JP3433261B2 - 粒子線検査方法 - Google Patents

粒子線検査方法

Info

Publication number
JP3433261B2
JP3433261B2 JP31607192A JP31607192A JP3433261B2 JP 3433261 B2 JP3433261 B2 JP 3433261B2 JP 31607192 A JP31607192 A JP 31607192A JP 31607192 A JP31607192 A JP 31607192A JP 3433261 B2 JP3433261 B2 JP 3433261B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
sample
reverse
electrode
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP31607192A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05256918A (ja
Inventor
シユミツト ラインホルト
Original Assignee
ディスプレイ プロダクツ グループ,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ディスプレイ プロダクツ グループ,インコーポレイテッド filed Critical ディスプレイ プロダクツ グループ,インコーポレイテッド
Publication of JPH05256918A publication Critical patent/JPH05256918A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3433261B2 publication Critical patent/JP3433261B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、粒子線が試料の1つの
測定個所に向けられ、またその結果として二次電子が形
成され、二次電子の一部分が少なくとも1つの逆電界電
極を通過して検出器に到達し、またそこで検出器電流を
生じさせ、検出器電流が特定の測定個所における試料電
圧と逆電界電極の逆電圧に関係し、また試料電圧の変化
の際に逆電圧が追従する粒子線検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】この形式の方法はSPIEの論文集、T
he InternationalSociety o
f Optical Engineering、198
6年3月11、12日、サンタクララ、USA、第63
2巻、第232〜236頁から知られている。これは”
ソフトウェア−制御ループ”を有する定量的電圧測定の
ための電子線検査方法である。制御ループはたとえば
出器電流が予め定められた参照電流に等しくなり、ま
た測定すべき試料電圧と設定されている逆電圧との間に
直線的関係が存在するように、追従すべき逆電圧を生ず
るべく作用する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に記載した種類の方法であって、なかんずく高速定量的
検査に適しており、最大測定感度を有し、また比較的簡
単に実施可能である方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題は、粒子線(P
E)が試料(P)のそれぞれ1つの測定個所(M)に向
けられ、またその結果として二次電子(SE1)が形成
され、二次電子の一部分(SE2)が少なくとも1つの
逆電界電極(GN)を通過して検出器(D)に到達し、
またそこで検出器電流(IA)を生じさせ、検出器電流
(IA)が特定の測定個所(M)における試料電圧(U
P)と逆電界電極の逆電圧(UG)に関係し、また試料
電圧(UP)の変化の際に逆電圧が追従する粒子線検査
方法において、駆動ユニット(AE)により試料(P)
の少なくとも1つの端子(A1)が設定電圧(UE1)
を供給され、測定個所(M)に少なくとも1つの設定電
圧に基づいてそれぞれの実際の試料電圧変化(UP1)
が発生され、駆動ユニット(AE)により基本逆電圧
(UG1)に重畳される目標の試料電圧変化(UPS)
が発生されて基本逆電圧と一緒に逆電界電極(GN)に
おける逆電圧(UG)を形成することにより逆電圧が追
従し、少なくとも1つの設定電圧(UE1)の変化の際
に検出器電流(IA)が一定にとどまり、また、測定個
所(M)における実際の試料電圧変化(UP1)がそれ
ぞれの測定個所(M)に対する目標の試料電圧変化(U
PS)と等しい値を有するかぎり、目標の検出器電流
(I1)に一致し、また欠陥を有する試料が検出器電流
(IA)の変化に基づいて検出されることを特徴とする
粒子線検査方法により解決される。
【0005】請求項2ないし6には本発明による方法の
有利な実施態様があげられている。
【0006】
【実施例】以下、図面により本発明を一層詳細に説明す
る。
【0007】図1には、逆電圧追従を有する公知の粒子
線検査方法を実施するための装置が示されており、その
際に一次電子線PEが試料Pの測定個所Mに向けられて
いる。測定個所Mから二次電子線SE1が逆電界電極
(網)GNのほうへ進み、また二次電子線の一部分SE
2は検出器Dに到達する。加算個所S1において、検出
器内で発生された検出器電流IAが参照電流IRと比較
され、また増幅器Vを経て逆電圧UGの形態で逆電界電
極GNに供給される。こうして、検出器電流IAが常に
すべての試料電圧UPに対して予め定められた参照電流
IRに一致するように逆電界電極GNにおける逆電圧U
が追従する制御ループが構成されている。図2には、
図1に対するスペクトロメータ特性曲線を有するダイア
グラムが示されており、負の逆電圧−UGにわたって検
出器電流IAが記入されており、また試料電圧UPが
場合、UPが0に等しい場合および負の場合に対して
それぞれスペクトロメータ特性曲線が示されている。検
出器電流IAは参照電流IRの形態で予め定められてお
り、またスペクトロメータ特性曲線は特定の試料電圧
だけしかUG軸の方向にずらされていないので、直線
的関係が特定の逆電圧変化特定の試料電圧変化との間
に存在する。参照電流IRおよび正の試料電圧UPに対
するスペクトロメータ特性曲線はその際に、逆電圧−U
G=U1に通ずる動作点1を形成する。相応の仕方で、
試料電圧UP=0に対するスペクトロメータ特性曲線は
動作点2を形成し、また逆電圧−UG=U2に通じ、ま
負の試料電圧UPに対するスペクトロメータ特性曲線
は動作点3および逆電圧−UG=U3に通ずる。逆電圧
はその際に試料電圧UPが負であるほど負になる。公知
の粒子線検査方法は試料電圧変化と逆電圧変化との間の
直線的関係に基づいて定量的検査のために特に良好に使
用され得るが、制御ループが必要であるために処理速度
が比較的低い。
【0008】なかんずく、多数の比較的簡単にかつ同種
に構成された要素を有する構造、たとえばLCD−ポイ
ント−マトリックスディスプレイまたはDRAMが、そ
れらの機能を果たす能力のみを検査されればよいが、そ
の代わりに比較的迅速に、たとえば30秒の間に106
要素の速さで検査されるべきであれば、冒頭に記載した
公知の方法は比較的高い技術的費用をかけなければ実現
可能でない。
【0009】本発明による粒子線検査方法は、確かにた
とえば種々の試料電圧に対してそれぞれ最大の測定感度
を得るために逆電圧追従を有するが、定性的検査(実施
可能であるかあるいは欠陥か)方法であり、また試料電
変化と逆電圧変化との間の直線的関係が必要でないの
で、処理速度を制限する制御ループなしにすますことが
できる。
【0010】図3には本発明による粒子線検査方法を実
施するための装置の回路図が示されており、その際に、
図1の場合と類似して、一次電子線PEが試料Pの測定
個所Mに向けられており、また二次電子線SE1を発生
する。場合によっては必要な別の電極AN、たとえば吸
引電極が比較的密に試料Pの上に設けられていてよく、
また一次電子線PEの一部分および二次電子線SE1の
一部分を当てられる。二次電子線SE1の上記の別の電
極を通過する部分は参照符号SE3を付されており、ま
た逆電界電極(網)GNに到達する。二次電子線SE3
の逆電界電極GNを通過する部分は参照符号SE2を付
されており、また、図1で既に説明したように、検出器
D内に検出器電流IAを発生する。試料Pはたとえば駆
動端子A1…A3を有し、これらは駆動ユニットAEに
より駆動可能である。例として基準電位に対する端子A
1における設定電圧UE1が記入されている。逆電界電
極には、加算個所S3において基本逆電圧UG1と駆動
ユニットAEのなかで形成可能な目標試料電圧変化
PSとから発生される逆電圧UGが与えられている。相
応の仕方で場合によっては別の電極ANに、加算個所S
2において基本電極電圧UA1と目標試料電圧UPS
とから発生可能である電極電圧UAが与えられている。
試料Pの測定個所Mと基準電位との間には設定電圧、た
とえば設定電圧UE1に基づいて試料電圧UPが与えら
れている。
【0011】図4には図3の装置に対するスペクトロメ
ータ特性曲線を有するダイアグラムが示されており、そ
こには負の逆電圧−UGにわたって検出器電流IAが記
入されており、また試料電圧UP=UP1に対する第1
のスペクトロメータ特性曲線、試料電圧UP=UP1−
UPSに対する第2のスペクトロメータ特性曲線および
試料電圧UP=UP1−UPIに対する第3のスペクト
ロメータ特性曲線が示されており、ここでUP1はたと
えば0であってもよい基本試料電圧、UPIは欠陥があ
る場合の実際試料電圧変化、またUPSは目標試料
電圧変化である。目標試料電圧変化UPSが0に等し
く、従ってまた試料電圧が試料基本電圧UP1に等しい
場合には、相対的逆電圧UGは基本逆電圧UG1に一致
する。基本逆電圧UG1は試料電圧UP=UP1に対す
る第1のスペクトロメータ特性曲線と一緒に動作点4に
目標検出器電流I1を形成する。いま、欠陥がない場
合に、測定個所Mにおける試料電圧が基本試料電圧UP
1および目標試料電圧変化UPSから成るならば、加
算個所S3における基本逆電圧UG1が同じく正確に目
試料電圧変化に重畳されるので、UP=UP1に対
する第1のスペクトロメータ特性曲線は単に図2の場合
のようにUG軸の方向にずらされる。その結果、測定個
所Mにおける試料電圧変化が測定個所Mに対する特定
目標試料電圧変化に一致するかぎり、検出器電流IA
は目標検出器電流I1に一致する。こうして図4で逆
電圧UG1−UPSはUP=UP1−UPSに対する第
2のスペクトロメータ特性曲線と一緒に動作点5で同じ
く目標検出器電流I1に通ずる。動作点4、従ってま
た動作点5が、それがそれぞれのスペクトロメータ特性
曲線の最大急峻度を有する点を表すように選ばれること
は有利である。なぜならば、その際に最大の測定感度ま
たは最大の電圧変化が可能であるからである。欠陥のあ
る試料Pの際に試料電圧UPがたとえば欠陥のない場合
のように強く負にならないと、実際試料電圧変化UP
Iの大きさは目標試料電圧変化UPSの大きさよりも
小さく、従って二次電子SE1のエネルギーは欠陥のな
い場合のように強く高められず、また基本試料電圧UP
1の第1のスペクトロメータ特性曲線は欠陥のない場合
のように強く負の逆電圧−UGの方向にずらされない。
しかし負の逆電圧−UGは欠陥のある試料の場合にも基
本逆電圧UG1と駆動ユニットAEからの目標試料電
圧ストロークUPSとから形成されるので、その結果、
逆電界電極GNのそれぞれ等しい逆電界により二次電子
SE3は確かに両方の場合に等しく強く制動されるが、
二次電子SE1のエネルギーは欠陥のある場合にはより
小さく、従ってまた欠陥のある試料では目標検出器電
流I1よりも小さい検出器電流I2が生ずる。こうして
図4には例として負の逆電圧−UG=UG1−UPSお
よびUP=UP1−UPIに対する第3のスペクトロメ
ータ特性曲線に対して動作点6で検出器電流I2が生ず
る。欠陥のある試料の検出器電流I2は欠陥の形式に応
じて目標検出器電流I1よりも小さいことも大きいこ
ともあり得る。
【0012】少なくとも1つの別の電極(AN)が測定
個所(M)と逆電界電極(GN)との間に位置してお
り、また部分的に一次電子線を当てられる場合には、測
定個所(M)とそれぞれの別の電極との間の電圧は、検
出器電流(IA)の誤り生じないように、できるかぎ
り試料電圧UPの変化、すなわち試料電圧変化に無関係
でなければならない。本発明により、図3に示されてい
るように、それぞれの基本電極電圧UA1に測定個所
(M)に対する目標試料電圧変化(UPS)が重畳さ
れると、検出器電流の誤り欠陥のない試料の場合には
回避され、また欠陥のある試料の場合には減ぜられ得
る。
【0013】駆動ユニットAEは各測定個所Mに対する
最も複雑な場合には端子A1…A3に対する異なった設
定電圧べクトルおよびそれぞれ異なった目標電圧変化
UPSを供給し得る。1つの実現可能性はこの場合にた
とえば後段に接続されているディジタル−アナログ変換
器を有するメモリまたは計算機の形態にある。さらに駆
動ユニットAEのなかに、各測定個所に対してそれぞれ
の設定電圧べクトルに相応の目標試料電圧変化UPS
を形成する機能を果たす試料が使用され得る。しかしL
CD−ポイント−マトリックスディスプレイの検査のた
めには非常に簡単な駆動ユニットAE´が使用され得
る。なぜならば、LCD−ポイント−マトリックスディ
スプレイのすべての要素は同時にまた同種に能動化また
は駆動され得るし、またそれぞれの目標試料電圧変化
UPSが各要素に対して、すなわち各測定個所に対して
等しいからである。このような駆動ユニットAE´は図
5に示されており、またたとえば抵抗R1および抵抗R
2から成る分圧器と接続されている直流電圧UEを有
する。直流電圧UEはその際に試料Pのすべての端子
A1…A3に対して同時にそれぞれの設定電圧を供給
し、また分圧器により抵抗R1にすべての測定個所に対
して等しい目標電圧変化UPSが発生される。
【0014】二次電子を発生するための粒子線としては
前記のように一次電子線のほかにイオン線またはレーザ
ー線も使用され得る。
【0015】電極としての役割をする吸引電極、逆電界
電極および別の電極はその際にそれぞれスリット状の孔
を有する板の形態の相応の電極により置換可能である。
【0016】
【発明の効果】 本発明により得られる利点は特に、検査
装置に対してたとえば制御増幅器のような帯域制限要素
が全く必要とされず、またそれによって比較的高い処理
速度が得られることにある。
【図面の簡単な説明】
【図1】公知の粒子線検査方法を実施するための装置の
回路図。
【図2】図1に対するスペクトロメータ特性曲線を有す
るグイアグラム。
【図3】本発明による粒子線検査方法を実施するための
装置の回路図。
【図4】図3に対するスペクトロメータ特性曲線を有す
るダイアグラム。
【図5】図3に対する駆動ユニットの実施例。
【符号の説明】
A1〜A3 端子 AE、AE´ 駆動ユニット AN 別の電極 D 検出器 GN 逆電界電極 I1 目標検出器電流 I2 実際検出器電流 IA 検出器電流 M 測定個所 P 試料 PE 粒子線 R1、R2 分圧器 SE1 二次電子 SE2 二次電子の一部分 UA 電極電圧 UA1 基本電極電圧 UE 直流電圧源 UE1 設定電圧 UG 逆電圧 UG1 基本逆電圧 UP1 実際試料電圧変化 UPS 目標試料電圧変化
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/302 G01N 23/225 G01T 1/28 H01J 37/244 H01J 37/28

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 粒子線(PE)が試料(P)のそれぞれ
    1つの測定個所(M)に向けられ、またその結果として
    二次電子(SE1)が形成され、二次電子の一部分(S
    E2)が少なくとも1つの逆電界電極(GN)を通過し
    検出器(D)に到達し、またそこで検出器電流(I
    A)を生じさせ、検出器電流(IA)が特定の測定個所
    (M)における試料電圧(UP)逆電界電極の逆電圧
    (UG)に関係し、また試料電圧(UP)の変化の際に
    逆電圧が追従する粒子線検査方法において、駆動ユニッ
    ト(AE)により試料(P)の少なくとも1つの端子
    (A1)が設定電圧(UE1)を供給され、測定個所
    (M)に少なくとも1つの設定電圧に基づいてそれぞれ
    の実際試料電圧変化(UP1)が発生され、駆動ユニ
    ット(AE)により基本逆電圧(UG1)に重畳される
    目標試料電圧変化(UPS)が発生されて基本逆電圧
    と一緒に逆電界電極(GN)における逆電圧(UG)を
    形成することにより逆電圧が追従し、少なくとも1つの
    設定電圧(UE1)の変化の際に検出器電流(IA)が
    一定にとどまり、また、測定個所(M)における実際
    試料電圧変化(UP1)がそれぞれの測定個所(M)に
    対する目標試料電圧変化(UPS)と等しい値を有す
    るかぎり、目標検出器電流(I1)に一致し、また
    を有する試料が検出器電流(IA)の変化に基づいて
    検出されることを特徴とする粒子線検査方法。
  2. 【請求項2】 測定個所(M)と逆電界電極(GN)と
    の間に少なくとも1つの別の電極(AN)が位置し、ま
    少なくとも1つの別の電極(AN)には粒子線(P
    E)部分的に当てられ、目標試料電圧変化(UP
    S)には少なくともそれぞれの別の電極(AN)に対す
    る基本電極電圧(UA1)によりそれぞれの電極電圧
    (UA)として重畳され、またそれぞれの電極電圧(U
    A)がそれぞれの別の電極(AN)に供給されることを
    特徴とする請求項1記載の粒子線検査方法。
  3. 【請求項3】 目標検出器電流(I1)が、この目標
    検出器電流(I1)と実際検出器電流(I2)との
    最大差が生ずるように選ばれることを特徴とする請
    求項1または2記載の粒子線検査方法。
  4. 【請求項4】 駆動ユニット(AE´)が直流電圧源
    (UE)および分圧器(R1、R2)からのみ成ってお
    り、試料(P)の複数の駆動端子(A1、A2、A3)
    が同時に直流電圧源と接続されており、またすべての測
    定点(M)に対して等しい目標試料電圧変化が分圧器
    により直流電圧源の電圧から形成されることを特徴とす
    る請求項1ないし3の1つに記載の粒子線検査方法。
  5. 【請求項5】 逆電界電極および別の電極の少なくとも
    一方は、これらが存在するかぎり、網の形態で構成され
    ていることを特徴とする請求項ないし4の1つに記載
    の粒子線検査方法。
  6. 【請求項6】 逆電界電極および別の電極の少なくとも
    一方は、これらが存在するかぎり、スリット状の孔を有
    する板の形態で構成されていることを特徴とする請求項
    ないし4の1つに記載の粒子線検査方法。
JP31607192A 1991-11-05 1992-10-30 粒子線検査方法 Expired - Lifetime JP3433261B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4136407.4 1991-11-05
DE4136407 1991-11-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05256918A JPH05256918A (ja) 1993-10-08
JP3433261B2 true JP3433261B2 (ja) 2003-08-04

Family

ID=6444125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31607192A Expired - Lifetime JP3433261B2 (ja) 1991-11-05 1992-10-30 粒子線検査方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5369359A (ja)
EP (1) EP0542094B1 (ja)
JP (1) JP3433261B2 (ja)
DE (1) DE59207944D1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2605607B2 (ja) * 1993-12-08 1997-04-30 日本電気株式会社 半導体集積回路の故障解析装置
US7129694B2 (en) * 2002-05-23 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
DE10227332A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-15 Akt Electron Beam Technology Gmbh Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US7355418B2 (en) * 2004-02-12 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US6833717B1 (en) * 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module
US7319335B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array testing
US7075323B2 (en) * 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) * 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays
US7535238B2 (en) * 2005-04-29 2009-05-19 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
JP5164317B2 (ja) * 2005-08-19 2013-03-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置
CN102353890B (zh) * 2006-03-14 2014-09-24 应用材料公司 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7602199B2 (en) 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
CN111044760A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 贵州航天计量测试技术研究所 一种具有计数功能的smd二端元件测试装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5932145A (ja) * 1982-08-16 1984-02-21 Hitachi Ltd 電位検出装置
WO1984004819A1 (en) * 1983-05-25 1984-12-06 Battelle Memorial Institute Method for inspecting and testing an electric device of the printed or integrated circuit type
JPS607049A (ja) * 1983-06-24 1985-01-14 Hitachi Ltd 電位測定装置
JPH065691B2 (ja) * 1987-09-26 1994-01-19 株式会社東芝 半導体素子の試験方法および試験装置
DE3941178A1 (de) * 1989-12-13 1991-06-20 Siemens Ag Verfahren zur quantitativen potentialmessung mit einer korpuskularsonde

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05256918A (ja) 1993-10-08
DE59207944D1 (de) 1997-03-06
EP0542094A1 (de) 1993-05-19
US5369359A (en) 1994-11-29
EP0542094B1 (de) 1997-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3433261B2 (ja) 粒子線検査方法
JPH05240901A (ja) 液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法
JP3759059B2 (ja) 微細構造素子の機能の試験方法及び装置
Furst et al. Investigation of spin-orbit effects in the excitation of noble gases by spin-polarized electrons
JP3330382B2 (ja) 集積回路の試験・修復装置
JP2000357487A (ja) 質量分析装置
US4455486A (en) Method and apparatus for detecting magnetism by means of electron spin polarization measurements through dielectronic transition
Hedfjaell et al. Electrooptical ion detector for gas chromatography/mass spectrometry
JPS62219534A (ja) 粒子ゾンデを使用する時間に関係する信号の測定方法と装置
JPH02103479A (ja) 静電気放電耐圧の試験方法
JP3419662B2 (ja) 仕事関数測定方法、仕事関数測定装置、及び試料ホルダ
JPS6327033A (ja) 電子デバイスの試験装置およびその使用方法
JP4213883B2 (ja) 磁界の測定方法および磁界測定装置、ならびに電流波形測定方法および電界測定方法
Yang et al. Photomultiplier tube gain suppression: a new method for the sequential measurement of fluorescence and phosphorescence
JPH02157665A (ja) 電子ビームテスタ
US6859061B2 (en) Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit
KR980011606A (ko) Pdp 전극의 단락/개방 유무 검사 장치 및 방법
JPS63200450A (ja) 荷電ビ−ムの自動制御装置
JP3384663B2 (ja) 集束イオンビーム加工装置
Andreev et al. A Picosecond Electron-Optical Dissector for Detecting Synchrotron Radiation
JPS61207028A (ja) 電子デバイスの試験方法
JPH0586616B2 (ja)
JPS6237938A (ja) 電子デバイスの試験装置
JPH03129656A (ja) 2次イオン質量分析計
JP2970880B2 (ja) 電子ビームによる電圧測定方法及び電子ビームテスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021009

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030416

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080530

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100530

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530

Year of fee payment: 10