Ａｌ
蒸着膜１０４ｄが薄いため、蒸着後に行うプレス打抜き
加工でキズ、素地露出及びプレス油等の打ち込み等の不
具合が生じることがあり、この意味においてボンディン
グの信頼性低下の要因となり易い。さらに、Ａｌ蒸着は
ボンディングパッドとしてはコスト的に高い。
【０００９】図１８（Ｄ）に示すパッド１０６は、母材
がＦｅ−Ｎｉ系といえども、Ａｌ板１０６ｆを被覆した
帯状のクラッド材を用い、そのクラッド材をプレス打抜
き加工して小片状とすることにより形成したものであ
り、前述同様にプレス打抜き加工時のキズ等の不具合の
ため、ボンディングの信頼性低下の要因は残っており、
充分ではない。
がＦｅ−Ｎｉ系といえども、Ａｌ板１０６ｆを被覆した
帯状のクラッド材を用い、そのクラッド材をプレス打抜
き加工して小片状とすることにより形成したものであ
り、前述同様にプレス打抜き加工時のキズ等の不具合の
ため、ボンディングの信頼性低下の要因は残っており、
充分ではない。
【００１０】また図１８（Ａ）（Ｃ）（Ｄ）に示すパッ
ド１００、１０４、１０６は前述から理解できる様に表
裏面が異材質である。そのためパッド１００、１０４、
１０６を基板に組付け実装する際においては、パーツフ
ィーダ等の選別手段あるいは手作業で、パッドのうちの
Ａｌ面を正確に選別する必要がある。そしてパッド１０
０、１０４、１０６の半田接合面１００ａ、１０４ａ、
１０６ａ側を基板に半田付けを介して固定した状態で、
パッド１００、１０４、１０６のＡｌ面を構成するワイ
ヤ接合面１００ｂ、１０４ｂ、１０６ｂにＡｌワイヤを
ボンディングすることにしている。しかし表裏の選別は
面倒であり、コスト的にも問題である。特にパーツフィ
ーダ等の選別手段の選別能力は必ずしも１００％ではな
い。そのため選別不良が発生し、パッドのうちＡｌ面で
ない面にＡｌワイヤをボンディングするおそれも少なか
らずある。この場合、選別不良を生じる頻度が１ＰＰＭ
程度の極微小であっても、高品質の維持のため実装工程
ラインの停止を招き易い。
ド１００、１０４、１０６は前述から理解できる様に表
裏面が異材質である。そのためパッド１００、１０４、
１０６を基板に組付け実装する際においては、パーツフ
ィーダ等の選別手段あるいは手作業で、パッドのうちの
Ａｌ面を正確に選別する必要がある。そしてパッド１０
０、１０４、１０６の半田接合面１００ａ、１０４ａ、
１０６ａ側を基板に半田付けを介して固定した状態で、
パッド１００、１０４、１０６のＡｌ面を構成するワイ
ヤ接合面１００ｂ、１０４ｂ、１０６ｂにＡｌワイヤを
ボンディングすることにしている。しかし表裏の選別は
面倒であり、コスト的にも問題である。特にパーツフィ
ーダ等の選別手段の選別能力は必ずしも１００％ではな
い。そのため選別不良が発生し、パッドのうちＡｌ面で
ない面にＡｌワイヤをボンディングするおそれも少なか
らずある。この場合、選別不良を生じる頻度が１ＰＰＭ
程度の極微小であっても、高品質の維持のため実装工程
ラインの停止を招き易い。
【００１１】本発明は上記した実情に鑑みなされたもの
である。請求項１〜５の共通課題は、図１８（Ｂ）に示
す様に表裏面にＮｉ系メッキ膜１０２ｄ、１０２ｃを被
覆した形態を備えた従来に係るＦｅ−Ｎｉ系パッド１０
２を対象とし、パッド本体に特定の表面改質層を形成
し、その表面改質層にＮｉ系メッキ膜を積層することに
より、かかるＦｅ−Ｎｉ系パッドのＮｉ系メッキ膜にＡ
ｌワイヤをボンディングする際において、Ｎｉ−Ａｌと
いう異材質間のボンディングであっても、ボンディング
の信頼性を一層向上させることができ、これによりＡｌ
−Ａｌの組合わせのボンディングに匹敵するボンディン
グ品質を確保するのに有利なアルミワイヤボンディング
用パッドを提供することにある。
である。請求項１〜５の共通課題は、図１８（Ｂ）に示
す様に表裏面にＮｉ系メッキ膜１０２ｄ、１０２ｃを被
覆した形態を備えた従来に係るＦｅ−Ｎｉ系パッド１０
２を対象とし、パッド本体に特定の表面改質層を形成
し、その表面改質層にＮｉ系メッキ膜を積層することに
より、かかるＦｅ−Ｎｉ系パッドのＮｉ系メッキ膜にＡ
ｌワイヤをボンディングする際において、Ｎｉ−Ａｌと
いう異材質間のボンディングであっても、ボンディング
の信頼性を一層向上させることができ、これによりＡｌ
−Ａｌの組合わせのボンディングに匹敵するボンディン
グ品質を確保するのに有利なアルミワイヤボンディング
用パッドを提供することにある。
【００１２】更には、請求項１〜５の共通課題は、パッ
ド本体の全面に表面改質層及びＮｉ系メッキ膜を形成す
ることにより、組付け実装時においてパーツフィーダ等
の選別手段あるいは手作業によるパッドのワイヤ接合面
及び半田接合面を選別する工程を廃止し得るアルミワイ
ヤボンディング用パッドを提供することにある。請求項
６の課題は、処理液に含まれるＨ2 Ｏ2 及びＨＦの濃
度、処理液の温度を規定することにより、ボンディング
の信頼性の高い上記した各請求項に係るボンディング用
パッドを製造することができるアルミワイヤボンディン
グ用パッドの製造方法を提供することにある。
ド本体の全面に表面改質層及びＮｉ系メッキ膜を形成す
ることにより、組付け実装時においてパーツフィーダ等
の選別手段あるいは手作業によるパッドのワイヤ接合面
及び半田接合面を選別する工程を廃止し得るアルミワイ
ヤボンディング用パッドを提供することにある。請求項
６の課題は、処理液に含まれるＨ2 Ｏ2 及びＨＦの濃
度、処理液の温度を規定することにより、ボンディング
の信頼性の高い上記した各請求項に係るボンディング用
パッドを製造することができるアルミワイヤボンディン
グ用パッドの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者はＦｅ−Ｎｉ系
の組成をもつパッドにおけるＡｌワイヤのボンディング
について、鋭意開発を進めた。そして開発の結果、前述
した様にＲｚが０．３μｍ以下の表面改質層をもつ請求
項１〜５に係るパッドとすれば、Ｎｉ系メッキ膜とＡｌ
ワイヤという異材質間のボンディングであっても、ボン
ディング部分の接合強度が向上してボンディングの信頼
性が向上し、Ａｌ−Ａｌという同系材質間のボンディン
グと同等もしくは同等以上の品質を確保し得ることを知
見し、試験で確認し、本発明に係るボンディングパッド
を完成した。
の組成をもつパッドにおけるＡｌワイヤのボンディング
について、鋭意開発を進めた。そして開発の結果、前述
した様にＲｚが０．３μｍ以下の表面改質層をもつ請求
項１〜５に係るパッドとすれば、Ｎｉ系メッキ膜とＡｌ
ワイヤという異材質間のボンディングであっても、ボン
ディング部分の接合強度が向上してボンディングの信頼
性が向上し、Ａｌ−Ａｌという同系材質間のボンディン
グと同等もしくは同等以上の品質を確保し得ることを知
見し、試験で確認し、本発明に係るボンディングパッド
を完成した。
【００１４】上記した様にＮｉ系メッキ膜とＡｌワイヤ
という異材質同士のボンディングであっても、ボンディ
ング性が向上する理由は、必ずしも明らかではないが、
本発明者によれば０．３μｍ以下の極めて平滑な表面改
質層による影響と推察される。またＦｅ−Ｎｉ系の組成
をもつパッドにＮｉ系メッキ膜を積層するに先立ち、Ｈ
2 Ｏ2 及びＨＦを主剤とし｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／
ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の比が３以上の濃度を有する処理
液を用い、温度５０〜８０°Ｃでパッド本体の表層と処
理液とを接触させて表面改質すれば、Ｆｅ−Ｎｉ系のパ
ッド本体にＲｚ（１０点平均粗さ）で０．３μｍ以下の
極めて平滑な表面改質層が容易に形成され、そして、そ
の後にその表面改質層にＮｉメッキ処理を実行してＮｉ
系メッキ膜を積層すれば、請求項１〜５に係るパッドを
形成し易く、従ってＮｉ系メッキ膜とＡｌワイヤという
異材質間のボンディングであっても、ボンディング部分
の接合強度が向上してボンディングの信頼性が向上るこ
とを知見した。そして、試験で確認し、本発明に係るパ
ッドの製造方法を開発したものである。本発明者による
試験によれば、上記処理液を用いて表面改質した場合で
あっても、処理液の温度が３０〜４０℃程度と低温であ
れば、表面改質層の表面粗さは大きくなり、良好なボン
ディングが得られなかった。
という異材質同士のボンディングであっても、ボンディ
ング性が向上する理由は、必ずしも明らかではないが、
本発明者によれば０．３μｍ以下の極めて平滑な表面改
質層による影響と推察される。またＦｅ−Ｎｉ系の組成
をもつパッドにＮｉ系メッキ膜を積層するに先立ち、Ｈ
2 Ｏ2 及びＨＦを主剤とし｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／
ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の比が３以上の濃度を有する処理
液を用い、温度５０〜８０°Ｃでパッド本体の表層と処
理液とを接触させて表面改質すれば、Ｆｅ−Ｎｉ系のパ
ッド本体にＲｚ（１０点平均粗さ）で０．３μｍ以下の
極めて平滑な表面改質層が容易に形成され、そして、そ
の後にその表面改質層にＮｉメッキ処理を実行してＮｉ
系メッキ膜を積層すれば、請求項１〜５に係るパッドを
形成し易く、従ってＮｉ系メッキ膜とＡｌワイヤという
異材質間のボンディングであっても、ボンディング部分
の接合強度が向上してボンディングの信頼性が向上るこ
とを知見した。そして、試験で確認し、本発明に係るパ
ッドの製造方法を開発したものである。本発明者による
試験によれば、上記処理液を用いて表面改質した場合で
あっても、処理液の温度が３０〜４０℃程度と低温であ
れば、表面改質層の表面粗さは大きくなり、良好なボン
ディングが得られなかった。
【００１５】上記した製造方法により、０．３μｍ以下
の極めて平滑な表面改質層をもつ本発明に係るパッドが
得られる理由は、必ずしも明らかではないが、本発明者
によれば次の様に推察される。すなわち、Ｆｅ−Ｎｉ系
の組成をもつパッド本体は、上記した処理液を用いた場
合であっても温度が３０〜４０℃と低温の場合には、Ｈ
Ｆによって、ある相（後述の様にＮｉ相、Ｎｉリッチ相
と推察される）の選択溶解を招来する。そのため本発明
者等による走査型電子顕微鏡観察によれば、本発明に係
る表面粗さが極めて小さな表面改質層を得ることができ
なかった。これは、前記した特定の相が選択溶解される
ことに起因すると推察される。しかし処理液の種類、濃
度、処理液の温度を前述した条件範囲に規定することに
より、パッド本体の表層の選択溶解を抑制しつつ、酸化
薄膜と考えられるＲｚ０．３μ以下の鏡面化された極め
て平滑な表面改質層の生成を促進でき、かかる表面改質
層の影響でボンディングの信頼性が向上するものと推察
される。
の極めて平滑な表面改質層をもつ本発明に係るパッドが
得られる理由は、必ずしも明らかではないが、本発明者
によれば次の様に推察される。すなわち、Ｆｅ−Ｎｉ系
の組成をもつパッド本体は、上記した処理液を用いた場
合であっても温度が３０〜４０℃と低温の場合には、Ｈ
Ｆによって、ある相（後述の様にＮｉ相、Ｎｉリッチ相
と推察される）の選択溶解を招来する。そのため本発明
者等による走査型電子顕微鏡観察によれば、本発明に係
る表面粗さが極めて小さな表面改質層を得ることができ
なかった。これは、前記した特定の相が選択溶解される
ことに起因すると推察される。しかし処理液の種類、濃
度、処理液の温度を前述した条件範囲に規定することに
より、パッド本体の表層の選択溶解を抑制しつつ、酸化
薄膜と考えられるＲｚ０．３μ以下の鏡面化された極め
て平滑な表面改質層の生成を促進でき、かかる表面改質
層の影響でボンディングの信頼性が向上するものと推察
される。
【００１６】即ち、請求項１に係るアルミワイヤボンデ
ィング用パッドは、一方の面を形成すると共に電子基板
に半田付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共
にアルミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備
え、Ｆｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、パッド本
体のワイヤ接合面を含む全面に形成されたＦｅ、Ｎｉ及
びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質層と、表面
改質層の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚが０．
３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜とで構成されていることを
特徴とするものである。
ィング用パッドは、一方の面を形成すると共に電子基板
に半田付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共
にアルミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備
え、Ｆｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、パッド本
体のワイヤ接合面を含む全面に形成されたＦｅ、Ｎｉ及
びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質層と、表面
改質層の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚが０．
３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜とで構成されていることを
特徴とするものである。
【００１７】請求項２に係るアルミワイヤボンディング
用パッドは、請求項１において、表面改質層の組成割合
は、Ｘ線光電子分光分析によれば、Ｆｅが２．８ａｔ％
を越え、Ｎｉが１．２ａｔ％を越え、Ｏが２６ａｔ％を
越える組成であることを特徴とするものである。ここ
で、後述するＸ線光電子分光分析によれば、Ｆｅが４ａ
ｔ％を越え、Ｎｉが３ａｔ％を越え、Ｏが３５〜４０ａ
ｔ％を越える組成にできる。Ｆｅの上限値は６ａｔ％、
８ａｔ％、１２ａｔ％、１５ａｔ％、２０ａｔ％になる
ことも考えられる。Ｎｉの上限値は６ａｔ％、８ａｔ
％、１２ａｔ％、１５ａｔ％、２０ａｔ％になることも
考えられる。
用パッドは、請求項１において、表面改質層の組成割合
は、Ｘ線光電子分光分析によれば、Ｆｅが２．８ａｔ％
を越え、Ｎｉが１．２ａｔ％を越え、Ｏが２６ａｔ％を
越える組成であることを特徴とするものである。ここ
で、後述するＸ線光電子分光分析によれば、Ｆｅが４ａ
ｔ％を越え、Ｎｉが３ａｔ％を越え、Ｏが３５〜４０ａ
ｔ％を越える組成にできる。Ｆｅの上限値は６ａｔ％、
８ａｔ％、１２ａｔ％、１５ａｔ％、２０ａｔ％になる
ことも考えられる。Ｎｉの上限値は６ａｔ％、８ａｔ
％、１２ａｔ％、１５ａｔ％、２０ａｔ％になることも
考えられる。
【００１８】請求項３に係るアルミワイヤボンディング
用パッドは、一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、ａ
ｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が３以下のＦｅ−Ｎｉ系の組成をも
つパッド本体と、パッド本体のワイヤ接合面を含む全面
に形成されたＦｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ
以下の表面改質層と、表面改質層の全面に積層されたＮ
ｉを基材とするＲｚが０．３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜
とで構成され、表面改質層は、ａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が
３以下であることを特徴とするものである。
用パッドは、一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、ａ
ｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が３以下のＦｅ−Ｎｉ系の組成をも
つパッド本体と、パッド本体のワイヤ接合面を含む全面
に形成されたＦｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ
以下の表面改質層と、表面改質層の全面に積層されたＮ
ｉを基材とするＲｚが０．３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜
とで構成され、表面改質層は、ａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が
３以下であることを特徴とするものである。
【００１９】本発明者による研究によれば、Ｎｉの選択
溶解を抑制しつつ酸化薄膜を生成すれば、Ｒｚが０．３
μｍ以下の表面改質層が得られると考えられる。そのた
め、上記組成をもつパッド本体においてＮｉの選択溶解
を抑制して、前述した様にａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比を３以
下にすれば、Ｒｚが０．３μｍ以下の良好な表面改質層
が得られると推察される。
溶解を抑制しつつ酸化薄膜を生成すれば、Ｒｚが０．３
μｍ以下の表面改質層が得られると考えられる。そのた
め、上記組成をもつパッド本体においてＮｉの選択溶解
を抑制して、前述した様にａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比を３以
下にすれば、Ｒｚが０．３μｍ以下の良好な表面改質層
が得られると推察される。
【００２０】請求項４に係るアルミワイヤボンディング
用パッドは、一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、パッド本体のワ
イヤ接合面を含む全面に形成されたＦｅ、Ｎｉ及びＯを
含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質層と、表面改質層
の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚが０．３μｍ
以下のＮｉ系メッキ膜とで構成され、ａｔ％で表面改質
層のＦｅ／Ｎｉ比をＡとし、ａｔ％でパッド本体のＦｅ
／Ｎｉ比をＢとしたとき、両者の比（Ａ／Ｂ）が１〜２
であることを特徴とするものである。
用パッドは、一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、パッド本体のワ
イヤ接合面を含む全面に形成されたＦｅ、Ｎｉ及びＯを
含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質層と、表面改質層
の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚが０．３μｍ
以下のＮｉ系メッキ膜とで構成され、ａｔ％で表面改質
層のＦｅ／Ｎｉ比をＡとし、ａｔ％でパッド本体のＦｅ
／Ｎｉ比をＢとしたとき、両者の比（Ａ／Ｂ）が１〜２
であることを特徴とするものである。
【００２１】本発明者による研究によれば、Ｎｉの選択
溶解を抑制しつつ酸化薄膜を生成すれば、Ｒｚが０．３
μｍ以下の表面改質層が得られると考えられている。そ
のため、表面改質層を形成する際に、Ｎｉの選択溶解を
抑制して表面改質層におけるＦｅ／Ｎｉの比であるＡの
値を、パッド本体におけるＦｅ／Ｎｉの比であるＢの値
に対して近づけ、両者の比（Ａ／Ｂ）が１〜２の範囲に
おさまる様にすれば、Ｒｚが０．３μｍ以下の良好な表
面改質層が得られると推察される。
溶解を抑制しつつ酸化薄膜を生成すれば、Ｒｚが０．３
μｍ以下の表面改質層が得られると考えられている。そ
のため、表面改質層を形成する際に、Ｎｉの選択溶解を
抑制して表面改質層におけるＦｅ／Ｎｉの比であるＡの
値を、パッド本体におけるＦｅ／Ｎｉの比であるＢの値
に対して近づけ、両者の比（Ａ／Ｂ）が１〜２の範囲に
おさまる様にすれば、Ｒｚが０．３μｍ以下の良好な表
面改質層が得られると推察される。
【００２２】請求項５に係るアルミワイヤボンディング
用パッドは、請求項１乃至４において、Ｎｉ系メッキ膜
にボンディングで結合されたアルミワイヤを備えたこと
を特徴とするものである。更に本発明に係るアルミワイ
ヤボンディング用パッドについて説明を加える。図１に
本発明にかかるパッドの一例の模式図を示す。図１から
理解できる様に、パッド本体１０は半田接合面１１及び
ワイヤ接合面１３並びにリング状外周面１４を備えてい
る。半田接合面１１及びワイヤ接合面１３など含むパッ
ド本体１０の全面には、Ｎｉ系メッキ膜１０ｘが積層さ
れている。このＮｉ系メッキ膜１０ｘは半田付け性を確
保する機能を奏する。
用パッドは、請求項１乃至４において、Ｎｉ系メッキ膜
にボンディングで結合されたアルミワイヤを備えたこと
を特徴とするものである。更に本発明に係るアルミワイ
ヤボンディング用パッドについて説明を加える。図１に
本発明にかかるパッドの一例の模式図を示す。図１から
理解できる様に、パッド本体１０は半田接合面１１及び
ワイヤ接合面１３並びにリング状外周面１４を備えてい
る。半田接合面１１及びワイヤ接合面１３など含むパッ
ド本体１０の全面には、Ｎｉ系メッキ膜１０ｘが積層さ
れている。このＮｉ系メッキ膜１０ｘは半田付け性を確
保する機能を奏する。
【００２３】本発明にかかるパッドを組付け実装する際
には、半田が溶融凝固した半田付け部５４を介してパッ
ド本体１０の半田接合面１１側のＮｉ系メッキ膜を電子
基板２０の搭載面２０ａに半田付けすると共に、パッド
本体１０のワイヤ接合面１３側のＮｉ系メッキ膜に超音
波を利用したボンディング処理でアルミワイヤ５５が結
合される。
には、半田が溶融凝固した半田付け部５４を介してパッ
ド本体１０の半田接合面１１側のＮｉ系メッキ膜を電子
基板２０の搭載面２０ａに半田付けすると共に、パッド
本体１０のワイヤ接合面１３側のＮｉ系メッキ膜に超音
波を利用したボンディング処理でアルミワイヤ５５が結
合される。
【００２４】ここで、Ｎｉ系メッキ膜は無電解メッキ処
理で形成しても、あるいは電気メッキ処理で形成しても
良い。これは試験で確認されている。Ｎｉ系メッキ膜の
厚みは一般的には０．８〜２０μｍ、殊に２〜１０μ
ｍ、３〜５μｍ程度にできるが、これに限定されるもの
ではない。またＮｉ系メッキ膜はＮｉ−Ｐメッキでも良
い。この場合、Ｐの量を約１０ｗｔ％とすると一般的に
はアモルファス化する。
理で形成しても、あるいは電気メッキ処理で形成しても
良い。これは試験で確認されている。Ｎｉ系メッキ膜の
厚みは一般的には０．８〜２０μｍ、殊に２〜１０μ
ｍ、３〜５μｍ程度にできるが、これに限定されるもの
ではない。またＮｉ系メッキ膜はＮｉ−Ｐメッキでも良
い。この場合、Ｐの量を約１０ｗｔ％とすると一般的に
はアモルファス化する。
【００２５】請求項６に係るアルミワイヤボンディング
用パッドの製造方法は、一方の面を形成すると共に電子
基板に半田付けされる半田接合面と他方の面を形成する
と共にアルミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面
を備え、Ｆｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、Ｈ2
Ｏ2 及びＨＦを主剤とし｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／Ｈ
Ｆ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の比が３以上の濃度を有する処理液
とを用い、温度５０〜８０°Ｃでパッド本体の表層と処
理液とを接触させパッド本体の表層を表面改質すること
により、Ｆｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下
の表面改質層をパッド本体の表層に形成する工程と、表
面改質層を備えたパッド本体にＮｉ系メッキ処理を実行
して表面改質層にＮｉ系メッキ膜を積層し、パッドを得
る工程とを順に実施することを特徴とするものである。
用パッドの製造方法は、一方の面を形成すると共に電子
基板に半田付けされる半田接合面と他方の面を形成する
と共にアルミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面
を備え、Ｆｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、Ｈ2
Ｏ2 及びＨＦを主剤とし｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／Ｈ
Ｆ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の比が３以上の濃度を有する処理液
とを用い、温度５０〜８０°Ｃでパッド本体の表層と処
理液とを接触させパッド本体の表層を表面改質すること
により、Ｆｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下
の表面改質層をパッド本体の表層に形成する工程と、表
面改質層を備えたパッド本体にＮｉ系メッキ処理を実行
して表面改質層にＮｉ系メッキ膜を積層し、パッドを得
る工程とを順に実施することを特徴とするものである。
【００２６】処理液の温度は５０〜８０°Ｃの間で決定
するが、通常、５０〜７５°Ｃ、特に７０°Ｃにでき
る。処理液はＨ2 Ｏ2 とＨＦとを主剤とする。Ｈ2 Ｏ2
とは過酸化水素を意味する。ＨＦとはフッ化水素酸を意
味する。〔ｍｏｌ／ｌ〕とは、容量モル濃度を示し、溶
液１リットルに含まれているモル数を意味する。本発明
方法では、処理液における｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／
ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の上限値は、５〜６程度にでき
る。また処理液を構成するＨＦの濃度は０．２〔ｍｏｌ
／ｌ〕、０．４〔ｍｏｌ／ｌ〕、０．６〔ｍｏｌ／
ｌ〕、０．８〔ｍｏｌ／ｌ〕、１．２〔ｍｏｌ／ｌ〕、
１．４〔ｍｏｌ／ｌ〕などを採用できる。
するが、通常、５０〜７５°Ｃ、特に７０°Ｃにでき
る。処理液はＨ2 Ｏ2 とＨＦとを主剤とする。Ｈ2 Ｏ2
とは過酸化水素を意味する。ＨＦとはフッ化水素酸を意
味する。〔ｍｏｌ／ｌ〕とは、容量モル濃度を示し、溶
液１リットルに含まれているモル数を意味する。本発明
方法では、処理液における｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／
ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の上限値は、５〜６程度にでき
る。また処理液を構成するＨＦの濃度は０．２〔ｍｏｌ
／ｌ〕、０．４〔ｍｏｌ／ｌ〕、０．６〔ｍｏｌ／
ｌ〕、０．８〔ｍｏｌ／ｌ〕、１．２〔ｍｏｌ／ｌ〕、
１．４〔ｍｏｌ／ｌ〕などを採用できる。
【００２７】この場合、処理液中のＨＦとＨ2 Ｏ2 との
濃度比率は上記した濃度比率に基づき得る。なお処理液
の濃度が濃くなると、処理時間が短くなり、濃度が薄く
なると、処理時間が長くなるのが一般的傾向である。本
発明にかかるパッド本体の母材はＦｅ−Ｎｉ系である。
Ｆｅ−Ｎｉ系は一般的にはａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が３以
下（例えば２以下または１．５以下）のものを採用でき
る。ｗｔ％でいえばＮｉ含有量は２０〜６５％特に２５
〜５５％のもの、例えば４２％のもの、４７％のもの、
５０％のものを採用できる。パッド本体は帯状の圧延品
をプレス打抜き加工で打ち抜いて形成できる。
濃度比率は上記した濃度比率に基づき得る。なお処理液
の濃度が濃くなると、処理時間が短くなり、濃度が薄く
なると、処理時間が長くなるのが一般的傾向である。本
発明にかかるパッド本体の母材はＦｅ−Ｎｉ系である。
Ｆｅ−Ｎｉ系は一般的にはａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が３以
下（例えば２以下または１．５以下）のものを採用でき
る。ｗｔ％でいえばＮｉ含有量は２０〜６５％特に２５
〜５５％のもの、例えば４２％のもの、４７％のもの、
５０％のものを採用できる。パッド本体は帯状の圧延品
をプレス打抜き加工で打ち抜いて形成できる。
【００２８】本発明方法における表面改質層の生成は、
処理液を保持した浴に浸漬させて行うこともできるし、
あるいは、回転するバレル中にパッド本体及び処理液を
装入した状態で傾斜させつつ行うこともできる。傾斜バ
レルの場合にはパッド本体の表面積をＳＡとし、バレル
内の液の容量をＶＡとすると、（ＳＡ／ＶＡ）＝１〜３
〔ｄｍ2 ／リットル〕にできる。また回転バレルでも行
っても良い。
処理液を保持した浴に浸漬させて行うこともできるし、
あるいは、回転するバレル中にパッド本体及び処理液を
装入した状態で傾斜させつつ行うこともできる。傾斜バ
レルの場合にはパッド本体の表面積をＳＡとし、バレル
内の液の容量をＶＡとすると、（ＳＡ／ＶＡ）＝１〜３
〔ｄｍ2 ／リットル〕にできる。また回転バレルでも行
っても良い。
【００２９】＜表面改質のメカニズム＞処理液に含まれ
るＨＦの役割は、主として、パッド本体を構成するＦｅ
−Ｎｉ系合金における金属溶解と考えられる。ＨＦによ
りＦｅ−Ｎｉ系合金の凸部が優先的に溶解する。処理液
に含まれるＨ2 Ｏ2 の役割は、主として、パッド本体を
構成するＦｅ−Ｎｉ系合金における酸化薄膜の生成を促
進すること、ＨＦによる素地表面の選択溶解を抑制する
ことと考えられる。
るＨＦの役割は、主として、パッド本体を構成するＦｅ
−Ｎｉ系合金における金属溶解と考えられる。ＨＦによ
りＦｅ−Ｎｉ系合金の凸部が優先的に溶解する。処理液
に含まれるＨ2 Ｏ2 の役割は、主として、パッド本体を
構成するＦｅ−Ｎｉ系合金における酸化薄膜の生成を促
進すること、ＨＦによる素地表面の選択溶解を抑制する
ことと考えられる。
【００３０】本発明方法においては、上記した処理液に
よる表面改質の重要因子として、処理液の温度があげら
れる。かかる処理液を用いれば、処理液の温度が一定温
度（５０℃）以上ではパッド本体を構成するＦｅ−Ｎｉ
系合金の表層において、Ｈ2Ｏ2 の酸化作用によって緻
密な酸化薄膜と考えられる表面改質層が生成されると推
察される。しかし後述の試験例の様に処理液の温度が３
０〜４０℃程度の低温では、良好なる表面改質層の生成
は実質的には起こらない。
よる表面改質の重要因子として、処理液の温度があげら
れる。かかる処理液を用いれば、処理液の温度が一定温
度（５０℃）以上ではパッド本体を構成するＦｅ−Ｎｉ
系合金の表層において、Ｈ2Ｏ2 の酸化作用によって緻
密な酸化薄膜と考えられる表面改質層が生成されると推
察される。しかし後述の試験例の様に処理液の温度が３
０〜４０℃程度の低温では、良好なる表面改質層の生成
は実質的には起こらない。
【００３１】図２は、本発明者による試験に基づいて描
いたものであり、処理液の浴温度である液温とエッチン
グ量（エッチング深さ）との一般的関係を模式的に示す
グラフである。図２に示す様に、エッチング量が比例的
に増加する（Ｉ）で示す領域と、エッチング量が減少し
た状態で安定する（ＩＩ）で示す領域の２域が処理液の
温度、つまり浴温度によって存在するものである。
（Ｉ）で示す領域と（ＩＩ）で示す領域とでは処理液に
よる表面改質の状態は大きく変わる。即ち、（Ｉ）で示
す領域ではエッチング量が大きいのでパッドの素地表面
は粗くなり、表面粗さはせいぜいＲｚ１μｍの前後の範
囲となる。一方、図２に示す（ＩＩ）で示す領域では素
地表面の表面粗さはＲｚ０．３μｍ以下に仕上がり、光
沢もあり、極めて平滑となる。
いたものであり、処理液の浴温度である液温とエッチン
グ量（エッチング深さ）との一般的関係を模式的に示す
グラフである。図２に示す様に、エッチング量が比例的
に増加する（Ｉ）で示す領域と、エッチング量が減少し
た状態で安定する（ＩＩ）で示す領域の２域が処理液の
温度、つまり浴温度によって存在するものである。
（Ｉ）で示す領域と（ＩＩ）で示す領域とでは処理液に
よる表面改質の状態は大きく変わる。即ち、（Ｉ）で示
す領域ではエッチング量が大きいのでパッドの素地表面
は粗くなり、表面粗さはせいぜいＲｚ１μｍの前後の範
囲となる。一方、図２に示す（ＩＩ）で示す領域では素
地表面の表面粗さはＲｚ０．３μｍ以下に仕上がり、光
沢もあり、極めて平滑となる。
【００３２】図２における各領域の反応状態を述べる
と、（Ｉ）で示す領域ではＨＦによって素地が溶解され
るエッチング作用が大きいと考えられる。即ち、かかる
溶解作用を抑制するＨ2 Ｏ2 の作用が小さいので、溶解
抑制が不足する不足域であり、従って、パッド本体を構
成する素地金属の溶解しやすい材質偏析部分が選択溶
解、つまり選択的にエッチング腐食され、この結果、上
記した様に表面粗さが粗くなる。なお図２の（Ｉ）で示
す領域では浴温度が上昇するにつれてエッチング量は多
くなる。
と、（Ｉ）で示す領域ではＨＦによって素地が溶解され
るエッチング作用が大きいと考えられる。即ち、かかる
溶解作用を抑制するＨ2 Ｏ2 の作用が小さいので、溶解
抑制が不足する不足域であり、従って、パッド本体を構
成する素地金属の溶解しやすい材質偏析部分が選択溶
解、つまり選択的にエッチング腐食され、この結果、上
記した様に表面粗さが粗くなる。なお図２の（Ｉ）で示
す領域では浴温度が上昇するにつれてエッチング量は多
くなる。
【００３３】図２から理解できる様に、（Ｉ）に示す領
域と（ＩＩ）で示す領域との境界域には、浴温度でエッ
チング量が増加しない領域Ｓ１が存在する。かかる領域
Ｓ１ではＨ2 Ｏ2 による酸化薄膜生成作用が大きくな
り、ＨＦによる溶解を抑制する作用が始まる領域である
といえる。従って領域Ｓ１では、表面粗さはＲｚ０．４
〜１．０μｍ程度と向上するものの、表面の一部に選択
腐食の線状跡が一部残存することが走査型電子顕微鏡写
真で確認された。また処理液のモル比を大きくすれば、
Ｈ2 Ｏ2 が増えてＨ2 Ｏ2 による酸化薄膜生成作用が大
きくなるので、浴温度が５０℃でも表面粗さは小さくな
る（後述の図３の特性より明らか）。
域と（ＩＩ）で示す領域との境界域には、浴温度でエッ
チング量が増加しない領域Ｓ１が存在する。かかる領域
Ｓ１ではＨ2 Ｏ2 による酸化薄膜生成作用が大きくな
り、ＨＦによる溶解を抑制する作用が始まる領域である
といえる。従って領域Ｓ１では、表面粗さはＲｚ０．４
〜１．０μｍ程度と向上するものの、表面の一部に選択
腐食の線状跡が一部残存することが走査型電子顕微鏡写
真で確認された。また処理液のモル比を大きくすれば、
Ｈ2 Ｏ2 が増えてＨ2 Ｏ2 による酸化薄膜生成作用が大
きくなるので、浴温度が５０℃でも表面粗さは小さくな
る（後述の図３の特性より明らか）。
【００３４】図２の（ＩＩ）で示す領域は前述した表面
粗さが小さい表面改質層を形成する領域であり、しかも
パッド本体の素地表面における凸部の優先溶解となり、
素地表面は平滑化が促進されるばかりか、プレスバリが
発生している場合であってもプレスバリは実質的に溶解
除去される。従って（ＩＩ）で示す領域では表面改質層
の表面粗さはＲｚ０．２μｍと小さくなり、極めて平滑
化し鏡面程度も高い。このことはパッド本体がプレス加
工の打抜き製品の場合であっても、打抜き方向を問わ
ず、パッド本体の相対する両面が同じ程度の平滑度とな
る。
粗さが小さい表面改質層を形成する領域であり、しかも
パッド本体の素地表面における凸部の優先溶解となり、
素地表面は平滑化が促進されるばかりか、プレスバリが
発生している場合であってもプレスバリは実質的に溶解
除去される。従って（ＩＩ）で示す領域では表面改質層
の表面粗さはＲｚ０．２μｍと小さくなり、極めて平滑
化し鏡面程度も高い。このことはパッド本体がプレス加
工の打抜き製品の場合であっても、打抜き方向を問わ
ず、パッド本体の相対する両面が同じ程度の平滑度とな
る。
【００３５】＜処理液のモル比＞図３は本発明者等によ
る試験に基づいて描いたものであり、横軸に処理液にお
ける｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝
であるモル比をとり、縦軸に（ＩＩ）で示す領域、つま
り表面改質層による光沢域を得るに要する処理液の温度
つまり浴温度をとったものである。図３に示す様に処理
液のモル比が増大すると、（ＩＩ）で示す領域つまり光
沢域を形成するに要する浴温度は低下することがわか
る。
る試験に基づいて描いたものであり、横軸に処理液にお
ける｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕／ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝
であるモル比をとり、縦軸に（ＩＩ）で示す領域、つま
り表面改質層による光沢域を得るに要する処理液の温度
つまり浴温度をとったものである。図３に示す様に処理
液のモル比が増大すると、（ＩＩ）で示す領域つまり光
沢域を形成するに要する浴温度は低下することがわか
る。
【００３６】パッド本体を構成する素地材質により若干
の変化はあるが、Ｆｅ−Ｎｉ系合金によれば、処理液に
おけるモル比を大きくすれば、即ち、Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ
／ｌ〕：ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕＝３：１とすれば、図３に
示す様に、平滑化領域つまり光沢域を得るための最低浴
温度が約５０℃となり、従って実操業としては極めて容
易になる。
の変化はあるが、Ｆｅ−Ｎｉ系合金によれば、処理液に
おけるモル比を大きくすれば、即ち、Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ
／ｌ〕：ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕＝３：１とすれば、図３に
示す様に、平滑化領域つまり光沢域を得るための最低浴
温度が約５０℃となり、従って実操業としては極めて容
易になる。
【００３７】なお、表面改質層の生成反応によるＨ2 Ｏ
2 の消耗があるので前記したモル比を３：１以上にする
ため、Ｈ2 Ｏ2 消耗分のＨ2 Ｏ2 液の補充により濃度比
の安定化を図ることが好ましい。 ＜ボンディングパッドの製造工程＞本発明者等による試
験では、図４に示す工程を実施した。即ち、プレス工程
においてＦｅ−Ｎｉ系合金の帯材をパッド形状にプレス
打抜き加工したプレス品を用いる。そして脱脂工程にお
いてそのプレス品をアルカリ洗浄液で脱脂し、酸洗いの
後に、本発明方法における表面改質処理に相当するＡＴ
処理をした。ＡＴ処理では、処理液に９０〜１８０秒間
接触させて表面改質をし、表面改質層を形成した。その
後、メッキ前処理を経てＮｉメッキ処理を行った。
2 の消耗があるので前記したモル比を３：１以上にする
ため、Ｈ2 Ｏ2 消耗分のＨ2 Ｏ2 液の補充により濃度比
の安定化を図ることが好ましい。 ＜ボンディングパッドの製造工程＞本発明者等による試
験では、図４に示す工程を実施した。即ち、プレス工程
においてＦｅ−Ｎｉ系合金の帯材をパッド形状にプレス
打抜き加工したプレス品を用いる。そして脱脂工程にお
いてそのプレス品をアルカリ洗浄液で脱脂し、酸洗いの
後に、本発明方法における表面改質処理に相当するＡＴ
処理をした。ＡＴ処理では、処理液に９０〜１８０秒間
接触させて表面改質をし、表面改質層を形成した。その
後、メッキ前処理を経てＮｉメッキ処理を行った。
【００３８】具体的な製造工程としては次の様な二種類
採用できる。両種類ともにＡｌワイヤに対するボンディ
ング向上効果が確認された。一方の例は表面改質した後
に一度工程を中断して乾燥工程、保管工程を経てＮｉメ
ッキ処理工程を実行するものである。この方式では、Ｎ
ｉメッキ処理における処理量が、処理液による表面改質
処理における処理量よりも少ない場合に適するものであ
る。この場合には、１回あたりの表面改質処理における
処理量を大きくできる意味において、コスト低減効果が
ある。他方の例は、プレス工程の後に、表面改質処理を
含む前処理工程を連続的に実施し、その後に連続してＮ
ｉメッキ処理するものである。これは連続的に実施でき
ればコスト的に好ましい。＜パッド本体のＮｉメッキ処
理後の表面粗さ＞本発明者等の試験によれば、表面改質
層を形成したパッド本体をＮｉメッキ処理した後の表面
粗さは、Ｎｉ系メッキ膜が積層されていてもあまり粗く
なることはなく、表面改質層の表面粗さとほぼ同じかそ
れよりも小さくなる傾向となる。即ち、パッドに積層さ
れているＮｉ系メッキ膜の表面粗さは、パッド本体の表
面改質層の表面粗さで基本的には決定づけられると考え
られる。ここでパッド本体の素地表面の表面粗さは、パ
ッド本体が圧延品からなる場合には、図５に示す様に、
一般的にはＲｚ０．６〜０．８μｍ程度であり、プレス
打抜き工程で大きく変化することはない。これに表面改
質層を形成すれば、図５に示す様にＲｚはもっと小さく
なり、Ｒｚが０．２プラスマイナス０．１μｍと極めて
小さくなる。
採用できる。両種類ともにＡｌワイヤに対するボンディ
ング向上効果が確認された。一方の例は表面改質した後
に一度工程を中断して乾燥工程、保管工程を経てＮｉメ
ッキ処理工程を実行するものである。この方式では、Ｎ
ｉメッキ処理における処理量が、処理液による表面改質
処理における処理量よりも少ない場合に適するものであ
る。この場合には、１回あたりの表面改質処理における
処理量を大きくできる意味において、コスト低減効果が
ある。他方の例は、プレス工程の後に、表面改質処理を
含む前処理工程を連続的に実施し、その後に連続してＮ
ｉメッキ処理するものである。これは連続的に実施でき
ればコスト的に好ましい。＜パッド本体のＮｉメッキ処
理後の表面粗さ＞本発明者等の試験によれば、表面改質
層を形成したパッド本体をＮｉメッキ処理した後の表面
粗さは、Ｎｉ系メッキ膜が積層されていてもあまり粗く
なることはなく、表面改質層の表面粗さとほぼ同じかそ
れよりも小さくなる傾向となる。即ち、パッドに積層さ
れているＮｉ系メッキ膜の表面粗さは、パッド本体の表
面改質層の表面粗さで基本的には決定づけられると考え
られる。ここでパッド本体の素地表面の表面粗さは、パ
ッド本体が圧延品からなる場合には、図５に示す様に、
一般的にはＲｚ０．６〜０．８μｍ程度であり、プレス
打抜き工程で大きく変化することはない。これに表面改
質層を形成すれば、図５に示す様にＲｚはもっと小さく
なり、Ｒｚが０．２プラスマイナス０．１μｍと極めて
小さくなる。
【００３９】ところで帯材を圧延する際の表面欠陥およ
び帯材をプレス加工してパッド本体を打ち抜く時のバリ
等を除去しながらパッド本体の表面粗さを小さくする他
の手段として、バレル研磨による比較例を実施した。こ
の比較例では、遠心流動バレル研磨機を用いた。かかる
バレル研磨では、研磨度の選定および時間条件等を最適
化しても、パッド本体の表面粗さは０．４μｍがほぼ限
界であった（図５参照）。この比較例はバレル研磨によ
る表面改質であり、表面粗さで一定の改善効果が得られ
たものの、この比較例では、プレスバリを除去する条件
とパッド本体の表面粗さを小にする条件とが相反する傾
向となり、プレスバリを除去する条件ではパッド本体の
表面粗さを小さくするのに限界があった。更にこのバレ
ル研磨による比較例では、パッド本体の良好なる表面粗
さをねらうには、相当長時間のバレル処理時間を必要と
し、コスト高になる。更に研磨剤の除去が不充分となる
不具合がある。この点本発明方法とは異なる。
び帯材をプレス加工してパッド本体を打ち抜く時のバリ
等を除去しながらパッド本体の表面粗さを小さくする他
の手段として、バレル研磨による比較例を実施した。こ
の比較例では、遠心流動バレル研磨機を用いた。かかる
バレル研磨では、研磨度の選定および時間条件等を最適
化しても、パッド本体の表面粗さは０．４μｍがほぼ限
界であった（図５参照）。この比較例はバレル研磨によ
る表面改質であり、表面粗さで一定の改善効果が得られ
たものの、この比較例では、プレスバリを除去する条件
とパッド本体の表面粗さを小にする条件とが相反する傾
向となり、プレスバリを除去する条件ではパッド本体の
表面粗さを小さくするのに限界があった。更にこのバレ
ル研磨による比較例では、パッド本体の良好なる表面粗
さをねらうには、相当長時間のバレル処理時間を必要と
し、コスト高になる。更に研磨剤の除去が不充分となる
不具合がある。この点本発明方法とは異なる。
【００４０】本発明に相当する試験例では、処理液によ
る表面改質処理でパッド本体の表面粗さＲｚ０．２μｍ
が得られるだけでなく、プレスバリの高さ０．３ｍｍの
異常品も容易に除去が可能であった。
る表面改質処理でパッド本体の表面粗さＲｚ０．２μｍ
が得られるだけでなく、プレスバリの高さ０．３ｍｍの
異常品も容易に除去が可能であった。
【００４１】
【発明の効果】請求項１〜５のパッドによれば、パッド
本体のワイヤ接合面側のＮｉ系メッキ膜にＡｌワイヤが
ボンディングされるものである。この様にＮｉ系メッキ
膜とＡｌワイヤとの異材質間におけるボンディングであ
っても、請求項１〜５のパッドによれば、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｏを含みＲｚで０．３μｍ以下の良好な表面改質層が形
成されているので、ボンディングによる接合部分の強度
が向上し、ボンディングの信頼性が向上する。特にＡｌ
面とＡｌワイヤと間のボンディングと同等または同等以
上の品質が確保される。これは特定の表面粗さと組成を
もつ表面改質層の影響によるものと推察される。
本体のワイヤ接合面側のＮｉ系メッキ膜にＡｌワイヤが
ボンディングされるものである。この様にＮｉ系メッキ
膜とＡｌワイヤとの異材質間におけるボンディングであ
っても、請求項１〜５のパッドによれば、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｏを含みＲｚで０．３μｍ以下の良好な表面改質層が形
成されているので、ボンディングによる接合部分の強度
が向上し、ボンディングの信頼性が向上する。特にＡｌ
面とＡｌワイヤと間のボンディングと同等または同等以
上の品質が確保される。これは特定の表面粗さと組成を
もつ表面改質層の影響によるものと推察される。
【００４２】更に請求項１〜５のパッドによれば、表面
改質層及びＮｉ系メッキ膜はパッドの全面に形成されて
いるので、パッドの一方の面側の半田接合面、他方の面
側のワイヤ接合面は基本的にはそれぞれ同じ品質をもつ
ことになる。従って、ＩＣ基板等へ組付実装する際にパ
ッドの表裏を選別する必要がなくなり、従ってパーツフ
ィーダ等の選別手段や選別工程を廃止できるのみなら
ず、組付け実装における不良を無くすのに有利である。
改質層及びＮｉ系メッキ膜はパッドの全面に形成されて
いるので、パッドの一方の面側の半田接合面、他方の面
側のワイヤ接合面は基本的にはそれぞれ同じ品質をもつ
ことになる。従って、ＩＣ基板等へ組付実装する際にパ
ッドの表裏を選別する必要がなくなり、従ってパーツフ
ィーダ等の選別手段や選別工程を廃止できるのみなら
ず、組付け実装における不良を無くすのに有利である。
【００４３】加えて請求項１〜５のパッドによれば、表
面改質層及びＮｉ系メッキ膜はパッドの全面に形成され
ているので、パッドの耐腐食性も向上し、厳しい環境下
において長年使用してもパッドの腐食は抑制される。従
って、この意味においてもボンディングの信頼性は向上
する。請求項６の方法によれば、表面改質は処理液にお
けるＨＦ及びＨ2 Ｏ2 の濃度比、温度条件を規定するこ
とにより、上記したＲｚが０．３μｍ以下の良好な表面
改質層の生成が容易となる。従ってＮｉ系メッキ膜とＡ
ｌワイヤとの異材質間のボンディングであっても、ボン
ディングの信頼性が高いパッドを製造することができ
る。
面改質層及びＮｉ系メッキ膜はパッドの全面に形成され
ているので、パッドの耐腐食性も向上し、厳しい環境下
において長年使用してもパッドの腐食は抑制される。従
って、この意味においてもボンディングの信頼性は向上
する。請求項６の方法によれば、表面改質は処理液にお
けるＨＦ及びＨ2 Ｏ2 の濃度比、温度条件を規定するこ
とにより、上記したＲｚが０．３μｍ以下の良好な表面
改質層の生成が容易となる。従ってＮｉ系メッキ膜とＡ
ｌワイヤとの異材質間のボンディングであっても、ボン
ディングの信頼性が高いパッドを製造することができ
る。
【００４４】さらに請求項６の方法によれば、パッド本
体にバリが形成されている場合であっても、表面改質処
理の際に処理液とパッド本体と接触させれば、処理液の
溶解作用によりバリを溶解除去し易くなり、バリが軽減
または回避されたパッドを得ることができる。従って本
発明方法で製造したパッドを電子基板に半田付けで固定
して搭載した際において、バリに起因するパッドの搭載
不良が軽減、回避され、パッドを電子基板の搭載面に正
常に搭載し易い。この意味においてもボンディングの信
頼性を確保できる。
体にバリが形成されている場合であっても、表面改質処
理の際に処理液とパッド本体と接触させれば、処理液の
溶解作用によりバリを溶解除去し易くなり、バリが軽減
または回避されたパッドを得ることができる。従って本
発明方法で製造したパッドを電子基板に半田付けで固定
して搭載した際において、バリに起因するパッドの搭載
不良が軽減、回避され、パッドを電子基板の搭載面に正
常に搭載し易い。この意味においてもボンディングの信
頼性を確保できる。
【００４５】
【実施例】実施例について比較例と共に説明する。実施
例である標準ＡＴ処理（表面改質処理）に基づいて、表
面改質層を全面にもつ試験片を作成した。試験片の母材
は、４２ｗｔ％（Ｆｅ−Ｎｉ状態図によれば４０ａｔ％
程度）のＮｉ及び不可避の不純物を含むＦｅ−Ｎｉ系で
ある。試験片は、パッドに相当する形状であり、厚みが
０．５ｍｍ、直径が１．６ｍｍである。試験片の表面粗
さは、標準ＡＴ処理（表面改質処理）前の状態でＲｚ
０．６〜１μｍである。
例である標準ＡＴ処理（表面改質処理）に基づいて、表
面改質層を全面にもつ試験片を作成した。試験片の母材
は、４２ｗｔ％（Ｆｅ−Ｎｉ状態図によれば４０ａｔ％
程度）のＮｉ及び不可避の不純物を含むＦｅ−Ｎｉ系で
ある。試験片は、パッドに相当する形状であり、厚みが
０．５ｍｍ、直径が１．６ｍｍである。試験片の表面粗
さは、標準ＡＴ処理（表面改質処理）前の状態でＲｚ
０．６〜１μｍである。
【００４６】ここで標準ＡＴ処理では、Ｈ2 Ｏ2 が３
〔ｍｏｌ／ｌ〕の溶液と、ＨＦが１〔ｍｏｌ／ｌ〕の溶
液とを混合した、即ち両者のモル比（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）
が３である処理液を保持した浴を用い、浴温度を６０°
Ｃとし、浴の処理液に上記試験片を１２０秒間浸漬して
表面改質層を生成し、その後に無電解メッキ処理（上村
工業株式会社：ニムデンＤＸ）を行い、表面改質層にＮ
ｉ系メッキ膜としてＮｉ−Ｐメッキ膜を積層した。この
Ｎｉ系メッキ膜の厚みは３．２〜３．８μｍであり、表
面粗さはＲｚ０．２μｍと小さかった。なお各試験片に
おけるＮｉ系メッキ膜中のＰ含有量は９．１４〜１１．
２５ｗｔ％であった。
〔ｍｏｌ／ｌ〕の溶液と、ＨＦが１〔ｍｏｌ／ｌ〕の溶
液とを混合した、即ち両者のモル比（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）
が３である処理液を保持した浴を用い、浴温度を６０°
Ｃとし、浴の処理液に上記試験片を１２０秒間浸漬して
表面改質層を生成し、その後に無電解メッキ処理（上村
工業株式会社：ニムデンＤＸ）を行い、表面改質層にＮ
ｉ系メッキ膜としてＮｉ−Ｐメッキ膜を積層した。この
Ｎｉ系メッキ膜の厚みは３．２〜３．８μｍであり、表
面粗さはＲｚ０．２μｍと小さかった。なお各試験片に
おけるＮｉ系メッキ膜中のＰ含有量は９．１４〜１１．
２５ｗｔ％であった。
【００４７】同様に比較例１として、本発明に相当する
実施例と同種の試験片を用いて低温ＡＴ処理を行った。
即ち、低温ＡＴ処理では高温ＡＴ処理で用いた処理液と
同種の処理液を保持した浴を用い、浴温度を４０°Ｃと
したものである。低温ＡＴ処理では、浴の処理液に試験
片を前述同様に１２０秒間浸漬し、その後に無電解メッ
キ処理を同様な条件で行いＮｉ系メッキ膜を積層した。
このＮｉ系メッキ膜の厚みは３．８μｍであり、表面粗
さはＲｚ０．８μｍであり、実施例に係る標準ＡＴ処理
の場合（Ｒｚ：０．２μｍ）よりも大きかった。
実施例と同種の試験片を用いて低温ＡＴ処理を行った。
即ち、低温ＡＴ処理では高温ＡＴ処理で用いた処理液と
同種の処理液を保持した浴を用い、浴温度を４０°Ｃと
したものである。低温ＡＴ処理では、浴の処理液に試験
片を前述同様に１２０秒間浸漬し、その後に無電解メッ
キ処理を同様な条件で行いＮｉ系メッキ膜を積層した。
このＮｉ系メッキ膜の厚みは３．８μｍであり、表面粗
さはＲｚ０．８μｍであり、実施例に係る標準ＡＴ処理
の場合（Ｒｚ：０．２μｍ）よりも大きかった。
【００４８】更に比較例２として、本発明に相当する実
施例と同種の試験片を用い、その試験片をバレル研磨し
た後に無電解メッキ処理を同様な条件で行い、Ｎｉ系メ
ッキ膜を積層した。このＮｉ系メッキ膜の厚みは３．０
〜３．８μｍであり、表面粗さはＲｚ０．４〜０．６μ
ｍであった。この場合バレル研磨剤の材質はセラミック
ス、大きさは０．１〜０．３ｍｍとした。
施例と同種の試験片を用い、その試験片をバレル研磨し
た後に無電解メッキ処理を同様な条件で行い、Ｎｉ系メ
ッキ膜を積層した。このＮｉ系メッキ膜の厚みは３．０
〜３．８μｍであり、表面粗さはＲｚ０．４〜０．６μ
ｍであった。この場合バレル研磨剤の材質はセラミック
ス、大きさは０．１〜０．３ｍｍとした。
【００４９】そして上記した各試験片に超音波ボンディ
ング処理により同種のＡｌワイヤをそれぞれ結合した。
超音波ボンディング処理の条件は、ワイヤ押付荷重が５
００ｇｆ、超音波印加時間が０．５秒、超音波出力が
２．２５〜４．０Ｗ、Ａｌワイヤはアルミが９９．９９
ｗｔ％、ワイヤ直径が３００μｍである。これら各試験
片の半田接合面をアルミナ基板の搭載面に半田付けした
状態で、評価試験した。
ング処理により同種のＡｌワイヤをそれぞれ結合した。
超音波ボンディング処理の条件は、ワイヤ押付荷重が５
００ｇｆ、超音波印加時間が０．５秒、超音波出力が
２．２５〜４．０Ｗ、Ａｌワイヤはアルミが９９．９９
ｗｔ％、ワイヤ直径が３００μｍである。これら各試験
片の半田接合面をアルミナ基板の搭載面に半田付けした
状態で、評価試験した。
【００５０】評価試験では、ボンディングの際における
Ａｌワイヤつぶれ幅、引張破断強度、せん断強度を測定
した。ワイヤつぶれ幅は、Ａｌワイヤのボンディング後
の最大幅を測定した。引張破断強度は、ボンディング部
分に引張力が作用する形態でＡｌワイヤを押して測定し
た。セン断強度は、ボンディング部分にせん断力が作用
する形態でＡｌワイヤを押して測定した。
Ａｌワイヤつぶれ幅、引張破断強度、せん断強度を測定
した。ワイヤつぶれ幅は、Ａｌワイヤのボンディング後
の最大幅を測定した。引張破断強度は、ボンディング部
分に引張力が作用する形態でＡｌワイヤを押して測定し
た。セン断強度は、ボンディング部分にせん断力が作用
する形態でＡｌワイヤを押して測定した。
【００５１】測定結果を図６〜図１３に示す。図６及び
図７は横軸に超音波出力をとり、縦軸につぶれ幅をとっ
たグラフである。●は実施例に係る標準ＡＴの場合、◇
は比較例１に係る低温ＡＴの場合、△は比較例２に係る
バレル研磨の場合を示す。図６の特性線Ｃ１は●に基づ
くものであり、特性線Ｃ２は◇に基づくものであり、特
性線Ｃ１と特性線Ｃ２との比較から理解できる様に、標
準ＡＴの場合には低温ＡＴの場合よりも、超音波出力が
同じであっても、Ａｌワイヤの接合部のつぶれ幅が大き
いことがわかる。また図７の特性線Ｄ１（特性線Ｃ１と
同じ）と、△に基づく特性線Ｄ２との比較から理解でき
る様に、標準ＡＴの場合にはバレル研磨の場合よりも、
超音波出力が同じであっても、一般にＡｌワイヤの接合
部のつぶれ幅が大きいことがわかる。この様につぶれ幅
が大きいことは、Ａｌワイヤをボンディングし易く、ボ
ンディングが良好であることを意味する。これはパッド
の表面粗さが小さいことにより、超音波振動によりＡｌ
が良く広がるためと考えられる。
図７は横軸に超音波出力をとり、縦軸につぶれ幅をとっ
たグラフである。●は実施例に係る標準ＡＴの場合、◇
は比較例１に係る低温ＡＴの場合、△は比較例２に係る
バレル研磨の場合を示す。図６の特性線Ｃ１は●に基づ
くものであり、特性線Ｃ２は◇に基づくものであり、特
性線Ｃ１と特性線Ｃ２との比較から理解できる様に、標
準ＡＴの場合には低温ＡＴの場合よりも、超音波出力が
同じであっても、Ａｌワイヤの接合部のつぶれ幅が大き
いことがわかる。また図７の特性線Ｄ１（特性線Ｃ１と
同じ）と、△に基づく特性線Ｄ２との比較から理解でき
る様に、標準ＡＴの場合にはバレル研磨の場合よりも、
超音波出力が同じであっても、一般にＡｌワイヤの接合
部のつぶれ幅が大きいことがわかる。この様につぶれ幅
が大きいことは、Ａｌワイヤをボンディングし易く、ボ
ンディングが良好であることを意味する。これはパッド
の表面粗さが小さいことにより、超音波振動によりＡｌ
が良く広がるためと考えられる。
【００５２】なお図６に示す●と図７に示す●は同一の
データであり、●が他の印に重複して記されるときには
見にくくなるため、●の一部を略している。図８及び図
９は横軸に超音波出力をとり、縦軸に引張破断強度をと
ったグラフである。○●は標準ＡＴの場合、◇◆は低温
ＡＴの場合、△”黒三角”（電子出願の際の細則に基づ
く制約により”黒三角”と称する）はバレル研磨の場合
を示す。図８の○に基づく特性線Ｅ１と◇に基づく特性
線Ｅ２との比較から理解できる様に、標準ＡＴの場合に
は低温ＡＴの場合よりも、同じ超音波出力であっても、
引張破断強度が大きいことがわかる。図９の○に基づく
特性線Ｆ１（特性線Ｅ１と同じ）と、△に基づく特性線
Ｆ２との比較から理解できる様に、標準ＡＴの場合には
バレル研磨の場合よりも、同じ超音波出力であっても、
引張破断強度が大きいことがわかる。図８及び図９にお
いてワイヤハクリとは、Ａｌワイヤと試験片とをボンデ
ィングしたワイヤ接合部が剥離したことを意味する。ま
た、ネック破断とは、Ａｌワイヤと試験片とをボンディ
ングしたワイヤ接合部が剥離せずに、Ａｌワイヤ自体が
破断したことを意味する。換言すれば、ネック破断と
は、ボンディングしたワイヤ接合部が強固であり、Ａｌ
ワイヤ自体よりも高強度であることを意味する。従っ
て、図８、図９におけるネック破断を示す●◆、●”黒
三角”は、ワイヤ接合部が強固であったことを意味す
る。
データであり、●が他の印に重複して記されるときには
見にくくなるため、●の一部を略している。図８及び図
９は横軸に超音波出力をとり、縦軸に引張破断強度をと
ったグラフである。○●は標準ＡＴの場合、◇◆は低温
ＡＴの場合、△”黒三角”（電子出願の際の細則に基づ
く制約により”黒三角”と称する）はバレル研磨の場合
を示す。図８の○に基づく特性線Ｅ１と◇に基づく特性
線Ｅ２との比較から理解できる様に、標準ＡＴの場合に
は低温ＡＴの場合よりも、同じ超音波出力であっても、
引張破断強度が大きいことがわかる。図９の○に基づく
特性線Ｆ１（特性線Ｅ１と同じ）と、△に基づく特性線
Ｆ２との比較から理解できる様に、標準ＡＴの場合には
バレル研磨の場合よりも、同じ超音波出力であっても、
引張破断強度が大きいことがわかる。図８及び図９にお
いてワイヤハクリとは、Ａｌワイヤと試験片とをボンデ
ィングしたワイヤ接合部が剥離したことを意味する。ま
た、ネック破断とは、Ａｌワイヤと試験片とをボンディ
ングしたワイヤ接合部が剥離せずに、Ａｌワイヤ自体が
破断したことを意味する。換言すれば、ネック破断と
は、ボンディングしたワイヤ接合部が強固であり、Ａｌ
ワイヤ自体よりも高強度であることを意味する。従っ
て、図８、図９におけるネック破断を示す●◆、●”黒
三角”は、ワイヤ接合部が強固であったことを意味す
る。
【００５３】図８においてＥ１ａは破断形態がワイヤハ
クリからネック破断に移行する変換域を示す。図９にお
いてＦ２ａは破断形態がワイヤハクリからネック破断に
移行する変換域を示す。Ｅ１ａ、Ｆ１ａ、Ｆ２ａの各位
置から理解できる様に、実施例に係る標準ＡＴ処理の場
合には、比較例１に係る低温ＡＴ処理、比較例２に係る
バレル研磨の場合に比較して、変換域Ｅ１ａ（＝Ｆ１
ａ）が低超音波出力側に移行している。従って実際のボ
ンディング処理においてボンディング接合部の強度を確
保しつつ超音波出力を小さく済ませ得る利点が得られ
る。
クリからネック破断に移行する変換域を示す。図９にお
いてＦ２ａは破断形態がワイヤハクリからネック破断に
移行する変換域を示す。Ｅ１ａ、Ｆ１ａ、Ｆ２ａの各位
置から理解できる様に、実施例に係る標準ＡＴ処理の場
合には、比較例１に係る低温ＡＴ処理、比較例２に係る
バレル研磨の場合に比較して、変換域Ｅ１ａ（＝Ｆ１
ａ）が低超音波出力側に移行している。従って実際のボ
ンディング処理においてボンディング接合部の強度を確
保しつつ超音波出力を小さく済ませ得る利点が得られ
る。
【００５４】図１０及び図１１は横軸に超音波出力をと
り、縦軸にセン断強度をとったグラフである。●は標準
ＡＴの場合、◇は低温ＡＴの場合、△はバレル研磨の場
合を示す。図１０の特性線Ｇ１と特性線Ｇ２との比較か
ら理解できる様に、●に係る標準ＡＴの場合には、◇に
係る低温ＡＴの場合よりも、同じ超音波出力であって
も、セン断強度が大きいことがわかる。
り、縦軸にセン断強度をとったグラフである。●は標準
ＡＴの場合、◇は低温ＡＴの場合、△はバレル研磨の場
合を示す。図１０の特性線Ｇ１と特性線Ｇ２との比較か
ら理解できる様に、●に係る標準ＡＴの場合には、◇に
係る低温ＡＴの場合よりも、同じ超音波出力であって
も、セン断強度が大きいことがわかる。
【００５５】また図１１の特性線Ｈ１（特性線Ｇ１と同
じ）と特性線Ｈ２との比較から理解できる様に、●に係
る標準ＡＴの場合には、◇に係るバレル研磨の場合より
も、同じ超音波出力であっても、セン断強度が大きいこ
とがわかる。なお図１０に示す●と図１１に示す●は同
一のデータであり、●が他の印に重複して記されるとき
には見にくくなるため、●の一部を略している。
じ）と特性線Ｈ２との比較から理解できる様に、●に係
る標準ＡＴの場合には、◇に係るバレル研磨の場合より
も、同じ超音波出力であっても、セン断強度が大きいこ
とがわかる。なお図１０に示す●と図１１に示す●は同
一のデータであり、●が他の印に重複して記されるとき
には見にくくなるため、●の一部を略している。
【００５６】図１２は横軸にＡｌワイヤのつぶれ幅をと
り、縦軸に引張破断強度をとったグラフである。●は実
施例に係る標準ＡＴの場合、◇は比較例１に係る低温Ａ
Ｔの場合、△は比較例２に係るバレル研磨の場合を示
す。図１２から理解できる様に標準ＡＴの場合には同じ
つぶれ幅であっても引張破断強度が大きい傾向となる。
図１３は横軸にＡｌワイヤのつぶれ幅をとり、縦軸にセ
ン断強度をとったグラフである。●は標準ＡＴの場合、
◇は低温ＡＴの場合、△はバレル研磨の場合を示す。図
１３から理解できる様に●に係る標準ＡＴの場合には同
じつぶれ幅であっても一般にセン断強度が大きい傾向と
なる。
り、縦軸に引張破断強度をとったグラフである。●は実
施例に係る標準ＡＴの場合、◇は比較例１に係る低温Ａ
Ｔの場合、△は比較例２に係るバレル研磨の場合を示
す。図１２から理解できる様に標準ＡＴの場合には同じ
つぶれ幅であっても引張破断強度が大きい傾向となる。
図１３は横軸にＡｌワイヤのつぶれ幅をとり、縦軸にセ
ン断強度をとったグラフである。●は標準ＡＴの場合、
◇は低温ＡＴの場合、△はバレル研磨の場合を示す。図
１３から理解できる様に●に係る標準ＡＴの場合には同
じつぶれ幅であっても一般にセン断強度が大きい傾向と
なる。
【００５７】＜表面粗さとボンディング性＞上記の様に
ボンディングの評価判定には、つぶれ幅、引張破断強
度、セン断強度が一般的には使用される。ボンディング
の判定には一般的にセン断強度が最適であるので、ＡＴ
処理後の試験片の表面粗さとボンディングのセン断強度
の関係を、図１４の特性線Ｋ１として示した。図１４の
特性線Ｋ１に示す様にＮｉ系メッキ膜をもつ試験片の表
面粗さが小になるほど、ボンディングによるセン断強度
つまり接合強度が増加する傾向がみられる。
ボンディングの評価判定には、つぶれ幅、引張破断強
度、セン断強度が一般的には使用される。ボンディング
の判定には一般的にセン断強度が最適であるので、ＡＴ
処理後の試験片の表面粗さとボンディングのセン断強度
の関係を、図１４の特性線Ｋ１として示した。図１４の
特性線Ｋ１に示す様にＮｉ系メッキ膜をもつ試験片の表
面粗さが小になるほど、ボンディングによるセン断強度
つまり接合強度が増加する傾向がみられる。
【００５８】そして、図１４には、Ａｌ面とＡｌワイヤ
とをボンディングした同系材質間のの接合部の強度領域
をＫ２で示す。領域Ｋ２と特性線Ｋ１とから理解できる
様に、Ｎｉ−Ａｌという異材質間のボンディングであっ
ても、表面改質層の表面粗さを小さくすれば、同系材質
間のセン断強度を示す領域Ｋ２と同等のセン断強度を呈
する表面粗さの領域Ｋ１ａが存在するものである。なお
つぶれ幅、引張破断強度の場合にも同様の傾向がある。 ＜表面改質層の組成＞また処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／
ＨＦ）のモル比、浴温度を変えた場合において、表面改
質層の組成をＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ）（島
津製作所ＥＳＣＡ−７５０）により調べた。この分析装
置はＡｒによるスパッタリングを併用したものである。
Ｘ線源はＭｇＫα（８ｋＶ−３０ｍＡ）とした。構成元
素のａｔ％は、各スパッタリング時間における元素の各
ピーク強度を感度係数により補正し、総量が１００ａｔ
％となる様にした。なお表中のＣ（ａｔ％）は分析の際
に試験片に吸着したものである。
とをボンディングした同系材質間のの接合部の強度領域
をＫ２で示す。領域Ｋ２と特性線Ｋ１とから理解できる
様に、Ｎｉ−Ａｌという異材質間のボンディングであっ
ても、表面改質層の表面粗さを小さくすれば、同系材質
間のセン断強度を示す領域Ｋ２と同等のセン断強度を呈
する表面粗さの領域Ｋ１ａが存在するものである。なお
つぶれ幅、引張破断強度の場合にも同様の傾向がある。 ＜表面改質層の組成＞また処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／
ＨＦ）のモル比、浴温度を変えた場合において、表面改
質層の組成をＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ）（島
津製作所ＥＳＣＡ−７５０）により調べた。この分析装
置はＡｒによるスパッタリングを併用したものである。
Ｘ線源はＭｇＫα（８ｋＶ−３０ｍＡ）とした。構成元
素のａｔ％は、各スパッタリング時間における元素の各
ピーク強度を感度係数により補正し、総量が１００ａｔ
％となる様にした。なお表中のＣ（ａｔ％）は分析の際
に試験片に吸着したものである。
【００５９】この試験では表面改質層の（Ｆｅ／Ｎｉ）
のａｔ％の比を求めた。（Ｆｅ／Ｎｉ）が大きいこと
は、（Ｆｅ／Ｎｉ）における分子項に該当するＦｅ量に
比較して、分母項に該当するＮｉ量が減少していること
を示し、Ｎｉの選択溶解が促進されていることを意味す
ると考えられる。更に表面改質層の（Ｆｅ／Ｎｉ）のａ
ｔ％の比をＡとし、パッド本体を構成する母材の（Ｆｅ
／Ｎｉ）のａｔ％の比をＢとし、両者の比（Ａ／Ｂ）を
求めた。ここで（Ａ／Ｂ）が『１』の値に近いことは、
表面改質層の（Ｆｅ／Ｎｉ）とパッド本体の母材の（Ｆ
ｅ／Ｎｉ）とが近い値であることを示し、従って表面改
質層におけるＮｉの選択溶解が抑制されていることを意
味する考えられる。なおパッド本体を構成する母材の
（Ｆｅ／Ｎｉ）のａｔ％の比つまりＢは、この試験に係
るパッド本体では１．４５であった。
のａｔ％の比を求めた。（Ｆｅ／Ｎｉ）が大きいこと
は、（Ｆｅ／Ｎｉ）における分子項に該当するＦｅ量に
比較して、分母項に該当するＮｉ量が減少していること
を示し、Ｎｉの選択溶解が促進されていることを意味す
ると考えられる。更に表面改質層の（Ｆｅ／Ｎｉ）のａ
ｔ％の比をＡとし、パッド本体を構成する母材の（Ｆｅ
／Ｎｉ）のａｔ％の比をＢとし、両者の比（Ａ／Ｂ）を
求めた。ここで（Ａ／Ｂ）が『１』の値に近いことは、
表面改質層の（Ｆｅ／Ｎｉ）とパッド本体の母材の（Ｆ
ｅ／Ｎｉ）とが近い値であることを示し、従って表面改
質層におけるＮｉの選択溶解が抑制されていることを意
味する考えられる。なおパッド本体を構成する母材の
（Ｆｅ／Ｎｉ）のａｔ％の比つまりＢは、この試験に係
るパッド本体では１．４５であった。
【００６０】結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】表１に示す試験例１１、１２は本発明に該
当するものである。他の試験例は比較例に該当するもの
である。更に説明を加えると、試験例１０〜１２は、処
理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が３の場合で
ある。試験例１３〜１５は、処理液における（Ｈ2 Ｏ2
／ＨＦ）のモル比が１の場合である。
当するものである。他の試験例は比較例に該当するもの
である。更に説明を加えると、試験例１０〜１２は、処
理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が３の場合で
ある。試験例１３〜１５は、処理液における（Ｈ2 Ｏ2
／ＨＦ）のモル比が１の場合である。
【００６３】表１に示す様に、比較例に係る試験例１０
では処理液のモル比が３であっても、浴温度が３０°Ｃ
と低めであり、低温ＡＴ処理している。この試験例１０
の場合には、Ｘ線光電子分光分析によれば、Ｆｅが２．
７ａｔ％、Ｎｉが０．８ａｔ％と少なく、両者のａｔ％
の比である（Ｆｅ／Ｎｉ）は３．４と大きかった。更に
（Ａ／Ｂ）も２．３４と大きかった。Ｎｉの選択溶解が
促進されてＮｉが少なくなり、その結果（Ｆｅ／Ｎｉ）
が増加したものである。更に表１に示す様にＯも２５．
５ａｔ％と少なく、良好な酸化薄膜が得られなかったこ
とを意味している。試験例１０の試験片は光沢もなかっ
た。このときの表面粗さはＲｚで１〜２μｍと大きかっ
た。
では処理液のモル比が３であっても、浴温度が３０°Ｃ
と低めであり、低温ＡＴ処理している。この試験例１０
の場合には、Ｘ線光電子分光分析によれば、Ｆｅが２．
７ａｔ％、Ｎｉが０．８ａｔ％と少なく、両者のａｔ％
の比である（Ｆｅ／Ｎｉ）は３．４と大きかった。更に
（Ａ／Ｂ）も２．３４と大きかった。Ｎｉの選択溶解が
促進されてＮｉが少なくなり、その結果（Ｆｅ／Ｎｉ）
が増加したものである。更に表１に示す様にＯも２５．
５ａｔ％と少なく、良好な酸化薄膜が得られなかったこ
とを意味している。試験例１０の試験片は光沢もなかっ
た。このときの表面粗さはＲｚで１〜２μｍと大きかっ
た。
【００６４】これに対して本発明に係る試験例１２で
は、モル比を３とし浴温度が７０°Ｃで高温ＡＴ処理し
ている。この試験例１２の場合には、表１に示す様に、
Ｆｅが５．８ａｔ％、Ｎｉが４．０ａｔ％と増加してお
り、両者のａｔ％の比である（Ｆｅ／Ｎｉ）は１．５で
あった。Ｎｉが多いため、（Ｆｅ／Ｎｉ）の値が低下し
たものである。前述した様にパッド本体を構成する母材
の（Ｆｅ／Ｎｉ）がａｔ％の比で１．４５であったこと
を考慮すると、『１．４５』と『１．５』とでは大差が
ない。更にこの試験例１２では（Ａ／Ｂ）も１．０３で
あることから、Ｎｉの選択溶解が抑制されたことを示唆
していると考えられる。更にＯも４２．２ａｔ％と多か
った。この試験例１２では、処理温度が７０℃と高いた
め、前述の様にＮｉの選択溶解つまり局部研磨が抑制さ
れ、早期に厚い緻密な酸化薄膜が形成され、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｏの量が増加したものと推察される。この様な試験
例１２の試験片は光沢があり、表面粗さはＲｚで０．２
〜０．３μｍであった。なお、上記した表面改質層は、
Ｆｅ2 Ｏ 3，Ｎｉ2 Ｏ 3，ＮｉＯを主要成分とすると推
察される。
は、モル比を３とし浴温度が７０°Ｃで高温ＡＴ処理し
ている。この試験例１２の場合には、表１に示す様に、
Ｆｅが５．８ａｔ％、Ｎｉが４．０ａｔ％と増加してお
り、両者のａｔ％の比である（Ｆｅ／Ｎｉ）は１．５で
あった。Ｎｉが多いため、（Ｆｅ／Ｎｉ）の値が低下し
たものである。前述した様にパッド本体を構成する母材
の（Ｆｅ／Ｎｉ）がａｔ％の比で１．４５であったこと
を考慮すると、『１．４５』と『１．５』とでは大差が
ない。更にこの試験例１２では（Ａ／Ｂ）も１．０３で
あることから、Ｎｉの選択溶解が抑制されたことを示唆
していると考えられる。更にＯも４２．２ａｔ％と多か
った。この試験例１２では、処理温度が７０℃と高いた
め、前述の様にＮｉの選択溶解つまり局部研磨が抑制さ
れ、早期に厚い緻密な酸化薄膜が形成され、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｏの量が増加したものと推察される。この様な試験
例１２の試験片は光沢があり、表面粗さはＲｚで０．２
〜０．３μｍであった。なお、上記した表面改質層は、
Ｆｅ2 Ｏ 3，Ｎｉ2 Ｏ 3，ＮｉＯを主要成分とすると推
察される。
【００６５】更に本発明に係る試験例１１では、モル比
を３とし浴温度が５０°ＣでＡＴ処理している。この試
験例１１の場合には、表１に示す様に、Ｆｅが３．０ａ
ｔ％、Ｎｉが１．３ａｔ％と増加しており、両者のａｔ
％の比である（Ｆｅ／Ｎｉ）は２．３であり、（Ａ／
Ｂ）は１．５９であった。この試験例１１においても、
試験例１２ほどではないものの、（Ｆｅ／Ｎｉ）は３以
下と小さく、且つ（Ａ／Ｂ）も１〜２の範囲におさまっ
ており、Ｎｉの選択溶解が抑制されたことを示唆してい
ると考えられる。
を３とし浴温度が５０°ＣでＡＴ処理している。この試
験例１１の場合には、表１に示す様に、Ｆｅが３．０ａ
ｔ％、Ｎｉが１．３ａｔ％と増加しており、両者のａｔ
％の比である（Ｆｅ／Ｎｉ）は２．３であり、（Ａ／
Ｂ）は１．５９であった。この試験例１１においても、
試験例１２ほどではないものの、（Ｆｅ／Ｎｉ）は３以
下と小さく、且つ（Ａ／Ｂ）も１〜２の範囲におさまっ
ており、Ｎｉの選択溶解が抑制されたことを示唆してい
ると考えられる。
【００６６】更に表１に示す様に、比較例に係る試験例
１３では処理液における（Ｈ2 Ｏ2／ＨＦ）のモル比が
１であり、浴温度が４０°ＣでＡＴ処理している。この
試験例１３の場合には、Ｆｅが２．６ａｔ％、Ｎｉが
０．６ａｔ％と少ない。また（Ｆｅ／Ｎｉ）は４．３で
あり、（Ａ／Ｂ）は２．９７であった。この様にＮｉが
少ない。Ｎｉが選択溶解されたものと考えられる。更に
Ｏも２９．９ａｔ％と少なく、酸化薄膜の生成が充分で
ないと考えられる。この様な試験例１３の試験片では光
沢がなく、表面粗さもＲｚで１．３〜１．６μｍと大き
かった。
１３では処理液における（Ｈ2 Ｏ2／ＨＦ）のモル比が
１であり、浴温度が４０°ＣでＡＴ処理している。この
試験例１３の場合には、Ｆｅが２．６ａｔ％、Ｎｉが
０．６ａｔ％と少ない。また（Ｆｅ／Ｎｉ）は４．３で
あり、（Ａ／Ｂ）は２．９７であった。この様にＮｉが
少ない。Ｎｉが選択溶解されたものと考えられる。更に
Ｏも２９．９ａｔ％と少なく、酸化薄膜の生成が充分で
ないと考えられる。この様な試験例１３の試験片では光
沢がなく、表面粗さもＲｚで１．３〜１．６μｍと大き
かった。
【００６７】また比較例に係る試験例１４では、（Ｈ2
Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が１であり、浴温度が５０°Ｃで
ＡＴ処理している。この試験例１４の場合にはＦｅが
２．５ａｔ％、Ｎｉが０．８ａｔ％となり、Ｎｉは少な
く、従ってａｔ％比を示す（Ｆｅ／Ｎｉ）は３．１と大
きく、（Ａ／Ｂ）も２．１４と大きかった。更にＯも２
７．７ａｔ％とあまり多くなく、酸化薄膜の生成が充分
でないと考えられる。この様な試験例１４では表面粗さ
もＲｚで０．９〜１．２μｍと大きかった。
Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が１であり、浴温度が５０°Ｃで
ＡＴ処理している。この試験例１４の場合にはＦｅが
２．５ａｔ％、Ｎｉが０．８ａｔ％となり、Ｎｉは少な
く、従ってａｔ％比を示す（Ｆｅ／Ｎｉ）は３．１と大
きく、（Ａ／Ｂ）も２．１４と大きかった。更にＯも２
７．７ａｔ％とあまり多くなく、酸化薄膜の生成が充分
でないと考えられる。この様な試験例１４では表面粗さ
もＲｚで０．９〜１．２μｍと大きかった。
【００６８】また比較例に係る試験例１５では、（Ｈ2
Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が１であり、浴温度が６０°Ｃで
ＡＴ処理している。この試験例１５の場合であっても、
光沢はあったものの、処理液のモル比が１のため、Ｆｅ
が３．３ａｔ％、Ｎｉが０．８ａｔ％となり、Ｎｉはあ
まり多くなく、従ってａｔ％比を示す（Ｆｅ／Ｎｉ）は
４．１と大きく、（Ａ／Ｂ）も２．８３と大きかった。
更にＯも２８．６ａｔ％とあまり多くなく、酸化薄膜の
生成が充分でないと考えられる。この様な試験例１５の
試験片では光沢が認められたものの、表面粗さはＲｚで
０．５〜０．８μｍと大きかった。
Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が１であり、浴温度が６０°Ｃで
ＡＴ処理している。この試験例１５の場合であっても、
光沢はあったものの、処理液のモル比が１のため、Ｆｅ
が３．３ａｔ％、Ｎｉが０．８ａｔ％となり、Ｎｉはあ
まり多くなく、従ってａｔ％比を示す（Ｆｅ／Ｎｉ）は
４．１と大きく、（Ａ／Ｂ）も２．８３と大きかった。
更にＯも２８．６ａｔ％とあまり多くなく、酸化薄膜の
生成が充分でないと考えられる。この様な試験例１５の
試験片では光沢が認められたものの、表面粗さはＲｚで
０．５〜０．８μｍと大きかった。
【００６９】上記事項から次のことが推察される。
処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比及び浴温
度により、表面改質のメカニズムが異なるものと推察さ
れる。即ち、処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル
比が３でかつ浴温度が高温で処理した試験例１２では、
処理液に含まれるＨＦによるエッチング作用が抑制さ
れ、処理液に含まれるＨ2 Ｏ2 による酸化作用による表
面改質層の生成が大きく促進される。その結果、表１の
分析結果に示す様な組成割合をもちＦｅ、Ｎｉ、Ｏの含
有量が多く且つ（Ｆｅ／Ｎｉ）や（Ａ／Ｂ）が適切とな
り、緻密で良好な表面改質層が生成される。従ってこの
様な表面改質層の影響を受けて、試験例１２の試験片の
表面粗さが小さくなり、従って、Ｎｉ系メッキ膜を積層
した試験片においても表面粗さが小さくなる。 しかし処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が
３であっても、試験例１０の様に、浴温度が３０°Ｃと
低い場合には、試験片の表層における表面改質層の生成
よりも、ＨＦによるエッチング作用が優先され、その結
果、試験例１０の表層では良好な表面改質層が生成され
ず、そのため上記した組成分析結果で明らかとなった様
に、表層におけるＮｉ、Ｏの含有量が低くくなる。しか
もエッチング作用が優先されるので、エッチング作用に
よるＮｉの選択溶解が起こり、Ｎｉａｔ％が低下し、こ
れに起因して試験片の表面粗さが大きくなるものであ
る。 前述した様に、処理液を接触させる前の試験例１０に
係る試験片の母材における（Ｆｅ／Ｎｉ）はａｔ％で比
をとると、１．４５である。これに対して処理液に接触
させた試験例１０ではＮｉが既述の様に０．８ａｔ％と
かなり低下し、（Ｆｅ／Ｎｉ）は３．４であった。これ
は試験例１０の様に、処理液における（Ｈ 2 Ｏ2 ／Ｈ
Ｆ）のモル比が３であっても、浴温度が３０℃と低い場
合には、ＨＦによるエッチング作用が打ち勝ち、Ｎｉリ
ッチ領域が選択的に溶解しているため、Ｎｉ含有量が減
少したものと推察される。 これに対して処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモ
ル比が３でかつ浴温度が７０°Ｃという高温で処理した
本発明に係る試験例１２では、（Ｆｅ／Ｎｉ）が１．５
となり、（Ａ／Ｂ）も１．０３であり、Ｎｉ量が確保さ
れている。従ってＨＦによるエッチング作用よりも、Ｈ
2 Ｏ2 による酸化作用による表面改質層の生成作用が打
ち勝ち、その結果、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｏの含有量が多い緻密
で良好な表面改質層が生成される。この様に特定の条件
で処理することにより、（Ｆｅ／Ｎｉ）の値が３以下と
なり、（Ａ／Ｂ）の値が１〜２の範囲におさまり、特定
の面粗さと組成をもつ表面改質層が得られ、この表面改
質層により、ボンディング性が向上したものと思われ
る。 ＜電子顕微鏡観察＞また本発明に相当する試験例１２及
び比較例に相当する試験例１３の表面状況について、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した。本発明品
に相当する試験例１２の試験片（処理液で処理した後で
Ｎｉメッキ処理前）の写真を図１５（倍率３５倍）、図
１６（倍率５００倍）に示す。図１６から理解できる様
に試験例１２に係る試験片の表層は極めて平滑化されて
いることがわかる。
度により、表面改質のメカニズムが異なるものと推察さ
れる。即ち、処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル
比が３でかつ浴温度が高温で処理した試験例１２では、
処理液に含まれるＨＦによるエッチング作用が抑制さ
れ、処理液に含まれるＨ2 Ｏ2 による酸化作用による表
面改質層の生成が大きく促進される。その結果、表１の
分析結果に示す様な組成割合をもちＦｅ、Ｎｉ、Ｏの含
有量が多く且つ（Ｆｅ／Ｎｉ）や（Ａ／Ｂ）が適切とな
り、緻密で良好な表面改質層が生成される。従ってこの
様な表面改質層の影響を受けて、試験例１２の試験片の
表面粗さが小さくなり、従って、Ｎｉ系メッキ膜を積層
した試験片においても表面粗さが小さくなる。 しかし処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比が
３であっても、試験例１０の様に、浴温度が３０°Ｃと
低い場合には、試験片の表層における表面改質層の生成
よりも、ＨＦによるエッチング作用が優先され、その結
果、試験例１０の表層では良好な表面改質層が生成され
ず、そのため上記した組成分析結果で明らかとなった様
に、表層におけるＮｉ、Ｏの含有量が低くくなる。しか
もエッチング作用が優先されるので、エッチング作用に
よるＮｉの選択溶解が起こり、Ｎｉａｔ％が低下し、こ
れに起因して試験片の表面粗さが大きくなるものであ
る。 前述した様に、処理液を接触させる前の試験例１０に
係る試験片の母材における（Ｆｅ／Ｎｉ）はａｔ％で比
をとると、１．４５である。これに対して処理液に接触
させた試験例１０ではＮｉが既述の様に０．８ａｔ％と
かなり低下し、（Ｆｅ／Ｎｉ）は３．４であった。これ
は試験例１０の様に、処理液における（Ｈ 2 Ｏ2 ／Ｈ
Ｆ）のモル比が３であっても、浴温度が３０℃と低い場
合には、ＨＦによるエッチング作用が打ち勝ち、Ｎｉリ
ッチ領域が選択的に溶解しているため、Ｎｉ含有量が減
少したものと推察される。 これに対して処理液における（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモ
ル比が３でかつ浴温度が７０°Ｃという高温で処理した
本発明に係る試験例１２では、（Ｆｅ／Ｎｉ）が１．５
となり、（Ａ／Ｂ）も１．０３であり、Ｎｉ量が確保さ
れている。従ってＨＦによるエッチング作用よりも、Ｈ
2 Ｏ2 による酸化作用による表面改質層の生成作用が打
ち勝ち、その結果、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｏの含有量が多い緻密
で良好な表面改質層が生成される。この様に特定の条件
で処理することにより、（Ｆｅ／Ｎｉ）の値が３以下と
なり、（Ａ／Ｂ）の値が１〜２の範囲におさまり、特定
の面粗さと組成をもつ表面改質層が得られ、この表面改
質層により、ボンディング性が向上したものと思われ
る。 ＜電子顕微鏡観察＞また本発明に相当する試験例１２及
び比較例に相当する試験例１３の表面状況について、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した。本発明品
に相当する試験例１２の試験片（処理液で処理した後で
Ｎｉメッキ処理前）の写真を図１５（倍率３５倍）、図
１６（倍率５００倍）に示す。図１６から理解できる様
に試験例１２に係る試験片の表層は極めて平滑化されて
いることがわかる。
【００７０】また、比較例に相当する試験例１３の試験
片（Ｎｉメッキ処理前）写真を図１７（倍率５００倍）
に示す。図１７から理解できる様に試験例の表層は平滑
化されておらず、エッチング作用によって選択溶解され
た部分が細筋となって現れていることがわかる。従って
本発明品とは異なり、表面粗さが大きくて粗いことは明
らかである。細筋は、試験片が圧延品のため圧延の際の
延びの影響のためと考えられる。
片（Ｎｉメッキ処理前）写真を図１７（倍率５００倍）
に示す。図１７から理解できる様に試験例の表層は平滑
化されておらず、エッチング作用によって選択溶解され
た部分が細筋となって現れていることがわかる。従って
本発明品とは異なり、表面粗さが大きくて粗いことは明
らかである。細筋は、試験片が圧延品のため圧延の際の
延びの影響のためと考えられる。
【図１】パッドの半田接合面を基板を固定すると共に、
パッドのワイヤ接合面にＡｌワイヤに接合している状態
を示す構成図である。
パッドのワイヤ接合面にＡｌワイヤに接合している状態
を示す構成図である。
【図２】浴温度とエッチング量との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図３】表面改質層を得る際における処理液における
（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比と浴温度との関係を示すグ
ラフである。
（Ｈ2 Ｏ2 ／ＨＦ）のモル比と浴温度との関係を示すグ
ラフである。
【図４】製造工程図である。
【図５】処理別の試験例の表面粗さを示すグラフであ
る。
る。
【図６】超音波出力とつぶれ幅との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図７】超音波出力とつぶれ幅との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図８】超音波出力と引張破断強度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図９】超音波出力と引張破断強度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図１０】超音波出力とセン断強度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図１１】超音波出力とセン断強度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図１２】つぶれ幅と引張破断強度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図１３】つぶれ幅とセン断強度との関係を示すグラフ
である。
である。
【図１４】表面粗さとセン断強度との関係を示すグラフ
である。
である。
【図１５】表面改質層をもつパッド本体の金属組織を示
す写真である。
す写真である。
【図１６】表面改質層をもつパッド本体の金属組織を示
す写真である。
す写真である。
【図１７】表面改質層が形成されていないパッド本体の
金属組織を示す写真である。
金属組織を示す写真である。
【図１８】従来例にかかるパッドを模式的に示す構成図
である。
である。
図中、１０はパッド本体、１１は半田接合面、１３はワ
イヤ接合面、１０ｘはＮｉ系メッキ膜、２０は電子基板
を示す。
イヤ接合面、１０ｘはＮｉ系メッキ膜、２０は電子基板
を示す。
フロントページの続き
(72)発明者 糟屋 照正
愛知県東海市荒尾町ワノ割１番地 愛知
製鋼株式会社内
(72)発明者 下田 健二
愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自
動車株式会社内
(72)発明者 前田 千芳利
愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自
動車株式会社内
(56)参考文献 特開 昭59−79539（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−3189（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 301
Claims (6)
- 【請求項１】一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、 該パッド本体のワイヤ接合面を含む全面に形成されたＦ
ｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質
層と、 該表面改質層の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚ
が０．３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜とで構成されている
ことを特徴とするアルミワイヤボンディング用パッド。 - 【請求項２】表面改質層の組成割合は、Ｘ線光電子分光
分析によれば、Ｆｅが２．８ａｔ％を越え、Ｎｉが１．
２ａｔ％を越え、Ｏが２６ａｔ％を越える組成であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の特徴とするアルミワイ
ヤボンディング用パッド。 - 【請求項３】一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、ａ
ｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が３以下のＦｅ−Ｎｉ系の組成をも
つパッド本体と、 該パッド本体のワイヤ接合面を含む全面に形成されたＦ
ｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質
層と、 該表面改質層の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚ
が０．３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜とで構成され、 該表面改質層は、ａｔ％でＦｅ／Ｎｉ比が３以下である
ことを特徴とするアルミワイヤボンディング用パッド。 - 【請求項４】一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、 該パッド本体のワイヤ接合面を含む全面に形成されたＦ
ｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下の表面改質
層と、 該表面改質層の全面に積層されたＮｉを基材とするＲｚ
が０．３μｍ以下のＮｉ系メッキ膜とで構成され、 ａｔ％で該表面改質層のＦｅ／Ｎｉ比をＡとし、ａｔ％
でパッド本体のＦｅ／Ｎｉ比をＢとしたとき、両者の比
（Ａ／Ｂ）が１〜２であることを特徴とするアルミワイ
ヤボンディング用パッド。 - 【請求項５】Ｎｉ系メッキ膜にボンディングで結合され
たアルミワイヤを備えた請求項１乃至４に記載のアルミ
ワイヤボンディング用パッド。 - 【請求項６】一方の面を形成すると共に電子基板に半田
付けされる半田接合面と他方の面を形成すると共にアル
ミワイヤがボンディングされるワイヤ接合面を備え、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系の組成をもつパッド本体と、 Ｈ2 Ｏ2 及びＨＦを主剤とし｛Ｈ2 Ｏ2 〔ｍｏｌ／ｌ〕
／ＨＦ〔ｍｏｌ／ｌ〕｝の比が３以上の濃度を有する処
理液とを用い、 温度５０〜８０°Ｃで該パッド本体の表層と該処理液と
を接触させ該パッド本体の表層を表面改質することによ
り、Ｆｅ、Ｎｉ及びＯを含みＲｚが０．３μｍ以下の表
面改質層を該パッド本体の表層に形成する工程と、 該表面改質層を備えたパッド本体にＮｉ系メッキ処理を
実行して該表面改質層にＮｉ系メッキ膜を積層し、パッ
ドを得る工程とを順に実施することを特徴とするアルミ
ワイヤボンディング用パッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15640495A JP3440635B2 (ja) | 1994-06-30 | 1995-06-22 | アルミワイヤボンディング用パッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14985394 | 1994-06-30 | ||
| JP6-149853 | 1994-06-30 | ||
| JP15640495A JP3440635B2 (ja) | 1994-06-30 | 1995-06-22 | アルミワイヤボンディング用パッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878469A JPH0878469A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3440635B2 true JP3440635B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=26479623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15640495A Expired - Fee Related JP3440635B2 (ja) | 1994-06-30 | 1995-06-22 | アルミワイヤボンディング用パッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3440635B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007251065A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | セラミック配線基板およびその製造方法 |
| JP5214936B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2013-06-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-06-22 JP JP15640495A patent/JP3440635B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0878469A (ja) | 1996-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8445057B2 (en) | Conductive material for connecting part and method for manufacturing the conductive material | |
| JP4158928B2 (ja) | ボンディングワイヤー及びその製造方法 | |
| JP2003526519A (ja) | 鑞付け用シート製品および鑞付け用シート製品を使用するアセンブリーの製造法 | |
| HU224373B1 (hu) | Keményforrasztó lemeztermék és eljárás annak előállítására, továbbá keményforrasztással egyesített alkatrészekből álló szerkezet és eljárás annak előállítására | |
| JPH10237691A (ja) | 多層メッキリードフレーム | |
| KR100703829B1 (ko) | 전자부품용 패키지, 그 덮개체용 덮개재 및 그 덮개재의 제조방법 | |
| JP3440635B2 (ja) | アルミワイヤボンディング用パッド及びその製造方法 | |
| JP2004339584A (ja) | リードフレーム及びそのめっき方法 | |
| JP2009235579A (ja) | リードフレーム | |
| US6117566A (en) | Lead frame material | |
| JP3667926B2 (ja) | 金／ニッケル／ニッケル３層めっき銅合金電子部品およびその製造方法 | |
| JP2008036668A (ja) | 銅または銅合金材およびその製造方法、並びに半導体パッケージ | |
| JP2522074B2 (ja) | 缶用極薄Ｓｎめっき鋼板及びその製造方法 | |
| JP3026485B2 (ja) | リードフレーム材とその製法 | |
| JP3313006B2 (ja) | ベアボンド用銅合金リードフレーム | |
| JP3312235B2 (ja) | ベリリウム銅合金ばね材およびその製造方法 | |
| JP2867203B2 (ja) | リードフレーム用素材の製法 | |
| JP2015106630A (ja) | ろう材付き基材およびろう材付き基材の製造方法 | |
| JP2006117983A (ja) | めっき皮膜ステンレス鋼 | |
| JP7127673B2 (ja) | ろう材付き基材の製造方法 | |
| JP2007009334A5 (ja) | ||
| JPS62173748A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JP2522075B2 (ja) | 缶用極薄Ｓｎめっき鋼板及びその製造方法 | |
| JPH10223827A (ja) | リードフレーム材 | |
| JPH0663772A (ja) | 抵抗拡散接合方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140620 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |